JPH1092722A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH1092722A
JPH1092722A JP8245809A JP24580996A JPH1092722A JP H1092722 A JPH1092722 A JP H1092722A JP 8245809 A JP8245809 A JP 8245809A JP 24580996 A JP24580996 A JP 24580996A JP H1092722 A JPH1092722 A JP H1092722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illuminance
sensor
exposure
detachable
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8245809A
Other languages
English (en)
Inventor
Takechika Nishi
健爾 西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8245809A priority Critical patent/JPH1092722A/ja
Priority to KR1019970045347A priority patent/KR100523091B1/ko
Priority to US08/932,998 priority patent/US6115107A/en
Priority to EP97116262A priority patent/EP0833193B1/en
Publication of JPH1092722A publication Critical patent/JPH1092722A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光装置に備えられた照度センサの較正精度
を高め、較正用のデータの処理速度を高める。 【解決手段】 照明系17中のビームスプリッタ33に
より分割された露光光ILの照度を検出するインテグレ
ータセンサ18、及びウエハステージ1上に固定された
固定型照度センサ7等の常設の照度センサを較正するた
めの着脱型照度計2をウエハステージ1上に着脱自在に
設置し、着脱型照度計2からの出力信号をセンサ制御装
置3等を介して照度制御ユニット12にオンラインで供
給する。例えばインテグレータセンサ18の較正に際
し、露光光ILの照度をインテグレータセンサ18及び
着脱型照度計2で同期して計測し、それらの出力信号を
照度制御ユニット12内で演算処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
マスク上のパターンを感光基板上に露光するために使用
される露光装置に関し、更に詳しくは感光基板が載置さ
れるステージ上での露光光の照度を直接的、又は間接的
に計測するための常設の照度センサの較正を行う機能を
備えた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えば半導体素子等を製造す
るために、マスクとしてのレチクル(又はフォトマスク
等)のパターンを投影光学系を介して、感光基板として
のフォトレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレ
ート等)上に転写するための一括露光型の投影露光装置
(ステッパー等)、又は投影光学系を介さずに直接ウエ
ハ上にレチクルのパターンを転写するプロキシミティ方
式の露光装置等の露光装置が使用されている。また、最
近では投影光学系を大型化することなく、実質的に露光
面積を大きくするために、レチクルとウエハとを投影光
学系に対して同期走査してレチクルのパターンをウエハ
上の各ショット領域に逐次転写するステップ・アンド・
スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置も使用され
つつある。
【0003】一般にウエハ上のフォトレジストには適正
露光量が定められている。そこで、そのような露光装置
には、ウエハ上での露光光の照度を直接的、又は間接的
に計測するための照度センサが備えられ、この照度セン
サの計測値に基づいてウエハ上での露光量を制御してい
る。図12は、従来の照度センサを備えた投影露光装置
を示し、この図12において、露光光源109から射出
された露光光ILは、照明系103を介してレチクルR
のパターン領域を照明し、その露光光ILのもとでレチ
クルRのパターンの像が投影光学系102を介して、フ
ォトレジストが塗布されたウエハW上の各ショット領域
に転写される。ウエハWはこのウエハを3次元的に位置
決めするためのウエハステージ101上に保持されてい
る。
【0004】また、照明系103は、フライアイレン
ズ、このフライアイレンズから射出された露光光の一部
を分離するビームスプリッタ111、及びコンデンサレ
ンズ等を備え、そのビームスプリッタ111で分離され
た露光光ILが、光電検出器よりなる照度センサとして
のインテグレータセンサ110に入射し、インテグレー
タセンサ110の出力信号が照度制御ユニット105に
供給されている。この照度制御ユニット105は装置全
体の動作を制御する主制御装置107に接続され、主制
御装置107が入力装置やディスプレイよりなるコンソ
ール112に接続されている。
【0005】ビームスプリッタ111は一定の反射率を
有し、インテグレータセンサ110で検出された照度に
基づいて、ビームスプリッタ111を透過してウエハW
へ向かう光量の算出が可能である。しかし、実際にはレ
チクルRや投影光学系102等における反射及び吸収に
よる光量を勘案する必要がある。そのため、後述のよう
に予めウエハステージ101上に設置した照度計の出力
値に対するインテグレータセンサ110の出力値の比の
値が求められて主制御装置107に記憶され、露光時に
主制御装置107ではその比の値、及びインテグレータ
センサ110の出力値よりウエハW上での露光光の照度
を求め、この照度に基づいてウエハWに対する露光量を
制御する。
【0006】また、ウエハステージ101上のウエハW
の近傍に、この装置専用の常設の光電検出器よりなる照
度センサ104が固定され、この照度センサ104の出
力信号が信号ケーブル106を介して照度制御ユニット
105に供給されている。そして、例えば露光に先立
ち、照度センサ104の受光部を投影光学系102の露
光フィールド内に設定し、必要に応じて移動することに
よって露光光のウエハステージ101上での照度や照度
むら等が計測される。
【0007】この場合、半導体素子等の製造ラインには
多数の露光装置が設置されているため、各露光装置でウ
エハに与える露光量間のマッチングを取る必要があり、
そのためには露光装置に備えられているインテグレータ
センサ110及び照度センサ104等の入射光量に対す
る出力(感度)の較正を行う必要がある。即ち、フォト
レジストに対する適正露光量は、ある照度のもとで実際
に露光時間を種々に変えて露光したウエハを現像し、こ
れによって現れた像の内で例えば最も解像度が高い像の
露光時間と、その照度とから決定される。このため、露
光装置毎に照度センサの感度が異なっていると、その感
度の違いにより露光装置毎に適正露光量がそれぞれ異な
ってくる。それらのインテグレータセンサ110及び照
度センサ104の感度の較正を行うために、従来より基
準となる着脱自在の照度計108が使用されている。
【0008】即ち、照度計108は他の露光装置とのマ
ッチングを取るために、ウエハステージ101より着脱
自在、且つウエハステージ101上で移動可能に構成さ
れており、照度計108の出力信号は、表示部113へ
信号ケーブル114を介して供給され、表示部113に
照度計108の計測値が表示される。この場合、表示部
113はオペレータが表示内容を見易いように図12の
投影露光装置が収納されているチャンバの外部に設置さ
れている。このように、照度計108がウエハステージ
101に対して着脱自在であるため、照度計108を用
いて、以下のようにインテグレータセンサ110及び照
度センサ104の感度の較正が行われる。その結果、任
意の露光装置でウエハ上のフォトレジストに対して所定
の露光量(ドーズ)を与える場合、同じ露光量を他の露
光装置でも与えることができるようになる。
【0009】図12の投影露光装置において、インテグ
レータセンサ110及び照度センサ104の感度較正を
行う場合には、ウエハステージ101上の所定位置に照
度計108を取り付け、照度計108を投影光学系10
2の露光フィールドの中心付近に移動した後、主制御装
置107からの指令に基づいて、露光光源109を点灯
し、ウエハステージ101上での照度を照度計108で
計測する。この照度計108の出力値IAは表示部11
3で表示されて、オペレータによって記録される。
【0010】次に、ウエハステージ101上に固定され
た常設の照度センサ104を投影光学系102の露光フ
ィールドの中心付近に移動し、照度を計測する。照度セ
ンサ104の出力値IBは照度制御ユニット105にお
いてアナログ/デジタル(A/D)変換され、このA/
D変換後の計測データが主制御装置107に供給され
る。これと並列に、常設のインテグレータセンサ110
の出力値ICも照度制御ユニット105でサンプリング
されて、主制御装置107に供給される。主制御装置1
07に供給された照度センサ104の出力値IB及びイ
ンテグレータセンサ110の出力値ICは主制御装置1
07からコンソール112に送られ、コンソール112
のディスプレイに出力値IB,ICが表示される。
【0011】ここで露光光源109の出力を一定と仮定
し、オペレータは照度計108の出力値IAに対する、
インテグレータセンサ110の出力値ICの比の値kAC
(=IA/IC)を求める。この比の値kACがインテグ
レータセンサ110の較正のためのパラメータとなる。
即ち、露光時のインテグレータセンサ110の出力値に
パラメータkACを乗じることで、他の露光装置との対応
が取られたウエハW上の実際の照度が計算できる。ま
た、照度計108の出力値IAに対する照度センサ10
4の出力値IBの比の値kABは、照度センサ104の較
正のためのパラメータとなる。即ち、照度センサ104
の出力値にパラメータkABを乗じることで他の露光装置
との対応が取られた照度が算出される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、基準となる照度計108の出力値を表示部
113から読み取るタイミングと、照度センサ104及
びインテグレータセンサ110の出力値をコンソール1
12を介して計測するタイミングとが異なるため、露光
光源109の出力に時間的なばらつきがあると、上述の
ように計測されるパラメータkAC,kABが変動する。そ
こで、従来はこの変動の影響を軽減するために、照度計
108等の出力値IA,IB,ICを長時間計測して平
均化するか、又はそれらの出力値IA,IB,ICを複
数回計測したときのピークホールド値をそれぞれ求める
ことで、パラメータkAC,kABを算出していた。しかし
ながら、何れの方法でも出力値IAの計測のタイミング
と、出力値IB,ICの計測のタイミングとの間のずれ
は小さくならないために、得られるパラメータの計測精
度をあまり高められないという不都合があった。
【0013】更に、基準となる照度計108の出力値I
Aの表示部113と、照度センサ104及びインテグレ
ータセンサ110の出力値を表示するコンソール112
とが離れて独立に管理されているため、計測結果を同時
に処理できず、パラメータk AC,kABの算出に時間がか
かるという不都合もあった。また、多数の露光装置を並
列に使用するような場合には、基準となる照度計108
を複数個用意して、並列に各露光装置の常設の照度セン
サの較正を行う場合もある。このような場合に、各照度
計108間の出力のマッチング精度が悪いと、各露光装
置間での照度のマッチング精度も低下するという不都合
があった。
【0014】本発明は斯かる点に鑑み、備えられている
照度センサの較正を高精度に行うことができると共に、
その較正のための計測データを高速処理できる露光装置
を提供することを第1の目的とする。更に本発明は、基
準となる照度センサの較正を高精度に行うことによっ
て、露光装置間での照度の計測値のマッチング精度を高
めることができる露光装置を提供することを第2の目的
とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の露光
装置は、例えば図1に示すように、感光基板(W)の位
置決めを行う基板ステージ(1)を有し、露光用の照明
光(IL)のもとでマスク(R)に形成されたパターン
を基板ステージ(1)上の感光基板(W)に転写露光す
る露光装置において、基板ステージ(1)上に着脱自在
で基板ステージ(1)上での照明光(IL)の照度を直
接計測する着脱型の照度センサ(2)と、基板ステージ
(1)上での照明光(IL)の照度を直接的、又は間接
的に計測する常設の照度センサ(7,18)と、着脱型
の照度センサ(2)の計測データを取り込むインタフェ
ース装置(3〜6,11)と、このインタフェース装置
を介して取り込まれる着脱型の照度センサ(2)の計測
データと常設の照度センサ(7,18)の計測データと
の関係を求めて記憶する露光量制御手段(12,50)
と、を有するものである。
【0016】斯かる本発明の第1の露光装置によれば、
着脱自在の照度センサ(2)からインタフェース装置
(3〜6,11)を介して直接計測データが取り込ま
れ、ほぼ同時に常設の照度センサ(7,18)の計測デ
ータも取り込まれ、着脱型の照度センサ(2)の計測デ
ータと常設の照度センサ(7,18)の計測データとの
関係、即ち計測データの比の値、又はオフセット等が求
められる。これは常設の照度センサ(7,18)の計測
データの較正が行われたことを意味する。この際に、着
脱自在の照度センサ(2)、及び常設の照度センサ
(7,18)の計測データはほぼ同時に取り込まれてい
るため、露光用の照明光(IL)の光源の出力の時間変
動、例えば水銀ランプのアーク揺らぎによる出力の変動
や、エキシマレーザ光源のパルスエネルギーのばらつき
があっても、2つの照度センサの計測データの関係が正
確に求められ、常設の照度センサ(7,18)の較正が
高精度に行われる。
【0017】また、2つの照度センサの計測データは共
通に露光量制御手段(12,50)に取り込まれてオン
ラインで高速処理されるため、常設の照度センサ(7,
18)の較正が高速に行われる。また、オペレータの介
入等に起因する入力の間違い等が発生しない。この場
合、その常設の照度センサの一例は、照明光(IL)か
ら分離された光束の照度を検出することによって基板ス
テージ(1)上での照明光(IL)の照度を間接的に計
測する間接型の照度センサ(18)であり、その場合、
露光量制御手段(12,50)は、インタフェース装置
(3〜6,11)を介して着脱型の照度センサ(2)の
計測データを取り込むのに同期して常設の照度センサ
(18)の計測データを取り込むことが望ましい。ここ
で、間接型の照度センサ(18)とは、照明光(IL)
から分割された光束の照度を検出するインテグレータセ
ンサを意味し、インテグレータセンサ及び着脱型の照度
センサ(2)の計測データを同期して取り込むことによ
って、露光用光源の出力の時間変動の影響が無くなり、
インテグレータセンサの較正が高精度に行われる。
【0018】また、露光用の照明光(IL)が、パルス
発光される照明光である場合、露光量制御手段(12,
50)は、露光用の照明光(IL)のパルス発光に同期
してインタフェース装置(3〜6,11)を介して着脱
型の照度センサ(2)の計測データを取り込むことが望
ましい。これにより2つの照度センサの計測タイミング
がずれることがなく、パルスエネルギーのばらつきがあ
っても、着脱型の照度センサ(2)に対して常設の照度
センサ(7,18)の較正が高精度に行われる。
【0019】また、例えば図1及び図2(c)に示すよ
うに、インタフェース装置(3,5,6,11)は、コ
ードレス方式で着脱型の照度センサ(2A)の計測デー
タを露光量制御手段(12,50)に供給するようにし
てもよい。通常露光装置は温度制御等が行われたチャン
バ内に収納されるが、コードレス方式であれば、チャン
バの壁を通る配線が不要になるため、着脱型の照度セン
サ(2A)の取扱いが容易になる。
【0020】また、本発明による第2の露光装置は、例
えば図1、図2及び図10に示すように、感光基板
(W)の位置決めを行う基板ステージ(1)を有し、露
光用の照明光(IL)のもとでマスク(R)に形成され
たパターンを基板ステージ(1)上の感光基板(W)に
転写露光する露光装置において、基板ステージ(1)上
での照明光(IL)の照度を直接的、又は間接的に計測
する常設の照度センサ(7,18)と、基板ステージ
(1)上に着脱自在で、常設の照度センサ(7,18)
の出力の較正を行うために基板ステージ(1)上での照
明光(IL)の照度を直接計測する第1の着脱型の照度
センサ(2)と、所定の基準となる第2の着脱型の照度
センサ(A1)の出力に対する第1の着脱型の照度セン
サ(2)の出力の補正値(比の値等も含む)を記憶する
記憶手段(25)と、を有するものである。
【0021】斯かる本発明の第2の露光装置によれば、
第2の着脱型の照度センサ(A1)は第1の照度センサ
(2)に対する親機となり、絶対照度の管理が親機、子
機、孫機のように段階的に管理される。例えば多数の露
光装置を並列に使用するような場合には、基準となる着
脱型の照度センサ(2)が多数必要になる。この際に、
親機(A1)の入射光量に対する出力の直線性を絶対照
度基準とした場合、子機(2)の出力を親機の出力に対
する補正値で補正することによって、多数の露光装置間
での照度の計測値のマッチング精度が向上する。
【0022】また、本発明による第3の露光装置は、例
えば図1及び図11に示すように、感光基板(W)の位
置決めを行う基板ステージ(1)を有し、露光用の照明
光(IL)のもとでマスク(R)に形成されたパターン
を基板ステージ(1)上の感光基板(W)に転写露光す
る露光装置において、基板ステージ(1)上での照明光
(IL)の照度を直接的、又は間接的に計測する常設の
照度センサ(7,18)と、基板ステージ(1)上に着
脱自在で、常設の照度センサ(7,18)の出力の較正
を行うために基板ステージ(1)上での照明光(IL)
の照度を直接計測する第1の着脱型の照度センサ(2)
と、この第1の着脱型の照度センサの出力の基準となる
第2の着脱型の照度センサ(A1)と、基板ステージ
(1)上での露光用の照明光(IL)を分割して第1及
び第2の着脱型の照度センサ(2,A1)に導く分割光
学系(61,62,63A,63B)と、第1及び第2
の着脱型の照度センサ(2,A1)の出力を並行に取り
込んで比較する信号処理装置(59)と、を有するもの
である。
【0023】斯かる本発明の第3の露光装置によれば、
基板ステージ(1)上においてその分割光学系により分
割された照明光(IL)の照度を第1及び第2の着脱型
の照度センサ(2,A1)により計測して、第1の着脱
型の照度センサ(2)の較正を行うことができるため、
照明光(IL)の揺らぎや途中の光学系等による影響が
なく、第1の着脱型の照度センサ(2)が高精度に較正
される。即ち、親機として照度センサ(A1)に対して
子機としての照度センサ(2)の較正が行われる。そし
て、その高精度に較正された第1の着脱型の照度センサ
(2)により、常設の照度センサ(7,18)が高精度
で較正される。これによって、露光装置間での照度のマ
ッチング精度が向上する。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明による露光装置の第
1の実施の形態につき図1〜図7を参照して説明する。
本発明はステッパー型、又はステップ・アンド・スキャ
ン方式等の何れの露光装置にも適用できるが、以下の実
施の形態は、ステッパー型の投影露光装置に本発明を適
用したものである。
【0025】図1は、本例の投影露光装置の概略構成を
示し、この図1において、露光時には水銀ランプよりな
る露光光源及びシャッタ等を含む光源部16から、ウエ
ハ上のフォトレジストに感光性の露光光ILが射出され
る。光源部16内のシャッタの開閉は、装置全体の動作
を統轄制御する主制御装置50が光源制御ユニット15
を介して制御し、光源部16内の露光光源の出力も光源
制御ユニット15によって制御されており、その露光光
源の出力、及びシャッタの開閉により1ショットの露光
量が制御される。露光光ILとしては、水銀ランプのi
線(波長365nm)やg線等の輝線が使用できる。露
光光源としては、その他に、ArFエキシマレーザ光源
やKrFエキシマレーザ光源、あるいは銅蒸気レーザ光
源やYAGレーザの高調波発生装置等も使用できる。
【0026】光源部16から射出された露光光ILは、
照明系17に入射する。図4は、照明系17の内部構成
を示す構成図であり、この図4に示すように、照明系1
7に入射した露光光ILは、オプティカル・インテグレ
ータとしてのフライアイレンズ31に入射する。フライ
アイレンズ31の各レンズエレメントの射出面にはそれ
ぞれ2次光源が形成され、これらの2次光源により面光
源が作られる。フライアイレンズ31の射出面、即ち照
明系17の瞳面に面光源の大きさや形状を調整するため
の切り換え自在の複数の開口絞りが配置されている。こ
れらの開口絞りはターレット状の円板30に固定され、
円板30を主制御装置50により駆動装置50Aを介し
て回転することで所望の開口絞りをフライアイレンズ3
1の射出面に設定できる。
【0027】図6(a)は、図4の円板30上の開口絞
りの配置を示し、この図6(a)において、6個の開口
絞り52A〜52Fが円板30の中心の周りに等角度間
隔で固定されている。第1の開口絞り52Aは中間のコ
ヒーレンスファクタ(σ値)で照明を行う場合に使用さ
れる円形開口を有し、第2の開口絞り52B及び第3の
開口絞り52Cは、それぞれ中心部を遮光した輪帯開
口、及び通常の輪帯照明用の開口である。また、第4の
開口絞り52Dは通常の照明を行う場合に使用される円
形開口であり、第5の開口絞り52Eは周辺に4個の小
円形の開口部を有する、所謂変形照明用の開口絞りであ
る。第6の開口絞り52Fは小さいσ値で照明を行う場
合に使用される小さい円形開口を有する。
【0028】図4に戻り、ここではフライアイレンズ3
1の射出面に第1の開口絞り52Aが配置されている。
第1の開口絞り52Aを通過した露光光ILはビームス
プリッタ33に入射する。ビームスプリッタ33は入射
する光束の殆どを透過させ、残りを反射する。露光光I
L中の一定の割合の光束が、ビームスプリッタ33から
露光光ILの入射光路に対してほぼ直交する方向に反射
され、この反射された光束が集光レンズ43を介してフ
ォトダイオード等からなるインテグレータセンサ18に
入射する。
【0029】一方、ビームスプリッタ33を透過した露
光光ILは、第1リレーレンズ29を介して可変視野絞
り(レチクルブラインド)28の開口上に集光され、可
変視野絞り28により露光光ILのレチクル上での照明
範囲が規定される。可変視野絞り28の開口の形状及び
大きさは、駆動装置50Bを介して主制御装置50によ
り設定される。可変視野絞り28を通過した露光光IL
は、第2リレーレンズ27、及びコンデンサレンズ26
を介してレチクルRのパターン領域に照射される。
【0030】図1に戻り、露光光ILのもとで、レチク
ルRのパターンの像が投影光学系10を介して投影倍率
β(βは例えば1/4,1/5等)で、ウエハW上の各
ショット領域のフォトレジスト層に転写される。以下、
投影光学系10の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に
垂直な平面内で図1の紙面に平行にX軸、図1の紙面に
垂直にY軸を取って説明する。この場合、照明系17か
らの光束を受光したインテグレータセンサ18からの光
電信号は、照度制御ユニット12に供給され、照度制御
ユニット12においてアナログ/デジタル(A/D)変
換される。照度制御ユニット12からは、A/D変換さ
れたデジタルデータに基づいて、主制御装置50及び光
源制御ユニット15に直接現在の露光光ILの照度の情
報が送られ、光源制御ユニット15では、送られた照度
が予め設定された照度になるように光源部16内の露光
光源の出力を制御する。また、主制御装置50では、予
めインテグレータセンサ18の出力とウエハW上での露
光光の照度との関係が記憶されており、この関係よりウ
エハW上での照度を算出し、この算出された照度の積算
値がウエハW上のフォトレジストに対する適正積算露光
量になるように、光源制御ユニット15を介して光源部
16内のシャッタの開閉動作を制御する。
【0031】なお、露光光源がエキシマレーザ光源のよ
うなパルス光源で、且つステッパーのような一括露光型
の場合には、光源部16内のシャッタの開閉、光源部1
6内に設けた減光機構の制御、又はレーザ光源自体の光
量可変システム(可変電源等)の制御等によって積算露
光量の制御が行われる。一方、露光光源がパルス光源
で、且つステップ・アンド・スキャン方式のような走査
露光型の場合には、光源部16内に設けられる減光機構
により露光光の照度を制御するか、又は露光光の照明領
域の走査方向の幅や走査速度を制御する等により、積算
露光量を制御できる。
【0032】図1において、レチクルRはX方向、Y方
向、及び回転方向に微動可能なレチクルステージ(不図
示)上に載置されている。レチクルステージの位置は外
部に設けた不図示のレーザ干渉計によって高精度に計測
されており、そのレーザ干渉計の測定値に基づいて主制
御装置50はレチクルステージの位置決めを行う。一
方、ウエハWは不図示のウエハホルダ上に真空吸着によ
り保持され、ウエハホルダはX方向、Y方向に移動自在
なウエハステージ1上に固定されている。ウエハステー
ジ1には、ウエハWのZ方向の位置や傾斜角等を制御す
るステージ系も組み込まれている。ウエハステージ1の
X方向、Y方向の位置はウエハステージ1上の移動鏡8
及び外部のレーザ干渉計9により高精度に計測されてお
り、レーザ干渉計9の計測値は主制御装置50に供給さ
れている。主制御装置50はその計測値に基づいて、ウ
エハステージ1の位置決め動作を制御する。ウエハステ
ージ1によりウエハWの各ショット領域の中心を投影光
学系10の露光中心に移動する動作と、露光動作とがス
テップ・アンド・リピート方式で繰り返されて、レチク
ルRのパターンがウエハWの各ショット領域に順次転写
される。更に、主制御装置50には、入力装置とディス
プレイとを有するコンソール14、及び各種パラメータ
等を記憶するための記憶装置13も接続されている。
【0033】また、ウエハステージ1上のウエハWの近
くにはフォトダイオード等からなる常設の固定型照度セ
ンサ7が設けられている。本例の固定型照度センサ7
は、ウエハステージ1上での露光光ILの照度むら計測
用のセンサ、最大照度計測用のセンサ、及び露光光IL
の全部の照射量を計測するための照射量モニタとして使
用される。固定型照度センサ7の受光面はウエハWの表
面とほぼ同じ高さに設定されており、固定型照度センサ
7により投影光学系10の露光フィールド内の照度又は
照射量を計測する際は、ウエハステージ1を駆動して固
定型照度センサ7の受光部を所望の計測点に移動する。
固定型照度センサ7の出力信号は照度制御ユニット12
に供給されてA/D変換される。
【0034】このように本例では、常設の照度センサと
してインテグレータセンサ18、及び固定型照度センサ
7が備えられている。そのため、多数の投影露光装置を
使用して露光を行うような場合に、各投影露光装置で互
いに等しい露光量を設定できるように、インテグレータ
センサ18、及び固定型照度センサ7の較正(キャリブ
レーション)を行う必要がある。
【0035】その較正を行うためにウエハステージ1上
には、照度の基準となる着脱型照度計2が取り外しでき
るように設置されている。即ち、常設の照度センサの較
正を行う際には、オペレータが着脱型照度計2をウエハ
ステージ1上に取り付ける。この際に、着脱型照度計2
の受光面もウエハWの表面とほぼ同じ高さになるように
設定されると共に、ウエハステージ1を駆動することで
着脱型照度計2の受光部をX方向、Y方向に移動できる
ようになっている。また、着脱型照度計2は、関係する
露光装置間の照度のマッチングを取るために、それらの
露光装置間で共通に使用される。
【0036】この場合、本例の投影露光装置の機構部は
空調されたチャンバ47の内部に設置され、照度制御ユ
ニット12、主制御装置50及びコンソール14等の制
御部はチャンバ47の外部に設置されている。そして、
チャンバ47の外面に、センサ制御装置3がマグネット
チャックにより固定されている。着脱型照度計2とセン
サ制御装置3とは、チャンバ47の側壁を貫通する信号
ケーブル4を介して接続されている。
【0037】図2(a)は、着脱型照度計2の詳細な構
成を示す拡大図、図2(b)は図2(a)の平面図を示
している。図2(a)及び(b)に示すように、着脱型
照度計2は光電変換部25、及びこの底部に被着された
温調素子20より構成され、光電変換部25上の円形の
受光部19に入射する光量が光電変換され、光電変換部
25の温度は温調素子20によって所定の許容温度以上
にならないように冷却されている。即ち、温調素子20
はペルチェ素子等の冷却素子等からなり、温調素子20
の光電変換部25に接する面が冷却面となっている。温
調素子20により、露光光ILの照射エネルギーによる
光電変換部25の温度上昇が抑えられ、感度等のセンサ
特性のドリフトが軽減される。
【0038】光電変換部25及び温調素子20にはそれ
ぞれ信号ケーブル4を介してセンサ制御装置3から電力
が供給され、光電変換部25の出力信号が信号ケーブル
4を介してセンサ制御装置3に供給されている。また、
着脱型照度計2は押さえ用金具21及び止めねじ22に
よりウエハステージ1上に固定され、押さえ金具21を
取り外すだけで容易に着脱型照度計2をウエハステージ
1から取り外せるようになっている。また、光電変換部
25には、後述のようにこの着脱型照度計2より上位の
基準となる照度センサの出力に対する較正用のデータを
記憶した記憶部も含まれている。
【0039】図1に戻り、センサ制御装置3には着脱型
照度計2から供給される出力信号、及び較正用のデータ
を送信するための信号ケーブル5の一端が接続され、そ
の信号ケーブル5の他端にコネクタ6が取り付けられ、
照度制御ユニット12にはコネクタ6に対応するコネク
タ11が取り付けられている。そして、コネクタ6を照
度制御ユニット12側のコネクタ11に差し込むことに
より、着脱型照度計2と照度制御ユニット12とがセン
サ制御装置3を介して接続され、着脱型照度計2の出力
信号がセンサ制御装置3内でA/D変換された後、信号
ケーブル5、コネクタ6,11、及び照度制御ユニット
12内に組み込まれたGPIB規格、又はRS232C
規格等の入出力制御部を介して、照度制御ユニット12
内の信号処理部に取り込まれる。本例では、信号ケーブ
ル4,5、センサ制御装置3、コネクタ6,11及び照
度制御ユニット12内の入出力制御部が、着脱型照度計
2と照度制御ユニット12内の信号処理部との間のイン
タフェース装置を構成している。
【0040】上述のように、インテグレータセンサ18
及び固定型照度センサ7のそれぞれの出力信号も照度制
御ユニット12に供給されており、常設の照度センサの
較正時には主制御装置50の指令により、着脱型照度計
2、固定型照度センサ7、及びインテグレータセンサ1
8の出力値に対して照度制御ユニット12において所定
の演算が行われ、演算結果が主制御装置50に供給され
る。主制御装置50は、照度制御ユニット12により演
算処理されたデータに基づいてインテグレータセンサ1
8及び固定型照度センサ7の較正用のパラメータを算出
し、算出された結果は記憶装置13に記憶され、必要に
応じコンソール14に出力される。
【0041】なお、着脱型照度計2の出力を有線ではな
く、図2(c)に示すように、無線(コードレス)で照
度制御ユニット12に送信するようにしてもよい。図2
(c)は、着脱型照度計から無線で出力信号を送信する
例を示し、この図2(c)において、着脱型照度計2A
には光電変換部25、及び温調素子20Aの他に、独自
の蓄電池及び無線送信機を有する電源部23が備えられ
ている。そして、電源部23からの電力を用いて、光電
変換部25、及び温調素子20Aを駆動し、更に無線送
信機に接続されたアンテナ24から例えばFM電波を介
して光電変換部25の出力信号を、無線受信器及びアン
テナを備えたセンサ制御装置3に供給する構成となって
いる。
【0042】この場合、温調素子20Aの底部には、ウ
エハステージ1上に容易に設置できるようにマグネット
チャックが取り付けられており、ウエハステージ1に設
けた凸状の押さえガイド46に温調装素子20Aの側面
を押し当てることで、着脱型照度計2Aの粗い位置決め
ができるように構成されている。このように着脱型照度
計2Aとセンサ制御装置3、ひいては図1の照度制御ユ
ニット12とをコードレスで接続することによって、チ
ャンバ47内のウエハステージ1に対する着脱型照度計
2Aの着脱を容易に行うことができる。
【0043】図1に戻り、不図示であるが、投影光学系
10の両側にはウエハWのZ方向の位置(焦点位置)を
検出するための、送光系及び受光系からなる斜入射方式
の焦点位置検出系が備えられている。この焦点位置検出
系からのウエハWの焦点位置に関する情報は主制御装置
50に供給され、主制御装置50はその情報に基づいて
ウエハステージ1を駆動することで、ウエハWの焦点位
置及び傾斜角を制御して、ウエハWの表面を投影光学系
10の像面に合わせ込んで露光を行う。
【0044】次に、本例の着脱型照度計2、インテグレ
ータセンサ18及び固定型照度センサ7で照度を計測す
る場合の基本的な動作につき説明する。インテグレータ
センサ18及び固定型照度センサ7の出力を較正する際
には、着脱型照度計2が使用されるが、そのためには先
ず着脱型照度計2の位置を正確に求める必要がある。着
脱型照度計2の位置の計測は以下のように行われる。
【0045】図3(a)は、ウエハステージ1上での投
影光学系10による露光フィールドEFを示す正面図、
図3(b)はその露光フィールドEFを示す拡大平面図
であり、図3(a)及び(b)に示すように、露光光I
Lが投影光学系10のほぼ正方形の露光フィールドEF
に照射されている。この露光光ILが照射された状態
で、図1の主制御装置50はレーザ干渉計9の位置情報
に基づいて、ウエハステージ1を駆動し、図3(b)に
示すように、着脱型照度計2の受光部19を露光フィー
ルドEFに対しX方向及びY方向に走査する。そして、
そのときに着脱型照度計2の受光部19に入射した光量
を、照度制御ユニット12を介して複数の所定の位置で
サンプリングする。
【0046】図3(c)は、受光部19をX方向に走査
する場合のウエハステージ1のX座標とサンプリングさ
れた着脱型照度計2の出力信号Iとの関係を示し、横軸
はウエハステージ1のX座標、縦軸は出力信号Iを表
す。この図3(c)に示すように、出力信号Iは受光部
19が露光フィールドEF内にある範囲で大きく、それ
以外では小さい。そこで、例えば出力信号Iの最大値と
最小値との間の所定のスライスレベルIAとその出力信
号Iとを比較し、出力信号IがスライスレベルIAを横
切るときのウエハステージ1のX座標X1及びX2を求
め、更に座標X1及びX2の中点の座標XSを求める。
この座標XSは着脱型照度計2の受光部19の中心が投
影光学系10の露光フィールドEFの中心(露光中心)
にあるときのウエハステージ1の座標を示す。
【0047】従って、これによりウエハステージ1上に
設置された着脱型照度計2の投影光学系10の露光フィ
ールドEFに対するX方向の相対位置が求められる。な
お、着脱型照度計2による照度測定に際しては、上述の
斜入射方式の焦点位置検出系により、投影光学系10の
像面と着脱型照度計2の受光部19の表面とが一致する
ようにオートフォーカス制御が行われている。なお、そ
の焦点位置検出系を使用する代わりに、X方向の相対位
置を求めるための図3(c)の出力信号を着脱型照度計
2の受光部19の焦点位置を変えて複数回計測し、両側
のスロープ部の傾きを算出してもよい。このとき、最も
スロープの傾きが高くなる焦点位置を求めることで着脱
型照度計2の受光部19と投影光学系10の像面とを一
致させることができる。同様に、受光部19を露光フィ
ールドEFに対してY方向に走査することによって、着
脱型照度計2の露光フィールドEFに対するY方向の相
対位置が求められる。また、固定型照度センサ7につい
ても、同様にして露光フィールドEFに対する相対位置
が求められる。
【0048】次に、着脱型照度計2、インテグレータセ
ンサ18及び固定型照度センサ7による照度の計測方法
について説明する。図4は、図1の照明系17及び照度
センサを示す構成図であり、この図4に示すように、本
例では照明系17内で分離された露光光ILの一部がイ
ンテグレータセンサ18で受光されている。この際に、
インテグレータセンサ18の受光面は、レチクルRのパ
ターン面、ひいては図1のウエハWの表面とほぼ共役と
なっている。
【0049】この場合、光学部材の配置空間の制約、及
び製造コスト等から、インテグレータセンサ18への送
光部である集光レンズ43等は小型化されているため、
インテグレータセンサ18の受光部をウエハステージ1
上に投影した共役像18Aは、図5(a)に示すよう
に、投影光学系10の露光フィールドEFに比較して小
さな面積で形成されている。従って、インテグレータセ
ンサ18では、その露光フィールドEF内でその共役像
18Aの範囲での照度を間接的に計測できることにな
る。また、その共役像18Aの中心は、その露光フィー
ルドEFの中心(露光中心)に設定されている。但し、
製造コスト等に余裕があれば、共役像18Aを露光フィ
ールドEFより大きくしてもよい。更に、インテグレー
タセンサ18の受光面は必ずしもウエハWの表面と共役
である必要はなく、投影光学系10の瞳面(レチクルR
に対する光学的フーリエ変換面)と共役であってもよ
い。
【0050】また、図5(a)に示すように、着脱型照
度計2の受光部19はインテグレータセンサ18の受光
部の共役像18Aよりも更に小さな面積で形成されてい
る。従って、着脱型照度計2を用いてインテグレータセ
ンサ18の較正を精度よく行うためには、図4に示すよ
うに、ウエハステージ1を駆動して着脱型照度計2の受
光部19を投影光学系10の露光フィールド内に移動し
た後、図5(a)の矢印で示すように、着脱型照度計2
の受光部19をその共役像18Aの内部で移動して、所
定の複数の計測位置で着脱型照度計2の出力をサンプリ
ングする。そして、その出力の平均値を取ることによ
り、インテグレータセンサ18の計測フィールド(共役
像18Aの内部領域)での平均的な照度を算出する。こ
の着脱型照度計2の計測と同期して、インテグレータセ
ンサ18の出力のサンプリングも行って、平均的な照度
を算出する。このような計測方法を用いることにより、
インテグレータセンサ18の計測フィールドと着脱型照
度計2の計測範囲とが実質的に一致し、較正の信頼性が
高まる利点がある。
【0051】このような計測方法は、固定型照度センサ
7の計測時においても同様に行われる。即ち、図4にお
いて、固定型照度センサ7で照度を計測する際には、ウ
エハステージ1を駆動することによって、固定型照度セ
ンサ7の受光部7Aが投影光学系10の露光フィールド
内に移動する。図5(b)は、固定型照度センサ7の受
光部7Aが露光フィールドEF内に移動した状態を示
し、この図5(b)に示すように、固定型照度センサ7
の受光部7Aの面積は、図5(a)の着脱型照度計2の
受光部19の面積より更に小さい。従って、インテグレ
ータセンサ18の出力と固定型照度センサ7の出力との
対応関係を求める場合には、図5(b)の矢印で示すよ
うに、固定型照度センサ7の受光部7Aをインテグレー
タセンサ18の計測フィールド(共役像18Aの内部領
域)内で更にきめ細かく移動し、照度のサンプリングの
回数を増やす。これによって、インテグレータセンサ1
8の計測フィールドと固定型照度センサ7の計測範囲と
が実質的に一致する。なお、着脱型照度計2及び固定型
照度センサ7の受光部の面積、形状を等しくすれば、同
じ計測シーケンスでより精度良く照度計測ができること
になる。
【0052】インテグレータセンサ18及び固定型照度
センサ7の出力の較正は、ウエハステージ1上に照射さ
れる露光光ILの照度を段階的に変更して行われる。例
えばインテグレータセンサ18の較正に際しては、先
ず、照明系17からの露光光ILの光量を最大にしてウ
エハステージ1上の照度を計測する。即ち、図4におい
て、フライアイレンズ31の射出面には図6(a)に示
す最大の開口を有する第4の開口絞り52Dを配置し、
可変視野絞り28の開口を最大にして、最大のコヒーレ
ンスファクタ(σ値)のもとでインテグレータセンサ1
8、及び着脱型照度計2の出力を同時に検出する。次
に、σ値を段階的に変更して同様にインテグレータセン
サ18、及び着脱型照度計2により照度を計測する。即
ち、近年のフォトリソグラフィ技術では、例えば、図6
(a)の第6の開口絞り52Fを使用して小さなσ値で
照明する小σ照明や、第3の開口絞り52Cのような輪
帯状の開口絞りを使用する輪帯照明等が利用される傾向
にあり、このような照明条件の変化により較正結果が異
なってくることがある。従って、照明条件を変えたとき
にも同様の較正を行う必要がある。
【0053】図6(b)及び(c)は、それぞれ小σ照
明及び通常の照明条件時におけるレチクルR上での露光
光の状態を示し、図6(b)及び(c)に示すように、
小σ照明における露光光ILの開口半角θ’は通常の照
明条件における露光光ILの開口半角θ2 に比較して小
さい。一般に照度センサ自体の感度も光束の入射角によ
って変化するため、較正の基準となる着脱型照度計2の
受光部19としては、感度変化の小さいものを採用し、
インテグレータセンサ18としては、温度や露光光の照
射によるセンサ特性のドリフトの少ないものを利用する
ことで、較正精度を上げ、且つ較正を行う間隔を延ばす
ことができる。
【0054】次に、本例の投影露光装置において、着脱
型照度計2を用いてインテグレータセンサ18、及び固
定型照度センサ7の出力を較正する方法の一例について
具体的に説明する。先ず、オペレータが図1のウエハス
テージ1上に着脱型照度計2を取り付け、チャンバ47
の外面のセンサ制御装置3の信号ケーブル5を照度制御
ユニット12に接続する。そして、主制御装置50に予
めプログラムされた照度較正プログラムを作動させる。
照度較正プログラムの起動に伴い、主制御装置50の制
御のもとで、光源制御ユニット15を介して光源部16
から露光光ILが射出され、図3に基づいて説明した方
法により着脱型照度計2の受光部19の投影光学系10
の露光フィールドEFに対する相対位置が計測される。
【0055】次に、この計測結果に基づいて、着脱型照
度計2の受光部19の中心を投影光学系10の露光中心
に位置決めする。本例のようなステッパー型の投影露光
装置においては、一定の照度を持つ露光光ILを用い
て、光源部16のシャッタの開閉を行ってウエハW上で
の露光時間を制御することで露光量を制御する。そこ
で、投影光学系10の露光中心に着脱型照度計2の受光
部19の中心を位置決めした後、光源部16のシャッタ
を開放してインテグレータセンサ18に入る光量を連続
してモニタし、その光量を積算した積算光量(積算露光
量)QIが所定の値になるようにシャッタを閉じる。そ
して、シャッタを開放してから閉じるまでの照度をイン
テグレータセンサ18及び着脱型照度計2により計測す
る。インテグレータセンサ18の計測値は直接照度制御
ユニット12に供給され、着脱型照度計2の照度の計測
値はセンサ制御系3を介して照度制御ユニット12に供
給される。照度制御ユニット12においては、インテグ
レータセンサ18の積算光量、及び着脱型照度計2にお
ける照度積算値QSを求める。このとき求められたイン
テグレータセンサ18による積算光量QI、及び着脱型
照度計2による照度積算値QSをそれぞれC1 及びA1
とする。そして、露光可能範囲の中で積算露光量を変え
ながらインテグレータセンサ18及び着脱型照度計2に
より同時に照度を検出し、それぞれの積算光量Ci(i=
2,3,…,n)及び照度積算値Ai を算出して主制御
装置50に供給する。この照度検出の際に、図5を参照
して説明したように、着脱型照度計2の受光部19をイ
ンテグレータセンサ18の受光部の共役像18A内で移
動させてもよい。
【0056】図7(a)は、インテグレータセンサ18
における積算光量QIと着脱型照度計2における照度積
算値QSとの関係を示し、この図7(a)の実線の直線
54で示すように、インテグレータセンサ18における
積算光量QSの実測値C1,C 2,…,Cn と、着脱型照度
計2における照度積算値QSの実測値A1,A2,…,A n
との関係はほぼオフセットの無い線形となる。主制御装
置50では、このときの着脱型照度計2の出力に対する
インテグレータセンサ18の出力の比の値の平均値(以
下、「インテグレータセンサ18の較正パラメータ」と
呼ぶ)P1を、次式より求める。
【0057】 P1=(A1/C1 +A2/C2 +A3/C3 +…+An/Cn )/n (1) 一方、固定型照度センサ7の較正用のパラメータは、較
正後のインテグレータセンサ18を基準の照度センサと
して求める。即ち、投影光学系10の露光中心に固定型
照度センサ7の受光部の中心を移動し、上述の着脱型照
度計2の場合と同様に、インテグレータセンサ18及び
固定型照度センサ7に入射する光量を連続してモニタす
る。この際にも、固定型照度センサ7の受光部をインテ
グレータセンサ18の受光部の共役像内で移動させても
よい。ここで計測されたインテグレータセンサ18の積
算光量QIの値をCi(i=1,2,…,n)、及び対応
して計測される固定型照度センサ7の照度積算値QSの
値をBi とすれば、積算光量Ci 及び照度積算値Bi
間にも、図7(a)の点線の曲線54Aで示すようなほ
ぼオフセットの無い線形の関係がある。主制御装置50
では、このときのインテグレータセンサ18の出力に対
する固定型照度センサ7の出力の比の値の平均値(以
下、「固定型照度センサ7の較正パラメータ」と呼ぶ)
P2を、次式より求める。
【0058】 P2=(B1/C1 +B2/C2 +B3/C3 +…+Bn/Cn )/n (2) このように露光光の照度が一定であるステッパー型の投
影露光装置の場合は、較正パラメータP1,P2が容易
に求められて記憶装置13に記憶される。そして、記憶
されている較正パラメータP1及びP2をそれぞれイン
テグレータセンサ18及び固定型照度センサ7の実際の
計測値に乗ずることで較正が行われる。即ち、インテグ
レータセンサ18の計測値に較正パラメータP1を乗ず
ることで、ウエハステージ1上で着脱型照度計2を用い
て計測した場合に換算した照度が求められる。同様に、
固定型照度センサ7の計測値に較正パラメータP2を乗
ずることで、インテグレータセンサ18で計測した場合
に換算した照度が求められる。更に、2つの較正パラメ
ータP1及びP2の積P1・P2を新たに固定型照度セ
ンサ7の較正パラメータとしてもよい。この場合、固定
型照度センサ7の計測値に較正パラメータP1・P2を
乗ずることで、ウエハステージ1上で着脱型照度計2を
用いて計測した場合に換算した照度が求められる。
【0059】また、上述のように較正パラメータP1を
求める際に、本例では着脱型照度計2の出力信号はセン
サ制御装置3、及び信号ライン5等を介して直接照度制
御ユニット12に供給されており、インテグレータセン
サ18の出力信号も直接照度制御ユニット12に供給さ
れている。従って、水銀ランプのアーク揺らぎ等によっ
て光源部16からの露光光ILの出力に時間変動があっ
ても、インテグレータセンサ18及び着脱型照度計2の
出力信号は同じタイミングで取り込むことができるた
め、両者の出力の比の値、即ち較正パラメータP1を正
確に求めることができ、インテグレータセンサ18の較
正を高精度に行うことができる。また、較正パラメータ
P1・P2を使用する場合には、固定型照度センサ7を
着脱型照度計2に対して高精度に較正することができ
る。更に、本例では着脱型照度計2、インテグレータセ
ンサ18、及び固定型照度センサ7の計測値は共通に照
度制御ユニット12で取り込まれているため、(1)式
及び(2)式等の演算処理を高速に行うことができる。
【0060】次に、本例の投影露光装置はステッパー型
であるが、図1の投影露光装置がステップ・アンド・ス
キャン方式のような走査露光型であるとした場合に、着
脱型照度計2を用いて、インテグレータセンサ18及び
固定型照度センサ7の出力を較正する方法について説明
する。走査露光型の投影露光装置においては、露光時に
は光源部16からの露光光ILはレチクルR上のスリッ
ト状の照明領域に照射される。そして、レチクルR上の
スリット状の照明領域内のパターンが投影光学系10を
介してウエハW上に投影された状態で、レチクルRとウ
エハWとを投影光学系10に対して同期走査することに
より、レチクルRのパターン像がウエハW上の露光対象
のショット領域に逐次転写される。このように走査露光
型では、連続的に露光が行われるため、インテグレータ
センサ18の出力値の積算光量をモニタする代わりに、
インテグレータセンサ18で計測される露光光の照度が
常に所定の目標値に対して許容範囲内にあるかどうかが
モニタされる。この場合、ウエハW上のフォトレジスト
の感度(適正露光量)をE、ウエハステージ1の走査速
度をV、スリット状の照明領域をウエハW上に投影した
露光領域の走査方向の幅(スリット幅)をL、ウエハW
上での露光光ILの照度をSとすると、次の関係が成立
する。
【0061】E/S=L/V (3) 露光工程のスループットを低下させないためには、でき
るだけ最高速度でウエハWを走査することが望ましい。
そのため、走査速度Vは通常は最高速度付近に設定され
ている。また、スリット幅Lは最大幅付近に設定されて
いるとすると、(3)式の右辺はほぼ一定である。従っ
て、ウエハW上のレイヤ等に応じて、フォトレジストの
感度Eが異なる場合には、(3)式を満たすために、そ
の感度Eに対応して露光光ILの照度Sを変える必要が
ある。そのように照度Sを変える際には、例えば光源部
16内に露光光の光量を段階的、及び所定範囲内で連続
的に可変できる減光機構を設けるか、又は光源部16内
の露光光源の駆動電力を制御する可変電源を設け、これ
らの減光機構、又は可変電源を用いている。このよう
に、露光光ILの照度Sを変化させた場合には、着脱型
照度計2の出力に対するインテグレータセンサ18の出
力の関係が微妙に変化する恐れがある。
【0062】そこで、走査露光型の投影露光装置では、
減光機構、又は可変電源を介して露光光ILの照度Sを
変化させながら、インテグレータセンサ18及び着脱型
照度計2により露光光ILの照度を計測する。このとき
インテグレータセンサ18で計測された照度LIを、c
i(i=1,2,3,…,n)とする。また、同時に着脱
型照度計2で計測された照度LSをai とする。
【0063】図7(b)は、着脱型照度計2で計測され
た照度LSとインテグレータセンサ18で計測された照
度LIとの関係を示し、照度LSと照度LIとの線形性
が良好であるときには、この図7(b)の実線の直線5
5で示すように、インテグレータセンサ18における照
度LIの実測値c1,c2,…,cn と、着脱型照度計2に
おける照度LSの実測値a1,a2,…,an との関係はほ
ぼオフセットの無い直線となる。この際には、得られた
照度の実測値の比の値ai/ci の平均値を較正パラメー
タとすることができる。しかしながら、それら2つの照
度の間の線形性が悪い場合には、ステッパー型の投影露
光装置のように1つの較正パラメータP1を決定し、そ
れに基づいて較正すると照度の測定誤差が大きくなる。
【0064】そこで、走査露光型で2つの照度間の線形
性が悪い場合には、着脱型照度計2の照度LSの実測値
i に対するインテグレータセンサ18の照度LIの実
測値ci の比の値a1/c1,a2/c2,a3/c3,…,an/c
n を算出し、得られた値ai/ci を曲線近似する。即
ち、一例として主制御装置50では、得られた値ai/c
i を最小自乗法等によって、イテグレータセンサ18で
計測される照度LIに関するm次(mは2以上の整数)
の関数f(LI)で近似し、この関数f(LI)の各次
数の係数を求めて較正パラメータとして記憶装置13に
記憶する。これによって、着脱型照度計2で計測される
照度LSは次式で表される。
【0065】LS=f(LI)・LI (4) その後、露光時にインテグレータセンサ18で計測され
た照度LIに対して、その関数f(LI)を乗算するこ
とで、ウエハステージ1上で着脱型照度計2を用いて計
測される照度LSに換算された照度が得られる。なお、
そのように曲線近似をする代わりに、得られた照度の比
の値ai/ci を照度LIに関するテーブルとして記憶し
てもよい。この際に、例えばインテグレータセンサ18
の照度の実測値ci 〜ci+1 の間では、比例配分によっ
て比の値LS/LIを計算し、この値でインテグレータ
センサ18の出力を較正するようにしてもよい。
【0066】また、走査露光型の場合も、固定型照度セ
ンサ7の較正用のパラメータは、較正後のインテグレー
タセンサ18を用いて求めることができる。即ち、露光
光の照度を変えながら計測されたインテグレータセンサ
18の照度LIの実測値ci、及び対応して計測される
固定型照度センサ7の照度(これをLS’で表す)の実
測値bi を用いると、両者の線形性が良好であれば、実
測値ci 及びbi の間にも、図7(b)の点線の曲線5
5Aで示すようなほぼオフセットの無い線形の関係があ
るため、それらの実測値の比の値ci/bi の平均値を較
正パラメータとすることができる。しかしながら、両者
の線形性が悪いときには、その値ci/b i を固定型照度
センサ7の照度LS’の高次の関数g(LS’)で近似
するか、又はテーブル化すればよい。
【0067】このように較正パラメータを算出すること
で、走査露光型の場合にも、インテグレータセンサ18
及び着脱型照度計2の出力の較正を高精度に行うことが
できる。また、インテグレータセンサ18及び着脱型照
度計2の出力信号は同じタイミングで取り込むことがで
きるため、較正パラメータを正確に求めることができ、
インテグレータセンサ18、ひいては固定型照度センサ
7の較正を高精度に行うことができる。
【0068】なお、ステッパー型の投影露光装置の場合
でも、露光光の照度を変更するようなときには、インテ
グレータセンサ18の出力と着脱型照度計2の出力との
関係を2次以上の関数で近似して、その関数の各次数の
係数を較正パラメータとして記憶してもよい。固定型照
度センサ7についても同様である。次に、本発明の第2
の実施の形態につき図8及び図9を参照して説明する。
本例は、パルス光源を露光光源として使用するステッパ
ー型の投影露光装置に本発明を適用したものであり、図
8において図1及び図4に対応する部分には同一符号を
付してその詳細説明を省略する。
【0069】図8は、本例の投影露光装置を示す概略構
成図であり、この図8の光源部16Aにおいて、パルス
発光の露光光源としてArFエキシマレーザ光源、又は
KrFエキシマレーザ光源等からなるエキシマレーザ光
源40が使用されている。エキシマレーザ光源40の発
光動作は、光源制御ユニット15A内のレーザ制御装置
41を介して主制御装置50により制御されており、主
制御装置50によりエキシマレーザ光源40のパルス発
光のタイミング、発振周波数、及び出力の微小制御等が
行われている。
【0070】エキシマレーザ光源40から射出されたレ
ーザ光である露光光ILAは、ビームエキスパンダ3
9、それぞれ種々の透過率のNDフィルタ板を周囲に配
列してなる1対の可変NDフィルタ38A,38Bを通
過する。駆動部38Cを介して可変NDフィルタ38
A,38BのNDフィルタの組み合わせを調整すること
によって、露光光ILAに対する減光率を多段階に亘っ
て変更できる。駆動部38Cの動作は、主制御装置50
が光源制御ユニット15A内の減光部制御系42を介し
て制御できるように構成されている。可変NDフィルタ
38A,38Bを通過した露光光ILAは照明系17A
に入射して、第1のフライアイレンズ37、リレーレン
ズ36、スペックル除去用の振動ミラー35、及び第2
のフライアイレンズ31を経て、ビームスプリッタ33
に入射する。
【0071】このビームスプリッタ33で分離された露
光光ILAの一部が、集光レンズ43を介してインテグ
レータセンサ18に入射する。一方、ビームスプリッタ
33を透過した露光光ILAは、可変視野絞りやコンデ
ンサレンズ等を含む光学系34を経てレチクルRを照明
する。そして、照度の計測時には、レチクルRを透過し
た露光光ILAが、投影光学系10を介してウエハステ
ージ1上に取り付けられた着脱型照度計2に入射する。
着脱型照度計2の出力は、信号ライン4,5、センサ制
御装置3、及び不図示のコネクタを介してオンラインで
照度制御ユニット12に供給されている。ウエハステー
ジ1上には固定型照度センサ7も固定され、インテグレ
ータセンサ18及び固定型照度センサ7の出力は照度制
御ユニット12に供給されている。この他の構成は図1
の投影露光装置と同様である。
【0072】この場合、エキシマレーザ光源は1パルス
毎の照度(パルスエネルギー)が不安定なので、ウエハ
上の各点に対する露光時には、それぞれ例えば数10パ
ルスの露光光が照射されるようにして、平均化効果によ
り照度均一性を維持している。即ち、図8の投影露光装
置においては、ウエハ上の各点に対する露光光ILAの
最低パルス数が決められている。例えばエキシマレーザ
光源40の発振周波数を500Hz、1パルス毎の照度
のランダムなばらつきを5%、露光パルス数を50パル
スとした場合、50パルス露光後のウエハ上での積算露
光量のばらつきは、約0.7%となり、露光時間は0.
1秒となる。
【0073】また、本例では減光部としての可変NDフ
ィルタ38A,38Bの組み合わせによって露光光IL
Aの照度を段階的に変更でき、且つレーザ制御装置41
を介してエキシマレーザ光源40の出力を或る程度連続
的に変更できるように構成されている。そこで、本例の
ようなパルス光源を使用するステッパー型の投影露光装
置では、シャッタによる露光量の制御を行わず、エキシ
マレーザ光源40を所定期間だけパルス発光させると共
に、ウエハに対する積算露光量の制御を行うために、露
光光ILAの照度を連続的に変化させる方法が考えられ
る。即ち、ウエハ上のフォトレジストの感度をE、ウエ
ハ上における露光光ILAの1パルスのエネルギーを
p、露光パルス数をnとすると、次の関係が成立する。
【0074】E=np (5) そこで、フォトレジストの感度Eが変わったときには、
可変NDフィルタ38A,38Bの透過率の組み合わせ
により、段階的に光量を変化させ、レーザ制御装置41
によりエキシマレーザ光源40の出力を微調整すること
で、露光光ILAの1パルスのエネルギーpを連続的に
制御する。露光に際しては、この1パルス毎のエネルギ
ーpをインテグレータセンサ18により計測し、それに
基づいてエキシマレーザ光源40や可変NDフィルタ3
8A,38Bを制御する。
【0075】次に、本例において、着脱型照度計2を使
用してインテグレータセンサ18の出力を較正する方法
について具体的に説明する。先ず、着脱型照度計2の受
光部をインテグレータセンサ18の受光部の共役像内に
移動して、1パルスのエネルギーpを任意に設定し、エ
キシマレーザ光源40をパルス発光させる。図9(a)
は、エキシマレーザ光源40におけるパルス発光のタイ
ミングを示し、横軸は時間t、縦軸はパルス発光時にハ
イレベル”1”となるフラグFAを示す。この図9
(a)に示すように、先ず時刻tS以降の所定期間TD
だけ計測を行うことなくダミーでパルス発光させた後、
時刻t1とt2との間の計測期間TM内で計測のための
n回のパルス発光を実施する。
【0076】図9(b)は、インテグレータセンサ18
で計測を行う期間だけハイレベル”1”となるフラグF
Bを示し、図9(c)は着脱型照度計2で計測を行う期
間だけハイレベル”1”となるフラグFCを示し、フラ
グFB及びFCで示すように、インテグレータセンサ1
8及び着脱型照度計2では時刻t1とt2との間で同時
に計測が行われる。この際に、照度制御ユニット12で
は、各パルス発光毎にインテグレータセンサ18の出力
のピークホールド値を取り込み、センサ制御装置3で
は、各パルス発光毎に着脱型照度計2の出力のピークホ
ールド値をA/D変換して照度制御ユニット12に供給
する。このようにして計測される値をも便宜上、各パル
ス光の照度と呼ぶ。
【0077】この場合、インテグレータセンサ18及び
着脱型照度計2により計測された1パルス毎の照度をそ
れぞれdi,ei(i=1,2,3,…,n)とする。照度
iとei との関係が線形に近い状態であれば、上記
(1)式のような方法で一定の較正パラメータを求めて
記憶する。一方、照度di とei との関係が非線形の場
合には、照度di とei との関係を最小自乗法等の方法
により2次以上の関数の形で求め、この関数を較正パラ
メータとして記憶する。または、照度di とeiとの関
係をテーブル化して記憶してもよい。
【0078】次に、較正されたインテグレータセンサ1
8を基準の照度センサとして固定型照度センサ7の較正
パラメータを求める。即ち、インテグレータセンサ18
の受光部の共役像内に固定型照度センサ7の受光部を移
動し、上述の着脱型照度計2の場合と同様に、エキシマ
レーザ光源40をパルス発光させながら、インテグレー
タセンサ18及び固定型照度センサ7により照度を計測
する。ここで計測されたインテグレータセンサ18及び
固定型照度センサ7のそれぞれの照度をdi,f i(i=
1,2,3,…,n)とする。照度di とfi との関係
が線形に近い状態であれば上記(2)式のような方法で
一定の較正パラメータを求める。照度diとfi との関
係が非線形の場合には、照度di とfi との関係を関
数、又はテーブルの形で求める。実際の露光時にはこの
ようにして求めた較正パラメータをそれぞれインテグレ
ータセンサ18及び固定型照度センサ7の計測値に乗じ
ることにより、較正された照度が検出される。
【0079】本例でも、着脱型照度計2の出力はオンラ
インで照度制御ユニット12に供給されているため、光
源部16Aからの露光光ILAの出力が時間的に変動し
ても、着脱型照度計2に対するインテグレータセンサ1
8及び固定型照度センサ7の較正を高精度に行うことが
できる。また、着脱型照度計2、及びインテグレータセ
ンサ18等の計測値が共通に照度制御ユニット12に取
り込まれているため、較正パラメータを求めるための演
算処理を高速に行うことができる。
【0080】次に、上述の実施の形態で使用されている
着脱型照度計2の管理方法の一例につき図10及び図1
1を参照して説明する。図1の着脱型照度計2は、マッ
チングを行うべき複数台(例えば10数台)の露光装置
に対して基準の照度センサとして使用される。即ち、照
度較正が必要な露光装置に着脱型照度計2を取り付け、
照度の較正作業が終了した後、その着脱型照度計2をそ
の露光装置から取り外して他の露光装置の較正に使用す
るという作業が繰り返される。そして、着脱型照度計2
により照度が較正された例えば図1の投影露光装置で
は、その後は、その投影露光装置のインテグレータセン
サ18自体が基準の照度計となる。しかしながら、イン
テグレータセンサ18は露光光に常時照射されるため、
その感度特性が経時的に変化していく。例えば感度特性
が3〜6カ月程度の間安定してドリフトが生じなけれ
ば、その期間内ではそのままインテグレータセンサ18
を基準の照度センサとして使用してもよいが、それ以上
の期間を経過した場合は、着脱型照度計2のように適切
に保管された基準となる照度センサ(基準照度センサ)
により、インテグレータセンサ18の較正をやり直すこ
とが望ましい。
【0081】この場合、1台の基準照度センサだけで照
度を管理するのはマッチングさせる露光装置の台数が多
くなると物理的に困難であり、且つその基準照度センサ
が故障する恐れもある。そこで、複数の基準照度センサ
を保有し、例えば1〜3台程度の基準照度センサを親機
として、その親機によりそれぞれ較正された複数の子機
と、それら複数の子機によりそれぞれ較正された複数の
孫機とを備えるような階層構造による管理体制が望まし
い。
【0082】図10(a)は、基準照度センサの管理体
制の一例を示し、この図10(a)において、1台の親
機A1に対して3台の子機B1〜B3が較正され、それ
ぞれの子機B1〜B3に対して複数の孫機C1〜Cn,
D1〜Dj,E1〜Emが較正される。親機A1、子機
B1〜B3、及び孫機C1〜Cn等として、図1の着脱
型照度計2と同様の基準照度センサが使用される。この
ような基準照度センサの管理体制を取ることにより、多
数の露光装置の照度センサの較正を適正に行うことがで
きる。親機A1は、全ての基準照度センサの基準となる
ため、入射光量に対する感度特性の直線性、及び安定性
等に特に優れたものが望ましい。そして、例えば親機A
1に対して子機B1〜B3の出力の較正を行う際には、
例えば実際に露光光の照度を交互に親機A1、及び子機
B1〜B3で計測するか、又は露光光を2分割して親機
A1、及び子機B1〜B3で同時に照度を計測し、計測
値の比の値が求められる。
【0083】図10(b)は、親機A1の計測値と子機
B1〜B3の計測値との線形性が良好である場合を示
し、この図10(b)の横軸はそれらの基準照度センサ
に入射する露光光の光量(照度)x、縦軸は親機A1の
計測値に対する子機B1〜B3の計測値の比の値(計測
比)yである。この場合には、直線56で示すように、
光量xと計測比yとは、係数a及びbを用いて(y=a
x+b)の一次関数で表される。従って、子機B1〜B
3には、その係数a及びbを記憶しておく記憶部を設
け、実際の照度の計測時にはこの係数a及びbを図1の
センサ制御装置3に供給し、センサ制御装置3で子機B
1〜B3の計測値を較正してもよい。
【0084】また、親機A1の計測値と子機B1〜B3
の計測値との関係が非線形である場合には、光量xに対
する計測比yの関係は、図10(c)の曲線57で示す
ように、高次の関数(y=f(x))で表される。この
際には、関数f(x)の係数を子機B1〜B3の記憶部
に記憶させておくか、又は光量xと計測比yとの関係を
テーブル化したデータをその記憶部に記憶させておい
て、実際の照度の計測時に較正を行えば良い。このよう
に計測比yを求める際には、図7(b)で説明したよう
な演算を利用してもよい。
【0085】次に、例えば図10(a)の子機B1に対
して孫機C1〜Cnの出力の較正を行う際には、両者の
計測比を求め、この計測比を示す係数や関数を孫機C1
〜Cnの記憶部に記憶させておけばよい。同様にして、
他の子機B2,B3に対しても、それぞれ対応する下位
の孫機の出力の較正が行われる。ここで、これらの基準
照度センサ間の較正方法について具体的に説明する。一
例として、親機A1に対して図1の着脱型照度計2の出
力を較正する場合について説明する。この較正方法とし
て、インテグレータセンサ18の位置で2つの基準照度
センサの照度を計測する方法と、ウエハステージ1上で
2つの基準照度センサの照度を計測する方法との2通り
の方法がある。このため、2つの基準照度センサを収容
し、露光光を2つに分割するビームスプリッタを備えた
特別の較正用治具が使用される。
【0086】図11(a)は、図4のインテグレータセ
ンサ18の位置で2つの基準照度センサで照度を計測す
るための較正用治具44の断面図を示し、較正を行う場
合には、図4のインテグレータセンサ18及び集光レン
ズ43を取り外し、その代わりに較正用治具44を配置
する。図4の照明系17内のビームスプリッタ33で分
離された露光光は、図11(a)の較正用治具44内の
集光レンズ43Aを介してビームスプリッタ58に入射
し、入射した露光光ILはビームスプリッタ58により
2つの光束に分割される。較正用治具44内で、ビーム
スプリッタ58の2つの射出面に対向するように親機A
1及び着脱型照度計2が固定されている。そして、ビー
ムスプリッタ58を透過した光束は親機A1に入射し、
ビームスプリッタ58により反射された光束は着脱型照
度計2に入射する。親機A1及び着脱型照度計2からの
出力信号は信号処理系59に送られ、信号処理系59内
で例えば図7(b)に基づいて説明した方法と同様に、
親機A1で計測される照度に対する着脱型照度計2で計
測される照度の比の値(較正パラメータ)、又はその比
の値を示す関数やテーブルが求められる。そのように求
められた較正パラメータ又は関数等はホストコンピュー
タ60に送られ、そこで記憶されると共に、着脱型照度
計2内の記憶部にも記憶される。
【0087】図11(b)は、ウエハステージ1上で親
機A1により着脱型照度計2を較正するための較正用治
具45の断面図を示し、この図11(b)に示すように
較正用部材45をウエハステージ1の上面の外縁部に固
定する。較正用治具45内には、投影光学系10からの
露光光ILを平行光束にするリレーレンズ61、ビーム
スプリッタ62、及びビームスプリッタ62からの光束
を集光するリレーレンズ63A,63Bが備えられ、リ
レーレンズ63A,63Bに対向するように親機A1及
び着脱型照度計2が固定されている。較正の際はウエハ
ステージ1を駆動して投影光学系10の露光中心にリレ
ーレンズ61,63Aの光軸を一致させる。
【0088】投影光学系10からの露光光ILは、リレ
ーレンズ61を介して平行光束となり、ビームスプリッ
タ62に入射し、ビームスプリッタ62により2つの光
束に分割される。ビームスプリッタ62を透過した光束
はリレーレンズ63Aを介して親機A1に入射し、ビー
ムスプリッタ62により反射された光束はリレーレンズ
63Bを介して着脱型照度計2に入射する。親機A1及
び着脱型照度計2からの出力信号は信号処理系59に送
られ、信号処理系59において、図7に基づいて説明し
た方法と同様に、着脱型照度計2の較正パラマメータ又
は較正用の関数等が求められる。そのように求められた
較正パラメータ又は関数等はホストコンピュータ60で
記憶されると共に、着脱型照度計2の記憶部にも記憶さ
れる。
【0089】以上のような方法で較正された基準照度セ
ンサにより各露光装置間の照度のマッチングが計られる
が、マッチング精度として例えば1.4%以下の精度を
満たすために、着脱型照度計2及びインテグレータセン
サ18の計測特性が以下の許容値を満たすように設定さ
れている。
【0090】 A.着脱型照度計2 (a)計測再現性 :±0.07〔%〕(二乗和) (b)測定直線性(ソフト補正後) :±0.07〔%〕(単純和) (c)角度特性機差 :±0.1 〔%〕(単純和) (d)安定性(総合照射時間24時間):±0.25〔%〕(単純和) B.インテグレータセンサ18 (a)計測再現性 :±0.05〔%〕(二乗和) (b)測定直線性(ソフト補正後) :±0.05〔%〕(単純和) (c)角度特性機差 :±0.1 〔%〕(単純和) (d)安定性(総合照射時間24時間):±0.25〔%〕(単純和)
【0091】以上の項目の内、測定直線性とは入射光量
に対する出力の線形性を示し、角度特性機差とは露光光
の開き角(コヒーレンスファクタ)が異なる場合の出力
変化のばらつきを示す。なお、各露光装置におけるイン
テグレータセンサ18及び固定型照度センサ7に対する
較正は、以上のような着脱型照度計2を使用して、露光
光源(水銀ランプ等)の交換毎に行われ、計測に要する
時間は0.2時間、1台の着脱型照度計2により管理す
る露光装置の数は20台、着脱型照度計2自体の較正間
隔は6ヶ月となっている。
【0092】例えば、本例のインテグレータセンサ18
で計測される照度の露光装置間でのマッチング精度MS
を計算してみると、基準となる着脱型照度計2が例えば
図10(a)の子機B1である場合、親機及び子機の2
台分の計測誤差が重なるため、上記計測特性より以下の
ようになる。 MS=(0.072 ×2+0.052 1/2 +0.07
×2+0.05+0.1×3+0.25×3≒1.35
(%) 従って、マッチング精度MSの値は許容範囲の1.4%
より小さくなり、高いマッチング精度で照度が計測され
る。
【0093】なお、以上の各基準照度センサは親機も含
めて絶対光量を計測するためのセンサではなく、親機を
最上位の基準、即ち親機で計測される照度を一種の絶対
光量基準とみなして相対的な光量を計測するセンサであ
る。絶対光量による管理が望ましいが、例えば水銀ラン
プのi線等を露光光とする場合には、照明輝度が高く平
行光線を作り難いため、現状技術では絶対光量管理は難
しい。また、上記の計測特性には角度特性機差が記載さ
れているが、小さな角度特性機差を要求する理由は次の
C1及びC2の通りである。
【0094】C1.着脱型照度計2やインテグレータセ
ンサ18のような照度センサの角度特性に基づく誤差に
は2種類の誤差がある。第1の誤差は、照度センサの受
光フィールドより照明フィールドが大きい場合にランバ
ートの法則によって、入射角の余弦(cos)に比例して原
理的に発生する誤差である。但し、照度センサの受光面
が結像位置にある場合は問題とはならないが、その受光
面がデフォーカスしている場合には「けられ」等の誤差
となってしまう。この誤差を「受光フィールド特性によ
る誤差」と称する。
【0095】第2の誤差は、照度センサの検出面上のコ
ーティング等で発生する、露光光の入射角に依存した感
度変化による誤差である。これを「ディテクタ角度特性
による誤差」と称する。このように、照度センサの違い
により角度特性が異なる、即ち角度特性機差があると、
変形照明等により露光光の入射角が変化した場合に、相
対光量の正確な比較ができない。但し、適正露光量(ド
ーズ)の設定に際しては、フォトレジストの特性も大き
な要因となる上に、通常照明の場合と変形照明の場合と
では別々にドーズの設定が行われるので、インテグレー
タセンサに関しては、絶対的な角度特性は必要ない。但
し、複数の露光装置に対する照度のマッチングを考えた
場合、角度特性機差は大きな測定誤差の要因となる。従
って、着脱型照度計2及びインテグレータセンサ18の
角度特性機差を小さくする必要がある。以上の点から、
上記の角度特性機差の値は、輪帯照明を使用し、且つ照
明系の開口絞りとして開口の外径に対して2/3の大き
さの遮光部を備えた輪帯を使用するという最も厳しい照
明条件を想定して設定されている。
【0096】C2.固定型照度センサ7の場合は、一例
として露光フィールド内の相対的な照度むらを計測する
ため、像高に依存したσ値(開口数)の差が存在する場
合、ディテクタ角度特性による誤差が大きいときには、
これらのσ値の差が検出できず、そのために線幅誤差が
発生する。一方、ディテクタ角度特性による誤差が小さ
い場合には、線幅誤差を全てσ値の差として管理するこ
とが可能となる。
【0097】なお、上述の実施の形態では、基準照度セ
ンサについては、ステッパー型の露光装置と走査露光型
の投影露光装置とに関し別々に検討しているが、同じ露
光光源を用いている場合は、方式が異なる露光装置間で
もマッチングを取る必要がある。そのため、ステッパー
型の露光装置及び走査露光型の露光装置に対して共にマ
ッチングが取れるように、着脱型照度計2は図7(a)
及び(b)の両方の較正方法に対応できるようになって
いる。この場合、露光装置により露光フィールドの形状
が異なるので、着脱型照度計2の受光部の形状を共通化
するか、着脱型照度計2の受光部(プローブ部)のみ取
り替え可能に構成することが望ましい。
【0098】上述のように、上述の実施の形態によれ
ば、複数の基準照度センサ(着脱型照度計2)が、親
機、子機、及び孫機として階層構造で管理されており、
親機を除く基準照度センサは、それぞれ上位の基準照度
センサに対する較正パラメータ又は較正関係式を記憶し
ている。従って、下位の基準照度センサはすべて1つの
親機を基準として相対照度を計測する結果となり、多数
の露光装置を使用する場合でも露光装置間での照度の計
測値のマッチング精度が向上する。また、仮に或る基準
照度センサが故障しても、他の基準照度センサで代用す
ることができる。
【0099】なお、上述の実施の形態では、着脱型照度
計2はオペレータによりウエハステージ1上に着脱され
るが、着脱型照度計2を搬送する搬送装置を設置し、ウ
エハステージ1を待避させて同搬送装置により着脱型照
度計2を投影光学系10の露光中心等に移動して照度を
計測するようにしてもよい。また、着脱型照度計2をウ
エハを搬送するためのスライダにより投影光学系10と
ウエハWとの間に配置するような構成にしてもよい。こ
れらの方法では、オペレータはチャンバー47内に入る
必要が無く、照度センサの較正作業をより迅速に行うこ
とができる。
【0100】このように、本発明は上述実施の形態に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
【0101】
【発明の効果】本発明の第1の露光装置によれば、着脱
型の照度センサの計測データを取り込むインタフェース
装置が設けられ、露光量制御手段で常設の照度センサの
出力の着脱型の照度センサの出力に対する関係が求めら
れて記憶される。そのインタフェース装置によって、両
照度センサの計測データはほぼ同時に取り込まれるた
め、露光光源の出力にアーク揺らぎやパルスエネルギー
のばらつきによる時間変動があっても、両照度センサの
出力の比が正確に求められ、常設の照度センサの較正を
高精度に行うことができる利点がある。
【0102】この際に、両照度センサの計測データはそ
の露光量制御手段で共通に処理されているため、計測デ
ータの処理を高速に行うことができる。また、オペレー
タの介入等に起因する入力の間違いが発生しない。ま
た、その常設の照度センサが、照明光から分離された光
束の照度を検出することによって基板ステージ上での照
明光の照度を間接的に計測する間接型の照度センサ(例
えばインテグレータセンサ)であり、その露光量制御手
段が、そのインタフェース装置を介してその着脱型の照
度センサの計測データを取り込むのに同期してその常設
の照度センサの計測データを取り込む場合には、2つの
照度センサの計測データが同じタイミングで取り込まれ
るため、露光光源の出力変動がある場合のその常設の照
度センサの較正精度を高めることができる。
【0103】また、その露光用の照明光が、パルス発光
される照明光であり、その露光量制御手段が、露光用の
照明光のパルス発光に同期してそのインタフェース装置
を介してその着脱型の照度センサの計測データを取り込
む場合には、パルス発光による照明光の照度がオンライ
ンで同期して計測されるため、その着脱型の照度センサ
及びその常設の照度センサの計測タイミングがずれるこ
となく照度が正確に計測され、その常設の照度センサの
出力の較正を高精度に行うことができる利点がある。
【0104】また、そのインタフェース装置が、コード
レス方式でその着脱型の照度センサの計測データをその
露光量制御手段に供給する場合には、その着脱型の照度
センサをその基板ステージ上に着脱する際の作業が容易
になる利点がある。また、本発明の第2の露光装置によ
れば、多数の露光装置の照度較正を行う場合に、第2の
着脱型の照度センサを親機として第1の着脱型の照度セ
ンサを子機として、子機の出力の較正を高精度に行うこ
とができる。従って、多数の露光装置間での照度のマッ
チング精度が向上する利点がある。また、親機に対して
複数の子機を設け、更に子機に対してそれぞれ複数の孫
機を設けることによって、更に多くの露光装置間の照度
のマッチング精度を向上でき、且つ或る着脱型の照度セ
ンサが故障した場合等でも、他の着脱型の照度センサで
代用できる。
【0105】また、本発明の第3の露光装置によれば、
基板ステージ上において分割光学系により分割された照
明光の照度を第1及び第2の着脱型の照度センサにより
計測して、その第1の着脱型の照度センサの較正を行う
ことができるため、照明光の揺らぎや途中の光学系等に
よる影響がなく、その第1の照度センサが高精度に較正
される利点がある。従って、露光装置間のマッチング精
度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光装置の第1の実施の形態を示
す概略構成図である。
【図2】(a)は図1の着脱型照度計2をウエハステー
ジ1上に取り付けた状態を示す拡大図、(b)は図2
(a)の平面図、(c)はコードレス方式の着脱型照度
計2Aを示す拡大図である。
【図3】図1の着脱型照度計2の位置を求める方法を説
明するための図である。
【図4】図1の照明系17の詳細を示す構成図である。
【図5】(a)は図1の着脱型照度計2により露光フィ
ールド内の照度を計測する方法を示す平面図、(b)は
図1の固定型照度センサ7により露光フィールド内の照
度を計測する方法を示す平面図である。
【図6】(a)は図4の投影露光装置の照明系17内の
フライアイレンズの射出面に設けられる開口絞りの例を
示す平面図、(b)はそれぞれ小さい開口角の露光光が
レチクルRに入射する状態を示す図、(c)は大きい開
口角の露光光がレチクルRに入射する状態を示す図であ
る。
【図7】(a)はステッパー型の投影露光装置における
較正パラメータの算出方法の説明図、(b)は走査露光
型の投影露光装置における較正パラメータの算出方法の
説明図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態の投影露光装置を示
す概略構成図である。
【図9】図8のエキシマレーザ光源を使用した場合のパ
ルス発光のタイミング、及びその際のインテグレータセ
ンサ等の計測のタイミングを示す図である。
【図10】(a)は本発明の実施の形態において基準照
度センサの管理のための階層構造を示す図、(b)は図
10(a)の基準照度センサ間における較正のための線
形関数を示す図、(c)は図10(a)の基準照度セン
サ間における較正のための非線形関数を示す図である。
【図11】(a)は本発明の実施の形態において基準照
度センサを較正するための較正用治具の一例を示す図、
(b)はその較正用治具の別の例を示す図である。
【図12】従来の照度センサを備えた投影露光装置を示
す概略構成図である。
【符号の説明】
R レチクル W ウエハ 1 ウエハステージ 2 着脱型照度計 3 センサ制御装置 4,5 信号ケーブル 6 コネクタ 7 固定型照度センサ 10 投影光学系 11 コネクタ 12 照度制御ユニット 13 記憶装置 14 コンソール 15 光源制御ユニット 16 光源部 17 照明系 18 インテグレータセンサ 20 温調素子 23 電源部 25 光電変換部 40 エキシマレーザ光源 41 レーザ制御装置 42 減光部制御系 44,45 較正用治具 50 主制御装置 52A〜52D 開口絞り 58,62 ビームスプリッタ 59 信号処理系 60 ホストコンピュータ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光基板の位置決めを行う基板ステージ
    を有し、露光用の照明光のもとでマスクに形成されたパ
    ターンを前記基板ステージ上の前記感光基板に転写露光
    する露光装置において、 前記基板ステージ上に着脱自在で該基板ステージ上での
    前記照明光の照度を直接計測する着脱型の照度センサ
    と、 前記基板ステージ上での前記照明光の照度を直接的、又
    は間接的に計測する常設の照度センサと、 前記着脱型の照度センサの計測データを取り込むインタ
    フェース装置と、 該インタフェース装置を介して取り込まれる前記着脱型
    の照度センサの計測データと前記常設の照度センサの計
    測データとの関係を求めて記憶する露光量制御手段と、
    を有することを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の露光装置であって、 前記常設の照度センサは、前記照明光から分離された光
    束の照度を検出することによって前記基板ステージ上で
    の前記照明光の照度を間接的に計測する間接型の照度セ
    ンサであり、 前記露光量制御手段は、前記インタフェース装置を介し
    て前記着脱型の照度センサの計測データを取り込むのに
    同期して前記常設の照度センサの計測データを取り込む
    ことを特徴とする露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項1、又は2記載の露光装置であっ
    て、 前記露光用の照明光はパルス発光される照明光であり、 前記露光量制御手段は、前記露光用の照明光のパルス発
    光に同期して前記インタフェース装置を介して前記着脱
    型の照度センサの計測データを取り込むことを特徴とす
    る露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項1、2、又は3記載の露光装置で
    あって、 前記インタフェース装置は、コードレス方式で前記着脱
    型の照度センサの計測データを前記露光量制御手段に供
    給することを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項5】 感光基板の位置決めを行う基板ステージ
    を有し、露光用の照明光のもとでマスクに形成されたパ
    ターンを前記基板ステージ上の感光基板に転写露光する
    露光装置において、 前記基板ステージ上での前記照明光の照度を直接的、又
    は間接的に計測する常設の照度センサと、 前記基板ステージ上に着脱自在で、前記常設の照度セン
    サの出力の較正を行うために前記基板ステージ上での前
    記照明光の照度を直接計測する第1の着脱型の照度セン
    サと、 所定の基準となる第2の着脱型の照度センサの出力に対
    する前記第1の着脱型の照度センサの出力の補正値を記
    憶する記憶手段と、を有することを特徴とする露光装
    置。
  6. 【請求項6】 感光基板の位置決めを行う基板ステージ
    を有し、露光用の照明光のもとでマスクに形成されたパ
    ターンを前記基板ステージ上の感光基板に転写露光する
    露光装置において、 前記基板ステージ上での前記照明光の照度を直接的、又
    は間接的に計測する常設の照度センサと、 前記基板ステージ上に着脱自在で、前記常設の照度セン
    サの出力の較正を行うために前記基板ステージ上での前
    記照明光の照度を直接計測する第1の着脱型の照度セン
    サと、 該第1の着脱型の照度センサの出力の基準となる第2の
    着脱型の照度センサと、 前記基板ステージ上での前記露光用の照明光を分割して
    前記第1及び第2の着脱型の照度センサに導く分割光学
    系と、 前記第1及び第2の着脱型の照度センサの出力を並行に
    取り込んで比較する信号処理装置と、を有することを特
    徴とする露光装置。
JP8245809A 1996-09-18 1996-09-18 露光装置 Pending JPH1092722A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8245809A JPH1092722A (ja) 1996-09-18 1996-09-18 露光装置
KR1019970045347A KR100523091B1 (ko) 1996-09-18 1997-08-30 디바이스의 제조 시스템 및 그 제조 방법
US08/932,998 US6115107A (en) 1996-09-18 1997-09-18 Exposure apparatus
EP97116262A EP0833193B1 (en) 1996-09-18 1997-09-18 Exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8245809A JPH1092722A (ja) 1996-09-18 1996-09-18 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1092722A true JPH1092722A (ja) 1998-04-10

Family

ID=17139174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8245809A Pending JPH1092722A (ja) 1996-09-18 1996-09-18 露光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6115107A (ja)
EP (1) EP0833193B1 (ja)
JP (1) JPH1092722A (ja)
KR (1) KR100523091B1 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999060361A1 (fr) * 1998-05-19 1999-11-25 Nikon Corporation Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe
JP2001338868A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP2004511093A (ja) * 2000-10-05 2004-04-08 エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド 取り付けおよび取り外し可能なセンサ
US6819414B1 (en) 1998-05-19 2004-11-16 Nikon Corporation Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method
JP2006222346A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Nikon Corp 露光装置、基準反射板、反射率計測センサの校正方法及びマイクロデバイスの製造方法
KR100620170B1 (ko) 2002-12-30 2006-09-01 동부일렉트로닉스 주식회사 노광장치의 조명계
WO2007129753A1 (ja) 2006-05-10 2007-11-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7985502B2 (en) 2004-03-22 2011-07-26 Ube Industries, Ltd. Nonaqueous electrolyte solution and lithium secondary battery using same
JP2015510269A (ja) * 2012-02-10 2015-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びシステム、リソグラフィ装置を較正する方法、及びデバイス製造方法
JP2015090872A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法
JP2019138730A (ja) * 2018-02-08 2019-08-22 ファナック株式会社 温度計測装置

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3101613B2 (ja) * 1998-01-30 2000-10-23 キヤノン株式会社 照明光学装置及び投影露光装置
DE69933903T2 (de) * 1998-04-14 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE19827602A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Korrektur nicht-rotationssymmetrischer Bildfehler
EP1014197B1 (en) * 1998-12-16 2006-11-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
WO2000072375A1 (fr) * 1999-05-20 2000-11-30 Nikon Corporation Contenant pour appareil d'exposition de support, procede de fabrication de dispositif et appareil de fabrication de dispositif
DE19926086C1 (de) * 1999-06-08 2001-01-18 Oriental System Technology Inc Verschluß für ein Strahlungsthermometer
JP2001196293A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6366308B1 (en) * 2000-02-16 2002-04-02 Ultratech Stepper, Inc. Laser thermal processing apparatus and method
JP4289755B2 (ja) * 2000-02-24 2009-07-01 キヤノン株式会社 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置
JP3870002B2 (ja) * 2000-04-07 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置
US6548797B1 (en) 2000-10-20 2003-04-15 Nikon Corporation Apparatus and method for measuring a wavefront using a screen with apertures adjacent to a multi-lens array
JP2002134393A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Mitsubishi Electric Corp 露光装置、露光方法およびその露光方法を用いて製造した半導体装置
JP3742000B2 (ja) 2000-11-30 2006-02-01 富士通株式会社 プレス装置
JP2002203768A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Toshiba Corp 露光方法、露光システム及び記録媒体
EP1316847A1 (en) * 2001-11-30 2003-06-04 Degraf s.r.l. "Machine for the uv exposure of flexographic plates"
EP1319987B1 (en) * 2001-12-12 2007-02-28 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program therefor
EP1319982A1 (en) * 2001-12-12 2003-06-18 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus , device manufacturing method, and computer program
DE10233175A1 (de) * 2002-07-22 2004-02-12 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Kalibrieren eines opto-elektronischen Sensors und zur Vermessung von Strukturen auf einem Substrat
JP3910180B2 (ja) * 2003-01-14 2007-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置のレベルセンサ
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8547522B2 (en) * 2005-03-03 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
US20060219947A1 (en) * 2005-03-03 2006-10-05 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
JP2006303193A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Canon Inc 露光装置、較正方法、およびデバイス製造方法
JP4924421B2 (ja) * 2005-05-23 2012-04-25 株式会社ニコン センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク
US7848835B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Cymer, Inc. High power laser flat panel workpiece treatment system controller
JP5692949B2 (ja) * 2006-11-29 2015-04-01 キヤノン株式会社 露光装置
DE102008042463B3 (de) * 2008-09-30 2010-04-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Messvorrichtung für eine Projektionsbelichtungsanlage
CN102128678B (zh) * 2010-01-12 2013-07-17 上海微电子装备有限公司 一种光学能量传感器测校装置及方法
JP6866631B2 (ja) * 2016-12-20 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 光処理装置、塗布、現像装置、光処理方法及び記憶媒体
US20230251583A1 (en) * 2020-07-10 2023-08-10 Asml Netherlands B.V. System and method for conditioning optical apparatuses

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5759115A (en) * 1980-09-26 1982-04-09 Terumo Corp Calibrating data writing method applied externally to information measuring device and information measuring device stored with calibra ting data
US4443117A (en) * 1980-09-26 1984-04-17 Terumo Corporation Measuring apparatus, method of manufacture thereof, and method of writing data into same
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS6052852A (ja) * 1983-09-02 1985-03-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 露光量制御装置の較正方法
JPS60188950A (ja) * 1984-03-08 1985-09-26 Canon Inc 光量制御装置の校正方法
US4927266A (en) * 1987-03-30 1990-05-22 Anritsu Corporation Optical signal generating apparatus and optical power meter calibrating system using the same
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
JP2785654B2 (ja) * 1993-09-09 1998-08-13 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその測定方法
JP3391940B2 (ja) * 1995-06-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
JP3487383B2 (ja) * 1995-07-06 2004-01-19 株式会社ニコン 露光装置及びそれを用いる素子製造方法
KR100210569B1 (ko) * 1995-09-29 1999-07-15 미따라이 하지메 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999060361A1 (fr) * 1998-05-19 1999-11-25 Nikon Corporation Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe
US6819414B1 (en) 1998-05-19 2004-11-16 Nikon Corporation Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method
JP2001338868A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
US6690455B2 (en) * 2000-03-24 2004-02-10 Nikon Corporation Illuminance measurement apparatus and exposure apparatus
JP2004511093A (ja) * 2000-10-05 2004-04-08 エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド 取り付けおよび取り外し可能なセンサ
KR100620170B1 (ko) 2002-12-30 2006-09-01 동부일렉트로닉스 주식회사 노광장치의 조명계
US7985502B2 (en) 2004-03-22 2011-07-26 Ube Industries, Ltd. Nonaqueous electrolyte solution and lithium secondary battery using same
JP2006222346A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Nikon Corp 露光装置、基準反射板、反射率計測センサの校正方法及びマイクロデバイスの製造方法
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007129753A1 (ja) 2006-05-10 2007-11-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8477283B2 (en) 2006-05-10 2013-07-02 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2015510269A (ja) * 2012-02-10 2015-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びシステム、リソグラフィ装置を較正する方法、及びデバイス製造方法
JP2015090872A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法
JP2019138730A (ja) * 2018-02-08 2019-08-22 ファナック株式会社 温度計測装置
US11280679B2 (en) 2018-02-08 2022-03-22 Fanuc Corporation Temperature measuring device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0833193A3 (en) 1998-04-08
KR19980024238A (ko) 1998-07-06
US6115107A (en) 2000-09-05
EP0833193A2 (en) 1998-04-01
EP0833193B1 (en) 2005-04-13
KR100523091B1 (ko) 2005-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1092722A (ja) 露光装置
JP2000164504A (ja) ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法
JPH03211813A (ja) 露光装置
JPH06291016A (ja) 投影露光装置
JP2008199034A (ja) リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング
JP2010251484A (ja) 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法
TW569304B (en) Focusing method, position measuring method, exposure method, device manufacturing method and exposure apparatus
US6657725B1 (en) Scanning type projection exposure apparatus and device production method using the same
KR100482019B1 (ko) 주사형노광장치및방법
JP4496565B2 (ja) 重ね合わせ測定装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法
JPH08162397A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
WO1999050893A1 (fr) Procede d&#39;exposition et systeme d&#39;exposition
US8300209B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2000235945A (ja) 走査型露光装置及び走査露光方法
JPH03211812A (ja) 露光装置
JPH0799148A (ja) ステッピング精度計測方法
JPH11219892A (ja) 走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法
JP2002198281A (ja) 照明装置及びそれを用いた露光装置
JPH1064808A (ja) マスクの位置合わせ方法及び投影露光方法
JP3118839B2 (ja) 位置合わせ方法、投影露光方法、位置合わせ装置、投影露光装置
US8237917B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH08227845A (ja) 投影光学系の検査方法、及び該方法を実施するための投影露光装置
JP2001066111A (ja) 位置計測方法及び位置計測装置、並びに露光方法及び露光装置
JPH10275768A (ja) 投影露光装置及び相対位置計測方法
JP2000306829A (ja) 投影露光装置、及び素子製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070612