JP2006303193A - 露光装置、較正方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液浸露光時における内部照度計を較正するための新規な技術の提供。
【解決手段】基板と当該基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で原版のパターンを基板に投影する露光装置であって、前記原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系と、記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段と、前記第１の光量検出手段の液浸時および非液浸時のそれぞれにおける出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する第１の較正手段とを具備する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、または磁気ヘッド等のデバイスを製造する工程のうち、リソグラフィ工程において使用される液浸露光技術に関し、特に露光量制御または調整に係る技術に関するものである。

半導体素子の微細化が進み、半導体露光装置の光源は、高圧水銀灯のｇ線からより波長の短いｉ線、そして、より波長の短いエキシマレーザと呼ばれる（ＫｒＦ，ＡｒＦ）レーザ光源の使用へと変遷してきており、近年では、Ｘ線の使用も検討されている。更に、位相シフトマスク、或は変形照明等による高解像力、高深度化の検討もなされ、実用され始めている。しかし、エキシマレーザやＸ線を利用する方法は、装置コストが高くなり、位相シフトマスク、或は変形照明等は、回路パターンによって効果が期待できない場合もある等の問題を抱えている。

一方で、投影レンズのＮＡ（開口数）を大きくすることでより高い解像力を実現することが可能となる。

そこで、投影レンズと結像面の間に液体を流入し、屈折を生かしてＮＡを大きくする液浸法を適用する試みがなされている。例えば、特公昭６３−４９８９３号公報には、縮小レンズの先端を取り囲んで液体流入口を有するノズルを設け、これを介して液体を供給し、縮小レンズとウエハとの間に液体を保持するようにした液浸式投影露光装置が記載されている。

また、露光量制御に関しては、装置間の光量強度差を計測し複数の装置で同等の露光量を保証するために、装置外部から照度計（外部照度計）を装置内に搬入して装置内の露光量センサ（内部照度計）の較正を行っている。また、内部照度計の出力値を絶対光量値へ換算するために、内部照度計を絶対光量センサで較正する必要もある。実際には、装置間較正と絶対光量較正とを個別に行うことは非効率であるため、同一の絶対光量センサを外部照度計として用いてこれら２つの較正を行っている。
特公昭６３−４９８９３号公報

上記従来の液浸式投影露光装置においては、縮小レンズとウエハとの間を空気等の気体とする乾燥状態時と、パターンの微細化を図り縮小レンズとウエハとの間を液体とする液浸状態時とで、エキシマレーザ光の透過率が異なるため、結像面の照度が異なる。また、外部照度計を液浸状態にすると、照度計測のために生じるダウンタイムが長くなってしまう問題、そして、液体が液浸可能領域外に漏れないように細心の注意を払う必要があり、作業効率が悪いという問題がある。このため、液浸状態において従来の乾燥状態と同等の露光量制御性能を確保することが困難となっていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その目的は、液浸露光時における内部照度計を較正するための新規な技術を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の第１の態様は、基板と当該基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で原版のパターンを基板に投影する露光装置であって、前記原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系と、前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段と、前記第１の光量検出手段の液浸時および非液浸時のそれぞれにおける出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する第１の較正手段とを具備する。

本発明の第２の態様は、基板と当該基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で原版のパターンを基板に投影する露光装置であって、前記原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系と、前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段と、前記第１の光量検出手段の液浸時または非液浸時における出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力と、予め計測された前記液体の透過率の情報とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する較正手段とを具備する。

本発明の第３の態様は、原版のパターンを基板に投影するための投影光学系と、前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段とを備え、前記基板と前記基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で前記原版のパターンを前記基板に投影する露光装置における前記第１の光量検出手段の較正方法であって、前記第１の光量検出手段の液浸時および非液浸時のそれぞれにおける出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する。

本発明の第４の態様は、原版のパターンを基板に投影するための投影光学系と、前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段とを備え、前記基板と前記基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で前記原版のパターンを前記基板に投影する露光装置における前記第１の光量検出手段の較正方法であって、前記第１の光量検出手段の液浸時または非液浸時における出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力と、予め計測された前記液体の透過率の情報とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する。

また、本発明の第５の態様は、デバイス製造方法であって、上記露光装置を用いて原版のパターンを基板に投影する露光工程を含む。

本発明によれば、液浸露光時における内部照度計を較正するための新規な技術を提供することができる。

以下に、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。

尚、以下に説明する実施の形態は、本発明の実現手段としての一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものである。

［実施形態１］
図１は本発明に係る実施形態１の液浸式露光装置の要部を示す図である。

本実施形態の液浸式露光装置は、パルスレーザの光源から射出する光束を照明光学系（照明手段）を介して原版（レチクル）に照射し、レチクル上に形成されている回路パターンを感光体が塗布されたウエハ（基板）上に投影レンズ（投影光学系）を介してレチクルとウエハとを走査しながら縮小投影して焼き付ける走査型露光装置を示しており、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に好適なものである。

図中、１はエキシマレーザ等のパルスレーザ光源（光源手段）であり、パルス光を放射する。１０はビーム整形部であり、光源１からの光束を所定の照明形状に整形してハエの目レンズ１１の入射面に入射させる。ハエの目レンズ１１は複数の微少なレンズより構成されており、その出射面の近傍に複数の２次光源を形成する。１２はコンデンサレンズであり、ハエの目レンズ１１の光射出面の近傍の２次光源からの光束で露光スリット１６及び、可動スリット（マスキングブレード）１７をケーラー照明している。

可動スリット１７を照明した光束は、コリメータレンズ１８を介してレチクル２０を照明する。可動スリット１７とレチクル２０とは光学的に共役の位置関係にあり、可動スリット１７の開口形状によりレチクル２０の照明領域の形と寸法を規定している。可動スリット１７には、例えばボイスコイルモータ（不図示）が設けられており、可動スリット１７を光軸方向に移動制御している。また、１５は積算露光量計測器であり、ハーフミラー１３によって分離された一部のパルス状照明光を集光レンズ１４にて集めて光量を検出し、露光量制御部３にその検出信号を出力する。

尚、ビーム整形部１０、ハエの目レンズ１１、コンデンサレンズ１２、露光スリット１６、可動スリット１７、コリメータレンズ１８等は露光光をレチクル２０に供給する照明手段（露光光供給手段）の一要素を構成している。また、照明手段の中には不図示の減光手段があり、光源１からの光束の光量を多段階に調整できる構成となっている。レチクル２０はその上に回路パターンを有していて、レチクルステージ１９に保持されている。２１は投影レンズ（投影光学系）であり、レチクル２０の回路パターンをウエハ２６上に縮小投影している。ウエハ２６の表面には感光体であるレジストが塗布されており、ウエハ２６は３次元に変位して任意の位置に位置決めするウエハステージ２５に載置されている。ウエハ２６の表面は可動スリット１７と共役の位置にある。

ウエハステージ２５上には内部照度計２３が設置されており、これにより投影レンズ２１を介して後述するようにパルス光の光量を計測している。

尚、積算露光量計測器１５は露光中でも光量強度計測ができるので、露光スリット１６から照射される露光光の積算値を見積もるために使用される。内部照度計２３は露光工程の最初において投影レンズ２１を透過してウエハ２６を照射する（投影光学系２１の像面における）パルス光の強度を計測するために用いている。

４はステージ駆動制御部（走査手段）であり、レチクルステージ１９とウエハステージ２５を投影レンズ２１による結像倍率と同じ比率の速度で正確に一定速度で互いに逆方向へ移動させるように制御している。露光量制御部３は積算露光量計測器１５によって光電変換された電気信号を論理値に変換して主制御部５に出力し、主制御部５内の記憶手段に記憶している。

内部照度計２３による計測値（光強度）と積算露光量計測器１５による計測値との相関を予め求めておき、各露光に際して積算露光量計測器１５の計測値をこの相関を利用して補正し、ウエハ上の露光量を求めている。内部照度計２３はウエハへの露光中には露光光の強度測定は行っていない。

２はレーザ制御部であり、所望の露光量に応じてトリガ信号、充電電圧信号を出力して光源１のパルスエネルギー及び発光間隔を制御する。尚、レーザ制御部２がトリガ信号、充電電圧信号を生成する際には、露光量制御部３からの照度モニタ信号やステージ制御部４からのステージの現在位置信号、主制御部５からの履歴情報等がパラメータとして用いられる。

主制御部５は入力部７から与えられたデータと装置固有のパラメータ及び積算露光量計測器１５等の計測手段で計測したデータから走査露光に必要なパラメータ群を算出してレーザ制御部２、ステージ制御部４、ビーム整形部１０に伝達している。

本実施形態における、内部照度計２３は、その較正時に、装置外から搬入され結像面上に配置可能な工具としての外部照度計２４を用いて、絶対値較正及び号機（装置）間較正が行われる。

尚、照度計の較正時に絶対値較正及び号機間較正を正常に行った場合においても、検出積算パルス数による劣化、経時変化などの要因により、定期的に絶対値較正及び号機間較正を行わなければならない。絶対値較正及び号機間較正はウエハステージ２５上に設置された複数の内部照度計２３の中で、基準となる内部照度計に対して行う。ウエハステージ２５上に設置された基準となる内部照度計は、入射角によって出力の変動を起こす角度特性が外部照度計２４と等しく、更に受光する光量によって出力の変動を起こす感度特性が等しいことが望ましい。しかし、基準となる内部照度計と外部照度計２４の角度特性、感度特性が異なる場合には、投影レンズＮＡが異なる時、もしくは露光量が異なる時、それらの条件毎に内部照度計２３の感度較正を別途行い、変更される投影レンズＮＡ値（ＮＡ絞り２２によって変更され得る）及び露光量条件に応じて内部照度計２３の感度を補償すればよい。

次に、絶対値較正及び号機間較正の方法について説明する。

絶対値較正及び号機間較正には、乾燥状態での積算露光量計測器１５の計測値ＬＩＤと基準となる内部照度計の測定値ＩＬＤ、液浸状態での積算露光量計測器１５の計測値ＬＩＩと基準となる内部照度計の測定値ＩＬＩ、及び乾燥状態での積算露光量計測器１５の計測値ＬＩＡと外部照度計２４の測定値ＩＬＡを計測する。そして、これらの値から液浸時の積算露光量計測器１５の較正係数Ｄを算出する。較正係数Ｄは次式により算出する。
Ｄ＝（（ＩＬＩ／ＬＩＩ）／（ＩＬＤ／ＬＩＤ））＊（ＩＬＡ／ＬＩＡ）
なお、この式により積算露光量計測器１５の較正係数が求まるため、積算露光量計測器１５の計測値と基準となる内部照度計の計測値との関係から、基準となる内部照度計の較正係数も求めることができる。

次に、図２を用いて絶対値較正及び号機間較正を行うための較正係数Ｄを算出する処理の流れについて説明する。

図２において、先ず、液体を流入し(ステップＳ２１)、液浸状態にて積算露光量計測器１５の値ＬＩＩと基準となる内部照度計２３の値ＩＬＩとを計測する（ステップＳ２２）。その後に液体を排出し（ステップＳ２３）、乾燥状態にて積算露光量計測器１５の値ＬＩＤと基準となる内部照度計２３の値ＩＬＤとを計測し（ステップＳ２４）、外部照度計２４を搬入した後（ステップＳ２５）、乾燥状態にて積算露光量計測器１５の値ＬＩＡと外部照度計２４の値ＩＬＡとを計測（ステップＳ２６）し、外部照度計２４を搬出する（ステップＳ２７）。ここでは、装置外部から搬入される外部照度計２４を液浸状態にしないため、計測作業の効率が非常に良い。そして、乾燥状態での積算露光量計測器１５の計測値ＬＩＤと基準となる内部照度計２３の測定値ＩＬＤ、液浸状態の積算露光量計測器１５の計測値ＬＩＩと基準となる内部照度計２３の測定値ＩＬＩから液体の透過率を算出する。算出された液体の透過率を乾燥状態での積算露光量計測器１５の計測値ＬＩＡと外部照度計２４の測定値ＩＬＡとの比に乗ずることにより、液浸時の較正係数Ｄを算出する（ステップＳ２８）。なお、上述の液体の透過率を記憶しておくことにより、積算露光量計測器（または基準となる内部照度計）の液浸時または非液浸時における出力と、外部照度計の非液浸時における出力と、予め計測され記憶されている前記液体の透過率の情報とに基づいて、積算露光量計測器（または基準となる内部照度計）を較正することも、場合により可能である。

また、定期的に計測を行い露光装置内部に保持された液体の透過率のデータは、投影光学系要因の短期的な透過率変動の補償に用いられ得る。

しかしながら、使用する内部照度計に角度特性がある状態で、上記の間接的な絶対値較正（図２）を行う際には、液浸及び乾燥の両状態において、投影レンズＮＡを揃えて計測する必要がある。図３に示すように、液浸状態と乾燥状態では、液体の透過率、フォーカス(Fo1, Fo2)、内部照度計への入射角(θ1, θ2)が異なる。液体の透過率は図２のステップ２８にて算出済みであるが、内部照度計２３の入射角に関しては、液浸時の1.0を越えるような高いＮＡを乾燥状態にて実現することは不可能であることから常に同一の投影レンズＮＡに揃えることが困難である。そこで、乾燥状態で実現可能な最大投影レンズＮＡを超過するなどの原因により投影レンズＮＡを揃えることが困難な場合には、予め内部照度計２３の受光感度の角度特性データを露光装置内に保持しておく。

図４は内部照度計の角度特性を示した図であり、内部照度計２３への入射角度の相違によって異なる感度の相対比率のグラフを示している。この比率を用いて、投影レンズＮＡの入射角度と実際の内部照度計２３の測定光量から実露光量を推定する方法で内部照度計２３の較正を行う。投影レンズＮＡの角度による感度比率の関数をｆ（ＮＡ）とすると、角度特性が無い場合の実照度値ＲＩＬＤは、上記乾燥状態での基準となる内部照度計２３の測定値ＩＬＤを用いて以下の式で表すことができる。
ＲＩＬＤ＝ｆ（ＮＡ）×ＩＬＤ
次に、複数の内部照度計の劣化特性を考慮した較正方法について説明する。

この較正では、複数の内部照度計２３のそれぞれに対して、精度劣化特性のデータを装置内部に保存しておく。図５の精度劣化特性データの一例は、内部照度計２３が前回の絶対値較正及び号機間較正後に受光した積算受光パルス数及び経過時間と内部照度計２３の出力値との依存関係（精度劣化特性）を実験的に取得したものであり、劣化許容値に応じて、範囲内、範囲内（警告）、範囲外の３つの状態を示す。

図６に示すように、内部照度計２３を使用して計測を行う際には、その準備動作として、この内部照度計２３の精度劣化データ（図５）を参照し、劣化誤差の許容値判定を行う（ステップＳ３１）。もし、精度劣化が許容範囲外であれば、使用する内部照度計の絶対値較正及び号機間較正を行う。その際、使用する内部照度計が基準となる内部照度計か、それ以外の内部照度計かを判定し（ステップＳ３３）、基準となる内部照度計の場合は、図２の較正を行う（ステップＳ３５）。

一方で、基準となる内部照度計以外の場合は外部照度計２４を使用せずに図７の間接的な較正を実施する（ステップＳ３４）。

また、図５の劣化誤差が許容範囲内であっても（ステップＳ３１）、警告のための閾値を越えている場合には（ステップＳ３２）、ユーザに内部照度計２３の絶対値較正及び号機間較正が必要であることを通知する（ステップＳ３６）。

図７は基準以外の内部照度計の較正処理を示すフローチャートである。

図７においては、液体を流入した後(ステップＳ４１)、液浸状態で積算露光量計測器対基準以外の内部照度計の光量を計測し（ステップＳ４２）、更に積算露光量計測器対基準となる内部照度計の光量を計測し（ステップＳ４３）、液体を排出してから（ステップＳ４４）、基準以外の内部照度計の測定値を基準となる内部照度計の測定値で較正する（ステップＳ４５）。

上記実施形態によれば、液浸露光時の内部照度計２３の較正の際に外部照度計２４を乾燥状態で用いるので、液浸露光時の内部照度計の較正に要する時間を短時間に抑えることができる。

また、外部照度計２４を乾燥状態で用いることに加えて、可能な限り外部照度計２４を用いずに露光装置内の複数の（基準以外の）内部照度計２３の較正を行うことにより、内部照度計２３の較正時間を短時間に抑えることができる。

また、内部照度計２３の精度劣化特性データを装置内に保持し、経時変化、積算受光パルス数などの要因による精度劣化を補償することで、常に露光量の誤差を許容値以内に抑えることができる。また、内部照度計２３の露光光受光角度による感度特性データを装置内に保持することで、角度特性がある内部照度計に対しても高精度な露光量換算を行うことができる。

［実施形態２］
次に、図１及び図８を参照して、本発明に係る実施形態２について説明する。なお、以下では、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。

上記実施形態１において、内部照度計２３に角度特性があり、投影レンズＮＡを液浸状態と乾燥状態とで揃えることが困難な場合、図８のように防水保護ボックス２９内の内部照度計２３の光路上に可動プリズム３０とズームレンズ３１を配置し、これらの位置関係により露光光の入射角度を可変にする機構を設け、乾燥状態の投影レンズＮＡと同一の角度を生成して内部照度計２３に入射させることで角度特性による影響を考慮した較正を行うことも可能となる。

この実施形態によれば、可動プリズム３０とズームレンズ３１を用いて内部照度計２３が受光する露光光の角度を調整することによって液浸状態での絶対光量較正を精度良く行い、内部照度計２３の精度劣化特性データを予め露光装置内に保持しておき精度劣化を管理するので、投影光学系を液浸状態で使用した場合でも、乾燥状態で使用した場合と同等の高精度な露光量制御性能を実現することができる。

［デバイス製造方法］
次に、上述した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。

図９は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップＳ２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ７）される。

図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

本発明に係る実施形態１の液浸式露光装置の要部を示す概略図である。 本実施形態の液浸式露光装置における基準となる内部照度計の間接較正処理を示すフローチャートである。 本実施形態の液浸式露光装置における液浸状態と乾燥状態の差を示す図である。 本実施形態の液浸式露光装置における内部照度計の角度特性データを示す図である。 本実施形態の液浸式露光装置における内部照度計の絶対光量誤差データを示す図である。 本実施形態の液浸式露光装置における内部照度計の使用準備時のフローチャートである。 本実施形態の液浸式露光装置における基準以外の内部照度計の直接計測による較正処理を示すフローチャートである。 本発明に係る実施形態２の内部照度計の光量入射角調整機構を示す図である。 微小デバイスの製造フローを説明する図である。 ウエハプロセスを説明する図である。

符号の説明

１ パルスレーザ光源
２ レーザ制御部
３ 露光量制御部
４ ステージ制御部
５ 主制御部
６ 表示部
７ 入力部
１０ ビーム整形部
１１ ハエの目レンズ
１２ コンデンサレンズ
１３ ハーフミラー
１４ 集光レンズ
１５ 積算露光量計測器
１６ 露光スリット
１７ 可動スリット
１８ コリメータレンズ
１９ レチクルステージ
２０ レチクル
２１ 投影レンズ
２２ ＮＡ絞り
２３ 内部照度計
２４ 外部照度計
２５ ウエハステージ
２６ ウエハ
２７ 液体
２８ 液状態管理制御部
２９ 防水保護ボックス
３０ 可動プリズム
３１ ズームレンズ

Claims (10)

1. 基板と当該基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で原版のパターンを基板に投影する露光装置であって、
   前記原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系と、
   前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段と、
   前記第１の光量検出手段の液浸時および非液浸時のそれぞれにおける出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する第１の較正手段とを具備することを特徴とする露光装置。
2. 前記第１の光量検出手段の他に、前記投影光学系を経た光量を検出するための第３の光量検出手段と、
   前記第１および第３の光量検出手段の出力に基づいて前記第３の光量検出手段を較正する第２の較正手段とを有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記第２の較正手段は液浸時の前記第１および第３の光量検出手段の出力に基づいて前記第３の光量検出手段を較正することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 前記第１の光量検出手段は、前記第１の光量検出手段に導光する光学系の開口数を調整する調整手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
5. 前記第１の光量検出手段に導光する光学系の開口数と前記第１の光量検出手段の感度との関係を示す特性データを記憶する記憶手段を備え、
   前記第１の較正手段は前記特性データにも基づいて前記第１の光量検出手段を較正することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
6. 前記第１の光量検出手段の使用履歴に関する情報に基づいて、前記第１の光量検出手段の較正が必要であることを報知する報知手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
7. 基板と当該基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で原版のパターンを基板に投影する露光装置であって、
   前記原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系と、
   前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段と、
   前記第１の光量検出手段の液浸時または非液浸時における出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力と、予め計測された前記液体の透過率の情報とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正する較正手段とを具備することを特徴とする露光装置。
8. 原版のパターンを基板に投影するための投影光学系と、前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段とを備え、前記基板と前記基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で前記原版のパターンを前記基板に投影する露光装置における前記第１の光量検出手段の較正方法であって、
   前記第１の光量検出手段の液浸時および非液浸時のそれぞれにおける出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正することを特徴とする較正方法。
9. 原版のパターンを基板に投影するための投影光学系と、前記投影光学系を経た光量を検出するための第１の光量検出手段とを備え、前記基板と前記基板に対向する光学部材との間の空間を液体で満たした液浸状態で前記原版のパターンを前記基板に投影する露光装置における前記第１の光量検出手段の較正方法であって、
   前記第１の光量検出手段の液浸時または非液浸時における出力と、外部から搬入された、前記投影光学系を経た光量を検出するための第２の光量検出手段の非液浸時における出力と、予め計測された前記液体の透過率の情報とに基づいて、前記第１の光量検出手段を較正することを特徴とする較正方法。
10. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置を用いて原版のパターンを基板に投影する露光工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

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