JP4528337B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、露光装置およびそれを使用してデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、その製造のためのリソグラフィ工程で使われる露光装置において、水銀ランプに代わって、KrFやArFエキシマレーザのようなパルスレーザが遠紫外領域の光源として使用されるようになってきた。エキシマレーザを用いた露光装置において、エキシマレーザ光源と露光装置本体とは、光ファイバ等のインタフェースケーブルを介して接続されうる。このような露光装置における露光動作は、露光装置本体に備えられた制御装置によって制御されうる。エキシマレーザから出射されるパルスレーザ光を使って露光装置本体においてレチクルが照明される。照明されたレチクルのパターンは、感光剤が塗布されたウエハに投影光学系によって投影され、これによって当該レジストに潜像が形成される。
エキシマレーザでは、一般に、フッ素等のハロゲンガス、クリプトン、アルゴン等の不活性ガス、およびヘリウム、ネオン等の希ガスといった3種の混合ガスがレーザチャンバ内に封入されている。エキシマレーザ光源は、このチャンバ内の放電によってハロゲンガスと不活性ガスとが反応することにより、ナノ秒オーダのパルス幅を有するパルスレーザ光を発生する。
エキシマレーザ光の光子エネルギーは、KrF(248nm)で114.1kcal/mol、ArF(193nm)で147.2kcal/mol、F2(157nm)で180.1kcal/molである。これに対して、分子の結合解離エネルギーは、例えばC−C結合で84kcal/molである。つまり、このような波長域の光学エネルギーは、様々な物質の結合解離エネルギーに相当する。したがって、エキシマレーザ光が物質に照射されると、光吸収や光化学反応が起こりやすい。このような性質から、この波長域の光は、物質の加工(例えば、CVD、エッチング)にも利用される。また、吸収、反射等の光学特性が物質によって異なることから、エキシマレーザ光は物質の構造解析にも利用することができる。
しかし、エキシマレーザ光の波長域では、露光光が大気中の酸素や水分によって吸収されてしまう。これは、露光光が短波長化するに伴って、その光子エネルギーが大きくなるために生じる。光子エネルギーが増加することで、光路に存在する物質が関与した光化学反応が活性化される。そのため、露光光が通る光学ユニット内を窒素やヘリウム等の不活性ガスによりパージする必要がある(特許文献1)。パージによって光吸収などを低減することができるが、光学ユニット内に存在する不純物を完全に除去することは難しい。例えば、光学ユニットに付着した物質が光吸収を起こしたり、光化学反応によって物質の分解や生成が行われたりするなどして、光学ユニットが汚染される。また、窒素ガス雰囲気内に水蒸気を含んでいる場合、紫外光を照射することで、アンモニアが生成するという報告もなされている。このような要因によって、レーザ光が照射された光学ユニットは、汚染或いは劣化が進む。
特開2001−284235号公報
従来は、露光装置の光学ユニットが寿命に達したことは、事前に光学性能の劣化を検知する機能がなかったために、露光処理や計測処理に異常が生じたことをもって判断されていた。そのため、異常が検知された後に修復に必要な部品を特定し準備し修復を行う必要があり、露光装置の再稼動までに長時間を要していた。また、寿命に達した光学ユニットを使用して露光処理を行った場合、光学性能の劣化により不良製品を生産してしまう可能性がある。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、露光装置に含まれる複数の光学ユニットの保守作業の効率化に有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、パルス光源からのパルス光で原版のパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記露光装置における前記パルス光の光路が複数の領域に分割されるように領域と領域との間に配置されて前記パルス光を遮断し又は前記パルス光が入る領域を切り替える領域間光学ユニットと、前記複数の領域のそれぞれに配置された光学ユニットと、前記パルス光源を起動して前記パルス光を発生させ、且つ、前記複数の領域のそれぞれに配置された光学ユニットの前記パルス光による劣化を監視する制御部とを備え、前記制御部は、前記複数の領域のうち前記パルス光が入る領域を前記領域間光学ユニットの状態に基づいて特定することにより、前記複数の領域それぞれに入ったパルス光の数の積算値を得て、前記複数の領域のうち前記積算値が閾値を超えた領域に関して当該領域に属する光学ユニットの保守に関する情報を表示ユニットに表示させる。
本発明によれば、例えば、露光装置に含まれる複数の光学ユニットの保守作業の効率化に有利な技術が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
図1は、本発明の好適な実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置100は、複数の光学ユニットが配置された光路を有し、該光路は、レチクル(原版)16のパターンをウエハ(基板)18に投影しウエハ18を露光する部分を含む。
露光装置100の光路には、光源1が発生する光が提供される。露光装置100の制御部21は、該光路を複数の領域に分割して、分割された領域ごとに当該領域に属する光学ユニットの光による劣化を監視する。ここで、分割された1つの領域には、少なくとも1つの光学ユニットが含まれる。この実施形態では、複数の領域は、第1〜第6領域を含む。
露光装置100の構成及び動作を概略的に説明する。露光装置100は、光源1と本体部EXとを備えている。本体部EXは、光源1から出射された光を利用して露光処理及び計測処理等の処理を行う部分である。
光源1は、パルス光を発生するように構成されうる。光源1は、例えば、エキシマレーザを含みうる。光源1には、シャッタ26が設けられていて、シャッタ26が開いている状態では、光源1から本体部EXに光が提供され、シャッタ26が閉じている状態では、光源1から本体部EXに光が提供されない。光源1から出射された光は、本体部EXに送られ、必要に応じて減光フィルタ22によって減光された後に、ミラー30で光路が折り曲げられ、楔光学素子2を通る。この実施形態では、減光フィルタ22の入射面から楔光学素子2の出射面までの光路が第1領域である。減光フィルタ22および楔型光学素子2は、それぞれ光学ユニットの例である。
露光処理時は、第1領域から出た光が第2領域に入るように制御部21によってミラー24が制御される。この実施形態では、第2領域は、ビーム成形部3の入射面から露光スリット部材8の出射面までの光路が第2領域である。ビーム成形部3から出射された光は、振動ミラー4によって光路が折り曲げられた後にフライアイ5およびコンデンサレンズ6を順に通過して露光スリット部材8に至る。ビーム成形部3、振動ミラー4、フライアイ5、コンデンサレンズ6および露光スリット部材8は、それぞれ光学ユニットの例である。
第2領域から出た光は、遮光板9の開口部を通り、ミラー31で光路が折り曲げられた後にコリメータレンズ10を通り、レチクルステージ(原版ステージ)15によって保持されたレチクル(原版)16を照明する。照明されたレチクル16のパターンは、投影光学系13によって、ウエハステージ(基板ステージ)17によって保持されたウエハ(基板)18に投影される。ウエハ18には、感光剤が塗布されていて、パターンの投影によって該感光剤が感光して潜像が形成される。潜像は、現像工程を通して物理的なパターンとなる。この実施形態では、遮光板9からウエハ18までの光路が第3領域である。遮光板9、ミラー31およびコリメータレンズ10は、それぞれ光学ユニットの例である。ウエハステージ17の上には、照度むらセンサが設けられうる。
第1計測処理時は、第1領域から出た光が第4領域に入り、第4領域から出た光が第5領域に入るように制御部21によってミラー24、25が制御される。この実施形態では、第4領域は、ミラー24の反射面からミラー25の反射面までの光路であり、第5領域は、ミラー25によって反射された光の入射面(不図示)からオフアクシススコープ20の出射面までの光路である。第1計測処理には、例えば、フォーカス調整用の計測処理、および、レチクル16とウエハ18との位置合わせ用の計測処理が含まれうる。これらの計測処理は、TTL方式で実施されうる。ミラー24、25およびオフアクシススコープ20は、それぞれ光学ユニットの例である。
第2計測処理時は、第1領域から出た光が第4領域に入り、第4領域から出た光が第6領域に入るように制御部21によってミラー24、25が制御される。第2計測処理には、例えば、光源1の光軸と本体部分EXの光軸とのずれを計測する処理が含まれうる。この実施形態では、第6領域は、ミラー25によって反射された光の入射面(不図示)からモニタ19までの光路である。モニタ19は、光学ユニットの例である。
以上を要約すると、光源1から出射され光は、露光処理時は第1領域、第2領域、第3領域を通り、第1計測処理時は第1領域、第4領域、第5領域を通り、第2計測処理時は第1領域、第4領域、第6領域を通る。すなわち、この実施形態では、露光装置100において実施される処理に応じて第1領域〜第6領域のうち光が通過する領域が変更される。
制御部21は、メモリ21mを有し、メモリ21mには、上記のような複数の光学ユニットの保守のための保守情報50が保持される。保守情報50は、第1領域〜第6領域のそれぞれについての領域保守情報50−1、50−2・・・を含む。各領域保守情報は、該当する領域に属する光学ユニットの保守に関する情報を含む。各領域保守情報は、例えば、"照射パルス数"、"状態"(Normal,Maintenance,Limit)、"メンテナンスパルス数"、"リミットパルス数"を含みうる。"照射パルス数は、該当する領域に入射した光のパルス数の積算値である。"状態"は、該当する領域に属する光学ユニットの状態を表す。具体的には、"Normal(ノーマル)"状態は正常状態を意味する。"Maintenance(メンテナンス)"状態は光学ユニットが使用可能な範囲の限界に近づいている状態を表す。"Limit(リミット)"状態は光学ユニットが使用可能な範囲の限界に達し交換が必要な状態を表す。"メンテナンスパルス数"は、該当する領域が"Maintenance"状態であると判定する第1閾値としてのパルス数である。"リミットパルス数"は、該当する領域が"Limit"状態であると判定する第2閾値としてのパルス数である。ここで、上記の説明から明らかなように、第2閾値は、第1閾値よりも劣化の程度が高いことを判定するための閾値である。
図2は、制御部21による制御を示すフローチャートである。ステップ201では、制御部21は、発振前処理を実行する。発振前処理は、例えば、劣化の程度が閾値を超えた光学ユニット及びそれを含む領域の少なくとも一方を表示ユニット52に表示させる処理を含みうる。より具体的には、発振前処理は、例えば、使用可能な範囲の限界に近づいている光学ユニット及びそれを含む領域の少なくとも一方をオペレータに知らせるための情報を表示ユニット52に表示させる処理を含みうる。或いは、発振前処理は、使用可能な範囲の限界に達し交換が必要な光学ユニット及びそれを含む領域の少なくとも一方をオペレータに知らせるための情報を表示ユニット52に表させる処理を含みうる。或いは、発振前処理は、使用可能な範囲の限界に達し交換が必要な光学ユニットが使用される条件での光源1の起動を禁止する処理を含みうる。使用可能な範囲の限界に近づいている光学ユニットは、領域保持情報における"状態"を示す情報が"Maintenance"となっている領域に属する光学ユニットである。使用可能な範囲の限界に達し、交換が必要な光学ユニットは、領域保持情報における"状態"を示す情報が"Limit"となっている領域に属する光学ユニットである。
ステップ202では、制御部21は、光源1を起動してレーザ光を発生させ、ステップS203では、制御部21は、シャッタ26の状態を確認する。制御部21は、シャッタ26が開状態であれば処理をステップ204に進め、閉状態であれば処理をステップ213に進める。ステップ204では、制御部21は、光源1から送られてくる光が通過する第1領域についての照射パルス数を更新する。
ステップ205では、制御部21は、ミラー24の状態を確認し、第1領域から出た光が第2領域に入るようにミラー24が配置されている場合、つまり、露光処理を行う状態である場合には、処理をステップ205に進める。一方、第1領域から出た光が第4領域に入るようにミラー24が配置されている場合には、制御部21は、処理をステップ209に進める。ステップ206では、制御部21は、光が通過する第2領域についての照射パルス数を更新する。
ステップ207では、制御部21は、遮光板9の状態を確認し、遮光板9が開状態であれば、ステップ208において、光が通過する第3領域についての照射パルス数を更新する。一方、遮光板9が閉状態であれば、制御部21は、処理をステップ213に進める。
ステップ209では、制御部21は、光が通過する第4領域についての照射パルス数を更新する。ステップS210では、制御部21は、ミラー25の状態を確認し、第4領域から出た光が第5領域に入るようにミラー25が配置されている場合、つまり、第1計測処理を行う場合には、処理をステップ211に進める。一方、第4領域から出た光が第6領域に入るようにミラー25が配置されている場合、つまり、第2計測処理を行う場合には、制御部21は、処理をステップ212に進める。
ステップ211では、制御部21は、光が通過する第5領域についての照射パルス数を更新し、ステップ212では、制御部21は、光が通過する第6領域についての照射パルス数を更新する。
ステップ213では、制御部21は、第1領域〜第6領域のそれぞれに属する光学ユニットの状態を確認し、正常状態からメンテナンス状態に遷移した領域があれば、処理をステップ214に進め、そうでなければ処理をステップ215に進める。ステップ213における処理は、第1領域〜第6領域のそれぞれに属する光学ユニットの光による劣化を監視する処理の一例として把握されうる。
ステップ214では、制御部21は、表示ユニット52にワーニング表示を行う。該ワーニング表示は、例えば、正常状態からメンテナンス状態に遷移した領域を示す情報及び当該領域に属する光学ユニットの少なくとも一方を含みうる。該ワーニング情報は、更に、当該領域の状態(メンテナンス状態)を示す情報を含みうる。該ワーニング表示は、更に、該当する光学ユニットの交換の準備(例えば、交換用の光学ユニットの手配等)を促すメッセージを含みうる。このようなメッセージの表示は、交換用の光学ユニットの欠如による露光装置の長期間にわたる停止を未然に防ぐために効果的である。
ステップ215では、制御部21は、第1領域〜第6領域のそれぞれの状態を確認し、メンテナンス状態からリミット状態に遷移した領域があれば、処理をステップ216に進め、そうでなければ処理をステップ217に進める。ステップ215における処理は、第1領域〜第6領域のそれぞれに属する光学ユニットの光による劣化を監視する処理の一例として把握されうる。
ステップ216では、制御部21は、表示ユニット52にエラー表示を行う。該エラー表示は、例えば、メンテナンス状態からリミット状態に遷移した領域を示す情報及び当該領域に属する光学ユニットの少なくとも一方を含みうる。該エラー表示は、更に、当該領域の状態(リミット状態)を示す情報を含みうる。該エラーは、更に、該当する光学ユニットの交換を促すメッセージを含みうる。
保守情報50の喪失を防止するために、それを保持するメモリ21mは、不揮発性メモリとして構成されうる。不揮発性メモリの範疇には、例えば、EEPROM、ハードディスク等のように単体で不揮発機能を有するメモリの他、バッテリバックアップ機能によって電力供給が維持されるDRAM等も含まれる。また、保守情報50は、バックアップとして、他の不図示の記憶デバイス、例えば、コンソールに備えられた記憶デバイスにコピーされてもよい。
光学ユニットが交換された際には、保持情報(領域保持情報)を構成する照射パルス数の情報が0にクリアされる。メンテナンスパルス数やリミットパルス数といった状態遷移の判定のための閾値は、例えば、光学ユニットの仕様変更等に応じて変更することができる。
図4は、図2のステップ201における処理の一例を具体的に示すフローチャートである。ステップ401では、制御部21は、保守情報50に基づいて、選択された領域に属する光学ユニットの状態を確認する。ステップ402では、制御部21は、第1領域〜第6領域のすべての領域についてステップ401における確認が完了したかどうかを判定する。そして、制御部21は、すべての領域についてステップ401における確認が完了した場合にはステップ403に処理を進め、そうでない場合にはステップ401に処理を戻し、次の領域について確認を行う。
ステップ403では、制御部21は、使用される領域にリミット状態の光学ユニットが含まれるかどうかを判定し、使用される領域にリミット状態の光学ユニットが含まれる場合には、光源1の起動を禁止し、処理を終了する。一方、使用される領域にリミット状態の光学ユニットが含まれない場合には、制御部21は、ステップ405において、光源1の起動を許可し、処理を図2のステップ203に進める。使用される領域にリミット状態の光学ユニットが含まれる場合に光源1の起動を禁止することにより、不良デバイスが製造されることを未然に防ぐことができる。
図3は、表示ユニット52による表示画面の一例を示す図である。表示画面に表示される情報には、第1領域〜第6領域・・・について、照射パルス数301、メンテナンスパルス数302、リミットパルス数303、および状態304を示す情報が含まれうる。表示画面中に表示すべき項目は、オペレータによって変更することができる。
各領域の状態に応じて制御部21によってNormal,Maintenance,Limitといった状態を示す情報が表示ユニット52の表示画面に表示されうる。
また、表示画面に表示される情報には、例えば、光路の分割形態(第1領域〜第6領域の配置形態)を示す情報(分割図)305が含まれうる。制御部21は、例えば、正常状態は青、メンテナンス状態は黄色、リミット状態は赤色というように、第1領域〜第6領域のそれぞれの状態に色や模様を第1領域〜第6領域に割り当ててもよい。
光路を最も多くの数に分割した場合、各領域には1つのみの光学ユニットが含まれる。この場合、1つの光学ユニットごとに個別に状態が管理される。
以上のように、この実施形態では、露光装置の光路をそれぞれ少なくとも1つの光学ユニットを含む複数の領域に分割し、分割された領域ごとに当該領域に属する光学ユニットの光による劣化を監視する。これによって、例えば、交換時期が迫ってきた光学部品を事前に準備したり、保守作業の計画を事前に立てたりすることができる。よって、このような技術は、露光装置に含まれる複数の光学ユニットを保守するための作業を効率化することに貢献する。
次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施形態の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板(ウエハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、他の周知の工程とを経ることにより製造される。
本発明の好適な実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。 制御部による制御を示すフローチャートである。 表示ユニットによる表示画面の一例を示す図である。 図2のステップ201における処理の一例を具体的に示すフローチャートである。
符号の説明
1:光源、2:楔光学素子、3:ビーム整形部、4:振動ミラー、5:フライアイ、6:コンデンサレンズ、8:露光スリット部材、9:遮光版、10:コリメータレンズ、13:投影レンズ、14:照度むらセンサ、15:レチクルステージ、16:レチクル(原版)、17:ウエハステージ、18:ウエハ(基板)、19:光軸ずれを検知するモニタ、20:TTLオンアクシス方式のスコープ、21:制御部、21m:メモリ、22:減光フィルタ、24:ミラー、25:ミラー、26:シャッタ(光源内)、30:ミラー、50:保守情報、50−1、50−2:領域保守情報、52:表示ユニット、EX:本体部分、100:露光装置

Claims (5)

  1. パルス光源からのパルス光で原版のパターンを基板に投影し該基板を露光す露光装置であって、
    前記露光装置における前記パルス光の光路が複数の領域に分割されるように領域と領域との間に配置されて前記パルス光を遮断し又は前記パルス光が入る領域を切り替える領域間光学ユニットと、
    前記複数の領域のそれぞれに配置された光学ユニットと、
    前記パルス光源を起動して前記パルス光を発生させ、且つ、前記複数の領域のそれぞれに配置された光学ユニットの前記パルス光による劣化を監視する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記複数の領域のうち前記パルス光が入る領域を前記領域間光学ユニットの状態に基づいて特定することにより、前記複数の領域それぞれに入ったパルス光の数の積算値を得て、前記複数の領域のうち前記積算値が閾値を超えた領域に関して当該領域に属する光学ユニットの保守に関する情報を表示ユニットに表示させる
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記制御部は、前記積算値前記閾値を超えた領域および当該領域に属する光学ユニット少なくとも一方を前記表示ユニットに表示させる、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記制御部は、前記積算値が前記閾値を超えた領域に属する光学ユニットに光が入射しないように、当該光学ユニットが使用される条件での前記パルス光源の起動を禁止する、ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. 前記制御部は、前記積算値が第1閾値を超えた領域および当該領域に属する光学ユニット少なくとも一方を前記表示ユニットに表示させ、かつ、前記積算値が第2閾値を超えた領域および当該領域に属する光学ユニット少なくとも一方を前記表示ユニットに表示させ、
    前記第2閾値は、前記第1閾値よりも大きい
    ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  5. デバイス製造方法であって、
    請求項1乃至のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07226353A (ja) * 1993-06-23 1995-08-22 Canon Inc 露光装置
JPH11260688A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000150343A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Nikon Corp エキシマレーザ光学装置およびエキシマレーザ光学装置の透過率の回復方法
JP2000323396A (ja) * 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
JP2002208549A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Nikon Corp 露光装置の調整方法およびマイクロデバイスの製造方法
JP2006303193A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Canon Inc 露光装置、較正方法、およびデバイス製造方法
JP2007173804A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands Bv 汚染を検出するためのモニタデバイスを有するリソグラフィ装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284235A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP2006041046A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Canon Inc 光電計測装置及び露光装置
DE102005056914A1 (de) * 2005-11-29 2007-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsystem
US7629594B2 (en) * 2006-10-10 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07226353A (ja) * 1993-06-23 1995-08-22 Canon Inc 露光装置
JPH11260688A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000150343A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Nikon Corp エキシマレーザ光学装置およびエキシマレーザ光学装置の透過率の回復方法
JP2000323396A (ja) * 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
JP2002208549A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Nikon Corp 露光装置の調整方法およびマイクロデバイスの製造方法
JP2006303193A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Canon Inc 露光装置、較正方法、およびデバイス製造方法
JP2007173804A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands Bv 汚染を検出するためのモニタデバイスを有するリソグラフィ装置

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