JP2008277585A - 露光装置の洗浄装置及び露光装置 - Google Patents
露光装置の洗浄装置及び露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008277585A JP2008277585A JP2007120291A JP2007120291A JP2008277585A JP 2008277585 A JP2008277585 A JP 2008277585A JP 2007120291 A JP2007120291 A JP 2007120291A JP 2007120291 A JP2007120291 A JP 2007120291A JP 2008277585 A JP2008277585 A JP 2008277585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- cleaning
- exposure
- mask
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 208
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 112
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 72
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】光学素子への付着物の堆積状態を直接調べることなく、適切な累積光量の洗浄光を光学素子に照射する。
【解決手段】洗浄装置150は、第1の光によりマスク2のパターンを光学素子M1〜M6を介して被処理体4に投影することにより該被処理体を露光する露光装置100における該光学素子を、第1の光とは波長が異なる第2の光を用いて洗浄する。洗浄装置は、露光装置の露光履歴に関する情報を記録する記録手段5と、該露光履歴に関する情報に基づいて、光学素子における洗浄予定範囲のうち領域ごとの第2の光の累積照射光量に関する情報を生成する生成手段8とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】洗浄装置150は、第1の光によりマスク2のパターンを光学素子M1〜M6を介して被処理体4に投影することにより該被処理体を露光する露光装置100における該光学素子を、第1の光とは波長が異なる第2の光を用いて洗浄する。洗浄装置は、露光装置の露光履歴に関する情報を記録する記録手段5と、該露光履歴に関する情報に基づいて、光学素子における洗浄予定範囲のうち領域ごとの第2の光の累積照射光量に関する情報を生成する生成手段8とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は,紫外線やEUV(extreme ultraviolet)光を用いて半導体ウェハ用の単結晶基板や液晶ディスプレイ(LCD)用のガラス基板等の被処理体を投影露光する露光装置に関する。特に、該露光装置の投影光学系を構成する光学素子に付着するカーボン等の付着物を洗浄光を用いて洗浄する洗浄装置に関する。
紫外線やEUV光を露光光としてマスクパターンを投影する光学系を構成する光学素子には、露光光が照射される光量に応じてカーボン等の付着物が堆積し、光学素子の透過率や反射率を低下させたり、収差を発生させたりする。これらの付着物は、露光装置の性能低下や光学素子自体の短命化につながるので、定期的に又は必要に応じて除去される。
光学素子(ミラー)に付着するカーボンの堆積量とミラーに照射されるEUV光量との関係については、いくつかの研究結果が報告されている。例えば、非特許文献1にて、カーボン堆積量がミラー面の照度の1/2乗に比例するという結果が報告されている。
EUV光量とカーボンの堆積量の関係は、照射や雰囲気の条件により、異なる結果がでている。
EUV光量とカーボンの堆積量の関係は、照射や雰囲気の条件により、異なる結果がでている。
また、カーボンを主とする付着物の堆積層に対して、オゾン、酸素、水等の特定成分を含むガス雰囲気中で、特定波長の洗浄光を照射することで、ミラー等の光学素子を洗浄する方法が、特許文献1〜4にて開示されている。
なお、以下に説明する本特許の実施においては、実際の露光状態を鑑みて好適なEUV光量とカーボン堆積量の関係を選択することが可能である。
Jeromy T.Hollenshead他 "Modeling carbon contamination of extreme ultraviolet(EUV)optics," SPIE vol.5374 ,pp.675-685,2004 特開2000−088999号公報
特開2003−188096号公報
特開2003−234287号公報
特開2005−244015号公報
Jeromy T.Hollenshead他 "Modeling carbon contamination of extreme ultraviolet(EUV)optics," SPIE vol.5374 ,pp.675-685,2004
しかしながら、上記のようにガス雰囲気中で特定波長の洗浄光を光学素子に照射する場合、洗浄光が過度に照射されたり付着物がない部位にも照射されたりすることで、光学素子の該当領域が酸化して、光学素子の光学性能が劣化するおそれがある。
光学素子への付着物の堆積状態を実際に調べて、その堆積状態に応じた洗浄光量を決定する方法も考えられる。しかし、同じ光学素子でも領域によって露光光の照射量が異なるため、堆積状態も異なる。このため、光学素子への付着物の堆積状態を該光学素子の領域ごとに実際に調べるには、多大な手間と時間を要する。
本発明は、光学素子への付着物の堆積状態を直接調べることなく、適切な累積光量の洗浄光を光学素子に照射することができる洗浄装置及びこれを含む露光装置を提供する。
本発明の一側面としての洗浄装置は、第1の光によりマスクのパターンを光学素子を介して被処理体に投影することにより該被処理体を露光する露光装置における該光学素子を、第1の光とは波長が異なる第2の光を用いて洗浄する。洗浄装置は、露光装置の露光履歴に関する情報を記録する記録手段と、該露光履歴に関する情報に基づいて、光学素子における洗浄予定範囲のうち領域ごとの第2の光の累積照射光量に関する情報を生成する生成手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の他の側面としての露光装置は、上記洗浄装置を含むことを特徴とする。さらに、本発明の他の側面としてのデバイス製造方法は、第1の光によりマスクのパターンを光学素子を介して被処理体に投影することにより該被処理体を露光する露光装置の光学素子を、上記洗浄装置により生成された累積照射光量に関する情報を用いて洗浄するステップと、露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された被処理体に対してデバイスを製造するためのプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
本発明によれば、露光履歴に関する情報を記録しておき、該情報に基づいて洗浄光(第2の光)の累積照射光量に関する情報を求める。これにより、光学素子への付着物の堆積状態を直接調べることなく適切な累積光量の洗浄光を光学素子に照射することができ、光学素子の劣化等を招くことなく付着物を除去することができる。
以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しながら説明する。
図1には、本発明の実施例1である洗浄装置を含む露光装置の構成を示している。露光装置100は、露光照明系3と、投影光学系1と、不図示のマスクステージ及びウェハステージと、洗浄装置150とを有する。2はマスクステージに固定される露光用マスクであり、4はウェハステージに固定される被処理体としての半導体ウェハ(以下、単にウェハという)である。半導体ウェハ4に代えて、LCD用ガラス基板を被処理体として用いてもよい。
露光装置100は、動作モードとして露光モードと洗浄モードとを有し、不図示のモード切り替え操作部の操作に応じて又は自動的にモードが切り替えられる。
露光照明系3は、露光光源3aと、照明光学系3bとを有し、露光モードにおいては、露光用マスク2に対して、紫外線やEUV光等の第1の光である照明光(露光光)を照射する。以下の説明では、照明光(露光光)としては、波長が13nm程度のEUV光が用いられるものとする。
投影光学系1は、複数の反射光学素子、すなわちミラーM1〜M6を有し、露光用マスク2で反射又は回折した照明光(露光光)を順次反射してウェハ4に導く。これにより、露光用マスク2のパターンの縮小像がウェハ4上に投影され、ウェハ4に露光用マスク2のパターンに対応する集積回路等のパターンが露光される。以下、ウェハ4にパターンを露光することをウェハ露光という。
洗浄装置150は、記録手段としての露光履歴記録部5と、露光量解析部6と、堆積分布解析部7と、生成手段としての洗浄光量解析部8と、洗浄光源12と、洗浄光ファイバ9と、ファイバアクチュエータ10と、洗浄コントローラ11とを有する。ただし、洗浄光源12、洗浄光ファイバ9、ファイバアクチュエータ10及び洗浄コントローラ11は、洗浄装置150とは別の装置としてもよい。
以下、図2のフローチャートを併せ用いて、洗浄装置150の動作について説明する。
露光履歴記録部5は、露光モードでの露光履歴に関する情報(以下、露光履歴情報という)を自動的に記録する(図2のステップS30)。露光履歴情報は、露光量解析部6及び堆積分布解析部7がそれぞれミラーM1〜M6上での累積露光量分布及び付着物の堆積量分布を計算するために十分な情報を記録する。具体的には、露光履歴情報には、露光用マスク2のパターンや、EUV光の強度や光量等の露光光の照射条件や、ミラーM1〜M6(投影光学系1)を含む空間の雰囲気が含まれる。
投影光学系1を含む空間の雰囲気は、投影光学系1内の分圧モニタを通じて検出することができ、露光光がミラーM1〜M6に照射されることによって各ミラーに付着したカーボン等の付着物の堆積量分布を計算するために必要な情報である。露光履歴情報は、1回又は一連のウェハ露光ごとに記録される。
ただし、露光履歴情報として上記の全てを記録する必要はなく、後述する洗浄光の累積光量分布に関する情報を所定の精度で算出できるのであれば、これらのうち少なくとも1つを記録すればよい。
例えば、露光用マスク2のパターンや露光光の照射条件が一定である場合には、これらを記録する必要はない。また、投影光学系1を含む空間の分圧が安定していれば、分圧モニタ出力を記録する必要はない。
露光量解析部6は、露光履歴情報のうち露光用マスク2のパターンと該露光用マスク2へのEUV光の照射条件等を示す情報に基づいて、各ミラー上でのEUV光の累積光量分布(累積露光量分布)を算出する(ステップS31)。各ミラーでのEUV光の累積光量分布は、各ミラーにおける領域ごとのEUV光量の時間積分値に相当する。「領域」は、各ミラーの洗浄モードでの洗浄予定範囲に複数設定される。「領域」の設定方法は任意であるが、露光履歴記録部5、露光量解析部6、堆積分布解析部7及び洗浄光量解析部8において同一のミラーには同一の複数の「領域」が設定される。
堆積分布解析部7は、露光量解析部6で算出されたEUV光の累積光量分布と露光履歴情報のうち分圧モニタにより検出された雰囲気(分圧)の情報に基づいて、各ミラー上の付着物の堆積量分布、すなわち領域ごとの堆積量を算出する(ステップS32)。
付着物の物質は,各ミラーを構成する材料、投影光学系1を保持したり囲んだりする部材の材料及び上記雰囲気によって異なる。ただし、実際にウェハ露光を行う段階では,事前の実験及び解析により、各ミラーでのEUV光の累積光量分布に対してどのような物質がどれだけ付着するかのデータが取得されている。したがって、堆積分布解析部7は、該データに基づいて、各ミラー上の付着物の堆積量分布を推定することができる。
そして、付着物の堆積量がそのミラーにおける許容値を超えた場合には、洗浄コントローラ11は、該ミラー又は全てのミラーM1〜M6の洗浄(洗浄モードへの切り替え)を促す警告を発したり、自動的に洗浄モードに移行したりする。
洗浄モードにおいては、ウェハ露光を行わずに各ミラーの洗浄を行う。洗浄光量解析部8は、堆積分布解析部7により算出された各ミラー上の付着物の堆積量分布に基づいて、各ミラーに対して照射すべき洗浄光の累積光量分布に関する情報を算出(生成)する(ステップS33)。ここでは、洗浄光の累積光量分布に関する情報として、洗浄光の累積光量分布自体を算出する。洗浄光の累積光量分布は、各ミラーにおける領域ごとの洗浄光量の時間積分値である累積照射光量に相当する。すなわち、各ミラーにおける洗浄光の累積光量分布に関する情報は、各ミラーにおける領域ごとの洗浄光の累積照射光量に関する情報と言い換えることができる。
洗浄光(第2の光)としては、露光光であるEUV光とは波長が異なる非EUV光、例えば波長が172nmの紫外線を使用する。
また、ミラー洗浄は、投影光学系1を含む空間に、酸素、オゾン、水等の成分を含むガスを、適切な圧力で供給しながら、洗浄光源12からの洗浄光を洗浄光ファイバ9の先から各ミラーに照射することにより行う。洗浄光ファイバ9の先端は、ファイバアクチュエータ10によって各ミラーの表面に沿うように移動(スキャン)される。洗浄コントローラ11は、洗浄光量解析部8にて算出された洗浄光の累積光量分布を再現するように、洗浄光源12の発光強度や、ファイバアクチュエータ10の動作を制御して洗浄光ファイバ9の先端をスキャンさせる。洗浄光ファイバ9の先端は、各ミラーに対して、ステップ的に移動してもよいし連続的に移動してもよい。ステップ的に移動させる場合は、洗浄コントローラ11は、洗浄光の累積光量分布に基づいて、領域ごとの洗浄光の照射時間を決定する。また、連続的に移動させる場合は、洗浄光ファイバ9の先端(つまりは洗浄光の照射位置)の移動速度を決定する。
なお、本実施例では、各ミラー上の付着物の堆積量分布に基づいて、洗浄光の領域ごとの累積照射光量に関する情報として領域ごとの累積照射光量自体をまず算出する場合について説明した。しかし、堆積量分布と予め実験等により得られた換算データを用いて、累積照射光量に関する情報として、洗浄光の強度、照射時間又は照射位置の移動速度を直接算出してもよい。
本実施例によれば、露光履歴に基づいて、各ミラーにおける領域ごとの付着物の堆積量を推定し、該付着物を除去するために最適な、領域ごとの洗浄光の累積照射光量を求めることができる。したがって、過度の洗浄光の照射によるミラー面の劣化(酸化等)を回避しつつ、付着物を除去することができる。
なお、本実施例では、洗浄装置150が露光装置100に組み込まれている場合について説明したが、洗浄装置は、露光装置とは別の装置として構成されていてもよい。このことは、後述する他の実施例でも同じである。
次に、本発明の実施例2について説明する。本実施例では、ミラー洗浄を行うか否かを、投影光学系の光学性能に基づいて決定する。
図3には、本実施例の洗浄装置を含む露光装置の構成を示している。図3において、実施例1(図1)と共通する構成要素には、実施例1と同符号を付して説明に代える。本実施例の洗浄装置150′は、光学性能解析部15を有する点で実施例1とは異なる。
図4のフローチャートを併せ用いて、本実施例の洗浄装置150′の動作について説明する。
堆積分布解析部7(図4のステップS101)において各ミラー上の付着物の堆積量分布を算出するまでの動作は、実施例1と同じである。また、図4には示していないが、洗浄光量解析部8は、堆積分布解析部7により算出された各ミラー上の付着物の堆積量分布に基づいて、各ミラーに対して照射すべき洗浄光の累積光量分布に関する情報を算出(生成)する。洗浄光の累積光量分布に関する情報は、実施例1と同様である。
光学性能解析部15(ステップS102)は、各ミラー上の付着物の堆積量分布から、投影光学系1の光学性能を計算する(ステップS110)。具体的には、投影光学系1の各画角に対する波面収差の瞳分布と瞳透過率分布とを計算する。これらの光学特性から、露光用マスク2のパターンと露光光の照射条件を与えれば、ウェハ4上に形成されるパターン像を計算できる。
さらに光学性能解析部15は、ウェハ4上に形成されるパターン像(計算値)について、線幅誤差、LER,パターン歪み等のパラメータが許容条件を満たしているか否かを判定する(ステップS111)。付着物の堆積量分布によっては、ある露光用マスクのパターンをウェハ4上に投影すると上記パラメータは許容条件を満たすが、別の露光用マスクのパターンを投影すると許容範囲から外れる場合がある。したがって、ミラー洗浄を行うか否かの決定は、次に(課該決定の直後に)露光に使用される露光用マスク2について、上記パラメータが許容条件を満たすか否かで行うとよい。
上記パラメータが許容条件を満たす場合は、投影光学系1を洗浄せずにウェハ露光を続行すると決定する(ステップS103)。また、上記パラメータが許容条件を満たさない場合は、露光光の照射条件を最適化したりパターンが異なる露光用マスクへの変更を制限したりする決定を行う(ステップS112)。
また、光学性能解析部15は、最適化された露光光の照射条件や変更後の露光用マスクにおいて、投影光学系1の光学性能を計算し、上記パラメータが許容条件を満たすか否かを判断する(ステップS113,114)。上記パラメータが許容条件を満たす場合は、最適化された照射条件又は変更後の露光用マスクを用いたウェハ露光を続行する(ステップS104)。上記パラメータが許容条件を満たさない場合は、洗浄モードに移行し、実施例1と同様に、各ミラーを洗浄する(ステップS105)。
なお、投影光学系1の光学性能を計算した結果、ミラー洗浄を行う場合でも、全てのミラーM1〜M6を洗浄する必要があるのか一部のミラーだけ洗浄すればよいのかを解析及び判断することができる。
上記実施例1,2では、洗浄光源からの洗浄光を各ミラー上でスキャンする洗浄光ファイバを用いて、ミラーごとに洗浄を行う場合について説明した。しかし、全てのミラーを洗浄する場合にミラーごとに洗浄する方法では、洗浄に要する時間が長くなるおそれがある。洗浄時間を短縮するためには、以下に説明する実施例を採用することもできる。
図5には、本発明の実施例3である洗浄装置を含む露光装置の構成を示している。図5において、実施例1(図1)又は実施例2(図3)と共通する構成要素には、これらの実施例と同符号を付して説明に代える。
本実施例では、洗浄モードにおいて、露光モードで使用される露光用マスクに代えて、該露光用マスクと等価な位置に洗浄用マスク14を配置する。そして、該洗浄用マスク14に対して、洗浄装置150″の洗浄光源12からの洗浄光を照明光学系13を介して照射する。洗浄用マスク14で反射又は回折した洗浄光は、露光光と同様にミラーM1〜M6で順次反射される。なお、洗浄光源12と照明光学系13は、洗浄装置とは別の装置として構成してもよい。
また、本実施例の洗浄装置150″は、実施例1,2の洗浄コントローラ11に代えて、洗浄マスクパターン解析部16を有する。洗浄マスクパターン解析部16は、洗浄光量解析部8により算出された、各ミラーに対して照射すべき洗浄光の累積光量分布に関する情報(ここでは、累積光量分布自体とする)に基づいて、洗浄用マスク14の形状又はパターンを決定する。洗浄用マスク14の形状又はパターンは、露光量解析部6により算出された各ミラー上での累積露光量分布と相似な洗浄光の累積光量分布が各ミラーで得られるように決定される。
ここで、洗浄用マスク14の具体的な形状又はパターン(以下、これらをまとめてパターンという)の決定方法について説明する。
元々、洗浄光の累積光量分布は、堆積分布解析部7で算出された各ミラー上の堆積量分布に対応して決められ、堆積量分布は、露光量解析部6で算出された各ミラー上のEUV累積露光量に対応している。したがって、各ミラーの洗浄光の累積光量分布は、各ミラーのEUV累積露光量に対応している。
EUV光も非EUV光である洗浄光(波長172nm)も波長は短いので、ミラーによる回折の影響は少ない。このため、ミラーM1に対して同様な光量分布を有するEUV光と洗浄光が入射した場合、ミラーM2〜M6におけるEUV光と洗浄光の光量分布は、ミラーの反射膜の反射率がEUV光と洗浄光とで異なるために照度は異なるものの相似な関係となる。
したがって、以下の方法で洗浄用マスク14のマスクパターンを決めることができる。
(1)洗浄マスクパターン解析部16は、洗浄光量解析部8により算出された、最もマスク側のミラーM1での洗浄光の累積光量分布に基づいて、ミラーM2,M3,M4,M5,M6の順で洗浄光の波長での順方向伝播計算を行う。
(2)次に、(1)で得られたミラーM2〜M6での洗浄光の累積光量分布を、もともと洗浄光量解析部8により算出された各ミラー上での洗浄光の累積光量分布と相似とする必要がある。そこで、逆伝播計算の基準としたミラーM1での洗浄光の累積光量分布に最適な位相分布を与える。その位相分布は、一般に知られているDLS法(減衰最小自乗法)等により最適化することにより算出することができる。
(3)次に、位相を含めたミラーM1上の洗浄光の累積光量分布をミラーM1から逆伝播計算を洗浄用マスク14の位置まで行い、洗浄用マスク14のパターンを計算する。
このように計算されたパターンを持つ洗浄用マスク14を露光用マスクと等価な位置に配置し、該洗浄用マスク14に洗浄光を照射する。そして、洗浄用マスク14で反射又は回折した洗浄光を投影光学系1に入射させる。投影光学系1に入射した洗浄光は、各ミラーM1〜M6を、洗浄光量解析部8より算出された各ミラー上での洗浄光の累積光量分布と相似な累積光量分布で照射する。
前述したように、EUV光と洗浄光である172nm紫外線に対するミラーの反射率は異なる。EUV光に最適化した多層膜は、EUV光に対して67%程度の反射率を持つことが知られているが、洗浄光(172nm)に対してはEUV光に対する反射率の1/2から1/3程度の反射率しか持たないと言われている。
洗浄光をミラーM1に対して必要な照射量で照射した場合、該ミラーM1では所定の洗浄光の累積光量分布が実現され、付着物が十分に除去される。しかし、ミラーM2〜M6では、洗浄光の累積光量分布が、洗浄光量解析部8より算出された各ミラー上での洗浄光の累積光量分布が相似ではあるが、光量自体は不足するので、洗浄が不十分となる可能性がある。また、ミラーM2〜M6のいずれかで洗浄光の累積光量分布を最適化した場合、他のミラーで洗浄光の照射が過剰になり、該ミラーにて酸化される部分が発生する。
これらの場合についても、洗浄後の付着物の堆積量分布及び酸化量分布を、光学性能解析部15によりミラー洗浄後の投影光学系1の光学性能として予想することができる。したがって、露光用マスク2のパターンをウェハ露光しようとする場合に、各ミラーでの洗浄光の累積光量分布を該露光用マスク2のパターンに対して最適化することができる。
なお、本実施例では、洗浄光量解析部8により算出された各ミラーに対して照射すべき洗浄光の累積光量分布に基づいて、洗浄マスクパターン解析部16により洗浄用マスク14のパターンが決定された。しかし、本発明の他の実施例として以下の構成も考えられる。すなわち、洗浄マスクパターン解析部16が、堆積分布解析部7により算出された堆積量分布に基づいて、洗浄光の累積光量分布(領域ごとの累積照射光量)に関する情報の1つとして洗浄用マスク14のパターン(又は形状)を算出(生成)してもよい。
そして、本実施例によれば、洗浄用マスク14に洗浄光源12からの洗浄光を照射し、そこでの反射又は回折光を投影光学系1に入射させる。これにより、投影光学系1を構成する複数のミラーを一括洗浄することができる。したがって、ミラーごとに洗浄を行う実施例1,2に比べて、洗浄時間を短縮することができる。
なお、本実施例では、洗浄用マスク14として固定された反射パターンが形成されたものを用いる場合について説明した。しかし、図6に示すようなDMD(デジタルマイクロミラーデバイス)18を洗浄用マスクとして用いてもよい。この場合、DMDを18を構成する多数の反射面の向きを制御することで様々な反射パターンが形成される。そして、上述した方法と同様にしてDMD18により形成するパターンを決定する。
DMD18を洗浄用マスクとして用いることで、1つ1つの露光用マスクに対応する専用の洗浄用マスクを作成する必要をなくすることができる。
以上説明したように、上記各実施例によれば、ミラーに付着した堆積物の分布を露光履歴に基づいて算出し、該堆積量分布に応じた適正な累積光量分布で洗浄光を各ミラーに照射することができる。したがって、投影光学系の性能劣化を抑えつつ各ミラーを洗浄することができる。
次に、図7を用いて上記の実施例1〜3で示した洗浄装置を適用可能な投影露光装置200の例について説明する。
本実施例の露光装置200は、露光用の照明光としてEUV光(例えば、波長13.5nm)を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でマスク220に形成された回路パターンを被処理体240に露光する。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(「スキャナー」とも呼ばれる。)を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、マスクに対してウェハを連続的にスキャン(走査)してマスクパターンをウェハに露光すると共に、1ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
図7において、露光装置200は、光源からの光でマスク220を照明する照明装置210と、マスク220を載置するマスクステージ225と、マスク220からの光を被処理体240に導く投影光学系230とを有する。また、被処理体240を載置するウェハステージ245と、アライメント検出機構250と、フォーカス位置検出機構260とを有する。
ここで、図7では、マスクで反射した後、被処理体(ウェハ)に至るまでの反射型縮小投影光学系の反射面(ミラー)の枚数は4枚であるが、これは図を簡略化するためである。実際の反射面の枚数は、実施例1〜3に記載されている通り6枚又はそれ以上である。
また、図7に示すように、EUV光は、大気に対する透過率が低く、残留ガス(高分子有機ガスなど)成分との反応により付着物(コンタミ)を生成してしまうため、少なくとも、EUV光が通る光路中(すなわち、光学系全体)は真空雰囲気VCとなっている。
照明装置210は、投影光学系230の円弧状の視野に対する円弧状のEUV光(例えば、波長13.4nm)によりマスク220を照明する照明装置であって、EUV光源212と、照明光学系214とを有する。
EUV光源212は、例えば、レーザープラズマ光源が用いられる。これは、真空容器中のターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される、例えば、波長13nm程度のEUV光を利用するものである。ターゲット材としては、金属膜、ガスジェット、液滴などが用いられる。放射されるEUV光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数kHzの繰り返し周波数で運転される。
照明光学系214は、集光ミラー214a、オプティカルインテグレーター214bから構成される。集光ミラー214aは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるEUV光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター214bは、マスク220を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照明光学系214は、マスク220と共役な位置に、マスク220の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ214cが設けられている。かかる照明光学系214を構成する光学部材である集光ミラー214a及びオプティカルインテグレーター214bを冷却する冷却装置を設けてもよい。集光ミラー214a及びオプティカルインテグレーター214bを冷却することにより熱膨張による変形を防止して、優れた結像性能を発揮することができる。
マスク220は、反射型マスクで、その上には転写されるべき回路パターン(又は像)が形成され、マスクステージ225に支持及び駆動されている。マスク220から発せられた回折光は、投影光学系230で反射されて被処理体240上に投影される。マスク220と被処理体240とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置200は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、マスク220と被処理体240を走査することによりマスク220のパターンを被処理体240上に縮小投影する。
マスクステージ225は、マスク220を支持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ225は、いかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともX方向にマスクステージ225を駆動することでマスク220を移動することができる。露光装置200は、マスク220と被処理体240を同期した状態で走査する。
投影光学系230は、複数の反射ミラー(即ち、多層膜ミラー)230aを用いて、マスク220面上のパターンを像面である被処理体240上に縮小投影する。できるだけ少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域(リングフィールド)だけを用いて、マスク220と被処理体240を同時に走査して広い面積を転写する。
かかる投影光学系230を構成する光学素子であるミラー230aを冷却装置を用いて冷却するようにしてもよい。ミラー230aを冷却することで熱膨張による変形を防止して、優れた結像性能を発揮することができる。また、上記実施例1〜3で説明した洗浄装置150,150′,150″によってミラー230aの付着物を除去することにより、より優れた結像性能を発揮することができる。
被処理体240は、本実施例ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体240には、フォトレジストが塗布されている。
ウェハステージ245は、ウェハチャック245aによって被処理体240を支持する。ウェハステージ245は、例えば、リニアモーターを利用してXYZ方向に被処理体240を移動する。マスク220と被処理体240は同期して走査される。また、マスクステージ225の位置とウェハステージ245の位置は、例えば、レーザ干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
アライメント検出機構250は、マスク220の位置と投影光学系230の光軸との位置関係、及び被処理体240の位置と投影光学系230の光軸との位置関係を計測する。そして、マスク220の投影像が被処理体240の所定の位置に一致するようにマスクステージ225及びウェハステージ245の位置と角度を設定する。
フォーカス位置検出機構260は、被処理体240面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ245の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体240面を投影光学系230による結像位置に保つ。
露光において、照明装置210から射出されたEUV光はマスク220を照明し、マスク220面上のパターンを被処理体240面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状(リング状)の像面となり、マスク220と被処理体240を縮小倍率比の速度比で走査することにより、マスク220の全面を露光する。
次に、図8及び図9を参照して、上述の露光装置200を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。本実施形態においては、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップS3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップS4(ウェハプロセス)は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷される(ステップS7)。
図9は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、露光装置200によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ここで、ステップS16(露光)の前後に、ステップS20で上記実施例1〜3で説明した洗浄装置150,150′,150″を用いてミラー230aを洗浄することができる。
ステップS17(現像)では、露光したウェハを現像する。ステップS18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置200を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、種々の変形及び変更が可能である。例えば、上記各実施例では、ミラーによって構成される投影光学系を備えた露光装置においてミラーを洗浄する洗浄装置について説明したが、同様の構成の洗浄装置を用いて、投影光学系を構成するレンズ等の他の光学素子を洗浄することができる。また、上記各実施例では、投影光学系を構成するミラーを洗浄する洗浄装置について説明したが、同様の構成の洗浄装置を用いて、照明光学系等の他の光学系の光学素子を洗浄することもできる。
さらに、上記各実施例では、露光光としてEUV光を用いる露光装置に使用される洗浄装置について説明したが、ArFエキシマレーザやF2レーザ等のEUV光以外の露光光を用いる露光装置にも洗浄装置を使用することができる。
1,230 投影光学系
2 露光用マスク
4 被処理体
5 露光履歴記録部
6 露光量解析部
7 堆積分布解析部
8 洗浄光量解析部
9 洗浄光ファイバ
10 ファイバアクチュエータ
11 洗浄コントローラ
12 洗浄光源
14 洗浄用マスク
15 光学性能解析部
16 洗浄マスクパターン解析部
M1〜M6,230a ミラー
100,200 露光装置
150,150′,150″ 洗浄装置
2 露光用マスク
4 被処理体
5 露光履歴記録部
6 露光量解析部
7 堆積分布解析部
8 洗浄光量解析部
9 洗浄光ファイバ
10 ファイバアクチュエータ
11 洗浄コントローラ
12 洗浄光源
14 洗浄用マスク
15 光学性能解析部
16 洗浄マスクパターン解析部
M1〜M6,230a ミラー
100,200 露光装置
150,150′,150″ 洗浄装置
Claims (10)
- 第1の光によりマスクのパターンを光学素子を介して被処理体に投影することにより該被処理体を露光する露光装置における前記光学素子を、前記第1の光とは波長が異なる第2の光を用いて洗浄する洗浄装置であって、
前記露光装置の露光履歴に関する情報を記録する記録手段と、
該露光履歴に関する情報に基づいて、前記光学素子の洗浄予定範囲における領域ごとの前記第2の光の累積照射光量に関する情報を生成する生成手段とを有することを特徴とする洗浄装置。 - 前記累積照射光量に関する情報は、前記第2の光の累積照射光量、強度、照射時間及び照射位置の移動速度のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。
- 該洗浄装置は、前記第2の光を前記マスクに代わる洗浄マスクを介して前記光学素子に導き、
前記累積照射光量に関する情報は、前記洗浄マスクの形状又はパターンに対応する情報であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。 - 前記露光履歴は、前記マスクのパターン、前記第1の光の照射条件、前記光学素子を含む空間の雰囲気のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の洗浄装置。
- 前記露光装置は、前記光学素子として、前記第1の光を順次反射する複数のミラーを有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の洗浄装置。
- 前記第1の光はEUV光であり、前記第2の光は非EUV光であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の洗浄装置。
- 前記累積照射光量に関する情報に基づいて、前記光学素子に前記第2の光を照射することを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の洗浄装置。
- 前記光学素子を含む空間にガスを供給しながら前記第2の光を前記光学素子に照射することを特徴とする請求項7に記載の洗浄装置。
- 第1の光によりマスクのパターンを光学素子を介して被処理体に投影することにより該被処理体を露光する露光装置であって、
請求項1から8のいずれか1つに記載の洗浄装置を含むことを特徴とする露光装置。 - 第1の光によりマスクのパターンを光学素子を介して被処理体に投影することにより該被処理体を露光する露光装置の前記光学素子を、請求項1から8のいずれか1つに記載の洗浄装置により生成された前記累積照射光量に関する情報を用いて洗浄するステップと、
前記露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に対してデバイスを製造するためのプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007120291A JP2008277585A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 露光装置の洗浄装置及び露光装置 |
US12/108,049 US8149378B2 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-23 | Cleaning apparatus for exposure apparatus and exposure apparatus |
TW097115414A TW200907594A (en) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | Cleaning apparatus for exposure apparatus and exposure apparatus |
KR1020080038496A KR20080096429A (ko) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | 노광장치의 세정장치 및 노광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007120291A JP2008277585A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 露光装置の洗浄装置及び露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277585A true JP2008277585A (ja) | 2008-11-13 |
Family
ID=39887204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007120291A Pending JP2008277585A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 露光装置の洗浄装置及び露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8149378B2 (ja) |
JP (1) | JP2008277585A (ja) |
KR (1) | KR20080096429A (ja) |
TW (1) | TW200907594A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011243949A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US8535854B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflective exposure mask, method of fabricating reflective exposure mask, method of inspecting reflective exposure mask, and method of cleaning reflective exposure mask |
JP2020013953A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | キヤノン株式会社 | クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053416A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | Euv露光装置及びクリーニング方法 |
KR102166974B1 (ko) | 2013-11-11 | 2020-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 후 폴리머의 제거 및 하드마스크 제거의 향상을 위한 방법 및 하드웨어 |
WO2021213986A1 (en) | 2020-04-21 | 2021-10-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for operating an euv lithography apparatus, and euv lithography apparatus |
US11579539B2 (en) * | 2021-03-03 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for improving critical dimension variation |
US11815821B2 (en) | 2021-03-19 | 2023-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Module vessel with scrubber gutters sized to prevent overflow |
US20230418167A1 (en) * | 2022-06-28 | 2023-12-28 | Kla Corporation | Method and system for cleaning optical elements in euv optical systems |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020080338A1 (en) * | 1994-03-29 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
EP1014429A4 (en) * | 1997-04-18 | 2000-07-19 | Nikon Corp | EXPOSURE CONTROL METHOD AND DEVICE, EXPOSURE METHOD AND DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
US6268904B1 (en) * | 1997-04-23 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
KR100636451B1 (ko) * | 1997-06-10 | 2006-10-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 장치 및 그 세정 방법과 투영 노광 장치 및 그 제조방법 |
DE69837483T2 (de) | 1997-07-25 | 2007-12-20 | Nikon Corp. | Belichtungsverfahren und Belichtungsapparat |
AU2962099A (en) * | 1998-04-07 | 1999-10-25 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, method of producing the same, device, and method of fabricating the same |
US6459472B1 (en) * | 1998-05-15 | 2002-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic device |
AU3957599A (en) | 1998-05-29 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its manufacturing method, and device manufacturing method |
DE19830438A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-13 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur Dekontamination von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
JP2000088999A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X線装置 |
US6385290B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-05-07 | Nikon Corporation | X-ray apparatus |
US6571057B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-05-27 | Nikon Corporation | Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices |
US6924492B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6828569B2 (en) | 2001-11-19 | 2004-12-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US6724460B2 (en) | 2001-11-19 | 2004-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects |
EP1319982A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus , device manufacturing method, and computer program |
DE10209493B4 (de) * | 2002-03-07 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf optischen Elementen, Vorrichtung zur Regelung von Kontamination auf optischen Elementen und EUV-Lithographievorrichtung |
DE10211611A1 (de) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Dekontamination optischer Oberflächen |
TWI251117B (en) * | 2002-12-20 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system |
SG135934A1 (en) | 2002-12-20 | 2007-10-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
SG115621A1 (en) * | 2003-02-24 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus |
US7145641B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2005235959A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Canon Inc | 光発生装置及び露光装置 |
JP2005244015A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の光学素子の光洗浄方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
DE102004047677B4 (de) * | 2004-09-30 | 2007-06-21 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System für die Kontaminationserkennung und Überwachung in einer Lithographiebelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben der gleichen unter gesteuerten atomsphärischen Bedingungen |
US7921859B2 (en) * | 2004-12-16 | 2011-04-12 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool |
US7405417B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
US7518128B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned |
US7671347B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method, apparatus and cleaning system |
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2007120291A patent/JP2008277585A/ja active Pending
-
2008
- 2008-04-23 US US12/108,049 patent/US8149378B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-25 TW TW097115414A patent/TW200907594A/zh unknown
- 2008-04-25 KR KR1020080038496A patent/KR20080096429A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8535854B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflective exposure mask, method of fabricating reflective exposure mask, method of inspecting reflective exposure mask, and method of cleaning reflective exposure mask |
JP2011243949A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2020013953A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | キヤノン株式会社 | クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法 |
JP7262939B2 (ja) | 2018-07-20 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200907594A (en) | 2009-02-16 |
KR20080096429A (ko) | 2008-10-30 |
US8149378B2 (en) | 2012-04-03 |
US20080267815A1 (en) | 2008-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8149378B2 (en) | Cleaning apparatus for exposure apparatus and exposure apparatus | |
TWI420257B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
TWI386252B (zh) | 清潔方法、裝置及清潔系統 | |
US20050178979A1 (en) | Light generator and exposure apparatus | |
JP5521012B2 (ja) | フォトリソグラフシステムに用いられるプログラム可能な照明装置 | |
US10852649B2 (en) | Methods and apparatus for removing contamination from lithographic tool | |
JP2008147314A (ja) | 洗浄装置及び方法、洗浄装置を有する露光装置 | |
JP2006134974A (ja) | 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法 | |
JP2003303751A (ja) | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法 | |
JP2013048237A5 (ja) | ||
US7295285B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2007027419A (ja) | 露光装置 | |
JP4018564B2 (ja) | 光学系、及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP2003229358A (ja) | リソグラフィック装置、デバイス製造方法、それによって製造されたデバイス、及びコンピュータ・プログラム | |
JP4070713B2 (ja) | リソグラフ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4393227B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法、露光装置の製造方法 | |
JP2004080021A (ja) | 光学系の調整方法及び装置、露光装置 | |
JP3870118B2 (ja) | 結像光学系、該光学系を有する露光装置、収差低減方法 | |
JP4393226B2 (ja) | 光学系及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP4537087B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP2004022945A (ja) | 露光装置及び方法 | |
JP2007049075A (ja) | 光学性能測定装置 | |
JP2006203135A (ja) | 光学装置、調整方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005302963A (ja) | 露光装置 | |
JP2024506526A (ja) | 汚染物質検出のシステム及び方法 |