TWI386252B - 清潔方法、裝置及清潔系統 - Google Patents

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Description

清潔方法、裝置及清潔系統
本發明係關於一種清潔方法、一種裝置及一種清潔系統。
微影裝置係將所要之圖案應用至基板上(通常應用至該基板之目標部分上)之機器。可將微影裝置用於(例如)製造積體電路(IC)。在彼情況下，可使用圖案化設備(其或者被稱作光罩或主光罩)來產生一待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉移至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒的部分、一或若干個晶粒)上。圖案之轉移係通常經由成像至一被提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而完成。通常，單一基板將含有被連續圖案化之鄰近目標部分之一網路。已知之微影裝置包括：所謂之步進器，其中藉由將整個圖案一次曝光至該目標部分上而照射每一目標部分；及所謂之掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束來掃描圖案同時平行或反平行於此方向來同步掃描基板而照射每一目標部分。亦可藉由將圖案壓印至基板上而將該圖案自圖案化設備轉移至基板。
光學元件表面(例如，在遠紫外(EUV)微影裝置中)可在裝置操作期間遭受污染生長(例如，碳化)。此污染可由光學表面之環境(例如，真空環境、抗蝕劑、輻射源等等)引入。在EUV微影裝置中，多層式鏡面通常提供此等光學表面。為去除此污染，需要進行組件之清潔。一實例清潔方法係基於在光徑中使用由(例如)熱燈絲所產生之原子氫來清潔鏡面。
根據一實施例，提供了一種用以清潔裝置之一或多個光學元件之方法，該裝置經組態以將輻射光束投影至基板之目標部分上且包含複數個按順序配置於該輻射光束之路徑中的光學元件，其中該方法包含利用比該序列之一在裝置之操作期間接收第一輻射劑量的第一光學元件累積較短的清潔週期來清潔該序列之一在裝置之操作期間接收第二輻射劑量的第二光學元件，該第二輻射劑量低於該第一輻射劑量。
根據一實施例，提供了一種元件製造方法，其包含：利用一連串光學元件而將輻射光束投影至基板之目標部分上，其中該等光學元件接收不同輻射劑量且該等光學元件之污染速率與輻射劑量相關；執行一定數目之清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者，每一清潔循環涉及基於由該序列之一光學元件所接收之輻射劑量來清潔該光學元件，使得一已接收較低輻射劑量之光學元件在比一已接收一高於該較低輻射劑量之輻射劑量的光學元件較短的時間週期期間得以清潔或清潔前者之頻率小於清潔後者之頻率。
根據一實施例，提供了一種裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化設備能夠賦予該輻射光束在其橫截面中的一圖案以形成經圖案化之輻射光束；一基板台，其經建構以固持基板；一投影系統，其經組態以將經圖案化之輻射光束投影至基板之目標部分上；及一清潔系統，其經組態以清潔該裝置之一或多個光學元件，該清潔系統經組態以在一比照明系統之光學元件累積較短的清潔週期期間清潔投影系統之光學元件。
根據一實施例，提供了一種清潔系統，其經調適以清潔裝置之一或多個光學元件，該等光學元件被配置於在由該裝置所執行之一製程期間所使用的輻射光束之路徑中，其中該清潔系統經組態以取決於在該製程期間由被配置於輻射光束之路徑中的光學元件中之每一者所接收的輻射量而僅清潔此等元件中之一者或一些元件。
圖1示意性地描繪了根據本發明之一實施例之微影裝置。圖2描繪了其之進一步實施例。該裝置包含：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束PB(例如，UV輻射，特定言之，大體上包含EUV輻射)；一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐一圖案化設備(例如，光罩)MA且連接至一經組態以根據某些參數來精確定位該圖案化設備的第一定位器PM；一基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓)W且連接至一經組態以根據某些參數來精確定位該基板之第二定位器PW；及一投影系統(例如，折射式投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化設備MA賦予輻射光束PB之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。圖1中示意性地指示了各種光學元件PS1、PS2、PS3、……、PSN (投影系統包含N個光學元件)。舉例而言，投影系統光學元件可包含複數個位於EUV型投影光束微影裝置中的鏡面PS1、PS2、PS3、……、PSN 。
該照明系統可包括各種類型之用於導引、成形或控制輻射的光學元件，諸如折射類型、反射類型、磁性類型、電磁類型、靜電類型或其他類型之光學元件或其任何組合。圖2展示了一具有複數個光學元件IL1、IL2、IL3、IL4之照明器之部分。舉例而言，照明系統可包含EUV型投影光束微影裝置中之複數個鏡面IL1、IL2、IL3、IL4。
因此，該裝置包含一連串光學元件，該等元件被配置於輻射R之路徑中，該一連串光學元件包含(例如)照明系統IL(自圖案化設備MA檢視，其相對於輻射傳播方向而位於上游)之元件IL1、IL2、IL3、IL4及投影系統(自圖案化設備MA檢視，其相對於輻射光束傳播方向而位於下游)之元件PS1、PS2、PS3、……、PSN 。
支撐結構以一取決於圖案化設備之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化設備是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化設備。該支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化設備。支撐結構可為框架或台，例如，其可根據需要而被固定或可移動。支撐結構可確保圖案化設備(例如)相對於投射系統而位於一所要之位置處。可將術語"主光罩"或"光罩"在本文中之任何使用視為與更一般之術語"圖案化設備"同義。
本文中所使用之術語"圖案化設備"應廣泛地解釋為指代任何可用於賦予輻射光束在其橫截面中的一圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的設備。應注意，賦予輻射光束之圖案可並非精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案(例如，若該圖案包括相移特徵或所謂之輔助特徵)。通常，賦予輻射光束之圖案將對應於產生於目標部分中的元件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化設備可為透射型或反射型。圖案化設備之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影術中已為吾人所眾所周知，且包括諸如二進位型、交替相移型及衰減相移型之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例利用小型鏡面之矩陣配置，該等鏡面中之每一者可個別地傾斜以便在不同方向上反射一傳入輻射光束。該等傾斜鏡面在被鏡面矩陣所反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語"投影系統"應廣泛地解釋為涵蓋任何類型之如適合於曝光所使用之輻射或適合於其他因素(諸如使用浸液或使用真空)之投影系統，包括折射、反射、折射反射式、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。可將術語"投影透鏡"在本文中之任何使用視為與更一般之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置係反射類型(例如，利用反射光罩)。或者，該裝置可為透射類型(例如，利用透射光罩)。
微影裝置可為一具有兩個(雙台)或兩個以上之基板台(及/或兩個或兩個以上之支撐結構)的類型。在此等"多台"機器中，可並行使用額外台，或可在一或多個台上執行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為某一類型，其中基板之至少一部分可由一具有相對較高之折射率的液體(例如，水)所覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸液應用於微影裝置中之其他空間(例如，光罩與投影系統之間)。浸沒技術在此項技術中已為吾人所眾所周知以用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語"浸沒"並不意謂必須將一結構(諸如基板)浸入於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。該源與微影裝置可為獨立實體(例如，當該源係準分子雷射器時)。在此等狀況下，並不將該源視為形成微影裝置之部分且借助於一包含(例如)合適之導向鏡及/或光束放大器的光束傳遞系統而使輻射光束自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，該源可為微影裝置之整體部分(例如，當該源係汞燈時)。可將源SO及照明器IL連同光束傳遞系統(若需要)一起稱作輻射系統。在一實施例中，輻射源SO係電漿EUV源(例如，錫(Sn)電漿EUV源)。舉例而言，在此輻射源中，可使用低功率雷射來(例如，電學地)加熱Sn原子。EUV輻射源亦可為一不同輻射源(例如，'加有Li或Xe燃料'之電漿輻射源)。又，在使用期間，少量電漿可自源SO逃逸朝向集光器K及照明器IL。該集光器K可集合來自輻射源SO之輻射R。集光器K可經配置以將被集合之輻射R發射至照明系統IL。特定言之，集光器K可經配置以將自輻射源接收之傳入輻射聚焦至一較小聚焦區域或聚焦點上。此外，可提供一或多個位於源SO與集光器K之間以捕獲/減緩自源SO發出之碎片的碎片減緩系統(例如，所謂之箔收集器(未同樣展示))。
照明器IL可包含一用以調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中的強度分布之至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器及聚光器。可使用照明器來調節輻射光束以在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分布。
輻射光束PB入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化設備(例如，光罩)MA上，且由該圖案化設備來圖案化。在由圖案化設備MA反射之後，輻射光束PB穿過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感應器IF2(例如，干涉量測設備、線性編碼器或電容式感應器)，可精確地移動基板台WT(例如)以便將不同目標部分C定位於輻射光束PB之路徑中。類似地，(例如)在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間，可使用第一定位器PM及另一位置感應器IF1以相對於輻射光束PB之路徑來精確地定位圖案化設備MA。通常，可借助於形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(如與掃描器相反)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可被固定。可使用圖案化設備對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化設備MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被通稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上之晶粒被提供於圖案化設備MA上之情形中，圖案化設備對準標記可位於晶粒之間。
可以以下模式中之至少一種模式來使用所描繪之裝置：1.在步進模式中，支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將賦予輻射光束之整個圖案一次投影至目標部分C上(亦即，單一靜態曝光)。接著在X及/或Y方向上使基板台WT移位使得可曝光一不同之目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制在單一靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，同步掃描支撐結構MT及基板台WT，同時將賦予輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單一動態曝光)。可由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於支撐結構MT的速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制在單一動態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，支撐結構MT保持基本上靜止而固持可程式化圖案化設備，且移動或掃描基板台WT同時將賦予輻射光束之圖案投影至目標部分C上。在此模式中，通常利用脈衝輻射源且根據需要在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間來更新可程式化圖案化設備。可不難將此操作模式應用於利用可程式化圖案化設備(諸如如上文所提到之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術中。
亦可利用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
通常，微影裝置之所有光學元件可隨時間的過去而被污染。所導致的光學損失係非吾人所要的且可導致通過量變低及由該裝置製造之設備發生故障。因此，該裝置可具備一經組態以清潔該裝置之一或多個光學元件的清潔系統10、20、50。可以各種方式中之任一方式組態該清潔系統。在先前技術中已知此類各種合適之清潔設備，且可在本發明之一或多個實施例中加以實施。
作為一實例，清潔系統可包含一或多個位於或可定位於該裝置中以清潔該裝置之一或多個光學元件的清潔單元10、20。在圖1及圖2中，舉例而言，提供複數個第一清潔單元10來清潔照明器系統IL之光學元件IL1－IL4。又，一或多個清潔單元20可用於投影系統PS中以清潔投影系統PS之光學元件PS1、PS2、PS3、……、PSN 。在一實施例中，待由清潔系統10、20、50加以清潔之光學元件係選自被配置於輻射光束R之路徑中的一連串光學元件。舉例而言，清潔單元10、20可經組態以提供或產生某一清潔介質或構件(由圖2中之箭頭11加以示意性地展示)(例如，清潔物質、氣體、離子、自由基、輻射、粒子及/或一不同清潔構件)及實現清潔介質/構件與待清潔之元件之間的接觸。
舉例而言，在一實施例中，清潔單元10、20可經組態以產生氫基(例如，使用熱燈絲或RF場)。根據一實施例，清潔單元可經組態以實施一種方法，該方法包含：在該裝置之至少部分中提供一含H2 氣體；自來自含H2 氣體之H2 產生氫基11；及使光學元件IL1－IL4、PS1、……、PSN (待清潔)之表面與至少部分氫基11接觸並自彼表面移除至少部分污染沈積物。作為一實例，所提及之沈積物可包含一或多種選自B、C、Si、Ge及Sn之元素。又，可藉由燈絲、電漿、輻射或經組態以將H2 轉化為氫基之催化劑而自來自含H2 氣體之H2 產生至少部分氫基11。此外，該含H2 氣體可進一步包含鹵素氣體。然而，熟習此項技術者將瞭解，清潔單元可經組態而以一不同方式操作。
在一實施例中，可提供一經組態以控制清潔系統(例如，啟動及關閉一或多個清潔單元10、20)的控制器50。控制器50(示意性地描繪於圖2中)可以各種方式中之任一方式組態而成，例如，包含合適之硬體、軟體、電腦、處理器、微電子設備、用以與清潔單元10、20通信之有線及/或無線通信構件、及/或用以儲存與清潔製程有關之資料的記憶體設備51，如將為熟習此項技術者所瞭解。
舉例而言，記憶體51可含有待應用於該或該等光學元件之清潔製程的清潔速率。在一實施例中，此等清潔速率可取決於清潔製程、待移除之污染物及待由各別清潔製程所清潔之光學元件而不同，如將由熟習此項技術者所瞭解。清潔速率可根據經驗或以一不同方式來判定。
在圖1及圖2之裝置中，照明器之第一光學元件IL1自源/集光器總成接收輻射R之初始相對較高之EUV輻射劑量(通常，該輻射劑量係在某一時間週期內在各別光學元件之每表面面積上所接收之輻射功率且可以mJ/mm2 來表達)。此較高之初始EUV輻射劑量在圖2中由'100%'指示。在一實施例中，後續光學元件IL2－IL4、PS1－PSN 之光學表面可大體上由輻射光束完全照射。又，舉例而言，在光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 係鏡面之狀況下，鏡面反射損失可主要沿一連串光學元件而產生光學損失，如所指之光學損失導致在沿一連串元件下游的EUV輻射劑量被減少。此外，在一實例中，該組態可使得在操作期間存在輻射光束之輻射的光譜變化。舉例而言，該序列之第一光學元件PS1可比該序列之後續光學元件接收到占整體光譜中之較高EUV光譜比率的輻射。
在一實施例中，一連串光學元件之大部分光學元件接收已由一連串元件之先前光學元件所接收的EUV輻射劑量之至多75%(該先前光學元件相對於該序列中之各別元件而被配置於上游)。舉例而言，在照明器IL之光學元件IL1－IL4的狀況下，在一實施例中，照明器系統IL之每一後續光學元件接收已由照明器系統IL之先前光學元件所接收的EUV輻射劑量之至多50%。在一實施例中，在照明器IL之光學元件IL1－IL4的狀況下，照明器IL之第二光學元件IL2接收已由照明器IL之第一光學元件IL1所接收的初始EUV輻射劑量之至多50%，照明器IL之第三光學元件IL3接收由第二光學元件IL2所接收的EUV輻射劑量之至多33%。又，舉例而言，照明器IL之第四光學元件IL4接收由第一光學元件IL1所接收的初始EUV輻射劑量之小於10%，特定言之小於1%且更特定言之小於0.5%。
因此，如圖2中所指示，照明系統IL之第二光學元件IL2(位於彼系統IL之第一光學元件IL1的下游)可接收比由彼系統之第一光學元件IL1所接收之100%初始劑量小的EUV輻射劑量。作為一實例(圖2中指示)，第二光學元件IL2接收初始劑量之50%，第三光學元件IL3接收初始劑量之10%且第四光學元件IL4接收初始劑量之0.75%。
在一進一步之實施例中，投影系統PS之每一光學元件PS1－PSN 接收上文所提及之由第一光學元件IL1所接收的初始EUV輻射劑量之小於10%，特定言之小於1%且更特定言之小於0.5%。
根據一實施例，提供了一種用以清潔微影裝置之一或多個光學元件的方法，其中該清潔方法包含利用比該一連串光學元件中之在裝置之操作期間接收一較低之(第二)輻射劑量的一或多個第二光學元件IL4、PS1－PSN 累積較長的清潔週期來清潔該序列中之在裝置之操作期間接收一相對較高之(第一)輻射劑量的一或多個第一光學元件IL1、IL2、IL3。本文中，清潔週期可更長，如在裝置之操作壽命內(例如，在至少1年內或在複數個年內)累積量測而得。
換言之，清潔方法包含利用比應用於該序列中之在裝置之操作期間接收一較高之(第一)輻射劑量的一或多個第一光學元件IL1、IL2、IL3的累積清潔週期累積更短的清潔週期來清潔該序列中之在裝置之操作期間接收一相對較低之(第二)輻射劑量的一或多個第二光學元件IL4、PS1－PSN 。
舉例而言，清潔接收一第二、較低輻射劑量之光學元件IL4、PS1－PSN 的頻率可小於清潔接收一第一、較高輻射劑量之第一光學元件IL1、IL2、IL3的頻率，使得提供一累積較短之清潔週期。因此，可利用如所指之相對較長的清潔週期來清潔第一光學元件(且因此，可利用如所指之相對較短的清潔週期來清潔第二光學元件，該較短之清潔週期比應用於第一光學元件的較長之清潔週期短得多)。優勢係可以此方式更快速地執行清潔。額外或替代地，由於清潔第二光學元件IL4、PS1－PSN 之頻率較小及/或在一相對較短之時間週期期間清潔第二光學元件IL4、PS1－PSN 或根本不清潔第二光學元件IL4、PS1－PSN (亦即，用於第二光學元件IL4、PS1－PSN 中之每一者的各別累積清潔週期＝0秒)，所以彼等第二光學元件IL4、PS1－PSN 之任何與清潔有關之降級的機會可被減少或最小化(或由於涉及較少光學元件而使得其可被容許)，因此延長了該裝置之彼等元件IL4、PS1－PSN 的操作壽命。本實施例可提供相對較長的在整個裝置清潔序列之間的時間間隔。
舉例而言，在一實施例中，沿輻射光束之光徑檢視，每一第二光學元件相對於第一光學元件而位於下游。如在圖1中，該裝置可包含一支撐結構，該支撐結構經建構以將圖案化設備MA固持於輻射光束之路徑中的某一圖案化設備位置中，其中相對於輻射光束之傳播方向檢視，所有第一光學元件IL1、IL2、IL3相對於圖案化設備位置而位於上游，其中至少一定數目之第二光學元件PS1－PSN 相對於圖案化設備位置而位於下游。
本發明之一實施例係基於以下概念：不同光學元件接收不同量之輻射(例如，EUV輻射)且光學元件之污染速率可取決於由該光學元件所接收之輻射劑量。特定言之，污染速率可大體上隨輻射劑量而線性成比例變化，此可能是因為輻射促進或誘發污染物(存在於裝置之內部空間中)分解及/或結合至光學元件及/或與光學元件反應。又，在一實施例中，污染行為可取決於輻射光譜。舉例而言，如自上文得出，污染生長可與輻射光束中之EUV輻射的比率成比例變化或可取決於輻射光束中之EUV輻射的比率(例如，EUV輻射相對於較高波長之深紫外(DUV)輻射的比率)。因此，舉例而言，在一實施例中，該方法可包含利用比該序列之在裝置之操作期間接收光譜之預定部分之第一輻射劑量的一或多個第一光學元件累積較短的清潔週期來清潔該序列之在裝置之操作期間接收光譜之預定部分之第二輻射劑量的一或多個第二光學元件，該第二輻射劑量低於該第一輻射劑量。作為一實例，上文所提及的光譜之預定部分可包含光譜之EUV部分。
咸信，無人察覺到可以一簡單方式來調適該裝置之光學元件之清潔策略以使用此等概念。因此，在過去，該裝置之所有光學元件係使用用於該等元件中之每一者之大體上相同的清潔週期來清潔。特定言之，在過去，假定(例如)EUV鏡面上之污染生長獨立於光徑中之鏡面位置且獨立於輻射強度，使得預期每一鏡面上有類似污染生長。因此，此將導致以相等之清潔時間來清潔每一鏡面。此外，不得不將使用壽命預算(亦即，不可逆之反射損失)均勻地分布於光學元件隊列之每一鏡面中。因此，過去之清潔方法與本文中所描述之清潔方法之一或多個實施例相比相對複雜且耗時。此外，由於在過去之方法中清潔該序列之所有光學元件，所以該等光學元件之使用壽命被顯著縮短，因此導致較高之維護及替換成本。此可藉由本發明之一或多個實施例而避免。
在一實施例中，清潔系統10、20、50可經特定調適以執行上文所描述之清潔方法中之一或多者。舉例而言，控制器50可經程式化以控制清潔單元10、20使得得以執行所要之清潔策略(例如，使得得以取決於由被配置於輻射光束之路徑中的光學元件中之每一者在微影製程期間所接收之輻射量而僅清潔彼等元件中之一者或一些元件)。
在一實施例中，清潔系統可包含或可耦接至一輻射損失偵測器，該輻射損失偵測器經組態以偵測穿過裝置之照明系統IL及投影系統PS的輻射之輻射損失。接著，清潔系統10、20、50可經調適以在所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量時自動開始一清潔循環來清潔(例如)照明系統IL之至少一元件。舉例而言，可僅清潔照明器光學元件IL1、IL2、IL3。
在一實施例中，清潔系統10、20、50可包含或可耦接至一污染偵測器53，該污染偵測器53經組態以偵測照明系統IL之至少一光學元件IL2(及/或投影系統PS之至少一光學元件)的污染，其中清潔系統10、20、50經調適以在偵測器53偵測到光學元件之污染已達到某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔一定數目之被配置於輻射光束路徑中的光學元件。污染偵測器53可以各種方式中之任一方式來組態且可經配置以取決於光學元件IL2之類型而以光學之方式、以電之方式、使用偵測器信號或光束(藉由偵測二次電子發射或反射率損失)及/或以任何不同方式來偵測該光學元件之污染，如將由熟習此項技術者所瞭解。
舉例而言，一種微影元件製造方法可包含利用一連串光學元件而將輻射光束投影至基板之目標部分上，其中該等光學元件接收不同輻射劑量且光學元件之污染速率與該等輻射劑量相關(例如，大體上線性相關)。該方法進一步包括一定數目之用以清潔該序列之光學元件的清潔循環，每一清潔循環涉及取決於所接收之輻射劑量來清潔光學元件，使得一已接收第二相對較低之輻射劑量的光學元件IL4、PS1－PSN 在比另一已接收一高於該第二輻射劑量之第一輻射劑量的光學元件IL1、IL2、IL3較短的時間週期期間得以清潔或清潔前者之頻率小於清潔後者之頻率。在一實施例中，舉例而言，上文所提及之第一輻射劑量可在由照明器系統IL之第一光學元件IL1所接收的初始輻射劑量之10－100%的範圍中或在初始輻射劑量之1－100%的範圍中或在初始輻射劑量之0.5－100%的範圍中。舉例而言，上文所提及之第二輻射劑量可小於由第一光學元件IL1所接收之初始輻射劑量的10%或小於初始輻射劑量之1%或小於初始輻射劑量之0.5%。此外，在一實施例中，上文所提及之輻射劑量可關於光譜(或光譜帶)之一特定部分(例如，EUV帶)。
在一實施例中，該方法可包含在裝置之微影操作週期之間應用各種清潔循環中之任一者，其中在該等清潔循環中之一或多者期間，僅清潔該序列之一或多個第一光學元件IL1、IL2、IL3而並非清潔該序列之一或多個第二光學元件。因此，一有利之清潔策略可涉及在一較長之時間週期期間(例如，在一個月或若干個月期間)根本不清潔第二光學元件，但在此較長之時間週期期間仍清潔第一光學元件IL1、IL2、IL3若干次數。
舉例而言，清潔一連串光學元件之第一光學元件IL1(其為照明器之部分)的頻率可比清潔一連串光學元件之第二光學元件PS1－PSN 的頻率大至少10倍，該第二元件係裝置之下游投影系統PS之部分。在一實施例中，清潔系統10、20、50經組態以在比裝置之照明系統之一或多個光學元件累積短100倍的清潔週期內清潔裝置之投影系統之一或多個光學元件或清潔裝置之投影系統之一或多個光學元件的頻率比清潔裝置之照明系統之一或多個光學元件的頻率小至少100倍(特定言之，在一年或一年以上之相對較長的週期內量測)。
在一實施例中，該清潔方法可包含：提供(例如，偵測或計算)輻射劑量資訊，該資訊包括或關於一或多個光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 中之每一者在裝置之操作期間所接收的輻射量；及提供一用於清潔光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 中之一或多者的清潔週期，使得關於一光學元件之清潔週期的長度與彼光學元件之各別輻射劑量資訊相關。
舉例而言，該相關性可為一大體上線性之相關性，其中待應用於該序列之某一光學元件的清潔週期與由彼元件在一微影製程期間所接收之輻射劑量大體上成正線性比例。替代或額外地，該相關性可為二進位相關性，其中待應用於該序列之某一光學元件的清潔週期當彼元件在微影製程期間接收上文所提及之高輻射劑量時具有長度t＝T秒，但若彼元件在微影製程期間接收上文所提及之低輻射劑量則具有長度t＝0秒。又，可應用一定數目之其他類型之相關性中的任一者，如將由熟習此項技術者所瞭解。
作為一實例，清潔系統50之記憶體51可保存以下中之一或多者：輻射資訊，其包括或關於該裝置之光學元件中之一或多者在裝置之操作期間所接收的輻射量；一用於清潔一或多個光學元件中之每一者的清潔週期，關於一光學元件之清潔週期的長度與彼光學元件之各別輻射劑量資訊相關；及一用於清潔一或多個光學元件中之每一者的清潔製程之清潔速率，其中該清潔系統經組態以使用輻射資訊或清潔週期或清潔速率或上述之任何組合以在各別清潔循環期間清潔一或多個光學元件。
舉例而言，在一實施例中，一清潔方法可包括：偵測一或多個光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 之污染；或量測隨後穿過一或多個光學元件之輻射光束的輻射強度損失；或兩者，其中可在發生以下情況時清潔第一光學元件IL1－IL3：一或多個光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 已達到某一污染臨限值；及/或隨後穿過一或多個光學元件之輻射光束的輻射強度損失已達到某一臨限值。
圖3展示了一實施例之流程圖，其中(例如)藉由圖1中所示之裝置來執行微影製程100。製程100之部分可涉及量測穿過微影系統之一連串光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 的輻射損失(步驟101)，例如僅穿過此等光學元件中之一者的損失或關於所有此等光學元件之損失。
接著，判定輻射損失是否已達到某一臨限值'臨限值1'(步驟102)。在已實際上達到此污染臨限值的狀況下，可中斷微影製程且可開始一或多個清潔循環103。本文中，僅清潔該序列中的在微影製程期間接收較大輻射劑量的光學元件(例如，照明系統IL之一或多個光學元件IL1、IL2、IL3)。
在第一清潔循環103之後，理想上，再次量測輻射損失(步驟104)且將其與第二臨限值'臨限值2'相比較(步驟105)。可在所要之低輻射損失尚未由先前清潔循環達成之狀況下重複清潔循環103。在已達到所要之低輻射損失(亦即，損失<臨限值2)的狀況下，可開始微影製程(經由步驟106)。
圖3亦展示了一替代性清潔循環103'，其中清潔第一光學元件IL1－IL3之時間比清潔第二光學元件IL4、PS1－PSN 的時間長得多(亦即，第二光學元件IL4、PS1－PSN 係在一比第一光學元件IL1－IL3短得多的時間週期內被清潔)。作為一實例，在至少一小時期間清潔照明器光學元件IL1－IL3中之一些光學元件，且僅在一分鐘或若干分鐘之短得多的時間週期期間清潔剩餘元件IL4、PS1－PSN 。舉例而言，清潔第一照明器光學元件IL1的時間比清潔第二照明器光學元件IL2的時間(例如，5小時)長得多(至少是2倍長，例如，10小時)，且清潔第二照明器光學元件IL2的時間比清潔第三照明器光學元件IL3的時間(例如，1小時)長(至少是2倍長)。自然地，關於每一元件之清潔週期的長度取決於污染類型及應用於該元件之各別清潔方法的清潔速率。舉例而言，此替代性步驟103'可使用上文所提及之包括或關於裝置之一或多個光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 在裝置之操作期間所接收之輻射量的資訊，使得關於一光學元件之清潔週期的長度與彼光學元件之各別輻射劑量資訊相關(見上文)。
圖4展示了另一流程圖，其不同於圖3之處係在步驟201中，提供該步驟201以偵測一連串光學元件中之一或多者或其附近的污染。在所偵測之污染已超過某一臨限值'臨限值3'的狀況下，開始一清潔循環。舉例而言，該清潔循環可類似於上文關於圖3所描述的清潔循環。在圖4中，描繪了一替代性清潔循環203，其中僅清潔該序列中的預期經歷與污染有關之大於1%之光學損失(特定言之在光學元件係鏡面之狀況下為與污染有關之反射損失)的光學元件。舉例而言，可提供可選步驟210，其包含利用所儲存之資料集合來判定光學元件之預期的光學(反射)損失。特定言之，此資料集合(其可儲存於控制器記憶體51中)可已藉由實驗而預先計算或判定，且可包括光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 中之一或多者的某一污染量及/或穿過一連串光學元件IL1－IL4、PS1－PSN 的輻射損失。該資料集合亦可包含光學元件之各別經判定(經計算或藉由實驗)的光學損失。或者，在步驟210中，可使用資料集合之資訊及光學元件之光學損失、彼元件之污染及由彼元件接收之輻射劑量之間的預定(大體上為線性)相關性來計算或估計光學元件之光學損失。
在清潔循環203之後，可執行可選驗證步驟204以判定污染是否已被移除至一充分程度。替代或額外地，可執行步驟104－105以偵測關於該序列之一或多個光學元件的輻射損失。
該方法之一實施例可提供較短之機器停機時間(亦即，不可執行照明的時間)，因為每一清潔步驟所需的時間以及所需之清潔循環的數目可在裝置之光學系統之使用壽命內顯著減小。又，清潔之間的時間間隔可相對較長。進一步之益處可為經高強度照明之鏡面可在操作期間被冷卻；此使得清潔更簡單，因為可在清潔期間應用此冷卻而使得在清潔之後的恢復時間較小。此外，由於清潔亦可對光學元件之反射率引入負作用(例如，取決於清潔製程，在每次清潔鏡面時引入少量金屬沈積物)，所以所需之清潔循環之數目的減少可導致光學系統之使用壽命較高。
在一實施例中，如自上文得出，可在一規定(由水及碳氫化合物分壓來支配)之真空環境下在使用EUV光子之照明條件下基於EUV鏡面上污染生長之強度相關性而為一EUV光學系統提供一清潔策略。舉例而言，待移除之主要污染物可為碳污染物。舉例而言，在EUV微影系統之光學元件隊列內，輻射強度(例如，EUV輻射之輻射強度)可自照明系統之第一鏡面IL1上的100%下降至投影系統之最後鏡面PSN 上的約0.01%。在規定之真空條件(由水及碳氫化合物分壓來支配)下在使用脈衝光子之照明期間的污染製程可極大地由經EUV誘發之碳生長支配，該碳生長可另外具有高度之強度相關性(例如，碳生長與強度之線性相關性)。因此，遵循此概念，可預期一EUV微影系統內之污染生長亦可隨鏡面而不同，從而與投影系統PS之最後、低強度鏡面相比在第一、高強度鏡面IL1－IL3上產生較厚之碳層。因此，在一實施例中，僅最初三個鏡面IL1－IL3積聚如此多的碳從而有必要執行清潔製程。可或多或少地忽略所有其他鏡面上的碳污染。另外，所需之關於此等最初三個鏡面IL1－IL3的清潔循環之數目可減少，因為總的可用之使用壽命預算(例如，不可逆之反射損失預算)僅需要分布於三個鏡面中而非所有鏡面IL1－IL3、PS1－PSN 中。
本發明之一或多個實施例可提供一或多個各種優點。舉例而言，可顯著地減少清潔循環之數目及/或可減少清潔時間。可提高光學元件使用壽命及/或可減少系統之停機時間。由於實施一更有效之清潔方案，所以一或多個實施例可提供成本之顯著減少。
上文所提及之第一光學元件可位於一連串光學元件中之各種位置中的任一位置中(例如，位於上游位置、下游位置或其之間)。相同原理適用於上文所提及之第二光學元件。
此外，已關於光學元件而描述了一或多個實施例。額外或替代地，可將一或多個實施例應用於微影裝置之一或多個其他非光學元件(諸如一或多個曝露至污染物及(可選地)輻射的結構)。
儘管上文已特定參考了本發明之實施例在光學微影術之背景中的使用，但將瞭解，可將本發明用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在背景允許的情況下本發明並不限於光學微影術。在壓印微影中，圖案化設備中之拓撲構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化設備之拓撲構形按壓於一層被提供至基板上之抗蝕劑中，隨之藉由應用電磁輻射、熱、壓力或其組合來固化該抗蝕劑。在固化抗蝕劑之後將圖案化設備移出抗蝕劑從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有一為或大約為365、355、248、193、157或126 nm之波長)及遠紫外(EUV)輻射(例如，具有一在5－20 nm之範圍中的波長)以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
在背景允許之情況下，術語"透鏡"可指代各種類型之光學元件中之任何一者或組合，該等光學元件包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學元件。
儘管已在上文描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，可以不同於如所描述之方式的方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可呈一含有描述一種如上文所揭示之方法的機器可讀取指令之一或多個序列的電腦程式或一具有儲存於其中之此電腦程式的資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)的形式。
上文之描述意欲具有說明性而非限制性。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不背離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明作出修改。
10．．．清潔系統
11．．．箭頭
20．．．清潔系統
50．．．清潔系統
51．．．記憶體設備
53．．．污染偵測器
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明器
IL1．．．光學元件
IL2．．．光學元件
IL3．．．光學元件
IL4．．．光學元件
K．．．集光器
M1．．．圖案化設備對準標記
M2．．．圖案化設備對準標記
MA．．．圖案化設備
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PB．．．輻射光束
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PS1．．．光學元件
PS2．．．光學元件
PS3．．．光學元件
PSN ．．．光學元件
PW．．．第二定位器
R．．．輻射光束
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪了一微影裝置之一實施例；圖2示意性地描繪了一連串光學元件及一清潔系統之部分的一實施例；圖3示意性地描繪了一清潔方法之一實施例之流程圖；及圖4示意性地描繪了一清潔方法之另一實施例之流程圖。
10．．．清潔系統
11．．．箭頭
50．．．清潔系統
51．．．記憶體設備
53．．．污染偵測器
IL1．．．光學元件
IL2．．．光學元件
IL3．．．光學元件
IL4．．．光學元件
K．．．集光器
SO．．．輻射源

Claims (25)

  1. 一種用以清潔一裝置之一或多個光學元件的方法，該裝置經組態以將一輻射光束投影至一基板之一目標部分上且包含按一順序配置於該輻射光束之一路徑中的複數個光學元件，其中該清潔方法包含利用一比該序列中之一在該裝置之操作期間接收一第一輻射劑量的第一光學元件累積較短的清潔週期來清潔該序列中之一在該裝置之操作期間接收一第二輻射劑量的第二光學元件，該第二輻射劑量低於該第一輻射劑量，其中該清潔包含(i)偵測穿過該等光學元件中之一或多者的輻射之一輻射損失以及在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者或(ii)偵測該等光學元件中之至少一者之污染，並且在污染到達某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  2. 如請求項1之方法，其中沿該輻射光束之該路徑檢視，該第二光學元件相對於該第一光學元件而位於下游。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含：提供輻射劑量資訊，該資訊包括或關於該第二光學元件在該裝置之操作期間所接收的輻射量；及提供一用於清潔該第二光學元件之清潔週期，使得關於該第二光學元件之該清潔週期的長度與該第二光學元件之該輻射劑量資訊相關。
  4. 如請求項1之方法，其包含在該裝置之操作週期之間應 用各種清潔循環，其中在該等清潔循環中之一或多者期間僅清潔該第一光學元件而非該第二光學元件。
  5. 如請求項1之方法，其中該裝置包含一支撐結構，該支撐結構經建構以將一圖案化設備固持於該輻射光束之該路徑中的一圖案化設備位置處，其中相對於該輻射光束之一傳播方向檢視，該第一光學元件相對於該圖案化設備位置而位於上游且該第二光學元件相對於該圖案化設備位置而位於下游。
  6. 如請求項1之方法，其中該第一輻射劑量及該第一輻射劑量包含EUV輻射。
  7. 如請求項1之方法，其中該清潔包含偵測穿過該等光學元件中之一或多者的輻射之一輻射損失以及在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  8. 如請求項1之方法，其中清潔包含偵測該等光學元件中之至少一者之污染，並且在污染到達某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  9. 一種設備製造方法，其包含：利用一連串光學元件而將一輻射光束投影至一基板之一目標部分上，其中該等光學元件接收不同輻射劑量且該等光學元件之該等污染速率與該等輻射劑量相關；執行一定數目之清潔循環以清潔該等光學元件中之至少一者，每一清潔循環涉及基於由該序列中之一光學元件所接收之該輻射劑量來清潔該光學元件，使得一已接 收一較低輻射劑量之光學元件以在一比一已接收一高於該較低輻射劑量之輻射劑量的光學元件較短的時間週期期間被清潔，或清潔前者的頻率小於清潔後者的頻率，其中執行該一定數目之清潔循環包含(i)偵測穿過該等光學元件中之一或多者的輻射之一輻射損失以及在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者或(ii)偵測該等光學元件中之至少一者之污染，並且在該污染到達某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  10. 如請求項9之方法，其中清潔該一連串光學元件中之一第二光學元件的頻率比清潔該一連串光學元件中之一第一光學元件的頻率小至少10倍，該第二光學元件係一用於投影該輻射光束的微影裝置之一投影系統之部分，該第一光學元件係該微影裝置之一照明器之部分。
  11. 如請求項9之方法，其中以該輻射光束之傳輸方向來看，接收高於該較低輻射劑量之輻射劑量之該光學元件係位於該輻射光束之路徑中一圖案化裝置之上游，以及接收該較低輻射劑量之該光學元件係位於該圖案化裝置之下游。
  12. 如請求項9之方法，其中執行該一定數目之清潔循環包含偵測穿過該等光學元件中之一或多者的輻射之一輻射損失以及在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至 少一者。
  13. 如請求項9之方法，其中執行該一定數目之清潔循環包含偵測該等光學元件中之至少一者之污染，並且在該污染到達某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  14. 一種裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化設備能夠賦予該輻射光束在其橫截面中的一圖案以形成一經圖案化之輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一清潔系統，其經組態以清潔該裝置之一或多個光學元件，該清潔系統經組態以在一比該照明系統之一光學元件累積較短之清潔週期期間清潔該投影系統之一光學元件，該清潔系統包含或是於使用中耦合至(i)一輻射損失偵測器，其經組態以偵測穿過該等光學元件中之一或多者的輻射之一輻射損失，及其中該清潔系統經組態以在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該投影系統之該光學元件、該照明系統之該光學元件或以上兩者；或(ii)一污染偵測器，其經組態以偵測該投影系統之該光學元件、該照明系統之該光學元件或以上兩者之污染，且其中該清潔系 統經組態以在該污染到達某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該投影系統之該光學元件、該照明系統之該光學元件或以上兩者。
  15. 如請求項14之裝置，其中依據在投射該圖案化光束之期間該等光學元件所接收到的輻射量，該清潔系統經組態僅清潔該等光學元件中安置在該輻射光束路徑上之一或數者。
  16. 如請求項14之裝置，其另包含一記憶體保存(i)輻射資訊，其包括或關於該等光學元件中之一或多者在該裝置之操作期間所接收之該輻射量；或(ii)一用於清潔該等光學元件中之一或多者的清潔週期，關於一光學元件之該清潔週期的長度與彼光學元件之該各別輻射劑量資訊相關；或(iii)一用於清潔該等光學元件中之一或多者的清潔製程之一清潔速率；或(iv)(i)-(iii)之任何組合，其中該清潔系統經組態以使用該輻射資訊或該清潔週期或該清潔速率或其任何組合來清潔該投影系統之該光學元件、該照明系統之該光學系統或兩者。
  17. 如請求項14之裝置，其另包含或耦接至該輻射損失偵測器，且其中該清潔系統經組態以在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該投影系統之該光學元件、該照明系統之該光學系統或以上兩者。
  18. 如請求項14之裝置，其另包含或耦接該污染偵測器，且其中該清潔系統經組態以在該污染達到某一污染量時自 動開始一清潔循環來清潔該投影系統之該光學元件、該照明系統之該光學系統或以上兩者。
  19. 如請求項14之裝置，其組態以使清潔該投影系統之該光學元件之次數至少比照明系統之該光學元件通常少十次。
  20. 一種清潔系統，其經調適以清潔一裝置之一或多個光學元件，該等光學元件被配置於在由該裝置執行之一製程期間所使用的一輻射光束之一路徑中，其中該清潔系統經組態以取決於在該製程期間由被配置於該輻射光束之該路徑中的該等光學元件中之每一者所接收的輻射量而僅清潔此等元件中之一者或一些元件，該清潔系統包含或是於使用中耦合至(i)一輻射損失偵測器，其經組態以偵測穿過該等光學元件中之一或多者的輻射之一輻射損失，及其中該清潔系統經組態以在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件之至少一者；或(ii)一污染偵測器，其經組態以偵測該等光學元件之至少一者的污染，且其中該清潔系統經組態以在該污染到達某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件之至少一者。
  21. 如請求項20之清潔系統，其進一步包含一記憶體，該記憶體保存(i)輻射資訊，其包括或關於該等光學元件中之一或多者在該裝置之操作期間所接收之該輻射量；或(ii)一用於清潔該等光學元件中之一或多者的清潔週期，關於一光學元件之該清潔週期的長度與彼光學元件之該各 別輻射劑量資訊相關；或(iii)一用於清潔該等光學元件中之一或多者的清潔製程之一清潔速率；或(iv)(i)-(iii)之任何組合，其中該清潔系統經組態以使用該輻射資訊或該清潔週期或該清潔速率或其任何組合來清潔該或該等光學元件。
  22. 如請求項20之清潔系統，其包含或耦接至該輻射損失偵測器，，且其中該清潔系統經組態以在一所偵測之輻射損失達到某一輻射損失量的狀況下自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  23. 如請求項20之清潔系統，其包含或耦接至該污染偵測器，且其中該清潔系統經組態以在該污染達到某一污染量時自動開始一清潔循環來清潔該等光學元件中之至少一者。
  24. 如請求項20之清潔系統，其經組態以在一比該等光學元件中之一或多個其他者累積短100倍的清潔週期期間清潔該等光學元件中之一或多者。
  25. 如請求項20之清潔系統，其經組態以取決於在該製程期間由被配置於該輻射光束之該路徑中的該等光學元件中之每一者所接收之該EUV輻射量而僅清潔此等元件中之一者或一些元件。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080151201A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2008277585A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Canon Inc 露光装置の洗浄装置及び露光装置
DE102008000709B3 (de) * 2008-03-17 2009-11-26 Carl Zeiss Smt Ag Reinigungsmodul, EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu seiner Reinigung
NL1036769A1 (nl) * 2008-04-23 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, cleaning system and method for cleaning a patterning device.
DE102009045008A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
JP5559562B2 (ja) 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
JP5709546B2 (ja) * 2011-01-19 2015-04-30 キヤノン株式会社 エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法
DE102015216528A1 (de) 2015-08-28 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für EUV-Projektionsbelichtungsanlage, EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit Beleuchtungssystem und Verfahren zum Betreiben einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
US10509334B2 (en) * 2017-09-29 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods and apparatus for removing contamination from lithographic tool
DE102019219024A1 (de) * 2019-12-06 2021-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermeidung einer Degradation eines optischen Elements, Projektionssystem, Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage
US11543757B2 (en) * 2021-04-20 2023-01-03 Kla Corporation System and method for optical-path coupling of light for in-situ photochemical cleaning in projection imaging systems
EP4330768A1 (en) * 2021-04-26 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1431830A2 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US20040165160A1 (en) * 2002-12-13 2004-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4029200B2 (ja) * 1997-12-08 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光方法、光洗浄方法および半導体デバイスの製造方法
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11288870A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Nikon Corp 露光装置
JP2000346817A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Nikon Corp 測定装置、照射装置および露光方法
DE10061248B4 (de) * 2000-12-09 2004-02-26 Carl Zeiss Verfahren und Vorrichtung zur In-situ-Dekontamination eines EUV-Lithographiegerätes
JP4564186B2 (ja) * 2001-02-16 2010-10-20 株式会社東芝 パターン形成方法
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
DE10240002A1 (de) * 2002-08-27 2004-03-11 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optisches Teilsystem insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem in mindestens zwei Stellungen verbringbaren optischen Element
US7116394B2 (en) * 2002-12-20 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
SG139554A1 (en) * 2002-12-20 2008-02-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1431828A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
JP2006173502A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006202671A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Ushio Inc 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法
JP2006245255A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および微細パターンを有するデバイスの製造方法
JP2006269941A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 導光装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
DE102005031792A1 (de) * 2005-07-07 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040165160A1 (en) * 2002-12-13 2004-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1431830A2 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby

Also Published As

Publication number Publication date
US7671347B2 (en) 2010-03-02
WO2008044924A3 (en) 2008-08-07
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KR20090085577A (ko) 2009-08-07
TW200831182A (en) 2008-08-01

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