KR20100053591A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100053591A
KR20100053591A KR1020107004512A KR20107004512A KR20100053591A KR 20100053591 A KR20100053591 A KR 20100053591A KR 1020107004512 A KR1020107004512 A KR 1020107004512A KR 20107004512 A KR20107004512 A KR 20107004512A KR 20100053591 A KR20100053591 A KR 20100053591A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
housing
substrate holder
radicals
support surface
Prior art date
Application number
KR1020107004512A
Other languages
English (en)
Inventor
아르노 얀 블리커
아스빈 로데비크 헨드리쿠스 요한네스 반 미르
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20100053591A publication Critical patent/KR20100053591A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0277—Electrolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Abstract

리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패턴 지지체 - 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성됨 - ; 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더 - 상기 기판 홀더는 상기 기판과 접촉하는 지지 표면을 포함함 - ; 상기 기판 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및 세정 유닛을 포함하는 세정 시스템 - 상기 세정 유닛은 상기 기판 홀더의 지지 표면으로부터 오염물을 제거하기 위해 상기 기판 홀더의 지지 표면상에 라디칼을 생성하도록 구축되고 구성됨 - 을 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
포토리소그래피는 IC 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들을 제조하는데 있어서 핵심 단계들 중 하나로서 널리 인식되어 있다. 현재, 유사한 정확성, 속도 및 경제적 생산성을 가지면서, 원하는 패턴 구조를 제공할 것으로 보이는 대안적인 기술은 없다. 하지만, 포토리소그래피를 이용하여 만들어진 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 포토리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 대규모로 제조될 수 있게 하는 가장 결정적인 - 가장은 아니더라도 결정적인 - 게이팅 인자(critical gating factor)들 중 하나가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추정은 수학식 1로 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
Figure pct00001
여기서, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NAPS는 패턴을 프린트하는데 사용된 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다.
수학식 1에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축시킴으로써, 개구수 NAPS를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 상당히 단축시키고, 이에 따라 프린트가능한 최소 피치를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. 약 193 nm보다 더 큰 방사선 파장을 출력하도록 구성된 종래의 자외 방사선 소스들과는 대조적으로, EUV 방사선 소스들은 약 13 nm의 방사선 파장을 출력하도록 구성된다. 따라서, EUV 방사선 소스들은 작은 피처들의 프린팅을 달성하도록 다가가는데 상당히 기여할 수 있다. 이러한 방사선은 극자외선 또는 소프트(soft) x-선이라 칭하며, 가능한 소스들로는 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스들, 방전 플라즈마 소스들, 또는 전자 저장 링들로부터의 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 포함한다.
EUV 리소그래피 장치의 스루풋(throughput)을 개선하여, 상기 장치의 소유 비용을 절감시키는 것이 바람직하다. 다수의 인자들이 EUV 시스템의 스루풋에 영향을 줄 수 있다.
EUV 리소그래피 장치에서 오염물을 제거하는 것이 바람직하다. 오염물의 제거는 상기 장치의 이용가능성을 개선시킨다.
본 발명의 일 실시형태에서, 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패턴 지지체 - 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성됨- ; 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더 - 상기 기판 홀더는 상기 기판과 접촉하는 지지 표면을 포함함 - ; 상기 기판 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및 세정 유닛을 포함하는 세정 시스템 - 상기 세정 유닛은 상기 기판 홀더의 지지 표면으로부터 오염물을 제거하기 위해 상기 기판 홀더의 지지 표면상에 라디칼(radical)을 생성하도록 구축되고 구성됨 - 을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에서, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 단계; 상기 방사선 빔을 패터닝하여, 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계; 기판 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계 - 상기 기판은 기판 홀더의 지지 표면에 의해 지지됨 - ; 및 상기 기판 홀더의 지지 표면으로부터 오염물을 제거하기 위해 상기 기판 홀더의 지지 표면상에 라디칼을 생성하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면;
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 테이블을 개략적으로 도시한 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 장치의 노광 영역 및 메트롤로지 영역을 개략적으로 도시한 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛을 개략적으로 도시한 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛을 개략적으로 도시한 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛을 개략적으로 도시한 도면; 및
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(1)는 방사선을 생성하도록 구성된 소스(SO), 소스(SO)로부터 수용된 방사선으로부터 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 상기 소스(SO)는 별도의 유닛으로서 제공될 수 있다. 지지체 또는 패턴 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된다. 기판 테이블 또는 기판 지지체(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된다. 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)은 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
또한, 리소그래피 장치(1)는 상기 장치의 다양한 요소들을 에워싸는 진공 벽(EN)을 포함한다. 상기 진공 벽(EN)은, 예를 들어 조명 시스템(IL), 투영 시스템(PS) 및 상기 장치(1)의 다른 요소들을 포함하는 다수의 챔버들(도 1에 도시되지 않음)을 에워쌀 수 있다. 상기 소스(SO)가 리소그래피 장치(1)의 일부분인 경우, 상기 진공 벽(EN)은 상기 소스(SO)를 포함하는 챔버를 에워쌀 수도 있다. 이러한 챔버들은 상기 소스(SO)에 의해 출력된 방사선 빔의 흡수를 방지하고, 다양한 광학 요소들의 오염을 방지하도록 선택된 가스로 채워질 수 있다. 상기 가스는 상기 장치(1)의 구성에 기초하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 일 구현예에서, 리소그래피 장치(1)는 극자외(EUV) 리소그래피 시스템이고, 상기 진공 벽(EN)의 다양한 챔버들은 진공이 되도록 펌핑될 수 있으며, 분자 수소(H2)의 작은 배경 압력(background pressure)을 가질 수 있다. 또 다른 구현예에서, 상기 진공 벽의 다양한 챔버들은 질소의 배경 압력을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예들에 추가 가스들이 사용될 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지체 또는 패턴 지지체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치(1)는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치(1)는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치(1)는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광 시 액체가 예를 들어 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정 디바이스를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서(도 1에 도시되지 않음)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)에 의해 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 투영한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. 스캐너와는 대조적으로 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
스텝 모드에서, 지지체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
스캔 모드에서, 지지체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
또 다른 모드에서, 지지체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 기판 테이블(WT)의 개략적인 단면도이다. 기판 테이블(WT)은 주요 블록(이후, 거울 블록이라고도 칭해짐)(MB) 및 기판 홀더(WH)를 포함한다. 기판 홀더(WH)는 주요 블록 또는 거울 블록(MB) 상에 위치되며, 기판(W)을 지지하는 복수의 돌출부들(200)을 포함한다. 거울 블록(MB)은 1 이상의 거울들 및/또는 그 1 이상의 측면(들) 상에 배치된 격자들을 포함할 수 있다. 상기 1 이상의 거울들 및/또는 격자들은 기판 홀더(WH)의 위치를 제어하기 위해 간섭계 및/또는 인코더 시스템과 상호작동하도록 구성된다. 기판(W)이 기판 홀더(WH) 상에 붙는 것을 방지하기 위해, 돌출부들(200)의 최상부 상에 거칠기(예를 들어, 나노거칠기)가 제공된다. 기판(W)과 접촉하는 돌출부들(200)의 최상부는 집합적으로 지지 표면(210)을 정의하며, 이는 도 2a에 개략적으로 점선으로 나타나 있다. 기판(W)이 기판 테이블(WT)의 지지 표면(210) 상에 올려지면, 상기 기판(W)은, 예를 들어 상기 돌출부들(200) 사이에 정의된 공간에 진공을 인가함으로써 기판 표면(210)에 대해 흡착될 수 있다. 대안적으로, 상기 기판(W)은, 예를 들어 정전기력을 이용하여 기판 홀더(WH) 상으로 클램핑될 수 있다. 이러한 방법들을 이용함으로써, 상기 기판(W)은 지지 표면(210)에 의해 결정되는 형태를 취한다. 구체적으로, 기판(W)의 형태는 동일한 평면에 모두 위치된 돌출부들(200)의 접촉 표면들에 의해 정의된다.
이제, 도 2b를 참조하면, 기판(W) 뒷면과 지지 표면(210) 사이에 1 이상의 오염 입자(들)(220)가 존재하는 경우, 기판(W)의 형태는 지지 표면(210)의 형태뿐만 아니라, 오염 입자(들)(220)에 의해서도 결정된다. 도 2b는 x 방향을 따른 다양한 위치들에서의 기판 홀더의 단면도이다. 도 2b에 나타낸 바와 같이, 오염 입자(220)는 기판의 허용할 수 없는 변형을 유발할 수 있으며, 이는 기판의 최상부 표면상에 패터닝 디바이스 내의 패턴을 이미징하는 동안에 포커스 및 오버레이 오차들을 유발할 수 있다. 이러한 오차들은 제조된 기판들의 불량을 유도함에 따라, 리소그래피 장치(1)의 낮은 스루풋을 유도할 수 있다. 이는 리소그래피 장치(1)의 전반적인 운영 비용을 증가시킬 수 있다.
기판 테이블(WT) 상에 존재할 수 있는 오염 입자들을 감소시키기 위하여, 리소그래피 장치(1)는 오염 입자들을 제거하도록 구성된 세정 시스템을 포함할 수 있다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 시스템(300)의 개략도이다. 상기 세정 시스템(300)은 기판 테이블(WT)을 세정하도록 구성된 세정 유닛(310)을 포함한다. 상기 세정 시스템(300)은 리소그래피 장치(1)의 메트롤로지 영역에 위치될 수 있는 인 시튜(in situ) 시스템이다. 상기 세정 유닛(310)은 기판 테이블(WT)로부터 기판을 내려놓고 기판 테이블(WT) 상으로 또 다른 기판(W)을 올려놓는 사이사이에 기판 테이블(WT)을 세정하는데 사용될 수 있다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 세정 유닛(310)은 프레임(330)에 장착되고, 리소그래피 장치(1)의 메트롤로지 영역(340) 내에 위치된다. 일 실시예에서, 상기 프레임(330)은 메트롤로지 요소들(예를 들어, 간섭계 및/또는 인코더 시스템)을 지지하도록 구성된 메트롤로지 프레임이다. 상기 메트롤로지 영역(340)은 다수의 측정들(예를 들어, 기판 정렬, 노광된 패턴 특성,..)이 기판(W) 상에서 행해질 수 있는 리소그래피 장치(1) 내의 영역이다. 실제로, 기판 테이블(WT)은 노광 영역(350)으로부터 메트롤로지 영역(340)으로 이동될 수 있으며, 그 반대로도 가능하다. 또한, 리소그래피 장치(1)는 병행하여 사용될 수 있는 1 이상의 기판 테이블(WT)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판 테이블 상에서 측정 또는 세정이 수행되는 동안, 1 이상의 다른 테이블들이 노광에 사용된다.
또한, 세정 시스템(300)은 프레임(330)에 대해 세정 유닛(310)을 이동시키거나 구동시키도록 구성된 구동 유닛(320)을 포함한다. 상기 구동 유닛(320)은 수직 z 방향(즉, 기판 테이블의 상부 표면에 실질적으로 수직인 방향) 및/또는 수평 x 방향을 따라 세정 유닛(310)을 이동시키도록 구축되고 구성될 수 있다. 이 구성에서, 세정 과정 동안에, 세정 유닛(310)은 기판 홀더(WH)의 지지 표면(210)에 가까운 위치로 하강되며, 그 후 기판 테이블(WT)은 전체 지지 표면이 세정되는 것을 보장하기 위해 세정 유닛(310)에 대해 이동된다. 1 이상의 돌출부들(200) 상에 존재할 수 있는 오염물은 세정 유닛(310)에 의해 실질적으로 제거될 것이다. 대안적으로, 본 발명의 또 다른 실시예에서, 기판 테이블(WT)은 세정 과정 동안에 고정될 수 있으며, 세정 유닛(310)은 기판 테이블(WT)의 전체 표면 상에서(즉, x 및 y 방향들로) 이동될 수 있다. 상기 세정 작업은 자동화될 수 있으며, 리소그래피 장치(1)를 개방하지 않고 수행되는데, 이는 휴지 시간(down time)을 현저히 줄일 수 있고 상기 장치(1)의 스루풋을 현저히 증가시킬 수 있다.
이제, 도 4를 참조하면, 이 도면은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛(310)의 개략도이다. 상기 세정 유닛(310)은 기판 홀더(WH)의 상부 또는 지지 표면(210)으로부터 유기 오염물을 선택적으로 에칭하는 중성 라디칼(예를 들어, 수소)을 포함하는 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 일반적으로, 유기 오염물은 기판 홀더(WH)의 전체 오염물의 약 90 내지 95 %로 나타난다. 이 유기 오염물은, 통상적으로 코팅 공정 시 남겨진 포토레지스트 입자들로부터 야기된다. 도 4의 실시예에 따른 플라즈마 세정은 기판 홀더(WH)의 전반적인 오염을 허용가능한 레벨로 크게 감소시킬 수 있다.
세정 유닛(310)은 가스 공급부(도 4에 도시되지 않음)에 연결된 제 1 유입구(410) 및 진공 유닛(도 4에 도시되지 않음)에 연결된 유출구(420)를 갖는 하우징 또는 후드(400)를 포함한다. 상기 가스 공급부 및 진공 유닛은 리소그래피 장치(1)의 일부분일 수 있거나 상기 장치 외부에 배치될 수 있다. 또한, 세정 유닛(310)은 하우징 또는 후드(400) 내에 배치되고 RF 전력 공급원(440)에 연결된 RF 전극(430) 또는 플라즈마 생성기를 포함한다. 작동 시, 가스, 예를 들어 분자 수소의 유동이 하우징 또는 후드(400)에 공급되고, RF 전극(430)에 의해 하우징 내에 플라즈마(450)가 생성된다. 반응성이 높은(highly reactive) 수소 라디칼(Hㆍ)들이 플라즈마(450)에 의해 생성된다. 이러한 중성 라디칼들은 기판 홀더(WH)의 표면(210) 상에 존재할 수 있는 오염물들, 예를 들어 유기 오염물들과 작용한다. 그 후, 이러한 오염물들은 상기 표면(210)으로부터 탈착(desorb)되며, 후속하여 진공 유닛에 의해 추출된다.
또한, 유기 오염물들의 제거는 플라즈마 내에 포함된 하전 입자들로 달성될 수 있다. 이러한 하전 입자들은 전극과 기판 홀더(WH) 사이의 자기장에 의해 가속되어, 상기 표면(210) 상에 부딪히게 된다.
실제로, 하우징 또는 후드(400)는 기판 홀더(WH)의 표면(210)에 가깝게 위치된다. 리소그래피 장치(1)의 구성에 따라, 상기 하우징 또는 후드(400) 사이에 시일(460)이 제공될 수도 있고 제공되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치(1)가 EUV 리소그래피 장치인 경우, 진공 벽(EN)에 의해 에워싸인 공간[또는 적어도 진공 벽(EN)에 의해 에워싸인 몇몇 챔버들] 내에, 그리고 세정 유닛(310) 외부에 수소 분위기가 유지될 수 있다. 이 구성에서는, 하우징 또는 후드(400)와 기판 홀더(WH)의 표면(210) 사이에 시일이 요구되지 않는다. 하지만, 플라즈마를 생성하는데 사용된 가스와 상이한 가스 분위기 또는 진공을 유지하는 것이 바람직한 경우에는, 하우징 또는 후드(400)와 기판 홀더(WH)의 표면(210) 사이에 시일(460)이 제공될 수 있다.
도 4의 실시예에서, 세정 스톤(cleaning stone)과 달리, 라디칼, 예를 들어 수소 라디칼의 사용은 돌출부들(200)의 손상 가능성을 크게 줄일 수 있는데, 이는 상기 돌출부들의 기계적인 부식이 제한되기 때문이다. 일반적으로, 세정 공정은 기판(W)과 기판 홀더(WH) 사이의 충분한 거칠기를 유지하기 위해 돌출부들(200)의 부식을 가능한 한 많이 제한하는 것이 바람직하다. 거칠기가 감소되면, 기판(W)이 기판 홀더(WH)에 붙을 수 있으며, 기판 홀더(WH)로부터 기판(W)을 제거하기 위해 더 강한 힘이 요구될 수 있다. 이러한 더 강한 힘은 잠재적으로 기판(W)을 부러뜨릴 수 있으며 및/또는 깨뜨릴 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는 추가 가스, 예를 들어 산소가 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 가스는 기판 홀더(WH) 상에 존재할 수 있는 오염 입자들과 반응하는 라디칼들을 생성하기 쉽도록 선택된다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 1 이상의 유입구 및/또는 유출구가 사용될 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 일 실시예에서는 복수의 유입구들 및 유출구들이 하우징 또는 후드(400)의 외주에 배치될 수도 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예들에서는 형성될 플라즈마에 따라 유입구(들) 및 유출구(들)의 위치, 형상 및 크기가 다양할 수 있다. 또한, 전극(430)을 통해 하우징 또는 후드(400) 내부로 가스를 도입할 수도 있다. 이 구성에서, 전극은 샤워 헤드(shower head)로서 기능한다.
나아가, 도 4의 실시예에서 세정 유닛(310)은 RF 전극 및 RF 소스를 갖는 플라즈마 생성기를 포함하지만, 플라즈마(450)는 세정 유닛(310)에서 이와 다르게 생성될 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 가스 방전 및 플라즈마(450)를 생성하기 위해 DC 전압이 사용될 수도 있다. 또 다른 실시예에서는, 플라즈마(450)를 생성하기 위해 RF 코일이 사용될 수도 있다. RF 코일은 플라즈마(450)가 형성되는 영역 주위에서 하우징 또는 후드(400) 내부에 위치될 수 있다.
도 4의 실시예에서, 세정 유닛(310)은 기판 홀더(WH)의 국부화된 영역 상에 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 이 실시예에서는, 기판 홀더(WT)의 실질적으로 전체 영역이 플라즈마(450)에 노출되는 것을 보장하기 위해, 기판 테이블(WT) 및 세정 유닛(310)이 서로에 대해 이동될 수 있다[예를 들어, 기판 테이블(WT), 세정 유닛(310), 또는 둘 모두가 이동될 수 있다]. 하지만, 기판 홀더(WH)의 실질적으로 전체 영역 상에 플라즈마(450)를 생성하기 위해 세정 유닛(310)이 치수화(dimension)될 수도 있다. 이 대안적인 실시예에서, 하우징 또는 후드(400)는 기판 홀더(WH)의 실질적으로 전체 표면을 덮도록 사이징(size)될 수 있다.
이제, 도 5를 참조하면, 상기 도면은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛(500)을 나타낸다. 세정 유닛(500)은 하우징 또는 후드(510) 주위에, 예를 들어 세정 시스템(300) 및 기판 테이블(WT)이 위치된 영역에 분자 수소 분위기가 유지되는, 예를 들어 EUV 시스템에 사용되도록 구축되고 구성된다. 도 4의 실시예와 유사하게, 세정 유닛(500)은 진공 유닛(도 5에 도시되지 않음)에 연결된 유출구(520)를 갖는 하우징 또는 후드(510)를 포함한다. 또한, 세정 유닛(510)은 하우징 또는 후드(510)에 하우징되고 RF 전력 공급부(540)에 연결된 RF 전극(530)을 포함한다.
하우징 또는 후드(510)는 상기 하우징(510) 내부와 외부 간의 가스 연통을 허용하도록 구성된 복수의 개구부들(560)을 포함하는 메시 재료(mesh material)로 형성된다. 이 구성에서, 진공 벽(EN)에 의해 에워싸인 공간 내에, 즉 하우징(510) 외부에 유지된 수소 분위기는 세정 유닛(500)에 대한 수소 공급부 또는 소스로서 기능하도록 구성된다. 따라서, 작동 시, 하우징(510) 외부에 존재하는 가스, 예를 들어 분자 수소(H2)는 개구부(560)를 통과하며, RF 전극(530)에 의해 하우징 내에 플라즈마(550)가 생성된다. 하우징(510)을 통한 가스 연통은 도 5에서 화살표들로 개략적으로 나타나 있다. 반응성이 높은 수소 라디칼들(Hㆍ)은 플라즈마(550)에 의해 생성되며, 기판 홀더(WH)의 표면(210) 상에 존재할 수 있는 오염물들, 예를 들어 유기 오염물들과 반응한다. 그 후, 이러한 유기 오염물들은 상기 표면(210)으로부터 탈착되며, 후속하여 진공 유닛에 의해 추출된다. 또한, 유기 오염물들의 제거는 플라즈마 내에 포함된 하전 입자들로 달성될 수 있다. 이러한 하전 입자들은 전극과 기판 홀더(WH) 사이의 자기장에 의해 가속되어, 상기 표면(210) 상에 부딪히게 된다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 추가 가스, 예를 들어 산소가 사용될 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
진공 벽(EN)에 의해 에워싸인 공간에 존재하는 분자 수소 분위기의 존재는 약 1 mBar(예를 들어, 약 0.1 내지 10 mbar 사이의 범위)일 수 있다. 이 압력은 표면(210)을 세정하는데 충분한 중성 라디칼들을 제공하기에 충분할 수 있다. 대안적으로, 플라즈마 형성을 용이하게 하고 하우징(510) 내의 라디칼 양을 증가시키기 위하여, 세정 유닛(500)이 위치된 영역에 분자 수소 분위기의 압력을 국부적으로 증가시킬 수도 있다. 예를 들어, 일 실시예에서는 분자 수소의 압력이 노광 영역(350)에서보다 메트롤로지 영역(340)에서 더 높은 레벨로 유지될 수도 있다.
메시 재료 내의 개구부들(560)의 크기 및 개수는 다양할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 일 실시예에서는 개구부들의 크기가 0.1 내지 10 mm 사이의 범위 내에 있다. 대안적으로, 메시 재료를 이용하는 대신에, 하우징(510) 내부와 외부 간의 가스 연통을 허용하도록 1 이상의 개구부들을 갖는 금속(예를 들어, 스테인리스 강)으로 만들어진 인클로저(enclosure)로 하우징(510)이 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛(600)을 나타낸다. 상기 세정 유닛은 튜브(610) 및 플라즈마 생성기(620)를 포함한다. 상기 플라즈마 생성기(620)는 튜브(610)의 영역(640)에서 플라즈마(630)를 생성하도록 구성된다. 상기 플라즈마 생성기(620)는, 예를 들어 튜브(610)를 따라 위치된 RF 코일 또는 마이크로파 또는 RF 캐비티(cavity)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예들에서는 플라즈마(630)를 생성하도록 구성된 다른 시스템들이 사용될 수도 있다. 대안적으로, 연속 또는 버스트 모드(burst mode) DC 방전에서 라디칼들이 생성될 수도 있다. 튜브(610)를 통해 유동하는 분자 수소, 또는 다른 가스, 예컨대 산소의 유동(650)이 제공된다. 수소는 플라즈마(630)를 통해 유동하며, 이는 중성 수소 라디칼들의 유동을 생성한다. 플라즈마(630)에서, 중성 및 이온화된 활성 입자들이 생성된다. 이온화된 입자들은, 예를 들어 튜브 오리피스(tube orifice)에 위치될 수 있는 패러데이 격자(Faraday grid: 660) 또는 튜브(610) 벽과의 충돌에 의해 중성화될 수 있다. 상기 중성 라디칼들은 빔(670)으로서 튜브(610)를 빠져나간다. 상기 중성 라디칼들은 기판 홀더(WH)의 표면(210) 상에 존재할 수 있는 유기 오염물들과 반응한다. 중성 라디칼들에 의해 탈착된 오염 입자들은 진공 유닛(도 6에 도시되지 않음)의 유출구(680)에 의해 배출될 수 있다.
도 7은 도 6에 나타낸 장치의 변형예이다. 이 경우, 세정 유닛(700)은, 예를 들어 글로우잉 와이어(glowing wire)와 같은 고온 요소(710)로 라디칼들을 생성하도록 구성된다. 가열 요소(710)는 효율적인 열 해리를 위해, 예를 들어 약 1500 ℃ 내지 약 1900 ℃ 사이의 온도에서 존재할 수 있다. 상기 장치 및 방법은 수소 가스(650)의 유동으로부터 수소 라디칼 빔(720)을 생성하는데 특히 유용하다.
탈착된 입자들을 배출하기 위해 세정 유닛들(600, 700) 내에 1 이상의 유출구(680)가 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 장치의 잔여부 안으로의 가스 유동을 최소화하기 위해 튜브(610)에 배출 하우징 또는 후드가 부착될 수도 있다. 기판 홀더(WH)의 표면(210)과 배출 후드 또는 하우징 사이에 시일이 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 홀더(WH)의 표면(210)의 세정은 중성 라디칼들을 이용한 세정과 무기 입자들을 제거하기 위한 연마 세정을 조합할 수 있다. 연마 세정은 세정 스톤으로 수행될 수 있다. 세정 스톤은 메트롤로지 영역(340)에 위치된 별도의 세정 블록 내에 배치될 수 있다. 세정 스톤은 전기 도전성일 수 있는 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 세라믹 재료는 첨가제로서 알루미나 또는 티타늄 산화물 및 금속을 포함할 수 있다. 상기 세정 스톤은 세정 작업 시 정전기 전하의 축적(build up)을 방지하기 위해 접지 전위에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 정전기 전하의 축적은 상기 표면(210)과 세정 스톤 간에 정전기 인력을 유발할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 세정 시스템(300)은 기판 홀더(WH) 표면상의 오염 입자들을 검출하는 오염 검출 유닛(360)을 포함할 수도 있다. 상기 오염 검출 유닛(360) 및 기판 테이블(WT)은, 기판 홀더(WH)의 전체 표면(210)이 전위 오염 입자들을 검출하기 위해 스캐닝될 수 있도록 서로에 대해 이동될 수 있다. 세정 유닛(310) 및 오염 검출 유닛(360)은 제어기(370)에 의해 작동적으로(operatively) 제어될 수 있다. 오염 검출 유닛(360)에 의해 제공된 오염 측정치들에 기초하여, 제어기(370)는 세정 유닛(310)에게 기판 홀더(WH) 표면상의 특정 영역들 또는 지점들을 세정할 것을 명령할 수 있다. 예를 들어, 상기 제어기는 오염 입자가 검출된 영역에 가깝게 세정 유닛(310)이 위치되도록, 기판 테이블(WT), 세정 유닛(310) 또는 둘 모두에게 서로에 대해 이동하도록 명령할 수 있다. 이러한 방식으로, 세정 시간을 실질적으로 단축시킬 수 있다. 대안적으로, 기판 홀더(WH)의 전체 표면을 세정하는 것도 가능하다.
오염 검출 유닛(360)에는 방사선 소스, 렌즈 시스템 및 검출기(도 3에 도시되지 않음)를 포함하는 레벨 센서가 제공될 수 있다. 상기 레벨 센서는 기판 홀더(WH)의 지지 표면(210) 상에 그 뒷면을 갖도록 유지된 기판(W) 표면의 표면 형태를 검출하는데 사용될 수 있다. 레벨 센서가 사용되면, 방사선 소스는 기판(W)의 표면 상으로 지향되는 방사선 빔을 생성한다. 그 후, 방사선 빔은 기판(W)의 표면에서 반사되며, 후속하여 검출기로 지향된다. 상기 검출기는 기판(W) 표면의 표면 형태의 변형을 나타내는 빔 방향의 변화를 측정하도록 구축되고 구성된다. 이러한 변형은 특정 지점에서 더 두꺼운 기판(W)에 의해 또는 지지 표면(210)과 기판(W)의 뒷면 사이에 존재하는 오염물들에 의해 유발될 수 있다. 데이터 저장 유닛에 적어도 2 이상의 기판들의 표면 형태를 저장하고, 이러한 표면 형태들을 비교함으로써, 유사한 지점에서 표면 형태의 재발적인 변형(recurring deformation)이 검출될 수 있다. 이는 이 지점에서 지지 표면(210)의 오염을 나타낼 수 있다. 레벨 센서는 포커스 검출 시스템일 수 있다.
상기의 설명에서는 장치 내의 단일의 하류 라디칼 소스만을 구체적으로 언급하였지만, 상기 장치(1) 내에 2 이상의 하류 라디칼 소스들을 제공함으로써, 요구되는 전체 세정 시간이 단축될 수 있다.
실행가능한 코드들을 포함하는, 프로그래밍을 수반하는 컴퓨터 시스템의 소프트웨어 기능성이 상기의 세정 공정을 구현하는데 사용될 수 있다. 소프트웨어 코드는 범용 컴퓨터에 의해 실행가능할 수 있다. 작동 시, 코드, 및 가능하게는 연계된 데이터 기록들이 범용 컴퓨터 플랫폼에 저장될 수 있다. 하지만, 평소에는, 소프트웨어가 다른 위치들에 저장될 수 있으며 및/또는 적절한 범용 컴퓨터 시스템 안으로의 로딩을 위해 이송될 수도 있다. 이에 따라, 상기에 설명된 실시예들은 적어도 1 이상의 기계-판독가능한 매체에 의해 반송되는(carried) 1 이상의 코드 모듈들의 형태로 1 이상의 소프트웨어 또는 컴퓨터 물(computer product)을 수반한다. 컴퓨터 시스템의 프로세서에 의한 이러한 코드들의 실행은 상기 플랫폼이 본질적으로 본 명세서에서 설명되고 예시된 실시예들에서 수행된 방식으로 기능들을 수행할 수 있게 한다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 컴퓨터 또는 기계 "판독가능한 매체"와 같은 용어는 실행을 위해 프로세서에 명령어를 제공하는데 관여하는 여하한의 매체를 칭한다. 이러한 매체는 비휘발성 매체(non-volatile media), 휘발성 매체 및 전송 매체를 포함하는 다수의 형태를 취할 수 있으며, 이로 제한되지는 않는다. 비휘발성 매체는, 예를 들어 앞서 설명된 바와 같이 작동하는 컴퓨터(들)에 저장 디바이스와 같은 광학 또는 자기 디스크를 포함한다. 휘발성 매체는 컴퓨터 시스템의 주 메모리와 같은 동적 메모리를 포함한다. 물리적 전송 매체는 컴퓨터 시스템 내의 버스를 포함하는 와이어들을 포함하여, 동축 케이블, 구리선 및 광섬유(fiber optics)를 포함한다. 또한, 반송파 전송 매체는 전기 또는 전자기 신호들의 형태, 또는 무선 주파수(RF) 및 적외선(IR) 데이터 통신시 발생되는 파장들과 같은 음파(acoustic wave) 또는 광파의 형태를 취할 수도 있다. 그러므로, 컴퓨터 판독가능한 매체의 보편적인 형태들은, 예를 들어 플로피 디스크, 플렉서블 디스크(flexible disk), 하드 디스크, 자기 테이프, 여하한의 다른 자기 매체, CD-ROM, DVD, 여하한의 다른 광학 매체, 덜 보편적으로 사용되는 매체, 예컨대 펀치 카드, 종이 테이프, 홀 패턴을 갖는 여하한의 다른 물리적 매체, RAM, PROM, EPROM, FLASH-EPROM, 여하한의 다른 메모리 칩 또는 카트리지, 데이터 또는 명령을 전송하는 반송파, 이러한 반송파를 전송하는 케이블 또는 링크, 또는 컴퓨터가 판독하거나 프로그래밍 코드들 및/또는 데이터를 보낼 수 여하한의 다른 매체를 포함한다. 이러한 형태의 다수의 컴퓨터 판독가능한 매체는 실행을 위해 프로세서에 1 이상의 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 반송하는데 관여될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기의 설명은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 표면이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물에 침지되는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스와 투영 시스템의 제 1 요소 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (25)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패턴 지지체 - 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성됨- ;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더 - 상기 기판 홀더는 상기 기판과 접촉하는 지지 표면을 포함함 - ;
    상기 기판 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    세정 유닛을 포함하는 세정 시스템 - 상기 세정 유닛은 상기 기판 홀더의 상기 지지 표면으로부터 오염물을 제거하기 위해 상기 기판 홀더의 상기 지지 표면상에 라디칼(radical)들을 생성하도록 구축되고 구성됨 - 을 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 빔은 극자외 범위의 파장을 갖는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 라디칼들은 수소 라디칼들인 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 유닛은:
    수소 공급부와 연통하는 유입구, 및 진공 유닛과 연통하는 유출구를 포함하는 하우징; 및
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 라디칼들을 생성하기 위해 상기 하우징 내에 수소 플라즈마를 생성하도록 구성된 플라즈마 생성기를 포함하는 리소그래피 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성기는 RF 전극, DC 방전 전극, 또는 RF 코일을 포함하는 리소그래피 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 하우징은, 사용 시, 상기 지지 표면의 전체 또는 일부분 상에 상기 라디칼들을 생성하도록 상기 기판 홀더에 가깝게 위치되는 리소그래피 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 지지 표면에 의해 정의된 전체 영역을 실질적으로 덮도록 구축되고 구성된 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 홀더 및 상기 세정 유닛은, 사용 시, 서로에 대해 이동가능한 리소그래피 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 세정 유닛은 상기 지지 표면에 실질적으로 수직인 방향을 따라 이동가능한 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 시스템은 상기 지지 표면상의 오염을 검출하도록 구성된 오염 검출 시스템, 및 상기 오염 검출 시스템 및 상기 세정 유닛과 통신하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 오염 검출 시스템의 검출 결과에 기초하여, 상기 세정 유닛, 상기 기판 홀더, 또는 둘 모두의 위치를 제어하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 시스템은 수소 분위기가 유지되는 상기 리소그래피 장치 내의 일 영역에 위치되고, 상기 세정 유닛은:
    복수의 개구부들, 및 진공 유닛과 연통하는 유출구를 포함하는 하우징 - 상기 복수의 개구부는 상기 수소 분위기와 상기 하우징의 내부 사이의 가스 연통을 가능하게 함 - , 및
    상기 하우징의 내부에 배치되고, 상기 라디칼들을 생성하기 위해 수소 플라즈마를 생성하도록 구성된 플라즈마 생성기 - 상기 수소 분위기는 상기 플라즈마 생성기용 수소 공급부로서 기능하도록 구성됨 - 를 포함하는 리소그래피 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하우징은 메시 재료(mesh material)로 만들어지는 리소그래피 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 유닛은 수소의 유동 내에 위치된 고온 요소를 포함하고, 상기 고온 요소의 온도는 상기 라디칼들을 생성하기 위해 열 해리를 유도하기에 충분한 리소그래피 장치.
  14. 디바이스 제조 방법에 있어서,
    방사선 빔을 컨디셔닝하는 단계;
    상기 방사선 빔을 패터닝하여, 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계;
    기판 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계 - 상기 기판은 기판 홀더의 지지 표면에 의해 지지됨 - ; 및
    상기 기판 홀더의 지지 표면으로부터 오염물을 제거하기 위해, 상기 기판 홀더의 지지 표면상에 라디칼들을 생성하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 방사선 빔은 극자외 범위의 파장을 갖는 디바이스 제조 방법.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 라디칼들은 수소 라디칼들인 디바이스 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는:
    하우징의 내부에 수소를 공급하는 단계; 및
    상기 라디칼들을 생성하도록 상기 하우징 내에 수소 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 공급하는 단계는 상기 기판 홀더가 위치된 영역에 수소 분위기를 유지하는 단계를 포함하고, 상기 수소 분위기는 상기 하우징 내에 상기 플라즈마를 생성하기 위해 수소 공급부로서 기능하도록 구성되는 디바이스 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 하우징은 메시 재료로 만들어지는 디바이스 제조 방법.
  20. 제 17 항 내지 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수소는 상기 기판 홀더가 위치된 영역 외부에 위치된 수소 소스로부터 공급되는 디바이스 제조 방법.
  21. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 RF 전극, DC 방전 전극 또는 RF 코일로 생성되는 디바이스 제조 방법.
  22. 제 17 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 표면의 전체 또는 일부분 상에 상기 라디칼들을 생성하기 위해, 상기 하우징을 상기 기판 홀더에 가깝게 위치시키도록, 상기 하우징, 상기 기판 홀더, 또는 둘 모두를 이동시키는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 지지 표면에 의해 정의된 전체 영역을 실질적으로 덮도록 구축되고 구성된 디바이스 제조 방법.
  24. 제 17 항 내지 제 23 항에 있어서,
    상기 지지 표면의 오염을 검출하는 단계, 및
    상기 검출하는 단계에 기초하여, 상기 지지 표면의 전체 또는 일부분 상에 상기 라디칼들을 생성하기 위해, 상기 하우징을 상기 기판 홀더에 가깝게 위치시키도록, 상기 세정 유닛, 상기 기판 홀더, 또는 둘 모두를 제어하는 단계를 더 포함하는 디바이스 제조 방법.
  25. 제 14 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 생성하는 단계는 고온 요소 내에 수소 유동을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 고온 요소의 온도는 상기 라디칼들을 생성하기 위해 열 해리를 유도하기에 충분한 디바이스 제조 방법.
KR1020107004512A 2007-07-30 2008-07-25 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 KR20100053591A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/882,081 2007-07-30
US11/882,081 US7894037B2 (en) 2007-07-30 2007-07-30 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100053591A true KR20100053591A (ko) 2010-05-20

Family

ID=39885050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107004512A KR20100053591A (ko) 2007-07-30 2008-07-25 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7894037B2 (ko)
JP (1) JP5188576B2 (ko)
KR (1) KR20100053591A (ko)
CN (2) CN101765811B (ko)
NL (1) NL1035732A1 (ko)
TW (1) TW200916976A (ko)
WO (1) WO2009015838A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190025011A (ko) * 2016-07-04 2019-03-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 홀더 검사 장치, 이를 구비한 도금 장치, 및 외관 검사 장치

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763532B1 (ko) * 2006-08-17 2007-10-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법
NL1036618A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system.
WO2009121385A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Cleaning module and euv lithography device with cleaning module
NL1036832A1 (nl) * 2008-04-15 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus comprising an internal sensor and a mini-reactor, and method for treating a sensing surface of an internal sensor of a lithographic apparatus.
NL2005739A (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Asml Netherlands Bv Object with an improved suitability for a plasma cleaning treatment.
DE102010044970A1 (de) * 2010-09-10 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsmodul für Komponenten von Halbleiterlithographieanlagen und Halbleiterlithographieanlagen
JP5709546B2 (ja) * 2011-01-19 2015-04-30 キヤノン株式会社 エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法
JP5703841B2 (ja) * 2011-02-28 2015-04-22 凸版印刷株式会社 反射型マスク
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
KR102112881B1 (ko) 2012-03-28 2020-05-19 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 전자도금 기판 홀더들을 세정하기 위한 방법들 및 장치들
US9476139B2 (en) 2012-03-30 2016-10-25 Novellus Systems, Inc. Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US9746427B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US8901523B1 (en) * 2013-09-04 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus for protecting EUV optical elements
US9539622B2 (en) * 2014-03-18 2017-01-10 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of active cleaning of EUV optic with RF plasma field
EP3129833B1 (en) * 2014-04-09 2018-05-02 ASML Netherlands B.V. Apparatus for cleaning an object
CN104226637B (zh) * 2014-07-18 2016-06-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于清洗受污染光学元件的氢原子收集装置与清洗方法
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
US9888554B2 (en) * 2016-01-21 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector
KR102617773B1 (ko) * 2017-06-01 2023-12-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 입자 제거 장치 및 관련 시스템
JP7145893B2 (ja) * 2017-06-29 2022-10-03 ラム リサーチ コーポレーション ウエハ保持装置上におけるめっきの遠隔検知
EP3447581A1 (en) * 2017-08-23 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. A clear-out tool, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
US11270906B2 (en) * 2017-10-27 2022-03-08 Asml Holding N.V. Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications
US11448955B2 (en) * 2018-09-27 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mask for lithography process and method for manufacturing the same
US11360384B2 (en) * 2018-09-28 2022-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating and servicing a photomask
WO2020094517A1 (en) 2018-11-09 2020-05-14 Asml Holding N.V. Lithography support cleaning with cleaning substrate having controlled geometry and composition
TW202043725A (zh) * 2019-03-25 2020-12-01 日商亞多納富有限公司 氣體分析裝置gas analyzer
CN110161808B (zh) * 2019-05-09 2022-02-22 上海华力微电子有限公司 光栅尺清洁装置和方法、光刻机
JP7401396B2 (ja) * 2020-06-04 2023-12-19 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法、及びインプリント装置のための測定方法
CN112139151A (zh) * 2020-09-11 2020-12-29 韩山师范学院 一种大型设备表面清理装置
US11392041B2 (en) * 2020-09-28 2022-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Particle removal device and method
EP4068000A1 (en) * 2021-03-30 2022-10-05 ASML Netherlands B.V. Conditioning apparatus and method
CN114200778A (zh) * 2021-06-25 2022-03-18 四川大学 一种极紫外光刻机lpp光源收集镜的等离子体原位清洗结构
US11520246B1 (en) 2021-08-30 2022-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Highly efficient automatic particle cleaner method for EUV systems
CN114454071A (zh) * 2022-02-21 2022-05-10 上海华力微电子有限公司 承载台清洁装置及光刻系统

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
US5825470A (en) * 1995-03-14 1998-10-20 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3585606B2 (ja) * 1995-09-19 2004-11-04 アネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置の電極装置
US5746928A (en) * 1996-06-03 1998-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus
US5834371A (en) * 1997-01-31 1998-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof
TW484039B (en) 1999-10-12 2002-04-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus and method
JP2001203135A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 露光装置のクリーニング方法および露光装置
JP2002280365A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Applied Materials Inc 静電チャックのクリーニング方法
EP1329773A3 (en) 2002-01-18 2006-08-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method
EP1329770A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2003234265A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Canon Inc 露光装置
US20040105084A1 (en) 2002-09-30 2004-06-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1939690A1 (en) 2002-12-13 2008-07-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG115621A1 (en) * 2003-02-24 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus
US6919573B2 (en) * 2003-03-20 2005-07-19 Asml Holding N.V Method and apparatus for recycling gases used in a lithography tool
KR101095394B1 (ko) * 2003-05-22 2011-12-16 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 하나 이상의 광학 컴포넌트를 클리닝하기 위한 방법 및장치
TWI402890B (zh) * 2005-01-24 2013-07-21 尼康股份有限公司 Measurement methods, measurement systems, inspection methods, inspection systems, exposure methods and exposure systems
US7502095B2 (en) * 2005-03-29 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP5033126B2 (ja) * 2005-06-21 2012-09-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照射ユニット内の光学表面の洗浄化処理および後処理の方法
US8317929B2 (en) * 2005-09-16 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus
JP2007173344A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Canon Inc 洗浄方法及び装置、露光装置、並びに、デバイス製造方法
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7522263B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20070146658A1 (en) 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7491951B2 (en) * 2005-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, system and device manufacturing method
US7473908B2 (en) 2006-07-14 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus and method for cleaning a surface

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190025011A (ko) * 2016-07-04 2019-03-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 홀더 검사 장치, 이를 구비한 도금 장치, 및 외관 검사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW200916976A (en) 2009-04-16
US7894037B2 (en) 2011-02-22
JP5188576B2 (ja) 2013-04-24
WO2009015838A1 (en) 2009-02-05
CN103543614B (zh) 2016-03-09
CN103543614A (zh) 2014-01-29
JP2010534946A (ja) 2010-11-11
CN101765811B (zh) 2013-11-20
NL1035732A1 (nl) 2009-02-02
US20090033889A1 (en) 2009-02-05
CN101765811A (zh) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7894037B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7315346B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7332731B2 (en) Radiation system and lithographic apparatus
EP1429189B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100656580B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR101083747B1 (ko) 세정 방법, 장치 및 세정 시스템
KR20080015048A (ko) 리소그래피 장치 및 그 세정 방법
TWI390360B (zh) 元件製造方法及微影裝置
KR20100124308A (ko) 리소그래피 장치, 플라즈마 소스, 및 반사 방법
TWI539242B (zh) 微影裝置及元件製造方法
US20080231820A1 (en) Contamination prevention system, a lithographic apparatus, a radiation source and a method for manufacturing a device
JP5005748B2 (ja) 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP4564019B2 (ja) 酸化物の量を減らす方法および酸化物の量を減らすための調整システム
JP2005183973A (ja) リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US20090074962A1 (en) Method for the protection of an optical element of a lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20100121677A (ko) 자석을 포함하는 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에서 자석의 보호를 위한 방법, 및 디바이스 제조 방법
CN114503034A (zh) 清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制造方法
US20070238261A1 (en) Device, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5220835B2 (ja) プラズマクリーニング処理への改良された適合性を有するオブジェクト
CN114072732A (zh) 用于对图案化装置和其他衬底进行表面处理的表面处理设备和方法
NL2023973A (en) A cleaning device, a lithography apparatus, a method of removing water or other contaminant and a device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid