JP4564019B2 - 酸化物の量を減らす方法および酸化物の量を減らすための調整システム - Google Patents
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Claims (15)
- 装置内の酸化物の量を減らす方法であって、当該装置は、ある量の汚染材料とある量の酸化物を含むチャンバを備えており、当該酸化物とは前記汚染材料の酸化物であり、
前記チャンバの少なくとも一部内に水素含有ガスを供給すること、
前記チャンバの少なくとも一部内に所定の最低水素含有ガス分圧を作ること、
前記チャンバの少なくとも一部の中で所定の最高酸化剤ガス分圧を作ること、
作られた前記所定の最高酸化剤ガス分圧および最低水素含有ガス分圧を前提とする熱力学的平衡において、前記汚染材料の量が前記酸化物の量の少なくとも10倍多くなる第1の温度を予め求めておき、前記熱力学的平衡においては、前記第1の温度よりも、少なくとも高い第2の温度に、前記チャンバの少なくとも一部内を維持すること、
前記チャンバの少なくとも一部内に前記汚染材料の少なくとも一部を取り除くためのハロゲン含有ガスを供給すること、
を備える方法。 - 前記酸化剤ガス分圧は10-8〜10-1バールの範囲から選ばれ、
前記水素含有ガス分圧は10-4〜101バールの範囲から選ばれる、
請求項1に記載の方法。 - 前記水素含有ガスが水素であり、
前記酸化剤ガスが酸素であり、
前記汚染材料が錫であり、
前記酸化物が酸化錫である、
請求項1又は2に記載の方法。 - リソグラフィ装置内でデバイスを製造する方法であって、当該リソグラフィ装置は、ある量の汚染材料とある量の酸化物を含むチャンバを備えており、当該酸化物とは前記汚染材料の酸化物であり、
前記チャンバの少なくとも一部内に水素含有ガスを供給すること、
前記チャンバの少なくとも一部内に所定の最低水素含有ガス分圧を作ること、
前記チャンバの少なくとも一部内に所定の最高酸化剤ガス分圧を作ること、
作られた前記所定の最高酸化剤ガス分圧および最低水素含有ガス分圧を前提とする熱力学的平衡において、前記汚染材料の量が前記酸化物の量の少なくとも10倍多くなる第1の温度を予め求めておき、前記熱力学的平衡においては、前記第1の温度よりも、少なくとも高い第2の温度に、前記チャンバの少なくとも一部内を維持すること、
前記チャンバの少なくとも一部内に前記汚染材料の少なくとも一部を取り除くためのハロゲン含有ガスを供給すること、
少なくとも部分的に放射感応性材料の層によって覆われた基板上に、パターン付き放射ビームを投影すること、
を備える方法。 - 前記水素含有ガスが水素であり、
前記酸化剤ガスが酸素であり、
前記汚染材料が錫であり、
前記酸化物が酸化錫である、
請求項4に記載の方法。 - チャンバと制御ユニットとを備えた、酸化物の量を減らすための調整システムであって、当該チャンバは、ある量の汚染材料とある量の酸化物を含み、当該酸化物とは前記汚染材料の酸化物であり、前記チャンバは、
前記チャンバの少なくとも一部内に水素含有ガスを供給するように構成された入口と、
前記チャンバの少なくとも一部内に配置された、洗浄対象エレメントと、
前記洗浄対象エレメントを加熱するための加熱エレメントと
を備え、
前記制御ユニットは、中に入れた酸化剤ガス分圧および水素含有ガス分圧を前提とする熱力学的平衡において、前記汚染材料の量が前記酸化物の量の少なくとも10倍多くなる第1の温度を予め求めておき、前記熱力学的平衡においては、前記第1の温度よりも、少なくとも高い第2の温度に、前記チャンバ内の温度を維持するように、前記加熱エレメントの駆動制御を行い、かつ、前記チャンバの少なくとも一部内に前記汚染材料の少なくとも一部を取り除くためのハロゲン含有ガスを供給するように構成されている、
調整システム。 - 前記水素含有ガスが水素であり、
前記酸化剤ガスが酸素であり、
前記汚染材料が錫であり、
前記酸化物が酸化錫である、
請求項6に記載の調整システム。 - 前記チャンバ内の温度を測定するように構成された温度測定デバイスをさらに備えており、
前記制御ユニットは、当該温度測定デバイスによって測定された温度に基づいて前記加熱エレメントの駆動制御を行うように構成されている、
請求項6又は7に記載の調整システム。 - 前記チャンバ内のガス組成は、少なくとも水素ガスと酸素ガスのガス分圧を測定するように構成されたガス分圧測定デバイスによって測定され、
前記制御ユニットは、測定された少なくとも水素ガスと酸素剤ガスの前記ガス分圧に基づいて前記加熱エレメントの駆動制御を行うように構成されている、
請求項6〜8のいずれか1項に記載の調整システム。 - 前記入口が調節可能な断面を含み、
前記制御ユニットはさらに、前記ガス分圧測定デバイスによって測定された水素ガス分圧に応じて前記入口の断面の調節を制御するように構成されている、
請求項9に記載の調整システム。 - 前記入口には、前記水素含有ガスを濾過するための化学フィルタが設けられている、
請求項6〜10のいずれか1項に記載の調整システム。 - 前記チャンバからのガス除去を制御するポンプに接続された出口をさらに備えており、
前記制御ユニットはさらに、前記ガス分圧測定デバイスによって測定された酸化剤ガス分圧に応じて前記ポンプのポンプ容量を調節するように構成されている、
請求項6〜11のいずれか1項に記載の調整システム。 - 前記酸化剤ガス分圧は10-8〜10-1バールの範囲から選ばれ、
前記水素含有ガス分圧は10-4〜101バールの範囲から選ばれる、
請求項6〜12のいずれか1項に記載の調整システム。 - 放射ビームを調整するように構成された照明システム、
放射ビームの断面にパターンをつけて、パターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体、
基板を保持するように構成された基板テーブル、および
当該基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システム
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記照明システムは、チャンバと制御ユニットとを備えた、酸化物の量を減らすための調整システムを備え、当該チャンバは、ある量の汚染材料とある量の酸化物を含み、当該酸化物とは前記汚染材料の酸化物であり、前記チャンバは、前記チャンバの少なくとも一部に水素含有ガスを供給するように構成された入口と、前記チャンバの少なくとも一部の中に配置された、洗浄対象エレメントと、前記洗浄対象エレメントを加熱するための加熱エレメントとを備え、前記制御ユニットは、中に入れた酸化剤ガス分圧および水素含有ガス分圧を前提とする熱力学的平衡において、前記汚染材料の量が前記酸化物の量の少なくとも10倍多くなる第1の温度を予め求めておき、前記熱力学的平衡においては、前記第1の温度よりも、少なくとも高い第2の温度に、前記チャンバ内の温度を維持するように、前記加熱エレメントの駆動制御を行い、かつ、前記チャンバの少なくとも一部内に前記汚染材料の少なくとも一部を取り除くためのハロゲン含有ガスを供給するように構成されている、
リソグラフィ装置。 - 前記水素含有ガスが水素であり、
前記酸化剤ガスが酸素であり、
前記汚染材料が錫であり、
前記酸化物が酸化錫である、
請求項14に記載のリソグラフィ装置。
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