JP2011512688A - 磁石を含むリソグラフィ装置、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法およびデバイス製造方法 - Google Patents

磁石を含むリソグラフィ装置、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011512688A
JP2011512688A JP2010547581A JP2010547581A JP2011512688A JP 2011512688 A JP2011512688 A JP 2011512688A JP 2010547581 A JP2010547581 A JP 2010547581A JP 2010547581 A JP2010547581 A JP 2010547581A JP 2011512688 A JP2011512688 A JP 2011512688A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnet
gas
lithographic apparatus
hydrogen
protective housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010547581A
Other languages
English (en)
Inventor
ムアズ，ヨハネス，フーベルトゥス，ジョセフィナ
コステル，ノベルタス，ベネディクタス
ループストラ，エリック，ルーロフ
スミーツ，マーティン，フランス，ピエール
ケンペン，アントニウス，セオドロス，ウィルヘルムス
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
Publication of JP2011512688A publication Critical patent/JP2011512688A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

リソグラフィ装置（１）は保護筐体（１１０）内に含まれる磁石（１００）を含み、保護筐体（１１０）はＨ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から磁石（１００）を保護するように構成される。筐体（１１０）は、水素ゲッター（１２０）、磁石表面改質ガス（１３０）または水素非含有ガス（１３０）をさらに含むことができる。保護筐体（１１０）の少なくとも一部を通って水素非含有ガス流または磁石表面改質ガス流を提供することができる。
【選択図】図３

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２００８年２月２０日に出願した米国仮出願第６１／０６４，１６５号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
[0002] 本発明は、磁石を含むリソグラフィ装置、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法およびデバイス製造方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0004] リソグラフィ装置において、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは投影放射の波長により制限することができる。デバイスをより高密度に備え、したがってより速い動作速度を有する集積回路を生産するためには、より小さなフィーチャを結像できることが望ましい。近年のリソグラフィ投影装置の殆どが水銀ランプまたはエキシマレーザにより生成される紫外線を使用する一方で、例えば、約１３ｎｍといったより短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。
[0005] ＥＵＶ放射の放射源は、典型的にはプラズマ源、例えば、レーザ生成プラズマ源または放電源である。あらゆるプラズマ源に共通する特徴は、速いイオンおよび原子の生成であり、これらはプラズマから全方向に放出される。これらの粒子は、通常もろい表面を有する多層ミラーまたはかすめ入射ミラーであるコレクタおよびコンデンサミラーに損傷を与える場合がある。この表面は、プラズマから放出される粒子の衝撃またはスパッタリングによって徐々に劣化され、従ってミラーの寿命は短くなる。スパッタリングの影響は、放射コレクタまたは集光ミラーで特に問題になる。このミラーの目的は、プラズマ源によって全方向に放たれた放射を集め、この放射を照明システム内の他のミラーへと誘導することである。放射コレクタは、プラズマ源に非常に近く、かつ当該プラズマ源との照準線上に位置しているので、プラズマから大きな束の高速粒子を受け取る。このシステム中のその他のミラーは、ある程度遮蔽され得るので、一般に、プラズマから放出される粒子のスパッタリングによる損傷の程度は小さい。
[0006] 近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）源は、おそらく、ＥＵＶ放射を生成するためにスズ（Ｓｎ）または別の金属蒸気を使用することになるだろう。このスズは、リソグラフィ装置内に漏れることがあり、リソグラフィ装置内のミラー、例えば、放射コレクタのミラー上に堆積する。このような放射コレクタのミラーは、例えば、ルテニウム(Ｒｕ)からなるＥＵＶ反射上層を有することができる。反射Ｒｕ層上の約１０ｎｍを上回るスズ（Ｓｎ）の堆積物は、バルクＳｎと同じ態様でＥＵＶ放射を反射する。スズの反射係数はルテニウムの反射係数よりもかなり低いので、コレクタの全体の透過率は大幅に減少することがある。放射源からのデブリ、またはこのデブリによって発生される二次粒子が放射コレクタ上に堆積するのを防止するために、汚染物質バリアを使用してもよい。そのような汚染物質バリアまたはトラップはデブリの一部を除去し得るが、依然として、放射コレクタまたはその他の光学素子上にいくらかのデブリは堆積する。
[0007] デブリを除去するために、例えば国際公開公報第ＷＯ２００８／００２１３４号に記載された、例えば水素ラジカル洗浄を含む洗浄方法が検討されてきた。このようにして、Ｈ２および水素ラジカルはリソグラフィ装置の少なくとも一部に導入される。
[0008] リソグラフィ装置は、シャッターの制御などといった複数の用途、あるいは部品をフレームおよびステージなどに取り付けるためのモータまたはアクチュエータにおける用途（例えば、米国特許出願公開第２００７／０１４５８３１号を参照）のために使用できる１つ以上の磁石を含んでよい。
[0009] 磁石を含む別のリソグラフィ装置を提供することが本発明の一態様である。リソグラフィ装置における磁石を保護する方法を提供することが本発明のさらなる態様である。デバイス製造方法を提供することが本発明のさらなる別の態様である。
[0010] そのために、内部空間を有する少なくとも１つのチャンバと、磁石と、保護筐体(enclosure)であって、保護筐体の中に磁石が含まれており、保護筐体は保護筐体内に存在する水素含有ガスとの接触から磁石を保護するように構成される、保護筐体とを含み、水素含有ガスは、Ｈ２含有ガスおよびＨ原子含有ガスからなる群から選択された１つ以上のガスを含む、リソグラフィ装置が提供されてよい。水素原子およびＨ２は磁石を攻撃することがあり、特に磁石はＮｄ、Ｓｍ、Ｌａなどの希土類を含むため、リソグラフィ装置に存在し得る水素含有ガスとの接触から磁石を保護するように構成された保護筐体は、磁石のより長い寿命および／またはより良い動作を提供することができる（すなわち、磁石を保護する）。筐体の使用は水素原子およびＨ２による攻撃を減少または防止することができる。筐体は、特に、リソグラフィ装置のチャンバの内部空間に存在し得る水素含有ガスと磁石との接触を保護するように構成される。したがって、保護筐体は、特に、リソグラフィ装置のチャンバの内部空間の残りの部分から磁石を除外するように構成される。本明細書中、リソグラフィ装置内部は、リソグラフィ装置体積または保護筐体外部とも呼ぶ。リソグラフィ装置では、約０．１〜１００Ｐａの範囲内のＨ２圧力が適用されてもよい。さらに、例えば洗浄プロセスの途中で水素原子（または水素ラジカル）が存在してもよい（例えば、国際公開公報第ＷＯ２００８／００２１３４号を参照）。
[0011] 完全に閉じられた筐体でさえもリソグラフィ装置に存在するＨ２および／または水素原子が筐体内へと入ることを可能にし得る漏れまたは割れを含むか、またはいずれはそれらを発生させることがあるため、水素ゲッターをさらに用いて磁石をより一層保護することができる。一実施形態では、保護筐体は水素ゲッターをさらに囲う。水素ゲッターは、例えばＳｍまたはＬａなどの希土類金属、Ｐｄなどの貴金属、水素化することができる炭化水素、あるいは当該技術分野で公知である水素に対する他のゲッターであってもよい。本明細書中、水素ゲッターは、それ自体の質量の非常に重要な割合、例えば結合されていないゲッターに対して（すなわち、保護筐体内のＨ２および／またはＨをまだ結合していないゲッターに対して）０．０１〜５０ｗｔ．％、特に０．０１〜１０ｗｔ．％の範囲に水素原子および／またはＨ２を結合することができる材料である。そのようなゲッターは当該技術分野では公知である。一実施形態では、２つ以上のゲッターの組み合わせが適用されてもよい。「ゲッター」という用語は、Ｓｍ、Ｌａなどの固体ゲッターおよび／またはエテン、プロペンなどの水素化することができる炭化水素などのガスゲッターおよび／または液体ゲッターからなる群から選択された１つ以上のものを呼ぶ。
[0012] 一実施形態では、磁石表面改質ガスを用いることによって磁石を代替的または付加的に保護することができる。例えば、保護筐体はそのような磁石表面改質ガスを囲うことができる。適した磁石表面改質ガスは、Ｏ２、空気または水蒸気などのＯ２含有ガスである。そのような磁石表面改質ガスは、Ｈ２またはＨの存在がもはや有害なものではないような程度に表面を改質するために加えられてよい。例えば、磁石表面改質ガスは、保護コーティングを物理的に形成するが、保護コーティングを化学的にも形成し得る。例えば、Ｏ２含有ガスを用いた場合、磁石の表面はＯ２が存在する結果として酸化物コーティングを形成することができ、それによってＨおよび／またはＨ２に対して磁石を効果的に保護する。保護筐体内の酸素は、水素化の代わりに常に酸化の方向において表面での化学反応を可能にし得る。一実施形態では、保護筐体は磁石表面改質ガスをさらに囲ってもよい。
[0013] 明細書中、「水素含有ガス」という用語は、Ｈ２含有ガスとも示される水素分子（すなわち、Ｈ２およびその類似体）を含むガス、および／または水素原子含有ガスとも示される水素ラジカル（すなわち、Ｈおよびその類似体）を含むガスを指す。水素原子または水素ラジカルの類似体はＤ（重水素）およびＴ（三重水素）を含み、Ｈ２の類似体はＤ２、Ｔ２、ＨＤ、ＴＤおよびＨＴを含む。分かりやすくするために、Ｈ２（その類似体を含む）およびＨ（その類似体を含む）はそれぞれＨ２およびＨと以下に示される。したがって、Ｈ２はＨ２、Ｄ２、Ｔ２、ＨＤ、ＴＤおよびＨＴからなる群から選択された１つ以上を指すことができ、ＨはＨ、ＤおよびＴからなる群から選択された１つ以上を指すことができる。
[0014] 本明細書中、「Ｈ２含有ガス」または「Ｏ２含有ガス」という用語は、Ｈ２含有ガスの場合においてはＨ２および１つ以上の希ガスの混合物などの希釈Ｈ２、またＯ２含有ガスの場合においては希釈Ｏ２（空気等）または純Ｏ２などといったように、同様の分子を含むまたはそれからなるガスに関する。水素含有ガスという用語は、一般には水素ラジカルおよびＨ２を含むガスを指す。
[0015] 別の実施形態では、磁石は保護ガスで維持される。これは水素非含有ガスを保護筐体内へと供給することによって達成することができる。したがって、一実施形態では、保護筐体は水素非含有ガスのための入口をさらに含み、リソグラフィ装置は保護筐体内の水素非含有ガスの所定の圧力を制御するように構成されたコントローラをさらに含んでもよい。このようにして、例えば、保護筐体内の大気を保護筐体の外部の圧力より高い圧力で維持することができる。よって、保護筐体内へのＨ２ガスまたはＨラジカルの漏れを減少または防止さえもできる。一実施形態ではそのような水素非含有ガスは、例えば上記したように、磁石表面改質ガスも含む。保護筐体内部圧力に対する保護筐体の外部の圧力の比率は、例えば約１．０１〜１０，０００の範囲または約１．１〜１０，０００の範囲など、約１より大きくてよい。磁石表面改質ガスは、定義上、水素非含有ガスであることに留意されたい。
[0016] 「水素非含有ガス」という用語は、Ｈ２（またはその類似体、Ｄ２、Ｔ２、ＨＤ、ＴＤ、ＨＴなど）を実質的に含まないガスを指す。一実施形態では、「水素非含有ガス」は、約１０ｐｐｍ未満または約１ｐｐｍ未満、あるいは約１０〜０．００１ｐｐｍの範囲内の容量のＨ２（Ｈ２類似体を含む）を有する。一実施形態では、「水素非含有ガス」という用語は、Ｈ（またはその類似体、ＤおよびＴなど）を含まず、約１０ｐｐｍ未満または約１ｐｐｍ未満、あるいは約１０〜０．００１ｐｐｍの範囲内の容量のＨ（Ｈ類似体を含む）を有する。
[0017] 保護筐体は、水素ゲッター、水素非含有ガスおよび磁石表面改質ガスからなる群から選択された１つ以上の磁石プロテクタをさらに囲むことができる。一実施形態では水素非含有ガスは磁石表面改質ガスを含み得るため、保護筐体は、水素ゲッターおよび水素非含有ガスからなる群から選択された１つ以上の磁石プロテクタを含んでよい。
[0018] 一実施形態では、保護筐体は、保護筐体からのガスの漏れを検出するように構成された検出器をさらに含んでよい。そのような検出器は、保護筐体からのガスが保護筐体の外部空間に漏れているか否かを測定するために保護筐体の外側に構成されてよい。そのような検出器は、例えば質量分光計であってよい。水素非含有ガスまたは磁石表面改質ガスは、検出を容易にするために選ばれたガス、例えば、ＨｅまたはＮｅなどの非常に活動的で軽いガス、あるいは化学的、分光学的または質量選択検出器によって比較的容易に検出され得る別の希ガスを含んでよい。
[0019] 上記の実施形態では、保護筐体に囲われたまたは保護筐体に供給されたガスは、例えば内部ガス圧がある所定の圧力または圧力比以下に低下した場合（上記も参照）にのみ、ガスが保護筐体に加えられるという意味で、実質的に静的な実施形態または状態を提供することができる。しかしながら、別の実施形態では、実質的に動的な状態または実施形態が生成されることがあり、ここでは保護筐体を通るガス流が提供される。したがって、特定の実施形態では、保護筐体は、水素非含有ガスのための入口および（保護筐体からのガスのための）出口をさらに含み、リソグラフィ装置は、保護筐体の少なくとも一部を通る水素非含有ガスの流れを制御するように構成されたコントローラを任意的にさらに含んでよい。出口は保護筐体からガスが出ることが可能になるように設計された開口部である一方、漏れまたは割れはガスが出ることが可能になるように設計されていないが、例えば保護筐体の生成中またはリソグラフィ装置の動作中に発生し得る開口部であることに留意されたい。そのような実施形態では、保護筐体は（上記したように磁石表面改質ガスを含み得る）水素非含有ガスで浄化される。
[0020] さらなる態様によると、本発明は、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法であって、例えば保護筐体の上記の実施形態および本明細書中にさらに説明される実施形態を用いて、水素原子含有ガスとの接触から磁石を保護するように構成された保護筐体内に磁石を含むことを含む方法を提供する。
[0021] 一実施形態では、磁石を保護する方法は、（磁石表面改質ガスを含む）水素非含有ガスを保護筐体内へと供給することを含んでよい。一実施形態では、方法は、筐体の少なくとも一部を通って（磁石表面改質ガスを含む）水素非含有ガスを流すことを含んでもよい。
[0022] さらなる態様によると、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、リソグラフィ装置は磁石を含んでおり、方法は、水素含有ガスとの接触から磁石を保護するように構成された保護筐体内に磁石を含むことを含み、水素含有ガスはＨ２含有およびＨ原子含有ガスからなる群から選択される、方法が提供される。磁石は、上記の実施形態によって保護筐体に囲われ、かつ保護される。
[0023] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射を生成するように構成された放射源を含んでおり、放射源はＳｎプラズマ源である。本明細書中、「ＥＵＶ放射を生成するように構成された」という用語は、特に、ＥＵＶ放射を生成するように設計され、かつＥＵＶリソグラフィで使用されるように設計された放射源を指す。特定の実施形態では、放射源は、レーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ源）または放電生成プラズマ源（ＤＰＰ源）をそれぞれ含む。
[0024] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含む。一実施形態では、リソグラフィ装置はＥＵＶリソグラフィ装置である。リソグラフィ装置は、放射ビームを生成するように構成された放射源を含んでおり、特に一実施形態ではこの放射ビームはＥＵＶ放射ビームであり、放射源はＥＵＶ放射を生成するように構成される。
[0025] 一実施形態では、磁石は、ＮｄまたはＳｍ含有磁石などの希土類元素含有磁石である。
[0026] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0027] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0028] 図２は、図１のリソグラフィ装置の一実施形態によるＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図を概略的に示す。 [0029] 図３は、図１のリソグラフィ装置における磁石筐体の一実施形態を概略的に示す。 [0030] 図４は、図１のリソグラフィ装置における磁石筐体の一実施形態を概略的に示す。 [0031] 図５は、図１のリソグラフィ装置における磁石筐体の一実施形態を概略的に示す。
[0032] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。このリソグラフィ装置１は、放射を生成する放射源ＳＯ、および放射源ＳＯから受けた放射からの放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。放射源ＳＯは別個の構成部品として設けられてもよい。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
[0033] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0034] サポートは、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0035] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
[0036] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0037] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0038] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0039] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0040] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
[0041] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0042] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイスを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0043] 放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0044] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
ａ．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
ｂ．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
ｃ．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0045] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0046] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0047] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、および極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０ｎｍ〜３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射はＩＲ放射とされている。ＵＶは、約１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいて、これは、通常、水銀放電ランプによって生成することができる波長にも適用される：Ｇ線４３６ｎｍ；Ｈ線４０５ｎｍ；および／またはＩ線３６５ｎｍ。ＶＵＶは真空ＵＶ（すなわち、空気に吸収されるＵＶ）であり、約１００ｎｍ〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは深ＵＶであり、リソグラフィにおいて１２６ｎｍ〜２４８ｎｍのようなエキシマレーザによって生成される波長に対して通常使用される。当業者は、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射が、少なくとも一部が５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関することを理解するであろう。
[0048] 図２は、放射システム４２、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳを含む投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマによって形成され得る放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放つために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気あるいはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電によって引き起こすことによって生成される。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要とされることがある。一実施形態では、ＥＵＶ源としてスズ（Ｓｎ）源が適用される。放射源ＳＯによって放たれる放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７における開口部内またはその後方に位置決めされた汚染物質トラップ４９（汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ぶ）または任意選択のガスバリアを介してコレクタチャンバ４８へと進む。汚染物資トラップ４９は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ４９は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせも含んでもよい。本明細書においてさらに述べられる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア４９は、当該技術分野において公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。
[0049] コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０（本明細書中、集光ミラーとも呼ぶ）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａおよび下流放射コレクタ側５０ｂを有する。コレクタ５０を通った放射は、格子スペクトルフィルタ５１から反射してコレクタチャンバ４８内のアパーチャにおける仮想放射源ポイント５２に合焦することができる。放射ビーム５６は、コレクタチャンバ４８から、照明光学ユニット４４において法線入射リフレクタ５３および５４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスクへと反射する。パターン付けされたビーム５７が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて反射要素５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内には、通常、図示されたものよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに依存し、任意的に存在してもよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、５８および５９よりも１〜４個多くの反射要素が存在してもよい。放射コレクタ５０は、従来技術により公知である。
[0050] 集光ミラー５０としてのかすめ入射ミラーの代わりに、法線入射コレクタが適用されてもよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子化されたコレクタとして本明細書中の一実施形態により詳細に説明され、かつ特に図２に概略的に示されている集光ミラー５０は、本明細書中、コレクタ（または集光ミラー）の一例としてさらに使用されている。したがって、適用可能な箇所においては、かすめ入射コレクタとしての集光ミラー５０は、一般的にコレクタとしても解釈されてもよく、特定の一実施形態では法線入射コレクタとしても解釈されてもよい。
[0051] さらに、図２に概略的に示されるような格子５１の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよく、あるいは一実施形態では、フィルタ５１を全く使用しなくてもよい。ＥＵＶを透過させ、かつＵＶ放射をあまり透過させず、またはＵＶ放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当該技術分野では公知である。「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてさらに示される。図２には示されていないが、例えば集光ミラー５０の上流に構成されたＥＵＶ透過型光フィルタ、または照明ユニット４４および／または投影システムＰＳにおける光ＥＵＶ透過型フィルタが、任意選択の光学素子としても含まれてもよい。
[0052] 一実施形態では（上記も参照）、放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタであってもよい。コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはそのイメージは、光軸Ｏ上に配置される。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６（いくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られている）を含んでもよい。それらはシェルと呼ばれることもある。これらのリフレクタ（またはシェル）１４２、１４３および１４６は、入れ子化され、光軸Ｏの周りで回転対称であってもよい。図２では（および他の図においても）、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、かつ外側リフレクタは参照番号１４６で示されている。放射コレクタ５０は、ある体積、すなわち（１つまたは複数の）外側リフレクタ１４６内の体積を取り囲む。通常、（１つまたは複数の）外側リフレクタ１４６内のこの体積は、小さな開口部が存在することもできるが、円周方向で閉じている。全てのリフレクタ１４２、１４３および１４６が、１層の反射層または幾つかの反射層を少なくとも部分的に含む表面を含む。したがって、リフレクタ１４２、１４３および１４６（より多くのリフレクタが存在することもあり、３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタ（集光ミラーとも呼ぶ）５０の実施形態が本明細書中に含まれる）は、少なくとも部分的に放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射および集光するように設計され、リフレクタの少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するようには設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するようには設計されない。後者の部分を裏面と呼ぶこともできる。これらの反射層の表面上には、さらに、保護のために、または反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる光フィルタとして、キャップ層が存在してもよい。
[0053] 放射コレクタ５０は、通常、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯのイメージの近傍に配置される。各リフレクタ１４２、１４３および１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでもよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有することもあることを理解されたい。参照番号１８０は、２つのリフレクタの間、例えば、リフレクタ１４２と１４３との間の空間を示している。各リフレクタ１４２、１４３および１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでもよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有することもあることを理解されたい。参照番号１８０は、２つのリフレクタの間、例えば、リフレクタ１４２と１４３との間の空間を示している。
[0054] 図３は、リソグラフィ装置１によって囲われた保護筐体１１０を概略的に示す。リソグラフィ装置のあらゆる箇所に磁石が適用され得るため、リソグラフィ装置１は断続した筐体で示されている。参照番号８２はリソグラフィ装置内部の一部を示しており、ここでは磁石１００および保護筐体１１０が構成される。参照番号８２は、リソグラフィ装置１が含む保護筐体１１０の外部を示している。
[0055] 「磁石」および「筐体」という用語は、それぞれ複数の磁石および複数の筐体にも関することに留意されたい。分かりやすくするために、１つの保護筐体１１０には１つの磁石１００のみが本明細書中に概略的に示されているが、本発明はそのような構成に限定されない。
[0056] 筐体１１０は壁１１１を有しており、それによって磁石１００を体積１１２内で囲う。一般には、磁石１００の体積は保護筐体１１０の体積１１２（すなわち、保護筐体１１０によって囲われた体積）より小さい。筐体体積１１２と磁石１００の体積との比率は、約１．１〜２０の範囲内または約１．１〜１０の範囲内であってよい。
[0057] 筐体体積１１２はガス１３０を含んでよい。このガスは水素非含有ガスであってよい。一実施形態では、筐体体積１１２内の圧力は、約０．００１〜０．１Ｐａの範囲などといった真空範囲にある。筐体体積１１２は、例えばＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄなどの希土類金属といった水素ゲッター１２０をさらに含んでもよい。筐体１１０内の圧力はさらに大きくてもよい。一実施形態では、筐体１１０内の圧力は、約０．００１Ｐａから気圧より上、例えば約６バールまでの範囲であってよい。
[0058] このようにして、リソグラフィ装置１は磁石１００を含んでおり、かかる磁石１００は保護筐体１１０内に含まれており、かかる保護筐体１００は、リソグラフィ装置内部８２（の少なくとも一部）に存在し得るＨ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から磁石１００を保護するように構成されている。Ｈ２および／またはＨは磁石１００（特に、ＳｍまたはＬａなどの希土類元素を含む磁石）を攻撃し得ることが分かったため、保護筐体１１０は、リソグラフィ装置１（すなわち、リソグラフィ装置内部８２の一部）に存在し得るＨ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から磁石１００を保護するように構成され得る。これは、磁石１００のより長い寿命および／またはより良い動作を提供することができる（すなわち、磁石１００を保護する）。筐体１１０の使用は、Ｈラジカルおよび／またはＨ２による攻撃を防止または減少することができ、さらに参照番号１０１で示される磁石の表面は、Ｈ２および／またはＨ原子（またはＨラジカル）による攻撃から保護することができる。
[0059] 特定の実施形態では、水素非含有ガスは磁石表面改質ガスを含む。特に適した磁石表面改質ガスは、Ｏ２、空気または水蒸気などのＯ２含有ガスである。そのようなＯ２含有ガスは、磁石表面１０１の攻撃へと繋がりことがあり、それによって酸化物層を形成する。そのような酸化物層は、磁石１００をＨおよび／またはＨ２攻撃からさらに保護することができる。Ｏ２含有ガスなどの磁石表面改質ガスが筐体１１０内に存在した場合、表面１０１での反応は酸化的であり得る。
[0060] 図４では、保護筐体１１０が水素非含有ガス１３０を含む一実施形態を概略的に示す。このガスは磁石表面改質機能を有してもよく、よって磁石表面改質ガス１３５になるが、表面改質性能を有さない別のガスであってもよい。図４の水素非含有ガスは参照番号１３０で示される。図４は、水素非含有ガス１３０が参照番号１３５で示される磁石表面改質ガスであり得る一実施形態を概略的に示す。
[0061] 一実施形態では、保護筐体１１０は水素非含有ガス１３０のための入口１４０をさらに含む。入口１４０を通ってガス１３０がガス源３４２から提供されてよい。このため、ポンプまたはバルブ３４４は保護筐体１１０へとガス１３０を導入することができる。再び、水素非含有ガス１３０は磁石表面改質ガス１３５を含んでもよい（本明細書中に概略的に示す）。一実施形態では、ポンプまたはバルブ３４４はコントローラ１６０によって制御されてよく、このコントローラ１６０は、例えば所定の圧力のガス１３０（任意的に磁石表面改質ガス１３５を含む）を保護筐体１１０内で維持するように構成されてよい。このため、コントローラ１６０は、保護筐体１１０内のガス圧を測定するように一実施形態で構成されたセンサ１５０の入力信号をさらに受信することができる。代替的に、または保護筐体１１０内のガス圧を測定するように一実施形態で構成されたセンサ１５０と組み合わせて、センサ１５０は、保護筐体１１０内のＨ２の存在を感知および／または圧力（分圧）を測定するように構成されてもよい。一実施形態では、コントローラ１５０は、保護筐体１１０内の水素非含有ガス１３０の所定圧力を制御するように構成されてよく、および／または保護筐体１００内のＨ２の存在を感知および／または圧力（分圧）を測定するように構成されてもよい。このように、例えば保護筐体１１０内の気圧は、保護筐体の外部（すなわち、リソグラフィ装置体積８２内）の圧力より高い圧力で維持することができる。上記したように、一実施形態における水素非含有ガス１３０は、磁石表面改質ガス１３５を含んでもよい。保護筐体内部圧力に対する保護筐体１１０の外部の圧力の比率は、例えば約１．０１〜１０，０００の範囲または約１．１〜１０，０００の範囲など、約１より大きくてよい。
[0062] 一実施形態では、保護筐体１１０、あるいはより正確にはリソグラフィ装置１は、保護筐体１１０からのガスの漏れを検出するように構成された検出器１５５をさらに含んでよい。検出器１５５は、保護筐体１１０からのガスが保護筐体１００の外部空間８２に漏れているか否かを測定するために保護筐体１１０の外側に構成されてよい。検出器１５５は、例えば質量分光計であってもよい。検出を容易にするために非水素ガスまたは磁石表面改質ガスは、検出を容易にするために選ばれるガス、例えばＮｅ、あるいは化学的、分光学的または質量選択検出器などによって比較的に容易に検出することができる別の希ガスなどを含んでよい。コントローラ１６０は、センサ１５５から信号を受信し、この信号に基づいて保護筐体１１０への水素非含有ガス１３０の入力および／または保護筐体１１０内の水素非含有ガス１３０の圧力を制御するように構成されてもよい。したがって、このようにして水素非含有ガス１３０を保護筐体１１０内へと供給することを含む方法が提供される。上記したように、一実施形態では、水素非含有ガス１３０は磁石表面改質ガス１３５を含む。
[0063] 別の実施形態では、水素非含有ガス１３０が保護筐体１１０を通って流れる実質的に動的な状態または実施形態が生成される。そのような実施形態を図５に概略的に示す。ここでは、保護筐体１１０は水素非含有ガス１３０のための入口１４０および出口２４０をさらに含む。リソグラフィ装置１は、保護筐体１１０の少なくとも一部を通る水素非含有ガス１３０の流れを制御するように構成されたコントローラ１６０をさらに含んでよい。コントローラ１６０は、流れの体積流量、流れの質量流量、またはその両方を制御するように構成されてもよい。一実施形態では、ガスはガス源３４２から保護筐体１１０の少なくとも一部を通って出口２４０から保護筐体１１０を出る。リソグラフィ装置１は、ガスが保護筐体１１０から出口２４０を通って排気口２４２へと出ることを可能にするように構成されたポンプまたはバルブ２４４をさらに含んでよい。一実施形態では、コントローラ１６０はバルブまたはポンプ３４４および／またはバルブまたはポンプ２４４を制御するように構成されてよく、それによってそれぞれが保護筐体１１０内および保護筐体１１０を通るガス１３０の所定圧力または流れあるいは圧力および流れの両方を維持できることを可能にする。再び、センサ１５０および／または１５５が適用されてもよい。したがって、保護方法は、水素非含有ガス１３０が筐体１１０の少なくとも一部を通って流れるようにすることを含んでもよい。上記したように、一実施形態では、水素非含有ガス１３０は磁石表面改質ガス１３５を含む。保護筐体内部圧力に対する保護筐体１１０の外部の圧力の比率は、例えば約１．０１〜１０，０００の範囲または約１．１〜１０，０００の範囲など、約１より大きくてよい。このようにして、パージ流量構成は、磁石１００近くの水素容量を制限することができるように確立されて得る。
[0064] 本明細書中に記載された実施形態は、特定の磁石保護を有するリソグラフィ装置１を提供する。リソグラフィ装置１は保護筐体１１０に含まれる磁石１００を含んでおり、かかる保護筐体１１０は、Ｈ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から磁石１００を保護するように構成されている。筐体は、水素ゲッター１２０（図３に示す）をさらに含んでよく、および／または一実施形態では、磁石表面改質ガス１３５および／または別の水素非含有ガス１３０を含んでもよい。さらに、保護筐体１１０の少なくとも一部を通って水素非含有ガス流または磁石表面改質ガス流が提供されてよい。
[0065] 一実施形態では、リソグラフィ装置１における磁石１００を保護する方法が提供され、かかる方法は、磁石１００を保護筐体１１０内に含むことを含んでおり、保護筐体１１０は、例えば保護筐体１１０の上記の実施形態および本明細書中さらに説明される実施形態を用いて筐体外部８２に存在し得るＨ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から磁石１００を保護するように構成されている。そのような方法は、（ａ）水素ゲッター１２０を保護筐体１１０に提供すること、（ｂ）水素非含有ガス１３０を保護筐体１１０にまたは保護筐体１１０内へとそれぞれ供給または流すこと、および（ｃ）磁石表面改質ガス１３５を保護筐体１１０にまたは保護筐体１１０内へとそれぞれ供給または流すことからなる群から選択された１つ以上の保護手段をさらに含んでよい。一実施形態では、保護筐体内部圧力に対する保護筐体１１０の外部の圧力の比率は、例えば約１．０１〜１０，０００の範囲または約１．１〜１０，０００の範囲など、約１より大きくてよい。このようにして、水素非含有ガス１３０（磁石表面改質ガス１３５を含む）の存在は、保護筐体１１０内への水素ラジカルおよび／またはＨ２の導入を効果的に減少または防止さえもし得る（水素ラジカルおよび／またはＨ２は保護筐体１１０を囲うリソグラフィ装置に存在し得る）。
[0066] 一実施形態では、磁石は、ＮｄまたはＳｍ含有磁石などの希土類（元素）含有磁石である。
[0067] 本明細書中に開示された実施形態は、リソグラフィ装置１を用いたデバイス製造方法をさらに提供しており、リソグラフィ装置１は磁石１００を含んでおり、かかるほう方法は、筐体外部８２に存在し得るＨ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から磁石１００を保護するように構成された保護筐体１１０内に磁石１００を含むことを含む。
[0068] 図は、本発明が限定されていない多数の可能な実施形態を示している。磁石１００は、水素ゲッター１２０、水素非含有ガス１３０および磁石表面改質ガス１３５からなる群から選択された１つ以上の磁石プロテクタによって保護されてもよく、ガスを用いた場合、保護筐体は水素非含有ガス１３０の流れおよび／または磁石表面改質ガス１３５の流れを提供するように構成されてよい。
[0069] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0070] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
[0071] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。このコンピュータプログラムを使って堆積物の除去を制御し、圧力を制御するなどできる。
[0072] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。「含む」という動詞およびその語形変化の使用は、特許請求の範囲で述べられるもの以外の要素または工程の存在を排除しない。一要素の前にある「ａ」または「ａｎ」という冠詞は、複数のそのような要素の存在を排除しない。
[0073] 本発明は、実施形態で記載されたようなリソグラフィ装置の適用またはリソグラフィ装置における使用に限定されない。さらに、図面は、通常、本発明を理解するために必要である要素および特徴のみを含む。そのうえ、リソグラフィ装置の図面は概略的であり、縮尺どおりではない。本発明は、概略図で示される要素（例えば、概略図で示されるミラーの数）に限定されない。さらに、本発明は、図１に関連して説明されるリソグラフィ装置に限定されない。放射コレクタについて記載された本発明は、（他の）多層、かすめ入射ミラーまたは他の光学素子に用いられてもよい。上述の実施形態を組み合わせてもよいことが理解されたい。

Claims (15)

  1. 内部空間を有する少なくとも１つのチャンバと、
    磁石と、
    保護筐体であって、前記保護筐体の中に前記磁石が含まれており、前記保護筐体は前記内部空間内に存在する水素含有ガスとの接触から前記磁石を保護する、保護筐体とを含み、
    前記水素含有ガスは、Ｈ２含有ガスおよびＨ原子含有ガスからなる群から選択された１つ以上のガスを含む、リソグラフィ装置。
  2. 前記保護筐体は、水素ゲッター、水素非含有ガス、および磁石表面改質ガスからなる群から選択された１つ以上の磁石プロテクタをさらに囲う、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記保護筐体は水素非含有ガスをさらに囲う、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記保護筐体は磁石表面改質ガスをさらに囲う、請求項１〜３のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記磁石は希土類含有磁石である、請求項１〜４のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  6. 放射ビームを調整する照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するサポートと、
    基板のターゲット部分上に前記パターン付けされた放射ビームを投影する投影システムとをさらに含む、請求項１〜５のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  7. リソグラフィ装置における磁石を保護する方法であって、Ｈ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から前記磁石を保護する保護筐体内に前記磁石を含むことを含む、方法。
  8. 前記保護筐体は、水素ゲッター、水素非含有ガス、および磁石表面改質ガスからなる群から選択された１つ以上の磁石プロテクタをさらに囲う、請求項７に記載の方法。
  9. 水素ゲッターを前記保護筐体に提供することをさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
  10. 磁石表面改質ガスを前記保護筐体内へと供給することをさらに含む、請求項７、８または１０に記載の方法。
  11. 前記保護筐体の少なくとも一部を通って水素非含有ガスを流すことをさらに含む、請求項７〜１０のうちのいずれかに記載の方法。
  12. 前記保護筐体の少なくとも一部を通って磁石表面改質ガスを流すことをさらに含む、請求項７〜１１のうちのいずれかに記載の方法。
  13. リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ装置は磁石を含んでおり、前記方法は、Ｈ２含有またはＨ原子含有ガスとの接触から前記磁石を保護する保護筐体内に前記磁石を含むことを含む、方法。
  14. 前記保護筐体は、水素ゲッター、水素非含有ガス、および磁石表面改質ガスからなる群から選択された１つ以上の磁石プロテクタをさらに囲う、請求項１３に記載の方法。
  15. 基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影することをさらに含む、請求項１３または１４に記載の方法。
JP2010547581A 2008-02-20 2009-02-19 磁石を含むリソグラフィ装置、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法およびデバイス製造方法 Pending JP2011512688A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US6416508P 2008-02-20 2008-02-20
PCT/NL2009/050074 WO2009104962A1 (en) 2008-02-20 2009-02-19 Lithographic apparatus comprising a magnet, method for the protection of a magnet in a lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011512688A true JP2011512688A (ja) 2011-04-21

Family

ID=40548602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010547581A Pending JP2011512688A (ja) 2008-02-20 2009-02-19 磁石を含むリソグラフィ装置、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法およびデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8446560B2 (ja)
JP (1) JP2011512688A (ja)
KR (1) KR101583644B1 (ja)
CN (1) CN101952780B (ja)
NL (1) NL1036543A1 (ja)
TW (1) TWI422984B (ja)
WO (1) WO2009104962A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009008209A1 (de) 2009-02-10 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Aktuator mit mindestens einem Magneten für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einem Magneten und Herstellungsverfahren hierfür
DE102009029282A1 (de) 2009-09-08 2011-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, insbesondere in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
WO2011098169A1 (en) * 2010-02-09 2011-08-18 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN106537256B (zh) * 2014-07-16 2019-12-27 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001183239A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Kawaso Denki Kogyo Kk 連続測温装置
JP2005243882A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類磁石密封体およびその製造方法
JP2006279051A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ・デバイス、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス
JP2007116171A (ja) * 2006-10-20 2007-05-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類焼結磁石の水素脆化の防止方法
JP2007513515A (ja) * 2003-12-02 2007-05-24 ノースロップ グラマン コーポレーション 集積マイクロ波アセンブリのための単一基板水素・マイクロ波吸収体並びにそれを製造する方法
JP2007288020A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Metals Ltd Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法
JP2007300791A (ja) * 2001-12-28 2007-11-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類焼結磁石の使用方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001075501A1 (fr) * 2000-03-31 2001-10-11 Nikon Corporation Procede et dispositif de soutien d'un element optique, dispositif optique, appareil d'exposition, et procede de fabrication d'un dispositif
US6847430B2 (en) * 2002-02-01 2005-01-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1475668A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Method of preparing components for a lithographic apparatus
EP1629268B1 (de) * 2003-05-22 2013-05-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente
JP4817702B2 (ja) 2005-04-14 2011-11-16 キヤノン株式会社 光学装置及びそれを備えた露光装置
US7367138B2 (en) * 2005-10-11 2008-05-06 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles
US7541699B2 (en) * 2005-12-27 2009-06-02 Asml Netherlands B.V. Magnet assembly, linear actuator, planar motor and lithographic apparatus
US7518128B2 (en) 2006-06-30 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned
US20080237501A1 (en) 2007-03-28 2008-10-02 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Extreme ultraviolet light source device and extreme ultraviolet radiation generating method
US7985363B2 (en) * 2008-02-12 2011-07-26 Mack Molding Company Method of encasing a magnet

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001183239A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Kawaso Denki Kogyo Kk 連続測温装置
JP2007300791A (ja) * 2001-12-28 2007-11-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類焼結磁石の使用方法
JP2007513515A (ja) * 2003-12-02 2007-05-24 ノースロップ グラマン コーポレーション 集積マイクロ波アセンブリのための単一基板水素・マイクロ波吸収体並びにそれを製造する方法
JP2005243882A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類磁石密封体およびその製造方法
JP2006279051A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ・デバイス、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス
JP2007288020A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Metals Ltd Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法
JP2007116171A (ja) * 2006-10-20 2007-05-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類焼結磁石の水素脆化の防止方法

Also Published As

Publication number Publication date
NL1036543A1 (nl) 2009-08-24
CN101952780B (zh) 2013-01-23
KR101583644B1 (ko) 2016-01-08
KR20100121677A (ko) 2010-11-18
CN101952780A (zh) 2011-01-19
TW200942987A (en) 2009-10-16
US8446560B2 (en) 2013-05-21
WO2009104962A1 (en) 2009-08-27
TWI422984B (zh) 2014-01-11
US20110013157A1 (en) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7473908B2 (en) Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus and method for cleaning a surface
US9207548B2 (en) Radiation source with a debris mitigation system, lithographic apparatus with a debris mitigation system, method for preventing debris from depositing on collector mirror, and device manufacturing method
US7372049B2 (en) Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element
JP5511818B2 (ja) リソグラフィ装置用の光学素子、かかる光学素子を含むリソグラフィ装置、およびかかる光学素子を製造する方法
US7518128B2 (en) Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned
US7332731B2 (en) Radiation system and lithographic apparatus
US7495239B2 (en) Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
JP5377627B2 (ja) リソグラフィ装置、内部センサの検知面を処理する方法、およびデバイス製造方法
JP2007184577A (ja) リソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法、リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造および浄化構造を備えたリソグラフィ装置
JP2007096297A (ja) 放電発生器を備えたリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の素子を洗浄する方法
JP5752786B2 (ja) 多層ミラー及びそのロバスト性を改善する方法
KR101583644B1 (ko) 자석을 포함하는 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에서 자석의 보호를 위한 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP4814922B2 (ja) リソグラフィ装置の光エレメントの保護方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
NL2005189A (en) Spectral purity filter, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2004994A (nl) Multilayer mirror.

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130130

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130624