TW202043725A - 氣體分析裝置gas analyzer - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種分析流入之樣氣(9)的氣體分析裝置。氣體分析裝置具有：過濾樣氣之濾器單元(20)、檢測經過濾之結果的檢測器單元(30)、收納該等之殼體(40)，以及控制各個電位之控制單元(60)。控制單元係包含清潔控制單元(61)，而該清潔控制單元係將濾器單元、檢測器單元以及殼體之電位設定為抽吸經樣氣之供給源的製程電漿(75)、或經電漿生成單元(50)所生成的電漿(55)作為清潔用電漿的清潔電位。
Description
本發明係有關一種具備清潔機能之氣體分析裝置者。
在日本特開2012-3976號公報中揭示一種提供低成本的四極質譜儀之技術，該四極質譜儀無需單獨的電源，可用電子衝擊方式有效地將柵極進行脫氣處理。具有具備絲極及柵極的離子源、將4根圓柱狀電極以預定間隔配置在圓周方向而成的四極部以及收集通過四極部的預定離子之離子檢測器的裝置係，進一步具備：直流電通過絲極的電源、對柵極施加比絲極更高電位的電源、向絲極施加預定電位以在柵極與絲極之間產生預定電位差的電源、在四極部之相對電極施加正、負直流電壓與交流電壓相疊的電壓之電源與控制單元，可使通過四極部用之電源將正負兩電壓間之電位差相對應的電壓施加到柵極而構成。
在半導體製造製程之監測等的應用中，需要可監測包含各種氣體在內的各種環境之高耐度感測器。
本發明之一態樣係分析流入之樣氣的氣體分析裝置。該裝置具有：過濾樣氣的濾器單元、檢測經過濾之結果的檢測器單元、容納濾器單元及檢測器單元之殼體、控制濾器單元及檢測器單元以及殼體之電位的控制單元。控制單元係包含清潔控制單元，該清潔控制單元係將濾器單元及檢測器單元以及殼體之電位設定為，將樣氣之供給源的製程電漿或經由電漿生成單元所生成之電漿作為清潔用電漿而抽吸的清潔電位。清潔電位可為接地電位或負電位。定期地或在適當的時機(timing)包含殼體，藉由將氣體分析裝置設定為清潔電位而抽吸電漿，可藉由電漿清潔氣體分析裝置內部。
氣體分析裝置可具有電漿生成單元。清潔控制單元可包含在樣氣供給源生成製程電漿之時機設定為清潔單元之單元。
氣體分析裝置可具有將樣氣離子化之離子化單元，濾器單元可包含過濾經離子化之樣氣的單元。典型的濾器單元之一例係藉由質荷比過濾經離子化之樣氣的單元。離子化單元係包含熱電子供給單元，清潔控制單元可包含將離子化單元之電位設定為清潔電位的單元，亦可包含離子化單元進行清潔。
本發明之其它態樣之一係分析流入的樣氣之氣體分析裝置的控制方法。氣體分析裝置具有：將樣氣進行過濾之濾器單元、將經過濾之結果進行檢測之檢測器單元、將濾器單元及檢測器單元進行收納之殼體、將濾器單元及檢測器單元以及殼體之電位進行控制之控制單元。控制方法係包含：控制單元將濾器單元、檢測器單元及殼體之電位設定為抽吸樣氣之供給源的製程電漿、或由電漿生成單元所生成之電漿作為清潔用電漿的清潔電位。清潔電位可為接地電位或負電位。
氣體分析裝置係包含電漿生成單元，且該方法可包含電漿生成單元與設定為清潔電位並行地生成清潔用電漿。設定為清潔電位者係可包含樣氣的供給源生成製程電漿的時機設定為清潔電位者。氣體分析裝置在具有樣氣進行離子化之離子化單元時，設定為清潔電位者係可包含將離子化單元之電位設定為清潔電位。
本發明之其它態樣之一係將分析流入的樣氣之氣體分析裝置進行控制之程式。程式(程式製品)係具有藉由控制單元將濾器單元、檢測器單元以及殼體的電位設定為將樣氣之供給源的製程電漿、或藉由電漿生成單元生成的電漿抽吸作為清潔用電位的清潔電位之指令。程式或程式製品係可記錄在適當的記錄介質來提供。
本發明之1個實施型態係氣體分析裝置，其一例係質量分析裝置。在半導體製造製程的監測等之應用中，有必要監測包含多種成分的氣體，並且需要一種能夠對此執行穩定且高度準確的測定之感測器。
參照第1圖，說明作為氣體分析裝置之一例的四極質譜儀概要。四極質譜儀(質量分析裝置)91係包含將分析對象的氣體(氣體樣品、樣氣)9進行離子化之離子化裝置(離子化單元、離子源)10、與分析經離子化之氣體8的氣體分析單元(氣體分析部)21。氣體分析單元21係包含屬於濾器單元之四極部20，與捕集通過四極的各電極間達到之氣體離子8的檢測器單元(檢測部，例如：法拉第杯)30。濾器單元20係包含在周邊方向以預定間隔配置並在上下方向延伸的複數根，通常為四根的圓柱狀電極。質量分析裝置91係包含收納離子化裝置10、濾器單元20、檢測器單元30之真空容器(殼體)40、將殼體40內部維持在負壓的真空泵45，流入殼體40之氣體9經離子化裝置10離子化。
離子化單元10係包含柵極11、與用作供給電子流之陰極的絲極12。柵極11之一例係藉由將細金屬線組裝成格子狀且圓柱形狀而構成。絲極12係連接到在支撐框架沿著周邊方向以預定間隔設置的金屬製支撐銷，並配置在柵極11的周邊方向。絲極12之一例係藉由電鍍處理塗有氧化釔之銥所構成的基材之表面者。在濾器單元20與離子化單元10之間插設使朝向濾器單元20的離子可有效地匯聚之聚焦電極25。聚焦電極25電連接至例如絲極12的支撐銷，並使絲極12之電位與聚焦電極25的電位相等。
以往的質量分析裝置91係設計成以單純的氣體，亦即非腐蝕性氣體之環境為對象的條件下操作。作為與該條件相對應的陰極材料(絲極材料)，係有由Y2
O3
/Ir，亦即，芯材由銥Ir所構成，電子發射層由氧化釔(氧化釔，Y2
O3
)所構成的絲極。對於包含氟化碳CFX
之成分的氣體，鎢W材料有效地用作絲極材料(陰極材料)。
在來自製程的氣體包含矽油的環境中，特別是在啟動、停止質量分析裝置91時，絲極12塗覆有矽Si、氧化矽SiO2
、矽氮化物SiN等，會有功能受到阻礙的情形。
柵極11在目前係使用英高鎳600。部分氣體可沉積在柵極11以形成絕緣膜，並且有可能在游離劑/離子光學區域中無法作成正確的電位分佈。而且，作為氣體分析裝置91之監測對象的製程之一例，可列舉在半導體製程中執行CVD或PVD的系統。在該系統實施的製程係包含使二氧化矽SiO2
、矽氮化物SiN3
、氮化鈦TiN、氮化鉭TaN等氧化物或絕緣物堆積之製程，即使在監測系統之氣體分析裝置91中，該等氧化物或絕緣物亦可堆積在離子化單元10、濾器單元20、檢測器單元30及/或殼體40。
第2圖係呈示本發明之實施型態之1。該氣體分析裝置1係與第1圖所示之氣體分析裝置相同的質量分析裝置，係從製程70流入殼體40之樣氣9進行分析之裝置。質量分析装置1係包含將樣氣9進行離子化之離子化單元10、以質荷比過濾經離子化之樣氣(氣體離子)8的濾器單元(本例中為四極部)20、聚焦電極25、作為經過濾之結果而檢測通過濾器單元20之離子(氣體成分)的檢測器單元30、離子化單元10、用於收納濾器單元20及檢測器單元30，並將內部以真空泵45控制在負壓的殼體(腔體)40。氣體分析裝置1進一步具有經離子化之單元10、聚焦電極25、濾器單元20、檢測器單元30，以及控制殼體40之電位的控制單元60。濾器單元20之電位係通過向四極施加高頻及直流電之驅動單元(RF/DC單元)22而控制。離子化單元10係包含作為熱電子供給單元13的絲極(陰極)12及柵極11。
氣體分析裝置1係包含生成清潔用之電漿55的電漿生成單元50。電漿生成單元50之一例係可藉由不使用電極的生成方法在0.01〜1kPa左右之低壓下生成電漿的單元。電漿生成單元50係包含對石英(Quartz)、氧化鋁(Al2
O3
)、氮化矽(SiN3
)等電漿具有高耐久性之介電質所形成的容器51，以及由電場或磁場而在容器內生成電漿的機構52。電漿生成單元50係從製程或吸取適於清潔之成分的氣體，可依感應耦合電漿(ICP)、介質阻擋放電 (DBD：dielectric barrier discharge)、電子迴旋共振(ECR)等方法，在0.01〜1kPa的壓力下生成電漿。例如：在兼具生成測定用電漿時，可在1〜10mTorr左右的減壓下生成電漿。在生成專用的清潔用電漿時，可在10〜數百Pa左右的壓力下生成電漿。亦可併用磁場與電場以將電漿限制在容器內。
控制單元60係控制氣體分析裝置1之各部分的電位。在分析樣氣9時，在離子化單元10中，設定柵極11之電位使得相對於絲極(陰極)12的電位獲得預定能量(eV)之電子流(熱電子流)。例如：以成為負電壓之方式，柵極11之電位設定為5〜15V、相對於柵極11之電位，絲極12之電位設定為20〜100V。而且，該等電位為例示而不限定於該值。以下亦為相同。樣氣9係在離子化單元10中與從絲極12供給的熱電子流發生碰撞，成為氣體離子(正離子)8，且部分由引出電極(聚焦電極)25引出並供給至濾器單元20。
濾器單元20之電位係經由驅動單元22施加直流成分與高頻成分重疊之極性相反的電壓。使用法拉第杯等的離子檢測器單元30之電位係設定為用以檢測通過濾器單元20之氣體離子8之比柵極11之電位低的電位，例如接地電位或若干的負電位。收納該等之殼體40之電位係為了抑制對離子流8的影響而設定為接地電位或正電位。
控制單元60，在氣體分析裝置1之全體，具體上係將電漿吸入殼體40，不僅收納於殼體40之零件，亦包含並清潔殼體40之清潔控制單元61。清潔控制單元61係將包含離子化單元10之柵極11以及絲極12的熱電子供應單元13之電位、濾器單元20之電位、檢測器單元30之電位與殼體40之電位設定為清潔電位Vc，並在清潔期間維持清潔電位Vc。亦即，該清潔控制單元61係包含將濾器單元20、檢測器單元30以及殼體40之電位設定為清潔電位Vc之單元61a、以及將離子化單元10之電位設定為清潔電位Vc之單元61b。
清潔電位Vc係為了有效地吸引帶正電的電漿並提高電漿之清潔效率，而可為接地電位或負電位。電漿大多帶正電且為數V左右，為了將電漿有效地吸引到殼體40以施行清潔，因此期望清潔電位Vc為負電位。
而且，在清潔控制單元61之清潔電位Vc係為了使離子化單元10、濾器單元20、檢測器單元30以及外殼40共通而設定，或者，為了更有效地吸引電漿以形成適當的電壓梯度而設定。例如：可設定清潔電位Vc以形成朝向殼體40的電壓梯度。而且，清潔電位Vc係在清潔中，為了在離子化單元10、濾器單元20、檢測器單元30以及外殼40的各部分或構成各部分之零件單位得到集中之清洗效果，或為了控制清潔強度等之目的，可因應經時而順序地或隨機地控制每個部分及/或零件之電位或電位差。而且，清潔電位Vc可在清潔期間整體上或在每個部分或每個零件單位使各電位改變。
控制單元60係包含在清潔電漿55所需的時機於電漿生成單元50中生成電漿的電漿生成控制單元65。清潔控制單元61係包含定期地根據來自離子化單元10之絲極12的發射電流之變化等的氣體分析裝置1之性能監測結果，或來自氣體分析裝置1的上層應用的順序，判斷是否需要進行電漿清潔的單元61c。
清潔控制單元61係在判斷是否需要電漿清潔時，介由電漿生成控制單元65在電漿生成單元50中生成清潔用電漿55。如設定清潔電位Vc時，生成的電漿55通過離子化單元10抽吸，直到與濾器單元20、檢測器單元30以及殼體40接觸為止，可去除附著在該等表面的物質，例如氧化物等的絕緣物質。
在電漿生成單元50中所生成的電漿55稍微充電到大約幾V，例如大約5V的正電位。因此，藉由將氣體分析裝置1維持在接地電位或負電位之清潔電位Vc，即可將電漿55吸入至氣體分析裝置1之內部而可進行電漿清潔。氣體分析裝置1之清潔中的電位可低於電漿55的電位，並且可為正電位，惟以相對於電漿55之電位確保一定程度的電位差者為佳，清潔電位Vc可為接地電位或在該接地電位以下之負電位。在電漿生成單元50中進一步提高所生成的清潔用電漿55之電位，對離子化單元10、濾器單元20、檢測器單元30以及殼體40，可設定相對高的正電位。在清潔中，即使設定正電位的清潔電位Vc，可將清潔用之電漿55抽吸到氣體分析裝置1，具體上係抽吸到殼體並進行清潔。
清潔控制單元61係包含在樣氣9的供給源之製程70以生成製程電漿75的時機設定為清潔電位Vc的單元(製程電清潔單元)61d。氣體分析裝置1之監測對象的製程70係包含進行CVD(化學蒸鍍：Chemical Vapor Deposition)或PVD(物理蒸鍍：Physical Vapor Deposition)之系統71。在該系統71中，包含使氧化矽SiO2
、矽氮化物SiN3
、氮化鈦TiN、氮化鉭TaN等氧化物或絕緣物堆積的製程，此時，對於SiO2
係使用TEOS電漿(正矽酸四乙酯、四乙氧基矽烷、Tetraethyl orthosilicate)、對於SiN係使用包含矽烷SiO4
及氨NH3
之電漿。因此，藉由在氣體分析裝置1抽吸該等製程清潔用電漿75作為清潔電漿，即可將氣體分析裝置1之內部清潔。
樣氣9之供給源的製程為半導體製造製程70時，將系統71之內部清潔、或將製程70之對象物進行乾蝕刻等以生成蝕刻用電漿。例如：生成包含使氟系自由基產生之氟化碳CFx
、六氟化硫SF6
、氟化氮NF3
、四氟化矽SiF4
等的清潔用電漿75。清潔控制單元60之製程電漿清潔單元61d係進行與控制製程70之系統71的製程控制單元73之通信，取得系統71生成製程清潔用電漿75或乾蝕刻用電漿之時機。清潔控制單元61在該時機設定清潔電位Vc。
因此，氣體分析裝置1係以氣體分析裝置1作為監測對象的製程70並與生成清潔電將75的時機，同步地將從監測用電位設定變更設定為清潔電位Vc即可清潔內部。因此，當製程70重新啟動時，氣體分析裝置1可在刷新狀態監測製程70。當配置用於監測製程70之複數個氣體分析裝置1時，以時分方式切換複數個氣體分析裝置1，並從製程70側抽吸電漿75， 即可清潔各個氣體分析裝置1的內部。
系統71之清潔所需的時間(長度)及/或時機、與清潔各個氣體分析裝置1的內部的時間(長度)及/或時機不一致時，可在導入樣氣9及清潔電將75的管線(配管)中裝設控制閥(停止閥)67b，並且清潔控制單元61可控制清潔電漿75的導入。 可從電漿生成單元50導入清潔電漿55的管線(配管)中裝設控制閥(停止閥)67a，並且清潔控制單元61可控制清潔電漿55的導入。
氣體分析裝置1的許多零件係由金屬構成，並且氧化物、其它絕緣性的各種成分依測定對象之氣體9而堆積。例如：在監測CFx
(低濃度)時，F係作為氣體分離而堆積碳(C)、在監測TEOS時，可堆積SiO2
。另外，為了清潔金屬表面，如導入CFx
等清潔電漿55或75，則金屬會腐蝕使氣體分析裝置1的壽命會縮短。因此，預先包含構成氣體分析裝置1之殼體40的內表面以取代金屬，或者在金屬的表面附著或塗覆熱解碳(熱解石墨，PG)為有效。
第3圖係呈示氣體分析裝置1的控制方法之一例。步驟81中，控制單元60係將包含離子化單元10、濾器單元20、檢測器單元30以及殼體40之氣體分析裝置1的各個區域、各零件之電位設置為測定狀態，進行從製程70流入的樣氣9之分析。步驟82中，清潔控制單元61從氣體分析裝置1的運行時間、內部的各區域的監測結果等確定需要清潔時，在步驟83中，在電漿生成單元50生成清潔電漿55。步驟85中，清潔控制單元61設置清潔電位Vc。在步驟85中，電漿生成單元50並行生成清潔用電漿55，並且氣體分析裝置1抽吸清潔電漿55並執行包含殼體40的清潔。
另外，步驟84中，清潔控制單元61與製程控制單元73通信，且製程70進入清潔，判斷是否為生成清潔電漿75時，在步驟85中，裝設清潔電位Vc，並且從製程70中抽取清潔電漿75以清潔氣體分析裝置1。清潔控制單元61在步驟86維持清潔電位Vc直到完成清潔。完成清潔後，返回到步驟81以開始氣體分析。
包含清潔控制單元61之控制單元60之機能係可由包含施行設定清潔電位Vc的指令之程序(程序製品)66而提供。控制單元60可具備如處理器、記憶體的計算機資源，程序66係記錄在記憶體之記錄介質中來提供。
第4圖係呈示本發明之實施型態的其它例。該氣體分析裝置1之基本構成係與第2圖所示之氣體分析裝置相同。離子化單元10係包含作為熱電子供給單元13之絲極12及柵極11。該氣體分析裝置1並不含電漿生成單元50，而是包含清潔控制單元61，該清潔控制單元61係吸入在監測的製程70中生成的清潔用電漿75而執行清潔。因此，清潔控制單元61係與製程控制單元73通信，製程70開始生成清潔電漿75之時機時，對包含氣體分析裝置1之殼體40在內的每個區域、在每個部分設定清潔電位Vc，介由採樣管線79將清潔電漿75吸入氣體分析裝置1中。
該氣體分析裝置1可從製程70提取設定用以提取清潔電漿75的電位並具備電極69。而且，為了供給清潔電漿75，可對供給樣氣9之管線(配管)79s準備大管徑的管線(配管)79。當抽吸清潔電漿75時，清潔控制單元61可自動執行關閉採樣管線79s的閥68a並打開電漿供給管線79之閥68b的操作。
第5圖係呈示本發明之實施型態的另一不同例。該氣體分析裝置1之基本構成係與第2圖所示的氣體分析裝置相同。作為離子化單元10，取代熱電子供給單元13的電漿生成裝置50係將樣氣9從製程70改變為電漿55，並且作為用於氣體分析的離子流8供給至過濾器單元20。當清潔控制單元61判斷需要清潔時，清潔控制單元61係在濾器單元20、檢測器單元30以及殼體40設定清潔電位Vc，由電漿生成單元50生成的大量電漿55作為清潔電漿55吸入到殼體40中。
在連接電漿生成單元50與殼體40的電漿供給管線58中裝設控制閥59，經由清潔控制單元61控制閥59的開度以控制供給至殼體40的電漿量。與第4圖所示之氣體分析裝置相同，可切換具有不同直徑的兩條管線以控制供給至殼體40的電漿量。
另外，上述中，雖以四極型之氣體分析裝置為例說明氣體分析裝置，惟濾器部20可為離子收集器型或維恩過濾器等的其它型。而且，濾器部20並不限於質量分析型，可為使用離子遷移率等的其它物理量過濾氣體分子或原子者。
而且，上述中，雖說明本發明之特定的實施型態，然本技術領域中具有一般知識者可想到的各種實施型態以及變形例，在不脫離本發明的範圍及精神的情況下，可成為以下申請專利範圍之對象，本發明係依以下申請專利範圍所限定者。
1、91:氣體分析裝置
8:氣體離子、正離子、離子流
9:分析對象的氣體(樣氣)
10:離子化裝置、離子化單元
11:柵極
12:絲極、陰極
13:熱電子供給單元
20:濾器單元、四極部
21:氣體分析單元
22:驅動單元(RF/DC單元)
25:聚焦電極、引出電極
30:檢測器單元
40:真空容器(殼體)
45:真空泵
50:電漿生成單元
51:容器
52:機構
55、75:清潔電漿
60:控制單元
61:清潔控制單元
61a、61b、61c、61d:電漿清潔單元
65:電漿生成控制單元
66:程序
67a、67b:控制閥(停止閥)
68a、68b:閥
69:電極
70:製程(監測對象的製程)
71:系統
73:製程控制單元
75:製程清潔用電漿
79、79s:管線(配管)
81、82、83、85:步驟
600:英高鎳
第1圖：呈示以往質量分析裝置之一例的框圖。
第2圖：呈示進行電漿清潔之氣體分析裝置之一例的圖。
第3圖：呈示氣體分析裝置之控制概要的流程圖。
第4圖：呈示進行電漿清潔之氣體分析裝置的不同例之圖。
第5圖：呈示進行電漿清潔之氣體分析裝置的進一步不同例之圖。
1:氣體分析裝置
8:氣體離子、正離子、離子流
9:分析對象的氣體(樣氣)
10:離子化裝置、離子化單元
11:柵極
12:絲極、陰極
13:熱電子供給單元
20:濾器單元、四極部
22:驅動單元(RF/DC單元)
25:聚焦電極、引出電極
30:檢測器單元
40:真空容器(殼體)
45:真空泵
50:電漿生成單元
51:容器
52:機構
55、75:清潔電漿
60:控制單元
61:清潔控制單元
61a、61b、61c、61d:電漿清潔單元
65:電漿生成控制單元
66:程序
67a、67b:控制閥(停止閥)
70:製程(監測對象的製程)
71:系統
73:製程控制單元
75:製程清潔用電漿
Claims (13)
- 一種氣體分析裝置，係分析流入之樣氣的氣體分析裝置，其具有： 將上述樣氣進行過濾之濾器單元、 將經過濾之結果進行檢測的檢測器單元、 將上述濾器單元及上述檢測器單元進行收納之殼體、 將上述濾器單元、上述檢測器單元、以及上述殼體之電位進行控制之控制單元， 上述控制單元包含清潔控制單元，該清潔控制單元係將上述濾器單元、上述檢測器單元、以及上述殼體之電位設定為抽吸上述樣氣之供給源的製程電漿、或由電漿生成單元所生成之電漿作為清潔用電漿的清潔電位。
- 如申請專利範圍第1項之氣體分析裝置，其中上述清潔控制單元係將上述清潔電位設定為接地電位或負電位。
- 如申請專利範圍第1或2項之氣體分析裝置，其具有上述電漿生成單元。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之氣體分析裝置，其中上述清潔控制單元係包含上述樣氣之供給源生成製程電漿之時點設定為上述清潔電位的單元。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之氣體分析裝置，其中具有可將上述樣氣進行離子化之離子化單元，上述濾器單元包含將上述經離子化之樣氣進行過濾之單元。
- 如申請專利範圍第5項之氣體分析裝置，其中，上述離子化單元包含熱電子供給單元，上述清潔控制單元包含將上述離子化單元之電位設定為上述清潔電位。
- 如申請專利範圍第5項之氣體分析裝置，其中，上述離子化單元包含上述電漿生成單元。
- 一種氣體分析裝置之控制方法，係分析流入之樣氣的氣體分析裝置之控制方法， 上述氣體分析裝置具有： 將上述樣氣進行過濾之濾器單元、 將經過濾之結果進行檢測的檢測器單元、 將上述濾器單元及上述檢測器單元進行收納之殼體、 將上述濾器單元、上述檢測器單元、以及上述殼體之電位進行控制之控制單元， 上述控制單元包含將上述濾器單元、上述檢測器單元、以及上述殼體之電位設定為抽吸上述樣氣之供給源的製程電漿、或由電漿生成單元所生成之電漿作為清潔用電漿的清潔電位。
- 如申請專利範圍第8項之氣體分析裝置的控制方法，其中設定為上述清潔電位者係包含將上述清潔電位設定為接地電位或負電位。
- 如申請專利範圍第8或9項之氣體分析裝置的控制方法，其中上述氣體分析裝置係包含電漿生成單元，而上述電漿生成單元包含設定為上述清潔電位同時生成清潔用電漿。
- 如申請專利範圍第8至10項中任一項之氣體分析裝置的控制方法，其中設定為上述清潔電位係包含在上述樣氣之供給源生成製程電漿之時點設定為上述清潔電位。
- 如申請專利範圍第8至11項中任一項之氣體分析裝置的控制方法，其中 上述氣體分析裝置具有將上述樣氣進行離子化之離子化單元，上述濾器單元包含上述經離子化之樣氣進行過濾之單元， 設定為上述清潔電位係包含將上述離子化單元之電位設定為上述清潔電位者。
- 一種將分析流入之樣氣的氣體分析裝置進行控制之程序， 上述氣體分析裝置具有： 將上述樣氣進行過濾之濾器單元、 將經過濾之結果進行檢測的檢測器單元、 將上述濾器單元及上述檢測器單元進行收納之殼體、 將上述濾器單元、上述檢測器單元、以及上述殼體之電位進行控制之控制單元， 具有藉由上述控制單元命令，將上述濾器單元、上述檢測器單元以及上述殼體之電位設定為抽吸上述樣氣之供給源的製程電漿、或由電漿生成單元所生成之電漿作為清潔用電漿的清潔電位。
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