TW200916976A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

200916976 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種器件製造方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在該情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或主光罩）可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽晶圓）上之目標部分 (例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒）上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料 (抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化 之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：步進器，其 中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目 標部分，及掃描器，其中藉由在給定方向掃描"方向）上 經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同 步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案 壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。、 光微影被廣泛地辨識為製造IC及其他器件及/或結構中 之關鍵步驟中的一者。目前’似乎無替代技術用以利用類 似精確度、速度及經濟+ 生產力來如供所要圖案架構。然 而’隨著使用光微影所锣沣★狀现 '、、 π表&之特徵的尺寸變得更小， 影變為用於使小型1C或：^ # | θ 叉具他益件及/或結構能夠按真實大 $規模被製造之最（若非备、 最）臨界門檻因素（criticai呂扣叫 133311.doc 200916976 factor)中的—者。 如 圖案印刷限度之理論估計可由瑞立解析度準則給 方程式（1)所示： NAt CD^k, 其中λ為所使用之輻射的波長’ ΝΑ”為用以印刷圖案之投 影：統的數值孔徑，U過程依賴性調整因數(亦被稱“ 立常數），且CD為經印刷特徵之特徵尺寸（或臨界尺寸卜 自方程式⑴可見，彳以三種方式來獲得特徵之最小可 印刷尺寸的縮減：藉由縮短曝光波長九、藉由增加數值孔 徑NAPS ’或藉由降低匕之值。 為了顯著地縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷間距， 已提議使用遠紫外線（EUV)賴射源。與經組態以輸出大於 約193 nm之輻射波長的習知紫外線輻射源對比，謂輻射 源經組態以輸出為約13⑽之㈣波長。因此，謂輕射 Ο 源可構成針對達成小特徵㈣之重要步驟。該輻射被稱作 遠紫外線或軟X射線，且可能源包括（例如）雷射器產生之電 聚源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器賴 射0 需要改良EUV微影裝詈之硃姦县〆 祆罝之生產量以縮減裝置之所有權成 本。許多因素可能影響Euv系統之生產量。 【發明内容】 需要移除EUV微影裝置中之污染。污染之移除改良裝置 之可用性。 133311.doc 200916976 在本發明之-態樣中，提供—種微影裝置，其包括：昭 明系統，照明系統經組態以調節輕射光束；圖案支揮件，、 圖案支撐件經組態以固持圖案化器件，圖案化器件經組態 ”圖案化輻射光束以形成經圖案化輕射光束；基板固持 器’基板固持器經組態以固持基板，基板固持器包括與基 板接觸之支撐表面；投影系、统’投影系統經組態以將經圖 :化::射光束投影至基板上；及清潔系統，清潔系統包括 ’月潔單7G ’清潔單元經建構及配置以在基板固持器之支樓 表面上產生自由基以自其中移除污染。 在本發明之一態樣中，提供一種器件製造方法，其包 括：調節輻射光束；圖案化輻射光束以形成經圖案化輻射 光束；將經圖案化輕射光束投影至基板上，基板由基板固 持器之支撐表面支撐；及在基板固持器之支撐表面上產生 自由基以自其中移除污染。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置i。 裝置1包括經組態以產生輻射之源so、經組態以調節來自 接收自源SO之輻射之輻射光束B(例如，EUV輻射）的照明 系統（照明器）IL。源SO可經提供為單獨單元。支撐件或圖 案支撐件（例如，光罩台）MT經組態以支撐圖案化器件（例 如，光罩）MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定 位圖案化器件MA之第一定位器件]?]^。基板台或基板支撐 1333Il.doc 200916976 件（例如，晶圓台）wr經組態以固持基板（例如，塗覆抗蝕 劑之晶圓）W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位 基板W之第二定位器件pw。投影系统（例如，折射投影透 鏡系統）PS經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束8 之圖案投影至基板W之目標部分c(例如，包括—或多個晶 粒）上。 微影裝置1亦包括真空壁ENW封閉裝置之各種元件。真 空壁EN可封閉各種腔室(圖4未展示)，其包括陶照明 系統1L、投影系統PS，及裝置1之其他元件。若源so為微 影裝置！之-部分，則真MEN亦可封閉包括源⑽之腔 室。此等腔室可填充有經選擇以防止吸收由源犯所輸出之 輻射光束且防止污染各種光學元件的氣體。可基於裝置【 之組態來選擇氣體。舉例而t，在-實施中，微影裝置丨 為遠紫外線⑽V)微影系統，且真空壁之各種腔室可經 抽空至真空且具有分子氫(H2)之小背景壓力。在另一實施 中’真空壁之各種腔室可具有氮之背景壓力。應瞭解，額 外氣體亦可用於本發明之其他實施例中。 照明系統可包括用以引導、成形或控龍射之各種類型 折射H磁性、電磁、靜電或其 他類型之光學組件，或其任何組合。 支撑件：圖案支揮件以視圖案化器件之定向、微影裝置 ΓΓ:條件(諸如，®案化器件是否固持於真空環 ί Γ二靜t式來固持圖案化器#。支撐件可使用機 械、真空、靜電或其他炎持技術來固持圖案化器件。支撲 133311.doc 200916976 件可為（例如）框架或台，其可 的。支撐件可確保圖案化器件要而為固定或可移動 於所要位置。可μ為本 '相對於投影系統而處 了⑽為本文對術語”主光罩” 使用均與更通用之術語"圖案化器件”同義。，之任何 本文所使用之術語”圖案化 可用以A L , 卞鐵、被廣泛地解釋為指代 =以橫截面中向輕射光束賦予圖宰= 土板之目標部分中形成圖案在 若被賦予至輻射光東之圖安^ 仟應W主意’例如’ 徵，則… 圖案包括相移特徵或所謂的輔助特 所要圖案。通常，被賦予至^刀中的 部分中所形成之器件（諸如，# 、目払 圖案化器件可為透射或反射的同安 層 飞反射的。圖案化器件之實例包括 Ο 先罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在 微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移 之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之-實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者 可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾 斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之賴射光束中。 本文所使用之術語”投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任 何類型之投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁性、 電磁及靜電光學系統或其任何組合’其適合於所使用之曝 光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其 他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更 通用之術語，，投影系統"同義。 I333II.doc 200916976 如此處所描繪，裝置1為反射類型(例如，冑用反射光 罩)或纟裝置可為透射類型（例如’使用透射光罩）。 微影竑置1可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器 中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備 步驟，同時將-或多個其他台用於曝光。 微影裝h亦可為如下類型：其中基板之至少—部分可 由具有相對較高折射率之液體（例如，水）覆蓋，以便填充 投影系統與基板之間的办pq ·*· -r # 土狀間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影 裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技 術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如 本文所使用之術語”浸沒”不意謂諸如基板之結構必須浸潰 於液體中’而是僅意謂液體在曝光期間位於（例如）投影系 統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源so接收輻射。舉例而古， 當韓射源為準分子雷射器時’輻射源與微影裝置可為單獨 實體。在該等情況下’不認為輻射源形成微影裝置之一部 且輻射借助於包括（例如）適當引導鏡面及/或光束放大 器之光束傳送系統而自輻射源s〇傳遞至照明器化。在其他 情況下’例如’當輻射源為汞燈時，輕射源可為微影裝置 之整㈣分及照明㈣連同光束傳送系統（在 需要時）可被稱作輻射系統。 照明器几可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的 調整器件。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布 133311.doc 200916976 的至V外邛徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作 :外部及σ内部）。此外，照明器IL可包括各種其他組件， 諸如、積光器及聚光器（圖1中未展示）。照明器可用以調節 幸田射光束’以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 皁虽射光束Β入射於固持於支樓件（例如，光罩台ΜΤ)上之 圖案化器件（例如’光罩ΜΑ)上，且由圖案化器件圖案化。 在由圖^化器件ΜΑ反射之後’賴射光束Β穿過投影系統 PS杈衫系統PS將光束投影至基板W之目標部分C上。借 助於第一定位器件Pw及位置感測器IF2(例如，干涉量測器 件、線性編碼器，《電容性感測器），基板台WT可精確地 移動例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部 /刀C。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器IF1 (例 如’干涉量測器彳、線性編碼器，或電容性感測器)可用 以（例如）在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於 輕射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件μα。一般而 a，可借助於形成第一定位器件ρΜ之一部分的長衝程模 組（粗略定位）及短衝程模組（精細定位）來實現支撐件μτ之 移動。類似地，可使用形成第二定位器件PW之一部分的 長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步 進II (與掃描器相對）之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝 程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記 Ml、M2及基板對準標記ρι、？2來對準圖案化器件“八及基 板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分， 但其可位於目標部分之間的空間中（此等被稱為切割道對 133311.doc -12- 200916976 準標記）。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA 上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次 性投影至目標部分c上時，使支撐件Μτ及基板台WT保持 基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）^接著，使基板台WT在 X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步 進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像 之目標部分C的尺寸。 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目 標部分c上時，同步地掃描支樓件附及基板台WT(亦即， 單次動態曝光）。可藉由投影系統以之放大率（縮小率）及影 像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐件Μτ之速度及方 向。在掃描模式中’曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光 中之目標部分的寬度（在非掃描方向上），而掃描運動之長 度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 在另模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目 標部分c上時，使支料町保持基本上靜止，從而固持可 程式化圖案化器件’且移動或掃描基板台WT。在此模式 中，通㊉使用脈衝式輻射源，且在基板台w丁之每一移動 之後或在掃描期間的順次輕射脈衝之間根據需要而更新可 程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式 化圖案化益件（諸如’如以上所提及之類型的可程式化鏡 面陣列）之無光罩微影術。 133311.doc 200916976 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2a示意性地展示根據本發明之一實施例的圖i之基板 台WT的橫截面。基板台资包括主要區塊（在下文中亦被 稱作鏡面區塊_及基板固持器簡。紐固持器wh定位 於主要區塊或鏡面區塊MB上，1包括支撐基板w之複數 個突起2 0 0。鏡面區塊M b可包括安置於其一或多個側上之 一或多個鏡面及/或光柵。一或多個鏡面及/或光柵經組態 以與干涉a十及/或編碼器系統協作以控制基板固持器之 位置。粗糙度（例如，奈米粗糙度）提供於突起2〇〇之頂部上 以防止基板W黏附於基板固持器％^[上。接觸基板w之突 起200的頂部共同地界定支撐表面21〇(其由圖23中之虛線 示意性地描繪）。當將基板W裝載至基板台WT之支撐表面 2 1 0上時，基板W可（例如）藉由將真空施加至界定於突起 200之間的空間而相抵於支樓表面21 〇被吸住。或者，可使 用（例如）靜電力而將基板W夾持至基板固持器WH上。藉由 使用此等方法’基板W採用由支撐表面21〇所判定之形 式。具體而言，基板W之形式由均位於同一平面中之突起 200的接觸表面判定。 現參看圖2b ’若一或多個污染粒子220存在於支撐表面 2 1 〇與基板W之背側表面之間，則基板w之形式不僅由支撐 表面210之形式予以判定，而且由污染粒子22〇予以判定。 圖2b展示在沿著X方向之各種位置處基板固持器的橫截 面。如圖2b所示，污染粒子220可導致基板之不可接受的 133311.doc 14 200916976 變形’其可在將圖案化器件中之圖案成像至基板之頂部表 面上期間導致聚焦及覆蓋誤差。此等誤差可導致經製造基 板之報廢且因此導致微影裝置1之更低生產量。此可增加 微影裝置1之總操作成本。

為了縮減可能存在於基板台WT上之污染粒子，微影裝 置1可包括經組態以移除污染粒子之清潔系統。圖3展示根 據本發明之一實施例之清潔系統300的示意性表示。清潔 系統300包括經組態以清潔基板台wt之清潔單元3 1 〇。清 絜系’’先300為可疋位於微影裝置丨之度量衡區域中的原位系 統。清潔早元310可用以在自基板台WT卸載—基板與將另 一基板w褒載至基板台WT上之間清潔基板台wt。 如圖3所不，清潔單元310安裝至框架330且定位於微影 裝置1之度量衡區域34〇中。在一實施例中，框架為經 組態以支撐度量衡㈣（例如，干涉計及/或編碼器系統）之 度量衡框架。度量衡區域34〇為在微影裝置^之區域，其 :可在基板W上進行多個量測（例如，基板對準、經曝光圖 、務上，基板台WT可自曝光區域35〇 移動至度$衡區域34〇， 且可自度量衡區域340移動至曝井 區域350。微影裝罟1介π a 狀切王曝尤 亦可包括可經並行地使用之一個以上 基板台WT。舉例而言， J在第一基板台上進行量測或渣 潔，同時將一或多個1^ m " 具他台用於曝光。 清潔系統3 00亦包括么及 動，、、—、且悲以相對於框架330而移動或驅 配置以冰荖€·古 兀32〇。驅動單元320可經建構及 配置以/口者垂直z方向（亦 吁 才P，大體上垂直於基板台之上部 133311.doc 200916976 表面的方向）及/或水平x方向移動清潔單元3i〇。在此組態 中’在清潔程序期間，將清潔單元31〇降低至最接近基板 固持器WH之支撑表面21G的位置，且接著使基板台资相 對於清潔單S3H)而移動以確保清潔整個支撐表面。可能 存在於X起2GG中之-或多者上的污染將由清潔單元训大 體上移除。或者，在本發明之另—實施例中，可在清潔程 序期間固定基板台WT，且可在基板台WT之整個表面上 (亦即’在X及y方向上）移動清潔單元31〇。清潔操作可為自 動化的且在不打開微影裝置丨之情況下得以執行，其可顯 著地降低停機時間且顯著地增加裝置丨之生產量。

C 現參看圖4 ’此圖展示根據本發明之—實施例之清潔單 元31〇的示意性描述。清潔單元31〇經組態以產生包括自基 板固持器WH之上部表面或支撐表面21()選擇性地㈣掉有 機污染物之中性自由基（例如’氫）的電毅。通常，有機污 染表示基板固持器WH之總污染的約9G%至％%。此有機污 染通常由在塗覆過程期間所留存之光阻粒子引起。根據圖 4之實施例的電聚清潔可將基板固持器之總污染極大地 縮減至可接受位準。 清潔單元3H)包括外殼或蓋罩4〇〇,外殼或蓋罩具有 連接至氣體供應源（圖4中未展示）之第一入口 4ι〇及連接至 真空單元（圖4中未展示）之出〇42〇。氣體供應源及真空單 元可為微影裝置！之-部分或配置於裝置外部。清潔單元 31〇亦包括配置於蓋罩400之外殼中且連接至rf電源44〇之 RF電極43〇或《產生器。在操作中，將氣體（例如，分子 133311.doc 200916976 氫）流供應至外殼或蓋罩400且藉由RF電極43〇而在外殼内 產生電漿450。具高度反應性之氫自由基H •由電漿45〇產 生。此等中性自由基與可能存在於基板固持器评11之表面 210上的污染物（例如，有機污染物）反應。此等污染物接著 自表面210解除吸附且隨後由真空單元提取。 有機万染物之移除亦可藉由電漿中所含有之帶電粒子而 達成。此等帶電粒子藉由電極與基板固持器WH2間的電 場而加速’以便撞擊於表面21〇上。 實務上，外殼或蓋罩400經定位成最接近基板固持器wh 之表面210 ^視极影裝置丨之組態而定，密封件可能或 可月b不k供於外咸或蓋罩4〇〇之間。舉例而言，若微影裝 置1為EUV微影裝置，則氮氣氛可維持於由真空壁en所封 閉之空間中（或至少在由真空壁ENm封閉之腔室中的一些 中)且在清潔單元310外部。在此組態中，在外殼或蓋罩 400與基板固持器WH之表面210之間無需密封件。然而， :需要維持真空或與用以產生電漿之氣體不同的氣體氣 乳，則可在外殼或蓋罩400與基板固持器WH之表面21〇之 間提供密封件460。 在圖4之實施例中，與清潔石（cleaning灿加）相對，自 由基（例如，氫自由基）之使用可極大地縮減對突起2〇〇之損 裏的可此性，因為突起之機械侵蝕受到限制。一般而言， 需要使清潔過程限制突起200之儘可能多的侵蝕，以^維 ^基板W與基板固持器WH之間的足夠粗糖度。若縮減粗 '度，則基板W可能黏附至基板固持器WH且可能需要更 133311,ci〇c 200916976 強力以自基板固持器WH移除基板^此更強力可潛在地 破裂及/或斷裂基板w。 應瞭解’額外氣體（例如，氧）可用於本發明之另一實施 例中。氣體出於其適應性而經選擇以產生與可能存在於基 板固持器WH上之污染粒子反應的自由基。亦應瞭解，一 個以上人口及/或出口可用於本發明之另—實施例中。舉 J而。在實知*例中，複數個出口及入口可配置於外殼 或蓋罩400之周邊處。在本發明之其他實施例中，視待形 成之電漿而定’入口及出口之位置、形狀及尺寸亦可變 化此外，亦有可能經由電極430而將氣體引入至外殼或 蓋罩400之内部中。在此組態中，電極擔當簇射頭。 此外，儘管在圖4之實施例中清潔單元31〇包括具有111?電 極及RF源之電漿產生器，但應瞭解，電漿45〇可不同地產 生於/月冻單元3 1 0中。舉例而言，DC電壓可用以形成氣體 放電及電漿450。在另一實施例中，RF線圈可用以形成電 漿450。RF線圈可圍繞形成有電漿45〇之區域而定位於外殼 或蓋罩400内部。 在圖4之實施例中，清潔單元3 1〇經組態以在基板固持器 WH之區域化區域上產生電漿。在此實施例中，基板台wt 與清潔單元3 1 0可相對於彼此而移動（例如，基板台WT、 清潔單元3 10或兩者移動），以確保基板固持器WH之大體 上整個區域曝光至電襞450。然而，亦有可能使清潔單元 3 1 0經定尺寸以在基板固持器WH之大體上整個區域上形成 電漿450。在此替代實施例中，外殼或蓋罩4〇〇可經定尺寸 133311.doc •18· 200916976 以大體上覆蓋基板固持器WH之整個表面。 現參看圖5 ’此圖展示根據本發明之一實施例的清潔單 元5 00清春卓元500經建構及配置以用於（例如）euv系統 中，其中圍繞外殼或蓋罩51〇(例如，在清潔系統3〇〇及基 板台WT經定位所在之區域中）維持分子氫氣氛。類似於圖 4之實施例，清潔單元500包括具有連接至真空單元（圖5中 未展示）之出口 520的外殼或蓋罩510。清潔單元5〇〇亦包括

容納於蓋罩5 0 0之外殼中且連接至R F電源5 4 〇的R F電極 530。 外殼或蓋罩5H)係以網狀材料而形成，網狀材料包括經 組態以允許外殼51〇之外部與内部之間的氣體連通之複數 個開口 560。在此組態、中，維持於由真空壁抓所封閉之空 間内(亦即’外殼51〇外部)的氮氣氛經組態以擔當用於清潔 單疋5〇0之氮的供應源或源。因此，在操作中，存在於外 殼510外部之氣體（例如，分子氫H2)穿過開口 ，且藉由 RF電極530而在外殼内產生電製55()。經由外殼別之氣體 連通以圖5中之箭頭示意性地表示。*高度反應性之氯自 由基H·由電漿別產生，且與可能存在於基板固持器觀之 表面210上的污染物(例如，有機污染物)反應。此等有機污 染物接著自表面210解除吸附且隨後由真空單元提取。應 機污染物之移除亦可藉由電漿中所 子而達成。此等帶電粒子鋅士 的電場而加速，以便撞與基板固持器WH之間 ^ . 、表面210上。亦應瞭解，額外 風體(例如，乳)可用於本發明之另_實施例中。 133311.doc 19 200916976 存在於由真空壁EN所封閉之空間中之分子氫氣氛的壓 力T為、々1毫巴（mBar)(例如，在約〇1毫巴與毫巴之間的 範圍内）此壓力可足以提供足夠中性自由基以清潔表面 210或者’亦有可能區域地增加清潔單元5 〇 〇經定位所在 之區域中之分子氫氣氛的壓力，以便促進電漿形成且增加 外设5 1 〇中之自由基的量。舉例而言，在一實施例中，分 子氫之壓力可在度量衡區域34〇中比在曝光區域35〇中保持 於更高位準。 應瞭解，網狀材料中之開口 56〇的數目及尺寸可變化。 舉例而言，在一實施例中，開口之尺寸係在約0.1 mm與 10 mm之間的範圍内。或者，代替使用網狀材料，外殼51〇 可以由金屬（例如，不鏽鋼）製成之包殼而形成，其具有一 或多個開口以允許外殼5 1 0之外部與内部之間的氣體連 通。 圖6展示根據本發明之一實施例的清潔單元6〇〇。清潔單 元包括管道610及電漿產生器62〇。電漿產生器62〇經組態 以在管道610之區域640中形成電漿63〇。電漿產生器62〇可 包括（例如）經定位成沿著管道61〇或微波或RF空穴之尺卩線 圈。經組態以產生電漿630之其他系統亦可用於本發明之 其他實施例中。或者，自由基可形成於連續或叢發模式 DC放電中。分子氫或其他氣體（諸如，氧）流650經提供以 流過管道610。氫流過電漿630，其形成中性氫自由基流。 在電漿630中，產生中性及離子化活性粒子。離子化粒子 可精由與管道610之壁或與可位於（例如）管孔處之法拉第柵 I33311.doc -20- 200916976 格660的碰撞而中和。中性自由基作為光束67〇而退出管道 6H)。中性自由基與可能存在於基板固持器⑽之表面21〇 上的有機污染物反應。由中性自由基所解除吸附之污染物 粒子可由真空單元（圖6中未展示）之出口 68〇排空。 圖7展示圖6所示之裝置的變體。在此情況下，清潔單元 經組態以藉由高溫元件71〇(諸如，識熱導線）而產生自 由基。加熱元件710可出於有效熱解離而處於（例如）自約 ⑼代至約刚代之溫度。此裝置及方法特別有用於自氫 氣流650產生氫自由基光束72〇。 應瞭解，一個以上出口 680可提供於清潔單元6〇〇、7〇〇 中以排空經解除吸附之粒子。或者或此外，排空外殼或蓋 罩亦可附著至官道6 1 〇，以便最小化氣體至裝置之剩餘部 分中的流冑。密封件彳提供於排空蓋罩或外殼與基板固持 器WH之表面210之間。 在一實施例中，基板固持器WH之表面21〇的清潔可將以 中性自由基之清潔與研磨清潔組合以移除無機粒子。可藉 由请潔石來執行研磨清潔。清潔石可配置於位於度量衡區 域340中之單獨清潔區塊中。清潔石可包括可為導電之陶 兗材料。舉例^，陶究材料可包括氧化紹或氧化鈦及金 屬作為添加劑。清潔石可電連接至接地電位以在清潔操作 ’月間防止靜電電荷之累積。靜電電荷之該累積可導致表面 210與清潔石之間的靜電吸引。 返回參看圖3，清潔系統300亦可包括污染偵測單元36〇 以偵测基板固持器WH之表面上的污染粒子。污染偵測單 133311.doc -21 · 200916976 元3 60與基板台WT可相對於彼此而移動，使得基板固持器 WH之整個表面21 〇可經掃描以偵測潛在污染粒子。清潔單 7〇310及污染偵測單元36〇可由控制器37〇操作性地控制。 基於由污染偵測單元360所提供之污染量測，控制器37〇可 命令清潔單元310清潔基板固持器WH之表面21〇上的特定 區域或位置。舉例而言，控制器可命令基板台WT、清潔 單元310或兩者相對於彼此而移動，使得清潔單元31〇經定 位成最接近已偵測到污染粒子之區域。以該方式，有可能 大體上縮減清潔時間。或者，亦有可能清潔基板固持器 WH之整個表面。 Ο 污染偵測單元360可具備包括輻射源之位準感測器、透 鏡系統及偵測器（圖3中未展示）。位準感測器可用則貞測背 側固持於基板固持器WH之支樓表面21〇上之基❹之表面 的表面圖（surface figure)。當使用位準感測器時，輻射源 產生引導至基板W之表面上的輻射光束。韓射光束接著反 射於基板歡表面處且隨後料幻貞❹。偵㈣經建構 及配置以量測光束之方向的改變’其指示基板貨之頂部表 面之表面圖的變形。言亥變形可由在特定位置處更厚之基板 w或由存在於基板觀錢表面與切表面21()之間的㈣ ，而導致。藉由將至少兩個基板之表面圖儲存於資料儲存 單元中且藉由比較彼等表面圖，可 」彳貞測在類似位置處之表 面圖的複現變形。此可指示在 .. m置處之支撐表面210的 巧乐。位準感測器可為聚焦偵測系統。 儘管以上描述僅指定在裝置内之 心早下游自由基源，但 133311.doc -22- 200916976 ^解，可藉由在裝置丨内提供兩個或兩個 基：而縮減所需要之總清潔時間。 下杂自由 涉及程式化之電腦系統的軟體功能性可 在操作中了：。軟體程式碼可由通用電腦執行。 用電腦平：：碼及(可能地)關聯資料記錄儲存於通 A /心㈣，料，㈣可料於其他位置處及 /或經輸送用於萝恭木、歧久 、裝載至適虽通用電腦系統中 所論述之實施例涉及以由至少一機拔Μ因此以上 機15可續媒體所载運之一 或多個程式碼模組之形式的— 由雷腦h ★ 次多個权體或電腦產品。藉 由電版糸統之處理器之該等程式碼的執行使平台能夠 上以在本文所論述及說明之實施: 功能。 ^ τ π钒仃的方式來實施 如本文所使用，諸如電腦或機器”可讀媒體"之術 /與將指令提供至處理器用於執行s 曰 何媒體。該媒體可 ===’包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒 傳輸媒體。非揮發性媒體包括（例如）光碟或磁碟，諸 如去如上所論述而操作之任何電腦t之儲存器件中的任 一者。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如，電腦系統之主 要圯憶體。實體傳輸媒體包括同 甘4 +办 电纜鋼導線及光纖， /、包括在電腦系統内包含匯流排之

採用電信號或電磁信號或聲波或 輸媒:J r=r)資料通信期間所產生:聲=射 口此，通形式之電腦可讀媒體包括（例如）：軟磾 碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、d卿、 1333II.doc -23· 200916976 任何其他光學媒體、較不常用之媒體（諸如，打孔卡、紙 帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體）、RAM、PR〇M及 EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或g、輸 送資料或指令之載波、輸送該載波之電纜或鏈路，或電腦 可自其中讀取或發送程式碼及/或資料之任何其他媒體。 可在將一或多個指令之一或多個序列載運至處理器用於執 行時涉及許多此等形式之電腦可讀媒體。 儘官以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以

與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。描述不意 欲限制本發明。 儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使 用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用， 諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測 圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中， 可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通 用之術語”基板，，或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後 在(例如)軌道(通常將抗钮劑層施加至基板且顯影經曝光抗 蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提 及之基板。適用時’可將本文之揭示應用於該等及其他基 板處理工具。另外’可將基板處理一次以上，（例如）以便 形成多層K：’使得本文所使用之術語基板亦 有多個經處理層之基板。 〜匕，左3 微影裝置亦可為如下類型：其中基板之表面浸沒於具有 133311.doc •24· 200916976 相對較同折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統 之最終7L件與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微 影裝置中之其他空間’例如，圖案化器件與投影系統之第 一70件之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影 系統之數值孔徑。 ~ 本文所使用之術語"転糾"s ,，止由"1〜丄 _ 铷射及先束涵盍所有類型之電磁 輻射’包括紫外線（Uv)辕射（例如，具冑為或為約365

m 248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長）及遠紫外 線（EUV)輕射（例如，具有在為5 _至2〇⑽之範圍内的波 長），以及粒子束（諸如，離子束或電子束）。 術。。透鏡”在情境允許時可指代各種類型之光學組件中 之任-者或組合’包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光 學組件。 儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以 與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而 言’本發明可採取如下形式··電腦程式，其含有描述如以 上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料 健存媒體（例如，半導體記憶體、磁碟或光，其具㈣ 存於其中之該電腦程式。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於孰習 此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所閣明 之申請專利範圍之料的情況下對如所描述之本發明進行 修改。 【圖式簡單說明】 J33311.doc -25- 200916976 ^示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2a至圖2b示意性地展示根據本發明之—實施例的基板 台； 圖3示思性地展示根據本發明之一實施例的圖1之裳置的 曝光區域及度量衡區域； 圖4示意性地展示根據本發明之一實施例的清潔單元； 圖5示意性地展示根據本發明之一實施例的清潔單元； 圖6示意性地展示根據本發明之一實施例的清潔單元；且 圖7示意性地展示根據本發明之一實施例的清潔單元。 【主要元件符號說明】 200 210 220 300 310 320 330 340 350 360 370 400 410 133311.doc 微影裝置 突起 支撐表面 污染粒子 清潔系統 清潔單元 驅動單元 框架 度量衡區域 曝光區域 污染偵測單元 控制器 蓋罩 第一入口 -26- 200916976

420 出口 430 RF電極 440 RF電源 450 電漿 460 密封件 500 清潔單元 510 蓋罩 520 出曰 530 RF電極 540 RF電源 550 電漿 560 開口 600 清潔單元 610 官道 620 電漿產生器 630 電漿 640 區域 650 氫氣流 660 法拉第柵格 670 光束 680 出曰 700 清潔單元 710 加熱元件/南溫元件 720 氫自由基光束 133311.doc -27- 200916976 B 輻射光束 C 目標部分 ΕΝ 真空壁 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統 Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MB 主要區塊/鏡面區塊 MT 圖案支撐件 P1 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器件 PS 投影系統 PW 第二定位器件 SO 輻射源 W 基板 WH 基板固持器 WT 基板台 X 方向 Y 方向 z 方向 133311.doc -28-

Claims (1)

1. 200916976 十、申請專利範圍： 1· 一種微影裝置，其包含： 3明系統，該照明系統經組態以調節—輻射光束； 。。-圖案支撐件，該圖案支撐件經組態以固：一圖案化 ::牛圖该圖案化器件經組態以圖案化該輻射光束以形成 一！圖案化輻射光束； -基板固持器，該基板固持器經組態以固持一某板， 该基板固持器包括一與該基板接觸之支擇表面； 0 二f影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化賴射 光束投影至該基板上；及 4系統’該清潔系統包括—清潔單元該清潔單 凡經建構及配置以在該基㈣持器之該支撐表面上產生 自由基以自其尹移除污染。 …士 D月求項1之裝置，其中該輻射光束具有-在遠紫外蟀 範圍内之波長。 、 3.如請求们之裝置，其中該等自由基為氫自由基。 '4.如請求項3之裝置’其中該清潔單元包括： 外吸，該外殼包括一與一氫供應源連通之入口及一 與真空單元連通之出口；及 t電毁產生器’該電漿產生器配置於該外殼内且經組 〜、在忒外设内形成一氫電漿以產生該等自由基。 士 〇月求項4之裝置，其·中該電聚產生ϋ包括一 RF電極、 DC放電電極或一RF線圈。 6.如請求項4之奘罢 , 衣置，其中在使用中，該外殼經定位成最 133311.doc 200916976 接近該基板 該等自由基。 4分上產生 7.::求項6之襞置，其中該外殼經建構及配置 * —由該支撐表面所界定之整個區域。 8· 求項丨之|置，其中在使用中，該 清潔單元可相對於彼此而移動。 9·如明求項8之裝置’其中該清潔單元可 直於該支撐表面之方向移動。 大體上垂 C.) 1〇·: '求項1之裝置，其中該清潔系統進-步包含：一污 =測系統’該污㈣測系統經組態以偵測該支撐表面 及一控制器’該控制器與該污染偵“統及 :二：早π通信，該控制器經組態以基於該污染偵測系 、、一偵測結果來控制該清潔單元、該基板固持器或兩 者之—位置。 U.如：求項1之裝置’其中該清潔系統位於該裝置之維持 有氫氣氛的一區域中，且其中該清潔單元包括： 一外殼’該外殼包括複數個開口及一與一真空單元連 通^出口，該複數個開口使能夠進行該氫氣氛與該夕^；殼 之一内部之間的氣體連通；及 一電t產生器’該電聚產生器配置於該外殼之該内部 =且經組態以形成一氫電漿以產生該等自由基，該氫氣 氛經紐態以擔當一用於該電漿產生器之氫供應源。” 12. 如請求項11之裝置，其中該外殼係由一網狀材料製成。 13. 如請求項丨之裝置，其中該清潔單元包括一位於一氫流 133311.doc 200916976 内之冋姐TL件’該高溫元件之溫度足以導致熱解離以形 成該專自由基。 14_ 一種器件製造方法，其包含： 調節一輻射光束； 圖案化該輻射光束以形成一經圖案化輻射光束； 將該經圖案化輻射光束投影至一基板上，言亥基板由一 基板固持器之一支撐表面支撐；及 在°亥基板固持器之該支撐表面上產生自由基以自其中 移除污染。 〃 15. 如請求項14之方法’其中該輻射光束具有一在遠紫外線 範圍内之波長。 16. 如請求項14之方法，其中該等自由基為氫自由基。 17. 如請求項16之方法，其中該產生包括： 將氫供應至一外殼之一内部；及 在該外殼内產生一氫電漿以產生該等自由基。 青长項17之方法，其中該供應包括在一定位有該基板 固持器之區域中維持一氫氣氛，該氫氣氛經組態以擔當 氣供應源以在該外殼内產生該電製。 19·如請求項18之方法，其中該外殼係由一網狀材料製成。 抑月求項17之；法，其中自—位於一定位有該基板固持 益之區域外部的氫源供應該氫。 月求項17之方法，其中藉由一 RF電極、一 DC放電電 極或一RF線圈來產生該電漿。 如明求項1 7之方法，其進_步包含移動該外殼、該基板 133311.doc 200916976 固持器或兩者’以將該外殼定位成最接近該基板固持 器’以便在該支撐表面之至少一部分上產生該等 目由 基。 23. 如請求項22之方法，其中該外殼經建構及配置以大體上 覆蓋一由該支撐表面所界定之整個區域。 24. 如請求項14之方法，其進一步包含偵測該支撐表面之污 染，及基於該偵測來控制該清潔單元、該基板固持器或 丁 L -和 , < 一位置’以將該外殼定位成最接近該基板固持 器，M便在該支撐表面之至少一部分上產生該等自由 基。 25. 如請求頂彳4> (方法’其中該產生包括在一高溫元件内提 -一. 故两溫元件之溫度足以導致熱解離以形成該 等自由基。 〇 133311.doc