TWI446482B - 靜電鉗微影裝置及製造靜電鉗之方法 - Google Patents

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Description

靜電鉗微影裝置及製造靜電鉗之方法
本發明係關於一種用於在使用中將物件(例如，晶圓、基板或主光罩)固持於微影裝置中之固定平面中之靜電鉗，鉗包含具備瘤節之支撐件，藉以瘤節之頂部判定固持有物件之平面且由絕緣體所圍繞之電極提供於瘤節之間。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(例如，光罩(主光罩))可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
靜電鉗可用於在某些波長(例如，EUV)下操作之微影裝置中，因為在此等波長下，微影裝置之某些區域在真空條件下操作。可提供靜電鉗以分別將諸如光罩或基板(晶圓)之物件靜電地夾持至諸如光罩台或晶圓台之物件支撐件。靜電鉗可用以將物件靜電地夾持於預對準單元中。
US 4,502,094(圖2及圖3)揭示位於包含由(例如)鋁製成之導熱支撐件3、5之靜電夾盤(鉗)2上的半導體晶圓1。為了將晶圓1定位於夾盤上，提供定位銷13a、13b，使得晶圓1之平坦邊緣1a可鄰接銷13a且圓形邊緣1b鄰接銷13b，使得獨特地界定晶圓1之位置。支撐件具有可為6mm厚之周邊部分3及具有大約3.5mm之厚度的更薄穿孔中心部分5。中心部分具有橫截面為圓形之具有3mm之直徑的穿孔或孔徑6。靜電夾盤2亦包含以緊固於孔徑6中之銅支柱7之形式的導熱部分。為6mm長且具有3mm之直徑的支柱7與支撐件之中心部分且亦與周邊部分3進行熱接觸，周邊部分3由於其相對較大尺寸而擔當散熱片。
支柱7具有平坦端面8，平坦端面8位於同一固定平面中，使得半導體晶圓1可承載於其上以及支撐件之周邊部分3的主要表面9上。以此方式，晶圓可相對於靜電夾盤2而支撐於固定平面中。此外，因為支柱7係由金屬製成，所以其為導電的(以及導熱的)，使得半導體晶圓1藉由支柱7而在其背部表面(亦即，面向靜電夾盤2之表面)處進行電接觸。
夾盤2亦具有以可由(例如)鋁製成之柵格電極10之形式的導電部件。基本上，柵格10為具有90mm之直徑及1.3mm之厚度的圓形。柵格10之網目係由具有5mm之直徑的圓形孔徑11組成。柵格10具有延伸於支柱7之間的部分，因為柵格10經定位成使得支柱7延伸穿過孔徑11，但支柱7與柵格10藉由介電材料層12而相互地絕緣。可為(例如)環氧樹脂之介電材料層12圍繞柵格10，使得除了使柵格與支柱7絕緣以外，亦使柵格10與支撐件之中心部分5絕緣。柵格10與支柱7及支撐件2之中心部分5兩者之分離度為(例如)1mm，介電層10填充此等各種部件之間的整個空間。此外，介電層存在於柵格10之上部表面上，但層10之此部分具有大約200微米之厚度。如在下文中更詳細所解釋，支柱7可自介電層12突出，使得半導體晶圓1與層12間隔分離大約10微米。
為了相抵於夾盤2而固持半導體晶圓1，將電位差施加於晶圓1與柵格電極10之間。通常，此電位差為4kV。自支撐件2經由支柱7而進行至晶圓1之背部表面的電接觸，且經由延伸穿過支撐件之中心部分5且穿過介電層12的電連接4而將(例如)大約4kV之偏壓電位施加至柵格10。因此，跨越介電層12而建立靜電夾持力，使得晶圓1相抵於夾盤2之支柱7而固持於固定平面中。夾持力之量值與晶圓1與電極10之間的電位差之平方成比例、與層12之介電常數成正比，且與晶圓1與柵格10之間的距離之平方成反比。
圖3為圖2之半導體晶圓及夾盤自上方所截取的平面圖，半導體晶圓被部分地切掉。圖2展示沿著圖3之線I-I’的橫截面。如圖3所示，夾盤2具有支柱7之對稱分布。為了相抵於夾盤而均勻地固持晶圓，較佳的為，相對緊密地間隔支柱7以避免晶圓之區域化曲折。此亦與對避免跨越晶圓1之溫度變化的需要一致。支柱7之數目愈大且其間隔愈緊密，則自晶圓至支撐件之厚周邊散熱片3的熱轉移可愈有效。但，關於支柱之數目，因為歸因於靜電吸引之接觸壓力隨著支柱7之數目增加而減少，所以必須達成折衷。然而，因為支柱7自介電層12突出，所以晶圓1僅在支柱7之端面8處且在主要表面9之內部周邊處接觸夾盤2。藉由以此方式來限制接觸面積，最大化接觸壓力(亦即，每單位面積之力)。此為有益的，因為晶圓1與支柱7之間的熱轉移之效率視接觸壓力而定。
夾持於靜電鉗上之物件需要以極高精確度而定位於靜電鉗上，且靜電鉗上之物件的位置需要隨著時間推移而為穩定的。
將有利的為(例如)提供一種給出物件之位置之高精確度及穩定性的改良型靜電鉗。
根據本發明之一態樣，提供一種用於在使用中將物件固持於微影裝置中之固定平面中之靜電鉗，鉗包含具備瘤節之支撐件，藉以瘤節之頂部判定固持有物件之平面且由絕緣體所圍繞之電極提供於瘤節之間，其中支撐件係由低膨脹材料製成。
根據本發明之另一態樣，提供一種製造經組態以將物件靜電地夾持至微影裝置中之物件支撐件之靜電鉗的方法，方法包含：提供具有瘤節之材料層；及將由絕緣體及/或介電材料所圍繞之電極安置於瘤節之間。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影裝置，其包含：物件支撐件，物件支撐件經建構以在輻射光束之光束路徑中支撐物件；靜電鉗，靜電鉗經組態以相抵於物件支撐件而靜電地夾持物件；鉗包含具備瘤節之支撐件，藉以瘤節之頂部判定固持有物件之平面且由絕緣體所圍繞之電極提供於瘤節之間，其中支撐件係由低膨脹材料製成。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
如本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
如本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
支撐結構及基板台在下文中亦可被稱作物品支撐件。物品包括(但不限於)圖案化器件(諸如，主光罩)及基板(諸如，晶圓)。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
圖4描繪根據本發明之一實施例之靜電鉗的部分橫截面。在圖4所示之實施例中，用於在使用中將物件固持於固定平面24中之靜電鉗20包含具備瘤節21之支撐件25，藉以瘤節之頂部判定固持有物件之平面24且由介電質23所圍繞之電極22提供於瘤節21之間。介電質23亦充當絕緣體。電極22與瘤節21之頂部之間的距離可在5μm與1000μm之間(較佳地，在50μm與1000μm之間)。在一設計實例中，等效於電極與瘤節之頂部之間的距離之物件與電極之間的距離包含5μm至10μm之間隙及100μm之介電質。儘管圖4中僅展示兩個瘤節21，但必須理解，一般而言，可使用多個瘤節，且電極22及介電材料23可位於彼等瘤節21中之每一者之間。有利地，具備瘤節21之支撐件25可由一種材料製成，使得支撐件25上之瘤節21的位置為極穩定且剛性的，其有助於保持物件在平面24中之其位置上為穩定的。為了改良穩定性，支撐件25可比瘤節21之高度厚10至200倍。舉例而言，支撐件可為40mm厚，其中瘤節之高度為300μm。
瘤節21之頂部判定固持有物件之平面24。瘤節21之頂部可與物件接觸，且此接觸可能需要瘤節21之材料為抗磨損的，因為每次將物件夾持於瘤節21上時，將力施加於瘤節21上，其可能導致瘤節21之磨損。磨損可使鉗20之瘤節21對黏附效應更敏感。黏附效應通常係歸因於物件之底部截面與支撐瘤節21之頂部截面之間的黏著力以及由殘餘靜電電荷所產生之靜電力。黏著力可由於材料雜質及接觸表面之粗糙度不完善性(roughness imperfection)而產生。物件可在瘤節21上滑動，藉此導致瘤節21上之磨損及粗糙度不完善性，其可導致額外黏附。磨損之另一原因可為瘤節21在污染物黏附至瘤節21時所必要之清潔。
夾持於靜電鉗20上之物件需要以極高精確度來定位，且靜電鉗20上之物件的位置需要隨著時間推移而為穩定的。若銅及鋁分別用於瘤節21及支撐件25，則不能以足夠高精確度來保證位置，此係因為金屬之熱膨脹(分別為16.5m/m.K×10-6 及22.5m/m.K×10-6 )高。若鉗20之溫度改變，則高熱膨脹可能給出瘤節21之平面24中之不平坦性及移動的危險。用於鉗20中之不同材料之膨脹係數差亦可導致材料之間的拉力及鉗20的不平坦性。另一危險可為：瘤節21與支撐件25之間的連接可能太弱，其使得由(例如)電極22或介電質23所導致之任何拉力可導致鉗的不平坦性及/或平面24中之瘤節21的平移。因此，可能有利的為由一種材料製造支撐件25及瘤節21。若單件式地製造支撐件25及瘤節21，則可以改良型剛性來進行兩者之間的連接，此克服鉗20內之任何拉力。具備瘤節21之支撐件25的材料較佳地具有小於10m/m.K×10-6 之熱膨脹。材料可為(例如)SiC(如(例如)由KyoceraTM 所生產之碳化矽，其具有4m/m.K×10-6 之熱膨脹)、SiSiC(如由Saint GobainTM 所生產之矽化碳化矽，熱膨脹為4m/m.K×10-6 )，或Si3 N4 (氮化矽，熱膨脹為3.3m/m.K×10-6 )。可能需要夾持於靜電鉗2上之物件(諸如，基板及主光罩)可分別由矽及石英製成。矽具有2至3m/m.K×10-6 之熱膨脹，且石英具有視其製造過程而定之為0.05至9m/m.K×10-6 之熱膨脹。可選擇鉗20之熱膨脹，使得其接近於夾持於鉗20上之物件的熱膨脹以最小化物件與靜電鉗20之間的拉力。此導致鉗20上之物件的更好平坦性及鉗2上之物件的更穩定位置。所揭示之熱膨脹係數為在20K至100K溫度範圍內之係數，在室溫298K下，熱膨脹係數可更小。
以上所提及之材料亦比銅硬得多。SiC及SiSiC之(努氏100g)硬度對應於9-10之莫氏硬度為2800Kg/mm2 ，且Si3 N4 對應於9之莫氏硬度具有2200Kg/mm2 之(努氏100g)硬度。如以上段落中所描述，硬度對於避免瘤節21之磨損及黏著力而言為重要的。銅具有約3-5之莫氏硬度，此意謂其比以上所提及之碳化矽及氮化矽軟得多。可能需要夾持於靜電鉗2上之基板及主光罩可分別由矽及石英製成。矽具有在6與7之間的莫氏硬度，且石英具有7之莫氏硬度，其使得當銅用於瘤節21時，瘤節將磨損。若瘤節21磨損，則平面24之位置可能不同且瘤節21對於黏著力而言將為敏感的。
SiC之導熱率為120W/m.K，且氮化矽之導熱率為30W/m.K，其低於為394W/m.K之銅的導熱率或為237W/m.K之鋁的導熱率，但在大多數應用中，此將足以得到至溫度控制系統之足夠熱輸送。溫度控制系統可在靜電鉗20之支撐件25內使用水管27以控制鉗2之溫度。
圖5描繪根據本發明之另一實施例之靜電鉗之頂層的部分橫截面。在圖4所示之實施例中，電極32由絕緣體及/或介電材料35、33圍繞且提供於瘤節31之間。在圖5之實施例中，絕緣體材料33提供於電極下方且介電材料35提供於電極32上方。介電材料35、23可(例如)為塑膠，諸如：Para Tech Coating,Inc.之Parylene；Du PontTM 之Kapton、Mylar；或亦當作絕緣體之液晶聚合物(LCP)。石英(諸如，SchottTM 密封玻璃、SchottTM AF32或37或Schott Borofloat(BF)33)亦可用作介電絕緣體。玻璃可熔化於瘤節之間。玻璃具有高體積電阻率及足夠介電強度之優點。可用作絕緣體及/或介電質之其他材料可為氮化硼。
圖6揭示根據又一實施例之靜電鉗的俯視圖。靜電鉗41具備回填氣體系統以在物件(例如，基板(圖1中之W))與支撐件(例如，基板台(圖1中之WT))之間供應回填氣體。回填氣體用以改良基板W與水受控溫度穩定化單元61之間的導熱率，水受控溫度穩定化單元61為基板台WT之一部分且於其上將基板夾持於真空環境中。真空中之導熱率極低，且因此存在基板將變得更暖之危險，其可導致基板之熱膨脹及基板曝光中之覆蓋困難。自回填供應系統55供應回填氣體，回填供應系統55經由回填氣體閥43而連接至溫度穩定化單元61之底部中的供應通道49。回填氣體經由十二個供應孔47而進入具有圓形形狀之兩個凹槽53(如此處所描繪，外部圓形凹槽僅展示圓形凹槽之一部分，實際上，凹槽53為完整圓)，其導致回填氣體填充基板與溫度穩定化單元之間的空間。若需要替換基板W，則將關閉回填氣體閥43且將打開將真空供應管線57與供應通道49連接之真空閥45，使得基板W與溫度控制單元之間的空間將經由供應孔47及凹槽53而被抽吸至真空。若在基板與溫度控制單元之間達成類似於真空腔室中之真空的真空，則可釋放基板。若已交換基板W，則將關閉真空閥45且將打開回填氣體閥43，以將回填氣體供應至基板與溫度控制單元之間的空間。若切斷回填氣體且施加真空(且反之亦然)，則以上所提及之回填供應系統確保快速回應時間。
圖7揭示關於圖6中位於具有真空壁66之真空腔室中之靜電鉗的橫截面圖(僅部分地展示壁，必須理解，壁完全圍繞靜電鉗)。回填氣體經由回填氣體閥43、供應管線65、供應通道49、供應孔47及凹槽53而供應至基板W與溫度穩定化單元61之間的空間67。為了使基板W與溫度穩定化單元保持一距離，將突起物69提供至溫度穩定化單元61。溫度穩定化單元61具備用於以受控溫度而將水提供至溫度穩定化單元61之水管63。靜電鉗進一步具備將經由真空閥45而裝入腔室中之真空連接至供應管線65之真空供應管線57。為了向回填氣體系統給出短回應時間，凹槽53可具有1mm2 之流動表面，供應孔47可為具有1.5mm之直徑的圓形，供應通道49可具有9mm2 之流動表面，且供應管線65可為具有6mm之直徑的圓形。通道49、供應管線57及65應有利地保持較短(例如，短於50cm)以確保快速回應時間。根據本發明，圖6及圖7之靜電鉗可包含具備瘤節之支撐件，且由提供於瘤節與支撐件之間的絕緣體所圍繞之電極可由低膨脹材料製成。或者，可藉由用於生產鉗之習知技術來製造圖6及圖7之靜電鉗。
根據另一實施例，靜電鉗可具備連接至電極控制件85之外部電極81(見圖8)及內部電極83。若需要替換基板W，則將藉由控制件85來停用外部電極81，使得物件(基板)將略微彎曲且回填氣體可能在基板與外部電極81之間逸出至圍繞基板及鉗之真空空間。若基板與溫度控制單元之間的空間處於真空壓力，則將停用內部電極且可完全釋放基板。可藉由使用外部電極及內部電極之此方法而縮短使基板與鉗之間的空間變為真空之回應時間。根據本發明，圖8之電極可包含具備瘤節之支撐件，且由提供於瘤節與支撐件之間的絕緣體所圍繞之電極可由低膨脹材料製成。或者，可藉由習知技術來製造圖8之靜電鉗。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
如本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為約5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見到，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1．．．半導體晶圓
1a．．．平坦邊緣
1b．．．圓形邊緣
2．．．靜電夾盤
3．．．導熱支撐件
4．．．電連接
5．．．導熱支撐件
6．．．孔徑
7．．．銅支柱
8．．．平坦端面
9．．．主要表面
10．．．柵格電極
11．．．圓形孔徑
12．．．介電材料層
13a．．．定位銷
13b．．．定位銷
20．．．靜電鉗
21．．．瘤節
22．．．電極
23．．．介電質/介電材料
24．．．固定平面
25．．．支撐件
27．．．水管
31．．．瘤節
32．．．電極
33．．．絕緣體材料
35．．．介電材料
41．．．靜電鉗
43．．．回填氣體閥
45．．．真空閥
47．．．供應孔
49．．．供應通道
53．．．凹槽
55．．．回填供應系統
57．．．真空供應管線
61．．．溫度穩定化單元
63．．．水管
65．．．供應管線
66．．．真空壁
67．．．空間
69．．．突起物
81．．．外部電極
83．．．內部電極
85．．．電極控制件
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪可使用本發明之一實施例的微影裝置；
圖2為根據先前技術之位於靜電夾盤上之半導體晶圓在圖3之線I--I'上所截取的橫截面圖；
圖3為圖2之半導體晶圓及夾盤自上方所截取的平面圖，半導體晶圓被部分地切掉；
圖4描繪根據本發明之一實施例之靜電鉗之頂層的部分橫截面；
圖5描繪根據本發明之另一實施例之靜電鉗之頂層的部分橫截面；
圖6揭示根據又一實施例之靜電鉗的俯視圖；
圖7揭示關於圖6之靜電鉗的橫截面圖；且
圖8揭示靜電鉗之另一實施例的俯視圖。
20．．．靜電鉗
21．．．瘤節
22．．．電極
23．．．介電質/介電材料
24．．．固定平面
25．．．支撐件
27．．．水管

Claims (21)

  1. 一種經組態以在使用中將一物件固持於一微影裝置中之一實質上固定的平面中之靜電鉗，該靜電鉗包含：一支撐件，其包含一具有一上側表面之基底及延伸自該基底之該上側表面的複數個瘤節，該複數個瘤節之每一者皆包含一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部部分決定其中固持有該物件之該平面且該等瘤節之該底部部分經配置於該基底之該上側表面上；及一電極，其經設置於兩個瘤節之間，且未延伸高於該兩個瘤節之該等頂部部分，且未延伸低於該兩個瘤節之該等底部部分，且為一絕緣體所圍繞，其中設置有該等瘤節之該支撐件係由一單件式(one piece of)低膨脹材料製成。
  2. 如請求項1之靜電鉗，其中該支撐件係由具有小於10m/m.K×10-6 之一膨脹係數的一材料製成。
  3. 如請求項2之靜電鉗，其中該支撐件係由具有小於4m/m.K×10-6 之一膨脹係數的一材料製成。
  4. 如請求項1之靜電鉗，其中該靜電鉗包含一溫度控制系統。
  5. 如請求項4之靜電鉗，其中該溫度控制系統包含一水管。
  6. 如請求項1之靜電鉗，其中該支撐件係由一非金屬材料製成。
  7. 如請求項1之靜電鉗，其中該絕緣體為一介電材料。
  8. 如請求項7之靜電鉗，其中該介電材料為Parylene®。
  9. 如請求項7之靜電鉗，其中該介電材料為Kapton®。
  10. 如請求項7之靜電鉗，其中該介電材料為Mylar®。
  11. 如請求項7之靜電鉗，其中該介電材料為石英。
  12. 如請求項7之靜電鉗，其中該介電材料為一液晶聚合物。
  13. 如請求項7之靜電鉗，其中該介電材料為氮化硼。
  14. 如請求項1之靜電鉗，其中該絕緣體包含兩種不同材料。
  15. 如請求項14之靜電鉗，其中該兩種不同材料中之一第一者係經配置於該電極上方，而該兩種不同材料中之一第二者係經配置於該電極下方且介於該電極與該基底之該上側表面間。
  16. 一種製造一經組態以將一物件靜電地夾持至一微影裝置中之一物件支撐件之靜電鉗的方法，該方法包含：在該物件支撐件之一基底上提供一具有多個瘤節之材料層，該基底具有一上側表面，該等瘤節之每一者皆包含一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部部分決定其中固持有該物件之該平面且該等瘤節之該底部部分經配置於該基底之該上側表面上；及將由一絕緣體及/或一介電材料所圍繞之一電極放置於兩個瘤節之間，且未延伸高於該兩個瘤節之該等頂部部分，且未延伸低於該兩個瘤節之該等底部部分，其中設置有該等瘤節之該支撐件係由一單件式低膨脹材料製成。
  17. 如請求項16之方法，進一步包含使用一濺鍍過程、化學氣相沈積過程或其一組合來提供該絕緣體及/或介電材料。
  18. 一種微影裝置，其包含：一物件支撐件，該物件支撐件經建構以在一輻射光束之一光束路徑中支撐一物件；一靜電鉗，該靜電鉗經組態以相抵(against)於該物件支撐件而靜電地夾持該物件，該靜電鉗包含一支撐件，該支撐件包含一具有一上側表面之基底及延伸自該基底之該上側表面的複數個瘤節，該複數個瘤節之每一者皆包含一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部部分決定其中固持有該物件之該平面且該等瘤節之該底部部分經配置於該基底之該上側表面上；及一電極，其經設置於兩個瘤節之間，且未延伸高於該兩個瘤節之該等頂部部分，且未延伸低於該兩個瘤節之該等底部部分，且為一絕緣體所圍繞，其中設置有該等瘤節之該支撐件係由單件式低膨脹材料製成。
  19. 如請求項18之微影裝置，其中該物件為一待由該輻射光束曝光之基板。
  20. 如請求項18之微影裝置，其中該物件為一經組態以圖案化該輻射光束之圖案化器件。
  21. 一種微影裝置，包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化支撐件，其經組態以固持一圖案化器件，該 圖案化器件經組態以圖案化該輻射光束，以形成一經圖案化輻射光束；一基板支撐件，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；及一靜電鉗，其經組態以靜電地夾持該個別支撐件上的該圖案化器件或該基板，該靜電鉗包含：一平台，其包含一具有一上側表面之基底及延伸自該基底之該上側表面的複數個瘤節，該複數個瘤節之每一者皆包含一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部部分決定其上固持有該圖案化器件或該基板之一實質平坦表面且該等瘤節之該底部部分經配置於該基底之該上側表面上；及一電極，其為一絕緣體所密封且經設置於兩個瘤節之間，且未延伸高於該兩個瘤節之該等頂部部分，且未延伸低於該兩個瘤節之該等底部部分，其中設置有該等瘤節之該平台係由單件式低膨脹材料製成。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7940511B2 (en) * 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
JP2010161319A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Nikon Corp 静電吸着保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2011192991A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
WO2012005294A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその製造方法
US9348236B2 (en) 2010-12-08 2016-05-24 Asml Holding N.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
WO2012110144A1 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2490073B1 (en) * 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
US9360771B2 (en) * 2011-03-17 2016-06-07 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus, and device manufacturing method
NL2008630A (en) * 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
EP3550364A1 (en) 2012-02-03 2019-10-09 ASML Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus and method of manufacturing a substrate holder
US9455172B2 (en) 2012-02-29 2016-09-27 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp
WO2014012749A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method
US9104113B2 (en) 2013-01-07 2015-08-11 International Business Machines Corporation Amplification method for photoresist exposure in semiconductor chip manufacturing
US9541846B2 (en) 2013-09-06 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Homogeneous thermal equalization with active device
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
DE102014008031B4 (de) * 2014-05-28 2020-06-25 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung
TWI656596B (zh) 2014-08-26 2019-04-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 靜電夾具及其製造方法
US10002782B2 (en) 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
EP3262677A1 (en) * 2015-02-23 2018-01-03 M Cubed Technologies Inc. Film electrode for electrostatic chuck
JP6650345B2 (ja) * 2016-05-26 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
CN110720138A (zh) * 2017-06-22 2020-01-21 应用材料公司 用于晶粒接合应用的静电载具
DE102018116463A1 (de) 2018-07-06 2020-01-09 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP3921701A1 (en) 2019-02-08 2021-12-15 ASML Netherlands B.V. Component for use in a lithographic apparatus, method of protecting a component and method of protecting tables in a lithographic apparatus
DE102019108855B4 (de) * 2019-04-04 2020-11-12 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Schichtverbund-Elektrodeneinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN113874789A (zh) 2019-05-24 2021-12-31 Asml控股股份有限公司 光刻装置、衬底台以及方法
US11817293B2 (en) * 2020-01-10 2023-11-14 The Research Foundation For The State University Of New York Photoresist layers of semiconductor components including electric fields, system, and methods of forming same
US11538714B2 (en) * 2020-05-21 2022-12-27 Applied Materials, Inc. System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination
US11875967B2 (en) 2020-05-21 2024-01-16 Applied Materials, Inc. System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination
EP3923077A1 (en) * 2020-06-11 2021-12-15 ASML Netherlands B.V. Object holder, electrostatic sheet and method for making an electrostatic sheet
EP4053634A1 (en) * 2021-03-02 2022-09-07 ASML Netherlands B.V. Substrate restraining system
EP4105720A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-21 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and method
EP4386478A1 (en) 2022-12-12 2024-06-19 ASML Netherlands B.V. Apparatus and method for electrostatically clamping a substrate

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2106325A (en) 1981-09-14 1983-04-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck
US5880924A (en) * 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
US6067222A (en) * 1998-11-25 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus and method for fabricating same
JP2000340640A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Toto Ltd 非接触型静電吸着装置
US6426790B1 (en) * 2000-02-28 2002-07-30 Nikon Corporation Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus
JP4467836B2 (ja) * 2001-06-08 2010-05-26 株式会社アルバック 成膜方法
DE10157487C1 (de) * 2001-11-23 2003-06-18 Sgl Carbon Ag Faserverstärkter Verbundkörper für Schutzpanzerungen, seine Herstellung und Verwendungen
US20030233977A1 (en) 2002-06-20 2003-12-25 Yeshwanth Narendar Method for forming semiconductor processing components
JP2004031594A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Kyocera Corp 静電チャックおよびその製造方法
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4101017B2 (ja) * 2002-10-24 2008-06-11 株式会社アルバック 吸着装置及び吸着方法
JP4383042B2 (ja) * 2002-12-18 2009-12-16 日本特殊陶業株式会社 セラミックス焼結体及びその製造方法
JP4472372B2 (ja) * 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
KR100512745B1 (ko) * 2003-07-24 2005-09-07 삼성전자주식회사 정전기 척
JP2005150370A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Kyocera Corp 静電チャック
JP2005268720A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
US7133120B2 (en) * 2004-05-04 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, article support member, and method
US20070097346A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7564536B2 (en) 2005-11-08 2009-07-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070139855A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp for a lithographic apparatus
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
US8325321B2 (en) * 2006-07-28 2012-12-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of heat dissipation and frame
US7940511B2 (en) * 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
JP4974873B2 (ja) * 2007-12-26 2012-07-11 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置

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