CN113874789A - 光刻装置、衬底台以及方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于支撑衬底的衬底台，包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面以及细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上，细突节被设置在突节顶部表面上。当衬底台支撑衬底时，细突节与衬底接触。

Description

光刻装置、衬底台以及方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年5月24日提交的美国临时专利申请No.62/852,578的优先权，该临时专利申请在此通过引用全文并入本文中。
技术领域
本公开涉及衬底台、带纹理的台表面、以及在衬底台表面上采用突节和纳米结构的方法。
背景技术
光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该示例中，图案形成装置(可选地被称作掩模(mask)或掩模版(reticle))可以被用于生成待形成于IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括部分管芯、一个管芯、或多个管芯)上。图案的转印通常经由到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像进行。通常，单个衬底将包括被连续图案化的相邻的目标部分的网络。已知的光刻装置包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿平行或反平行于该扫描方向同步地扫描衬底来辐射每个目标部分。还可能通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底。
另一光刻系统是干涉光刻系统，在该系统中不存在图案形成装置，而是将光束分成两束，并且通过使用反射系统使得两束在衬底的目标部分处干涉。干涉引起将被形成在衬底的目标部分的线。
在光刻操作期间，不同的工艺步骤可能需要在衬底上顺序地形成不同的层。因此，有必要以高精度相对于形成在其上的先前图案来定位衬底。通常，对准标记被放置在要被对准的衬底上，并参考第二物体被定位。光刻装置可以使用对准装置来检测对准标记的位置，并使用对准标记对准衬底以确保来自掩模的精确曝光。两个不同层的对准标记之间的未对准被测量为套刻误差。
为了监测光刻工艺，图案化衬底的参数被测量。参数可以包括，例如，在图案化衬底中或在图案化衬底上形成的连续层之间的套刻误差，以及显影光敏抗蚀剂的临界线宽。该测量可以在产品衬底上和/或专用计量目标上执行。有多种技术用于测量在光刻工艺中形成的微观结构，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。一种快速且非侵入形式的专用检查工具是散射仪，其中辐射束被引导到基底表面上的目标上，并且散射或反射束的特性被测量。通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的特性，衬底的特性可以被确定。这可以例如通过将反射束与存储在与已知衬底特性相关联的已知测量库中的数据进行比较来完成。光谱散射仪将宽带辐射束引导到衬底上，并测量散射到特定窄角范围内的辐射的光谱(强度作为波长的函数)。相比之下，角分辨散射仪(angularly resolvedscatterometer)使用单色辐射束并测量散射辐射的强度作为角度的函数。
这种光学散射仪可以用于测量参数，诸如显影光敏抗蚀剂的临界尺寸或在图案化衬底中或在图案化衬底上形成的两层之间的套刻误差(OV)。可以通过比较束被衬底反射散射之前和之后的照射束的特性来确定衬底的特性。
期望在衬底台的表面上规定并维持摩擦学特性(例如，摩擦、硬度、磨损)。由于光刻以及计量工艺的精确需求，衬底台具有难以满足的表面水平公差。晶片(例如，半导体衬底)，相比于其表面区域的宽度(例如＞100mm)是相对较薄的(例如＜1mm厚)，对衬底台的不平坦特别敏感。此外，接触的超光滑表面可能会变得“粘”在一起，当衬底必须从衬底台被脱离时，这可能出现问题。期望开发用于衬底台的、允许增加耐磨性以及摩擦特性的结构和方法，其有助于在命令时接合和脱离衬底。
发明内容
在一些实施例中，用于支撑衬底的衬底台包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面和细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上。细突节被设置在突节顶部表面上并且被配置为当衬底台支撑衬底时接触衬底。
在一些实施例中，光刻装置包括照射系统、支撑件、投影系统以及衬底台。衬底台包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面和细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上。细突节被设置在突节顶部表面上并且被配置为当衬底台支撑衬底时接触衬底。照射系统被配置为产生辐射束。支撑件被配置为支撑图案形成装置以将图案赋予到所述束上。投影系统被配置为将经图案化的束投影到衬底上。
在一些实施例中，用于制造衬底台的方法包括支撑衬底台以接收制造工艺，以及在衬底台上制造粗突节和细突节。制造组突节和细突节包括在粗突节的突节顶部表面设置细突节。
下文参考附图详细描述本发明的其他特征和有益效果以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文中描述的具体实施例。仅出于说明性目的在本文中示出此类实施例。基于本文中包含的教示，附加的实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。
附图说明
并入本文中并形成说明书一部分的附图说明本发明，并且与描述一起进一步用于解释本发明的原理并且使相关领域的技术人员能够制造并且使用本发明。
图1A示出了根据一些实施例的反射光刻装置的示意图。
图1B示出了根据一些实施例透射光刻装置的示意图。
图2示出了根据一些实施例的反射光刻装置的更详细的示意图。
图3示出了根据一些实施例的光刻单元的示意图。
图4示出了根据一些实施例的衬底平台的示意图。
图5示出了根据一些实施例的衬底台的区域的横截面示意图。
图6示出了根据一些实施例的突节顶部表面接触面积与夹持压力的关系的图。
图7示出了根据一些实施例的衬底台区域的横截面的示意图。
图8示出了根据一些实施例的制造衬底台的方法步骤。
本发明的特征和有益效果从以下与附图结合的详细描述中变得更显而易见，其中相似参考符号贯穿全文标识对应元件。在附图中，相似的参考标号通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。此外，通常，参考标号的最左边数位标识参考标号首次出现的附图。除非另有说明，否则贯穿本公开提供的附图不应被解释为按比例绘制附图。
具体实施方式
本说明书公开了结合本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附权利要求限定。
所描述的实施例以及本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的参考指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特性。此外，这些短语不一定指同一实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例实现此类特征、结构或特性在所属领域的技术人员的知识范围内。
在此可以使用空间上相对的术语，例如“在…下(beneath)”、“在…之下(below)”、“下面的(lower)”、“在…上(above)”、“在…之上(on)”、“上面的(upper)”等，以便于描述如图所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了图中所示的定向之外，空间上相对的术语旨在包括使用或操作中的装置的不同定向。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，并且在此使用的空间相对描述词可以相应地进行解释。
如本文所用的术语“大约”指示可基于特定技术变化的给定数量的值。基于特定技术，术语“大约”可表示在例如该值的10％-30％(例如，该值的±10％、±20％或±30％)内变化的给定数量的值。
然而，在更详细地描述这些实施例之前，提供其中可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
示例光刻系统
图1A以及1B分别示出了光刻装置100以及光刻装置100’的示意性说明，本公开的实施例可以在其中实现。光刻装置100以及光刻装置100’的每一个包括以下：照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被配置为支撑图案形成装置(例如、掩模(mask)、掩模版(reticle)或动态图案形成装置)MA并且连接到被配置为精确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及，衬底台(例如，晶片台)WT，被配置为保持衬底(例如，抗蚀剂涂布晶片)W并且连接到被配置为精确定位衬底W的第二定位器PW。光刻装置100和100’还具有投影系统PS，该投影系统PS被配置为将通过图案形成装置MA赋予到辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如包括一个或多个管芯)C上。在光刻装置100中，图案形成装置MA和投影系统PS为反射式的。在光刻装置100’中，图案形成装置MA和投影系统PS为透射式的。
照明系统IL可以包括不同类型的光学元件，诸如折射的(refractive)、反射的、折反射的(catadioptric)、磁性的、电磁的、静电的或其他类型的光学组件或它们的组合，用于引导、定型或控制辐射束B。
支撑结构MT以一种方式保持图案形成装置MA，该方式取决于图案形成装置MA相对于参考框架的定向、光刻装置100和100’中的至少一个光刻装置的设计以及其他条件(诸如图案形成装置MA是否被保持于真空环境中)。支撑结构MT可以使用机械、真空、电磁或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。根据需要，支撑结构MT可以为例如可以固定或移动的框架或台。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS处于所需位置。
术语“图案形成装置”MA应当被广义的解释为指可以用于赋予辐射束B在其横截面中具有图案、从而在衬底W的目标部分C中产生图案的任何设备。赋予到辐射束B的图案可以对应于在目标部分C中创建以形成集成电路的、设备中的特定功能层。
图案形成装置MA可以是透射式的(如图1B中的光刻装置100’中的)或反射式的(如图1A的光刻装置100中的)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模为光刻中已知的，并且包括诸如二元、交替式相移或衰减相移等掩模类型以及各种混合式掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，该小反射镜中的每个小反射镜可单独地倾斜以在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜将图案赋予到辐射束B中，该辐射束B通过小反射镜的矩阵被反射。
随着合适于所使用的曝光辐射和/或针对其他因素(诸如浸液在衬底W上的使用或真空的使用)，术语“投影系统”可以涵盖任何类型的投影系统，包括折射、反射、折反射、磁性的、电磁的以及静电的光学系统或它们的任何组合。因为其他气体可以吸收太多辐射或电子，所以真空环境可以用于EUV或电子束辐射。因此，可以借助于真空壁和真空泵向整条束路径提供真空环境。
光刻装置100和/或光刻装置100’可以是具有两个(双平台)或多个衬底台WT(和/或两个或多个掩模台)的类型。在此类“多平台”机器中，附加的衬底台可以被并行使用，或者可以在一个或多个其他衬底台WT被用于曝光的同时在一个或多个台上执行准备步骤。在一些情况下，附加的台可以不是衬底台WT。
光刻装置还可以为这样一种类型，其中衬底的至少部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖以填充投影系统与衬底之间的空间。浸液还可以被施加到光刻装置中的其他空间，例如，掩模与投影系统之间。浸没技术在本领域是公知的以增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”不意味着结构(诸如衬底)必须被浸入在液体中，而仅意指着液体在曝光露期间位于投射系统与衬底之间。
参考图1A和1B，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源SO是准分子激光器时，源SO和光刻装置100、100’可以是单独的物理实体。在这种情况下，源SO不被视为形成光刻装置100或100’的一部分，并且辐射束B借助于光束传递系统BD(在图1B中)(包括例如合适的导向反射镜和/或扩束器)从源SO传递至照射器IL。在其他情况下，例如，当源SO是汞灯时，源SO可以是光刻装置100、100’的组成部分。源SO和照射器IL(视需要，以及光束传递系统BD一起)可以被称为辐射系统。
照射器IL可以包括用于调节辐射束的角强度(angular intensity)分布的调节器AD(在图1B中)。一般来说，可以调节照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向伸长(radial extent)(通常分别称为“σ-外部”和“σ-内部”)。此外，照射器IL可以包括各种其他组件(在图1B中)，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器IL可以用于调节辐射束B以在其横截面中具有所需均匀性和强度分布。。
参考图1A，辐射束B入射于图案形成装置(例如，掩模)MA上并且由图案形成装置MA图案化，该图案形成装置MA被保持于支撑结构(例如，掩模台)MT上。在光刻装置100中，辐射束B从图案形成装置(例如，掩模)MA反射。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉设备、线性编码器或电容传感器)，可以精确地移动衬底台WT(例如，以在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2以及衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
参考图1B，辐射束B入射于图案形成装置(例如，掩模MA)上并且由图案形成装置图案化，该图案形成装置MA保持于支撑结构(例如，掩模台MT)上。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有到照射系统光瞳IPU的光瞳共轭(pupil conjugate)PPU。部分辐射从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出并且在不受掩模图案处的衍射影响的情况下穿过掩模图案，并且产生照射系统光瞳IPU处的强度分布的图像。
投影系统PS将掩模图案MP的图像案MP’投影到涂覆在衬底W上的光致抗蚀剂层上，其中图像MP’由来自强度分布的辐射根据掩模图案MP产生的衍射束形成。例如，掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。在阵列处且与零阶衍射不同的辐射的衍射在垂直于线的方向上产生具有方向变化的偏转(diverted)衍射束。非衍射束(即，所谓的零阶衍射束)在传播方向无改变的情况下穿过图案。零阶衍射光束穿过投影系统PS的上部透镜或下部透镜组、投影系统PS的光瞳共轭PPU的上游，以达到光瞳共轭PPU。光瞳共轭PPU的平面中且与零阶衍射束相关联的强度分布的一部分为照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔径设备PD例如被安置在或基本上被安置在包括投影系统PS的光瞳共轭PPU的平面处。
投影系统PS被布置为借助于透镜或透镜组L不仅捕获零阶衍射束，还捕获一阶或一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些实施例中，用于成像在垂直于线的方向上延伸的线图案的偶极照射可以用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，一阶衍射束在晶片W的层级处与对应的零阶衍射束干涉以产生最高可能分辨率下的线图案MP的图像和过程窗(即，结合容许曝光剂量偏差的可用焦深(depth of focus))。在一些实施例中，可以通过在照射系统光瞳IPU的相对象限中提供辐射极(未示出)来减少散光像差。此外，在一些实施例中，可以通过阻挡与相对象限中的辐射极相关联的投影系统的光瞳共轭PPU中的零阶束来减少散光像差。此在2009年3月31日授权的美国专利No.US 7,511,799 B2中更详细地描述，其以全文引用的方式并入本文中。
借助于第二定位器PW以及位置传感器IF(例如，干涉测量设备、线性编码器、或电容传感器)，衬底台WT可以被精确地移动(例如，以在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM以及另一个位置传感器(未在图1B中示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位掩模MA(例如，在从掩模库机械获取之后或者在扫描期间)。
通常，掩模台MT的移动可以借助长行程模块(粗略定位)以及短行程模块(精细定位)来实现，该长行程模块以及短行程模块形成第一定位器PM的一部分。类似地，衬底台WT的移动可以借助长行程模块以及短行程模块来实现，该长行程模块以及短行程模块形成第二定位器PM的一部分。在步进器(与扫描器相对)的情况下，掩模台MT可以仅被连接到短行程致动器或可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2以及衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA以及衬底W。尽管衬底对准标记(如所示意的)占用专用的目标部分，但是，其可以位于目标部分之间的空间中(称为划线对齐标记)。类似地，在多于一个管芯被提供在掩模MA上的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。
掩模台MT和图案形成装置MA可以处于真空腔室V中，在真空腔室V中，可以用真空中机器人IVR将图案形成装置(诸如，掩模)移入和移出真空腔室V。可选地，当掩模台MT和图案形成装置MA在真空腔室外部时，类似于真空中机器人IVR，真空外机器人可以用于各种运输操作。真空中机器人和真空外机器人都需要被校准以用于将任何有效负载(例如，掩模)顺利转移到固定运动底座(kniematic mount)的转移站。
光刻装置100和100’可以被用于以下模式中的至少一种模式中：
1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT保持基本静态，赋予到辐射束B的整个图案被同时投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。衬底台WT接着在X和/或Y方向上偏移，以使得不同的目标部分C可以被曝光。
2.在扫描模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT被同步地扫描，赋予到辐射束B的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速率和方向。
3.在另一模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT基本上保持静止，从而保持可编程图案形成装置，并且在赋予到辐射束B的图案被投影到目标部分C上的同时衬底台WT被移动或扫描。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，视需要更新可编程图案形成装置。此操作模式可以容易地应用于无掩模光刻，该无掩模光刻利用可编程图案形成装置，诸如，可编程反射镜阵列。
还可以采用所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。
在另一实施例中，光刻装置100包括极紫外(EUV)源，该极紫外源被配置为产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置为在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置为调节EUV源的EUV辐射束。
图2更详细地示出了光刻装置100，该光刻装置100包括源收集器装置SO、照明系统IL以及投影系统PS。源收集装置SO被构造以及被布置使得真空环境可以在源收集器装置SO的封闭结构220中被维持。EUV辐射发射等离子可以由放电等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽(例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽)产生，其中产生极热的等离子体210以发射在电磁波谱的EUV范围内的辐射。例如，极热等离子体210通过引起至少部分电离的等离子体的放电产生。针对辐射的有效产生，可以需要例如10帕(Pa)的氙、锂、锡蒸气或任何其他合适的气体或蒸气的部分压力。在一些实施例中，提供激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由热等离子体发射的辐射经由可选的阻气层(gas barrier)或污染物收集器(contaminant trap)230(在一些情况下也称为污染物屏障(contaminant barrier)或箔收集器(foil trap))从源腔室211传递到收集器腔212中，该可选阻气层或污染物收集器定位在源腔室211中的开口中或后面。污染物收集器230可以包括通道结构。污染物收集器230还可以包括阻气层或阻气层以及通道结构的组合。本文中进一步指示的污染物收集器或污染物屏障230至少包括通道结构。
收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，该辐射收集器CO可以是所谓掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251以及下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以被光栅光谱滤光片240反射以聚焦在虚拟源点IF中。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，且源收集器装置被布置为使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或开口219附近。虚拟源点IF为辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光片240特别用于抑制红外线(IR)辐射。
随后辐射穿过照射系统IL，该照射系统可以包括琢面场反射镜设备222和琢面光瞳反射镜设备224，该琢面场反射镜设备222和琢面光瞳反射镜设备224被布置为提供图案形成装置MA处的辐射束221的所需角分布以及图案形成装置MA处的辐射强度的所需均匀性。当辐射束221在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成图案化束226并且图案化束226由投影系统PS经由反射元件228、229成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。
在照射光学单元(illumination optics unit)IL和投影系统PS中通常可以存在比所示元件更多的元件。取决于光刻装置的类型，光栅光谱滤光片240可以可选地存在。此外，还可以存在比图2中所示出的反射镜更多的反射镜，例如，相较图2中所示的投影系统PS，还可以存在一个到六个附加的反射元件。
如图2所示的收集器光学器件CO被描述为具有掠入射反射器253、254以及255的嵌套收集器，如收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254以及255围绕光轴O轴向地对称安置，并且此类型的收集器光学器件CO优选地结合放电等离子体源(通常称作DPP源)使用。
示例性光刻单元
图3示出了根据一些实施例的光刻单元300，有时也称作光刻单元(lithocell)或簇。光刻装置100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元100也可以包括一个或多个装置以执行衬底上的曝光前工艺以及曝光后工艺。常规地，这些包括：用以沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用以显影曝光的抗蚀剂的显影器(developer)DE、激冷板CH以及烘烤板BK衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的工艺装置之间移动这些衬底，并且将它们递送到光刻装置100或100’的进料台LB。这些设备(通常统称为轨道)处于轨道控制单元TCU的控制下，该轨道控制单元TCU本身受监控系统SCS控制，该监控系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻装置。因此，可以操作不同的装置以最大化生产量和处理效率。
本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合实施。本公开的实施例还可被实现为存储在机器可读介质上的指令，其可由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以由机器(例如，计算设备)可读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪速存储器设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)以及其他。此外，固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应了解，此类描述仅出于简便起见，且此类动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备引起的。
示例性衬底台
图4示出根据一些实施例衬底平台400的示意图。在一些实施例中，衬底平台包括衬底台402、支撑块404以及一个或多个传感器结构406。在一些实施例中，衬底台402包括夹具以保持衬底408(例如，静电夹具)。在一些实施例中，一个或多个传感器结构中的406每个传感器结构包括传输图像传感器(TIS)板。该TIS板是传感器单元，其包括用在TIS传感系统、用于精确地相对于投影系统(例如，图1的投影系统PS)定位晶片W以及精确地定位光刻装置(例如，图1的光刻装置100)的掩模(例如，图1的掩模MA)的一个或多个传感器和/或标记。虽然此处示出了TIS板用于说明，本文的实施例不限于任何特定的传感器。衬底台402被设置在支撑块404上。一个或多个传感器结构406被设置在支撑块404上。
在一些实施例中，当衬底平台400支撑衬底408时，衬底408被设置在衬底台402上。
这里可以使用术语“平坦”、“平坦度”等描述与表面的一般平面相关的结构。例如，弯曲或不平整的表面可以是不符合平板的表面。表面上的突起或凹陷也可以表征为与“平坦”平面的偏差。
术语“光滑”、“粗糙度”等在本文中可以被用于指代表面的局部变化、微观偏差、颗粒度或纹理。例如，表面粗糙度可以指表面轮廓与平均线或平面的微观偏差。偏差通常被测量(以长度为单位)作为幅度参数，例如，均方根(RMS)或算数平均偏差(Ra)(例如，1nmRMS)。
在一些实施例中，上述衬底台的表面(例如图1A和图1B中的晶片台WT、图4中的衬底台402)可以是平坦的或突节的。当衬底台的表面平坦时，粘附在衬底台与晶片之间的任何微粒或污染物将使得污染物穿过晶片印刷，在其附近引起光刻错误。因此，污染物降低设备的生产率并且增加了生产成本。
在衬底台上设置突节有助于减少平坦的衬底台的不期望的影响。当晶片被夹持到有突节的衬底台时，在晶片不接触衬底台的区域中有可用空间。空的空间用作污染物的容器(pocket)以防止印刷错误。另一个有益效果由于突节引起的负载增加，使得其在突节上的污染物更容易被粉碎。粉碎污染物也有助于减少透印错误。在一些实施例中，突节的共同的表面面积可以是衬底台的表面面积的大约1％-5％。这里，突节的表面面积指与晶片接触的表面(例如，不包括侧壁)。并且，衬底台的表面面积指突节所在的衬底台表面的跨度(例如，不包括衬底台的侧面或背面)。当晶片被夹持到具有突节的衬底台上时，与平坦的衬底台相比，负载增加了100倍，这足够压碎大多数污染物。尽管此处的示例使用衬底台，但该示例并非旨在进行限制。例如，本公开的实施例可以在针对各种夹持结构(例如静电夹具、夹具膜)以及各种光刻系统(例如、EUV、DUV)中的掩模版(reticle)台上实现。
现在，突节到晶片界面(burl-to-wafer interface)控制衬底台的功能性能。当衬底台的表面是光滑时，在衬底台的光滑表面与晶片的光滑表面之间可以产生粘合力。两个光滑的表面接触并且粘到一起的现象被称作扭绞(wringing)。扭绞会在设备生产中引起问题，例如，由于晶片中的高摩擦以及面内应力而导致的套刻问题(在对准期间让晶片轻松滑动是优选)。减少突节到晶片界面的摩擦的方法是使用低摩擦涂层(例如，类金刚石碳)涂覆突节。然而在有水的情况下(例如，浸入式光刻)，涂层可以更快地磨光。另一个减少突节到晶片界面的摩擦的方法是粗糙化突节顶部表面以减少接触表面面积。然而，粗突节顶部不能长时间保持其粗糙度。突节顶部的初始粗糙度越粗糙，其磨光以及磨损越快。
此外，已经观察到，衬底台的突节的表面容易受到异常快速磨损，特别是在远离衬底台中心的边缘处(即，不均匀磨损)。当晶片被夹持到衬底台时，不均匀磨损使得晶片弯曲，这又会降低设备结构的光刻放置的精确度、随时间的套刻漂移等。并且由于夹持表面的全局形状的改变，整体磨损会重新引入扭绞问题并导致成像性能的降低。
为了防止表面的摩擦磨损，可以操纵衬底台的表面特征。例如，在突节顶部表面设计纳米结构(例如，纳米柱或细突节)。即，从随机的表面设计(粗糙化)到确定性的表面设计。术语“细突节”在本文中可以用于指先前描述的突节的表面上的确定性纳米柱设计。本公开的实施例提供用于操作衬底台的表面的摩擦学特性的结构以及方法。
图5示出了根据一些实施例的衬底台500的区域的横截面示意图。衬底台500包括表面502以及粗突节504。粗突节504中的每个粗突节包括突节顶部表面506和细突节508，其在插图510中被示出。插图510是粗突节504的俯视图。
在一些实施例中，粗突节504设置在表面502上。细突节508设置在突节顶部表面506上。尽管图5将粗突节504以及细突节508描绘为具有圆形区域，应当理解，粗突节504和细突节508可以具有其他区域几何形状(例如，正方形、椭圆形等)。此外，尽管图5将细突节508描绘为具有圆形和/或八边形布置，但是可以使用任何数目的细突节508(包括一个)和跨越突节顶部表面506的任何布置(例如，网格或随机分布)。
在一些实施例中，组突节504中的每个粗突节具有大约100微米-1000微米的宽度或直径(平行于表面502的平面的尺寸)，粗突节504中的每个粗突节具有大约10微米-200微米、10微米-50微米、或10微米-100微米的高度(垂直于表面502的平面的尺寸)。每个细突节508中的细突节具有大约1微米-15微米的宽度或直径。每个细突节508中的细突节具有大约10nm-50nm、20nm-40nm或20nm-30nm的高度。细突节中的两个细突节508之间的距离大约为50微米-200微米、50微米-150微米、或50微米-100微米。细突节508中的每个细突节包括具有小于大约1nm RMS的表面粗糙度的接触区域(以接触衬底518)。
可以选择粗突节504的其他尺寸和/或细突节508的其他尺寸。例如，用于粗突节504的尺寸可以基于光刻装置中典型的或期望的污染物颗粒的大小。
接触表面面积是影响摩擦的参数。因此，用于粗突节504的尺寸和/或细突节508的尺寸可以基于接触面积以达到指定的摩擦。
在一些实施例中，衬底台500被配置为支撑衬底518。衬底台500可以在两种状态之间切换：接合(夹持衬底)和脱离(松开衬底)。在脱离状态下，在突节顶部表面506与衬底518之间的负载主要是由于作用在衬底518上的重力(低负载)。在低负载状态下，衬底518与细突节508而不是突节顶部表面506接触。上文描述的细突节508的尺寸由于例如具有相对小的接触面积以减小摩擦以及被设计以减轻磨损的高度，因此改善衬底台500的性能。即，在一些实施例中，细突节508的共同的表面面积可以是突节顶部表面506的表面面积的大约1％-5％。在中等负载处预计会发生大部分磨损时，因为负载分布在更大的突节区域上，所以磨损的效果被降低。负载/压力和突节接触面积之间的关系在下面参考图6讨论。在不同的比较中，细突节508的共同的表面面积可以是衬底台500的表面面积(突节所在的衬底台的表面的跨度，例如，不包括衬底台的横侧或后侧)的大约0.01％-0.25％。减少的摩擦允许衬底518在对准期间被容易地平移，同时还减小衬底518上的面内应力。此外，细突节508破坏突节顶部表面506的平面，足以阻止扭绞现象。即，在一些实施例中，细突节508被配置为减少衬底台500与衬底518之间的扭绞或(拉/粘合力)。因此，衬底台500的性能(例如，套刻性能)能够被增强。扭绞的减少是由于细突节508充当弹簧的事实，当释放夹持力时，该弹簧将衬底从细突节之间的表面(突节顶部表面506)剥离。
相反地，衬底台500的接合状态在突节顶部表面506与衬底518之间产生增加的负载。在足够小的规模下，材料的任何表面都可以被认为是弹性的、可压缩的或可变形的(图7描绘了这种行为)。负载可引起衬底518变形并“下沉”到细突节508中。如果细突节508的高度被恰当的选取，则衬底518可以与突节顶部表面506接触。增大的接触面积较大地增加了衬底台500与衬底518之间的摩擦。因此，衬底518可以被牢固地保持以进行光刻工艺。
在一些实施例，基于选定的摩擦特性来选择细突节508的高度。细突节508可以增强脱离的衬底518。突节顶部表面506与细突节508之间的高度差使得细突节508像弹簧一样作用并推抵衬底518。因此，衬底518可以避免粘在衬底台500上。
图6示出了根据一些实施例的突节顶部表面接触面积对夹持压力的图600。竖直轴表示与衬底实际接触的突节顶部表面面积(例如，在图7中，与衬底718接触的突节顶部表面706)的百分比。水平轴以任意单位(A.U.)表示施加到衬底的夹持压力或力。虚线602表示随着夹持力变化时对实际接触面积的测量的仿真(忽略扭绞效应)。调节细突节高度允许调节(a)低压力接触面积(0-1.6A.U.；区域604)(b)高接触面积状态(regime)的起始压力(1.6A.U.；区域606)，以及(c)在全夹持压力下的接触面积(＞3A.U.；区域608)。
讨论到目前为止集中在帮助减少扭绞的纳米柱或细突节，以及许多有益效果。然而，在某些情况下，细突节的存在可能无法提供足够的力来促进衬底与突节顶部表面的一致分离。本公开的实施例提供用于进一步操纵衬底台的表面的摩擦学特性的结构和方法。
图7示出了根据一些实施例的衬底台700的区域的横截面示意图。衬底700包括表面702以及粗突节704。粗突节704中的每个粗突节包括突节顶部表面706以及细突节704，其如插图710所示。插图710是粗突节704的区域的横截面视图。细突节708中的每个细突节708包括接触表面712。在一些实施例中，突节顶部表面706包括粗糙区域714。在一些实施例中，粗突节704中的每个粗突节704还包括中间突节716。
在一些实施例中，粗突节704设置在表面702上。细突节708和中间突节716设置在突节顶部表面706上。出于类似的原因，细突节708和/或中间突节716的布置、形状以及数目可以如参照细突节508(图5)所述那样。另外，中间突节716可以具有不同于细突节708的高度的高度(即，高度不同)。不同的高度或分层结构可以实现类似于粗糙区域的功能。粗糙区域714设置在细突节708之间。术语“之间”在本文中可用于指区域之间、接近于其间、附近和/或在一般周围区域的位置。因此，粗糙区域714可以被设置在两个细突节708之间或填充整个突节顶部表面706。在一些实施例中，粗糙区域714可以被划分为分布在细突节708之间、接近细突节708之间、在细突节708附近和/或大致邻近细突节708的小块(patch)(例如，多个粗糙区域714)。
在一些实施例中，衬底台700被配置为支撑衬底718。衬底718的衬底表面720在图7中被标识为与衬底台700接触的表面。出于类似的原因，衬底台700与衬底718的功能和相互作用可以如上文对衬底台500和衬底518(图5)所述。细突节708中的每个细突节包括具有小于约1nm RMS的表面粗糙度的接触面积(以接触衬底718)。粗糙区域714可以具有大约2nm-10nm、2nm-8nm或3nm-5nm RMS的表面粗糙度。
当衬底台700接合衬底718时，增加的负载可以使得衬底718变形并“下沉”到细突节708中。这由插图710中的衬底表面720描绘出。当脱离时，衬底台700成功地释放衬底718是重要的。扭绞会引起细突节708的最终磨损，特别是朝向衬底台700的、在夹持/松开期间衬底运动最大的边缘。因此，在一些实施例中，当衬底台700接合衬底718时，粗糙区域714可以接触衬底718。在这种情况下，变形的衬底获得了具有增加的与突节顶部表面706的接触面积的有益效果。这些有益效果如参考图5和图6所描述。与图5的突节顶部表面506相反，粗糙区域714在脱离时增强了衬底718从突节顶部表面706的分离。
在一些实施例中，可以使用中间突节716代替粗糙区域714或除粗糙区域714之外可以使用中间突节716，以增强衬底718的分离。中间突节716被设置在细突节708之间。由中间突节716产生的分层结构(高度差)可以通过在细突节708之间的区域中进一步阻断突节顶部表面706的平面来增强分离。
在一些实施例中，粗突节704中的每个粗突节还包括改性表面722。改性表面722可以被设置在两个细突节708之间或填充整个突节顶部表面706。在一些实施例中，改性表面722可以被划分成分分布在细突节708之间、接近细突节708之间、在细突节708附近和/或在细突节708的大致附近的多个小块(例如，多个改性表面722)。
在一些实施例中，改性表面722具有化学地改性的低表面能。可以使用例如化学浴或冲洗(rinse)来实现化学改性。低表面能降低了在衬底台700和衬底718之间的粘合力。减小的粘合力在脱离时增强了衬底718与衬底台700的分离。改性表面722可以代替粗糙区域714和/或中间突节716被实现或者或除了粗糙区域714和/或中间突节716之外被实现。
图8示出了根据一些实施例的用于制造衬底台的方法步骤。在步骤802中，支撑衬底台以接收制造工艺。在步骤804中，在衬底台上制造粗突节和细突节。制造粗突节和细突节包括将细突节设置在粗突节的突节顶部表面上。在步骤806中，在衬底台上制造粗糙区域和/或中间突节。制造粗糙区域和/或中间突节还包括将粗糙区域和/或中间突节设置在细突节之间。制造粗糙区域进一步包含使用激光烧蚀、蚀刻(例如，反应性离子蚀刻)和/或机械工艺(例如，粗抛光)产生粗糙区域。制造粗突节、细突节和/或中间突节进一步包括经由本文所述的光刻工艺制造。在步骤808中，对突节顶部表面进行化学处理以获得突节顶部表面的低表面能(例如，抑制的悬空键)。可以例如通过使用化学物质(例如酸、溶剂、碱)浸没或冲洗衬底台来实现化学处理或改性。低表面能降低了衬底台和衬底之间的粘合力。
图8的方法步骤可以以任何可想到的顺序执行，并且不要求所有步骤被执行。例如，步骤808可以替代步骤806被执行或除了步骤806之外还执行步骤808。粗突节、细突节和/或中间突节以及粗糙区域可以同时地、不同时地和/或以任何次序被制造。在另一示例中，步骤806可以是可选的(例如，突节顶部表面可以具有与细突节的表面相同的粗糙度)。衬底台上的结构(例如，粗突节和细突节、粗糙区域等)的布置、形状和尺寸可以如上参考图5和7所述。
通常，确定性地结构的突节顶部(例如，细突节)允许打破良好磨损性能和良好摩擦性能之间的传统折衷。当装载晶片时需要低摩擦以确保晶片在完全被夹持时无应力。当晶片被完全夹持时需要高摩擦，使得晶片在晶片台加速期间(或由于晶片加热)不移动。期望具有在大量(例如数千、数万)晶片负载上运行的稳定表面，其中稳定性与摩擦特性和晶片台的整体平坦度的保持有关。通过限制接触表面积可以实现低摩擦。可以通过表面粗糙化或小直径突节可以实现限制接触表面积。二者都可以导致更高的峰值负载，并因此加速材料的去除、全局形状的改变和/或粗糙度的降低(改变摩擦)。本公开的实施例已经描述了如何可以在不妥协的情况下调节细突节的面积和高度以实现期望的摩擦和耐磨性。通过调节细突节的面积和高度，可以在低负载下实现低表面积和低摩擦，在中等负载(在大多数磨损发生的情况下)下实现低到中等摩擦和低磨损，并且通过与整个突节顶部表面接触，在高负载下实现高摩擦和稳定性。
可以使用以下条项进一步描述实施例：
1.一种用于支撑衬底的衬底台，所述衬底台包括：
表面；以及
粗突节，被设置在所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：
突节顶部表面；以及
细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。
2.根据条项1所述的衬底台，其中：
所述细突节中的每个细突节包括接触表面，所述接触表面被配置为接触所述衬底；并且所述接触表面具有小于大约1nm RMS的表面粗糙度。
3.根据条项1所述的衬底台，其中所述粗突节中的每个粗突节具有大约100微米-1000微米的宽度以及大约10微米到200微米的高度。
4.根据条项1所述的衬底台，其中所述细突节中的每个细突节具有大约1微米到10微米的宽度。
5.根据条项1所述的衬底台，其中细突节具有大约10nm-50nm的高度。
6.根据条项1所述的衬底台，其中所述细突节中的两个细突节之间的距离大约为50微米-200微米。
7.根据条项1所述的衬底台，其中所述细突节的接触区域的总表面面积相对于所述衬底台的总表面面积小于0.1％。
8.根据条项1所述的衬底台，其中：
所述粗突节中的每个粗突节还包括设置在所述突节顶部表面上的所述细突节之间的中间细突节；并且
所述细突节起的高度和所述中间细突节的高度不同。
9.根据条项1所述的衬底台，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙区域。
10.根据条项9所述的衬底台，其中粗糙区域被配置为当所述衬底台接合所述衬底时，接触所述衬底。
11.根据条项9所述的衬底台，其中所述粗糙区域具有大约2nm-8nm RMS的表面粗糙度。
12.根据条项1所述的衬底台，其中：
所述突节顶部表面包括具有经化学地改性的低表面能的改性表面；并且
所述改性表面被配置为降低在所述衬底台与所述衬底之间的粘合力。
13.一种光刻装置，包括：
照射系统，被配置为产生辐射束；
支撑件，被配置为支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置为将图案赋予到所述束上；
投影系统，被配置为将经图案化的束投影到衬底上；以及
衬底台，被配置为支撑衬底，所述衬底台包括：
表面；以及
粗突节，被设置于所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：
突节顶部表面；以及
细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。
14.根据条项13所述的光刻装置，其中所述细突节具有大约10nm-50nm的高度。
15.根据条项13所述的光刻装置，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙表面。
16.根据条项13所述的光刻装置，其中粗糙表面被配置为当所述衬底台接合所述衬底时，接触所述衬底。
17.根据条项16所述的光刻装置，其中所述粗糙表面具有大约2nm-8nm RMS的表面粗糙度。
18.用于制造衬底台的方法，所述方法包括：
支撑衬底台以接收制造工艺；以及
在所述衬底台上制造粗突节和细突节，其中所述制造所述粗突节和所述细突节包括在所述粗突节的突节顶部表面上设置细突节。
19.根据条项18所述述的方法，进一步包括在所述衬底台上制造粗糙表面，其中所述制造粗糙表面包括在所述突节顶部表面上的细突节之间中制造粗糙区域。
20.根据条项19所述的方法，其中所述制造粗糙表面进一步包括使用激光烧蚀产生所述粗糙区域。
尽管在本文中可以具体参考光刻装置在IC的制造中的使用，但是应当理解，在此描述的光刻装置可以具有其它应用，例如集成光学系统的制造、用于磁域存储器的引导及检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类备选应用的上下文中，本文中术语“晶片”或“管芯”的任何使用可被视为分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中所提及的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道单元(通常将抗蚀剂层应用到衬底并且使曝光的抗蚀剂显影的工具)、度量单元和/或检查单元中处理。在适用的情况下，本文的公开内容可应用于此类和其它衬底处理工具。此外，例如为了创建多层IC，可以不止一次地处理衬底，因此本文中使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理层的衬底。
尽管上面已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，本发明可以用于其它应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上创建的图案。图案形成装置的形貌可以被压入提供给衬底的抗蚀剂层中，由此通过施加电磁辐射、热、压力或其组合在衬底上使抗蚀剂被固化。在抗蚀剂被固化后，图案形成装置被移出抗蚀剂以在其中留下图案。
应当理解，本文的用语或术语是出于描述而非限制的目的，使得本公开的用语或术语应由相关领域的技术人员在本文的教导的启发下解释。
本文中使用的术语“衬底”描述了在其上添加材料层的材料。在一些实施例中，衬底自身可以被图案化，并且添加在其顶部上的材料也可以被图案化，或者可以保持不被图案化。
尽管在本文中可以具体参考IC制造中根据本发明的装置和/或系统的使用，但是应当清楚地理解，这些装置和/或系统具有许多其它可能的应用。例如，其可以被应用于制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、LCD面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种备选的应用的上下文下，本文中术语“掩模版(reticle)”、“晶片”或“管芯”的任何使用应被认为分别由更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”代替。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实施。该描述并不旨在限制本发明。
应当理解，详细描述部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述由发明人设想的本发明的一个或多个但不是所有的示例性实施例，以及因此不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。
上文已借助于说明具体功能和其关系的实施方式的功能建构块来描述本发明。为了便于描述，本文已任意限定这些功能建构块的边界。只要适当地执行具体功能和其关系，便可以限定替代边界。
具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，使得其他人可以通过应用技术领域内的知识、无需过度实验，在不脱离本发明的一般概念的情况下容易地修改和/或适应这些具体实施例。因此，基于本文中提出的教示和指导，此类适应和修改旨在处于所公开实施例的等同物的含义和范围内。
本发明的广度和范围不应受上面所描述的任何实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。

Claims (17)

1.一种用于支撑衬底的衬底台，所述衬底台包括：
表面；以及
粗突节，被设置在所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：
突节顶部表面；以及
细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。
2.根据权利要求1所述的衬底台，其中：
所述细突节中的每个细突节包括接触表面，所述接触表面被配置为接触所述衬底；并且所述接触表面具有小于大约1nm RMS的表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述粗突节中的每个粗突节具有大约100微米-1000微米的宽度以及大约10微米到200微米的高度。
4.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节中的每个细突节具有大约1微米到10微米的宽度。
5.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节具有大约10nm-50nm的高度。
6.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节中的两个细突节之间的距离大约为50微米-200微米。
7.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节的接触区域的总表面面积相对于所述衬底台的总表面面积小于0.1％。
8.根据权利要求1所述的衬底台，其中：
所述粗突节中的每个粗突节还包括设置在所述突节顶部表面上的所述细突节之间的中间细突节；并且
所述细突节的高度和所述中间细突节的高度不同。
9.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙区域。
10.根据权利要求9所述的衬底台，其中所述粗糙区域被配置为当所述衬底台接合所述衬底时，接触所述衬底。
11.根据权利要求9所述的衬底台，其中所述粗糙区域具有大约2nm-8nm RMS的表面粗糙度。
12.根据权利要求1所述的衬底台，其中：
所述突节顶部表面包括具有经化学地改性的低表面能的改性表面；并且
所述改性表面被配置为降低在所述衬底台与所述衬底之间的粘合力。
13.一种光刻装置，包括：
照射系统，被配置为产生辐射束；
支撑件，被配置为支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置为将图案赋予到所述束上；
投影系统，被配置为将经图案化的束投影到衬底上；以及
衬底台，被配置为支撑所述衬底，所述衬底台包括：
表面；以及
粗突节，被设置于所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：
突节顶部表面；以及
细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。
14.根据权利要求13所述的光刻装置，其中所述细突节具有大约10nm-50nm的高度。
15.根据权利要求13所述的光刻装置，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙表面。
16.根据权利要求13所述的光刻装置，其中所述粗糙表面被配置为当所述衬底台接合所述衬底时，接触所述衬底。
17.根据权利要求16所述的光刻装置，其中所述粗糙表面具有大约2nm-8nm RMS的表面粗糙度。
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