TW202101135A - 微影裝置、基板台及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於支撐一基板之基板台，其包括一表面及粗糙瘤節。該等粗糙瘤節中之每一者包括一瘤節頂部表面及精細瘤節。該等粗糙瘤節安置於該基板台之該表面上。該等精細瘤節安置於該瘤節頂部表面上。當該基板台支撐該基板時，該等精細瘤節接觸該基板。

Description

微影裝置、基板台及方法
本發明係關於基板台、紋理化台面及使用基板台面上之瘤節及奈米結構之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在此實例中，圖案化器件(其替代地稱作遮罩或倍縮遮罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上來進行圖案之轉印。大體而言，單個基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。
另一微影系統為干涉微影系統，其中不存在圖案化器件，而是一光束被分裂為兩個光束，且經由使用反射系統而使該兩個光束在基板之目標部分處進行干涉。該干涉使得待在基板之目標部分處形成線。
在微影操作期間，不同處理步驟可要求不同層依序地在基板上形成。相應地，可有必要以高精確度相對於在基板上形成之先前圖案來定位基板。大體而言，將對準標記置放於待對準之基板上且參考第二物件來定位對準標記。遮罩微影裝置可使用對準裝置以偵測對準標記之位置且以使用對準標記對準基板從而確保自遮罩之準確曝光。兩個不同層處之對準標記之間的未對準被量測為疊對誤差。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。參數可包括例如形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影之感光性抗蝕劑之臨界線寬。可在產品基板上及/或專用度量衡目標上執行此測量。存在用於進行在微影程序中形成之顯微結構之量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種專門工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中輻射光束經導向至基板之表面上之目標上，且量測散射光束或反射光束之特性。藉由將光束在其已由基板反射或散射之前與之後的特性進行比較，可判定基板之特性。舉例而言，可藉由比較反射光束與儲存於與已知基板特性相關聯之已知量測庫中的資料而進行此判定。光譜散射計將寬頻帶輻射光束導向至基板上且量測經散射至特定窄角程中之輻射之光譜(作為波長之函數的強度)。相比之下，角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的散射輻射之強度。
此類光學散射計可用以量測參數，諸如形成於經圖案化基板中或上之兩個層之間的經顯影感光性抗蝕劑或疊對誤差(OV)之臨界尺寸。藉由將照明光束在其已由基板反射或散射之前與之後的特性進行比較，可判定基板之特性。
需要指示且維持基板台之表面上之摩擦學特性(例如摩擦、硬度、磨耗)。由於微影程序及度量衡程序之精確度要求，基板台具有可難以符合之表面位準公差。與其表面區域之寬度(例如， ＞ 100 mm)相比相對較薄(例如，厚度＜ 1 mm)之晶圓(例如，半導體基板)對基板台之不均勻性特別敏感。此外，所接觸之超光滑之表面可變為「黏」在一起，其可在基板必須自基板台脫離時造成問題。需要開發用於基板台之結構及方法，其在接受到命令時使得有益於接合基板或使基板脫離之耐磨性及摩擦特性增加。
在一些實施例中，用於支撐基板之基板台包含表面及粗糙瘤節。粗糙瘤節中之每一者包含瘤節頂部表面及精細瘤節。粗糙瘤節安置於基板台之表面上。精細瘤節安置於瘤節頂部表面上，且經組態以在基板台支撐基板時接觸該基板。
在一些實施例中，微影裝置包含照明系統、支架、投影系統及基板台。基板台包含表面及粗糙瘤節。粗糙瘤節中之每一者包含瘤節頂部表面及精細瘤節。粗糙瘤節安置於基板台之表面上。精細瘤節安置於瘤節頂部表面上，且經組態以在基板台支撐基板時接觸該基板。照明系統經組態以產生輻射光束。支架經組態以支撐圖案化器件以便在光束上賦予圖案。投影系統經組態以將經圖案化之光束投影至基板上。
在一些實施例中，一種用於製造基板台之方法包含：支撐基板台以接受製造程序及在基板台上製造粗糙瘤節及精細瘤節。製造粗糙瘤節及精細瘤節包含將精細瘤節安置於粗糙瘤節之瘤節頂部表面上。
下文參考隨附圖式來詳細描述本發明之其他特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。僅出於說明性目的在本文中呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示之實施例。本發明由在此隨附之申請專利範圍定義。
所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參照指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指相同實施例。另外，當結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，應瞭解，無論是否作明確描述，結合一或多個其他實施例實現該特徵、結構或特性為屬於熟習此項技術者所瞭解。
為了便於描述，可在本文中使用空間相對術語(諸如「在…之下」、「在…下方」、「下部」、「在…之上」、「在…上」、「上部」或類似者)以描述如圖中所說明的一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。除圖中所描繪的定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術變化之給定數量之值。基於該特定技術，術語「約」可指示例如在值之10至30%內(例如，該值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別展示微影裝置100及微影裝置100'之示意性說明，其中可實施本發明之實施例。微影裝置100及微影裝置100'各自包括以下：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線或極紫外線輻射)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，遮罩、倍縮遮罩或動態圖案化器件) MA且連接至經組態以精確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以精確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如包含一或多個晶粒) C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS為反射性的。在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS為透射性的。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影裝置100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾緊技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化器件」應廣泛地解釋為係指可用以在其橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。賦予至輻射光束B之圖案可對應於器件中之特定功能層係在目標部分C中產生以形成積體電路。
圖案化器件MA可為透射性的(與在圖1B之微影裝置100'中一樣)或反射性的(與圖1A之微影裝置100中一樣)。圖案化器件MA之實例包括倍縮遮罩、遮罩、可程式化鏡面陣列或可程式化LCD面板。遮罩在微影中為所熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置100及/或微影裝置100'可為具有兩個(雙載物台)或更多個基板台WT (及/或兩個或更多個遮罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可對一或多個台執行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形中，額外台可不為基板台WT。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高之折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如遮罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸沒」並不意謂結構(諸如基板)必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接受輻射光束。例如當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置100、100'可為單獨的物理實體。在此等情況下，不認為源SO會形成微影裝置100或100'之部分，且輻射光束B憑藉包括(例如)合適導向鏡及/或擴束器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如當源SO為汞燈時，源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (在圖1B中)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱作「σ外部」及「σ內部」)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積分器IN及集光器CO。照明器IL可用於調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
參考圖1A，輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化器件(例如，遮罩) MA上且由該圖案化器件MA圖案化。在微影裝置100中，自圖案化器件(例如，遮罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化器件(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可精確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器IF1以相對於輻射光束B之路徑精確地定位圖案化器件(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，遮罩) MA及基板W。
參考圖1B，輻射光束B入射於支撐結構(例如，遮罩台MT)上所固持之圖案化器件(例如，遮罩MA)上且由該圖案化器件圖案化。橫穿遮罩MA之後，輻射光束B穿過將光束聚焦至基板W之目標部分C上之投影系統PS。該投影系統具有光瞳共軛PPU至照明系統光瞳IPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受到遮罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。
投影系統PS將遮罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之光阻層上，其中影像MP'係藉由繞射光束形成，該等繞射光束係藉由來自強度分佈之輻射由遮罩圖案MP產生。舉例而言，遮罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在該陣列處且不同於零階繞射之輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。非繞射光束(亦即，所謂的零階繞射光束)橫穿圖案而在傳播方向上沒有任何改變。零階繞射光束橫穿投影系統PS之上部透鏡或上部透鏡群(在投影系統PS之光瞳共軛PPU上游)以到達光瞳共軛PPU。在光瞳共軛PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯之強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之影像。孔徑器件PD例如安置在包括投影系統PS之光瞳共軛PPU的平面處或實質上安置在該平面處。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群不僅捕捉零階繞射光束，而且捕捉一階或一階及較高階繞射光束(圖中未展示)。在一些實施例中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在晶圓W級下干涉對應的零階繞射光束，以在最高可能解析度及製程窗(亦即，與容許曝光劑量偏差組合之可用聚焦深度)下產生線圖案MP之影像。在一些實施例中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對四分體中提供輻射極(圖中未展示)來減小散光像差。另外，在一些實施例中，可藉由阻擋障壁投影系統之光瞳共軛PPU中與相對四分體中之輻射極相關聯的零階光束來減小散光像差。其更詳細地描述於2009年3月31日發佈之US 7,511,799 B2中，該專利係以全文引用之方式併入本文中。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可精確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)以相對於輻射光束B之路徑精確地定位遮罩MA (例如，在以機械方式自遮罩庫取得之後或在掃描期間)。
大體而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗糙定位)及短衝程模組(精細定位)來實現遮罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，遮罩台MT可僅連接至短衝程致動器或可為固定的。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準遮罩MA與基板W。雖然基板對準標記(如所說明)佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(稱作切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於遮罩MA上之情形中，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。
遮罩台MT及圖案化器件MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如遮罩之圖案化器件移入及移出真空腔室。可替代地，當遮罩台MT及圖案化器件MA在真空腔室外部時，與真空內機器人IVR相似，真空外機器人可用於各種輸送操作。應校準真空內機器人及真空外機器人兩者，用於將任何酬載(例如，遮罩)平滑傳遞至傳遞站之固定運動學座架。
微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式下，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性地投影至目標部分C上時，支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式中，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(放大率)縮小率及影像反轉特性來判定MT基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台)之速度及方向。
3. 在另一模式中，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，遮罩台) MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要來更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，該極紫外線(EUV)源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。大體而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置以使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由例如造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。可需要例如10 Pa之Xe、Li、Sn蒸汽之分壓或任何其他合適氣體或蒸汽以用於輻射之高效產生。在一些實施例中，提供受激發錫(Sn)之電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射經由位於源腔室211中之開口中或開口後之任選氣體障壁或污染物截留器230 (在一些情況下亦被稱作污染物障壁或箔截留器)自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。本文中進一步指示之污染物截留器230 (或污染物障壁)至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括輻射收集器CO，該輻射收集器CO可為所謂的掠入射收集器。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵濾光片240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。光柵濾光片240尤其用於抑制紅外線(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡器件222及琢面化光瞳鏡面器件224，其經配置以在圖案化器件MA處提供輻射光束221之所期望角度分佈，以及在圖案化器件MA處提供輻射強度之所期望均一性。在反射由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處之輻射光束221之後，形成經圖案化之光束226，且由投影系統PS將經圖案化之光束226經由反射元件228、229而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵濾光片240。此外，可存在比圖2中所展示之鏡面更多的鏡面，例如，除了圖2中所示的以外，在投影系統PS中可存在一個至六個額外反射元件。
如圖2中所說明，將收集器光學件CO描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之收集器光學件CO較佳與放電產生電漿源(常稱為DPP源)組合使用。
例示性微影單元
根據一些實施例，圖3展示微影單元300，其有時亦稱作微影單元(lithocell)或叢集。微影裝置100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括一或多個裝置以對基板執行曝光前程序及曝光後程序。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光之抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同處理裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置100或100'之裝載區LB。被通常統稱為軌道之此等器件係在自身由監督控制系統SCS控制之軌道控制單元TCU之控制下，該監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以使產出量及處理效率最大化。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算器件)讀取之形式之資訊的任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，可在本文中將韌體、軟體、常式及/或指令描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此類動作實際上由運算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起。
例示性基板台
圖4展示根據一些實施例之基板載物台400之示意圖。在一些實施例中，基板載物台包含基板台402、支撐區塊404及一或多個感測器結構406。在一些實施例中，基板台402包含夾具以固持基板408 (例如靜電夾具)。在一些實施例中，一或多個感測器結構406中之每一者包含透射影像感測器(TIS)板。TIS板為包含在TIS感測系統中使用之一或多個感測器及/或標號器之感測器單元，該TIS感測系統用於相對於投影系統(例如圖1的投影系統PS)及微影裝置(圖1的微影裝置100)之遮罩(例如，圖1的遮罩MA)之位置精確定位晶圓。儘管出於說明之目的而在此處展示TIS板，但本文中之實施例不限於任何特定感測器。基板台402安置於支撐區塊404上。一或多個感測器結構406安置於支撐區塊404上。
在一些實施例中，當基板載物台400支撐基板408時，基板408安置於基板台402上。
可在本文中使用術語「平坦」、「平坦度」或類似者以描述相對於表面之一般平面之結構。舉例而言，彎曲或非水平表面可為不順應平坦平面之表面。表面上之瘤節及凹陷亦可以與『平坦』平面之偏差為特徵。
可在本文中使用術語「平滑」、「粗糙度」或類似者以指代表面之局部變化、微觀偏差、粒度或紋理。舉例而言，表面粗糙度可指表面輪廓與等分線或平面之微觀偏差。該等偏差通常係(以長度為單位)經量測為振幅參數，例如均方根(RMS)或算術平均偏差(Ra) (例如，1 nm RMS)。
在一些實施例中，上文所提及(例如，圖1A及1B中之晶圓台WT、圖4中之基板台402)之基板台之表面可為平坦的或瘤節的。當基板台之表面平坦時，黏在基板台與晶圓之間的任何微粒或污染物將使得污染物透印晶圓，從而在其附近導致微影誤差。因此，污染物減少器件產率並增加生產成本。
在基板台上安置瘤節有助於減少平坦基板台之非期望效果。當將晶圓夾緊至瘤節的基板台時，各區域中有空白空間，其中晶圓並不接觸基板台。空白空間充當污染物之凹穴以防止印刷誤差。另一優點係更有可能由於由瘤節引起之負載的增加而壓碎瘤節上之污染物。壓碎污染物亦有助於減少透印誤差。在一些實施例中，瘤節之經組合表面積可為基板台之表面積之約1至5%。此處，瘤節之表面區域係指與晶圓(例如，不包括側壁)接觸之表面。並且，基板台之表面積係指基板台的存在瘤節之表面之跨度。當晶圓夾緊至瘤節的基板台上時，與平坦的基板台相比，負載增加100倍，其足以壓碎大部分污染物。雖然此處之實例使用基板台，但該實例並不意欲為限制性的。舉例而言，對於各種夾持結構(例如，靜電夾具、夾持薄膜)且在多種微影系統(例如，EUV、DUV)中，本發明之實施例可在倍縮遮罩台上實施。
目前，瘤節至晶圓之介面控管基板台之功能效能。當基板台之表面平滑時，可在基板台之平滑表面與晶圓之平滑表面之間產生黏著力。兩個接觸之平滑表面黏附在一起的現象稱作緊貼。緊貼可在器件製造中造成問題，例如由晶圓中之高摩擦及平面內應力引起的疊對問題(最佳的係使晶圓易於在對準期間滑動)。一種減少在瘤節至晶圓之介面處之摩擦之方法係使用低摩擦塗層(例如，類金剛石碳)塗覆該瘤節。然而，在水(例如，浸沒微影)的存在下，可相當快速地研磨掉塗層。另一種減在瘤節至晶圓之介面處之摩擦的方法係使瘤節頂部表面變粗糙以減少接觸表面積。然而，粗糙的瘤節頂部不會長時間維持其粗糙度。瘤節頂部之最初粗糙度越粗糙，就可更快地將其研磨及磨掉。
此外，已觀察到，基板台之瘤節表面易受到不同尋常地快速磨損，尤其係在遠離基板台之中心之邊緣處之磨損(亦即，不均勻磨損)的影響。不均勻磨損導致晶圓在夾持至基板台時彎曲，其又降低器件結構之微影定位之準確度、隨時間變化之疊對漂移及類似者。並且，由於夾緊表面之整體形狀的變化，總磨損可再引起緊貼問題且導致成像效能之降低。
為防止表面之摩擦性磨損，可操控基板台之表面特性。舉例而言，在瘤節頂部表面上設計奈米結構(例如，奈米柱或精細瘤節)。亦即，自隨機化表面設計(粗糙化)變為確定性表面設計。可在本文中使用術語「精細瘤節」以指代先前所描述之瘤節(例如，粗糙瘤節)之表面上的確定性奈米柱設計。本發明之實施例提供用於操控基板台之表面之摩擦學特性的結構及方法。
圖5展示根據一些實施例之基板台500之區域之橫截示意圖。基板台500包含表面502及粗糙瘤節504。粗糙瘤節504中之每一者包含小圖510中展示之瘤節頂部表面506及精細瘤節508。小圖510為粗糙瘤節504之俯視圖。
在一些實施例中，粗糙瘤節504安置於表面502上。精細瘤節508安置於瘤節頂部表面506上。雖然圖5將粗糙瘤節504及精細瘤節508描繪為具有圓形區域，但應瞭解，粗糙瘤節504及精細瘤節508可具有其他區域幾何結構(例如正方形、橢圓及類似者)。此外，雖然圖5將精細瘤節508描繪為具有圓形及/或八邊形配置，但可使用跨越瘤節頂部表面506之任何數目(包括一個)之精細瘤節508及任何配置(例如，柵格或隨機化分佈)。
在一些實施例中，粗糙瘤節504中之每一者具有約100至1000微米之寬度或直徑(平行於表面502之平面的尺寸)。粗糙瘤節504中之每一者具有約10至200、10至150或10至100微米之高度(垂直於表面502之平面的尺寸)。精細瘤節508中之每一者具有約1至15微米之寬度或直徑。精細瘤節508中之每一者具有約10至50、20至40或20至30nm之高度。精細瘤節中之兩者之間的距離為約50至200、50至150或50至100微米。精細瘤節508中之每一者包含具有小於約1 nm RMS之表面粗糙度的接觸區域(以便接觸基板518)。
可選擇粗糙瘤節504及/或精細瘤節508之其他尺寸。舉例而言，在微影裝置中，粗糙瘤節504之尺寸可基於典型或預期的污染物微粒之大小。
接觸表面積為影響摩擦之參數。因此，粗糙瘤節504及/或精細瘤節508之尺寸可係基於達到指定摩擦的接觸表面積。
在一些實施例中，基板台500經組態以支撐基板518。基板台500可在以下兩個狀態之間切換：接合狀態(夾緊基板)及脫離狀態(未夾緊基板)。在脫離狀態下，瘤節頂部表面506與基板518之間的負載主要由作用於基板518之重力(低負載)造成。在低負載狀態下，基板518與精細瘤節508接觸且不與瘤節頂部表面506接觸。歸因於(例如)具有相對小的接觸面積以減少摩擦及經設計以減少磨損之高度，上文所描述之精細瘤節508之尺寸改良基板台500之效能。亦即，在一些實施例中，精細瘤節508之經組合表面積可為瘤節頂部表面506之表面積之約1至5%。當預期發生大部分磨損時，由於負載遍佈於中等負載下之較大瘤節區域，磨損效果減小。在下文參考圖6描述負載/壓力與瘤節接觸面積之間的關係。在不同的比較中，精細瘤節508之經組合表面積可為基板台500之表面積(基板台的存在瘤節之表面之跨度，例如不包括基板台之側邊或後側)的約0.01至0.025%。減小的摩擦使得基板518容易對準期間平移，同時亦減少基板518上之平面內應力。此外，精細瘤節508對瘤節頂部表面506之平面的破壞足以妨礙緊貼現象。亦即，在一些實施例中，精細瘤節508經組態以減少基板台500與基板518之間的緊貼(或拉力/黏著力)。因此，可增強基板台500之效能(例如，疊對效能)。緊貼之減少係由於以下事實而引起：精細瘤節508充當在釋放夾緊力時將基板自精細瘤節之間的表面(瘤節頂部表面506)剝離的彈簧。
相反，基板台500之接合狀態在瘤節頂部表面506與基板518之間產生增加的負載。在足以小之規模下，材料之任何表面可被認為係彈性的、可壓縮的或在其他方面可變形的(圖7描繪此行為)。負載可導致基板518變形且「陷入」精細瘤節508內。若恰當地選擇精細瘤節508之高度，則基板518可與瘤節頂部表面506接觸。增加的接觸面積極大地增加基板台500與基板518之間的摩擦。因此，可牢固地固持基板518以進行微影程序。
在一些實施例中，基於所選摩擦特性而選擇精細瘤節508之高度。精細瘤節508可增強對基板518之脫離。瘤節頂部表面506與精細瘤節508之間的高度差使得精細瘤節508如彈簧一樣起作用且推擠基板518。因此，基板518可避免黏在基板台500上。
圖6展示根據一些實施例之瘤節頂部表面接觸面積與夾緊壓力之曲線圖600。豎軸表示瘤節頂部表面實際上與基板接觸(例如，圖7中瘤節頂部表面706與基板718接觸)之面積的百分比。橫軸表示施加至基板之呈任意單位(A.U.)之夾緊壓力或力。曲線602表示對於隨著夾持力變化而量測實際接觸面積之模擬(忽略緊貼效果)。調諧精細瘤節高度允許對以下進行調諧：(a)低壓力接觸面積(0至1.6 A.U.；區域604)；(b)高接觸面積範圍(1.6 A.U.；區域606)之起始壓力；及(c)完全夾緊壓力下之接觸面積(＞3 A.U.；區域608)。
迄今為止，在眾多優點中，集中論述有助於減少緊貼之奈米柱或精細瘤節。然而，可存在以下情形：精細瘤節之存在可能不會提供足夠的力來促進基板始終與瘤節頂部表面分離。本發明之實施例提供用於進一步操控基板台之表面之摩擦特性的結構及方法。
圖7展示根據一些實施例之基板台700之區域之橫截面示意圖。基板台700包含表面702及粗糙瘤節704。粗糙瘤節704中之每一者包含小圖710中所展示之瘤節頂部表面706及精細瘤節708。小圖710為粗糙瘤節704之區域之橫截面圖。精細瘤節708中之每一者包含接觸表面712。在一些實施例中，瘤節頂部表面706包含粗糙化區域714。在一些實施例中，粗糙瘤節704中之每一者進一步包含中間瘤節716。
在一些實施例中，粗糙瘤節704安置於表面702上。精細瘤節708及中間瘤節716安置於瘤節頂部表面706上。出於相似之原因，精細瘤節708及/或中間瘤節716之配置、形狀及輸入可正如參考精細瘤節508 (圖5)所描述。此外，中間瘤節716之高度可不同於精細瘤節708之高度(亦即，高度係不相似的)。不同高度或層次結構可實現與粗糙化區域相似之功能。粗糙化區域714安置於精細瘤節708當中。可在本文中使用術語「在…當中」以指代在一般周圍區域之間、幾乎在一般周圍區域之間、在一般周圍區域附近及/或在一般圍繞區域中之位置。因此，粗糙化區域714可安置於精細瘤節708中之兩者之間或填充整個瘤節頂部表面706。在一些實施例中，粗糙化區域714可劃分為小塊(例如複數個粗糙化區域714)，該等小塊分佈於精細瘤節708之間、幾乎在精細瘤節708之間、在精細瘤節708附近及/或大體上在精細瘤節708附近。
在一些實施例中，基板台700經組態以支撐基板718。基板718之基板表面720在圖7中經鑑別為與基板台700接觸之表面。出於相似之原因，具有基板718之基板台700之功能及相互作用可正如上文針對基板台500及基板518 (圖5)所描述。精細瘤節708中之每一者包含具有小於約1 nm RMS之表面粗糙度之接觸表面(以接觸基板718)。粗糙化區域714可具有約2至10、2至8或3至5 nm RMS之表面粗糙度。
當基板台700接合基板718時，所增加的負載可導致基板718變形且「陷入」精細瘤節708內。其在小圖710中藉由基板表面720描繪。當脫離時，重要的是使基板台700成功釋放基板718。緊貼可導致精細瘤節708之過早磨損，尤其是對基板台700之邊緣的磨損，其中基板運動在夾緊/鬆開期間係最大的。因此，在一些實施例中，當基板台700接合基板718時，粗糙化區域714可接觸基板718。在此情景下，變形的基板具有使與瘤節頂部表面706之接觸面積增加之優點。優點係如參考圖5及圖6所描述的。與圖5之瘤節頂部表面506對比，在脫離時，粗糙化區域714增強基板718自瘤節頂部表面706之分離。
在一些實施例中，代替粗糙化區域714或除粗糙化區域714之外可使用中間瘤節716以增強基板718之分離。中間瘤節716安置於精細瘤節708當中。由中間瘤節716產生之層次結構(高度差)可藉由進一步中斷精細瘤節708之間的區域中之瘤節頂部表面706之平面來增強分離。
在一些實施例中，粗糙瘤節704中之每一者進一步包含經修飾表面722。經修飾表面722可安置於精細瘤節708中之兩者之間或填充整個瘤節頂部表面706。在一些實施例中，經修飾表面722可劃分為小塊(例如複數個經修飾表面722)，該等小塊分佈於精細瘤節708之間、幾乎在精細瘤節708之間、在精細瘤節708附近及/或大體上在精細瘤節708附近。
在一些實施例中，經修飾表面722具有經化學改質之低表面能。可使用例如化學浴或沖洗來達成化學改質。低表面能減少基板台700與基板718之間的黏著力。在脫離時，減少的黏著力增強基板718自基板台700之分離。代替粗糙化區域714及/或中間瘤節716或除粗糙化區域714及/或中間瘤節716之外，可實施經修飾表面722。
圖8展示根據一些實施例的用於製造基板台之方法步驟。在步驟802中，支撐基板台以接受製造程序。在步驟804中，在基板台上製造粗糙瘤節及精細瘤節。製造粗糙瘤節及精細瘤節包含在粗糙瘤節之瘤節頂部表面上安置精細瘤節。在步驟806中，在基板台上製造粗糙化區域及/或中間瘤節。製造粗糙化區域及/或中間瘤節進一步包含在精細瘤節當中安置粗糙化區域及/或中間瘤節。製造粗糙化區域進一步包含使用雷射切除、蝕刻(例如，反應性離子蝕刻)及/或機械工序(例如，粗糙研磨)而產生粗糙化區域。製造粗糙、精細及/或中間瘤節進一步包含經由本文中描述之微影程序進行製造。在步驟808中，以化學方式處理瘤節頂不表面以達成瘤節頂部表面之低表面能(例如，抑制式懸空鍵)。可例如藉由使用化學物質(例如，酸、溶劑、鹼)浸沒或沖洗基板台達成化學處理或改質。低表面能減少基板台與基板之間的黏著力。
可以任何可設想之次序執行圖8之方法步驟且無需執行所有步驟。舉例而言，代替步驟806或除步驟806之外，可執行步驟808。可同時、不同時及/或以任何次序製造粗糙、精細及/或中間瘤節以及粗糙化區域。在另一實例中，步驟806為任選的(例如瘤節頂部表面可具有與精細瘤節之表面相同之粗糙度)。基板台上之結構(例如，粗糙瘤節及精細瘤節、粗糙化區域等)之配置、形狀及尺寸可正如上文參考圖5及圖7所描述。
大體而言，明確結構化之瘤節頂部(例如，精細瘤節)使得良好磨損效能與良好摩擦效能之間的傳統平衡被破壞。在裝載晶圓時需要低摩擦，以確保晶圓在被完全夾緊時無應力。在晶圓被完全夾緊時需要高摩擦，使得晶圓不會在晶圓台之加速期間(或由於晶圓加熱)移動。需要具有在大量(例如，數千、數萬)晶圓負載下工作之穩定表面，其中穩定性與摩擦特徵之保留及晶圓台之整體平坦度相關。可藉由限制接觸表面積來達成低摩擦。可藉由表面粗糙化或小直徑之瘤節來達成限制接觸表面積。兩者可導致較高峰值負載，且因此導致較快材料移除、整體形狀變化及/或粗糙度減少(改變摩擦)。本發明之實施例已描述如何調諧精細瘤節之面積及高度以達成所期望摩擦阻力及耐磨性而無折衷。藉由調諧精細瘤節之面積及高度，有可能藉由與整個瘤節頂部表面接觸以在低負載下達成低表面積及低摩擦、在中等負載下達成低至中間摩擦及低磨損(其中發生大部分磨損)及在高負載下達成高摩擦及穩定性。
可使用以下條款進一步描述實施例： 1.  一種用於支撐一基板之基板台，該基板台包含： 一表面；及 安置於該表面上之粗糙瘤節，其中該等粗糙瘤節中之每一者包含： 一瘤節頂部表面；及 精細瘤節，其等安置於該瘤節頂部表面上且經組態以在該基板台支撐該基板時接觸該基板。 2.  如條項1之基板台，其中： 該等精細瘤節中之每一者包含經組態以接觸該基板之一接觸表面；且 該接觸表面具有小於約1 nm RMS之一表面粗糙度。 3.  如條項1之基板台，其中該等粗糙瘤節中之每一者具有約100至1000微米之一寬度及約10至200微米之一高度。 4.  如條項1之基板台，其中該等精細瘤節中之每一者具有約1至10微米之一寬度。 5.  如條項1之基板台，其中該等精細瘤節具有約10至50 nm之一高度。 6.  如條項1之基板台，其中該等精細瘤節中之兩者之間的一距離為約50至200微米。 7.  如條項1之基板台，其中該等精細瘤節之接觸區域之一總表面積比該基板台之一總體表面積小0.1%。 8.  如條項1之基板台，其中： 該等粗糙瘤節中之該每一者進一步包含安置於該瘤節頂部表面上之該等精細瘤節當中的中間精細瘤節；且 該等精細瘤節之一高度與該等中間精細瘤節之一高度不同。 9.  如條項1之基板台，其中該瘤節頂部表面包含安置於該等精細瘤節當中的一粗糙化區域。 10.   如條項9之基板台，其中該粗糙化區域經組態以在該基板台接合該基板時接觸該基板。 11.    如條項9之基板台，其中該粗糙化區域具有約2至8 nm RMS之一表面粗糙度。 12.   如條項1之基板台，其中： 該瘤節頂部表面包含具有經化學改質之低表面能之一經修飾表面；且 該經修飾表面經組態以減小該基板台與該基板之間的一黏著力。 13.   一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以產生一輻射光束； 一支架，其經組態以支撐經組態以在該光束上賦予一圖案之一圖案化器件； 一投影系統，其經組態以將該經圖案化之光束投影至一基板上；及 一基板台，其經組態以支撐該基板，該基板台包含： 一表面；及 安置於該表面上之粗糙瘤節，其中該等粗糙瘤節中之每一者包含： 一瘤節頂部表面；及 精細瘤節，其等安置於該瘤節頂部表面上且經組態以在該基板台支撐該基板時接觸該基板。 14.   如條項13之微影裝置，其中該等精細瘤節具有約10至50 nm 之一高度。 15.   如條項13之微影裝置，其中該瘤節頂部表面包含安置於該等精細瘤節之間的一粗糙化表面。 16.   如條項13之微影裝置，其中該粗糙化區域經組態以在該基板台接合該基板時接觸該基板。 17.   如條項16之微影裝置，其中該粗糙化區域具有約2至8 nm RMS之一表面粗糙度。 18.   一種製造一基板台之方法，該方法包含： 支撐該基板台以接受製造程序；及 在該基板台上製造粗糙瘤節及精細瘤節，其中該製造該等粗糙瘤節及該等精細瘤節包含在該等粗糙瘤節之瘤節頂部表面上安置該等精細瘤節。 19.   如條項18之方法，其進一步包含在該基板台上製造粗糙化區域，其中該製造該等粗糙化區域包含在該等瘤節頂部表面上之該等精細瘤節當中安置該等粗糙化區域。 20.   如條項19之方法，其中該製造該等粗糙化表面進一步包含使用雷射切除來產生該粗糙化區域。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如積體光學系統之製造、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代性應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光之抗蝕劑之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用至此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理大於一次，例如以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形限定基板上所產生之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至經供應至基板之抗蝕劑層中，抗蝕劑在基板上係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措詞應由在所屬領域具通常知識者鑒於本文中之教示予以解譯。
如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至之材料。在一些實施例中，基板自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。
儘管可在本文中特定地參考根據本發明之裝置及/或系統在IC製造中的使用，但應明確理解，此類裝置及/或系統具有多種其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、LCD顯示器、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，應認為本文中之術語「倍縮遮罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用將分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替換。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由發明者預期之一或多個但並非所有本發明之例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明及所附申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及其關係的實施之功能建置區塊來描述本發明。為便於描述，本文中已任意地限定此等功能建置區塊的邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可限定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。
因此，本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來限定。
100:微影裝置 100':微影裝置 210:電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡面器件 224:琢面化光瞳鏡面器件 226:經圖案化之光束 228:反射元件 229:反射元件 230:污染物截留器 240:光柵濾光片 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影單元 400:基板載物台 402:基板台 404:支撐區塊 406:感測器結構 408:基板 500:基板台 502:表面 504:粗糙瘤節 506:瘤節頂部表面 508:精細瘤節 510:小圖 518:基板 600:曲線圖 602:曲線 604:區域 606:區域 608:區域 700:基板台 702:表面 704:粗糙瘤節 706:瘤節頂部表面 708:精細瘤節 710:小圖 712:接觸表面 714:粗糙化區域 716:中間瘤節 718:基板 720:基板表面 722:表面 802:步驟 804:步驟 806:步驟 808:步驟 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:集光器/輻射收集器/收集器光學件 DE:顯影器 I/O1:輸入埠/輸出埠 I/O2:輸入埠/輸出埠 IC:積體電路 IF:虛擬源點 IF:中間焦點 IF2:位置感測器 IL:照明器 IN:積分器 SCS:監督控制系統 IVR:真空內機器人 LACU:微影控制單元 LB:裝載區 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化器件 MP:圖案 MP':影像 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑器件 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:處理器或機器人 SC:旋塗器 SO:輻射源 SO:源收集器裝置 TCU:軌道控制單元 W:基板 WT:基板台 V:真空腔室
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同實施方式進一步用於解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
圖1A展示根據一些實施例之反射微影裝置之示意圖。
圖1B展示根據一些實施例之透射微影裝置之示意圖。
圖2展示根據一些實施例之反射微影裝置之更詳細示意圖。
圖3展示根據一些實施例之微影單元之示意圖。
圖4展示根據一些實施例之基板載物台之示意圖。
圖5展示根據一些實施例之基板台之區域之橫截面示意圖。
圖6展示根據一些實施例之瘤節頂部表面接觸面積與夾緊壓力之曲線圖。
圖7展示根據一些實施例之基板台之區域之橫截面示意圖。
圖8展示根據一些實施例之用於製造基板台之方法步驟。
根據以下結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相同參考字符始終識別對應元件。在圖式中，相同的附圖標記通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
500:基板台
502:表面
504:粗糙瘤節
506:瘤節頂部表面
508:精細瘤節
510:小圖

Claims (17)

  1. 一種用於支撐一基板之基板台，該基板台包含： 一表面；及 安置於該表面上之粗糙瘤節，其中該等粗糙瘤節中之每一者包含： 一瘤節頂部表面；及 精細瘤節，其等安置於該瘤節頂部表面上且經組態以在該基板台支撐該基板時接觸該基板。
  2. 如請求項1之基板台，其中： 該等精細瘤節中之每一者包含經組態以接觸該基板之一接觸表面；且 該接觸表面具有小於約1 nm RMS之一表面粗糙度。
  3. 如請求項1之基板台，其中該等粗糙瘤節中之每一者具有約100至1000微米之一寬度及約10至200微米之一高度。
  4. 如請求項1之基板台，其中該等精細瘤節中之每一者具有約1至10微米之一寬度。
  5. 如請求項1之基板台，其中該等精細瘤節具有約10至50 nm之一高度。
  6. 如請求項1之基板台，其中該等精細瘤節中之兩者之間的一距離為約50至200微米。
  7. 如請求項1之基板台，其中該等精細瘤節之接觸區域之一總表面積小於該基板台之一總體表面積的0.1%。
  8. 如請求項1之基板台，其中： 該等粗糙瘤節中之該每一者進一步包含安置於該瘤節頂部表面上之該等精細瘤節當中的中間精細瘤節；且 該等精細瘤節之一高度與該等中間精細瘤節之一高度不同。
  9. 如請求項1之基板台，其中該瘤節頂部表面包含安置於該等精細瘤節當中之一粗糙化區域。
  10. 如請求項9之基板台，其中該粗糙化區域經組態以在該基板台接合該基板時接觸該基板。
  11. 如請求項9之基板台，其中該粗糙化區域具有約2至8 nm RMS之一表面粗糙度。
  12. 如請求項1之基板台，其中： 該瘤節頂部表面包含具有經化學改質之低表面能之一經修飾表面；且 該經修飾表面經組態以減小該基板台與該基板之間的一黏著力。
  13. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以產生一輻射光束； 一支架，其經組態以支撐經組態以在該光束上賦予一圖案之一圖案化器件； 一投影系統，其經組態以將該經圖案化之光束投影至一基板上；及 一基板台，其經組態以支撐該基板，該基板台包含： 一表面；及 安置於該表面上之粗糙瘤節，其中該等粗糙瘤節中之每一者包含： 一瘤節頂部表面；及 精細瘤節，其等安置於該瘤節頂部表面上且經組態以在該基板台支撐該基板時接觸該基板。
  14. 如請求項13之微影裝置，其中該等精細瘤節具有約10至50 nm之一高度。
  15. 如請求項13之微影裝置，其中該瘤節頂部表面包含安置於該等精細瘤節當中的一粗糙化表面。
  16. 如請求項13之微影裝置，其中該粗糙化區域經組態以在該基板台接合該基板時接觸該基板。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中該粗糙化表面具有約2至8 nm RMS之一表面粗糙度。
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