JP2022533319A - リソグラフィ装置、基板テーブル、及び方法 - Google Patents

Abstract

基板を支持するための基板テーブルは、表面及び粗バールを含む。粗バールの各々は、バール頂面及び微細バールを含む。粗バールは基板テーブルの表面上に配設される。微細バールはバール頂面上に配設される。微細バールは、基板テーブルが基板を支持するとき、基板と接触する。【選択図】 図５

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１９年５月２４日出願の、米国仮特許出願第６２／８５２，５７８号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、基板テーブル、テクスチャテーブル表面、並びに、基板テーブル表面上のバール及びナノ構造を採用する方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0004] 別のリソグラフィシステムは、パターニングデバイスが存在せず、光ビームが２つのビームに分割されて、その２つのビームが反射システムの使用を通じて基板のターゲット部分で干渉させられる、干渉リソグラフィシステムである。干渉は、基板のターゲット部分にラインを形成させる。

[0005] リソグラフィ動作の間、様々な処理ステップは、異なる層が基板上に順番に形成されることを必要とする場合がある。したがって、形成された以前のパターンに対して高い精度で基板を位置決めすることが必要な可能性がある。一般に、アライメントマークは、位置合わせされるように基板上に置かれ、第２のオブジェクトに関して配置される。リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置を検出するため、及び、マスクからの正確な露光を保証するようにアライメントマークを使用して基板を位置合わせするために、アライメント装置を使用することができる。２つの異なる層のアライメントマーク間のミスアライメントは、オーバーレイエラーとして測定される。

[0006] リソグラフィプロセスを監視するために、パターン付与された基板のパラメータが測定される。パラメータは、例えば、パターン付与された基板内又は基板上に形成される連続層間のオーバーレイエラー、及び現像された感光性レジストの臨界線幅を含むことができる。この測定は、製品基板上及び／又は専用メトロロジターゲット上で実行可能である。リソグラフィプロセスで形成される微細構造の測定を行うためには、走査電子顕微鏡及び様々な特殊ツールの使用を含む、様々な技法が存在する。高速及び非侵襲的な形の特殊検査ツールは、放射ビームが基板の表面のターゲット上に誘導され、散乱又は反射したビームの特性が測定される、スキャトロメータである。基板によって反射又は散乱される前と後のビームの特性を比較することによって、基板の特性を決定することができる。これは例えば、反射されたビームと、既知の基板特性に関連付けられた既知の測定のライブラリに記憶されたデータとを比較することによって、行うことができる。分光スキャトロメータは、広帯域放射ビームを基板上に誘導し、特定の狭い角度範囲内で散乱される放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。これに対して角度分解スキャトロメータは、単色放射ビームを使用して、散乱された放射の強度を角度の関数として測定する。

[0007] こうした光学スキャトロメータを使用して、現像された感光性レジストのクリティカルディメンション、又は、パターン付与された基板内又は基板上に形成される２つの層間のオーバーレイエラー（ＯＶ）などの、パラメータを測定することができる。基板の特性は、ビームが基板によって反射又は散乱される前と後の照明ビームの特性を比較することによって、決定することができる。

[0008] 基板テーブルの表面上のトライボロジー特性（例えば、摩擦、硬度、摩耗）を、規定及び維持することが望ましい。基板テーブルは、リソグラフィプロセス及びメトロロジプロセスの精密な要件により、満たすことが困難な可能性のある、表面レベル許容値を有する。表面域の幅（例えば１００ｍｍより大きい）に比べて相対的に薄い（例えば１ｍｍより小さい厚み）ウェーハ（例えば、半導体基板）は、基板テーブルの不均一性に特に敏感である。加えて、接触し合う極端に滑らかな表面は互いに「貼り付く」可能性があり、基板テーブルから基板を解放しなければならないときに、問題となる場合がある。要求されたときに基板の係合及び解放の助けとなる、摩耗耐性及び摩擦特性を増加させることが可能な、基板テーブルのための構造及び方法を開発することが望ましい。

[0009] いくつかの実施形態において、基板を支持するための基盤テーブルは、表面及び粗バールを備える。各々の粗バールは、バール頂面及び微細バールを備える。粗バールは、基板テーブルの表面上に配設される。微細バールはバール頂面上に配設され、基板テーブルが基板を支持するとき、基板に接触するように構成される。

[0010] いくつかの実施形態において、リソグラフィ装置は、照明システム、支持体、投影システム、及び基板テーブルを備える。基板テーブルは、表面及び粗バールを備える。粗バールの各々は、バール頂面及び微細バールを備える。粗バールは、基板テーブルの表面上に配設される。微細バールはバール頂面上に配設され、基板テーブルが基板を支持するとき、基板と接触するように構成される。照明システムは、放射のビームを生成するように構成される。支持体は、ビーム上にパターンを付与するためにパターニングデバイスを支持するように構成される。投影システムは、基板上にパターン付きビームを投影するように構成される。

[0011] いくつかの実施形態において、基板テーブルを作製するための方法は、作製プロセスを受け取るために基板テーブルを支持すること、及び、基板テーブル上に粗バール及び微細バールを作成することを含む。粗バール及び微細バールを作製することは、粗バールのバール頂面上に微細バールを配設することを含む。

[0012] 本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思いつくであろう。

[0013] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明と共に、更に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。

[0014] いくつかの実施形態による反射型リソグラフィ装置の概略図を示す。 [0015] いくつかの実施形態による透過型リソグラフィ装置の概略図を示す。 [0016] いくつかの実施形態による反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略図を示す。 [0017] いくつかの実施形態によるリソグラフィックセルの概略図を示す。 [0018] いくつかの実施形態による基板ステージの概略図を示す。 [0019] いくつかの実施形態による基板テーブルの領域の断面概略図を示す。 [0020] いくつかの実施形態によるバール頂面接触域対クランプ圧力のグラフを示す。 [0021] いくつかの実施形態による基板テーブルの領域の断面概略図を示す。 [0022] いくつかの実施形態による基板テーブルを作製するための方法ステップを示す。

[0023] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になるであろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。更に、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0024] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。

[0025] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

[0026] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用可能である。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。

[0027] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示すことができる。

[0028] このような実施形態を詳述する前に、本開示の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

[0029] 例示的なリソグラフィシステム
[0030] 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ本開示の実施形態が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下の、放射ビームＢ（例えば深紫外放射又は極端紫外放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成されると共に、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されると共に、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

[0031] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0032] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計等の条件、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルであり得、必要に応じて固定式又は可動式であり得る。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば、投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。

[0033] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

[0034] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型又は（図１Ａのリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であり得る。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、又はハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスク、更には多様なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0035] 本明細書において使用する「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射線に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを含むことができる。その他のガスは放射線又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射線には真空環境を使用することがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供することができる。

[0036] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであり得る。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程を実行することができる。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。

[0037] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプであり得る。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0038] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００，１００’とは別個の物理的実体であり得る。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を介してイルミネータＩＬへ通過する。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００，１００’の一体部分であり得る。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

[0039] イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を備えてよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネント（図１Ｂ）を備えてもよい。イルミネータＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調節するのに使用することができる。

[0040] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0041] 図１Ｂを参照すると、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。

[0042] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を投影する。像ＭＰ’は、強度分布からの放射によりマークパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたフォトレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイを含むことができる。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（すなわち、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。ゼロ次回折ビームに関連する共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の部分が、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は概ね平面に配置される。

[0043] 投影システムＰＳは、レンズ又はレンズ群Ｌによって、ゼロ次回折ビームばかりでなく１次又は１次以上の回折ビーム（図示しない）をもキャプチャするように配置される。いくつかの実施形態においては、ラインと垂直な方向に延伸するラインパターンを結像するための二重極照明（dipole illumination）を使用して、二重極照明の高解像度化効果を利用することができる。例えば、１次回折ビームは、対応するゼロ次回折ビームとウェーハＷのレベルで干渉して、可能な最高解像度及びプロセス・ウィンドウ（すなわち、許容可能な露光ドーズ偏差と組み合わせた使用可能な焦点深度）でラインパターンＭＰの画像を作り出す。いくつかの実施形態においては、照明システム瞳ＩＰＵの対向する象限の放射極（図示しない）を提供することによって、非点収差を低減することができる。更に、一部の実施形態では、対向する象限の放射極に関連付けられた投影システムの共役な瞳ＰＰＵでゼロ次ビームを遮断することによって非点収差を低減することができる。このことは、参照によりその全体が本明細書に取り込まれる、２００９年３月３１日発行の米国特許第７，５１１，７９９Ｂ２号により詳細に説明されている。

[0044] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。

[0045] 一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0046] マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。

[0047] 図示のリソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0048] １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。

[0049] ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。

[0050] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射線源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0051] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0052] さらなる実施形態では、リソグラフィ装置１００は、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を備える。極端紫外放射源は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを発生させるように構成される。一般に、ＥＵＶ放射源は、放射システム内に構成され、対応する照明システムが、ＥＵＶ放射源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。

[0053] 図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを備えたリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタ装置ＳＯは、このソースコレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置される。放電生成プラズマ源によってＥＵＶ放射放出プラズマ２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、極めて高温のプラズマ２１０を生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって少なくとも不完全電離プラズマを生じさせることによって生成される。効率的な放射発生のため、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となることがある。一部の実施形態では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。

[0054] 高温プラズマ２１０が発した放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、放射源チャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含むことができる。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含むことができる。本明細書で更に示す汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。

[0055] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすり入射型コレクタの場合もある放射コレクタＣＯを含むことができる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射して、仮想光源点ＩＦに合焦させることができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。

[0056] この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を備えることができる。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳによって反射要素２２８，２２９を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。

[0057] 一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在することができる。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択的に存在することができる。更に、図２に示したものよりも多くのミラーが存在することができ、例えば投影システムＰＳには、図２に示したものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することができる。

[0058] 図２に示すようなコレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすり入射型リフレクタ２５３，２５４，及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすり入射型リフレクタ２５３，２５４，及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。

[0059] 例示的なリソグラフィセル
[0060] 図３は、一部の実施形態によるリソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を構成することができる。また、リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を含むことができる。従来から、これらにはレジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力ポートＩ／Ｏ１，Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。

[0061] 開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装可能である。開示の実施形態は、１つ以上のプロセッサによる読み取り及び実行が可能な、機械可読媒体上に記憶された命令としても実装可能である。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。更に本明細書では、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令は、特定の動作を実行するものとして説明することができる。しかしながら、こうした説明は単なる便宜的なものであり、こうした動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスが、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行することに由来することを理解されたい。

[0062] 例示的基板テーブル
[0063] 図４は、いくつかの実施形態による基板ステージ４００の概略図を示す。いくつかの実施形態において、基板ステージは、基板テーブル４０２、支持ブロック４０４、及び１つ以上のセンサ構造４０６を備える。いくつかの実施形態において、基板テーブル４０２は、基板４０８を保持するためのクランプ（例えば、静電クランプ）を備える。いくつかの実施形態において、１つ以上のセンサ構造４０６の各々は、透過イメージセンサ（ＴＩＳ）プレートを備える。ＴＩＳプレートは、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置１００、図１）の投影システム（例えば、投影システムＰＳ、図１）及びマスク（例えば、マスクＭＡ、図１）の位置に関したウェーハの正確な位置決めに使用されるＴＩＳ感知システムにおいて使用するための１つ以上のセンサ及び／又はマーカを備える、センサユニットである。ＴＩＳプレートはここでは例示のために示されており、本明細書における実施形態は任意の特定のセンサに限定されない。基板テーブル４０２は支持ブロック４０４上に配設される。１つ以上のセンサ構造４０６は支持ブロック４０４上に配設される。

[0064] いくつかの実施形態において、基板ステージ４００が基板４０８を支持するとき、基板４０８は基板テーブル４０２上に配設される。

[0065] 「平坦」、「平坦性」などの用語は、本明細書では、表面の全体平面に関して構造を説明するために使用することができる。例えば、湾曲又は平らでない表面とは、平坦面に一致しない表面とすることができる。表面上の突起及びくぼみは、「平坦」面からの偏差として特徴付けることもできる。

[0066] 「平滑」、「粗さ」などの用語は、本明細書では、表面の局所変化、微細偏差、粒状性、又は質感を言い表すために使用することができる。例えば、表面の粗さは平均線又は平面からの表面プロファイルの微細偏差を指す場合がある。偏差は一般に、振幅パラメータ例えば、二乗平均平方根（ＲＭＳ）又は算術平均偏差（Ｒａ）（例えば、１ｎｍＲＭＳ）として（長さの単位で）測定される。

[0067] いくつかの実施形態において、前述の基板テーブル（例えば、図１Ａ及び図１ＢのウェーハテーブルＷＴ、図４の基板テーブル４０２）の表面は平坦又はバールがあるものとすることができる。基板テーブルの表面が平坦であるとき、基板テーブルとウェーハとの間に貼り付いたいずれの微粒子又は汚染物質も、ウェーハを介して汚染物質をプリントさせ、その近傍にリソグラフィエラーを生じさせることになる。したがって、汚染物質はデバイスの歩留まり率を減少させ、生産コストを増加させる。

[0068] 基板テーブル上にバールを配設することは、平坦な基板テーブルの望ましくない効果を減少させるために役立つ。バールがある基板テーブルにウェーハがクランプされたとき、ウェーハが基板テーブルに接触していない領域内の空きスペースが使用可能である。空きスペースは、プリントエラーを防止するように、汚染物質にとってのポケットとして機能する。別の利点は、バールの上に置かれた汚染物質が、バールによって増加された負荷に起因して破砕されることになる可能性が高いことである。汚染物質の破砕は、プリントスルーエラーを緩和するためにも役立つ。いくつかの実施形態において、バールの組み合わされた表面域は、基板テーブルの表面域のおよそ１～５％とすることができる。ここで、バールの表面域は、ウェーハと接触することになる表面（例えば、側壁は含まない）を指す。更に、基板テーブルの表面域は、バールが常駐する基板テーブルの表面のスパン（例えば、基板テーブルの側面又は背面は含まない）を指す。バールがある基板テーブル上にウェーハがクランプされるとき、負荷は、平坦な基板テーブルに比べて１００倍に増加され、ほとんどの汚染物質を破砕するのに十分である。ここでの例は基板テーブルを使用するが、この例は限定的なものであるとは意図されない。例えば、本開示の実施形態は、様々なクランプ構造（例えば、静電クランプ、クランプ膜）について、また様々なリソグラフィシステム（例えば、ＥＵＶ、ＤＵＶ）において、レチクルテーブル上で実装可能である。

[0069] 次に、バール対ウェーハインターフェースは、基板テーブルの機能的性能を左右する。基板テーブルの表面が平滑であるとき、基板テーブルの平滑表面とウェーハの平滑表面との間に接着力が生じ得る。２つの平滑表面が接触して互いにくっつく現象は、リンギングとして知られる。リンギングは、デバイス作製の際に問題を、例えば、ウェーハ内の高い摩擦及び面内応力に起因したオーバーレイの問題を、生じさせる可能性がある（位置合わせの間、ウェーハは滑りやすいことが最適である）。バール対ウェーハインターフェースにおける摩擦を減少させるための方法は、低摩擦コーティング（例えば、ダイヤモンド状炭素）を使用してバールをコーティングすることである。しかしながら、水の存在下（例えば液浸リソグラフィ）では、コーティングはかなり速く滑らかになる可能性がある。バール対ウェーハインターフェースにおける摩擦を減少させるための別の方法は、接触表面域を減少させるためにバール頂面を粗くすることである。しかしながら、粗いバール頂部はその粗さを長い間保持しない。バール頂部の初期の粗さが粗いほど、より速く滑らかになり、摩耗する可能性がある。

[0070] 更に、基板テーブルのバールのある表面は、特に、基板テーブルの中央から遠い縁部において非常に急速に摩耗しやすいこと（すなわち、不均等な摩耗）が観察されている。不均等な摩耗は、基板テーブルにクランプされたとき、ウェーハを湾曲させ、次にデバイス構造のリソグラフィ配置、経時的なオーバーレイドリフトなどの、正確さを減少させる。また、全体の摩耗は、リンギングの問題を再導入し、クランプ表面の球形形状の変化に起因して結像性能を低下させることにつながる可能性がある。

[0071] 表面の摩擦摩耗を防ぐために、基板テーブルの表面特性を操作することができる。例えば、バール頂面上にナノ構造（例えば、ナノピラー又は微細バール）を設計する。すなわち、無作為な表面設計（粗雑化）から確定的表面設計へと進める。「微細バール」という用語は、本明細書では、前述のバール（例えば、粗バール）の表面上の確定的ナノピラー設計を指すために使用され得る。本開示の実施形態は、基板テーブルの表面のトライボロジー特性を操作するための構造及び方法を提供する。

[0072] 図５は、いくつかの実施形態による基板テーブル５００の領域の断面概略図を示す。基板テーブル５００は、表面５０２及び粗バール５０４を備える。粗バール５０４の各々は、差し込み図５１０内に示されるバール頂面５０６及び微細バール５０８を備える。差し込み図５１０は、粗バール５０４を上から見下ろした図である。

[0073] いくつかの実施形態において、粗バール５０４は表面５０２上に配設される。微細バール５０８はバール頂面５０６上に配設される。図５は、円形域を有するものとして粗バール５０４及び微細バール５０８を示しているが、粗バール５０４及び微細バール５０８は、他の面積形状（例えば、四角、楕円など）を有することができることを理解されたい。また図５は、円形及び／又は八角形配置を有するものとして微細バール５０８を示しているが、バール頂面５０６全体にわたって任意数の微細バール５０８（１つを含む）及び任意の配置（例えば、格子又は無作為な分布）が使用可能である。

[0074] いくつかの実施形態において、粗バール５０４の各々はおよそ１００～１０００ミクロン（表面５０２の面に対して平行な寸法）の幅又は直径を有する。粗バール５０４の各々は、およそ１０～２００、１０～１５０、又は１０～１００ミクロン（表面５０２の面に対して垂直な寸法）の高さを有する。微細バール５０８の各々は、およそ１～１５ミクロンの幅又は直径を有する。微細バール５０８の各々は、およそ１０～５０、２０～４０、又は２０～３０ｎｍの高さを有する。２つの微細バール間の距離は、およそ５０～２００、５０～１５０、又は５０～１００ミクロンである。微細バール５０８の各々は、およそ１ｎｍＲＭＳ未満の表面粗さを有する（基板５１８と接触するための）接触域を備える。

[0075] 粗バール５０４及び／又は微細バール５０８について、他の寸法も選択可能である。例えば、粗バール５０４についての寸法は、リソグラフィ装置における典型的又は予想される汚染物質微粒子のサイズに基づくものとすることができる。

[0076] 接触表面域は、摩擦に影響を与えるパラメータである。したがって、粗バール５０４及び／又は微細バール５０８についての寸法は、指定された摩擦に達するための接触域に基づくものとすることができる。

[0077] いくつかの実施形態において、基板テーブル５００は基板５１８を支持するように構成される。基板テーブル５００は、係合状態（クランプされた基板）と解放状態（クランプされていない基板）との２つの状態間で切り替えることができる。解放状態において、バール頂面５０６と基板５１８との間の負荷は、主に基板５１８上に作用する重力に起因する（低負荷）。低負荷状態では、基板５１８は微細バール５０８と接触し、バール頂面５０６とは接触していない。前述の微細バール５０８の寸法は、例えば、摩擦を減少させるための相対的に小さな接触域、及び、摩耗を軽減するように設計された高さを有することに起因して、基板テーブル５００の性能を向上させる。すなわち、いくつかの実施形態において、微細バール５０８の組み合わされた表面域は、バール頂面５０６の表面域のおよそ１～５％とすることができる。ほとんどの摩耗が生じると予想されるとき、負荷はより大きなバール域にわたって中負荷で広がるため、摩耗の影響は減少する。負荷／圧力とバール接触域との間の関係は、図６を参照しながら下記で考察する。異なる比較では、微細バール５０８の組み合わされた表面域は、基板テーブル５００の表面域（バールが常駐する基板テーブルの表面のスパン、例えば基板テーブルの側面又は背面を含まない）のおよそ０．０１～０．０２５％とすることができる。摩擦が減少すると、基板５１８上の面内応力も減少し、アライメント中に基板５１８を容易に平行移動させることができる。加えて、微細バール５０８は、リンギング現象を妨げるのに十分なほどバール頂面５０６の面を破壊する。すなわち、いくつかの実施形態において、微細バール５０８は、基板テーブル５００と基板５１８との間のリンギング（又はけん引力／接着力）を減少させるように構成される。その結果、基板テーブル５００の性能（例えば、オーバーレイ性能）を強化することができる。リンギングの減少は、クランプ力が解除されたとき、微細バール５０８が、微細バール間の表面（バール頂面５０６）から基板を剥がすスプリングとして作用する、という事実に起因する。

[0078] 逆に、基板テーブル５００の係合状態は、バール頂面５０６と基板５１８との間の負荷の増加を作り出す。十分に小さな規模では、材料の任意の表面は弾性、圧縮性、又はその他の方法で変形可能であると考えることができる（図７は、この挙動を示す）。負荷は、基板５１８を変形させ、微細バール５０８内に「沈める」ことができる。微細バール５０８の高さが適切に選択された場合、基板５１８はバール頂面５０６と接触することができる。接触域が広大に増加すると、基板テーブル５００と基板５１８との間の摩擦が増加する。その結果、リソグラフィプロセスを受けるために、基板５１８をセキュアに保持することができる。

[0079] いくつかの実施形態において、微細バール５０８の高さは選択された摩擦特性に基づいて選択される。微細バール５０８は、基板５１８の解放を強化することができる。バール頂面５０６と微細バール５０８との間の高さの差が、微細バール５０８をスプリングのように作用させ、基板５１８に押し付ける。したがって、基板５１８が基板テーブル５００に貼り付くのを避けることができる。

[0080] 図６は、いくつかの実施形態によるバール頂面接触域対クランプ圧力のグラフ６００を示す。縦軸は、実際に基板と接触しているバール頂面域（例えば図７の、基板７１８と接触しているバール頂面７０６）の割合を表す。水平軸は、クランプ圧力又は基板に印加される力を、任意の単位（Ａ．Ｕ．）で表す。プロット線６０２は、クランプ力が変化する（リンギング効果が無視される）際の、実際の接触域の測定のシミュレーションを表す。微細バールの高さを調節することによって、（ａ）低圧力接触域（０～１．６Ａ．Ｕ．：領域６０４）、（ｂ）高接触域レジームの開始圧力（１．６Ａ．Ｕ．：領域６０６）、及び（ｃ）フルクランプ圧力での接触域（３Ａ．Ｕ．より大きい：領域６０８）の調節が可能になる。

[0081] これまでの考察は、多数の利点の中で、リンギングを低減させるのを助けるナノピラー又は微細バールに焦点を当ててきた。しかしながら、微細バールの存在が、バール頂面からの基板の一貫した脱離を促進するだけの十分な力を与えない可能性のある状況が存在し得る。本開示の実施形態は、基板テーブルの表面のトライボロジー特性を更に操作するための構造及び方法を提供する。

[0082] 図７は、いくつかの実施形態による基板テーブル７００の領域の断面概略図を示す。基板テーブル７００は、表面７０２及び粗バール７０４を備える。粗バール７０４の各々は、差し込み図７１０内に示されるバール頂面７０６及び微細バール７０８を備える。差し込み図７１０は、粗バール７０４の領域の断面図である。微細バール７０８の各々は接触表面７１２を備える。いくつかの実施形態において、バール頂面７０６は粗化域７１４を備える。いくつかの実施形態において、粗バール７０４の各々は、中間バール７１６を更に備える。

[0083] いくつかの実施形態において、粗バール７０４は表面７０２上に配設される。微細バール７０８及び中間バール７１６は、バール頂面７０６上に配設される。微細バール７０８及び／又は中間バール７１６の配置、形状、及び数は、同様の理由で微細バール５０８（図５）に関して説明することができる。加えて、中間バール７１６は、微細バール７０８の高さとは異なる高さを有することができる（すなわち、高さは同様でない）。異なる高さ又は階層構造は、粗化域と同様の機能を果たす。粗化域７１４は微細バール７０８の間に配設される。「間に」という用語は本明細書では、間の位置に、間の近くに、すぐ近くに、及び／又は、全般的な周辺域に、を指すために使用することができる。したがって、粗化域７１４は、微細バール７０８のうちの２つの間に配設するか、バール頂面７０６全体を満たすことができる。いくつかの実施形態において、粗化域７１４は、微細バール７０８の間に、間の近くに、すぐ近くに、及び／又は、全般的な近傍に分散される、パッチ（例えば、複数の粗化域７１４）に分割することができる。

[0084] いくつかの実施形態において、基板テーブル７００は基板７１８を支持するように構成される。基板７１８の基板表面７２０は、図７において、表面が基板テーブル７００と接触しているように識別される。基板テーブル７００の機能及び基板７１８との相互作用は、同様の理由で、基板テーブル５００及び基板５１８（図５）について前述したようになり得る。微細バール７０８の各々は、およそ１ｎｍＲＭＳ未満の表面粗さを有する（基板７１８に接触するための）接触域を備える。粗化域７１４は、およそ２～１０、２～８、又は３～５ｎｍＲＭＳの表面粗さを有することができる。

[0085] 基板テーブル７００が基板７１８と係合するとき、増加した負荷は、基板７１８を変形させ、微細バール７０８内に「沈める」ことができる。これは、差し込み図７１０内で基板表面７２０によって示されている。解放されたとき、基板テーブル７００は基板７１８を首尾よく解除することが重要である。リンギングは、特に、クランプ／クランプ解除の間に基板の動きが最大である基板テーブル７００の縁部に向かって、微細バール７０８の時期尚早な摩耗を生じさせる可能性がある。したがって、いくつかの実施形態において、粗化域７１４は、基板テーブル７００が基板７１８と係合しているとき、基板７１８と接触することができる。このシナリオでは、変形した基板は、バール頂面７０６との接触域を増加させるという利点を得る。利点は、図５及び図６に関して説明したとおりである。図５のバール頂面５０６とは対照的に、粗化域７１４は解放されるとき、バール頂面７０６からの基板７１８の分離を強化する。

[0086] いくつかの実施形態において、基板７１８の分離を強化するために、中間バール７１６を粗化域７１４の代わりに、又は粗化域７１４に加えて使用することができる。中間バール７１６は、微細バール７０８の間に配設される。中間バール７１６によって生み出される階層構造（高低差）は、微細バール７０８の間の領域内でバール頂面７０６の面を更に中断することによって、分離を強化することができる。

[0087] いくつかの実施形態において、粗バール７０４の各々は、修正された表面７２２を更に備える。修正された表面７２２は、微細バール７０８のうちの２つの間に配設するか、又はバール頂面７０６全体を満たすことができる。いくつかの実施形態において、修正された表面７２２は、微細バール７０８の間に、間の近くに、すぐ近くに、及び／又は、全般的な近傍に分散される、パッチ（例えば、複数の修正された表面７２２）に分割することができる。

[0088] いくつかの実施形態において、修正された表面７２２は、化学的に修正された低表面エネルギーを有する。化学的修正は、例えば、化学浴又はすすぎを使用して達成可能である。低表面エネルギーは、基板テーブル７００と基板７１８との間の接着力を減少させる。減少した接着力は、解放されるとき、基板テーブル７００からの基板７１８の分離を強化する。修正された表面７２２は、粗化域７１４及び／又は中間バール７１６の代わりに、又は粗化域７１４及び／又は中間バール７１６に加えて、実装可能である。

[0089] 図８は、いくつかの実施形態による基板テーブルを作製するための方法ステップを示す。ステップ８０２において、基板テーブルは作製プロセスを受け取るために支持される。ステップ８０４において、粗バール及び微細バールは基板テーブル上に作製される。粗バール及び微細バールを作製することは、粗バールのバール頂面上に微細バールを配設することを含む。ステップ８０６において、粗化域及び／又は中間バールは基板テーブル上に作製される。粗化域及び／又は中間バールを作製することは、粗化域及び／又は中間バールを微細バールの間に配設することを更に含む。粗化域を作製することは、レーザアブレーション、エッチング（例えば、リアクティブイオンエッチング）、及び／又は機械的手順（例えば、粗研磨）を使用して、粗化域を生成することを更に含む。粗、微細、及び／又は中間のバールを作製することは、本明細書で説明するリソグラフィプロセスを介して作製することを更に含む。ステップ８０８において、バール頂面は、バール頂面の低表面エネルギーを達成するために化学的に処理される（例えば、ダングリングボンドが抑制される）。化学的処理又は修正は、例えば、化学物質（例えば、酸、溶媒、基剤）を使用して、基板テーブルを沈水又はすすぐことによって、達成可能である。低表面エネルギーは、基板テーブルと基板との間の接着力を減少させる。

[0090] 図８の方法ステップは、考えられる任意の順序で実行可能であり、すべてのステップを実行する必要はない。例えばステップ８０８は、ステップ８０６の代わりに、又はステップ８０６に加えて実行可能である。粗、微細、及び／又は中間のバール、並びに粗化域は、同時に、同時ではなく、及び／又は任意の順序で作製可能である。別の例では、ステップ８０６は任意選択であってよい（例えば、バール頂面は微細バールの表面と同じ粗さを有することができる）。基板テーブル上の構造（例えば、粗バール及び微細バール、粗化域など）の配置、形状、及び寸法は、図５及び図７に関して上記で説明した通りとすることができる。

[0091] 一般に、決定性構造のバール頂面（例えば、微細バール）は、良好な摩耗性能と良好な摩擦性能との間の従来の妥協を破ることができる。低摩擦は、ウェーハが完全にクランプされたときに応力を受けないことを保証するために、ウェーハをロードするときに望ましい。高摩擦は、ウェーハテーブルの加速中に（又は、ウェーハの加熱に起因して）ウェーハが動かないように、ウェーハが完全にクランプされるときに望ましい。多数（例えば、数千、数万）のウェーハロードにわたって実行する、安定した表面を有することが望ましく、安定性は、摩擦特徴の維持及びウェーハテーブルの全体的平坦さに関係している。低摩擦は、接触の表面域を制限することによって達成可能である。接触の表面域を制限することは、表面を粗くすること又は直径の小さなバールによって達成可能である。どちらも、より高いピーク負荷、及びしたがって、より高速の材料除去、全体形状における変化、及び／又は粗さの減少（摩擦の変化）につながる可能性がある。本開示の実施形態は、妥協なしに望ましい摩擦及び摩耗抵抗を達成するために、微細バールの面積及び高さがどのように調節可能であるかを説明してきた。微細バールの面積及び高さを調節することによって、低負荷での低表面域及び低摩擦、中間負荷（ほとんどの摩耗が発生する）での低から中間の摩擦及び低摩耗、並びに、バール頂面全体と接触させることによる高負荷での高摩擦及び安定性を、達成することが可能である。

[0092] 実施形態は、下記の条項を使用して更に説明することができる。
１．基板を支持するための基板テーブルであって、
表面と、
表面上に配設された粗バールであって、粗バールの各々は、
バール頂面、及び、
バール頂面上に配設され、基板テーブルが基板を支持するとき、基板と接触するように構成された、微細バール、
を備える、粗バールと、
を備える、基板テーブル。
２．粗バールの各々は、基板と接触するように構成された接触表面を備え、また、
接触表面は、およそ１ｎｍＲＭＳ未満の表面粗さを有する、
条項１に記載の基板テーブル。
３．粗バールの各々は、およそ１００～１０００ミクロンの幅、及びおよそ１０から２００ミクロンの高さを有する、条項１に記載の基板テーブル。
４．微細バールの各々はおよそ１から１０ミクロンの幅を有する、条項１に記載の基板テーブル。
５．微細バールはおよそ１０～５０ｎｍの高さを有する、条項１に記載の基板テーブル。
６．微細バールのうちの２つの間の距離はおよそ５０～２００ミクロンである、条項１に記載の基板テーブル。
７．微細バールの接触域の合計表面域は、基板テーブルの全表面域に対して０．１％未満である、条項１に記載の基板テーブル。
８．粗バールの各々は、バール頂面上の微細バールの間に配設された中間微細バールを更に備え、また、
微細バールの高さ及び中間微細バールの高さは同様でない、
条項１に記載の基板テーブル。
９．バール頂面は微細バールの間に配設された粗化域を備える、条項１に記載の基板テーブル。
１０．粗化域は、基板テーブルが基板と係合するとき、基板に接触するように構成される、条項９に記載の基板テーブル。
１１．粗化域はおよそ２～８ｎｍＲＭＳの表面粗さを有する、条項９に記載の基板テーブル。
１２．バール頂面は、化学的に修正された低表面エネルギーを有する修正された表面を備え、また、
修正された表面は、基板テーブルと基板との間の接着力を減少させるように構成される、
条項１に記載の基板テーブル。
１３．リソグラフィ装置であって、
放射のビームを生成するように構成された、照明システムと、
ビーム上にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された、支持体と、
パターン付きビームを基板上に投影するように構成された、投影システムと、
基板を支持するように構成された、基板テーブルであって、基板テーブルは、
表面、及び、
表面上に配設された粗バール、
を備え、粗バールの各々は、
バール頂面、及び、
バール頂面上に配設され、基板テーブルが基板を支持するとき、基板に接触するように構成された、微細バール、
を備える、基板テーブルと、
を備える、リソグラフィ装置。
１４．微細バールはおよそ１０～５０ｎｍの高さを有する、条項１３に記載のリソグラフィ装置。
１５．バール頂面は、微細バールの間に配設された粗化表面を備える、条項１３に記載のリソグラフィ装置。
１６．粗化表面は、基板テーブルが基板と係合するとき、基板と接触するように構成された、条項１３に記載のリソグラフィ装置。
１７．粗化表面は、およそ２～８ｎｍＲＭＳの表面粗さを有する、条項１６に記載のリソグラフィ装置。
１８．基板テーブルを作製する方法であって、
作製プロセスを受け取るために基板テーブルを支持すること、及び、
基板テーブル上に粗バール及び微細バールを作製することであって、粗バール及び微細バールを作製することは、粗バールのバール頂面上に微細バールを配設することを含む、作製すること、
を含む、方法。
１９．基板テーブル上に粗化域を作製することを更に含み、粗化域を作製することは、バール頂面上の微細バールの間に粗化域を配設することを含む、条項１８に記載の方法。
２０．粗化表面を作製することは、レーザアブレーションを使用して粗化域を生成することを更に含む、条項１９に記載の方法。

[0093] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0094] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

[0095] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の開示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

[0096] 本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の実施形態では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである場合がある。

[0097] 本文では、ＩＣの製造における本発明による装置及び／又はシステムの使用について特に言及しているが、そのような装置及び／又はシステムは他の多くの可能な用途を有することを明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「マスク」、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。

[0098] 本発明の特定の実施形態が上に記載されているが、本発明は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この説明は、本発明を限定することを意図するものではない。

[0099] 特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。

[0100] 以上では、特定の機能の実施例を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。

[0101] 特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。

[0102] 本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。

Claims (17)

1. 基板を支持するための基板テーブルであって、
   表面と、
   前記表面上に配設された粗バールであって、前記粗バールの各々は、
   バール頂面、及び、
   前記バール頂面上に配設され、前記基板テーブルが前記基板を支持するとき、前記基板と接触するように構成された、微細バール、
   を備える、粗バールと、
   を備える、基板テーブル。
2. 前記粗バールの各々は、前記基板と接触するように構成された接触表面を備え、また、
   前記接触表面は、およそ１ｎｍＲＭＳ未満の表面粗さを有する、
   請求項１に記載の基板テーブル。
3. 前記粗バールの各々は、およそ１００～１０００ミクロンの幅、及びおよそ１０から２００ミクロンの高さを有する、請求項１に記載の基板テーブル。
4. 前記微細バールの各々はおよそ１から１０ミクロンの幅を有する、請求項１に記載の基板テーブル。
5. 前記微細バールはおよそ１０～５０ｎｍの高さを有する、請求項１に記載の基板テーブル。
6. 前記微細バールのうちの２つの間の距離はおよそ５０～２００ミクロンである、請求項１に記載の基板テーブル。
7. 前記微細バールの接触域の合計表面域は、前記基板テーブルの全表面域に対して０．１％未満である、請求項１に記載の基板テーブル。
8. 前記粗バールの前記各々は、前記バール頂面上の前記微細バールの間に配設された中間微細バールを更に備え、また、
   前記微細バールの高さ及び前記中間微細バールの高さは同様でない、
   請求項１に記載の基板テーブル。
9. 前記バール頂面は前記微細バールの間に配設された粗化域を備える、請求項１に記載の基板テーブル。
10. 前記粗化域は、前記基板テーブルが前記基板と係合するとき、前記基板に接触するように構成される、請求項９に記載の基板テーブル。
11. 前記粗化域はおよそ２～８ｎｍＲＭＳの表面粗さを有する、請求項９に記載の基板テーブル。
12. 前記バール頂面は、化学的に修正された低表面エネルギーを有する修正された表面を備え、また、
    前記修正された表面は、前記基板テーブルと前記基板との間の接着力を減少させるように構成される、
    請求項１に記載の基板テーブル。
13. リソグラフィ装置であって、
    放射のビームを生成するように構成された、照明システムと、
    前記ビーム上にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された、支持体と、
    前記パターン付きビームを基板上に投影するように構成された、投影システムと、
    前記基板を支持するように構成された、基板テーブルであって、前記基板テーブルは、
    表面、及び、
    前記表面上に配設された粗バール、
    を備え、前記粗バールの各々は、
    バール頂面、及び、
    前記バール頂面上に配設され、前記基板テーブルが前記基板を支持するとき、前記基板に接触するように構成された、微細バール、
    を備える、基板テーブルと、
    を備える、リソグラフィ装置。
14. 前記微細バールはおよそ１０～５０ｎｍの高さを有する、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記バール頂面は、前記微細バールの間に配設された粗化表面を備える、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記粗化表面は、前記基板テーブルが前記基板と係合するとき、前記基板と接触するように構成された、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記粗化表面は、およそ２～８ｎｍＲＭＳの表面粗さを有する、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。

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