TWI527150B - 靜電鉗、微影裝置及製造靜電鉗之方法 - Google Patents

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Description

靜電鉗、微影裝置及製造靜電鉗之方法
本發明係關於一種用以固持一物件之靜電鉗、一種包括此鉗之微影裝置，及一種與此鉗有關之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(例如，光罩(比例光罩))可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。
靜電鉗為進行操作以使用靜電力來夾持物件之鉗。此鉗可用於微影裝置中。舉例而言，使用EUV或電子束輻射之微影裝置可在真空條件下於某些區域中操作。靜電鉗可有用於在此等區域中夾持物件。可提供靜電鉗以將物件(諸如，光罩或基板(晶圓))分別靜電地夾持至物件支撐件(諸如，光罩台或基板台)。
圖2及圖3描繪位於靜電夾盤(鉗)2上之基板1，靜電夾盤(鉗)2包括由(例如)鋁製成之導熱支撐件3、5。為了將基板1定位於夾盤2上，可提供定位銷釘13a、13b，使得基板1之平坦邊緣1a可鄰接銷釘13a且圓形邊緣1b鄰接銷釘13b，使得可唯一地界定基板1之部位。支撐件具有可為6毫米厚之周邊部分3，及厚度為大約3.5毫米之較薄有孔中心部分5。中心部分具有穿孔或孔隙6，穿孔或孔隙6之橫截面為圓形，其中直徑為3毫米。靜電夾盤2亦包括呈銅支柱7之形式的導熱部分，銅支柱7緊固於孔隙6中。6毫米長且直徑為3毫米之支柱7與支撐件之中心部分進行熱接觸且亦與周邊部分3進行熱接觸，周邊部分3由於其相對大尺寸而可充當散熱片。
支柱7具有平坦端面8，平坦端面8位於同一固定平面中，使得基板1可承載於平坦端面8上以及支撐件之周邊部分3之主要表面9上。以此方式，基板可相對於靜電夾盤2被支撐於固定平面中。此外，因為支柱7係由金屬製成，所以支柱7導電(以及導熱)，使得基板1在其後表面(亦即，面對靜電夾盤2之表面)處被支柱7電接觸。
夾盤2亦具有呈柵格電極10之形式的導電部件，柵格電極10可由(例如)鋁製成。基本上，柵格10為圓形，其具有90毫米之直徑及1.3毫米之厚度。柵格10之網格可藉由直徑為5毫米之圓形孔隙11構成。柵格10具有延伸於支柱7之間的零件，此係因為柵格10經定位成使得支柱7延伸通過孔隙11，但支柱7與柵格10係藉由介電材料層12而相互絕緣。介電材料層12(其可為(例如)環氧樹脂)環繞柵格10，使得除了使該柵格與支柱7絕緣以外，亦使柵格10與支撐件之中心部分5絕緣。柵格10與支柱7及支撐件2之中心部分5兩者之分離度為(例如)1毫米，介電層10填充此等各種部件之間的整個空間。此外，介電層存在於柵格10之上部表面上，但層10之此零件具有大約200微米之厚度。如下文中更詳細地所解釋，支柱7可自介電層12突出，使得基板1與層12被間隔開達大約10微米。
為了相抵於夾盤2固持基板1，在基板1與柵格電極10之間施加電位差。通常，此電位差為4千伏特。自支撐件2經由支柱7而對基板1之後表面進行電接觸，且經由電連接件4而將(例如)大約4千伏特之偏壓電位施加至柵格10，電連接件4延伸通過該支撐件之中心部分5且通過介電層12。因此，橫越介電層12建立靜電夾持力，使得基板1相抵於夾盤2之支柱7固持於實質上固定平面中。夾持力之量值同基板1與電極10之間的電位差之平方成比例、同層12之介電常數成正比，且同基板1與柵格10之間的距離之平方成反比。
圖3為圖2之基板1及夾盤2的自上方所截取之平面圖，其中基板1被部分地剖示。圖2展示沿著圖3中之線I-I'的橫截面。如圖3所示，夾盤2具有支柱7之對稱分佈。為了相抵於夾盤均勻地固持基板，需要使支柱7相對緊密地間隔以避免基板之局域化曲折。此亦與對避免橫越基板1之溫度變化的需要相一致。支柱7之數目愈大且支柱7之間隔愈緊密，則自基板至支撐件之厚周邊散熱片3之熱轉移可愈有效率。但，就關心支柱之數目而言，必須達到折衷，此係因為歸因於靜電吸引之接觸壓力隨著支柱7之數目增加而減少。然而，因為支柱7自介電層12突出，所以基板1僅在支柱7之端面8處及在主要表面9之內部周邊處接觸夾盤2。藉由以此方式限制接觸面積，接觸壓力(亦即，每單位面積之力)最大化。此情形係有益的，此係因為基板1與支柱7之間的熱轉移之效率取決於接觸壓力。
被夾持於靜電鉗上之物件應以極高準確性定位於靜電鉗上，且靜電鉗上物件之位置應隨時間推移而保持穩定。舉例而言，將有益的是提供一種給出物件之位置之高準確性及穩定性的靜電鉗。
根據本發明之一態樣，提供一種靜電鉗，該靜電鉗經組態以將一物件固持於一實質上固定平面中。該鉗包括：一支撐件，其包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節(burl)。該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，且該等瘤節之該頂部判定經固持有該物件之一平面。該鉗亦包括一第一材料層及一第二材料層，該第一材料層及該第二材料層提供於鄰近瘤節之間，該第一層及該第二層不延伸得高於該等鄰近瘤節之該等頂部部分且不延伸得低於該等鄰近瘤節之該等底部部分。一電極提供於該等鄰近瘤節之間且係藉由該第一層及該第二層環繞。
根據本發明之一態樣，提供一種製造一靜電鉗之方法，該靜電鉗經組態以將一物件靜電地夾持至一物件支撐件。該靜電鉗包括一支撐件，該支撐件包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節，該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，且該等瘤節之該頂部判定經固持有該物件之一平面。該方法包括：在該基底及該等瘤節之該等頂部上方提供一第一材料層；在包括該第一層的該基底及該等瘤節上方提供一電極；圍繞該複數個瘤節在至少該第一層中蝕刻第一凹座，使得至少該第一層與該等瘤節相隔一第一距離；在包括該第一層、該等第一凹座及該等瘤節之該等頂部的該基底上方提供一第二材料層；及圍繞該複數個瘤節在至少該第二層中蝕刻第二凹座，使得至少該第二材料層與該等瘤節相隔一第二距離。
根據本發明之一態樣，提供一種裝置，該裝置包括：一物件支撐件，其用以將一物件支撐於一輻射光束之一光束路徑中；及一靜電鉗，其用以相抵於該物件支撐件靜電地夾持該物件，該鉗包含：一支撐件，其包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節，該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部判定經固持有該物件之一平面；一第一材料層及一第二材料層，其提供於鄰近瘤節之間，該第一層及該第二層不延伸得高於該等鄰近瘤節之該等頂部部分且不延伸得低於該等鄰近瘤節之該等底部部分；及一電極，其提供於該等鄰近瘤節之間且係藉由該第一層及該第二層環繞。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包括：一圖案化器件支撐件，其用以固持一圖案化器件，該圖案化器件經組態以圖案化一輻射光束以形成一經圖案化輻射光束；一基板支撐件，其用以固持一基板；一投影系統，其用以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；及一靜電鉗，其用以將該圖案化器件或該基板靜電地夾持於該各別支撐件上。該鉗包括：一台，其包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節。該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，且該等瘤節之該頂部判定經固持有該圖案化器件或該基板之一實質上平面表面。該鉗亦包括：一第一材料層及一第二材料層，其提供於鄰近瘤節之間，該第一層及該第二層不延伸得高於該等鄰近瘤節之該等頂部部分且不延伸得低於該等鄰近瘤節之該等底部部分；及一電極，其提供於該等鄰近瘤節之間且係藉由該第一層及該第二層環繞。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；支撐結構或支撐件或圖案支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
如本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
支撐結構及基板台在下文中亦可被稱為物品支撐件(article support)。物品包括(但不限於)諸如光罩之圖案化器件，及諸如晶圓之基板。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在藉由圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之零件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖4描繪根據本發明之一實施例的靜電鉗之部分橫截面。在圖4所示之實施例中，靜電鉗20經組態以在使用中將物件固持於實質上固定平面24中，且包括具備瘤節21之支撐件或台25。瘤節21之頂部判定經固持有物件之平面24，且藉由介電質23環繞(例如，囊封)之電極22提供於瘤節21之間。介電質23亦充當絕緣體。實質上固定平面(或實質上平面表面)可對應於在基板曝光期間經固持有基板之平面。電極22與瘤節21之頂部之間的距離可介於50微米與1000微米之間。雖然在圖4中僅展示兩個瘤節21，但應瞭解，一般而言，可使用多個瘤節，且電極22及介電材料23可位於該等瘤節21中每一者之間。在一實施例中，具備瘤節21之支撐件25可由一種材料製成，使得支撐件25上瘤節21之位置極穩定且剛硬，此情形有助於使物件在其於平面24中之位置上保持穩定。為了改良穩定性，支撐件25可比瘤節21之高度厚10倍至200倍。舉例而言，在瘤節之高度為約300微米的情況下，支撐件可為約40毫米厚。
瘤節21之頂部判定經固持有物件之平面24(或實質上平面表面)。瘤節21之頂部可與物件接觸，且此接觸可能需要使瘤節21之材料耐磨損，此係因為：每當將物件夾持於瘤節21上時，會將可造成瘤節21之磨損的力施加於瘤節21上。磨損可使鉗20之瘤節21對黏附效應更敏感。黏附效應通常係歸因於物件之底部區段與瘤節21之頂部區段之間的黏著力，及/或歸因於藉由殘餘靜電荷產生之靜電力。黏著力可藉由接觸表面之材料雜質及粗糙度缺陷產生。物件可在瘤節21上方滑動，藉此在瘤節21上造成磨損及粗糙度缺陷，此情形可導致額外黏附。磨損之另一原因可為當污染物黏附至瘤節21時所需要的瘤節21之清潔。
被夾持於靜電鉗20上之物件應以極高準確性定位，且靜電鉗20上物件之位置應隨時間推移保持穩定。若將銅及鋁分別用於瘤節21及支撐件25，則可能不會以足夠高之準確性保證位置，此係因為該等金屬之熱膨脹(分別為16.5 m/m.K×10-6及22.5 m/m.K×10-6)高。若鉗20之溫度改變，則高熱膨脹可在瘤節21之平面24中引起不平坦度及移動之風險。或者或又，用於鉗20中之不同材料的膨脹係數差可在該等材料之間引起張力且引起鉗20之不平坦度。一風險可為：瘤節21與支撐件25之間的連接可過弱，此情形使得由(例如)電極22或介電質23造成之任何張力可引起鉗之不平坦度及/或在平面24中瘤節21之平移。因此，可能有益的是使支撐件25及瘤節21由一種材料製成。若該兩者被一件式地製成，則可以改良式剛硬性進行該兩者之間的連接，此情形克服鉗20內之任何張力。具備瘤節21之支撐件25之材料理想地具有小於約10 m/m.K×10-6之熱膨脹。舉例而言，該材料可為SiC(碳化矽，其具有4 m/m.K×10-6之熱膨脹)、SiSiC(矽化碳化矽，其具有4 m/m.K×10-6之熱膨脹)，或Si3N4(氮化矽，其具有3.3 m/m.K×10-6之熱膨脹)。可能需要被夾持於靜電鉗2上之物件可由矽(諸如，基板)及石英(諸如，光罩)製成。矽具有2 m/m.K×10-6至3 m/m.K×10-6之熱膨脹，且石英具有0.05 m/m.K×10-6至9 m/m.K×10-6的取決於其製造程序之熱膨脹。鉗20之熱膨脹可經選擇成使得其接近於被夾持於鉗20上之物件之熱膨脹，以減少或最小化物件與靜電鉗20之間的張力。此情形引起在鉗20上物件之更好平坦度及在鉗2上物件之更穩定位置。
上文所提及之材料可比銅硬得多。SiC及SiSiC之(努氏100克(Knoop 100 g))硬度為對應於9至10之莫氏硬度(Moh's hardness)的2800 Kg/mm2，且Si3N4具有對應於9之莫氏硬度的2200 Kg/mm2之(努氏100克)硬度。如上文所描述，硬度對於避免瘤節21之磨損及黏著力係重要的。銅具有約3至5之莫氏硬度，此情形意謂銅比上文所提及之碳化矽及氮化矽軟得多。如本文中所論述，可能需要被夾持於靜電鉗2上之物件可由矽及/或石英製成。矽具有介於6與7之間的莫氏硬度，且石英具有7之莫氏硬度，此情形使得當將銅用於瘤節21時，該瘤節將會磨損。若瘤節21磨損，則平面24之位置可不同，且瘤節21可對黏著力敏感。
SiC之熱導率為120 W/m.K，且氮化矽之熱導率為30 W/m.K，其低於為394 W/m.K的銅之熱導率或為237 W/m.K的鋁之熱導率，但在大多數應用中，此將足以得到至溫度控制系統之足夠熱輸送。溫度控制系統可在靜電鉗20之支撐件25內使用液體(例如，水)管道27以控制鉗2之溫度。
創製用於單面或雙面鉗之介電層可具有顯著良率問題。用以創製用於靜電鉗之薄層之製造程序中的一些製造程序可伴有包括(例如)針孔及/或材料不穩定性之各種限定及限制。舉例而言，靜電鉗之一些設計利用諸如膠合及/或陽極接合之技術作為製造程序之部分以創製用於靜電鉗之介電層及經圖案化電極。在鉗上提供穩定層會輔助提供穩定基底以支撐基板。
圖5描繪根據本發明之一實施例的靜電鉗之頂部層之部分橫截面。在圖4所示之實施例中，電極32係藉由絕緣體33、35環繞且提供於瘤節31之間。在一實施例中，絕緣體可具有介電材料。在圖5之實施例中，介電材料層35提供於電極32上方，且絕緣體材料層(其可為介電質)33提供於電極32下方。舉例而言，介電材料可為塑膠，諸如，Para Tech Coating,Inc之PARYLENETM聚(對二甲苯)聚合物、KAPTONTM聚醯胺或MYLARTM聚酯(該兩者來自E.I. du Pont de Nemours and Company)，或液晶聚合物(LCP)。諸如SCHOTTTM密封玻璃、SCHOTTTM AF37或SCHOTT BOROFLOATTM 33之石英可用作介電材料。可用作絕緣體及/或介電質之另一材料可為氮化硼。
圖6至圖9說明根據本發明之一實施例的用於將一個以上層施加至靜電鉗之製造方法之步驟的詳細部分橫截面圖。更具體而言，在本文所描述之實施例中，將兩個或兩個以上介電材料層(例如，PARYLENETM)施加至靜電鉗之支撐件上，其中鋁電極在瘤節之間且係藉由介電層環繞。此實施例之多個介電層增加最小本徵擊穿強度，且減少當施加輻射(例如，EUV輻射)時介電層之局域擊穿。介電層之數目的增加可增加圍繞電極之厚度，且因此可引起每鉗面積的失效之數目的縮減。舉例而言，許多介電質失效受到疵點驅使。使用多個層可減輕任一層中之疵點之效應，從而引起較大的最小擊穿強度。又，用以使鉗失真或變形之動力或力的量同層之厚度成正比。亦即，隨著介電層之厚度增加，其強度增加，因此縮減鉗變形之易感性。
圖6至圖9展示用以製造靜電鉗40之步驟之詳細視圖，靜電鉗40經組態以將物件固持於實質上固定平面中(以如圖4所示之類似方式)。靜電鉗40包括支撐件或台42，支撐件或台42包含基底43及自基底43延伸之複數個瘤節44。複數個瘤節44中每一者包括一頂部部分及一底部部分。瘤節44包含自底部部分(或支撐件42之表面)至頂部部分所量測之高度H。在一實施例中，瘤節44提供於在大約85微米之範圍內的高度H處或之間。在一實施例中，瘤節之頂部判定經固持有物件之平面。
圖6說明支撐件42之表面，支撐件42之表面在支撐件42及其瘤節44上方具備或經塗佈有第一材料層46。第一層46提供於基底43上方及瘤節44之頂部上方。電極層48亦至少提供或塗佈於瘤節44之間。在所說明實施例中，電極48完全地塗佈於第一層46上方、基底43上方及瘤節44之頂部上方。
在一實施例中，第一層46包含介電材料。在一實施例中，第一層46包含塑膠。在一實施例中，第一層46包含PARYLENETM。
在一實施例中，電極48包含鋁。
提供或塗佈至支撐件42之表面上的第一層46之厚度T應不具限制性。在一實施例中，第一材料層46之厚度T介於大約20微米與大約30微米之間且包括大約20微米及大約30微米。在一實施例中，第一層46之厚度T為大約25微米。在一實施例中，電極之厚度為大約300奈米。
在圖7所示之下一步驟中，自支撐件42之表面蝕刻至少第一層46。更具體而言，蝕刻至少第一層46，使得第一凹座50相對於及/或圍繞複數個瘤節44形成於至少第一層46中，使得第一層46與瘤節44之邊緣56相隔第一距離A。亦可自瘤節44蝕刻電極層48。在一實施例中，藉由自每一瘤節44之邊緣56將第一層46及電極層48蝕刻大約100微米來形成第一凹座50(亦即，A=大約100微米)。在一實施例中，第一層46被蝕刻之量為距離A+/-X微米。在一實施例中，自瘤節44將第一層46蝕刻大約100+/-25微米。
在圖8中，支撐件42在基底43上方(包括在第一層46、第一凹座50及複數個瘤節44之頂部上方)具備或經塗佈有第二材料層52。在一實施例中，第二層52包含介電材料。在一實施例中，第二層52包含塑膠。在一實施例中，第二層52包含PARYLENETM。
在一實施例中，第一層46及第二層52包含類似材料。在一實施例中，第一層46及第二層52兩者包含PARYLENETM。
提供或塗佈至支撐件42之表面上(其包括在第一層46、第一凹座50及瘤節44上方)的第二層52之厚度T2應不具限制性。在一實施例中，第二層52之厚度T2介於大約40微米與大約60微米之間且包括大約40微米及大約60微米。在一實施例中，第二層52之厚度T2為大約50微米。在一實施例中，第二層52之厚度T2在塗佈至支撐件42之表面上時實質上均一。在一實施例中，第二層52之厚度T2可沿著支撐件42之表面非均一。
接著，如圖9所示，自支撐件42之表面蝕刻至少第二層52。更具體而言，蝕刻至少第二層52，使得第二凹座54相對於及/或圍繞複數個瘤節44形成於至少第二層52中，使得第二層52與瘤節44之邊緣56相隔第二距離B。在一實施例中，藉由自每一瘤節44將第二層52蝕刻大約25微米來形成第二凹座54(亦即，B=大約25微米)。在一實施例中，第二層52被蝕刻之量為距離B+/-X微米(其中X無需具有與第一層46之值相同的值)。在一實施例中，自瘤節44之邊緣56將第二層52蝕刻大約25+/-25微米。在一實施例中，距離B小於距離A。
第一層46及第二層52之施加應不具限制性。舉例而言，在一實施例中，使用濺鍍程序、使用化學氣相沈積程序或其組合而在支撐件上提供第一層46及/或第二層52。另外，第一層46及第二層52之蝕刻(亦即，蝕刻第一凹座50及第二凹座54)可以任何數目個方式執行且應不具限制性。在一實施例中，為了形成第一凹座及第二凹座，利用雷射切除程序。
圖10說明根據本發明之一實施例的在如圖6至圖9所示之蝕刻及處理之後支撐件42上之瘤節44的自上方所截取之詳細平面圖。瘤節44具有實質上在彼處圍繞瘤節44之邊緣56與第二層52之邊緣58之間形成的第二凹座54。第一層46及電極48之邊緣60係藉由圖10中之虛線大體上表示(因為歸因於自瘤節44將層46及48蝕刻第一距離A而將此等層提供於第二層52下方，如圖7所示)。
在一實施例中，第一層46及第二層52包含介電材料。在一實施例中，第一層46及第二層52包含PARYLENETM。
在一實施例中，瘤節44包含大約500微米之直徑。第一材料層46及電極層48可自圍繞瘤節44被移除高達大約700+/-微米直徑。第二材料層52可環繞瘤節44被移除高達大約550+/-微米直徑。
雖然在圖6至圖10中僅展示一個瘤節44之部分，但應瞭解，一般而言，可使用多個瘤節，且電極48及材料層46、52可位於該等瘤節44中每一者之間。圖11說明根據本發明之一實施例的具有基底及複數個瘤節44之支撐件42之詳細平面圖。在一實施例中，具備瘤節44之支撐件42可由一種材料製成，使得支撐件42上瘤節44之位置穩定且剛硬，此情形有助於使物件在其於平面中之位置上保持穩定。
為了改良穩定性，支撐件42可比瘤節44之高度厚10倍至200倍。舉例而言，在一實施例中，在瘤節之高度H為大約85微米的情況下，支撐件之直徑可為約500微米。鄰近瘤節之中心62之間的距離C可高達大約2 mm(毫米)。
自瘤節中心62至層52、48及46之邊緣58的距離D應不受到限制。可使用瘤節中心62來量測正方形單位格，例如，形成2毫米乘2毫米或4平方毫米之面積。在一實施例中，自瘤節中心62至層52、48及46之邊緣58的距離D可為大約375微米。因而，藉由4平方毫米形成之面積可具有層46、52及電極48之大約89%覆蓋率。
在一實施例中，電極48與瘤節44之頂部之間的距離可介於50微米與1000微米之間。
圖6至圖9之實施例以及圖10及圖11之所說明實施例的支撐件42、支撐件42之基底43及複數個瘤節44可由一或多種材料製成，該一或多種材料包括(但不限於)上文所揭示之材料且應不具限制性。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
如本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1．．．基板
1a．．．基板之平坦邊緣
1b．．．基板之圓形邊緣
2．．．靜電夾盤(鉗)/支撐件
3．．．導熱支撐件/周邊部分/厚周邊散熱片
4．．．電連接件
5．．．導熱支撐件/較薄有孔中心部分
6．．．穿孔/孔隙
7．．．銅支柱
8．．．支柱之平坦端面
9．．．周邊部分之主要表面
10．．．柵格電極/柵格
11．．．圓形孔隙
12．．．介電材料層
13a．．．定位銷釘
13b．．．定位銷釘
20．．．靜電鉗
21．．．瘤節
22．．．電極
23．．．介電質/介電材料
24．．．實質上固定平面
25．．．支撐件/台
27．．．液體管道
31．．．瘤節
32．．．電極
33．．．絕緣體/絕緣體材料層
35．．．絕緣體/介電材料層
40．．．靜電鉗
42．．．支撐件/台
43．．．基底
44．．．瘤節
46．．．第一材料層
48．．．電極層/電極
50．．．第一凹座
52．．．第二材料層
54．．．第二凹座
56．．．瘤節之邊緣
58．．．第二層之邊緣
60．．．第一層及電極之邊緣
62．．．瘤節中心
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構/支撐件/圖案支撐件
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2為位於習知靜電夾盤上之基板的在圖3之線I--I'上所截取之橫截面圖；
圖3為圖2之基板及夾盤的自上方所截取之平面圖，基板被部分地剖示；
圖4描繪根據本發明之一實施例的靜電鉗之頂部層之部分橫截面；
圖5描繪根據本發明之一實施例的靜電鉗之頂部層之部分橫截面；
圖6說明根據本發明之一實施例的用以將一個以上層施加至靜電鉗之製造方法之第一步驟的詳細部分橫截面圖；
圖7說明根據本發明之一實施例的用以將一個以上層施加至靜電鉗之製造方法之第二步驟的詳細部分橫截面圖；
圖8說明根據本發明之一實施例的用以將一個以上層施加至靜電鉗之製造方法之第三步驟的詳細部分橫截面圖；
圖9說明根據本發明之一實施例的用以將一個以上層施加至靜電鉗之製造方法之第四步驟的詳細部分橫截面圖；
圖10為根據本發明之一實施例的瘤節之自上方所截取之詳細平面圖；及
圖11說明根據本發明之一實施例的電極面積之詳細平面圖。
20．．．靜電鉗
21．．．瘤節
22．．．電極
23．．．介電質/介電材料
24．．．實質上固定平面
25．．．支撐件/台
27．．．液體管道

Claims (22)

  1. 一種靜電鉗，其用以將一物件固持於一實質上固定平面中，該靜電鉗包含：一支撐件，其包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節(burls)，該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部判定固持有該物件之一平面；一第一材料層及一第二材料層，其提供於鄰近瘤節之間，該第一及第二材料層未延伸高於該等鄰近瘤節之該等頂部部分且未延伸低於該等鄰近瘤節之該等底部部分，且其中該第一材料層不與各瘤節直接接觸，且該第一材料層與各瘤節相隔開一第一側向距離；及一電極，其提供於該等鄰近瘤節之間且係由該第一及第二材料層所環繞。
  2. 如請求項1之靜電鉗，其中該第二材料層不與各瘤節直接接觸，且該第二材料層與各瘤節相隔開一第二側向距離。
  3. 如請求項1之靜電鉗，其中該第二材料層被提供於由該第一材料層與各別瘤節之間的該第一距離所形成之一區域之至少一部分內。
  4. 如請求項1之靜電鉗，其中該第一及第二材料層為類似材料。
  5. 如請求項1之靜電鉗，其中該第二材料層被提供於該第一材料層之頂部上。
  6. 如請求項1之靜電鉗，其中該第一材料層、該第二材料層或其兩者包含介電材料，且該介電材料為聚(對二甲苯)聚合物。
  7. 如請求項6之靜電鉗，其中該第一材料層及該第二材料層兩者包含聚(對二甲苯)聚合物。
  8. 如請求項1之靜電鉗，其中該第一側向距離大於或等於約25微米。
  9. 一種製造一靜電鉗之方法，該靜電鉗經組態以將一物件靜電地夾持至一物件支撐件，該靜電鉗包含一支撐件，該支撐件包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節，該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部判定固持有該物件之一平面，該方法包含：在該基底及該等瘤節之該等頂部上方提供一第一材料層；在包括該第一材料層的該基底及該等瘤節上方提供一電極；圍繞該複數個瘤節在至少該第一材料層中蝕刻第一凹座(recesses)，使得至少該第一材料層不與該等瘤節直接接觸且與該等瘤節相隔一第一距離；在包括該第一材料層、該等第一凹座及該等瘤節之該等頂部的該基底上方提供一第二材料層；及圍繞該複數個瘤節在至少該第二材料層中蝕刻第二凹座，使得至少該第二材料層不與該等瘤節直接接觸且與 該等瘤節相隔一第二距離。
  10. 如請求項9之方法，其中該第一材料層及該第二材料層為類似材料。
  11. 如請求項9之方法，其中該第一材料層、該第二材料層或其兩者包含介電材料。
  12. 如請求項11之方法，其中該介電材料為聚(對二甲苯)聚合物。
  13. 如請求項11之方法，其中該第一材料層及該第二材料層兩者包含聚(對二甲苯)聚合物。
  14. 如請求項9之方法，其中該提供該第一材料層及/或該第二材料層包含使用一濺鍍程序、使用一化學氣相沈積程序或其兩者。
  15. 如請求項9之方法，其中該蝕刻該等第一凹座及/或該蝕刻該等第二凹座包含使用一雷射切除程序。
  16. 一種微影裝置，其包含：一物件支撐件，其用以將一物件支撐於一輻射光束之一光束路徑中；及一靜電鉗，其用以相抵於該物件支撐件靜電地夾持該物件，該靜電鉗包含：一支撐件，其包括一基底及自該基底延伸之複數個瘤節，該複數個瘤節中每一者包括一頂部部分及一底部部分，該等瘤節之該頂部判定固持有該物件之一平面；一第一材料層及一第二材料層，其提供於鄰近瘤節 之間，該第一材料層及該第二材料層未延伸高於該等鄰近瘤節之該等頂部部分且未延伸低於該等鄰近瘤節之該等底部部分，且其中該第一材料層不與各瘤節直接接觸，且該第一材料層與各瘤節相隔開一第一側向距離；及一電極，其提供於該等鄰近瘤節之間且係由該第一材料層及該第二材料層所環繞。
  17. 如請求項16之裝置，其中該物件為待藉由該輻射光束曝光之一基板。
  18. 如請求項16之裝置，其中該物件為經組態以圖案化該輻射光束之一圖案化器件。
  19. 如請求項16之裝置，其中該第一材料層及該第二材料層兩者包含聚(對二甲苯)聚合物。
  20. 如請求項16之裝置，其中該裝置為一微影裝置，且包含：一圖案化器件支撐件，其用以固持一圖案化器件，該圖案化器件經組態以圖案化一輻射光束以形成一經圖案化輻射光束；一基板支撐件，其用以固持一基板；及一投影系統，其用以將一經圖案化輻射光束投影至該基板上，其中該物件支撐件為該圖案化器件支撐件或該基板支撐件。
  21. 如請求項16之裝置，其中該第二材料層不與各瘤節直接接觸，且該第二材料層與各瘤節相隔開一第二側向距離。
  22. 如請求項16之裝置，其中該第一側向距離大於或等於約25微米。
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