TWI475331B - 微影裝置及可移除元件 - Google Patents

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Ruud Antonius Catharina Maria Beerens
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Asml Netherlands Bv
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Description

微影裝置及可移除元件
本發明係關於一種微影裝置，及一種用於改良至/自微影裝置之物件或微影裝置中之物件之熱轉移的可移除元件。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案，該圖案對應於待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案之影像曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影裝置中，基板置放於基板台上。通常，基板置放於附接至基板台之瘤節板(burl plate)上。瘤節板包含為突出物之複數個瘤節，基板擱置於該等突出物上。因此，於基板與瘤節板在該等瘤節之間的表面之間存在間隙。
基板係藉助於全域基板台調節系統進行熱調節。此調節系統通常使用流體作為熱轉移介質以使基板台之溫度保持實質上恆定。
疊對及聚焦規格需要準確基板熱調節。然而，此情形可困難。舉例而言，乾燥微影裝置具有歸因於藉由投影光束之加熱而在基板上具有熱點(hot spot)的困難。舉例而言，浸沒微影裝置具有歸因於蒸發之冷點(cold spot)的困難。舉例而言，極紫外線(EUV)輻射微影裝置具有由於真空之存在的困難。
處理基板之局域化加熱或冷卻之可能性的方式係藉由在瘤節板上將一或多個加熱器/感測器沈積於瘤節之間以用於熱感測及加熱。感測器及加熱器兩者性質上可為局域的，其意謂感測器及加熱器在平面圖中僅覆蓋基板之局域化區域。個別地控制每一加熱器/感測器組合，藉此獲得局域熱調節。可藉助於可撓性接觸來達成在瘤節板與基板台之剩餘部分之間的電接觸。
微影裝置中之其他物件亦需要熱調節，理想地為可考量加熱/冷卻之局域變化的熱調節。舉例而言，微影裝置之一或多個透鏡可受益於此系統。
舉例而言，需要提供一種用以熱調節微影裝置中之物件之裝置。
根據一態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含用以改良至/自一物件之熱轉移之一元件。
根據一態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含：一第一物件；複數個碳奈米管，其延伸朝向該第一物件，其中一軸線係與垂直於該第一物件之一表面之一方向實質上對準，以便改良至/自該第一物件之熱轉移。
根據一態樣，提供一種用以改良至/自一微影裝置之一物件或一微影裝置中之一物件之熱轉移的可移除元件，該可移除元件包含至少一加熱器及至少一溫度感測器。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT支撐圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部件，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
本發明之實施例將結合本發明在調節微影裝置之基板W方面的使用予以詳細地描述。然而，本發明之一實施例可應用於微影裝置之任何其他物件或微影裝置中之任何其他物件。實例包括透鏡、光罩、台(例如，基板台)，或需要調節之任何其他物件或物件群組。
本發明之一實施例係旨在改良至/自溫度正被調節之物件之熱轉移。先前溫度調節器常常在溫度感測器/加熱器與溫度正被調節之物件之間留下間隙。舉例而言，在基板W之狀況下，可在基板W下方的瘤節板20之瘤節25之間提供一或多個加熱器/感測器12、14組合。然而，間隙維持於加熱器/感測器12、14組合之頂部與基板W之底部之間。亦即，加熱器/感測器12、14組合以小於瘤節25之高度的厚度形成(例如，作為薄膜之線路)於瘤節板20在瘤節25之間的表面上。歸因於在加熱器/感測器12、14組合與正被熱調節之物件之間的熱路徑之長度(更具體而言，熱阻)，此系統在效能方面受到限制。因此，此等系統在校正物件中之熱變異(thermal variance)方面通常緩慢。另外，由於瘤節板20在瘤節25之間的表面的表面屬性，良率受到限制。
在一實施例中，提供平面元件10。元件10係平坦的。元件10在一平面之方向上係狹長的。元件10係二維的。此情形允許元件10遍及待調節表面而展佈。
平面元件10安裝於微影裝置之第一物件(例如，瘤節板20)上。平面元件10包含改良至/自第二物件(例如，基板W)之熱轉移的一或多種材料。熱可轉移至第一物件(例如，瘤節板20)/自第一物件(例如，瘤節板20)轉移，或自至少一加熱器12轉移。加熱器12可與平面元件10或第一物件成整體，或附接至平面元件10或第一物件，或與平面元件10或第一物件分離。
在一實施例中，加熱器12充當用以冷卻物件之散熱片。當需要棄置較少熱時，可增加加熱器之溫度。此系統可用於很可能產生熱點而非冷點的乾燥或EUV裝置中。
元件10無需係平面的。其為使用薄膜及/或(結合)如下文所描述之碳奈米管的優點。若該元件具有低剛度，則該元件可圍繞溫度係藉由該元件調節之物件之表面(例如，彎曲表面)而形成。
平面元件10可與瘤節板20分離。在一實施例中，平面元件10係自瘤節板20可移除。因此，平面元件10可經製造成具有經良好調節表面以改良在施加一或多個加熱器12及溫度感測器14(例如，呈傳導路徑之形式，例如，作為藉由薄膜技術沈積之薄膜之軌道或線路)方面之良率，一或多個加熱器12及溫度感測器14可施加至平面元件10。
圖2在平面圖中說明安裝於具有複數個瘤節25之瘤節板20上之平面元件10。可看出，平面元件10包含呈軌道之形式的加熱器12及呈軌道之形式的溫度感測器14。加熱軌道及感測軌道形成加熱器及溫度感測器組合。
平面元件10可包含一個以上加熱器12及/或溫度感測器14。每一加熱器12及/或溫度感測器14可受限制至平面元件10在平面圖中之一局域化區域。在一實施例中，每一加熱器12具有一對應溫度感測器14。在一實施例中，對應加熱器12及溫度感測器14可包含單一軌道(例如，其中驅動器用以交替地驅動該軌道以作為加熱器及溫度感測器)。
如圖2所說明，平面元件10可包含複數個通孔50。瘤節板20之瘤節25突出通過通孔50。
平面元件10係可移除的優點在於：當平面元件10不再適當地起作用(例如，因為一或多個加熱器及/或感測器軌道有缺陷)時，可移除且易於替換平面元件10。或者或另外，平面元件10可變得受到粒子(例如，來自基板W之下側)污染。此等粒子可將其自身埋入於平面元件10中。可移除平面元件10以供清潔，或可移除及捨棄平面元件10且用新平面元件10進行替換。
圖3以橫截面說明平面元件10。可看出，在使用中，使平面元件10之頂部表面實質上平行於瘤節25之頂部表面。以此方式，在使用中，基板W之下表面接觸平面元件10。
在一實施例中，可在平面元件10下方於瘤節25之間的空間中提供回彈元件30。回彈元件30可為平面元件10之部件或可為分離組件。平面元件10及/或回彈元件30經定尺寸成使得當基板W不處於瘤節板20上之適當位置時，平面元件10之頂部表面突出於瘤節25之頂部表面上方。當將基板W置放至瘤節25上且將夾持力施加至基板W(例如，靜電地或藉由在瘤節25之間的空間中所產生的負壓)時，一元件(例如，平面元件10及/或回彈元件30)之彈性引起平面元件10之頂部表面經按壓成接觸基板W之底部表面。此情形具有污染不影響基板W之平坦度的優點，此係因為該元件將變形以適應污染。
提供回彈元件30之優點為回彈元件30與平面元件10之組合向瘤節25之間的基板W所提供的機械支撐。
在一實施例中，正是回彈元件30之彈性引起平面元件10經按壓成接觸基板W。在一實施例中，歸因於元件30之彈性而將平面元件10按壓成接觸第二物件(例如，基板W)之元件30具有小於8000 MPa(理想地小於6000 MPa、4000 MPa或3000 MPa)之楊式模數(Young's modulus)。
在一實施例中，回彈元件30包含發泡體基板，例如，聚胺基甲酸酯發泡體基板或碳奈米管。
在一實施例中，發泡體為封閉氣室式發泡體。此實施例可特別適於基板台WT為靜電夾具或處於EUV裝置中的狀況。
在一實施例中，發泡體為開放氣室式發泡體。此情形在基板台WT為使用瘤節25之間的負壓以將基板W夾持至瘤節板20之類型的情況下可特別合適，或此情形可適於微影裝置將基板W及基板台WT置放於真空中的狀況。
在一實施例中，平面元件10不接觸基板W。亦即，在平面元件10與基板W之間存在間隙。此在一些情形中可具有優點。舉例而言，在此實施例中，擦傷基板W之下表面且因此產生污染物粒子的風險縮減。然而，該實施例仍具有較接近於基板W之下側提供一或多個加熱器12及感測器14以改良至/自基板W之熱轉移的優點。另外，若平面元件10不係可移除的，則此情形亦處理污染問題，此係因為污染物將在瘤節25之間落至平面元件10上且將不接觸基板W之下表面。或者或另外，此實施例在基板台WT使用瘤節25之間的負壓進行操作的狀況下可為有用的。此係因為因而將在瘤節25之間存在足夠空間以達成所要負壓。否則，可能有必要確保平面元件10及/或回彈元件30係多孔的。
在一實施例中，平面元件10及回彈元件30係單式的且皆形成平面元件10之部件，平面元件10可為可移除的。在一實施例中，回彈元件30係(例如)藉由膠黏劑而附接至瘤節板20，且平面元件10簡單地置放於回彈元件30上，但不附接至回彈元件30。
本發明之一實施例顯著地增加基板W之有效熱區域。在無平面元件10的情況下，可主要地藉由通過瘤節25之傳導來實現熱調節。在本發明之一實施例中，亦可存在基板台WT之常見流體調節，且因此亦可存在通過瘤節25之熱轉移。然而，使用平面元件10會增加至/自基板W之熱轉移(特別是當相抵於基板W之下表面按壓平面元件10時)。即使在平面元件10與基板W之下表面之間存在間隙，但歸因於在感測器/加熱器與基板W之間的熱距離減少，至/自基板W之熱轉移亦得以改良。
在一實施例中，溫度感測器14及/或加熱器12施加至平面元件10之頂部表面。可藉由塗層(例如，電絕緣塗層)囊封感測器14及/或加熱器12。任何感測器/加熱器可施加於絕緣塗層或層上。
平面元件10及/或回彈元件30之底部表面可在其上具有電絕緣層。
圖4以橫截面說明另外實施例。在圖4之實施例中，平面元件10包含複數個碳奈米管。碳奈米管具有高熱導率(大於1000 Wm-1 K-1 )。因此，可在平面元件10中遠離基板W之下表面提供感測器/加熱器。舉例而言，可在背對基板W之下表面的平面元件10之表面上提供加熱器/感測器。
在一實施例中，碳奈米管為生長碳奈米管。在一實施例中，碳奈米管之軸線實質上垂直於瘤節板20及/或基板W之表面。沿著碳奈米管之軸線的碳奈米管之熱導率比橫越碳奈米管之軸線的碳奈米管之熱導率大得多。
碳奈米管可經製造成使得當基板W未定位於瘤節板20上時，碳奈米管突出於瘤節25之頂部表面之平面上方。當基板W接著夾持至瘤節板20時，碳奈米管彎曲或壓縮。以此方式，可使碳奈米管按壓成接觸基板W之下表面，且進一步改良熱接觸。在一實施例中，碳奈米管之長度係使得在平面元件10之頂部與基板W之下表面之間存在間隙。
在一實施例中，在平面元件10之頂部表面上提供塗層。該塗層可為電絕緣材料(例如，在基板台WT為靜電夾具之狀況下)，及/或可呈用以縮減在基板W之下表面上平面元件10之磨蝕之塗層的形式。碳奈米管極硬且因此可損壞基板W之下表面。此情形可有害地導致污染物粒子之產生。藉由提供縮減此損壞之塗層(例如，軟於碳奈米管之塗層)，可減輕此實施例之可能缺點。該塗層應理想地具有高熱導率係數。一實例塗層為金(因為其軟且具有315 Wm-1 K-1 之熱導率)。
在一實施例中，平面元件10具有至少200 Wm-1 K-1 或至少1000 Wm-1 K-1 之熱導率。在一實施例中，熱導率為至少2000 Wm-1 K-1 、3000 Wm-1 K-1 或5000 Wm-1 K-1 。此情形幫助確保達成較好熱轉移之目的。
在一實施例中，碳奈米管係在瘤節板20上瘤節25之間的表面上的適當位置中生長。在一實施例中，碳奈米管經形成為可移除元件之部件，使得平面元件10係自瘤節板20可移除。奈米管可藉由任何技術(例如，藉由CVD、弧放電、雷射切除、高壓一氧化碳(HIPco)，等等)生長。
可以任何已知方式在兩個板之間(在此狀況下，在具有半導電沈積物之瘤節板20與瘤節板20上之適當位置中之取代基板W之間，以控制碳奈米管之長度且因此幫助防止針對另外處理步驟之需要)實現碳奈米管層。
可使用類似於上文所描述之方案的方案來生產包含碳奈米管之平面元件10，惟無需在微影裝置中之瘤節板20上生產平面元件10除外。取而代之，可在不同(虛設)瘤節板20上生產碳奈米管，視情況，在不同(虛設)瘤節板20上，基板層已置放於瘤節板20在瘤節25之間的表面上，在該表面之頂部上為將接著生長成碳奈米管之半導電沈積物。在碳奈米管之生長之前，可在基板之頂部上提供感測器/加熱器組合。
在一實施例中，針對每一加熱軌道12提供多個感測軌道14。此情形可引起良率增加，此係因為可適應某一量之有缺陷感測軌道14。
在一實施例中，純粹地由於平面元件10之機械屬性而提供平面元件10。亦即，平面元件10安裝於第一物件上以將第二物件支撐於第一物件之支撐點(例如，瘤節25)之間。在第一物件為瘤節板25時之實施例中，平面元件10將基板支撐於瘤節25之間的位置處。
在一實施例中，碳奈米管具有介於104 /平方毫米至1010 /平方毫米之間的密度。在一實施例中，在平面圖中碳奈米管之密度變化。此情形可為有利的，此係因為因而有可能用單一材料來獲得局域變化之機械規格(例如，剛度屬性)。
在一實施例中，加熱器12及/或感測器14係由碳奈米管製造(生長)。此情形引起傳導性之有益增加且因而引起解析度之有益增加。
在一態樣中，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含用以改良至/自一物件之熱轉移之一元件。
在一實施例中，該元件係平面的。
在一實施例中，該元件具有至少200 Wm-1 K-1 之一熱導率。
在一實施例中，該元件係可移除的。
在一實施例中，該元件安裝於一第一物件上，且得以改良之熱轉移所至/自的該物件為一第二物件。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含該第二物件。
在一實施例中，該第二物件為一透鏡或一台。
在一實施例中，該第二物件為一基板或一光罩。
在一實施例中，該元件安裝至一瘤節板。
在一實施例中，該瘤節板為一靜電瘤節板。
在一實施例中，該瘤節板為一負壓瘤節板。
在一實施例中，該元件包含複數個貫通開口，該瘤節板之瘤節突出通過該複數個貫通開口。
在一實施例中，該微影裝置包含在該元件與該物件之間的一間隙。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含在該第一物件與該元件之間的一發泡體基板。
在一實施例中，該發泡體為一開放氣室式發泡體。
在一實施例中，該發泡體為一封閉氣室式發泡體。
在一實施例中，該發泡體具有小於8,000 MPa之一楊式模數。
在一實施例中，在使用中，該元件經按壓成接觸該物件。
在一實施例中，該元件歸因於一元件之彈性而經按壓成接觸該物件，且該物件達到緊接於該元件，藉此以壓縮該元件。
在一實施例中，該元件包含一加熱器及/或一溫度感測器。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含一驅動器，該驅動器用以交替地驅動該元件之一傳導路徑以作為一加熱器及作為一溫度感測器。
在一實施例中，該元件包含碳奈米管。
在一實施例中，該等碳奈米管之一軸線實質上垂直於該物件之一表面。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含在該等碳奈米管上之一塗層，該塗層用以使該元件之一外部表面封閉及光滑。
在一實施例中，在平面圖中該等碳奈米管具有變化之一密度。
在一實施例中，該元件包含複數個局域化加熱器。
在一實施例中，該元件包含複數個局域化溫度感測器。
在一實施例中，該元件具有在面對該物件之一表面上或在背對該物件之一表面上或在其兩者上的一絕緣層。
在一態樣中，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含：一第一物件；及複數個碳奈米管，其延伸朝向該第一物件，其中一軸線係與垂直於該第一物件之一表面之一方向實質上對準，以改良至/自該第一物件之熱轉移。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含一局域化加熱器，該複數個碳奈米管定位於該局域化加熱器與該第一物件之間。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含複數個局域化溫度感測器，該複數個碳奈米管定位於該等局域化溫度感測器與該第一物件之間。
在一實施例中，該複數個碳奈米管附接至一瘤節板。
在一實施例中，該第一物件為一透鏡。
在一實施例中，該第一物件為一基板。
在一實施例中，此時該第一物件安裝於一第二物件上，且該複數個碳奈米管中至少一些觸碰該第一物件。
在一實施例中，接觸該第二物件之彼等碳奈米管彎曲。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含在該複數個碳奈米管上之一塗層，使得該第一物件接觸該塗層且該塗層在該等碳奈米管與該第一物件之間。
在一實施例中，該微影裝置包含在該等碳奈米管與該第一物件之間的一間隙。
在一態樣中，提供一種用以改良至/自一微影裝置之一物件或一微影裝置中之一物件之熱轉移的可移除元件，該可移除元件包含一加熱器及一溫度感測器。
在一實施例中，該元件係平面的。
在一實施例中，該可移除元件進一步包含複數個局域化加熱器及/或複數個局域化溫度感測器。
在一實施例中，該可移除元件包含複數個通孔。
在一實施例中，該等通孔經定大小及定尺寸成使得該可移除元件可置放於一瘤節板上，其中瘤節突出通過該等通孔。
在一實施例中，該可移除元件具有小於該等瘤節之高度的一厚度。
在一實施例中，該可移除元件具有實質上等於該等瘤節之該高度的一厚度。
在一實施例中，該可移除元件進一步包含一基板。
在一實施例中，該基板係可變形的且具有小於8000 MPa之一楊式模數。
在一實施例中，該基板為一發泡體。
在一實施例中，該基板包含複數個碳奈米管。
在一實施例中，該複數個碳奈米管具有實質上垂直於該元件之一平面的一軸線。
在一實施例中，該可移除元件在實質上垂直於該可移除元件之一主要平面表面之一方向上具有大於200 Wm-1 K-1 之一熱導率。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含一上述可移除元件。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
10．．．平面元件
12．．．加熱器/加熱軌道
14．．．溫度感測器/感測軌道
20．．．瘤節板
25．．．瘤節
30．．．回彈元件
50．．．通孔
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2在平面圖中描繪瘤節板及平面元件；
圖3在平面圖中以橫截面描繪瘤節板及平面元件；及
圖4在平面圖中以橫截面描繪瘤節板及平面元件。
10．．．平面元件
12．．．加熱器/加熱軌道
14．．．溫度感測器/感測軌道
20．．．瘤節板
25．．．瘤節
30．．．回彈元件
W．．．基板

Claims (15)

  1. 一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印(transfer)至一物件上之微影裝置，其包含：具有複數個瘤節的一瘤節板，該複數個瘤節經配置成支撐該物件的下表面；一調節系統，用於熱調節該物件；及一元件，其位於該瘤節板的該複數個瘤節之間且經配置用以改良至/自該物件之熱轉移。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該元件係可移除的。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該調節系統包括設置在該複數個瘤節之間的加熱器與感測器。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該該加熱器與感測器被施加於該元件的頂部表面。
  5. 如請求項3之微影裝置，其中該調節系統包括複數個加熱器與複數個感測器，該複數個加熱器與複數個感測器的每一個在平面上被限定在該元件的一局部區域。
  6. 如請求項1之微影裝置，其中該元件包括複數個貫通開口，且該瘤節板之各瘤節突出通過對應的貫通開口。
  7. 如請求項1或2之微影裝置，進一步包括設置在該元件下方之該複數個瘤節之間的空間中的一回彈(resilient)元件。
  8. 如請求項7之微影裝置，其中，在使用時，該元件及/或回彈元件的尺寸形成為使得當該物件未位於該瘤節板上時，該元件的一頂部表面突出於各該複數個瘤節之一頂 部表面上。
  9. 如請求項8之微影裝置，其中該元件及/或該回彈元件經配置成使得當該物件被放置在該複數個瘤節上且施加一夾持力於該物件時，該元件及/或該回彈元件的彈性使得該元件的該頂部表面被按壓成與該物件之該下表面接觸。
  10. 如請求項1或2之微影裝置，其中該元件包括在該瘤節板與該物件之該下表面之間延伸的複數個碳奈米管。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該等碳奈米管之一軸線垂直於該物件之一表面。
  12. 如請求項10之微影裝置，其進一步包含設置在該複數個碳奈米管之每一者之一頂部表面上的一塗層，該塗層較該複數個碳奈米管軟。
  13. 如請求項10之微影裝置，其中該複數個碳奈米管被形成為使得當該物件未位於該瘤節板上時，該複數個碳奈米管突出於各該複數個瘤節之一頂部表面之平面上，或該複數個碳奈米管經配置為使得當該物件被夾持至該瘤節板時，該複數個碳奈米管彎曲或壓縮以使該複數個碳奈米管被按壓成與該物件之下表面接觸。
  14. 如請求項1或2之微影裝置，其中該元件在面對該物件之一表面上或在該物件之一底部表面上具有一絕緣層。
  15. 一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一物件上之微影裝置，該微影裝置包含： 具有複數個瘤節之一瘤節板，該複數個瘤節經配置成支撐該物件的一下表面；調節系統，用於熱調節該物件；及複數個碳奈米管，其經附接至該瘤節板且沿著一軸線朝向該物件延伸，以改良至/自該瘤節板之熱轉移，其中該軸線係對準垂直於該瘤節板之一表面之一方向。
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