JP5323917B2 - リソグラフィ装置、及び取り外し可能部材 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置に関する。本発明は、リソグラフィ装置の（又は当該装置の中の）物体への（又は当該物体からの）熱移動を改善するための取り外し可能部材に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用される。このパターンは、ＩＣの個々の層に生成されるべき回路パターンに相当する。パターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写されることになる。パターンの転写は典型的には、基板に塗布された放射感応性材料（レジスト）層への結像により行われる。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ装置においては、基板は基板テーブルに置かれる。たいていの場合、基板は基板テーブルに取り付けられているバールプレートに置かれる。バールプレートは複数のバールを備える。バールとは突起であり、その上に基板が載せられる。よって、バールプレートにおけるバール間の表面と基板との間には隙間がある。

基板の熱的な調整は、大域的基板テーブル調整システムによって、なされている。こうした調整システムはたいてい、基板テーブルの温度を実質的に一定に保つための熱移動媒体として流体を使用している。

オーバレイやフォーカスについての仕様のために正確な基板の熱調整が求められるが、それは簡単ではないかもしれない。例えば、乾式のリソグラフィ装置では、投影ビームの加熱による基板上のホットスポットが問題になる。例えば、液浸リソグラフィ装置では、蒸発によるコールドスポットが問題になる。例えば、極紫外（ＥＵＶ）放射リソグラフィ装置では、真空の存在が問題になる。

局所的な基板の加熱または冷却の可能性に対処する１つの方法は、バールプレートのバール間に、熱的な感知及び加熱のための１つ又は複数のヒータ／センサを成膜することである。センサとヒータとが局所的であるとはすなわち、それらが平面視で基板の局所領域のみを被覆するということである。ヒータ／センサの組のそれぞれが個別に制御されることで、局所的な熱調整を得ることができる。バールプレートと基板テーブルのそれ以外の部分との電気的接続は、柔軟な接続手段によって実現されてもよい。

リソグラフィ装置内のその他の物体もまた、熱調整を要する。熱調整は、加熱又は冷却の局所変動を考慮に入れたものであることが望ましい。そうしたシステムは例えばリソグラフィ装置の１つ又は複数のレンズのために役立つかもしれない。

望まれることは、例えば、リソグラフィ装置において物体を熱的に調整するための装置を提供することである。

ある側面によると、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためのリソグラフィ装置であって、物体への又は物体からの熱移動を改善するための部材を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある側面によると、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためのリソグラフィ装置であって、第１の物体と、第１の物体への又は第１の物体からの熱移動を改善するための、第１の物体の表面に垂直な方向に実質的に一致する軸を有し第１の物体に向けて延びる複数のカーボンナノチューブと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある側面によると、リソグラフィ装置の物体又は当該装置の中の物体への又は当該物体からの熱移動を改善するための取り外し可能部材であって、少なくとも１つのヒータと少なくとも１つの温度センサとを備える取り外し可能部材が提供される。

本発明の実施形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。この説明に用いられる参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。

バールプレート及び平面部材の平面図である。

バールプレート及び平面部材の断面を示す図である。

バールプレート及び平面部材の断面を示す図である。

図１は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明系（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストを塗布されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。

照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを支持する。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の構成、及びその他の条件（例えばパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か）に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造においてはパターニングデバイスを保持するために、機械的固定、真空固定、静電固定、または他の固定用技術が用いられる。支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。

本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光放射あるいはその他の要因（例えば液浸や真空の利用など）に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。

ここに説明されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイや反射型マスクなどを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。

リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。

リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が液体で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸液は、例えばマスクと投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。

図１に示すようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは放射源が例えば水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部とみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体的部分であってもよいし、リソグラフィ装置と別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬが取り外し可能であり、（例えばリソグラフィ装置の製造業者によって、または他の供給業者によって）別に提供されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳは基板Ｗの目標部分Ｃにビームの焦点合わせをする。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えば走査中やマスクライブラリからのマスクの機械的交換後に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは逆に）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。

本発明のいくつかの実施の形態が、リソグラフィ装置の基板Ｗを調整する際の使用に関連して、詳しく説明される。しかし、本発明の実施の形態は、リソグラフィ装置の、又はリソグラフィ装置内の、いかなるその他の物体にも適用されうる。その例には、レンズ、マスク、テーブル（例えば基板テーブル）、または、調整を要するあらゆるその他の物体又は物体の集合が含まれる。

本発明のある実施の形態は、温度が調整される物体への又は当該物体からの熱移動を改善することを指向する。先行例の温度調整は、温度が調整される物体と温度センサ又はヒータとの間に隙間が残されていることが多い。例えば、基板Ｗの場合、１つ又は複数のヒータ／センサ１２、１４が基板Ｗの下方でバールプレート２０のバール２５間に設けられている場合がある。しかし、依然として、ヒータ／センサ１２、１４の組合せの上部と基板Ｗの底部との間に隙間がある。それは、ヒータ／センサ１２、１４の組合せがバールプレート２０のバール２５間の表面に例えば薄いフィルムのラインとして形成されているが、その厚さはバール２５の高さより小さいからである。こうしたシステムが性能に限界をもつのは、熱的に調整される物体とヒータ／センサ１２、１４の組合せとの間の熱経路の長さ（より具体的には、熱抵抗）に因る。したがって、こうしたシステムは物体の温度変動を補正するのに典型的に時間がかかる。加えて、バールプレート２０のバール２５間の上記表面の表面特性のために歩留まりが制限されている。

ある実施の形態においては平面部材１０が設けられている。この部材１０は平坦である。部材１０は面内方向に延びている。部材１０は２次元的である。こうして、部材１０は、調整されるべき表面に沿って広がるようになっている。

平面部材１０は、リソグラフィ装置の第１の物体（例えば、バールプレート２０）に搭載される。平面部材１０は、第２の物体（例えば、基板Ｗ）への又は当該物体からの熱移動を改善する１つ又は複数の材料を備える。熱が、第１の物体（例えばバールプレート２０）へと又は当該物体から移動され得る。または、熱が、少なくとも１つのヒータ１２から移動され得る。ヒータ１２は、平面部材１０、又は第１の物体に一体であってもよいし、取り付けられていてもよいし、別体であってもよい。

ある実施の形態においてはヒータ１２は、物体を冷却するためのヒートシンクとして作動する。処理されるべき熱が少ないとき、ヒータ温度は高まり得る。こうしたシステムは、コールドスポットよりはホットスポットが生成される乾式装置又はＥＵＶ装置に採用されうる。

部材１０は平面である必要はない。このことは、薄いフィルム及び／又は（フィルムと組み合わせて）後述のカーボンナノチューブを使用する場合に利点となる。部材が低剛性である場合、当該部材が温度を規制する物体の表面（例えば曲面）に沿って当該部材を形成することができる。

平面部材１０はバールプレート２０から分離され得る。ある実施の形態においては平面部材１０はバールプレート２０から取り外し可能である。したがって、平面部材１０は、良好に調整された表面を有して製造されることができる。そうした表面によって、１つ又は複数のヒータ及び温度センサ１２、１４を適用するうえでの歩留まりが改善される。ヒータ及び温度センサ１２、１４は、例えば導電路の形式、例えば薄フィルム技術により成膜された薄いフィルムのライン又はトラックの形式で、平面部材１０に適用される。

図２は、平面部材１０の平面図を示す。平面部材１０は、バールプレート２０上において複数のバール２５の間に搭載されている。図示されるように、平面部材１０は、トラックの形式の複数のヒータ１２と、トラックの形式の複数の温度センサ１４と、を備える。１つの加熱トラックと１つの測定トラックとが、ヒータ及び温度センサの１つの組合せを形成する。

平面部材１０が備えるヒータ１２及び／又は温度センサ１４は１つより多くてもよい。ヒータ１２及び／又は温度センサ１４の各々は、平面視で、平面部材１０の局所領域に限定されていてもよい。ある実施の形態においては各ヒータ１２が対応する温度センサ１４を有する。ある実施の形態においては対応するヒータ１２と温度センサ１４とが、単一のトラックを構成してもよい（このトラックは、例えば、ヒータとして、あるいは温度センサとして、交互に当該トラックを作動させるためのドライバを有してもよい）。

図２に示されるように、平面部材１０は、複数の貫通孔５０を備えてもよい。バールプレート２０の複数のバール２５が貫通孔５０を通じて突出している。

平面部材１０が取り外し可能であることの利点は、その適切な機能が停止されたとき、例えば１つ又は複数のヒータ及び／又はセンサのトラックが不良であるとき、平面部材１０を取り外して容易に交換することができることにある。それに加えて、又はそれに代えて、平面部材１０は、例えば基板Ｗ下面由来のパーティクルで汚染され得る。こうしたパーティクルが平面部材１０に埋め込まれるかもしれない。平面部材１０を洗浄のために取り外すか、取り外して廃棄し新しい平面部材１０に交換することができる。

図３は、平面部材１０の断面を示す。図示されるように、平面部材１０の上面は、使用に際して、バール２５の上面に実質的に平行になっている。このようにして基板Ｗの下面に、平面部材１０が使用に際して接触している。

ある実施の形態においては弾性部材３０が平面部材１０の下側でバール２５間の空隙に設けられていてもよい。弾性部材３０は、平面部材１０の一部であってもよいし、別体の構成部分であってもよい。平面部材１０及び／又は弾性部材３０は、基板Ｗがバールプレート２０に置かれていないとき平面部材１０の上面がバール２５の上面より上方に突出するように、定められている。基板Ｗがバール２５に置かれて基板Ｗに保持力が（例えば、静電的に、または、バール２５間の空隙に負圧が生成されることによって）作用するとき、ある部材（例えば、平面部材１０、及び／又は、弾性部材３０）の弾力性によって、平面部材１０の上面が基板Ｗの底面に接触しつつ内方へと圧縮される。これは、基板Ｗの平坦性に汚染物質が影響しないという利点を与える。汚染物質を収容するように部材が変形するからである。

弾性部材３０を設ける１つの利点は、弾性部材３０と平面部材１０との組合せがバール２５間で基板に提供する機械的な支持である。

ある実施の形態においては、弾性部材３０の弾力性によって、平面部材１０の上面が基板Ｗに接触しつつ内方へと圧縮される。ある実施の形態においては、第２の物体（例えば基板Ｗ）に接触する平面部材１０を弾力性により押し込む当該部材３０は、８０００ＭＰａより小さいヤング率を有し、望ましくは、６０００ＭＰａ、４０００ＭＰａ、又は３０００ＭＰａより小さいヤング率を有する。

ある実施の形態においては、弾性部材３０は、発泡基板を、例えばポリウレタンフォーム基板を、またはカーボンナノチューブを、備える。

ある実施の形態においては、上記の発泡はクローズドセルの発泡である。この実施の形態が特に適するのは、基板テーブルＷＴが静電クランプである場合、またはＥＵＶ装置において、であり得る。

ある実施の形態においては、上記の発泡はオープンセルの発泡である。これが特に適するのは、基板テーブルＷＴがバールプレート２０に基板Ｗを保持するようバール２５間で負圧を用いる形式である場合、または、リソグラフィ装置が基板Ｗ及び基板テーブルＷＴを真空中に置く場合、であり得る。

ある実施の形態においては、平面部材１０は基板Ｗに接触しない。すなわち、平面部材１０と基板Ｗとの間に隙間がある。これが有利となる状況もあり得る。例えば、基板Ｗの下面を引っ掻くことで汚染パーティクルが生じるというリスクがこの実施の形態では低減される。しかし、この実施の形態は、基板Ｗの下面に接近させて１つ又は複数のヒータ１２及びセンサ１４を設け、基板Ｗへの又は基板Ｗからの熱移動を改善するという利点をなお有する。加えて、平面部材１０が取り外し可能でない場合、この実施の形態は汚染問題にも対処する。汚染物質がバール２５間で平面部材１０に落下しても基板Ｗの下面に接触しないからである。それに加えて、又はそれに代えて、この実施の形態は、基板テーブルＷＴがバール２５間で負圧を用いて動作する場合に有用であり得る。なぜなら、バール２５間に所望の負圧を実現する充分な空間があるからである。そうでなければ、平面部材１０及び／又は弾性部材３０が多孔質であることを保証する必要があるかもしれない。

ある実施の形態においては、平面部材１０及び弾性部材３０は一体であり双方が平面部材１０の一部を形成し、取り外し可能であってもよい。ある実施の形態においては、弾性部材３０が、例えば接着剤で、バールプレート２０に取り付けられており、平面部材１０は弾性部材３０の上に単に置かれ、そこに取り付けられてはいなくてもよい。

本発明のある実施の形態は、基板Ｗの実効的な伝熱面積を相当に大きくする。平面部材１０がない場合、熱的な調整は主としてバール２５を通じた伝導により実現される。本発明のある実施の形態においても、基板テーブルＷＴの通例の流体調整とバール２５を通じた熱移動とがあってもよい。しかし、平面部材１０の使用は、特に平面部材１０が基板Ｗの下面に押し付けられているとき、基板Ｗへの又は基板Ｗからの熱移動を増加させる。平面部材１０と基板Ｗの下面との間にたとえ隙間が存在する場合であっても、基板Ｗへの又は基板Ｗからの熱移動は、センサ／ヒータと基板Ｗとの間の熱的距離の減少によって、改善される。

ある実施の形態においては、温度センサ１４及び／又はヒータ１２が平面部材１０の上面に適用されている。センサ１４及び／又はヒータ１２は、コーティングで、例えば電気絶縁コーティングで、封入されていてもよい。任意のセンサ／ヒータが絶縁コーティングまたは絶縁層の上に設けられていてもよい。

平面部材１０及び／又は弾性部材３０の下面に、電気絶縁層が設けられていてもよい。

図４は、他の実施の形態の断面を示す。図４の実施の形態においては、平面部材１０は複数のカーボンナノチューブを備える。カーボンナノチューブは、高い熱伝導率（１０００Ｗｍ^−１Ｋ^−１より大きい）を有する。よってセンサ／ヒータを、基板Ｗの下面から離れて平面部材１０に設けることも可能である。例えば、ヒータ／センサが、基板Ｗの下面と反対側を向く平面部材１０の表面に設けられてもよい。

ある実施の形態においては、上記カーボンナノチューブは、成長したカーボンナノチューブである。ある実施の形態においては、上記カーボンナノチューブの軸は、バールプレート２０の表面及び／又は基板Ｗの表面に実質的に垂直である。カーボンナノチューブの熱伝導率は、軸の横断方向よりも長手方向において特に大きい。

カーボンナノチューブは、基板Ｗがバールプレート２０に位置していないときバール２５の上表面の平面より上にカーボンナノチューブが突き出すように、なっていてもよい。基板Ｗがバールプレート２０に固定されるとき、カーボンナノチューブは曲げ又は圧縮される。このようにして、カーボンナノチューブは基板Ｗの下面に接触して押し込まれ、熱的接触を改善するようになっている。ある実施の形態においてはカーボンナノチューブの長さは、平面部材１０の上部と基板Ｗの下面との間に隙間が存在するようになっている。

ある実施の形態においては、平面部材１０の上表面にコーティングが設けられている。このコーティングは、電気絶縁材料であってもよいし（例えば、基板テーブルＷＴが静電クランプである場合）、基板Ｗ下面に接する平面部材１０の摩耗を低減するためのコーティングであってもよい。カーボンナノチューブは特に硬いため、基板Ｗ下面に損傷を与えるかもしれない。この損傷を低減するコーティング（例えば、カーボンナノチューブより軟らかいコーティング）を設けることにより、本実施の形態で生じ得る不利益が緩和され得る。コーティングは望ましくは、高い熱伝導の係数を有するべきである。コーティングの一例は金である（金は軟らかく、かつ３１５Ｗｍ^−１Ｋ^−１の熱伝導率を有するからである）。

ある実施の形態においては、平面部材１０は、少なくとも２００Ｗｍ^−１Ｋ^−１の、又は、少なくとも１０００Ｗｍ^−１Ｋ^−１の、熱伝導率を有する。ある実施の形態においては、熱伝導率は、少なくとも２０００Ｗｍ^−１Ｋ^−１、少なくとも３０００Ｗｍ^−１Ｋ^−１、又は、少なくとも５０００Ｗｍ^−１Ｋ^−１である。これは、より良好な熱移動の実現という目的を保証するのに役立つ。

ある実施の形態においては、カーボンナノチューブは、バールプレート２０のバール２５間の表面に成長したものである。ある実施の形態においては、カーボンナノチューブは、平面部材１０がバールプレート２０から取り外し可能であるよう取り外し可能部材の一部を形成する。カーボンナノチューブは、例えばＣＶＤ、アーク放電、レーザーアブレーション、高圧一酸化炭素法（ＨＩＰｃｏ）等、任意の技術により成長したものであってもよい。

カーボンナノチューブ層は、２枚のプレート間で（本例では、カーボンナノチューブの長さを制御し、更なる処理工程の必要性をなくすのに役立つよう、半導電性被覆をもつバールプレート２０とバールプレート２０に置かれた代用基板Ｗとの間で）任意の公知の手法で実現されてもよい。

カーボンナノチューブを備える平面部材１０は、リソグラフィ装置内でバールプレート２０上に平面部材１０が生成される必要がない点を除いて、上述と同様の手法を使用して生成されることができる。そうではなく、カーボンナノチューブは別の（ダミーの）バールプレート２０上に生成されることも可能であるかもしれない。この場合、バールプレート２０のバール２５間の表面に基板層が置かれており、その上に半導電性被覆があり、それがカーボンナノチューブに成長する、というものでもよい。センサ／ヒータの組合せが、カーボンナノチューブが成長する前に、基板の上に形成されてもよい。

ある実施の形態においては、多数の測定トラック１４が１つの加熱トラック１２に設けられている。このようにすれば、いくつかの測定トラック１４に不良があってもよいから、歩留まりを向上できる。

ある実施の形態においては、平面部材１０は、純粋にその機械的特性のために設けられている。すなわち、平面部材１０は、第１の物体の支持点（例えばバール２５）間で第２の物体を支持するために第１の物体の上に搭載されている。本実施の形態においては、第１の物体がバールプレート２０であるとき、平面部材１０はバール２５間の場所で基板を支持する。

ある実施の形態においては、カーボンナノチューブは１０^４／ｍｍ^２ないし１０^１０／ｍｍ^２の密度を有する。ある実施の形態においては、平面視で、カーボンナノチューブの密度が変化していてもよい。この利点は、機械的な仕様（例えば剛性）の局所的な変動を単一の材料で得ることが可能となることにある。

ある実施の形態においては、ヒータ１２及び／又はセンサ１４は、カーボンナノチューブ（の成長）で製造される。これにより、伝導性につき有利に向上され、解像度についても同様である。

ある側面においては、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためのリソグラフィ装置であって、物体への又は物体からの熱移動を改善するための部材を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある実施の形態においては、前記部材は平面的である。

ある実施の形態においては、前記部材は少なくとも２００Ｗｍ^−１Ｋ^−１の熱伝導率を有する。

ある実施の形態においては、前記部材は取り外し可能である。

ある実施の形態においては、前記部材は第１の物体に搭載されており、熱移動が改善される前記物体は第２の物体である。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は前記第２の物体をさらに備える。

ある実施の形態においては、前記第２の物体はレンズ、またはテーブルである。

ある実施の形態においては、前記第２の物体は基板、またはマスクである。

ある実施の形態においては、前記部材はバールプレートに搭載されている。

ある実施の形態においては、前記バールプレートは静電バールプレートである。

ある実施の形態においては、前記バールプレートは負圧バールプレートである。

ある実施の形態においては、前記部材は、前記バールプレートのバールが貫通して突き出す貫通孔を複数備える。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は前記部材と前記物体との間に隙間を備える。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は前記第１の物体と前記部材との間に発泡基板をさらに備える。

ある実施の形態においては、前記発泡はオープンセルフォームである。

ある実施の形態においては、前記発泡はクローズドセルフォームである。

ある実施の形態においては、前記発泡は８０００ＭＰａより小さいヤング率を有する。

ある実施の形態においては、前記部材は、使用時に、前記物体に接触して押し込まれる。

ある実施の形態においては、前記部材は、ある部材の弾力性とその部材にごく接近させられた前記物体とに因ってその部材を圧縮することで、前記物体に接触して押し込まれる。

ある実施の形態においては、前記部材は、ヒータ及び／又は温度センサを備える。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、前記部材の導電路をヒータとして及び温度センサとして交互に動作させるドライバをさらに備える。

ある実施の形態においては、前記部材はカーボンナノチューブを備える。

ある実施の形態においては、前記カーボンナノチューブの軸は前記物体の表面に実質的に垂直である。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、前記カーボンナノチューブの上に、前記部材の外表面を閉じて滑らかにするためのコーティングをさらに備える。

ある実施の形態においては、前記カーボンナノチューブは平面視にて変化する密度を有する。

ある実施の形態においては、前記部材は複数の局所化されたヒータを備える。

ある実施の形態においては、前記部材は複数の局所化された温度センサを備える。

ある実施の形態においては、前記部材は、前記物体を向く表面に、または、前記物体と反対を向く表面に、またはそれら両方に、絶縁層を有する。

ある側面においては、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためのリソグラフィ装置であって、第１の物体と、第１の物体への又は第１の物体からの熱移動を改善するための、第１の物体の表面に垂直な方向に実質的に一致する軸を有し第１の物体に向けて延びる複数のカーボンナノチューブと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、局所化されたヒータをさらに備え、前記複数のカーボンナノチューブは前記局所化されたヒータと前記第１の物体との間に位置する。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、複数の局所化された温度センサをさらに備え、前記複数のカーボンナノチューブは前記局所化された温度センサと前記第１の物体との間に位置する。

ある実施の形態においては、前記複数のカーボンナノチューブはバールプレートに取り付けられている。

ある実施の形態においては、前記第１の物体はレンズである。

ある実施の形態においては、前記第１の物体は基板である。

ある実施の形態においては、前記第１の物体が第２の物体に搭載されているとき、前記複数のカーボンナノチューブの少なくとも一部が前記第１の物体に接触する。

ある実施の形態においては、前記第２の物体に接触するカーボンナノチューブは曲げられている。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、前記複数のカーボンナノチューブの上にコーティングをさらに備え、前記第１の物体が該コーティングに接触し、該コーティングがカーボンナノチューブと前記第１の物体との間にある。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、カーボンナノチューブと前記第１の物体との間に隙間を備える。

ある側面においては、リソグラフィ装置の物体又は当該装置の中の物体への又は当該物体からの熱移動を改善するための取り外し可能部材であって、ヒータと温度センサとを備える取り外し可能部材が提供される。

ある実施の形態においては、前記部材は平面的である。

ある実施の形態においては、前記取り外し可能部材は、複数の局所化されたヒータ及び／又は複数の局所化された温度センサをさらに備える。

ある実施の形態においては、前記取り外し可能部材は複数の貫通孔を備える。

ある実施の形態においては、前記貫通孔は、該貫通孔を通じて突き出しているバールをもつバールテーブルの上に前記取り外し可能部材が置かれるように寸法が定められている。

ある実施の形態においては、前記取り外し可能部材は前記バールの高さより小さい厚さを有する。

ある実施の形態においては、前記取り外し可能部材は前記バールの高さに実質的に等しい厚さを有する。

ある実施の形態においては、前記取り外し可能部材は基板をさらに備える。

ある実施の形態においては、前記基板は変形可能であり８０００ＭＰａより小さいヤング率を有する。

ある実施の形態においては、前記基板はフォームである。

ある実施の形態においては、前記基板は複数のカーボンナノチューブを備える。

ある実施の形態においては、前記複数のカーボンナノチューブは前記部材の平面に実質的に垂直な軸を有する。

ある実施の形態においては、前記取り外し可能部材は、該取り外し可能部材の主たる平面的な表面に実質的に垂直な方向に２００Ｗｍ^−１Ｋ^−１より大きい熱伝導率を有する。

ある側面においては、上述の取り外し可能部材を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある実施の形態においては、前記リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持部と、基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、前記パターン放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、をさらに備える。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。

ここでは特に光リソグラフィを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光リソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが基板上に生成されるパターンを定義する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層に押しつけられ、その状態で電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによりレジストが硬化される。レジストの硬化後にパターニングデバイスはレジストから取り外され、そこにパターンが残される。

本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５乃至２０ｎｍの範囲の波長を有する）、及び、イオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を示す。

「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁的光学素子、及び静電的光学素子を含む１つまたは各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。

本発明の具体的な実施形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、この開示に基づく請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (5)

1. パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためのリソグラフィ装置であって、
   熱的に調整されるべき第２の物体への又は当該物体からの熱伝導のための表面を有する第１の物体であって、当該表面が前記第２の物体の表面から離れて配置されている部分を有する第１の物体と、
   前記第２の物体への又は当該物体からの熱移動を改善するための部材であって、前記第１の物体の前記部分に取り外し可能に搭載される部材と、を備え、
   前記部材は平面的であり、
   前記部材は少なくとも２００Ｗｍ ^−１ Ｋ ^−１ の熱伝導率を有し、及び／または、前記第２の物体はレンズまたはテーブルであり、及び／または、前記第２の物体は基板またはマスクであり、及び／または、前記部材はバールプレートに搭載され、
   前記部材は静電バールプレートに搭載されており、及び／または、前記部材は負圧バールプレートに搭載されており、及び／または、前記部材は、前記バールプレートのバールが貫通して突き出す貫通孔を複数備え、
   前記部材と前記第２の物体との間に隙間を備え、
   前記第１の物体と前記部材との間に発泡基板をさらに備え、
   前記発泡はオープンセルフォームまたはクローズドセルフォームであり、及び／または、前記発泡は８０００ＭＰａより小さいヤング率を有し、
   前記部材は、使用時に、前記第２の物体に接触して押し込まれる、リソグラフィ装置。
2. 前記部材の弾力性と前記部材にごく接近させられた前記第２の物体とに因って前記部材を圧縮することで、前記部材が前記第２の物体に接触して押し込まれる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記部材はヒータ及び／又は温度センサを備え、及び／または、前記部材はカーボンナノチューブを備え、及び／または、前記部材は複数の局所化されたヒータを備え、及び／または、前記部材は複数の局所化された温度センサを備え、及び／または、前記部材は、前記第２の物体を向く表面に、または、前記第２の物体と反対を向く表面に、またはそれら両方に、絶縁層を有する、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記部材の導電路をヒータとして及び温度センサとして交互に動作させるドライバをさらに備え、及び／または、前記カーボンナノチューブの軸は前記第２の物体の表面に実質的に垂直である、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記カーボンナノチューブの上に、前記部材の外表面を閉じて滑らかにするためのコーティングをさらに備え、及び／または、平面視にて前記カーボンナノチューブは変化する密度を有する、請求項３または４に記載のリソグラフィ装置。

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