KR20120072336A - 리소그래피 장치 및 제거 가능 부재 - Google Patents

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KR20120072336A
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루드 안토니우스 카타리나 마리아 비렌스
테오도루스 페트루스 마리아 캐디
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 구성된 리소그래피 장치가, 제1 물체와, 제1 물체 상에 탑재되어 제2 물체에의 열전달 및/또는 제2 물체로부터의 열전달을 향상시키는 평면형 부재를 갖는다.

Description

리소그래피 장치 및 제거 가능 부재{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND REMOVABLE MEMBER}
본 발명은, 리소그래피 장치와, 리소그래피 장치의 또는 리소그래피 장치 내의 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 제거 가능 부재에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper), 및 소정의 방향("스캐닝"-방향)의 방사 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에, 이 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치에서, 기판은 기판 테이블 상에 배치된다. 일반적으로, 기판은 기판 테이블에 부착되는 버얼 플레이트(burl plate) 상에 위치된다. 버얼 플레이트는 복수의 버얼을 포함하며, 이 버얼은 기판이 위에 위치하는 돌기부이다. 따라서, 버얼들 사이의 버얼 플레이트의 표면과 기판 사이에는 갭이 존재한다.
기판은 전체 기판 테이블 조절 시스템(global substrate table conditioning system)을 통해 열이 조절된다. 이러한 조절 시스템은 일반적으로 기판 테이블의 온도를 실질적으로 일정하게 유지하기 위해 열전달 매질과 같은 유체를 사용한다.
오버레이 및 포커스 사양은 정확한 기판 열 조절을 요구하지만, 이것은 용이하지 않을 수도 있다. 예컨대, 건식 리소그래피 장치는 투영 빔에 의한 가열로 인해 기판 상에 핫 스팟(hot spot)이 존재하는 문제점을 갖는다. 예컨대, 액침 리소그래피 장치는 기화로 인해 콜드 스폿(cold spot)이 존재하는 문제점을 갖는다. 예컨대, 극자외(EUV) 방사 리소그래피 장치는 진공이 존재함에 따른 문제점을 갖는다.
기판의 국소적인 가열 또는 냉각의 가능성을 처리하는 방법은 열 감지 및 가열을 위하여 버얼 사이의 버얼 플레이트 상에 하나 이상의 히터/센서를 위치시키는 것이다. 센서 및 히터는 모두 본질적으로 국소적으로만 작용할 수 있으므로, 이들은 평면적으로 볼 때 기판의 국소 영역만을 커버한다. 각각의 히터/센서 조합은 개별적으로 제어되며, 이에 의해 국소적인 열 조절을 획득한다. 버얼 플레이트와 기판 테이블의 나머지 부분 간의 전기적인 접촉은 가요성 컨택트를 통해 달성될 수 있다.
리소그래피 장치에서의 다른 물체 또한 열 조절, 바람직하게는 가열/냉각에서의 국소적 불균일을 고려할 수 있는 열 조절을 요구한다. 예컨대, 리소그래피 장치의 하나 이상의 렌즈는 이러한 시스템으로부터 이점을 얻을 수 있다.
예컨대, 리소그래피 장치 내의 물체를 열적으로 조절하기 위한 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 특징에 따라, 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치에서, 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 특징에 따라, 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치에서, 제1 물체와, 상기 제1 물체에의 열전달 및/또는 상기 제1 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위해 상기 제1 물체의 표면에 직각을 이루는 방향으로 정렬된 축으로 상기 제1 물체를 향해 연장하는 복수의 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 장치의 또는 리소그래피 장치 내의 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 제거 가능 부재가 제공되며, 상기 제거 가능 부재는 하나 이상의 히터 및 하나 이상의 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고 있다.
도 2는 버얼 플레이트 및 평면형 부재를 평면도로 도시하고 있다.
도 3은 버얼 플레이트 및 평면형 부재를 횡단면도로 도시하고 있다.
도 4는 버얼 플레이트 및 평면형 부재를 횡단면도로 도시하고 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 대응하는 부분에 대응하는 참조 부호가 부여되어 있고 예시를 목적으로 하는 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 리소그래피 장치는 이하의 구성요소를 포함한다:
- 방사 빔(B, 예컨대 UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL);
- 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정 파라미터에 따라 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝 장치(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여한 패턴을 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 다른 형태의 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 장치를 지지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기에 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서 사용되는 "레티클(reticle)" 또는 "마스크"라는 용어는 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 피처(phase-shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.
패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형의 것(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형의 것(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 또는 그보다 많은 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블)을 갖는 타입의 것일 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기계에서는, 추가의 테이블을 병행하여 사용하거나, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다.
리소그래피 장치는 또한 기판의 적어도 일부분을 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체로 덮어 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록 하는 유형의 것으로 될 수도 있다. 액침액은 예컨대 마스크와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구도(numerical aperture)를 증가시키기 위한 것으로 당해 기술 분야에 널리 공지되어 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는 기판과 같은 구조물을 반드시 액체에 침지하여야 하는 것을 의미하지는 않고, 노광하는 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체를 위치시키는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사 빔을 수광한다. 예컨대, 방사 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스(SO)와 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사 빔을 조절하는데 사용될 수 있다. 방사 소스(SO)와 마찬가지로, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주될 수도 있고 또는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않을 수도 있다. 예컨대, 조명기(IL)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있고, 또는 리소그래피 장치와 별개의 구성요소일 수도 있다. 조명기(IL)가 리소그래피 장치와 별개의 구성요소인 경우, 리소그래피 장치는 조명기(IL)가 그 위에 탑재될 수 있도록 구성될 수 있다. 필요한 경우, 조명기(IL)는 분리 가능하며, 별도로 제공될 수도 있다(예컨대, 리소그래피 장치 제조업체 또는 다른 공급자에 의해).
방사 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치에 의해 패터닝된다. 패터닝 장치(MA)를 종단한 후, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 투영 시스템(PS)이 이 방사 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시되어 도시되어 있지는 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대되는 것으로서의), 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 장치(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 장치 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사 빔(B)에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 한정된다.
2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해 단일 동적 노광시의 타겟 영역의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 한정되는 한편, 스캐닝 동작의 길이에 의해 타겟 영역의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.
3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 지지 구조체(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
본 발명의 실시예를 리소그래피 장치의 기판(W)을 조절하는데 사용하는 것과 관련하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예는 리소그래피 장치의 또는 리소그래피 장치 내의 임의의 다른 물체에도 적용될 수 있으며, 이러한 물체의 예로는 렌즈, 마스크, 테이블(예컨대, 기판 테이블), 또는 조절을 필요로 하는 임의의 다른 물체 또는 물체의 그룹이 있다.
본 발명의 실시예는 온도가 조절되는 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키는 것에 관한 것이다. 종래의 온도 조절기는 온도 센서/히터와 온도가 조절되고 있는 물체 사이의 갭을 그대로 남겨두는 경우가 있다. 예컨대, 기판(W)의 경우, 기판(W) 아래의 버얼 플레이트(20)의 버얼(25) 사이에 하나 이상의 히터/센서(12, 14) 조합이 제공될 수 있다. 그러나, 히터/센서(12, 14) 조합과 기판(W)의 하면 사이에 갭이 유지된다. 즉, 히터/센서(12, 14) 조합이 예컨대 버얼(25)의 높이보다 작은 두께로 버얼(25) 사이의 버얼 플레이트(20)의 표면 상에 박막의 라인으로서 형성된다. 이러한 시스템은 히터/센서(12, 14) 조합과 열이 조절되고 있는 물체 사이의 열 경로의 길이(보다 구체적으로는 열 저항)로 인해 성능이 제한된다. 따라서, 이러한 시스템은 통상적으로 물체에서의 열 변동(thermal vaiance)을 정정하는 것이 느리다. 또한, 버얼(25) 사이의 버얼 플레이트(20)의 표면의 표면 특성 때문에 수율(yield)이 제한된다.
일실시예에서는 평면형 부재(10)가 제공된다. 이 부재(10)는 평탄하며, 평면 방향으로 가늘고 길게 연장되어 있다. 이 부재(10)는 2차원이며, 이로써 조절된 표면 위에 펼쳐질 수 있게 된다.
평면형 부재(10)는 리소그래피 장치의 제1 물체(예컨대, 버얼 플레이트(20)) 상에 탑재된다. 평면형 부재(10)는 제2 물체(예컨대, 기판(W))에의 열전달 및/또는 제2 물체로부터의 열전달을 향상시키는 재료를 포함한다. 열은 제1 물체(예컨대, 버얼 플레이트(20))에 전달되거나 및/또는 제1 물체로부터 전달되며, 또는 하나 이상의 히터(12)로부터 전달될 수 있다. 히터(12)는 평면형 부재(10) 또는 제1 물체와 일체형으로 될 수도 있고, 부착될 수도 있고, 또는 분리될 수 있다.
일실시예에서, 히터(12)는 물체를 냉각시키기 위한 히트 싱크로서 작용한다. 열이 거의 가해질 필요가 없을 때에는, 히터의 온도가 증가될 수 있다. 이러한 시스템은 콜드 스팟보다는 핫 스팟이 발생하기 쉬운 건식 또는 EUV 장치에서 채용될 수 있다.
부재(10)는 평면형일 필요는 없다. 이것은 아래에 설명되는 바와 같이 박막 및/또는 탄소 나노튜브(와 조합하여)를 이용하는 이점이 있다. 부재가 작은 강성(stiffness)을 갖는다면, 이 부재는 이 부재에 의해 온도가 조정되는 물체의 표면(예컨대, 곡선 표면) 주위에 형성될 수 있다.
평면형 부재(10)는 버얼 플레이트(20)로부터 분리될 수 있다. 일실시예에서, 평면형 부재(10)는 버얼 플레이트(20)로부터 제거 가능하다. 따라서, 평면형 부재(10)는 평면형 부재(10)에 적용할 수 있는 하나 이상의 히터 및 온도 센서(12, 14)(예컨대, 박막 기술에 의해 침적된 박막의 트랙 또는 라인과 같은 도통 경로 형태의)를 적용하는 측면에서 수율을 향상시키기 위해 잘 조절된(well-conditioned) 표면으로 제조될 수 있다.
도 2는 복수의 버얼(25)을 갖는 버얼 플레이트(20) 상에 탑재된 평면형 부재(10)를 평면도로 도시하고 있다. 이를 통해 알 수 있는 바와 같이, 평면형 부재(10)는 트랙 형태의 히터 및 트랙 형태의 온도 센서(14)를 포함한다. 가열 트랙 및 감지 트랙은 히터와 온도 센서 조합을 형성한다.
평면형 부재(10)는 하나보다 많은 수의 히터(12) 및/또는 온도 센서(14)를 포함할 수 있다. 각각의 히터(12) 및/또는 온도 센서(14)는 평면형 부재(10)의 국소 영역, 즉 평면에서의 국소 영역에 한정될 수 있다. 일실시예에서, 각각의 히터(12)는 대응하는 온도 센서(14)를 갖는다. 일실시예에서, 대응하는 히터(12) 및 온도 센서(14)는 하나의 트랙(예컨대, 이 트랙을 히터와 온도 센서로서 택일적으로 구동하기 위한 구동기를 가짐)으로 구성될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 평면형 부재(10)는 복수의 관통공(50)을 포함할 수 있다. 버얼 플레이트(20)의 버얼(25)이 이 관통공(50)을 통과하여 돌출한다.
제거 가능한 평면형 부재(10)의 장점은, 예컨대 히터 및/또는 센서 트랙 중의 하나가 결함이 발생함에 따라 이 부재가 적절하게 기능 하지 못할 때, 평면형 부재(10)를 제거하여 용이하게 교체할 수 있다는 것이다. 이에 추가하여 또는 이와 달리, 평면형 부재(10)는 예컨대 기판(W)의 하면측으로부터의 입자로 오염될 수도 있다. 이러한 입자는 그 자신이 평면형 부재(10)에 매립될 수 있다. 그에 따라, 평면형 부재(10)를 제거하여 세척하거나, 또는 평면형 부재를 제거하여 폐기한 후 새로운 평면형 부재(10)로 대체하여야 한다.
도 3은 평면형 부재(10)를 횡단면도로 도시하고 있다. 이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 평면형 부재(10)의 상면은 사용 시에 버얼(25)의 상면과 실질적으로 평행하게 되도록 구성된다. 이로써, 기판(W)의 하면이 사용 시에 평면형 부재(10)와 접촉하게 된다.
일실시예에서, 평면형 부재(10) 아래의 버얼(25) 사이의 공간에 탄성 복원 부재(30)가 제공될 수 있다. 탄성 복원 부재(30)는 평면형 부재(10)의 일부분일 수도 있고, 또는 별도의 부품일 수도 있다. 평면형 부재(10) 및/또는 탄성 복원 부재(30)는, 기판(W)이 버얼 플레이트(20) 상에 위치되지 않을 때에, 평면형 부재(10)의 상면이 버얼(25)의 상면 위에서 돌출하도록 하는 치수로 형성된다. 기판(W)이 버얼(25) 상에 위치되고, 클램핑 힘이 기판(W)에 가해질 때(예컨대, 정전 방식으로 또는 버얼(25) 사이의 공간에서 생성되는 저압(underpressure)에 의해), 예컨대 평면형 부재(10) 및/또는 탄성 복원 부재(30)와 같은 부재의 탄성은 평면형 부재(10)의 상면을 프레스하여 기판(W)의 저면과 접촉하게 되도록 한다. 이것은 부재가 오염물을 수용하도록 변형할 것이기 때문에 오염물이 기판(W)의 평탄도에 영향을 주지 않게 하는 장점을 갖는다.
탄성 복원 부재(30)를 제공하는 장점은 탄성 복원 부재(30)와 평면형 부재(10)의 조합이 버얼(25) 사이의 기판(W)에 제공하는 기계적 지지이다.
일실시예에서, 탄성 복원 부재(30)의 탄성은 평면형 부재(10)를 프레스하여 기판(W)과 접촉하게 되도록 한다. 일실시예에서, 자신의 탄성에 의해 평면형 부재(10)를 프레스하여 제2 물체(예컨대, 기판(W))와 접촉하게 하는 탄성 복원 부재(30)는 8000 MPa 미만, 바람직하게는 6000, 4000 또는 3000 MPa 미만의 영의 계수(Young's modulus)를 갖는다.
일실시예에서, 탄성 복원 부재(30)는 예컨대 폴리우레탄 발포체 기판(polyurethane foam substrate) 또는 탄소 나노튜브와 같은 발포체 기판을 포함한다.
일실시예에서, 발포체는 독립 기포 발포체(closed cell foam)이다. 이 실시예는 기판 테이블(WT)이 정전식 클램프이거나 또는 기판 테이블(WT)이 EUV 장치 내에 있는 경우에 특히 적합할 것이다.
일실시예에서, 발포체는 오픈 셀 발포체(open cell foam)이다. 이것은 기판 테이블(WT)이 기판(W)을 버얼 플레이트(20)에 클램프하기 위해 버얼(25) 사이에 저압을 이용하는 타입의 것인 경우 또는 리소그래피 장치가 기판(W) 및 기판 테이블(WT)을 진공 상태로 위치시키는 경우에 특히 적합할 것이다.
실시예에서, 평면형 부재(10)는 기판(W)과 접촉하지 않는다. 즉, 평면형 부재(10)와 기판(W) 사이에 갭이 존재하게 된다. 이것은 일부 상황에서는 장점을 가질 수 있다. 예컨대, 이 실시예에서는 기판(W)의 하면을 스크래치하여 오염 입자를 발생시키는 위험이 감소된다. 그러나, 이 실시예는 하나 이상의 히터(12) 및 센서(14)를 기판(W)의 하면에 더 근접하에 제공하여 기판(W)에의 열전달 및/또는 기판으로부터의 열전달을 향상시키는 장점을 여전히 갖는다. 또한, 평면형 부재(10)가 제거 가능하지 않으면, 이것은 오염물이 버얼(25) 사이의 평면형 부재(10) 상에 떨어져 기판(W)의 하면과 접촉하지 않을 것이기 때문에 오염 문제를 해소한다. 이에 추가하여 또는 이와 달리, 이 실시예는 기판 테이블(WT)이 버얼(25) 사이의 저압을 이용하여 작동하는 경우에 유용할 수도 있다. 그 이유는, 버얼(25) 사이의 공간이 요구된 저압을 달성하기에 충분할 것이기 때문이다. 그렇지 않은 경우에는, 평면형 부재(10) 및/또는 탄성 복원 부재(30)를 기공성(porous)의 것으로 할 필요가 있을 것이다.
일실시예에서, 평면형 부재(10) 및 탄성 복원 부재(30)가 일체 성형되고, 제거 가능한 평면형 부재(10)의 일부분을 형성한다. 일실시예에서, 탄성 복원 부재(30)는 예컨대 글루(glue)에 의해 버얼 플레이트(20)에 부착되며, 평면형 부재(10)는 단순히 탄성 복원 부재(30) 위에 위치될 뿐 탄성 복원 부재에 부착되지 않는다.
본 발명의 실시예는 기판(W)의 유효 열 면적을 크게 증가시킨다. 평면형 부재(10)가 없으면, 열 조절의 대부분은 버얼(25)을 통한 전도에 의해 실현될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 기판 테이블(WT)의 통상적인 유체 조절과 버얼(25)을 통한 열전달이 존재할 수 있다. 그러나, 평면형 부재(10)의 사용은 특히 평면형 부재(10)가 기판(W)의 하면에 대해 프레스될 때에 기판(W)에의 열전달 및/또는 기판으로부터의 열전달을 증가시킨다. 평면형 부재(10)와 기판(W)의 하면 사이에 갭이 존재하는 경우에도, 센서/히터와 기판(W) 간의 열적 간격의 감소에 의하여 기판(W)에의 열전달 및/또는 기판으로부터의 열전달이 향상된다.
일실시예에서, 온도 센서(14) 및/또는 히터(12)는 평면형 부재(10)의 상면에 적용된다. 센서(14) 및/또는 히터(12)는 예컨대 전기 절연 코팅과 같은 코팅에 의해 인캡슐레이션될 수 있다. 어떠한 센서/히터는 절연 코팅 또는 절연층 상에 적용될 수 있다.
평면형 부재(10) 및/또는 탄성 복원 부재(30)의 저면은 그 위에 전기 절연층을 가질 수 있다.
도 4는 다른 실시예의 횡단면도이다. 도 4의 실시예에서, 평면형 부재(10)는 복수의 탄소 나노튜브를 포함한다. 탄소 나노튜브는 높은 열전도율(1000 Wm-1K-1보다 큰)을 갖는다. 따라서, 센서/히터는 기판(W)의 하면으로부터 떨어져 평면형 부재(10)에 제공될 수 있다. 예컨대, 히터/센서는 기판(W)의 하면으로부터 떨어져 대향하고 있는 평면형 부재(10)의 표면 상에 제공될 수 있다.
실시예에서, 탄소 나노튜브는 성장 탄소 나노튜브(grown carbon nanotube)이다. 실시예에서, 성장 나노튜브의 축은 버얼 플레이트(20) 및/또는 기판(W)의 표면에 실질적으로 직각을 이룬다. 이 축을 따르는 탄소 나노튜브의 열전도율은 이 축을 가로지르는 탄소 나노튜브의 열전도율보다 훨씬 크다.
탄소 나노튜브는 기판(W)이 버얼 플레이트(20) 상에 위치되지 않을 때 탄소 나노튜브가 버얼(25)의 상면의 평면 위로 돌출하도록 구성될 수 있다. 기판(W)이 그 후 버얼 플레이트(20)에 클램프될 때, 탄소 나노튜브는 굽어지거나 압축된다. 이로써, 탄소 나노튜브는 프레스되어 기판(W)의 하면과 접촉하게 될 수 있고, 열 접촉을 추가로 향상시킨다. 실시예에서, 탄소 나노튜브의 길이는 평면형 부재(10)의 상단과 기판(W)의 하면 사이에 갭이 존재하도록 이루어진다.
실시예에서, 평면형 부재(10)의 상면 상에 코팅이 제공된다. 코팅은 전기 절연 재료로 구성될 수도 있으며(예컨대, 기판 테이블(WT)이 정전 클램프인 경우에), 및/또는 기판(W)의 하면 상의 평면형 부재(10)의 마모를 감소시키기 위한 코팅의 형태로 될 수도 있다. 탄소 나노튜브는 극히 단단하며, 그에 따라 기판(W)의 하면에 손상을 줄 수도 있다. 이것은 오염 입자의 발생을 야기하는 단점이 있다. 이러한 손상을 감소시키는 코팅(예컨대, 탄소 나노튜브보다 더 연성을 갖는 코팅)을 제공함으로써, 이 실시예에서 발생할 수도 있는 단점이 경감될 수 있다. 코팅은 바람직하게는 높은 열전도율 계수를 가져야 한다. 일례의 코팅으로는 금이 있다(연성이면서 315 Wm-1K-1의 열전도율을 갖기 때문).
실시예에서, 평면형 부재(10)는 적어도 200 Wm-1K-1 또는 적어도 1000 Wm-1K-1의 열전도율을 갖는다. 실시예에서, 열전도율은 적어도 2000, 3000 또는 5000 Wm-1K-1이다. 이것은 더 우수한 열전달을 달성하고자하는 목적을 이루는데 도움을 준다.
실시예에서, 탄소 나노튜브는 버얼(25) 사이의 표면 상의 버얼 플레이트(20) 위의 정위치에 성장된다. 실시예에서, 탄소 나노튜브는 평면형 부재(10)가 버얼 플레이트(20)로부터 제거될 수 있도록 제거 가능 부재의 일부로서 형성된다. 탄소 나노튜브는 예컨대 CVD, 아크 방전, 레이저 어블레이션(laser ablation), 고압 카본 모노옥사이드(HIPco) 등과 같은 임의의 기술에 의해 성장될 수 있다.
탄소 나노튜브층은 2개의 플레이트 사이(이 예에서는, 탄소 나노튜브의 길이를 제어하여 추가의 공정 단계를 필요로 하는 것을 방지하기 위해 반도전성 침적물을 갖는 버얼 플레이트(20)와 버얼 플레이트(20) 상의 정위치에 있는 대체 기판(W) 사이)에 어떠한 방식으로도 실현될 수 있다.
탄소 나노튜브를 포함하는 평면형 부재(10)는 평면형 부재(10)가 리소그래피 장치 내의 버얼 플레이트(20) 상에 제조될 필요 없다는 점을 제외하고는 전술한 것과 유사한 방식으로 이용하여 제조될 수 있다. 그 대신, 탄소 나노튜브는 상이한(더미) 버얼 플레이트(20) 상에 제조될 수 있으며, 이 버얼 플레이트(20) 상에는 필요한 경우 버얼(25) 사이의 버얼 플레이트(20)의 표면 상에 기판층이 위치되며, 그 상단에는 탄소 나노튜브로 성장될 반도전성 증착물이 위치한다. 센서/히터 조합은 탄소 나노튜브의 성장 전에 기판의 상단에 제공될 수 있다.
실시예에서, 각각의 가열 트랙(12)에 대하여 복수의 감지 트랙(14)이 제공된다. 이것은 어떠한 양의 결함성 감지 트랙(14)이 수용될 수 있기 때문에 수율을 증가시킨다.
실시예에서, 평면형 부재(10)는 순수하게 기계적 특성을 위해서만 제공된다. 즉, 평면형 부재(10)는 제1 물체의 지지 지점(예컨대, 버얼(25)) 사이에서 제2 물체를 지지하기 위해 제1 물체 상에 탑재된다. 이 실시예에서, 제1 물체가 버얼 플레이트(25)일 때에는, 평면형 부재(10)는 버얼(25) 사이의 위치에서 기판을 지지한다.
실시예에서, 탄소 나노튜브는 104/mm2 - 1010/mm2 사이의 밀도를 갖는다. 실시예에서, 탄소 나노튜브의 밀도는 평면 내의 지점에 따라 상이하다. 이것은 단일 재료로 국소적으로 변화하는 기계적 사양(예컨대, 강성 특성)을 획득할 수 있기 때문에 이롭다.
실시예에서, 히터(12) 및/또는 센서(14)는 탄소 나노튜브로 제조(성장)된다. 이것은 전도율 및 엄밀한 의미의 분해능(resolution)의 이로운 증가를 발생한다.
일특징에서, 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치에서, 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.
일실시예에서, 이 부재는 평면형이다.
일실시예에서, 이 부재는 적어도 200 Wm-1K-1의 열전도율을 갖는다.
일실시예에서, 이 부재는 제거 가능하다.
일실시예에서, 이 부재는 제1 물체이며, 열전달이 향상되는 상기 물체는 제2 물체이다.
일실시예에서, 제2 물체는 렌즈 또는 테이블이다.
일실시예에서, 제2 물체는 기판 또는 마스크이다.
일실시예에서, 부재는 버얼 플레이트에 탑재된다.
일실시예에서, 버얼 플레이트는 정전식 버얼 플레이트이다.
일실시예에서, 버얼 플레이트는 저압 버얼 플레이트이다.
일실시예에서, 부재는 복수의 관통 개구를 포함하며, 이 개구를 통해 버얼 플레이트의 버얼이 돌출한다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 부재와 물체 사이에 갭을 포함한다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 제1 물체와 부재 사이에 발포체 기판을 더 포함한다.
일실시예에서, 발포체는 오픈 셀 발포체이다.
일실시예에서, 발포체는 독립 기포 발포체이다.
일실시예에서, 발포체는 8,000 MPa 미만의 영의 계수를 갖는다.
일실시예에서, 사용시에, 부재는 프레스되어 물체와 접촉하게 된다.
일실시예에서, 부재는 프레스되어 부재의 탄성에 의해 물체와 접촉하게 되며, 물체가 부재에 근접하게 되어 부재를 압박한다.
일실시예에서, 부재는 히터 및/또는 온도 센서를 포함한다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 부재의 도통 경로를 히터로서와 온도 센서로서 택일적으로 구동하기 위한 구동기를 더 포함한다.
일실시예에서, 부재는 탄소 나노튜브를 포함한다.
일실시예에서, 탄소 나노튜브의 축은 물체의 표면에 실질적으로 직각을 이룬다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 부재의 외측면을 폐쇄하고 매끄럽게 하기 위해 탄소 나노튜브 상에 코팅을 더 포함한다.
일실시예에서, 탄소 나노튜브는 평면 내에서의 위치에 따라 변화하는 밀도를 갖는다.
일실시예에서, 부재는 복수의 국소 히터를 포함한다.
일실시예에서, 부재는 복수의 국소 온도 센서를 포함한다.
일실시예에서, 부재는 물체에 대향하는 표면 상에 또는 물체로부터 떨어져 대향하는 표면 또는 이들 모두 상에 절연층을 갖는다.
본 발명의 특징에 따라, 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치에서, 제1 물체와, 상기 제1 물체에의 열전달 및/또는 상기 제1 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위해 상기 제1 물체의 표면에 직각을 이루는 방향으로 정렬된 축으로 상기 제1 물체를 향해 연장하는 복수의 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치가 제공된다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 국소 히터를 더 포함하며, 복수의 탄소 나노튜브는 국소 히터와 제1 물체 사이에 위치된다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 복수의 국소 온도 센서를 더 포함하며, 복수의 탄소 나노튜브는 국소 온도 센서와 제1 물체 사이에 위치된다.
일실시예에서, 복수의 탄소 나노튜브는 버얼 플레이트에 부착된다.
일실시예에서, 제1 물체는 렌즈이다.
일실시예에서, 제1 물체는 기판이다.
일실시예에서, 제1 물체가 제2 물체 상에 탑재될 때, 복수의 탄소 나노튜브 중의 적어도 일부가 제1 물체에 닿게 된다.
일실시예에서, 제2 물체와 접촉하는 탄소 나노튜브는 굽어진다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 제1 물체가 코팅과 접촉하도록 복수의 탄소 나노튜브 상의 코팅을 더 포함하며, 이 코팅은 탄소 나노튜브와 제1 물체 사이에 있다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는 탄소 나노튜브와 제1 물체 사이의 갭을 포함한다.
본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 장치의 또는 리소그래피 장치 내의 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 제거 가능 부재가 제공되며, 상기 제거 가능 부재는 히터 및 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일실시예에서, 부재는 평면형이다.
일실시예에서, 제거 가능 부재는 복수의 국소 히터 및/또는 복수의 국소 온도 센서를 더 포함한다.
일실시예에서, 제거 가능 부재는 복수의 관통공을 포함한다.
일실시예에서, 관통공은 제거 가능 부재가 관통공을 통과하여 돌출하는 버얼을 갖는 버얼 플레이트 상에 위치될 수 있도록 하는 크기 및 치수로 된다.
일실시예에서, 제거 가능 부재는 버얼의 높이보다 작은 두께를 갖는다.
일실시예에서, 제거 가능 부재는 버얼의 높이와 실질적으로 동일한 두께를 갖는다.
일실시예에서, 제거 가능 부재는 기판을 더 포함한다.
일실시예에서, 기판은 변형 가능하며, 8000 MPa 미만의 영의 계수를 갖는다.
일실시예에서, 기판은 발포체이다.
일실시예에서, 기판은 복수의 탄소 나노튜브를 포함한다.
일실시예에서, 복수의 탄소 나노튜브는 부재의 평면에 실질적으로 직각을 이루는 축을 갖는다.
일실시예에서, 제거 가능 부재는 제거 가능 부재의 주요 평면 표면에 실질적으로 직각을 이루는 방향으로 200 Wm-1K-1보다 큰 열전도율을 갖는다.
일특징으로, 전술한 제거 가능 부재를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
일실시예에서, 리소그래피 장치는, 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사 빔을 형성할 수 있는 패터닝 장치를 지지하도록 구성된 지지체와, 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블과, 패터닝된 방사 빔을 기판의 타겟 영역 상으로 지향하도록 구성된 투영 시스템을 더 포함한다.
본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(통상적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기한 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
앞에서는 광학 리소그래피의 관점에서 본 발명의 실시예를 이용하는 것에 대하여 구체적인 참조가 이루어졌을 수도 있지만, 본 발명은 예컨대 임프린트 리소그래피와 같은 다른 응용분야에 이용될 수도 있으며, 또한 문맥이 허락하는 곳에서는 광학 리소그래피로 한정되지 않는다. 임프린트 리소그래피에서는, 패터닝 장치의 토폴로지가 기판 상에 생성된 패턴을 형성한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 제공된 레지스트의 층 내로 프레스될 수 있으며, 그 후에 레지스트를 전자기 방사선, 가열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 경화시킨다. 레지스트가 경화된 후에는, 패터닝 장치는 레지스트의 외측으로 이동되어 레지스트 층에 패턴을 잔류시킨다.
본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어에는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 ㎚의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5?20 ㎚ 범위의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선뿐만 아니라 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔이 포함된다.
"렌즈"라는 용어는 문맥이 허용하는 곳에서는 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 설명은 예시를 위한 것으로 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 그러므로, 당업자는 첨부된 청구범위의 사상으로부터 벗어나지 않고서도 설명된 바와 같은 본 발명에 대하여 수정을 가할 수 있다는 것은 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치로서, 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 부재는 평면형이며, 상기 부재는 적어도 200 Wm-1K-1의 열전도율을 가지며, 상기 부재는 제거 가능하며, 및/또는 상기 부재는 제1 물체이고, 상기 물체에의 열전달 및/또는 상기 물체로부터의 열전달이 향상되는 상기 물체는 제2 물체인, 리소그래피 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    제2 물체를 더 포함하며, 상기 제2 물체는 렌즈 또는 테이블이고, 및/또는 상기 제2 물체는 기판 또는 마스크인, 리소그래피 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 부재는 버얼 플레이트(burl plate)에 탑재되는, 리소그래피 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 버얼 플레이트는 정전식 버얼 플레이트이며, 상기 버얼 플레이트는 저압(underpressure) 버얼 플레이트이며, 및/또는 상기 부재는 복수의 관통 개구를 포함하고, 이 개구를 통해 상기 버얼 플레이트의 버얼이 돌출하는, 리소그래피 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부재와 상기 물체 사이에 갭을 포함하는, 리소그래피 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 물체와 상기 부재 사이에 발포체 기판(foam substrate)을 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    발포체는 오픈 셀 발포체(open cell foam) 또는 독립 기포 발포체(closed cell foam)이며, 및/또는 발포체는 8,000 MPa 미만의 영의 계수(Young's modulus)를 갖는, 리소그래피 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    사용시에, 상기 부재는 프레스되어 상기 물체와 접촉하게 되는, 리소그래피 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 부재는 프레스되어 상기 부재의 탄성에 의해 상기 물체와 접촉하게 되며, 상기 물체가 상기 부재에 근접하게 되어 상기 부재를 압박하는, 리소그래피 장치.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부재는 히터 및/또는 온도 센서를 포함하며, 상기 부재는 탄소 나노튜브를 포함하며, 상기 부재는 복수의 국소 히터를 포함하며, 상기 부재는 복수의 국소 온도 센서를 포함하며, 및/또는 상기 부재는 상기 물체에 대향하는 표면 상에, 상기 물체로부터 떨어져 대향하는 표면 상에, 또는 이들 모두 상에 절연층을 갖는, 리소그래피 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 부재의 도통 경로를 히터로서와 온도 센서로서 택일적으로 구동하기 위한 구동기를 더 포함하며, 및/또는 상기 탄소 나노튜브의 축은 상기 물체의 표면에 실질적으로 직각을 이루는, 리소그래피 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 부재의 외측면을 폐쇄하고 매끄럽게 하기 위해 상기 탄소 나노튜브 상에 코팅을 더 포함하며, 및/또는 상기 탄소 나노튜브는 평면 내에서의 위치에 따라 변화하는 밀도를 갖는, 리소그래피 장치.
  14. 패터닝 장치로부터의 패턴을 기판 상으로 전사하도록 배치된 리소그래피 장치에 있어서,
    제1 물체; 및
    상기 제1 물체에의 열전달 및/또는 상기 제1 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위해 상기 제1 물체의 표면에 직각을 이루는 방향으로 정렬된 축으로 상기 제1 물체를 향해 연장하는 복수의 탄소 나노튜브
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 리소그래피 장치의 또는 리소그래피 장치 내의 물체에의 열전달 및/또는 이 물체로부터의 열전달을 향상시키기 위한 제거 가능 부재로서, 히터 및 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 제거 가능 부재.
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