JPH07142555A - ウエハチャック - Google Patents

ウエハチャック

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Publication number
JPH07142555A
JPH07142555A JP15853993A JP15853993A JPH07142555A JP H07142555 A JPH07142555 A JP H07142555A JP 15853993 A JP15853993 A JP 15853993A JP 15853993 A JP15853993 A JP 15853993A JP H07142555 A JPH07142555 A JP H07142555A
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JP
Japan
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wafer
wafer chuck
heat absorbing
chuck
heat
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Application number
JP15853993A
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English (en)
Inventor
Noriyuki Maekawa
典幸 前川
Yoshio Nakajima
吉男 中島
Kazutoshi Suga
和俊 菅
Isao Kobayashi
功 小林
Hidehiko Numasato
英彦 沼里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】ウエハチャック1とウエハ3の間に熱吸収部を
設ける。熱吸収部は突起部1Aに対応する位置に貫通孔
2Aをもっており、金属などの熱伝導率の高い材質でで
きた、熱吸収板2である。熱吸収板2はウエハチャック
1上に、突起部1Aが貫通孔2Aに挿入された状態で載
置される。 【効果】熱吸収部は、露光や電子線などの熱エネルギを
ウエハと共に瞬間的に吸収する。そのため供給される熱
エネルギに対して、それを瞬間的に吸収する部材の熱容
量が大きくなるため、ウエハの温度上昇が抑制される。
その結果ウエハの熱変形が抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体リソグラフィ工程
で用いられる露光装置等において、ウエハの熱変形を抑
制するためのウエハチャックに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体リソグラフィ工程では、高詳細パ
ターンを形成するため、ウエハ位置決め装置に求められ
る位置決め精度は年々厳しくなる傾向にある。露光など
の熱源の影響によるウエハの熱変形は、位置決め精度を
劣化させる大きな要因となる。ウエハの熱変形を抑制ま
たは制御することを目的として、ウエハの温度を管理す
るための従来技術として、特開昭56−112732号公報や特
開昭57−136325号公報が知られている。前者は、図13
に示すように、ウエハチャック内部に加熱冷却可能な素
子および温度検出器を内蔵し、ウエハの温度を制御する
ものである。後者は、図14に示すように、ウエハチャ
ック内部に、流路を設け、流路内に温度制御された熱交
換媒体を循環させることにより、ウエハの温度を制御す
るものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
は、実用上次のような問題点を残している。
【0004】操作部である加熱冷却素子や熱交換媒体と
制御対象であるウエハとの間には、ウエハとウエハチャ
ックとの間の熱抵抗や、ウエハチャック内部の熱抵抗が
存在するため、露光時のウエハの瞬間的な温度変化を抑
制することは困難である。
【0005】また、ウエハチャック内部に、加熱冷却可
能な素子や流路を設けるための加工は困難であり、仮に
可能であったとしても、ウエハチャックの剛性や、表面
の加工精度を確保することが困難であること。
【0006】さらに、装置が複雑化し、製品コストが上
がる点も問題である。
【0007】本発明の目的は、露光時のウエハの瞬間的
な温度上昇が抑制可能であり、またウエハチャックの剛
性や加工精度は確保され、さらに簡単な構造であるウエ
ハチャックを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハチャッ
ク表面に熱吸収部をもつ(請求項1)。
【0009】更に、本発明では、熱吸収部は金属などの
熱吸収板であり、ウエハチャック表面のウエハを支持す
るための突起部分に対応する位置に貫通孔を持つ(請求
項2)。
【0010】更に、本発明では、熱吸収板をウエハチャ
ックに対して支持する支持部は点接触要素である(請求
項3)。
【0011】更に、本発明では、熱吸収板をウエハチャ
ックに対して支持する支持部は、それによるウエハの変
形が問題とならない程度のばね定数をもち、熱吸収板を
ウエハに押し付ける(請求項4)。
【0012】更に、本発明では、熱吸収板は波板状であ
り、それ自身のもつ、ウエハの変形が問題とならない程
度のばね定数により、ウエハに押し付けられる(請求項
5)。
【0013】更に本発明では、熱吸収板はウエハ着脱機
構と同様の機構により、着脱可能である(請求項6)。
【0014】更に本発明では、熱吸収板は、ウエハチャ
ックに接着される(請求項7)。
【0015】更に本発明では、熱吸収部はウエハチャッ
クと一体となる金属の層である(請求項8)。
【0016】更に本発明では、金属の層は、ウエハチャ
ックの、ウエハの載置される全面に、メッキまたは蒸着
などにより、形成され、研削加工により平面度を確保
し、エッチングにより凹部を形成する(請求項9)。
【0017】更に本発明では、熱吸収部とウエハとの間
隙には、ヘリウムや水素などの熱伝導率の高い物質を充
填する(請求項10)。
【0018】
【作用】熱吸収板や金属の層などの熱吸収部は、ウエハ
からの伝熱を考える際に、その熱抵抗が小さい位置、す
なわちウエハチャックの表面に配置されるため、露光時
に供給される熱エネルギをウエハと共に瞬間的に吸収す
る。そのため、供給される熱エネルギに対して、それを
瞬間的に吸収する部材の熱容量が大きくなるため、露光
時のウエハの温度上昇を抑制することができる。
【0019】また熱吸収部とウエハチャックとの熱抵抗
は大きくでき、更に熱吸収部を交換可能であるから、熱
吸収部に蓄積された熱はウエハチャックやその下層に配
置されるステージ部材に伝わらないうちに外部に排熱す
ることができる。
【0020】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。
【0021】図1は、本発明のウエハチャックの一実施
例を示す分解斜視図である。ウエハチャック1には、ウ
エハ3とウエハチャック1との間にごみが挾まった場合
にも、ウエハ3が変形を起こしにくくするために、通
常、突起部1Aが設けられ、接触面積を減らす工夫がな
されている。熱吸収板2には、突起部1Aに対応する位
置に貫通孔2Aが設けられ、ウエハチャック上に載置さ
れる。
【0022】図2は、ウエハチャック1上に熱吸収板2
およびウエハ3が載置された状態の断面図である。通
常、凹部201の空気は減圧され、ウエハ3は差圧によ
り突起部1Aの方へ押し付け力を受け、固定される。熱
吸収板2は、貫通孔2Aに突起部1Aが挿入された状態
で、ウエハチャック1上に載置される。
【0023】従来の方法、すなわち、熱吸収板2を設け
ない場合には、ウエハ3とウエハチャック1との接触面
積は小さい上、凹部201の空気は減圧されているか
ら、ウエハ3からウエハチャック1への熱抵抗は非常に
大きい。従って、露光や電子線などの熱エネルギ202
がウエハ上に照射された場合、そのエネルギの大部分が
瞬間的にウエハだけに吸収され、ウエハの温度は瞬時に
上昇する。
【0024】本発明で示すように、熱吸収板2を、ウエ
ハ3からの熱抵抗が小さい位置、すなわち、ウエハチャ
ック1表面に設けた場合、供給される熱エネルギ202
は、ウエハ3と熱吸収板2とによって瞬間的に吸収され
る。すなわち、供給される熱エネルギ202に対して、
それを瞬間的に吸収する部材の熱容量が大きくなるた
め、ウエハの温度上昇を抑制することができる。また、
ウエハチャックの材質としては、高剛性,低膨張などの
要求もあるため、必ずしも熱吸収性の高いものを採用す
ることができないが、熱吸収板の材質としては、ウエハ
チャックの材質とは無関係に熱吸収性の高いものを採用
することができる。
【0025】なお、熱吸収板2の材料としてはアルミニ
ウム,銅などの熱伝導率の高いものが好適である。ま
た、熱吸収板2の厚さL1はウエハ3の厚さL2と同程
度以上であることが望ましく、ウエハ3と熱吸収板2と
の間隔L3は数十μm程度以下であることが望ましい。
さらに、凹部201には水素,ヘリウムなどの熱伝導率
の高い物質を充填し、ウエハ3から熱吸収板2への熱抵
抗をより小さくすることも可能である。
【0026】図3は、熱吸収板2の支持方法を示す実施
例である。熱吸収板2をウエハチャック1に対して支持
する支持部301を設け、球面状あるいは円錐台状等に
加工し、熱吸収板2とウエハチャック1との接触面積が
小さくなるようにする。これにより、ウエハチャック1
への伝熱量が抑制され、ウエハチャック1の熱変形に起
因したウエハ3の熱変形を抑制することができる。さら
にウエハチャックの下層に配置されるステージ部材(図
示せず)への伝熱量も抑制されるため、ステージ部材の
熱変形をも抑制することができる。なお、支持部301
は一直線上に並ばない三ヵ所に設ければ十分であるが、
より安定に熱吸収板2を支持したい場合には4ヵ所以上
設けてもよい。
【0027】図4は、熱吸収板2の支持方法を示す第2
の実施例である。熱吸収板2をウエハチャック1に対し
てばね401により支持し、ウエハ3に密着させる様に
する。この際、ばね401のばね定数は、大気圧と凹部
201の圧力との差によって生まれる押し付け力402
に比較して、熱吸収板2がウエハ3を押し上げようとす
る力が十分小さくなるように設定する。このような構成
により熱吸収板2とウエハ3との熱抵抗がさらに低減さ
れ、ウエハ3の温度上昇抑制効果がさらに高くなる。ま
たばね定数は十分小さいので、熱吸収板2とウエハ3の
間にごみが挾まった場合のウエハの変形は問題とならな
い。
【0028】図5は、熱吸収板2の一実施例である。熱
吸収板2は波板状に加工される。熱吸収板2は、それ自
身の復元力により、ウエハ3に押し付けられる。熱吸収
板2の復元力は、大気圧と凹部201の圧力との差によ
って生まれる押し付け力402に比較して十分小さくなる
ようにする。このような構成により熱吸収板2とウエハ
3との熱抵抗が低減され、ウエハ3の温度上昇抑制効果
が高くなる。また熱吸収板2の復元力は十分小さいの
で、熱吸収板2とウエハ3の間にごみが挾まった場合の
ウエハの変形は問題とならない。
【0029】図6は、ウエハ3および熱吸収板2の交換
機構を示す分解斜視図である。ウエハチャック1には、
1個以上のチャック貫通孔603が設けられる。熱吸収
板2にも、チャック貫通孔603に対応する位置に吸収
板貫通孔604が設けられる。吸収板貫通孔604は、
分離機構601の分離軸601Aの径よりも僅かに大き
い径とする。また、チャック貫通孔603は分離軸60
1Aの2倍程度以上の径とする。
【0030】まず、分離機構601を、その分離軸60
1Aがチャック貫通孔603および吸収板貫通孔604
の双方を通過できる位置に位置決めし、Z軸方向に駆動
することにより、ウエハ3をウエハチャック1から分離
する。分離されたウエハ3は、搬送機構602により所
定の位置に搬送される。次に、分離機構601を、その
分離軸601Aがチャック貫通孔603は通過できるが
吸収板貫通孔604は通過できない位置に位置決めし、
Z軸方向に駆動することにより、熱吸収板2をウエハチ
ャック1から分離する。分離された熱吸収板2は、搬送
機構602により所定の位置に搬送される。以上でウエ
ハ3及び熱吸収板2の取外しが終了する。
【0031】次に、新しい熱吸収板2を搬送機構602
により、ウエハチャック1上に位置決めする。熱吸収板
2は、搬送機構602から、Z軸方向に駆動される分離
機構601に受け渡される。分離機構601がZ軸負の
方向に駆動されることにより、熱吸収板2はウエハチャ
ック1上に載置される。さらに新しいウエハ3を搬送機
構602により、ウエハチャック1上に位置決めする。
ウエハ3は、搬送機構602から、Z軸方向に駆動され
る分離機構601に受け渡される。この際、分離軸60
1Aはチャック貫通孔603及び吸収板貫通孔604の
双方を通過できる位置に位置決めされている。分離機構
601がZ軸負の方向に駆動されることにより、ウエハ
3はウエハチャック1上に載置される。
【0032】このような機構を設けることにより、熱吸
収板2に蓄積された熱を、ウエハチャック1やその下層
に配置されるステージ部材に伝熱される前に、外部に排
熱することができる。
【0033】なお、新しくウエハチャック1上に載置さ
れる、熱吸収板2及びウエハ3はあらかじめ温度管理さ
れていることが望ましい。
【0034】図7は、熱吸収板2のウエハチャック1へ
の固定方法の一実施例を示す断面図である。熱吸収板2
は0.5(mm)程度から数(mm)程度の厚さであり、貫通
孔2Aの穴あけ加工が施されるため、平面度が充分に得
られない場合がある。熱吸収板2の凹凸により、熱吸収
板2がウエハ3に接触し、ウエハ3を押し上げる力が過
大な場合には、ウエハ3の変形が問題となる。こうした
問題に対し、図7に示すように、接着剤701により熱
吸収板2をウエハチャック1に接着しても良い。接着個
所は、全ての貫通孔2A付近としても良いし、一部の貫
通孔2A付近としても良い。このような固定方法を採る
ことにより、熱吸収板2の平面度が充分に確保できない
場合にも、熱吸収板2を用いることができる。
【0035】図8は、熱吸収部として金属の層を用いる
ウエハチャックの一実施例を示す断面図である。図8
(a)(b)(c)はその製造方法の概略を順番に示
す。ウエハチャックベース801上に、メッキまたは蒸
着などにより、金属の層802を設け、凹部803をエ
ッチングにより設ける。最後に表面804を研削し、要
求される平面度に仕上げる。この際、凹部の深さdは数
十μm程度以下とすることが望ましい。このような構成
により、ウエハ(図示せず)表面に照射される熱エネル
ギは、瞬間的に金属の層805にも吸収されるため、ウ
エハの温度上昇が抑制される。またウエハチャックベー
ス801の材質としては、高剛性,低膨張などの要求も
あるため、必ずしも熱伝導率の高いものを採用すること
ができないが、金属の層805の材質はアルミニウム,
ニッケル,銅などの熱伝導率の高いものを採用し、ウエ
ハ表面に照射される熱エネルギを吸収させることができ
る。さらにウエハと金属の層805との間には、水素,
ヘリウムなどの熱伝導率の高い物質を充填し、ウエハか
ら金属の層805への熱抵抗を小さくして、ウエハの温
度上昇抑制効果を高めることも可能である。なお、エッ
チング,研削加工等の順序や、それらを施す回数は上記
に限定するものではない。
【0036】図9は、熱吸収部として金属の層を用いる
ウエハチャックの他の実施例を示す断面図である。図9
(a)(b)(c)(d)はその製造方法の概略を順番
に示す。突起部1Aの設けられた、ウエハチャックベー
ス901表面に、メッキまたは蒸着などにより、金属の
層902を設け、突起部1Aが表にでるまで表面を研削
する。金属の層の部分のみをエッチングし、凹部903
を設ける。この際、凹部903の深さeは数十μm程度
以下とすることが望ましい。最後に、表面904を研削
し、要求される平面度に仕上げる。このような構成によ
り、ウエハ表面に照射される熱エネルギは、瞬間的に金
属の層905にも吸収されるため、ウエハの温度上昇が
抑制される。なお、金属の層905の材質は、アルミニ
ウム,ニッケル,銅などの熱伝導率の高いものが好適で
ある。さらにウエハと金属の層905との間には、水素,
ヘリウムなどの熱伝導率の高い物質を充填し、ウエハの
温度上昇抑制効果を高めることも可能である。また、エ
ッチング,研削加工等の順序や、それらを施す回数は上
記に限定するものではない。
【0037】図10は、本発明のウエハチャックを用い
た縮小投影露光装置の一実施例を示す模式図である。照
明系1001より発せられる光は、回路パターンの描か
れたレティクル1002を通過し、縮小レンズ1003
により縮小され、6軸ステージ1004上に搭載され
た、本ウエハチャック1上のウエハ3表面に回路パター
ンの像を結ぶ。ウエハ3の露光されるべき位置と回路パ
ターンの像の位置を正確に位置決めし、露光を行う。こ
のとき露光等の熱によるウエハ3の熱変形は、位置決め
誤差となるが、本ウエハチャック1によればウエハ3の
熱変形が小さく抑えられるため、露光されるべき位置と
回路パターンの像の位置との高精度位置決めが達成され
る。
【0038】図11は、本発明のウエハチャックを用い
た電子線描画装置の一実施例を示す模式図である。電子
銃1101より発せられる電子線は、成形偏向系110
2,縮小レンズ系1103,収束偏向系1104を通過
し、6軸ステージ1105上に搭載された、本ウエハチ
ャック1上のウエハ3表面に照射され、回路パターンの
描画を行う。ウエハ3の描画されるべき位置と電子線が
照射される位置を正確に位置決めし、描画を行う。この
とき電子線等の熱によるウエハ3の熱変形は、位置決め
誤差となるが、本ウエハチャック1によればウエハ3の
熱変形が小さく抑えられるため、描画されるべき位置と
電子線が照射される位置との高精度位置決めが達成され
る。
【0039】図12は、本発明のウエハチャックを用い
たX線露光装置の一実施例を示す説明図である。X線源
1201より発せられるX線は、反射型マスク1202
で反射し、反射型結像光学系1203により縮小され、
6軸ステージ1204上に搭載された、本ウエハチャッ
ク1上のウエハ3表面に回路パターンの像を結ぶ。ウエ
ハ3の露光されるべき位置と回路パターンの像の位置を
正確に位置決めし、露光を行う。このとき露光等の熱に
よるウエハ3の熱変形は、位置決め誤差となるが、本ウ
エハチャック1によればウエハ3の熱変形が小さく抑え
られるため、露光されるべき位置と回路パターンの像の
位置との高精度位置決めが達成される。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、露光や電子線などのよ
うにウエハに照射される熱エネルギによる、ウエハの温
度上昇が抑制されるため、ウエハの熱変形の小さいウエ
ハチャックが供給される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウエハチャックの一実施例を示す分解
斜視図。
【図2】本発明のウエハチャック上に熱吸収板およびウ
エハが搭載された状態の断面図。
【図3】本発明の熱吸収板の支持方法の実施例を示す断
面図。
【図4】本発明の熱吸収板の支持方法の第二の実施例を
示す断面図。
【図5】本発明の熱吸収板の実施例を示す断面図。
【図6】本発明のウエハ及び熱吸収板の交換機構を示す
分解斜視図。
【図7】本発明の熱吸収板のウエハチャックへの固定方
法の実施例を示す断面図。
【図8】本発明の熱吸収部の一実施例を示す断面図。
【図9】本発明の熱吸収部の他の実施例を示す断面図。
【図10】本発明のウエハチャックを用いた縮小投影露
光装置を示す説明図。
【図11】本発明のウエハチャックを用いた電子線描画
装置を示す説明図。
【図12】本発明のウエハチャックを用いたX線露光装
置を示す説明図。
【図13】従来のウエハチャックの一例を示す断面図。
【図14】従来のウエハチャックの他の例を示す断面
図。
【符号の説明】
1…ウエハチャック、1A…突起部、2…熱吸収板、2
A…貫通孔、3…ウエハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 功 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 沼里 英彦 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウエハとの間に、ウエハチャック本体とは
    異種材料の熱吸収部をもつことを特徴とするウエハチャ
    ック。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記熱吸収部は金属な
    どの熱吸収板であり、ウエハチャック表面のウエハを支
    持するための突起部分に対応する位置に貫通孔をもつウ
    エハチャック。
  3. 【請求項3】請求項2において、前記熱吸収板をウエハ
    チャックに対して支持する支持部は点接触要素であるウ
    エハチャック。
  4. 【請求項4】請求項2において、前記熱吸収板をウエハ
    チャックに対して支持する支持部は、それによるウエハ
    の変形が問題とならない程度のばね定数をもち、熱吸収
    板をウエハに押し付けるウエハチャック。
  5. 【請求項5】請求項2において、前記熱吸収板は、波板
    状であり、それ自身のもつ、ウエハの変形が問題となら
    ない程度のばね定数により、ウエハに押し付けられるウ
    エハチャック。
  6. 【請求項6】請求項2において、前記熱吸収板は、ウエ
    ハ着脱機構と同様の機構により、着脱可能であるウエハ
    チャック。
  7. 【請求項7】請求項2において、前記熱吸収板は、ウエ
    ハチャックに接着されるウエハチャック。
  8. 【請求項8】請求項1において、前記熱吸収部はウエハ
    チャックと一体となる金属の層であるウエハチャック。
  9. 【請求項9】請求項8において、前記金属の層は、ウエ
    ハチャックの、ウエハの載置される全面に、メッキまた
    は蒸着などにより、形成され、研削加工により平面度を
    確保し、エッチングにより凹部を形成するウエハチャッ
    ク。
  10. 【請求項10】請求項1,2,3,4,5,6,7,8
    または9において、前記熱吸収部とウエハとの間隙に
    は、ヘリウムや水素などの熱伝導率の高い物質を充填す
    るウエハチャック。
  11. 【請求項11】請求項1,2,3,4,5,6,7,
    8,9または10に記載のウエハチャックを用いた縮小
    投影露光装置。
  12. 【請求項12】請求項1,2,3,4,5,6,7,
    8,9または10に記載のウエハチャックを用いた電子
    線描画装置。
  13. 【請求項13】請求項1,2,3,4,5,6,7,
    8,9または10に記載のウエハチャックを用いたX線
    露光装置。
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Cited By (7)

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