TWI445283B - 線圈、定位元件、致動器及微影裝置 - Google Patents

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Description

線圈、定位元件、致動器及微影裝置
本發明係關於一種線圈、定位元件、致動器及微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
在習知微影裝置中用以提供力以移動圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT之定位元件通常包括複數個致動器。該等致動器包括附接至該裝置之一部分的銅線圈，及附接至該裝置之另一部分的磁體總成。當將電流傳遞通過此線圈時，傳遞通過線圈之電流與藉由磁體產生之磁場的相互作用在裝置之兩個部分之間產生力。習知致動器之線圈係由以正循環方式(orthocyclic fashion)捲繞之絕緣導線形成。此線圈係由導電導線(例如，圍繞繞組軸線捲繞之銅導線)形成。為了防止銅導線之各別匝之間的短路，以電絕緣材料來包裝該導線。
在由正循環捲繞導線組成之習知線圈設計的情況下，通過線圈之熱傳輸較低。每一絕緣導線片段僅與鄰近導線片段進行線接觸，從而限制可傳導熱所跨越之區域。此外，用以使導線彼此電絕緣之材料傾向於為不良熱導體，從而總體上進一步減少跨越線圈之熱傳遞特性。因此，產生於線圈之內側上之熱的顯著部分耗散至在線圈周圍之環境，而非通過線圈傳遞至經配置成接近於線圈之冷卻元件。
為了避免此等缺點，內容全文以引用之方式併入本文中的US 6,891,600提議在微影裝置之定位元件中提供具有定子(stator)及平移器(translator)之平面馬達(planar motor)，定子及平移器中之一者包括週期性磁體結構，且定子及平移器中之另一者包括可載運電流之複數個線圈，線圈包括導電薄片材料條帶。此情形提供具有改良熱傳遞特性之線圈，因為熱係跨越導電薄片材料條帶之寬度進行傳遞。此情形係有益的，因為導電材料具有高於習知線圈設計中所使用之絕緣材料之熱導率的熱導率。歸因於薄片材料捲繞條帶之使用，獲得較好熱傳遞。
然而，由薄片材料條帶組成之線圈的缺點為：其具有相對銳利邊緣。結合線圈相對於其他物件(例如，冷卻板)之小距離的此等銳利邊緣在線圈之邊緣附近導致高電場強度。此情形為用於部分放電初始化之臨界體積，且更一般化地，為用於高場強度相關崩潰及功能壽命威脅效應之臨界體積。
需要提供一種馬達，該馬達包括沒有習知線圈類型及先前技術線圈之一或多個缺點的一線圈，該線圈包括一導電薄片材料條帶。
根據本發明之一實施例，提供一種用於一平面馬達或致動器之線圈，該線圈包括一薄片狀導電材料捲繞條帶，其中該線圈之一邊緣具備一圓形剖面。
根據本發明之一實施例，提供一種用以定位一物件之定位元件，該定位元件包括具有一定子及一平移器之一平面馬達，該定子及該平移器中之一者包括一週期性磁體結構，且該定子及該平移器中之另一者包括經調適以載運一電流之至少一線圈，其中該線圈包括一薄片狀導電材料捲繞條帶，其中該線圈之一邊緣具備一圓形剖面。
根據本發明之一實施例，提供一種致動器，其用以在將電流傳遞通過該致動器之一線圈時在兩個部分之間產生一力，該線圈包括一薄片狀導電材料捲繞條帶，其中該線圈之一邊緣具備一圓形剖面。
根據本發明之一實施例，提供一種微影投影裝置，該微影投影裝置包括：一輻射系統，其用以提供一投影輻射光束；一圖案化元件支撐件，其用以支撐一圖案化結構，該圖案化結構根據一所要圖案來圖案化該投影光束；一基板台，其用以固持一基板；一投影系統，其用以將該經圖案化光束投影至該基板之一目標部分上；及一定位元件，其用以定位該支撐結構及該基板台中之至少一者，該定位元件包括具有一定子及一平移器之一平面馬達，該定子及該平移器中之一第一者包括一週期性磁體結構，且該定子及該平移器中之一第二者包括經調適以載運一電流之至少一線圈，其中該線圈包括一薄片狀導電材料捲繞條帶，且其中該線圈之一外邊緣具備一圓形剖面。
根據本發明之一實施例，提供一種微影投影裝置，該微影投影裝置包括：一輻射系統，其用以提供一投影輻射光束；一支撐結構，其用以支撐一圖案化結構，該圖案化結構根據一所要圖案來圖案化該投影光束；一基板台，其用以固持一基板；一投影系統，其用以將該經圖案化光束投影至該基板之一目標部分上；及一致動器，其用以在將電流傳遞通過該致動器之一線圈時在該微影裝置之兩個組件之間產生一力，該線圈包括一薄片狀導電材料捲繞條帶，其中該線圈之一邊緣具備一圓形剖面。
在一實施例中，該邊緣係藉由該線圈之兩個實質上垂直表面的相交界定。在另一實施例中，該線圈具有一實質上圓柱體形狀，且該邊緣係界定於該圓柱體形狀之一基底的一外周邊處。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化元件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位元件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位元件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化元件支撐件以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化元件支撐件可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化元件(例如，光罩)與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位元件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位元件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位元件PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
第二定位器PW包括平面馬達MO，平面馬達MO包括藉由複數個線圈形成之定子ST，及藉由永久磁體結構形成之平移器TR。
圖2示意性地描繪此平面馬達MO之可能佈局。定子係藉由磁體板1形成，磁體板1係藉由形成正方形之圖案的對角線示意性地表示。平面馬達之平移器係藉由經配置為4個線圈單元2、3、4、5之12個線圈示意性地描繪，每一線圈單元包括三個線圈2a、2b、2c。
此平面馬達配置良好地適用於真空應用中，因為馬達可產生用於加速及減速之水平力，而且可產生垂直力以使平移器自磁體板飄浮，使得平移器可在水平平面中無摩擦地移動。因此，無需分離之軸承。
已發現輕量鋁箔片線圈之使用對於此等應用係有益的。舉例而言，以引用之方式併入本文中的WO 01/18944A中描述平面馬達之另外細節。
圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例的線圈，其係藉由元件符號10大體上指示。線圈10包括厚度在約50微米與150微米之間(例如，為大約60微米)的鋁薄片11。薄片11係圍繞繞組軸線A-A進行捲繞。任何薄片或薄片狀形狀均可用作根據本發明之一實施例之線圈的基礎。
材料薄片之寬度較佳地係在大約3毫米至20毫米之間(例如，為約10毫米)。線圈可包括數目在約100與300之間的匝，且具有大約40毫米之最大外部寬度及大約350毫米之外部長度。線圈10亦可由可形成為所需薄片狀捲繞形狀之其他導電材料(諸如銅)形成。
為了防止線圈之各別匝之間的電短路，在該等匝之間提供非導電材料。此材料可以分離絕緣層之形式，該分離絕緣層在導電材料條帶被捲繞成線圈形狀之前黏結至該導電材料條帶。然而，如圖3所示，導電材料薄片11具有形成於其上之非導電材料整體表面12。當將薄片11捲繞成線圈形狀時，非導電表面12防止線圈之各別匝之間的電短路。
因為線圈係由鋁形成，所以藉由陽極化該鋁，或者藉由化學程序，或藉由將整體表面12曝露至氧，該表面可由Al2 O3 形成。可有益地控制陽極化程序，以在鋁條帶21之表面上產生Al2 O3 之均一厚度。較佳地，Al2 O3 層之厚度為至少大約5微米。
冷卻元件20經配置成鄰近於線圈10之上側13及下側14，且較佳地附接至線圈10之上側13及下側14。可將冷卻劑流提供至入口21且自出口22提取冷卻劑流，以移除藉由各別冷卻元件20吸收之熱。冷卻元件20與供以形成線圈材料之薄片材料條帶12之頂側13及下側14進行直接熱接觸。因此，藉由傳遞通過線圈10之電流而產生於線圈10中的熱可直接自薄片材料條帶傳遞至冷卻元件20，而不跨越絕緣材料之顯著截面進行傳遞。薄絕緣材料層在薄片材料條帶之頂側13與上部冷卻元件20之間及在下側14與下部冷卻元件20之間可為理想的，以防止線圈之各別匝與各別冷卻元件20之間的短路。
導電材料剖面元件16經配置成鄰近於捲繞薄片11之外側。導電剖面元件16具有實質上矩形橫截面，其中在矩形之一側處具有圓形邊緣，藉以，橫截面之另一側經置放成相抵於鋁材料捲繞薄片11。剖面自捲繞薄片材料11之上部外邊緣15延伸至下部外邊緣18。剖面元件16圍繞線圈16之圓周延伸大約一個繞組。結果，線圈10之上部外邊緣及下部外邊緣具有圓形剖面。
導電剖面元件11可連接至與導電材料薄片11之電位相同的電位。此連接可為直接的或經由額外電阻。在一替代實施例中，可圍繞線圈之圓周提供多個剖面元件，以在線圈之至少一邊緣處提供圓形剖面。
剖面元件16可由任何適當導電材料(諸如銅或鋁或其合金，或任何其他導電材料)製成。
剖面元件11之半徑且因此圓形剖面之半徑為約0.005毫米至5毫米，較佳地為約0.1毫米至0.5毫米。
線圈之邊緣處之圓形剖面的益處為：避免場強度中之高峰值，該高峰值係歸因於結合線圈10相對於其他物件(特別係冷卻元件20)之小距離的捲繞薄片之銳利邊緣15、18。
當需要在線圈之任何其他邊緣處提供圓形剖面時，可在該各別邊緣處提供一或多個導電剖面元件。舉例而言，為了在捲繞薄片11之內邊緣處提供圓形剖面，可提供導電剖面17(以虛線展示)。
在替代實施例中，剖面元件16可具有任何其他適當橫截面，以在線圈10之邊緣處提供圓形剖面。
圖4展示(例如)導電剖面元件16，其具有半圓形橫截面，藉以，橫截面之扁平側經置放成相抵於鋁材料捲繞薄片。剖面元件16圍繞線圈16之圓周延伸大約一個繞組。圖4之剖面元件16在線圈之上部外邊緣處提供圓形剖面。
在圖4之實施例中，僅存在提供於線圈10之頂部處的一個冷卻元件20。適當材料(例如，非導電材料)板30可附接至線圈10之下側14，以防止由於任何衝擊而對該線圈造成之損害。
在需要時，另外剖面元件17可配置於線圈之邊緣處，以在線圈之其他邊緣處提供圓形剖面(以虛線展示)。舉例而言，當板30將由導電材料(例如，不鏽鋼)製成時，或當冷卻元件將配置於線圈之下側處時，此情形可為理想的。
圖5至圖7展示具備圓形剖面之線圈的另外替代實施例。在所示實施例中，圓形剖面提供於導電材料條帶15之上部外邊緣15處。然而，在需要時，圓形剖面亦可提供於捲繞條帶11之任何其他邊緣處。線圈10及板30之部分與圖3及圖4所示之部分相同，且係藉由相同元件符號指示(除非另有描述)。
在圖5之實施例中，已使薄片11之外繞組逐漸地愈來愈低，以在捲繞薄片11之上部外邊緣15處提供圓形剖面。在此實施例中，此外邊緣15亦形成線圈10之外邊緣。此實施例之益處為：不必提供分離元件，但製造此線圈可能更困難。
可在捲繞導電材料薄片11之前或之後使外繞組愈來愈低，例如，藉由在捲繞箔片之前或之後於捲繞或精密機械加工之前切割該薄片，接著進行適當處理以(例如)藉由陽極化來恢復絕緣屬性，或藉由以絕緣塗層(例如，聚(對茬)聚合物(聚對二甲苯基)或其他適當介電質)來覆蓋導電材料。
在圖5中，似乎是將大量繞組用於形成圓形剖面。然而，在一實施例中，存在許多繞組，且僅須使用有限數目個繞組來提供線圈之邊緣的圓形剖面。
在圖6中，展示線圈之一實施例，其中剖面元件16配置於導電材料捲繞條帶11之上部外邊緣15處。剖面元件16具有圓之四分之三的橫截面。在缺失之四分之一的空間40中，置放捲繞薄片11之上部外邊緣15，使得圓之四分之三在線圈之上部外邊緣處提供圓形剖面。作為圖6之剖面元件16的替代例，亦可圍繞邊緣15彎曲導電可彎曲材料條帶(諸如鋁條帶)，以在此邊緣上提供圓形剖面。
圖7展示一實施例，其中在導電材料條帶11之外繞組中，高度已經調適成使得在捲繞該條帶11之後，將矩形空間45提供於條帶11之外上部邊緣16處。在此空間45中，配置具有四分之一圓之橫截面的狹長剖面元件16。弧形側配置於線圈10之上部外側處，使得線圈10具備圓形剖面。
在上文中，已描述在定位元件之平面馬達中線圈之提供。本發明之線圈亦可用於其他應用中，諸如微影裝置中之任何致動器(例如，用於致動圖案化元件支撐件或基板台)，或線圈用於微影場內及微影場外的其他應用。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
雖然上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1．．．磁體板
2．．．線圈單元
2a．．．線圈
2b．．．線圈
2c．．．線圈
3．．．線圈單元
4．．．線圈單元
5．．．線圈單元
10．．．線圈
11．．．鋁薄片/捲繞薄片材料/捲繞條帶
12．．．非導電表面/薄片材料條帶
13．．．上側/頂側
14．．．下側
15．．．上部外邊緣/銳利邊緣
16．．．剖面元件
17．．．導電剖面/剖面元件
18．．．下部外邊緣/銳利邊緣
20．．．冷卻元件
21．．．入口
22．．．出口
30．．．板
40．．．空間
45．．．矩形空間
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化元件對準標記
M2．．．圖案化元件對準標記
MA．．．圖案化元件
MO．．．平面馬達
MT．．．圖案化元件支撐件/支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位元件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位元件/第二定位器
SO．．．輻射源
ST．．．定子
TR．．．平移器
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪包括根據本發明之線圈的平面馬達；
圖3描繪根據本發明之線圈的實施例；及
圖4至圖7描繪根據本發明之線圈的替代實施例。
10．．．線圈
11．．．鋁薄片/捲繞薄片材料/捲繞條帶
12．．．非導電表面/薄片材料條帶
13．．．上側/頂側
14．．．下側
15．．．上部外邊緣/銳利邊緣
16．．．剖面元件
17．．．導電剖面/剖面元件
18．．．下部外邊緣/銳利邊緣
20．．．冷卻元件
21．．．入口
22．．．出口

Claims (11)

  1. 一種用於一平面馬達或致動器之線圈，該線圈包含：一薄片狀導電材料捲繞條帶(wound strip)，該捲繞條帶對著一軸捲繞，該線圈具有一實質上的圓柱狀；由該材料製成並實質上垂直於該軸的一平坦的頂部分及底部分，其中由該導電材料製成的該線圈的一邊緣在其實質上一整個長度範圍實質上平行於該軸，且由該邊緣與該平坦頂部分或底部分間的一相交所界定的該線圈的一外邊緣具有一圓形剖面。
  2. 如請求項1之線圈，其中該圓形剖面係藉由圍繞該薄片狀導電材料捲繞條帶所配置之一導電剖面元件形成。
  3. 如請求項2之線圈，其中該薄片狀導電材料條帶及該導電剖面元件連接至一相同電位。
  4. 如請求項1之線圈，其中該薄片狀導電材料條帶之至少一邊緣部分為圓形以形成該圓形剖面。
  5. 如請求項1之線圈，其中該圓形剖面係藉由該薄片狀導電材料捲繞條帶之複數個外繞組形成，該等外繞組經塑形以形成該圓形剖面。
  6. 如請求項5之線圈，其中該等外繞組經機械加工以獲得該圓形剖面，且其中在機械加工之後，藉由適當處理來恢復絕緣屬性。
  7. 一種用以定位一物件之定位元件，該元件包含具有一定子及一平移器(translator)之一平面馬達，該定子及該平 移器中之一第一者包含一週期性磁體結構，且該定子及該平移器中之一第二者包含經調適以載運一電流之一線圈，其中該線圈包含：一薄片狀導電材料捲繞條帶，該捲繞條帶對著一軸捲繞，該線圈具有一實質上的圓柱狀，及由該材料製成並實質上垂直於該軸的一平坦的頂部分及底部分，其中由該導電材料所製成的該線圈之一邊緣在其實質上一整個長度範圍實質上平行於該軸，且其中由該邊緣與該平坦頂部分或底部分間的一相交所界定的該線圈的一外邊緣具有一圓形剖面。
  8. 如請求項7之定位元件，其中該平面馬達進一步包含鄰近於該線圈且與該線圈進行熱接觸之一冷卻元件，且其中該圓形剖面經配置成鄰近於該冷卻元件。
  9. 一種致動器，其經組態以在將電流傳遞通過該致動器之一線圈時在兩個部分之間產生一力，該線圈包含：一薄片狀導電材料捲繞條帶，該捲繞條帶對著一軸捲繞，該線圈具有一實質上的圓柱狀，及由該材料製成並實質上垂直於該軸的一平坦的頂部分及底部分，其中由該導電材料所製成的該線圈之一邊緣在其實質上一整個長度範圍實質上平行於該軸，且其中由該邊緣與該平坦頂部分或底部分間的一相交所界定的該線圈的一外邊緣具有一圓形剖面。
  10. 一種微影投影裝置，其包含：一圖案化元件支撐件，其用以支撐一圖案化結構，該 圖案化結構經組態以根據一所要圖案來圖案化一投影光束以形成一經圖案化光束；一基板台，其用以固持一基板；一投影系統，其用以將該經圖案化光束投影至該基板之一目標部分上；及一定位元件，其用以定位該支撐結構及該基板台中之一者，該定位元件包含具有一定子及一平移器之一平面馬達，該定子及該平移器中之一第一者包含一週期性磁體結構，且該定子及該平移器中之一第二者包含經調適以載運一電流之一線圈，其中該線圈包含一薄片狀導電材料捲繞條帶，該捲繞條帶對著一軸捲繞，該線圈具有一實質上的圓柱狀，及由該材料製成並實質上垂直於該軸的一平坦的頂部分及底部分，且其中由該導電材料所製成的該線圈之一邊緣在其實質上一整個長度範圍實質上平行於該軸，且其中由該邊緣與該平坦頂部分或底部分間的一相交所界定的該線圈的一外邊緣具有一圓形剖面。
  11. 一種微影投影裝置，其包含：一圖案化元件支撐件，其用以支撐一圖案化結構，該圖案化結構經組態以根據一所要圖案來圖案化一投影光束以形成一經圖案化光束；一基板台，其用以固持一基板；一投影系統，其用以將該經圖案化光束投影至該基板之一目標部分上；及 一致動器，其用以在將電流傳遞通過該致動器之一線圈時在該微影裝置之兩個組件之間產生一力，該線圈包含一薄片狀導電材料捲繞條帶，該捲繞條帶對著一軸捲繞，該線圈具有一實質上的圓柱狀，及由該材料製成並實質上垂直於該軸的一平坦的頂部分及底部分，其中由該導電材料所製成的該線圈之一邊緣在其實質上一整個長度範圍實質上平行於該軸，且其中由該邊緣與該平坦頂部分或底部分間的一相交所界定的該線圈的一外邊緣具有一圓形剖面。
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