DE69500566T2 - Elektrostatische Halteplatte - Google Patents

Elektrostatische Halteplatte

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich allgemein auf elektrostatische Halteplatten zum Festhalten von Halbleiterwafern in Verarbeitungskammern und insbesondere auf beträchtliche Verbesserungen, die die Waferkühlung steigern und die Lebensdauer von Halteplatten dieses Typs verlängern.
  • Elektrostatische Halteplatten werden in Halbleiterverarbeitungskammern zum Festhalten einzelner Halbleitersubstrate oder Wafer auf einer Trägerplatte in der Kammer verwendet. Eine elektrostatische Halteplatte weist typischerweise eine dielektrische Schicht und eine Elektrode auf. Ein Halbleiterwafer wird in Kontakt mit der dielektrischen Schicht gebracht, und eine Gleichspannung wird zum Bilden einer elektrostatischen Anziehungskraft zum Halten des Wafers auf der Halteplatte an die Elektrode angelegt. Halteplatten dieses Typs sind vor allem in Vakuumverarbeitungsumgebungen nützlich, bei denen der Differenzdruck zum Festhalten des Wafers nicht ausreicht oder bei denen ein mechanisches Einspannen des Wafers nicht erwünscht ist. Eine Verarbeitungsumgebung, in der die elektrostatische Halteplatte oft eingesetzt wird ist das Plasmaätzverfahren.
  • Eine elektrostatische Halteplatte kann zwar unter Verwendung nur einer einzigen dielektrischen Schicht und einer Elektrode gebildet werden, doch weist eine typischere Anordnung ein dünnes, aus Schichten aufgebautes Element auf mit einem Elektrodenkern, der vorzugsweise eine dünne Kupferschicht ist, die zwischen einer oberen und einer unteren dielektrischen Schicht oder einem organischen Material, wie zum Beispiel Polyimid, liegt. Eine Polyimid-Klebeschicht kann zum Zusammenfügen dieser Schichten in eine ein Stück bildende Laminatfolie und zum Befestigen der Schichtstruktur an der Trägerplatte in der Kammer verwendet werden. In der US-A-5 255 153 ist eine solche Anordnung offenbart.
  • Die obere und die untere Polyimidschicht kommen am umlaufenden Rand der Elektrode zusammen, so daß die Kupferelektrode in der Verarbeitungskammer nicht offenliegt, die normalerweise Plasma enthält, das das Kupfer beschädigen würde. Im Betrieb ist die Kupferelektrode mit einer Spannungsquelle verbunden und wirkt als Anode. Die Funktionsprinzipien elektrostatischer Halteplatten sind bekannt und für die vorliegende Erfindung nicht wesentlich. Es reicht aus festzustellen, daß ein über der Halteplatte gebildetes elektrisches Feld zu einer gegenseitigen Anziehung zwischen der Halteplatte und einem mit der Schichtstruktur in Kontakt gebrachten Halbleiterwafer führt.
  • Viele Prozesse, denen Wafer unterworfen werden, führen zur Bildung von Wärme, und es muß daher eine Einrichtung zum Kühlen des Wafers auf eine annehmbare Verarbeitungstemperatur zum Verhindern von Wärmeschäden vorgesehen sein. Bei den meisten bekannten elektrostatischen Halteplatten wird durch eine zentrale Öffnung in der Halteplatte unter den Halbleiterwafer Heliumgas eingeführt, das dann über ein Rillensystem in der Schichtstruktur auf der Halteplatte verteilt wird. Verschiedene Rillenmuster sind bisher verwendet worden bei dem Versuch, das Kühlgas gleichmäßig über die Waferoberfläche zu verteilen, die im allgemeinen kreisförmig ist. Eine bei diesem Kühlverfahren auftretende Schwierigkeit verhindert ein gleichmäßiges Kühlen nahe des Waferrands. Wenn sich die Rillen bis ganz zum Waferrand hin fortsetzen, entweicht sehr viel Gas, wodurch der Kühleffekt, vor allem am Rand, verringert wird. Bei den meisten Konstruktionen hören die Rillen vor Erreichen des Rands auf. Bei manchen Konstruktionen setzen sich radial verlaufende Rillen in sekundären Rillen am Rand fort, und die sekundären Rillen können über eine kurze Strecke kreisförmig verlaufen, bevor sie enden. Bei allen diesen Konstruktionen erwärmt sich jedoch der Wafer unerwünscht in der Nähe seines äußeren Rands.
  • Ein weiterer Nachteil bekannter elektrostatischer Halteplatten kommt von der Art, in der die Schichtstruktur aus Polyimid und Kupfer auf der Halteplattenträgerplatte gebildet wird. Eine erste Schicht Polyimid wird auf die Trägerplatte aufgebracht, und dann wird die Kupferelektrode auf das Polyimid abgelegt. Natürlich kann sich die Kupferschicht nicht bis ganz zum Rand des Polyimids erstrecken, weil sich die Polyimidschichten überlappen und das Kupfer an seinem äußeren Rand dicht umschließen müssen. Wenn die zweite Polyimidschicht über das Kupfer aufgebracht wird, ist die Gesamtdicke am Rand des Polyimids geringer (die Dicke von zwei Polyimidschichten) als die gesamte Dicke der Schichtstruktur mit dem Kupfer. Es ist daher eine umlaufende Stufe am äußeren Rand der Kupferschicht. Diese umlaufende Stufe hat zwei nachteilige Auswirkungen auf die Funktionsweise der elektrostatischen Halteplatte. Erstens ist aufgrund der Stufe nur ein sehr kleiner Bereich außerhalb des Außendurchmessers der Kupferschicht mit dem Wafer in Kontakt. Aus diesem Grund ist die Wahrscheinlichkeit hoch, daß Helium am Waferrand entweicht und daß der Randbereich des Wafers sich zu sehr erwärmt. Eine zweite Auswirkung der Abstufung am äußeren Rand der Schichtstruktur ist, daß der äußere Rand der Kupferschicht von der schädlichen Kammerumgebung nur durch eine sehr dünne Polyimidschicht getrennt ist, deren Dicke ungefähr die gleiche ist wie die der oberen Polyimidschicht. Wenn diese Schicht einmal durch das Prozessplasma in der Kammer wegerodiert wurde, muß die Halteplatte ersetzt werden. Polyimid und andere organische Materialien haben gegenüber vielen Prozeßgasen und Plasmen eine relative geringe Toleranz. Das Vorsehen einer guten Isolierschicht um die Elektrode herum ist daher eine wichtige Überlegung.
  • Aus dem Vorhergehenden ist ersichtlich, daß ein Bedarf an der Verbesserung elektrostatischer Halteplatten besteht. Was vor allem benötigt wird, ist eine verbesserte Halteplattenkonstruktion, bei der die Kühlung am Rand des Wafers verbessert und die Lebensdauer der Halteplatte verlängert wird. Die vorliegende Erfindung befriedigt diesen Bedarf, wie aus der folgenden Zusammenfassung hervorgeht.
  • Durch die Erfindung ist eine elektrostatische Halteplatte vorgesehen, mit einer Trägerplatte zum Tragen eines Werkstücks; einer auf der Trägerplatte angebrachten Schichtstruktur mit einer isolierten Elektrode, durch die bei Anlegen einer Spannung an die Elektrode das Werkstück elektrostatisch auf der Schichtstruktur gehalten wird; und mehreren Löchern die durch die Trägerplatte und die Schichtstruktur reichen und zum Leiten von Gas zum Kühlen des Werkstücks von unten dienen, wobei viele der Löcher nahe dem äußeren Rand des Werkstücks liegen; wobei die Trägerplatte einen Kühlgasbehälter aufweist, der unter der Trägerplatte ausgebildet ist und sich über alle Löcher hinweg erstreckt, sowie eine Kühlgaszuleitung in den Behälter; und die Schichtstruktur eine erste über der Trägerplatte angebrachte Isolierschicht, eine Elektrodenschicht über der ersten Isolierschicht und eine zweite Isolierschicht über der Elektrode und um die Elektrodenschicht herum mit der ersten Isolierschicht verschmelzend zum Isolieren des Elektrodenmaterials von einer Verarbeitungsumgebung aufweist, in der die elektrostatische Halteplatte installiert ist; wobei die Trägerplatte eine in einer oberen Oberfläche der Trägerplatte ausgebildete Vertiefung aufweist, wobei die erste Isolierschicht der Vertiefung in der oberen Oberfläche der Trägerplatte folgt, wodurch eine Vertiefung in der oberen Oberfläche der ersten Isolierschicht geschaffen wird, wobei die Elektrodenschicht die Vertiefung füllt und über die Vertiefung in der Isolierschicht hinaus mit dem äußeren Rand der Isolierschicht eine zusammengesetzte obere Oberfläche bildet, die die zweite Isolierschicht aufnimmt.
  • Vorzugsweise bildet die erste Isolierschicht eine obere Oberfläche, die einen vertieften Bereich aufweist, der in Tiefe und Ausdehnung ungefähr der Vertiefung in der Trägerplatte entspricht, und die Elektrodenschicht sich über die erste Isolierschicht erstreckt und im wesentlichen den vertieften Bereich in dessen oberer Oberfläche ausfüllt und eine zusammengesetzte obere Oberfläche bildet, die im wesentlichen planar ist.
  • Insbesondere bildet die zweite Isolierschicht eine obere Oberfläche, die über die gesamte Breite der Schichtstruktur im wesentlichen planar ist, wodurch über den äußeren Rand der Elektrode hinaus und über die gesamte Schichtstruktur hinweg Kontakt mit dem Werkstück hergestellt wird und wodurch die Elektrode in eine weite Entfernung von den Einwirkungen der Verarbeitungsumgebung gebracht und die Lebensdauer der elektrostatischen Halteplatte verlängert wird.
  • Aus dem Vorhergehenden ist ersichtlich, daß die vorliegende Erfindung eine bedeutende Weiterentwicklung auf dem Gebiet elektrostatischer Halteplatten darstellt. Insbesondere wird durch die Erfindung eine Halteplatte vorgesehen, bei der ein Überhitzen des Randbereichs so gut wie ausgeschlossen wird und Temperaturgradienten wesentlich verringert werden. Außerdem wird durch die Konfiguration der Schichtstruktur der Halteplatte ein besserer Kontakt mit dem Wafer in seinem äußeren Bereich und eine längere Lebensdauer für die Halteplatte erreicht.
  • Andere Aspekte und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierteren Beschreibung anhand der Zeichnungen deutlich. Es zeigt:
  • Fig. 1 eine Draufsicht einer elektrostatischen Halteplatte des Standes der Technik, bei der radial verlaufende Kühlrillen zu sehen sind, die von einer mittig angeordneten Kühlzufuhröffnung in der Trägerplatte der Halteplatte ausgehen;
  • Fig. 2 einen Schnitt durch die bekannte Halteplatte von Fig. 1, im wesentlichen entlang der Linie 2-2;
  • Fig. 3A und 3B schematische Draufsichten elektrostatischer Halteplatten des Standes der Technik, bei denen zwei alternative Kühlrillenanordnungen gezeigt sind;
  • Fig. 4 eine vergrößerte Teil-Schnittdarstellung einer elektrostatischen Halteplatte des Standes der Technik, in der ein Teil von auf der Trägerplatte der Halteplatte gebildeten Polyimid- und Kupferschichten dargestellt ist;
  • Fig. 5 eine Draufsicht einer erfindungsgemäßen elektrostatischen Halteplatte, bei der in der Trägerplatte der Halteplatte viele Löcher gebildet sind;
  • Fig. 6 einen Schnitt durch die elektrostatische Halteplatte von Fig. 5, im wesentlichen entlang der Linie 6-6;
  • Fig. 7 eine Teil-Schnittdarstellung einer elektrostatischen Halteplatte des Standes der Technik, wobei der Schnitt im wesentlichen entlang der Linie 7-7 von Fig. 1 vorgenommen wurde und wobei gezeigt ist, wie die Schichtstruktur aus Polyimid- und Kupferschichten auf der Trägerplatte der Halteplatte gebildet werden; und
  • Fig. 8 eine Teil-Schnittdarstellung ähnlich Fig. 7, bei der jedoch eine erfindungsgemäße Struktur gezeigt wird.
  • Wie in den Zeichnungen zum Zweck der Illustration gezeigt, bezieht sich die vorliegende Erfindung auf Verbesserungen an elektrostatischen Halteplatten. Wie in Fig. 1 und 2 gezeigt, weist eine typische elektrostatische Halteplatte eine Trägerplatte 10 auf, auf der eine vielschichtige (noch zu beschreibende) Schichtstruktur 12 angebracht ist. Eine mittige Öffnung 13 in der Trägerplatte 10 erstreckt sich von unten nach oben durch die Schichtstruktur 12 und steht mit Rillen 14 in Verbindung, die sich von der Mittenöffnung radial über die Schichtstruktur hinweg erstrecken. Die Trägerplatte ist durch Schrauben 16 auf einer Trägerplattenhalterung 15 angebracht. Ein ringförmiger Dichtungskragen 17 ist auf der Trägerplatte angebracht. Der Oberseite der Trägerplatte 10 und die Schichtstruktur 12 sind im wesentlichen kreisförmig, was dem Umriß eines auf der Schichtstruktur aufliegenden Halbleiterwafers 18 entspricht. Wie am besten in Fig. 4 gezeigt weist die Schichtstruktur 12 eine untere Polyimidschicht 20, eine Kupferelektrodenschicht 22 und eine obere Polyimidschicht 24 auf. Die obere Polyimidschicht 24 ist am Rand der Kupferschicht 22, sowohl am äußeren Rand der Schichtstruktur 12 als auch entlang der Ränder jeder der Rillen 14, von denen eine in Fig. 4 gezeigt ist, mit der unteren Polyimidschicht 20 verschmolzen und verschweißt.
  • Fig. 3A und 3B zeigen alternative Rillenkonfigurationen, die in der Vergangenheit verwendet wurden. Bei der Konfiguration von Fig. 3A mündet jede der radialen Rillen 14 in eine bogen- oder kreissegmentförmige Rille 14', die sich am Rand der Schichtstruktur 12 hin erstreckt. Bei der Konfiguration von Fig. 3B mündet jede der radialen Rillen 14 in zusätzliche Rillenzweige 14", die sich in verschiedenen Richtungen zum Schichtstrukturrand hin erstrecken. Diese und andere Konfigurationen sind allesamt Versuche, genügend Kühlgas in die Nähe des Rands des Wafers 18 zu bringen, ohne die Rillen so nah am Rand anzubringen, daß übermäßig viel Gas verloren geht. Alle diese Konfigurationen haben den gleichen Nachteil: Überhitzen des Waferrandbereichs. In allen Fällen geschieht eine geringe Wärmeübertragung und elektrostatischer Einspanndruck im Bereich der Rillen und am Waferrand entstehen große Temperaturgradienten.
  • Ein weiterer beträchtlicher Nachteil bekannter elektrostatischer Halteplatten ist in Fig. 7 dargestellt, in der ein Randbereich der Schichtstruktur 12 und Wafer 18 detailliert gezeigt sind. Die Schichtstruktur 12 wird gebildet, indem zuerst die untere Polyimidschicht 20 auf der Trägerplatte 10, dann die Kupferschicht 22 über der unteren Polyimidschicht 20 und schließlich die obere Polyimidschicht 24 über den ersten beiden Schichten 20 und 22 aufgebracht wird. Notwendigerweise wird bei dieser Konstruktion eine ringförmige Lücke 30 zwischen der oberen Polyimidschicht 24 und dem Wafer 18 gelassen, da die Dicke der beiden Polyimidschichten geringer ist als die kombinierte Dicke der beiden Polyimidschichten mit der Kupferschicht. Diese Schichtstrukturkonstruktion hat zwei nachteilige Auswirkungen. Erstens, weil der Wafer 18 im Bereich der Lücke 30 nicht von der Schichtstruktur 12 unterstützt wird, erstreckt sich der Wafer-Schichtstruktur-Kontaktbereich nur sehr wenig über den Außendurchmesser der Kupferschicht 22 hinaus. Elektrostatische Einspannkraft entwickelt sich nicht über den äußeren Rand der Kupferschicht 22 hinaus. Daher gelangt mit einem Druck von einigen Torr, bis zu 20 Torr, bereitgestelltes Heliumkühlgas über diesen kleinen Bereich in die Verarbeitungskammer. Dieses Austreten von Kühlgas führt zu geringeren Gasdrücken und höheren Temperaturen am Waferrand. Die Größe der Kupferelektrode 22 ist durch die Größe der Trägerplatte 10 und durch die Anforderung eines Mindestüberlappens (ungefähr 1,5 mm) der Polyimidschichten 20 und 24 eingeschränkt.
  • Der zweite nachteilige Effekt der ringförmigen Lücke 30 ist, daß aufgrund der Anwesenheit von Plasma in der Lücke die geringste Abdichtdicke die Entfernung 31 zwischen dem äußeren Rand der Kupferschicht 22 und der ringförmigen Lücke 30 ist. Bei bekannten Halteplatten ist diese Entfernung annähernd die Dicke einer der Polyimidschichten, d.h. ungefähr 0,025 bis 0,050 mm. Diese kleine Isolierdicke führt zu einer relativ geringen Lebensdauer der Halteplatte.
  • Gemäß eines wichtigen Aspekts der Erfindung und wie in Fig. 8 gezeigt, wird die Schichtstruktur 12 so gebildet, daß sie nach oben hin eine planare Oberfläche bildet, die sich weit über den Außendurchmesser des Kupferschicht 22 hinaus erstreckt. Insbesondere ist die Kupferschicht 22' in die untere Polyimidschicht 20' eingelassen, und diese beiden Schichten bilden eine planare Oberfläche, auf der die obere Polyimidschicht 24' gebildet wird. Das Einlassen der Kupferschicht 22' um eine entsprechende Tiefe kann so geschehen, daß zuerst eine runde Vertiefung in der oberen Oberfläche der Trägerplatte 10 angebracht wird, indem eine Ausbohrung vorgenommen wird, deren Durchmesser um ungefähr 0,1 bis 0,2 mm größer ist als der Durchmesser der Kupferelektrode 22'. Die Tiefe der Vertiefung ist die gleiche wie die Dicke der Kupferelektrode 22', d.h. ungefähr 0,040 mm. Dann füllt die unter Polyimidschicht 20' die Vertiefung in der Trägerplatte 10 und bildet eine entsprechende Vertiefung in der oberen Oberfläche der unteren Polyimidschicht, in die die Kupferschicht 22' eingebracht wird.
  • Diese Konstruktion überwindet die im Zusammenhang mit Fig. 7 erörterten Nachteile des Standes der Technik. Aufgrund der planaren oberen Oberfläche der Schichtstruktur 12, die weit über den Außendurchmesser der Kupferschicht 22' hinausgeht, bieten insbesondere die äußeren Bereiche des Wafers 18 eine größere Kontaktfläche mit der Schichtstruktur, und das Entweichen am Rand wird verringert. Außerdem ist die ringförmige Lücke 30 von Fig. 7 in Fig. 8 nicht mehr vorhanden, und die geringste Isolierdicke zwischen der Kupferschicht 22' und dem Plasma wird auf ungefährt 1,5 mm erhöht, d.h. um einen Faktor 30 oder mehr. Dadurch wird die Lebensdauer der Halteplatte wesentlich verlängert, und ihre Verarbeitungsleistung wird erhöht.
  • Ein weiterer wichtiger Aspekt der Erfindung ist die Verwendung von vielen Öffnungen zum Zuleiten von Kühlgas auf die untere Oberfläche des Wafers 18. Dies ist in Fig. 5 und 6 dargestellt: Eine Trägerplatte 34 ist mit einem Kühlmittelbehälter 36 versehen, der sich unten über die Trägerplatte hin erstreckt und teilweise durch eine kreisförmige Platte 38 gebildet wird, die mit Schrauben 40 auf der Trägerplatte befestigt ist. Kühlgas wird durch einen einzigen Einlaß 42, der am Rand des Behälters angeordnet sein kann, in den Behälter 36 eingeführt, und Dichtungsringe 44 dichten den Behälter ab. Viele Löcher 46 führen durch die Trägerplatte zu ihrer oberen Oberfläche. Löcher sind an entsprechenden (nicht dargestellten) Stellen auch in der Schichtstruktur angebracht, in ähnlicher Weise wie bei bekannten Strukturen Rillen angebracht sind. (Siehe Fig. 4) Es können bis zu 100 bis 200 Löcher vorhanden sein, von denen viele nahe des Rands der Schichtstruktur 12 angebracht sind. Die Löcher 46 haben einen kleinen Durchmesser (z.B. 0,25 bis 0,50 mm) und verjüngen sich vorzugsweise am oberen Ende bzw. am Auslaß
  • Ein Test eines erfindungsgemäße Prototyps eines Wolfram- Rückätzverfahrens führte zu einer Gesamtverringerung der Wafertemperatur um ungefähr 10ºC und einer Verringerung der Wafertemperatur am Rand von 80ºC auf ungefähr 60-65ºC. Außerdem wurde der Temperaturgradient zwischen der Wafermitte und dem Rand von 15-20ºC auf 6-10ºC verringert. Im Gegensatz zu den bei bekannten elektrostatischen Halteplatten auftretenden Schwierigkeiten wurden bei der Verwendung der erfindungsgemäßen Halteplatte wiederholbare und annehmbare Prozeßergebnisse erzielt.
  • Aus den Testergebnissen am Prototyp der Erfindung scheint es, daß ein Heliumverlust am Waferrand, der bei bekannten Halteplatten als zu groß gegolten hätte, bei dem Verfahren nicht schädlich ist, wenn die Halteplatte eine genügende Wärmeleitfähigkeit aufweist und genügend mit Hehum versorgt wird, daß der Verlust am Waferrand wieder ausgeglichen wird. Bei bekannten Halteplatten geht am Rand ungefähr 0,2 bis 1,0 sccm (standard cubic centimeters per minute/Standard-Kubikzentimeter pro Minute) verloren, doch zeigte bei der erfindungsgemäßen Halteplatte ein Velust im Bereich von 2-5 sccm bei einem Druck von 9 Torr keine merklichen Auswirkungen auf den Prozeß. Der größte Verlust kam aus Löchern nahe des Waferrands. Ein Schließen dieser Löcher verringerte den Verlust um einen Faktor von ungefähr 10, d.h. auf 0,4-0,6 sccm, doch wurde der Waferrand dadurch überhitzt, und die Selektivität ging verloren.
  • Aus dem Vorhergegangenen ist ersichtlich, daß die vorliegende Erfindung einen beträchtlichen Fortschritt auf dem Gebiet elektrostatischer Halteplatten darstellt. Insbesondere wird durch die erfindungsgemäße Halteplatte die gesamte Waferoberfläche, vor allem am Rand, besser gekühlt, die Einspannkraft ist größer, der Waferkontakt am Rand besser, und die Lebensdauer der Halteplatte wird erhöht. Entsprechend sollte die Erfindung nur als durch die Ansprüche betrachtet werden.

Claims (3)

1. Elektrostatische Halteplatte mit einer Trägerplatte (10) zum Tragen eines Werkstücks (18); einer auf der Trägerplatte (10) angebrachten Schichtstruktur (12) mit einer isolierten Elektrode (22'), durch die bei Anlegen einer Spannung an die Elektrode (22') das Werkstück (18) elektrostatisch auf der Schichtstruktur (12) gehalten wird; und mehreren Löchern (46) die durch die Trägerplatte (10) und die Schichtstruktur (12) reichen und zum Leiten von Gas zum Kühlen des Werkstücks (18) von unten dienen, wobei viele der Löcher nahe dem äußeren Rand des Werkstücks (18) liegen; wobei die Trägerplatte einen Kühlgasbehälter (36) aufweist, der unter der Trägerplatte (10) ausgebildet ist und sich über alle Löcher (46) hinweg erstreckt, sowie eine Kühlgaszuleitung (42) in den Behälter (36); und die Schichtstruktur (12) eine erste über der Trägerplatte (10) angebrachte Isolierschicht (20'), eine Elektrodenschicht (22') über der ersten Isolierschicht (20') und eine zweite Isolierschicht (24') über der Elektrode (22') und um die Elektrodenschicht (22') herum mit der ersten Isolierschicht (20') verschmelzend zum Isolieren des Elektrodenmaterials von einer Verarbeitungsumgebung aufweist, in der die elektrostatische Halteplatte installiert ist; dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte eine in einer oberen Oberfläche der Trägerplatte ausgebildete Vertiefung (32) aufweist, wobei die erste Isolierschicht (20') der Vertiefung in der oberen Oberfläche der Trägerplatte folgt, wodurch eine Vertiefung in der oberen Oberfläche der ersten Isolierschicht geschaffen wird, wobei die Elektrodenschicht (22') die Vertiefung füllt und über die Vertiefung in der Isolierschicht hinaus mit dem äußeren Rand der Isolierschicht eine zusammengesetzte obere Oberfläche bildet, die die zweite Isolierschicht aufnimmt.
2. Elektrostatische Halteplatte nach Anspruch 1, bei der die erste Isolierschicht (20') eine obere Oberfläche bildet, die einen vertieften Bereich aufweist, der in Tiefe und Ausdehnung ungefähr der Vertiefung (32) in der Trägerplatte (10) entspricht, und die Elektrodenschicht (22') sich über die erste Isolierschicht erstreckt und im wesentlichen den vertieften Bereich in dessen oberer Oberfläche ausfüllt und eine zusammengesetzte obere Oberfläche bildet, die im wesentlichen planar ist.
3. Elektrostatische Halteplatte nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Isolierschicht eine obere Oberfläche bildet, die über die gesamte Breite der Schichtstruktur im wesentlichen planar ist, wodurch über den äußeren Rand der Elektrode hinaus und über die gesamte Schichtstruktur hinweg Kontakt mit dem Werkstück hergestellt wird und wodurch die Elektrode in eine weite Entfernung von den Einwirkungen der Verarbeitungsumgebung gebracht und die Lebensdauer der elektrostatischen Halteplatte verlängert wird.
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