CN106164776B - 用于清洁对象的装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于清洁对象(W)的装置，该装置包括：对象支撑件(16)，用于支撑对象；低压室(15)，用于在对象被布置在对象支撑件上时将对象的第一表面暴露于低压；电极(23a，23b)，被布置为在对象被布置在对象支撑件上时与对象的第一表面相邻且与第一表面分离，电极与对象支撑件的与对象的第一表面相邻的表面电连通；以及电源(24a，24b)，被布置为在电极和对象之间施加电压，从而在对象与电极之间生成放电。

Description

用于清洁对象的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年4月9日提交的欧洲申请14164043.3的权益，其整体通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及用于清洁对象(例如，待由静电夹具所保持的对象)的装置和方法以及包含这种装置的光刻设备。
背景技术
光刻设备是构造为在衬底上施加期望图案的机器。例如，在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。光刻设备例如可以将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
光刻设备用于在衬底上投影图案的辐射的波长确定可形成在该衬底上的部件的最小尺寸。使用EUV辐射(其是波长在4-20nm的范围内的电磁辐射)的光刻设备可用于与传统光刻设备(例如，可以使用193nm的波长的电磁辐射)相比在衬底上形成更小的部件。
静电夹具可用于以特定波长(例如，EUV)操作的光刻设备，因为在这些波长处，光刻设备的特定区域在真空条件下进行操作。静电夹具可设置为静电地将对象(诸如掩模或衬底(晶圆))夹持(即，保持)至对象支撑件，诸如掩模台或晶圆台。
施加于静电夹具的电压是需要考虑的。例如，电压可以为千伏级。绝缘阻挡件通常位于静电夹具的电极上方，绝缘阻挡件用于将诸如衬底的对象与施加至电极的电压相绝缘。
例如，期望提供消除或缓解在这里或其他地方确定的现有技术的一个或多个问题的装置和方法。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种用于清洁对象的装置，该装置包括：对象支撑件，用于支撑对象；低压室，用于在对象被布置在对象支撑件上时将对象的第一表面暴露于低压；电极，被布置为在对象被配置在对象支撑件上时与对象的第一表面相邻且与第一表面分离，电极与对象支撑件的与对象的第一表面相邻的表面电连通；以及电源，被配置为在电极和对象之间施加电压，从而在对象和电极之间生成放电。
对象和电极之间的放电(例如，电放电)的生成使得对象表面上的小颗粒或刮伤被修改或去除，使得它们在对象随后被静电夹具夹持时不用作电子发射器。对象表面的清洁以及所产生的电子发射的减少减慢了静电夹具上的任何电荷累积。电荷累积速率的这种降低可增加夹具上的维护操作之间的时间，并提高夹持性能(例如，夹持力均匀性)。
电极与对象支撑件的表面电连通使得从对象表面发射且入射到对象支撑件的表面上的任何电子远离对象支撑件的表面运送而非像该表面是绝缘表面那样被捕获(例如，与传统静电夹具的情况相同)。
对象支撑件可以被布置为支撑室内的对象。
电极可在对象支撑件的与对象的第一表面相邻的表面上设置有电阻层。
电阻层的设置将可以在对象和电极之间流动的瞬时电流限制到不损伤对象的等级，同时仍然确保电子可以远离对象支撑件的表面运送。
电阻层可具有大于约105Ω的电阻。
电阻层可具有小于约1012Ω的电阻。
电阻层可具有大于约106Ω·m的电阻率。
电阻层可具有小于约1014Ω·m的电阻率。
电压的幅度可大于约200V。
电压的幅度可小于约1000V。
当对象被布置在对象支撑件上时，对象支撑件与对象的第一表面之间的间隔可大于约5mm。
当对象被布置在对象支撑件上时，对象支撑件与对象的第一表面之间的间隔可小于约20mm。
该装置可进一步包括第二电极，其中电源被布置为在第一电极与对象之间施加第一电压以及在第二电极与对象之间施加第二电压。
第二电压可以与第一电压的符号相反。
第二电压的幅度可基本等于第一电压的幅度。
低压可小于约100mbar。
低压可大于约1mbar。
根据本发明的第二方面，提供了一种光刻工具，其包括根据本发明的第一方面的装置。
低压室可以是光刻工具的装载锁。
根据本发明的第三方面，提供了一种清洁对象的方法，该方法包括：提供待清洁的对象；支撑对象；将待清洁的对象的第一表面暴露于低压；提供与对象的第一表面相邻且与第一表面分离的电极；在电极和对象之间施加电压以在对象与电极之间生成放电；以及提供在电极与对象的第一表面之间的电流路径。
本发明的其他方面可使用参照本发明的一个方面所描述的特征和优势。
附图说明
现在将参照附图仅通过实例描述本发明的实施例，其中：
-图1示出了根据本发明实施例的包括光刻设备和辐射源的光刻系统；
-图2更详细地示出了光刻设备的一部分；
-图3示出了根据本发明的实施例的装置；以及
-图4示出了根据本发明的实施例的装置。
具体实施方式
图1示出了根据本发明一个实施例的包括用于清洁对象的装置的光刻系统。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置为生成极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置为在辐射束B入射到图案形成装置MA之前调节辐射束B。投影系统被配置为将辐射束B(现在被掩模MA图案化)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化辐射束B与先前形成在衬底W上的图案对齐。
辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS可以全部被构建和布置为使得它们可以与外部环境隔离。低于大气压的压力的气体(例如，氢气)可以设置在辐射源SO中。真空可以设置在照射系统IL和/或投影系统PS中。低于大气压的压力的少量气体(例如，氢气)可以设置在照射系统IL和/或投影系统PS中。
图1所示的辐射源SO是可称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器1(例如，可以是CO2激光器)被布置为经由激光束2将能量沉积到燃料(诸如锡(Sn)，其从燃料发射器3提供)中。尽管在以下描述中参照锡，但可以任何适当的燃料。燃料例如可以为液体形式，并且例如可以是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，其被配置为沿着朝向等离子体形成区域4的轨道引导例如液滴的形式的锡。激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量沉积到锡中在等离子体形成区域4处产生了等离子体7。在等离子体的离子的去激发和复合期间，从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。
EUV辐射被近法线入射辐射收集器5(有时更一般地称为法线入射辐射收集器)收集并聚焦。收集器5可以具有多层结构，其被布置为反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)。收集器5可以具有椭圆形配置，其具有两个椭圆焦点。如下所述，第一焦点可以处于等离子体形成区域4处，以及第二焦点可以位于中间焦点6处。
激光器1可以与辐射源SO分离。在这种情况下，激光束2可以经由光束传递系统(未示出，例如包括适当的定向反射镜和/或扩束器和/或其他光学器件)的帮助从激光器1传送至辐射源SO。激光器1和辐射源SO可以一起认为是辐射系统。
被收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B被聚焦在点6处以形成等离子体形成区域4，其用作照明系统IL的虚拟辐射源。辐射束B所聚焦的点6可以称为中间焦点。辐射源SO被配置为使得中间焦点6位于辐射源的包围结构9中的开口8处或者靠近开口8。
辐射B从辐射源SO传送到照射系统IL中，该照射系统被配置为调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为辐射束B提供期望的截面形状和期望的角度分布。辐射束B从照射系统IL传输，并且入射到被支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射并图案化辐射束B。除了琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL可以包括其他反射镜或装置。
在从图案形成装置MA反射之后，图案化的辐射束B进入投影系统PS。投影系统PS包括多个反射镜，它们被配置为将辐射束B投影到由衬底台WT保持的衬底W上。投影系统PS可以向辐射束施加缩减因子，形成具有小于图案形成装置MA上的对应特征的特征的图像。例如可以施加4的缩减因子。尽管在图1中投影系统PS具有两个反射镜，但投影系统可以包括任何数量的反射镜(例如，六个反射镜)。
衬底W经由装载锁15加载到光刻设备LA中。装载锁15是衬底W从大气压的环境被装载到其中以便传送到光刻系统LA内的较低压力的环境的外壳。衬底W被放置在装载锁15内，并且装载锁15被密封且从大气压泵送至真空压力，其等于光刻系统LA内的压力。然后，衬底W被转送到衬底台WT。装载锁15包括衬底支撑件16，在压力平衡期间支撑衬底。
图2更详细地示出了衬底台WT的部分。衬底W通过静电夹具17被支撑并保持在衬底台上。夹具17包括由介电材料形成的介电部分18以及电极19。多个突节20位于介电部分18的上表面上。突节20可以由介电材料形成。突节20的上表面确定保持衬底W的下表面的平面21。电极19设置在介电部分18与突节20相对的表面上。
电极19被配置为保持在一定电压下以在夹具17与衬底W之间生成静电夹持力。电压可以是相当大的。例如，电压可以为千伏级。当电压被施加至电极19时，通过静电夹持力将衬底W保持在平面21中。在夹持期间，所施加的电压(更具体地，在夹具17与衬底W之间建立所得到的静电场)可以横跨衬底W与夹具17之间的间隙引起局部放电。这种放电可以采用从衬底W的下表面或夹具的上表面发射的电子的形式。任何这种放电都可以导致局部夹持力的瞬时减小。
任何这种发射的电子都通过朝向静电夹具17的电极19的静电场来驱动。然而，通过设置在电极19上方的介电部分18来防止电子到达电极19。代替地，电子被捕获在介电部分18的表面处。介电部分18的绝缘特性防止电子逃逸。因此，任何这种捕获的电子保留在介电部分18的表面上。
捕获的电子可以在介电部分18的表面上保留较长的时间段，并且不会通过正常的夹持操作而去除。每当晶圆被夹持时，就去除并重新施加电极电压。然而，这不会使得任何被捕获的电子被去除。因此，捕获的电子可以保留许多夹持周期。例如，捕获的电子可以在夹具的表面上保留1000个夹持周期。
任何这种捕获的电子的效应将被局域化到介电表面捕获电子的区域。这种效应可以是衬底在该区域中经历的夹持力的减小，这是因为捕获的电荷屏蔽从衬底W施加至电极19的电压的效应。备选地，任何这种捕获的电子可以引起衬底在该区域中经历的夹持力的局部增加。应该理解，夹持电压的极性可以在夹持周期之间反转，导致捕获的电荷根据所施加的夹持电压的极性而增强或劣化夹持电压的效应。任何捕获的电荷的位置对应于发射或接受任何电子的位置，其可以随机地横跨衬底表面分布。在单个夹持操作期间，夹具由此可以在一个小区域中或多个小区域(对应于衬底表面上的电子发射器的一个或多个位置)中逐渐累积显著的电荷。
此外，在正常操作中，夹具用于一个接一个地夹持大量的衬底。因此，夹具可以在大量的小区域中逐渐累积大量的捕获电子，并且在其表面处可能累积显著的负电荷，每个夹持操作都可能导致从夹持的衬底发射电子。所累积电荷的小区域的位置将随机地绕着夹具的表面分布，每个衬底都可能从它们表面上的随机位置发射电子。一些衬底的夹持可能不导致任何电子发射，而其他衬底的夹持可以导致大量的电子发射。
任何这种捕获的电荷都可以引起衬底处理中的难度。例如，捕获的电荷可以引起不均匀的夹持效应。任何不均匀的夹持可引起衬底内的不均匀应力，并且导致衬底的变形。此外，在衬底被夹持之前，在其被移动到夹具上方的位置中时，任何捕获的电荷可以引起衬底对夹具的局部粘附，防止衬底自由移动到预期位置，并且再次引起衬底内的局部应力和变形。类似地，当去除夹持电压时，捕获的电荷可使得衬底继续粘附至夹具。
衬底内的局部应力和变形可导致施加至衬底的任何图案的变形，随后导致对齐误差。例如，当已经具有图案的衬底被夹持并且第二图案随后被施加至衬底时，在夹持期间衬底的任何变形可使得第二图样不在第一图案上精确地重叠。
为了从夹具17的表面去除电荷，已知利用导电流体清洗夹具。这使得捕获的电荷被运走。然而，这引起光刻设备的操作的中断，并且可能需要从光刻设备去除夹具。
已经意识到，从衬底W发生的电子发射的可能性强烈依赖于衬底W的表面的特性和状况。具体地，衬底W的下表面上的小颗粒或缺陷(例如，擦伤)可以用作电子发射器，，导致跨真空间隙的局部放电。电子发射可以源于任何材料(例如，金属、硅、纤维)的颗粒，并且与比表面材料或颗粒相比更受表面几何形状的影响。发生场电子发射的可能性被具有平滑和平坦表面的衬底显著降低。然而，如果表面具有尖锐的特征(例如，小颗粒)，则电场在这些尖锐特征处被增强。例如，如果特征的纵横比增加10的因子，则电场也增强10的因子。任何这种特征都可能跨衬底表面随机分布，因此可能出现在每个衬底上的不同位置。
在夹持期间经历的条件例如可涉及跨大约10μm的夹持间隔的大约100V/μm的电场强度。此外，由尖锐特征引起的场增强因子例如可以为20。条件和场增强的这种组合可生成大约2000V/μm的电场强度。这种电场强度已知导致场电子发射。
已知在夹持之前清洁衬底的背侧以去除大颗粒(例如，>1μm)，这引起衬底中的局部变形、衬底高度问题或者不平行的夹持，任何这些问题都可能导致聚焦问题(例如，衬底上图案的一部分离焦)以及由于衬底的局部弯曲而引起的重叠问题。这种清洁可以通过机械处理(诸如，擦洗)来执行。然而，这种清洁处理不可以去除小颗粒。小颗粒是尺寸小于1μm的颗粒，例如50nm或100nm。这种小颗粒可能比大颗粒更强烈地粘附至衬底。此外，旨在以大颗粒为目标并去除大颗粒的清洁处理甚至可生成小颗粒和擦伤。例如，已知涉及擦拭或织物的清洁处理实际上可生成许多颗粒，它们具有小于0.5μm的尺寸。
为了减小电子发射的发生(和相关联的负效应)，可以在夹持之前去除或修改衬底W表面上的小颗粒和擦伤。小颗粒和擦伤的去除或修改可以通过利用放电来清洁衬底W的表面来实现。衬底W的表面的这种清洁和随后电子发射的减少减慢了静电夹具17上的任何电荷累积。电荷累积速率的这种降低可增加对夹具的维护操作之间的时间。
图3示出了可以用于放电清洁衬底W的表面的装置。更详细地示出图1的装载锁15和衬底支撑件16。衬底支撑件16设置有多个均等大小的销22，其从衬底支撑件16的表面突出。销22以阵列进行配置，每个销都具有被配置为支撑衬底W的尖端。多个销22的每一个的尖端一起限定支撑衬底W的下表面的平面。当衬底W被保持在衬底台WT上时，衬底W的下表面是支撑在突节20上的相同表面(即，面对静电夹具17的表面，并且在夹持期间可以从其发射电子)。虽然示出了大量的销22，但可以使用更少的数量。例如，三个销可提供对衬底的足够支撑。
衬底支撑件16进一步包括在衬底支撑件16的面对衬底W的一侧上布置在销22下方的第一和第二电极23a、23b。每个电极23a、23b都近似横跨衬底支撑件16的一半延伸。如图3所示，多个销22可以从衬底支撑件16的表面延伸。备选地，销可以延伸穿过电极中的孔。电极23a、23b被布置为与支撑衬底W的平面相邻且与该平面分离。电极23a、23b还被布置为与支撑衬底W的平面并行。销22的高度确定衬底W与电极23a、23b之间的间隔。衬底W和电极23a、23b之间的间隔例如可以大于约5mm。衬底W和电极23a、23b之间的间隔例如可以小于约20mm。销22可以由导电材料形成。例如，销可以是不锈钢。
第一电极23a连接至第一电源24a，并且第二电极23b连接至第二电源24b。第一和第二电源24a、24b被配置为提供相对于公共地25的电压，它们的幅度基本相等但极性(或符号)相反。例如，第一电源24a可以为第一电极23a提供+500V的电压，而第二电源24b可以为第二电极23b提供-500V的电压。衬底W还可以连接至公共地25，使得电极23a、23b保持在相对于衬底W的电压。销22可以在公共地25与衬底W之间提供连接。备选地，衬底可以电容性地耦合至地。在这种布置中，流入电极23a、23b或流出电极23a、23b的任何电流都将经由电极23a、23b中的另一个流动而非直接流动至地。
电极23a、23b均设置有对应的电阻层26a、26b，其覆盖每个电极23a、23b的上表面。电极23a、23b的上表面(每一个都覆盖有对应的电阻层26a、26b)仍然与衬底支撑件的上表面(即，衬底支撑件的面对衬底W的下表面的表面)电连通。这确保了从衬底支撑件16的上表面到电极23a、23b存在电流路径。如此，不同于图2所示由静电夹具17夹持衬底，从衬底W的下表面发射的任何电子被允许流入电极23a、23b，而非捕获在衬底支撑件的表面上。
图4示出了从上看的衬底支撑件16。衬底支撑件16是圆形的，并且尺寸类似于预期使用的衬底。衬底W例如可以是直径300mm的圆形晶圆。电阻层26a、26b均覆盖衬底支撑件16的近似一半。应该理解，电极23a、23b位于电阻层26a、26b下方，由此在图4中不可见。多个销22横跨衬底支撑件16的表面分布。衬底支撑件16可以备选地大于预期支撑的衬底。
如上所述，装载锁15允许衬底W从大气压的环境传送至投影系统PS内的低压环境。在正常使用期间，装载锁15被密封并且从大气压泵送至真空压力(等于投影系统PS内的压力)。因此，装载锁15内的压力可以容易控制以便低于大气压。
待清洁的衬底W位于装载锁15内的销22上，并且装载锁内的压力被减小至压力PLL，其低于大气压Patm。压力PLL例如可以低于约100mbar。压力PLL例如可以大于约1mbar。
一旦装载锁压力PLL处于目标压力，就向电极23a、23b施加电压。横跨电极23a、23b与衬底W之间的间隙施加的电压使得静电场被建立。低压和静电场的组合使得间隙内的气体电离，形成放电。这种放电允许电流在电极和衬底W之间流动。
放电可以引起颗粒(在上面被描述为电子发射器)蒸发，或者使得颗粒的尖锐尖端变得更加圆化。类似地，放电可以使得任何表面擦伤的尖锐边缘变得更加圆化。由于与这些特征可在夹持时发射电子相同的原因，电极和衬底之间的任何流动或电流被聚集在具有高纵横比的任何特征上(例如，尖锐边缘)。即，任何高纵横比表面特征的场增强效应引起颗粒或擦伤发射电子，激发放电。电流通过衬底W的表面上的颗粒或擦伤的这种流动还由于高电流密度而引起显著的局部加热。这种局部加热例如可以引起颗粒蒸发，并且完整从衬底W的表面去除。备选地，局部加热可以引起任何颗粒或擦伤的发射特性被修改，使得它们不太可能发射电子。例如，作为引起电子发射的场增强的原因的特征的尖锐边缘可以由流过这些边缘的高电流密度部分地圆化。这种圆化可导致减小的场增强效应，以及在夹持期间的减少的发射。以这种方式修改的电子发射器可认为被抵消。
除了由大电流密度引起的局部加热，如上所述，放电的形成使得离子在电极23a、23b与衬底W之间生成。这些离子可以轰击衬底W的表面，并且可以进一步有助于上述清洁效果。
去除或修改电子发射器所要求的条件可以根据发射器的特性和数量而改变。多种性质配合提供用于放电清洁的适当条件。例如，所施加的电压、施加电压的持续时间、压力以及电极和衬底之间的间隔都进行配合来提供适当的条件。
所施加的电压可以是AC或DC电压。所施加的电压可以大约为±500V(即，如上所述为+500V和-500V)。所施加的电压可以达到约±1kV。所施加的电压可以大于约±200V。
在施加DC电压的情况下，可以依次向两个电极23a、23b中的每一个施加电压。即，正电压可以施加给第一电极23a，以及负电压可以施加给第二电极23b。然后，电压可以反转，改变电流流动的方向。这可以允许衬底的所有部分在一个电流流动方向期间用作电子发射器。例如，DC电压可以在每个方向上施加大约2秒。根据表面上的电子发射器的数量，电压可以施加更长或更短的时间。应该理解，施加电压的持续时间越长，越多的电子发射器被修改或去除。
在施加AC电压的情况下，向每个电极23a、23b施加的电压可以简单为相反相位的相同电压。因此，电流流动的方向将在每个AC周期中反转。一个或两个周期可以提供足够的持续时间来从衬底的表面去除电子发射器。例如，在使用50Hz电源的情况下，AC电压可以被施加少达大约2-4毫秒的时间。
在确实发生放电的情况下，电流密度可以是大的。例如，电流密度在放电位置处可以为大约10A/mm2。该电流可流动的区域例如可以大约为1μm2。因此，电流流动可以是小的(例如，每个位置大约10μA)。例如，衬底可以在每一半中具有大约10000个这样的放电位置(即，电子发射器)。当在电极23a、23b与衬底之间施加电压时，针对所施加电压的每个极性，大约100mA的总电流可流至衬底(即，当施加电压的第一极性时，100mA可以从第一电极23a流至衬底的第一半，而当施加电压的第二极性时，100mA可以从第二电极23b流至衬底的第二半)。
如上所述，在放电的形成期间装载锁PLL中的压力例如可以小于约100mbar。例如，压力PLL可以大于约1mbar。在放电形成期间存在的气体可以为任何气体，例如空气。
电极23a、23b被描述为两个独立的电极。然而，在本发明的实施例中，可以使用不同数量的电极。例如，可以使用单个电极。备选地，可以使用更多数量的电极。例如，可以使用四个或更多个电极。
应该理解，在使用单个电极的情况下，应该提供从衬底到电源的电流路径。因此，在仅使用单个电极的情况下，衬底应该接地。然而，还应该理解，在使用多个电极的情况下，衬底W也可以接地(如图3所示)。然而，如上面更详细描述的，在以不同极性(即，一个正一个负)使用两个或多个电极的情况下，可以省略衬底W的地连接。
当向电极23a、23b施加电压时，在电极23a、23b上设置电阻层26a、26b限制电流的流动。大的电流流动会对衬底产生损伤。应该理解，在不存在任何电阻层的情况下，电极和衬底之间施加的电压可以引起大的瞬时电流流动。这会导致大电流在衬底内流动(例如，从放电位置到地连接，或者到另一放电位置)。衬底内的这种电流流动可对已经通过先前的处理步骤限定在衬底上的电路或半导体部件引起损伤。
更具体地，当向电极23a、23b施加电压时，在电极23a、23b上设置电阻层26a、26b局部地限制电流的流动。在衬底W和一个电极23a、23b之间发生放电的情况下，电阻层26a、26b的大电阻将在放电区域中的电阻层26a、26b的表面处引起局部压降，防止大电流流动，因此降低了对衬底W的可能损伤。然而，电阻层26a、26b的表面的剩余部分将保持在所施加电压，使得在衬底W的表面上的其他电子发射器的位置处发生进一步的放电。
电阻层26a、26b可以被布置为使得每个电阻层26a、26b的总电阻大于约105Ω，以提供对大电流流动的足够保护。例如，衬底支撑件16可以具有大约0.1m2的总面积。每个电极23a、23b(因此每个电阻层26a、26b)由此将具有大约0.05m2的总面积。电阻层26a、26b例如可以具有大约1mm的厚度。因此，这种电阻层应该具有至少106Ω·m级别的体电阻率以实现大约105Ω的总电阻。电阻层26a、26b可被布置为使得每个电阻层26a、26b的总电阻小于约1012Ω以提供从衬底支撑件16的表面到电极23a、23b的电流路径。因此，这种电阻层应该具有小于约1014Ω·m的体电阻率，以实现大约1012Ω的总电阻。例如，电阻层26a、26b可由氮化铝形成。
在一些实施例中，电阻层26a、26b可以省略。电源可被布置为仅产生有限的电流输出。备选地，电源可以布置为具有大的输出阻抗，这将最大输出电流有效地限制为安全等级。应该理解，具有大输出阻抗的电源将使得施加至整个电极的电压在电极上的点处发生显著放电的事件中被减小，降低了衬底发生损伤的可能性。这种电压的降低还可以降低在电极的其他区域处发生放电的可能性。
在又一备选例中，电源可被调制为限制能量输出(例如，PWM受控)，通过控制能量输出降低了损伤的可能性。在施加切换或脉冲电压的情况下，所施加电压的每次切换都可以使得建立的放电在第一位置处熄灭，并且在第二位置处重新点燃。
如上所述，装载锁15内设置衬底清洁装置有利地使衬底W在现有的处理和运输步骤期间被清洁。此外，装载锁15中存在的低压条件可以提供适当的放电形成条件。因此，装载锁是可以清洁衬底W的低压室的实例。此外，紧接于衬底W被夹持在光刻设备内之前清洁衬底W使得清洁的效果最大化(即，通过在夹持之前使暴露于另外的污染物的风险最小化)。
然而，在备选实施例中，衬底清洁装置可位于光刻设备或光刻系统的另一部分内。例如，衬底清洁装置可位于专用衬底清洁室内。备选地，衬底清洁装置可被布置为在加载到装载锁中之前所使用的独立工具。
在一个实施例中，本发明可配置为不具有用于清洁的包围衬底的室。例如，衬底可被布置为与低压室中的开口相邻，其中密封剂设置在开口周围，密封剂相对于衬底的表面进行密封。在这种布置中，衬底的表面可暴露于室内的低压以及所生成的与表面相邻的放电，而整个衬底不被包围在低压室内。应该理解，衬底可能不能够抵抗高压差。因此，这种衬底不应该暴露于高压差。此外，在使用任何这种压差环境的情况下，支撑件可提供用于衬底以防止会引起衬底的损伤的变形。
在一个实施例中，本发明可被配置为清洁掩膜版或掩模的表面。因此，衬底W是可在根据本发明的实施例的对象清洁装置内清洁的对象的实例。此外，上述衬底支撑件16是对象支撑件的实例，其支撑对象清洁装置内的对象。在备选的实施例中，对象支撑件可以被配置为支撑掩模版或掩模，并且因此可以是非圆形的(例如，正方形或矩形)。
在一个实施例中，本发明可形成掩模检查装置的部分。掩模检查装置可使用EUV辐射来照射掩模并使用成像传感器来监控从掩模反射的辐射。由成像传感器接收的图像用于确定掩模中是否存在缺陷。掩模检查装置可包括光学器件(例如，反射镜)，其被配置为接收来自EUV辐射源的EUV辐射并将其形成在待引导至掩模处的辐射束中。辐射检查装置可进一步包括光学器件(例如，反射镜)，其被配置为收集从掩模反射的EUV辐射，并且在成像传感器处形成掩模的图像。掩模检查装置可包括处理器，其被配置为分析成像传感器处的掩模的图像，并且根据分析确定掩模上是否存在缺陷。处理器可进一步被配置为确定当光刻设备使用掩模时所检测的掩模缺陷是否将在投影到衬底上的图像中引起不可接受的缺陷。
在一个实施例中，本发明可形成量测装置的一部分。量测装置可用于测量形成在衬底上的抗蚀剂中形成的投影图案相对于衬底上已经存在的图案的对齐。相对对齐的这种测量可称为重叠。量测装置例如可定位为与光刻设备直接相邻，并且可用于在处理衬底(和抗蚀剂)之前测量重叠。
尽管在光刻设备的情况下参照本发明的实施例进行了具体的描述，但本发明的实施例可用于其他设备。本发明的实施例可形成掩模检查装置、量测装置或者测量或处理诸如晶圆(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)的对象的任何装置的一部分。这些装置通常可称为光刻工具。这种光刻工具可使用真空条件或环境(非真空)条件。
术语“EUV辐射”可用于包含波长在4-20nm的范围内的电磁辐射，例如13-14nm的范围。EUV辐射可具有小于10nm的波长，例如在4-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。
尽管在IC的制造中使用光刻设备的情况下进行了特定的描述，但应该理解，本文描述的光刻设备可具有其他应用。可能的其他应用包括集成光学系统的制造、引导和检测用于磁畴存储器的图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管上面在光学光刻的情况下使用本发明的实施例进行了特定的描述，但应该理解，本发明可用于其他应用，例如压印光刻，并且在情况允许的情况下，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的表面形貌限定衬底上创建的图案。图案形成装置的表面形貌可按压到提供给衬底的抗蚀剂的层中，其中通过施加电磁辐射、热量、压力或它们的组合来固化抗蚀剂。在固化抗蚀剂之后，抗蚀剂脱离图案形成装置并留下其中的图案。
虽然上面描述了本发明的具体实施例，但应该理解，可以在上述之外的情况下实践本发明。上面的描述用于说明而非限制。因此，本领域技术人员应该明白，在不背离以下阐述的权利要求的范围的情况下可以对本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种用于清洁对象的装置，所述装置包括：
对象支撑件，用于支撑所述对象；
低压室，用于在所述对象被布置在所述对象支撑件上时将所述对象的第一表面暴露于低压；
电极，被布置为在所述对象被布置在所述对象支撑件上时与所述对象的第一表面相邻且与所述第一表面分离，所述电极与所述对象支撑件的与所述对象的第一表面相邻的表面电连通；以及
电源，被配置为在所述电极和所述对象之间施加电压，从而在所述对象和所述电极之间生成放电，
其中所述电极在所述对象支撑件的与所述对象的第一表面相邻的表面上设置有电阻层。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述对象支撑件被配置为支撑所述室内的所述对象。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电阻层具有大于105Ω的电阻。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电阻层具有小于1012Ω的电阻。
5.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电阻层具有大于106Ω·m的电阻率。
6.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电阻层具有小于1014Ω·m的电阻率。
7.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电压的幅度大于200V。
8.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电压的幅度小于1000V。
9.根据权利要求1或2所述的装置，其中当所述对象被布置在所述对象支撑件上时，所述对象支撑件与所述对象的第一表面之间的间隔大于5mm。
10.根据权利要求1或2所述的装置，还包括第二电极，其中电源被布置为在所述电极与所述对象之间施加第一电压以及在所述第二电极与所述对象之间施加第二电压。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第二电压与所述第一电压的符号相反。
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二电压的幅度基本等于所述第一电压的幅度。
13.一种光刻工具，包括根据任一前述权利要求所述的用于清洁对象的装置。
14.根据权利要求13所述的光刻工具，其中所述低压室是所述光刻工具的装载锁。
15.一种清洁对象的方法，所述方法包括：
提供待清洁的对象；
支撑所述对象；
将所述待清洁的对象的第一表面暴露于低压；
提供与所述对象的第一表面相邻且与所述第一表面分离的电极；
在用于支撑所述对象的对象支撑件的与所述对象的第一表面相邻的表面上为所述电极提供电阻层；
在所述电极和所述对象之间施加电压以在所述对象与所述电极之间生成放电；以及
提供在所述电极与所述对象的第一表面之间的电流路径。
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