JP2003257949A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JP2003257949A JP2003257949A JP2002059818A JP2002059818A JP2003257949A JP 2003257949 A JP2003257949 A JP 2003257949A JP 2002059818 A JP2002059818 A JP 2002059818A JP 2002059818 A JP2002059818 A JP 2002059818A JP 2003257949 A JP2003257949 A JP 2003257949A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板に帯電された電荷を効果的に除去
し、パターンの静電破壊を抑制することができる液晶表
示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 チャンバー１内の下部電極３上にガラス
基板２を載置し、これをドライエッチングする工程を含
む液晶表示素子の製造方法であって、ドライエッチング
処理工程終了後、ガラス基板２に対してＯ2，Ｈｅ，Ｎ2
等の不活性ガスを用いたプラズマ７の放電を行い、その
放電中に下部電極３からガラス基板２を剥離する工程を
さらに有するものである。
し、パターンの静電破壊を抑制することができる液晶表
示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 チャンバー１内の下部電極３上にガラス
基板２を載置し、これをドライエッチングする工程を含
む液晶表示素子の製造方法であって、ドライエッチング
処理工程終了後、ガラス基板２に対してＯ2，Ｈｅ，Ｎ2
等の不活性ガスを用いたプラズマ７の放電を行い、その
放電中に下部電極３からガラス基板２を剥離する工程を
さらに有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の製
造方法、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む液晶
表示素子の製造方法に関するものである。
造方法、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む液晶
表示素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、図面を参照しながら、従来の液晶
表示素子の製造方法について説明する。図２は従来の液
晶表示素子の製造方法を実施し得るドライエッチ製造装
置を模式的に示す断面図である。
表示素子の製造方法について説明する。図２は従来の液
晶表示素子の製造方法を実施し得るドライエッチ製造装
置を模式的に示す断面図である。
【０００３】このドライエッチ製造装置による液晶表示
素子の製造方法は、まず、図２（ａ）に示すように真空
に保持されたチャンバー１内にガラス基板２を搬送し、
下部電極３上に載置する。一方、上部電極４側よりエッ
チングガスであるＣl2，ＢＣ l3，ＣＨＦ3等を混合した
ガスをガス導入管５からチャンバー１内に供給し、これ
によるチャンバー１内のガス流量、圧力が安定した後、
高周波（以下ＲＦという）電源８によるＲＦ印加を行
い、チャンバー１内でプラズマ７を生成させてドライエ
ッチングを行い、ガラス基板２上にパターンを形成す
る。このエッチングが終了した後、図２（ｂ）に示すよ
うにガラス基板２を突き上げピン６の上昇により下部電
極３から剥離してチャンバー１の外部へと搬出する。
素子の製造方法は、まず、図２（ａ）に示すように真空
に保持されたチャンバー１内にガラス基板２を搬送し、
下部電極３上に載置する。一方、上部電極４側よりエッ
チングガスであるＣl2，ＢＣ l3，ＣＨＦ3等を混合した
ガスをガス導入管５からチャンバー１内に供給し、これ
によるチャンバー１内のガス流量、圧力が安定した後、
高周波（以下ＲＦという）電源８によるＲＦ印加を行
い、チャンバー１内でプラズマ７を生成させてドライエ
ッチングを行い、ガラス基板２上にパターンを形成す
る。このエッチングが終了した後、図２（ｂ）に示すよ
うにガラス基板２を突き上げピン６の上昇により下部電
極３から剥離してチャンバー１の外部へと搬出する。
【０００４】この際、ドライエッチ後のガラス基板２上
にドライエッチングによる電荷の帯電が発生して電荷が
ガラス基板２上に蓄積され、ガラス基板２を下部電極３
から剥離する際にガラス基板２上で静電気が発生してガ
ラス基板２上に形成されたパターンの静電破壊が発生す
ることがあるので、ドライエッチングによるパターン形
成後にＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の不活性ガスによるプラズマ放
電を行い、ガラス基板２上の電荷の除去を行う方法が取
られている。
にドライエッチングによる電荷の帯電が発生して電荷が
ガラス基板２上に蓄積され、ガラス基板２を下部電極３
から剥離する際にガラス基板２上で静電気が発生してガ
ラス基板２上に形成されたパターンの静電破壊が発生す
ることがあるので、ドライエッチングによるパターン形
成後にＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の不活性ガスによるプラズマ放
電を行い、ガラス基板２上の電荷の除去を行う方法が取
られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、形成するパターンによっては除電の効果
を十分に得ることができず、ガラス基板の下部電極から
の剥離の際にパターンの静電破壊が発生し易いという問
題があった。
うな方法では、形成するパターンによっては除電の効果
を十分に得ることができず、ガラス基板の下部電極から
の剥離の際にパターンの静電破壊が発生し易いという問
題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
であり、ガラス基板に帯電された電荷を効果的に除去
し、パターンの静電破壊を抑制することができる液晶表
示素子の製造方法を提供することを目的とする。
であり、ガラス基板に帯電された電荷を効果的に除去
し、パターンの静電破壊を抑制することができる液晶表
示素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子の
製造方法は、チャンバー内の電極上にガラス基板を載置
し、これをドライエッチングする工程を含む液晶表示素
子の製造方法であって、前記ドライエッチング処理工程
終了後、前記ガラス基板に対してＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の不
活性ガスを用いたプラズマ放電を行い、その放電中に前
記電極から前記ガラス基板を剥離する工程をさらに設け
たものである。
製造方法は、チャンバー内の電極上にガラス基板を載置
し、これをドライエッチングする工程を含む液晶表示素
子の製造方法であって、前記ドライエッチング処理工程
終了後、前記ガラス基板に対してＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の不
活性ガスを用いたプラズマ放電を行い、その放電中に前
記電極から前記ガラス基板を剥離する工程をさらに設け
たものである。
【０００８】この発明によれば、ガラス基板上の電荷は
効果的に除去され、パターンの静電破壊を抑制すること
ができる。
効果的に除去され、パターンの静電破壊を抑制すること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１は、本発明の液晶表示素子の製造方法
の一実施の形態において、これを実施し得るドライエッ
チ製造装置を模式的に示す断面図である。
の一実施の形態において、これを実施し得るドライエッ
チ製造装置を模式的に示す断面図である。
【００１１】この装置のチャンバー構成は前記従来のも
のと同様であるので同一部分には同一符号を用いるもの
とする。このドライエッチ製造装置による液晶表示素子
の製造方法は、まず、真空に保持されたチャンバー１内
にガラス基板２を搬送し、下部電極３上に載置する。一
方、上部電極４側よりエッチングガスであるＣl2、ＢＣ
l3、ＣＨＦ3等を混合したガスをガス導入管５からチャ
ンバー１内に供給し、これによるチャンバー１内のガス
流量、圧力が安定した後、ＲＦ電源８によるＲＦ印加を
行い、チャンバー１内でプラズマ７を生成させてドライ
エッチングを行ってガラス基板２上にパターンを形成す
る。ここまでの工程は従来と同様である。
のと同様であるので同一部分には同一符号を用いるもの
とする。このドライエッチ製造装置による液晶表示素子
の製造方法は、まず、真空に保持されたチャンバー１内
にガラス基板２を搬送し、下部電極３上に載置する。一
方、上部電極４側よりエッチングガスであるＣl2、ＢＣ
l3、ＣＨＦ3等を混合したガスをガス導入管５からチャ
ンバー１内に供給し、これによるチャンバー１内のガス
流量、圧力が安定した後、ＲＦ電源８によるＲＦ印加を
行い、チャンバー１内でプラズマ７を生成させてドライ
エッチングを行ってガラス基板２上にパターンを形成す
る。ここまでの工程は従来と同様である。
【００１２】次に、ドライエッチングによるパターン形
成が終了した後にＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の不活性ガスによる
プラズマ７を生成し、このプラズマ放電状態の下でガラ
ス基板２を下部電極３から突き上げピン６によって上昇
させることにより下部電極３から剥離する。このように
するとガラス基板２に帯電している電荷は効果的に除電
され、剥離の際の静電破壊を抑制することができる。
成が終了した後にＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の不活性ガスによる
プラズマ７を生成し、このプラズマ放電状態の下でガラ
ス基板２を下部電極３から突き上げピン６によって上昇
させることにより下部電極３から剥離する。このように
するとガラス基板２に帯電している電荷は効果的に除電
され、剥離の際の静電破壊を抑制することができる。
【００１３】以上のように、本実施の形態によれば、ド
ライエッチングによってガラス基板上に帯電した電荷を
プラズマ放電状態の下でガラス基板の突き上げを行うこ
とにより効果的に除去することができる。
ライエッチングによってガラス基板上に帯電した電荷を
プラズマ放電状態の下でガラス基板の突き上げを行うこ
とにより効果的に除去することができる。
【００１４】なお、本実施の形態においては、エッチン
グチャンバーによるドライエッチングの場合について説
明したが、このドライエッチング処理の後に行われるチ
ャンバー内でのレジストを除去するアッシングチャンバ
ーにおいてもエッチングチャンバー同様に、アッシング
処理終了後のプラズマ放電による除電工程中に、このプ
ラズマ放電状態の下でガラス基板を突き上げることによ
り効果的に除電を行うことができる。
グチャンバーによるドライエッチングの場合について説
明したが、このドライエッチング処理の後に行われるチ
ャンバー内でのレジストを除去するアッシングチャンバ
ーにおいてもエッチングチャンバー同様に、アッシング
処理終了後のプラズマ放電による除電工程中に、このプ
ラズマ放電状態の下でガラス基板を突き上げることによ
り効果的に除電を行うことができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プラズ
マ放電状態の下でガラス基板の突き上げを行うことによ
りガラス基板上に帯電した電荷を効果的に除去すること
ができ、ガラス基板の下部電極からの剥離の際に引き起
こされる静電破壊を抑制することができるという有利な
効果が得られる。
マ放電状態の下でガラス基板の突き上げを行うことによ
りガラス基板上に帯電した電荷を効果的に除去すること
ができ、ガラス基板の下部電極からの剥離の際に引き起
こされる静電破壊を抑制することができるという有利な
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示素子の製造方法の一実施の形
態において、これを実施し得るドライエッチ製造装置を
模式的に示す断面図
態において、これを実施し得るドライエッチ製造装置を
模式的に示す断面図
【図２】従来の液晶表示素子の製造方法を実施し得るド
ライエッチ製造装置を模式的に示す断面図
ライエッチ製造装置を模式的に示す断面図
１ チャンバー
２ ガラス基板
３ 下部電極
４ 上部電極
５ ガス導入管
６ 突き上げピン
７ プラズマ
８ ＲＦ電源
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小西 芳広
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H088 FA18 FA30 HA01 HA02 HA08
MA20
2H092 JA24 MA19 NA14
5F004 AA16 BA04 DA22 DA26
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバー内の電極上にガラス基板を載
置し、これをドライエッチングする工程を含む液晶表示
素子の製造方法であって、前記ドライエッチング処理工
程終了後、前記ガラス基板に対してＯ2，Ｈｅ，Ｎ2等の
不活性ガスを用いたプラズマ放電を行い、その放電中に
前記電極から前記ガラス基板を剥離する工程をさらに有
することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 ドライエッチング処理工程終了後、チャ
ンバー内でのガラス基板のレジストを除去するレジスト
アッシング処理工程をさらに含み、前記レジストアッシ
ング処理工程終了後、前記ガラス基板に対してＯ2，Ｈ
ｅ，Ｎ2等の不活性ガスを用いたプラズマ放電を行い、
その放電中に前記電極から前記ガラス基板を剥離する工
程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059818A JP2003257949A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059818A JP2003257949A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257949A true JP2003257949A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28669364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002059818A Pending JP2003257949A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003257949A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017518523A (ja) * | 2014-04-09 | 2017-07-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 物体を洗浄するための装置 |
-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002059818A patent/JP2003257949A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017518523A (ja) * | 2014-04-09 | 2017-07-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 物体を洗浄するための装置 |
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