DE102009045008A1 - EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine EUV-Lithographievorrichtung (1a), umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung (5) zum Beleuchten einer Maske (8) an einer Beleuchtungsposition (IL) in der EUV-Lithographievorrichtung (1a), sowie eine Projektionseinrichtung (6) zur Abbildung einer an der Maske (8) vorgesehenen Struktur auf ein lichtempfindliches Substrat (12). Die EUV-Lithographievorrichtung (1a) weist eine Bearbeitungseinrichtung (15) zur bevorzugt ortsaufgelösten Bearbeitung der Maske (8) an einer Bearbeitungsposition (TM) in der EUV-Lithographievorrichtung (1a), sowie eine Transporteinrichtung (14) zum Bewegen der Maske (8) von der Beleuchtungsposition (IL) in die Bearbeitungsposition (TM) auf. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Bearbeiten einer Maske (8) in einer EUV-Lithographievorrichtung (1a).

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine EUV-Lithographievorrichtung, umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung zum Beleuchten einer Maske an einer Beleuchtungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung, sowie eine Projektionseinrichtung zur Abbildung einer an der Maske vorgesehenen Struktur auf ein lichtempfindliches Substrat. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Bearbeiten einer Maske.
  • Bei EUV-Lithographievorrichtungen/Projektionsbelichtungsanlagen werden als optische Elemente typischerweise reflektive Elemente, insbesondere Spiegel, eingesetzt, da bei den im Belichtungsbetrieb verwendeten Wellenlängen, die typischer Weise zwischen 5 nm und 20 nm liegen, keine optischen Materialien mit einer hinreichend großen Transmission bekannt sind. Ein Betrieb der Spiegel im Vakuum ist bei solchen Projektionsbelichtungsanlagen notwendig, weil die Lebensdauer der Mehrlagen-Spiegel durch kontaminierende Teilchen bzw. Gase begrenzt wird. Die in den EUV-Lithographievorrichtungen verwendeten Masken (auch Retikel genannt) haben einem den Mehrlagen-Spiegeln ähnlichen Aufbau, d. h. sie weisen ebenfalls eine Mehrlagen-Beschichtung auf, die zur Reflexion von Strahlung im EUV-Wellenlängenbereich ausgelegt ist.
  • Eine solche Mehrlagen-Beschichtung besteht in der Regel aus alternierenden Schichten aus Materialien mit hohem und niedrigem Brechungsindex, z. B. alternierenden Schichten aus Molybdän und Silizium, deren Schichtdicken so aufeinander abgestimmt sind, dass die Beschichtung ihre optische Funktion erfüllt und eine hohe Reflektivität gewährleistet ist. Auf das Mehrfachschicht-System ist typischer Weise eine Abschlussschicht aufgebracht, welche die darunter liegenden Schichten z. B. vor Oxidation schützt und die z. B. aus Ruthenium, Rhodium, Palladium etc. bestehen kann. Masken für die EUV-Lithographie können als Abschattungs-Masken ausgebildet sein, d. h. weisen an der Oberseite der Abschlussschicht Strukturen auf, welche die Belichtungsstrahlung nicht reflektieren. Diese Strukturen können z. B. aus Chrom oder anderen Metallen bestehen. Alternativ können die Masken auch als Phasenmasken ausgebildet sein. In diesem Fall können die obersten Schichten der Mehrlagen-Beschichtung und/oder die Abschlussschicht eine geeignet angepasste Schichtdicke aufweisen oder es können zusätzliche Schichten z. B. aus Silizium, Molybdän oder Ruthenium an der Phasenmaske vorgesehen sein.
  • Es ist bekannt, dass alle Arten von Atomen, Molekülen und Verbindungen, insbesondere Kohlenwasserstoffe, die in der EUV-Lithographievorrichtung vorhanden sind, eine gewisse Wahrscheinlichkeit haben, die Oberflächen der reflektierenden optischen Elemente (inklusive der Maske) zu erreichen und dort anzuhaften. Zusammen mit der im Belichtungsbetrieb vorhandenen EUV-Strahlung und den von dieser erzeugten Photoelektronen, insbesondere Sekundärelektronen, besteht typischer Weise die Gefahr, dass diese Atome, Moleküle oder Verbindungen mit den optischen Oberflächen reagieren und sich auf diesen ablagern, was zu einer zunehmenden Schädigung und damit einhergehendem Reflexionsverlust der Spiegel führt. Bei der Maske tritt zusätzlich das Problem auf, dass die abzubildenden Strukturen durch die Verunreinigungen verdeckt und in ihrer Form verändert bzw. bei Phasenmasken die Phasenlage verändert werden. Wird versucht, diese Verunreinigungen durch vollflächige Reinigung der Maske zu entfernen, können ferner auch ungewünschte Defekte an Chromstrukturen oder phasenschiebenden Strukturen erzeugt werden. Bei der Abbildung von Strukturen einer kontaminierten oder auf andere Weise beschädigten Maske werden diese Fehler unmittelbar auf das Bild der Strukturen auf dem lichtempfindlichen Substrat (Photolack-Schicht auf dem Wafer) übertragen. Im Extremfall kann dadurch der gesamte belichtete Wafer unbrauchbar werden und muss ausgesondert werden.
  • Aus der US 2007/0132989 A1 der Anmelderin ist es bekannt, in einer Projektionsbelichtungsanlage ein Prüfsystem vorzusehen, das ausgelegt ist, einen Oberflächen-Teilbereich oder die gesamte optische Oberfläche eines optischen Elements der Anlage in vergrößerndem Maßstab abzubilden, wobei die optischen Elemente auch im Vakuum angeordnet sein können. Das Prüfsystem kann zusätzlich auch eine Einrichtung zur Entfernung der Kontaminationen von der geprüften optischen Oberfläche aufweisen, insbesondere durch Zuführen eines Reinigungsgases an die Oberfläche, Plasmareinigung etc.
  • Die PCT/EP2007/009593 der Anmelderin beschreibt ein Verfahren zum Entfernen einer Kontaminationsschicht von der Oberfläche von optischen Elementen, die in einer EUV-Lithographieanlage für die Mikrolithographie angeordnet sind. Bei dem Verfahren wird ein Strahl eines Reinigungsgases, das insbesondere atomaren Wasserstoff enthält, auf die Oberfläche gerichtet. Gleichzeitig wird die Dicke der Kontaminationsschicht überwacht und der Gasstrahl in Abhängigkeit von der gemessenen Dicke relativ zur Oberfläche bewegt. Auf diese Weise soll eine Reinigung mit Reinigungsgasen wie atomarem Wasserstoff ermöglicht werden, ohne dass die Oberfläche des optischen Elements durch das Reinigungsgas beschädigt wird.
  • Während die Reinigung von optischen Elementen in-situ, d. h. ohne einen Ausbau aus der Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt werden kann, werden die Maske und der Wafer typsicher Weise zur Inspektion und/oder zur Reparatur aus dem Lithographiesystem entnommen und einer hierfür vorgesehenen, separaten Inspektions- bzw. Bearbeitungseinrichtung zugeführt. Diese kann z. B. wie in der US 6855938 ausgebildet sein, die ein Elektronenmikroskopiesystem beschreibt, welches ausgebildet ist, gleichzeitig eine Inspektion bzw. Abbildung des Objekts und eine Bearbeitung durchzuführen, indem zusätzlich zum Elektronenmikroskopiesystem auch ein Ionenstrahlbearbeitungssystem vorgesehen wird.
  • Aufgabe der Erfindung
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine EUV-Lithographievorrichtung und ein Verfahren zum Bearbeiten einer Maske bereitzustellen, welche eine schnelle und effektive Entfernung von insbesondere lokalen Kontaminationen und die Korrektur von Defekten an der Maske erlauben.
  • Gegenstand der Erfindung
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine EUV-Lithographievorrichtung der eingangs genannten Art, die eine Bearbeitungseinrichtung zur bevorzugt ortsaufgelösten Bearbeitung der Maske an einer Bearbeitungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung, sowie eine Transporteinrichtung zum Bewegen der Maske von der Beleuchtungsposition in die Bearbeitungsposition aufweist.
  • Die Erfinder haben erkannt, dass Korrekturaufwand und Bearbeitungen der Maske in der EUV-Lithographie häufiger zu erwarten sind als bei konventioneller Lithographie, beispielsweise bei 193 nm, so dass die Integration der Korrekturfunktion für Defekte an einer Maske in einer EUV-Bearbeitungsstation mit einem sehr großen zeitlichen Vorteil verbunden ist. Die empfindliche Maske muss in diesem Fall nicht zwischen verschiedenen räumlich getrennten Anlagen mittels Transportboxen transportiert, entladen und geladen werden, wozu das Vakuum unterbrochen werden muss, was zu zusätzlichen Kontaminationen an der Maske führen kann. Da erfindungsgemäß die Maske während der Bearbeitung nicht aus der Projektionsbelichtungsanlage mit integrierter Korrekturfunktion und Bearbeitungsstation herausgenommen werden muss, vermindert sich somit auch das Risiko einer Kontamination durch Partikel oder eine Schädigung durch Handhabung der Maske.
  • Beim Transport der Maske von der Beleuchtungsposition an die Bearbeitungsposition wird das Vakuum in der EUV-Lithographievorrichtung nicht unterbrochen, so dass die Gefahr zusätzlicher Kontaminationen vermieden werden kann. Weiterhin kann die Transporteinrichtung so ausgelegt werden, dass beim Transport der Maske von der Bearbeitungsposition in die Beleuchtungsposition (und zurück) keine Neuregistratur, d. h. keine neue Ausrichtung des Koordinatensystems der Maske im Bezug zum Koordinatensystem der EUV-Lithographievorrichtung vorgenommen werden muss, so dass der Belichtungs- bzw. Bearbeitungsprozess direkt durchgeführt werden kann.
  • Mit Hilfe der Bearbeitungseinrichtung kann hierbei eine Reparatur der Maske vorgenommen werden, z. B. indem bei einer Amplitudenmaske die strukturierte Metallschicht korrigiert wird, oder bei einer Phasenmaske die obersten Schichten der Maske komplett abgetragen und neu aufgebracht werden, falls die Phasenlage nicht mehr korrekt ist. Die zu korrigierenden Strukturen auf der Maske können hierbei weniger als 20 nm breit sein und sollten mit einer Positionier-Genauigkeit von ca. 0.1 nm bearbeitet werden. Zur Bearbeitung ist daher eine genaue Positionierung der Maske und eine Überwachung des Korrekturvorganges erforderlich. Die Bearbeitungseinrichtung kann zu diesem Zweck z. B. zur Manipulation und Überwachung der Oberfläche mit einem insbesondere fokussierten Teilchenstrahl (Elektronen, Ionen, etc.) ausgebildet sein.
  • Zusätzlich oder alternativ kann auch eine Reinigung der Maske an der Bearbeitungsposition durchgeführt werden, z. B. indem Kohlenstoff oder Kohlenwasserstoffe oder andere kontaminierende Stoffe, insbesondere Partikel, mit Hilfe eines Reinigungsgases, insbesondere mit Hilfe von aktiviertem (atomarem) Wasserstoff von der Maskenoberfläche entfernt werden. Insbesondere Partikel sind auf der Maske besonders kritisch, da diese auf den Wafer abgebildet werden. Die Partikel können dabei zwischen wenigen Nanometern und einigen Mikrometern groß sein und müssen für ihre Entfernung zunächst auf der Maske gefunden werden, bevor sie lokal entfernt werden können.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Transporteinrichtung ausgelegt, zum Bewegen der Maske eine Maskenhalteeinrichtung zur Halterung der Maske von der Beleuchtungsposition in die Bearbeitungsposition zu bewegen. In diesem Fall kann die Maske während des Transports auf der Maskenhalteeinrichtung (engl. „reticle chuck”) verbleiben, d. h. es ist keine Neuausrichtung der Maske bezüglich des Maskenhalteeinrichtung erforderlich. Die Positionierung der Maskenhalteeinrichtung relativ zur EUV-Lithographie-vorrichtung und damit die Ausrichtung des Koordinatensystems der Maske relativ zur EUV-Lithographievorrichtung kann hierbei in jedem Punkt der Transportbewegung definiert erfolgen, wenn die Transporteinrichtung über geeignete Einrichtungen zur Verschiebung und/oder Drehung der Maskenhalteeinrichtung verfügt, die z. B. als gesteuerte Achsen ausgebildet sein können.
  • In einer Ausführungsform ist die Transporteinrichtung ausgelegt, eine weitere Maskenhalteeinrichtung zur Halterung einer weiteren Maske aus der Bearbeitungsposition in die Beleuchtungsposition zu bewegen. Auf diese Weise kann während der Inspektion / Bearbeitung einer Maske der Belichtungsbetrieb an einer weiteren Maske fortgeführt werden, so dass die Belichtung nur kurze Zeit während des Transports bzw. des Austauschs der Masken unterbrochen werden muss.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform umfasst die EUV-Lithographievorrichtung weiterhin mindestens eine Inspektionseinrichtung zur bevorzugt ortsaufgelösten Inspektion der Maske. Mittels einer solchen Inspektionseinrichtung lässt sich der Zustand der Maske bestimmen; insbesondere lassen sich Fehler in der Struktur der Maske und/oder die Dicke bzw. Verteilung einer an der Maske angelagerten Kontaminationsschicht oder Partikel erkennen. Eine Inspektionseinrichtung kann an der Beleuchtungsposition, der Bearbeitungsposition und/oder einer eigens zu diesem Zweck in der EUV-Lithographievorrichtung vorgesehenen Inspektionsposition angeordnet sein, an welche die Maske transportiert werden kann.
  • In einer Ausführungsform weist mindestens eine Inspektionseinrichtung eine Messlichtquelle zum bevorzugt gerichteten Aussenden von Strahlung auf die Maske und eine Detektoreinrichtung zur Detektion der an der Maske insbesondere lokal gestreuten und/oder reflektierten Strahlung auf. Die Inspektion der Maske kann über eine Streulichtmessung erfolgen, bei der beispielsweise die Messstrahlung unter einem Winkel auf die Maske ausgesandt und die an der Maske unter einer Mehrzahl von Winkeln gestreute Strahlung vermessen wird. Dabei kann es vorteilhaft sein, neben dem Einfallswinkel auch Polarisationsgrad und Polarisationszustand der eingesetzten Strahlung zu variieren. Hierzu wird das gestreute Spektrum beispielsweise während dem normalen Scanvorgang der Maske während der Belichtung gemessen. Damit können Veränderungen an der Maske während der Belichtung, also während des Betriebs der Maske, mit einer Auflösung von einigen Mikrometern Genauigkeit beobachtet werden, beispielsweise ob sich das Streuspektrum an einer bestimmten Stelle auf der Maske durch ein anhaftendes Partikel plötzlich verändert. Das Ergebnis der Messung kann verwendet werden, um Kontamination oder Verunreinigungen wie beispielsweise Partikel oder Defekte ortsaufgelöst detektieren zu können und um den Prozess einer detaillierten Inspektion und Korrektur zu starten, wobei insbesondere nur die Stellen an der Maske mit der Bearbeitungseinrichtung angefahren werden können, an denen Kontaminationen oder Partikel lokalisiert wurden. Alternativ oder zusätzlich kann auch eine Messung der an der Maske reflektierten Messstrahlung, d. h. des Anteils der Messstrahlung, für den Einfallswinkel und Ausfallswinkel übereinstimmen, vorgenommen werden, wie z. B. in der US 2004/0227102 A1 beschrieben ist, welche durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist eine Inspektionseinrichtung in die Bearbeitungseinrichtung integriert oder zur Inspektion der Maske an der Beleuchtungsposition ausgelegt, so dass die Inspektion und die Bearbeitung bzw. die Inspektion und die Belichtung simultan erfolgen können. Eine gemeinsame Bearbeitung und Inspektion bzw. eine Überwachung des Bearbeitungsvorgangs ist insbesondere dann möglich, wenn die Bearbeitungseinrichtung als Elektronenmikroskop, insbesondere als Rasterelektronenmikroskop (engl. „scanning electron microscope, SEM”) ausgelegt ist. In diesem Fall ist die Maske in der Objektebene des Elektronenmikroskops angeordnet und es wird die Oberfläche der Maske mittels eines Elektronenstrahls abgerastert, wobei die hierbei an der Maske erzeugten Sekundär-Elektronen zur Erzeugung einer Abbildung der Oberfläche detektiert werden. Das Mess- und Bearbeitungsfeld kann dabei einige 10 μm groß sein und über den Elektronenstrahl abgetastet werden. Gleichzeitig kann der (primäre) Elektronenstrahl auch zur Manipulation der Oberfläche verwendet werden, oder es kann ein zusätzlicher Ionenstrahl zu diesem Zweck verwendet werden, wie in der US 6855938 näher beschrieben ist, die durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird. Die zum Betrieb des Elektronenmikroskops typischer Weise benötigte Vakuum-Umgebung ist hierbei in der EUV-Lithographievorrichtung bereits vorhanden, es kann jedoch auch zusätzlich eine Trennung der beiden Vakua durch entsprechende Schleusen vorgesehen sein.
  • Zusätzlich oder alternativ kann auch eine Inspektionseinrichtung an der Belichtungsposition vorgesehen sein, wobei insbesondere auch die EUV-Lichtquelle als Messlichtquelle dienen kann. Die Inspektionseinrichtung kann hierbei z. B. wie in der US 6555828 B1 ausgelegt sein, die durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird. Dort wird ein fokussierter EUV-Lichtstrahl als Messlichtstrahl zum Abscannen der Maske eingesetzt und die reflektierte Strahlungsintensität, die gestreute Strahlungsintensität und/oder eine Veränderung des Photoelektronenstroms gemessen. Es versteht sich, dass insbesondere die Messung der gestreuten Strahlung auch stattfinden kann, wenn an Stelle eines auf einen Punkt fokussierten EUV-Lichtstrahls der bei der Belichtung verwendete EUV-Lichtstrahl, der in der Regel ein Rechteck mit hohem Aspektverhältnis auf der Maske erzeugt, als Messlichtstrahl eingesetzt wird, um eine Inspektion während des Belichtungsbetriebs zu ermöglichen.
  • Bevorzugt weist die EUV-Lithographievorrichtung weiterhin auf: eine Steuerungseinrichtung zur Ansteuerung der Bearbeitungseinrichtung und bevorzugt der Transporteinrichtung in Abhängigkeit von Inspektionsdaten über den Zustand der Maske. Die Inspektionsdaten können hierbei von der Inspektionseinrichtung an die Steuerungseinrichtung übermittelt werden, es ist alternativ oder zusätzlich aber auch möglich, dass die Inspektionsdaten nicht von der Maske selbst, sondern von einem mit Hilfe der Maske belichteten Wafer stammen. Hierzu kann das belichtete und entwickelte lichtempfindliche Substrat (engl. „resist”), welches auf dem Wafer aufgebracht ist, in einer Wafer-Inspektionsvorrichtung, die ebenfalls in der EUV-Lithographievorrichtung oder von dieser räumlich getrennt angeordnet sein kann, analysiert werden. Ergibt sich an mehreren Bildern (engl. „dies”) der Maske im entwickelten Resist jeweils ein Defekt an derselben Stelle, so deutet dies darauf hin, dass auch die Maske an der entsprechenden Stelle einen Defekt aufweist, der mittels der Bearbeitungseinrichtung repariert werden kann.
  • In einer Ausführungsform umfasst die EUV-Lithographievorrichtung eine Bewegungseinrichtung zur Bewegung der Bearbeitungseinrichtung relativ zur an der Bearbeitungsposition angeordneten Maske. Hierbei kann die Bearbeitungseinrichtung zum Abscannen der Oberfläche der Maske ausgelegt und mit einer geeigneten Verschiebeeinrichtung versehen sein. Alternativ oder zusätzlich kann auch die Maske selbst an der Bearbeitungsposition verschoben werden, um ein scannendes Bearbeiten der Oberfläche zu ermöglichen.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist die Bearbeitungseinrichtung eine Gaszuführungseinrichtung zum bevorzugt lokalen Zuführen eines Gasstroms an die Oberfläche der Maske auf. Die Gaszuführung sollte hierbei bevorzugt auf einen kleinen Teilbereich der Oberfläche begrenzt sein und kann beispielsweise wie in der WO 03/071578 A2 ausgebildet sein, welche durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird. Die Gaszuführung kann hierbei eine oder mehrere Gasdüsen aufweisen, die benachbart zur Oberfläche in Position gebracht werden können. Es versteht sich, dass die Gasdüsen auch z. B. ringförmig um ein Zentrum angeordnet sein können, in dem eine Einrichtung zum Zuführen von Strahlung und/oder Teilchen, insbesondere eines Elektronenstrahls, zur Maske angeordnet sein kann.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Gaszuführungseinrichtung zum Zuführen eines Reinigungsgases, insbesondere von aktiviertem Wasserstoff, zur Oberfläche der Maske ausgelegt, um Kontaminationen, insbesondere Kohlenstoff-Kontaminationen, von der Oberfläche der Maske zu entfernen. Neben anderen reaktiven Gasen hat sich insbesondere aktivierter Wasserstoff als besonders geeignet erwiesen, um insbesondere Kohlenstoff-Kontaminationen von den Oberflächen optischer Elemente zu entfernen. Unter aktiviertem Wasserstoff wird im Sinne dieser Anmeldung Wasserstoff verstanden, der nicht in molekularer Form vorliegt, d. h. insbesondere Wasserstoff-Radikale H•, Wasserstoff-Ionen (H+ oder H2 +) oder Wasserstoff (H*) in einem angeregten Elektronenzustand. Um den aktivierten Wasserstoff zu erzeugen, kann dieser z. B. an einem Heizelement, insbesondere einem Heizdraht, entlang geführt werden, welcher auf eine Temperatur von z. B. 2000°C aufgeheizt wird. Alternativ oder zusätzlich kann die Aktivierung von molekularem Wasserstoff auch durch einen Teilchenstrahl, insbesondere einen Elektronen- oder Ionenstrahl, oder durch die Zuführung von Strahlung erfolgen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Gaszuführungseinrichtung zum Zuführen eines Ätzgases oder eines Abscheidungsgases zur Oberfläche der Maske ausgelegt. In einem sich an die Reinigung der Maske anschließenden Schritt kann eine Korrektur von Defekten an der Maske erfolgen, sofern eine solche erforderlich ist. Hierzu kann die Oberfläche der Maske lokal einer Ätzbehandlung unterzogen werden, indem ein Ätzgas, beispielsweise eine Halogenverbindung wie Xenonfluorid (XeF2), Chlor (Cl2), Brom (Br2) oder Iod (I2) auf die Oberfläche der Maske aufgebracht und dort durch Elektronenbeschuss und/oder Strahlung aktiviert wird, um eine chemische Reaktion mit dem Material der Maske, z. B. Chrom oder dem Material der Abschlussschicht, einzugehen. Für die genauere Beschreibung eines solchen Ätzprozesses sei auf die US 2004/0033425 A1 verwiesen, welche durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird. Alternativ oder zusätzlich kann auch eine Abscheidung von Material an der Oberfläche erfolgen, indem Abscheidungsgase, die insbesondere gasförmige metallorganische Verbindungen enthalten, in die Nähe der Oberfläche gebracht werden. Durch Bestrahlung mit Elektronen oder Photonen werden die Abscheidungsgase aktiviert und bilden schwerflüchtige Verbindungen bzw. metallische Atome, die sich an der Oberfläche abscheiden können und so ggf. teilweise von der Oberfläche abgelöste Strukturen ersetzen bzw. neue Strukturen formen können.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist die Bearbeitungseinrichtung eine Strahlungsquelle zum bevorzugt lokalen Zuführen von Strahlung zur Maske auf. Bei der Strahlung kann es sich z. B. um Laserstrahlung hoher Intensität handeln, die auf einen zu bearbeitenden Teilbereich der Maske fokussiert werden kann. Auf diese Weise kann z. B. die oberste Schicht einer Phasenmaske durch Verdampfen entfernt werden oder es können an der Oberfläche der Maske abgeschiedene Kontaminationen mit hoher Präzision entfernt werden. Daneben kann die Laserstrahlung selbstverständlich auch zur Aktivierung von Gasen dienen, die der Oberfläche der Maske zugeführt werden. Als Lichtquelle können hierzu beispielsweise Femtosekundenlaser eingesetzt werden.
  • Besonders bevorzugt weist die Bearbeitungseinrichtung einen Teilchengenerator auf, um der Maske bevorzugt lokal, d. h. nur in einem Teilbereich, einen Teilchenstrahl zuzuführen. Mittels des Teilchengenerators können insbesondere geladene Teilchen, in der Regel Ionen oder Elektronen, auf einen eng begrenzten Teilbereich der Oberfläche fokussiert werden, wobei die geladenen Teilchen direkt zur Bearbeitung der Oberfläche eingesetzt und/oder zur lokalen Aktivierung von Gasen an der Oberfläche der Maske dienen können. Damit können insbesondere Korrekturen mit einer Ortsauflösung von bis zu einem nm durchgeführt werden.
  • Die Erfindung ist auch verwirklicht in einem Verfahren zum Bearbeiten einer Maske, umfassend: Anordnen der Maske in einer Beleuchtungsposition in einer EUV-Lithographievorrichtung, Bewegen der Maske aus der Beleuchtungsposition in eine Bearbeitungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung, und bevorzugt ortsaufgelöstes Bearbeiten der Maske an der Bearbeitungsposition.
  • In einer Variante des Verfahrens wird zum Bewegen der Maske eine Maskenhalteeinrichtung zur Halterung der Maske von der Beleuchtungsposition in die Bearbeitungsposition und ggf. in umgekehrter Richtung bewegt. Auf diese Weise kann, wie oben bereits dargestellt, auf eine erneute Registrierung der Maske nach dem Transport verzichtet werden.
  • Bevorzugt wird das Bearbeiten in Abhängigkeit von Inspektionsdaten über den Zustand der Oberfläche der Maske gesteuert, um eine gezielte Bearbeitung von Bereichen der Maske zu ermöglichen, in denen diese kontaminiert bzw. beschädigt ist.
  • Die Inspektionsdaten können hierbei von einer Inspektionseinrichtung zur Inspektion der Maske geliefert werden, die in der EUV-Lithographievorrichtung vorgesehen sein kann. Alternativ oder zusätzlich werden Inspektionsdaten von einer Inspektionseinrichtung zur Inspektion von mit Hilfe der Maske belichteten Substraten geliefert, die in der EUV-Lithographievorrichtung selbst oder an einem von dieser räumlich getrennten Ort angeordnet sein kann.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
  • Zeichnung
  • Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigen:
  • 1a–c schematische Darstellungen von Ausführungsformen einer EUV-Lithographievorrichtung mit einer Bearbeitungseinrichtung zum Bearbeiten einer Maske an einer Bearbeitungsposition,
  • 2a, b schematische Darstellungen der Reinigung bzw. Reparatur einer Maske mit einer strukturierten Chromschicht.
  • In 1a–c sind schematisch drei Beispiele von EUV-Lithographievorrichtungen 1a–c gezeigt, die ein Gehäuse 2 aufweisen, dem eine Vakuumerzeugungseinheit 3 (Vakuum-Pumpe) zur Erzeugung einer Vakuum-Umgebung zugeordnet ist, welche eine Restgasatmosphäre mit einem Gesamtdruck in einem Bereich zwischen ca. 10–3 mbar und 0,1 mbar in dem Gehäuse 2 erzeugt. Das Gehäuse 2 ist entsprechend der optischen Funktion der darin angeordneten optischen Elemente in drei in 1 bildlich dargestellte Gehäuseteile 4, 5, 6 unterteilt, und zwar in einen ersten, auch als Lichterzeugungseinheit bezeichneten Gehäuseteil 4, welcher eine Plasmalichtquelle und einen EUV-Kollektorspiegel zur Fokussierung der Beleuchtungsstrahlung umfasst. In dem sich daran anschließenden, zweiten Gehäuseteil 5 ist das Beleuchtungssystem angeordnet, welches zur Erzeugung eines möglichst homogenen Bildfelds in einer Objektebene 7, in der eine Maske 8 mit einer verkleinert abzubildenden Struktur (nicht gezeigt) in einer Beleuchtungsposition IL auf einer Maskenhalterung 9 (Reticle-Chuck) angeordnet ist, die ihrerseits an einer Maskenauflage (engl. „reticle stage”) 10 gelagert ist, welche zur Führung der Maskenhalterung 9 in der Objektebene 7 zum Scanbetrieb in einer Abfahrrichtung X dient.
  • Die auf der Maske 8 vorhandene Struktur wird von einem nachfolgenden Projektionssystem, welches in dem dritten Gehäuseteil 6 angeordnet ist, auf eine Bildebene 11 abgebildet, in welcher ein Wafer 12 mit einer photosensitiven Schicht (Resist) in einer Belichtungsposition EX angeordnet ist. Der Wafer 12 wird durch eine Einrichtung 13 gehalten, die einen Antrieb (nicht gezeigt) umfasst, um den Wafer 12 synchron mit der Maske 8 entlang der Abfahrrichtung X zu bewegen. Die Einrichtung 13 umfasst auch Manipulatoren, um den Wafer 12 sowohl entlang der Z-Achse, d. h. in einer Richtung senkrecht zur Bild- sowie zur Objektebene 7, 11 als auch in X- und Y-Richtung senkrecht zu dieser Achse zu verfahren.
  • Bei der in 1a gezeigten EUV-Lithographievorrichtung 1a ist der Maskentisch (engl. „reticle stage”) 10 größer ausgebildet als dies zur Bewegung der Maske 8 bzw. der Maskenhalterung 9 in Scanrichtung X an der Beleuchtungsposition IL erforderlich ist. Die Beleuchtungsposition IL ist hierbei festgelegt durch diejenigen Orte in der Objektebene 7, in denen das Licht der Beleuchtungsstrahlung auf einen Teilbereich der Maske 8 auftreffen und so die Abbildung einer Struktur auf der Maske 8 auf den Wafer 12 ermöglichen kann. Aus der Beleuchtungsposition IL kann die Maske 8 mittels einer durch einen Doppelpfeil dargestellten Transporteinrichtung 14 in eine Bearbeitungsposition TM verbracht werden, an der eine Bearbeitungseinrichtung 15 angeordnet ist, deren genauer Aufbau sowie deren Funktion weiter unten näher beschrieben wird. Es versteht sich, dass anders als in 1a gezeigt auch zwei Maskenauflagen vorgesehen sein können und die Maskenhalterung 9 vom der einen an die anderen Maskenauflage („reticle stage”) definiert übergeben wird.
  • Die Bearbeitungseinrichtung 15 ist mit einer Steuerungseinrichtung 16 verbunden, welche ihrerseits mit einer Inspektionseinrichtung 17 in Verbindung steht, die einen Laser als Messlichtquelle 18 zur Einstrahlung von Messlicht 19 auf die Maske 8 aufweist. Das an der Maske 8 gestreute Messlicht 19a wird von einem ortsauflösenden Detektor 20 erfasst und dient der Erzeugung von Inspektionsdaten, welche der Steuerungseinrichtung 16 zugeführt werden. Der Laser 18 kann hierbei insbesondere zur Erzeugung von Messlicht bei möglichst kurzen Wellenlängen von z. B. ca. 193 nm oder 157 nm ausgelegt sein. Der Laser 18 ist weiterhin beispielsweise beweglich, um die Maske 8 zumindest in einer Richtung, typischer Weise in zwei Richtungen (X und Y) abscannen zu können, d. h. um das Messlicht 19 auf jeden beliebigen Punkt der Maske 8 einstrahlen zu können. Alternativ kann über mehrere Laser oder einen entsprechend auf mehrere Strahlen aufgespaltenen Laserstrahl das Retikel quer zur Scanrichtung (in X) an mehreren Messpunkten ausgeleuchtet und das dort gestreute Licht (parallel) gemessen werden. Da während der Belichtung das Retikel in Scanrichtung (Y-Richtung) verfahren wird, wird das Retikel mit dem Laserstrahl zur Inspektion während der Belichtung in Scanrichtung automatisch abgescannt. Alternativ oder zusätzlich zur Verwendung eines Lasers als Messlichtquelle 18 kann auch die in der Lichterzeugungseinheit 4 angeordnete EUV-Lichtquelle selbst als Messlichtquelle dienen.
  • Als Messsignal erhält man das Beugungsspektrum des einfallenden Lichtes an der Maske, lokal an dem Punkt der Bestrahlung. Durch Vergleich mit Referenzstreusignalen kann die Maske 8 auf diese Weise überwacht und an ihr anhaftende Partikel bzw. Kontaminationen oder Veränderungen der Maskenstruktur festgestellt werden. Positionsaufgelöst können dann die ggf. kontaminierten Bereiche auf der Maske 8 bestimmt und die so gewonnenen Inspektionsdaten der Steuerungseinrichtung 16 zugeführt werden. Hierbei ist eine Positionsgenauigkeit der Detektion entsprechend des Bearbeitungsfensters der unten näher beschriebenen Bearbeitungseinrichtung 15 von bis zu einigen 10 μm bis 100 mm ausreichend. Die Inspektionseinrichtung 17 kann so ausgelegt werden, dass das Messlicht 19 nur neben dem abzubildenden Feld auf die Maske 8 trifft. Auf diese Weise können der Belichtungsvorgang und der Inspektionsvorgang gleichzeitig durchgeführt werden, da sichergestellt ist, dass das gestreute Messlicht 19a den Belichtungsvorgang nicht in Form von Falschlicht stören kann. Es versteht sich, dass die Inspektionseinrichtung 17 alternativ auch an einer weiteren (Inspektions-)Position in der EUV-Lithographievorrichtung 1a angeordnet werden kann. Es versteht sich weiterhin, dass die Inspektionseinrichtung 17 auch anders als in 1a gezeigt ausgelegt sein kann und z. B. lediglich die von der Maske 8 reflektierte Strahlung misst oder die Oberfläche der Maske 8 zumindest teilweise abbildet.
  • In jedem Fall wertet die Steuerungseinrichtung 16 die Inspektionsdaten aus und steht mit der Transporteinrichtung 14 in Verbindung, um den Transport der Maske 8 aus der Beleuchtungsposition IL in die Bearbeitungsposition TM zu veranlassen, wenn die Inspektionsdaten erkennen lassen, dass die Maske 8 zu stark kontaminiert bzw. beschädigt ist, um den Belichtungsprozess des Wafers 12 fortzusetzen. Die Steuereinrichtung 16 kann insbesondere auch die Bearbeitungseinrichtung 15 in Abhängigkeit von den Inspektionsdaten geeignet ansteuern, um die Behandlung der Maske 8 gezielt in den Bereichen durchzuführen, in denen dies notwendig ist.
  • Die Transporteinrichtung 14 kann z. B. herkömmliche Linearantriebe (nicht gezeigt) oder andere geeignete Einrichtungen aufweisen, welche eine definierte Positionierung der Maskenhalterung 9 („chuck”) an der Beleuchtungsposition IL, der der Bearbeitungsposition TM sowie während des Transports ermöglichen. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass nach dem Transport der Maske 8 keine erneute Ausrichtung der Maske 8 bezüglich des XYZ-Koordinatensystems der EUV-Lithographievorrichtung 1a erforderlich ist. Weiterhin ist durch die Verwendung eines einzigen Maskenhalters 9 in der EUV-Lithographieanlage 1a auch eine definierte Lage der Maske 8 in Z-Richtung festgelegt.
  • Die in 1b gezeigte EUV-Lithographievorrichtung 1b unterscheidet sich von der in 1a gezeigten lediglich dadurch, dass dort keine zusätzliche Inspektionseinrichtung vorhanden ist, sowie dadurch, dass zusätzlich zur Maskenauflage 10 noch eine weitere Maskenauflage 10a in der EUV-Lithographievorrichtung 1b angeordnet ist, auf dem ein weiterer Maskenhalter 9a angebracht ist. Die Maske 8 kann mittels eines verschwenkbaren Arms 14a als Transporteinrichtung von der Beleuchtungsposition IL in die Bearbeitungsposition TM und zurück verbracht werden. Hierzu wird die Maske 8, die an dem Maskenhalter 9 mechanisch oder auf andere Weise, z. B. durch Unterdruck festgehalten wird, vom Maskenhalter 9 gelöst und durch Verschwenken des Arms 14a in die Bearbeitungsposition TM verbracht, wo die Maske 8 nachfolgend an dem weiteren Maskenhalter 9a befestigt wird, um in der Bearbeitungsposition TM mittels der Bearbeitungseinrichtung 15 bearbeitet zu werden. Im Unterschied zur in 1a gezeigten EUV-Lithographievorrichtung 1a erfolgt nach der Übergabe der Maske 8 von der Transporteinrichtung 14a an die Maskenhalterung 9 bzw. 9a jeweils eine Registrierung der Maske 8, d. h. eine Ausrichtung der Maske 8 bezüglich des XYZ-Koordinatensystems der EUV-Lithographievorrichtung 1b. Der verschwenkbare Arm 14a kann die Maske 8 auch an weitere Positionen in der EUV-Lithographievorrichtung 1b verbringen, z. B. in eine (nicht gezeigte) Ab- bzw. Zuführungsposition, um die Maske 8 gegen eine andere zur Belichtung benötigte Maske auszutauschen. Es versteht sich, dass an Stelle des verschwenkbaren Arms 14a auch andere Transporteinrichtungen (verkippbare/verschwenkbare Roboterarme) etc. zum Transport der Maske 8 eingesetzt werden können.
  • Wie oben bereits erwähnt, ist in der EUV-Lithographievorrichtung 1b keine zusätzliche Inspektionseinrichtung angeordnet, um den Zustand der Maske 8 zu überwachen. Um dennoch die Bearbeitungseinrichtung 15 geeignet steuern zu können, ist die Steuerungseinrichtung 16 ausgelegt, Inspektionsdaten von einer externen Inspektionseinrichtung 17a zur Überprüfung von Wafern 12, die mit Hilfe der Maske 8 belichtet wurden, zu empfangen und auszuwerten. Die Inspektionsdaten können z. B. auf elektronischem Wege mittels einer geeigneten Datenübertragungseinrichtung an die Steuereinrichtung 16 übertragen werden. Aus den Inspektionsdaten der verkleinerten Abbilder der Struktur der Maske 8 auf dem Wafer 12 können Rückschlüsse auf die Beschaffenheit der Maske 8 gezogen und auch lokale Fehler an der Maske 8 erkannt werden, welche nachfolgend mittels der Bearbeitungseinrichtung 15 korrigiert werden können. Es versteht sich, dass ggf. die Wafer-Inspektionseinrichtung auch in die EUV-Lithographievorrichtung 1b integriert sein kann, wobei in diesem Fall der Wafer mittels einer geeigneten Transporteinrichtung aus der Belichtungsposition EX an eine (nicht gezeigte) Inspektionsposition verbracht werden kann.
  • Alternativ kann im Ausführungsbeispiel nach 1b während der Belichtung der Maske 8 eine weitere, gestrichelt dargestellte Maske in der Bearbeitungseinrichtung 15 auf Fehler untersucht und nötigenfalls bearbeitet oder korrigiert werden. Dies ist möglich, da zwei Retikeltische als Maskenauflagen 9, 9a vorgesehen sind, so dass der Belichtungsvorgang mit der Projektionsbelichtungsanlage 1b nicht unterbrochen werden muss und mit einem anderen Retikel fortgesetzt werden kann. Hierbei kann der verschwenkbare Arm 14a zur Aufnahme von zwei oder mehr Masken ausgelegt sein, um einen Austausch der Maske 8 gegen die weitere Maske zu ermöglichen. Auch in dieser Ausführung ist es jedoch vorteilhaft, wenn die Aufwendungen für das Handling des empfindlichen Retikels auf ein Minimum reduziert werden kann, insbesondere dadurch, dass die Maske nicht aus der Projektionsbelichtungsanlage entfernt werden muss.
  • Die in 1c gezeigte EUV-Lithographievorrichtung 1c unterscheidet sich von der in 1a gezeigten dadurch, dass neben der Maskenhalterung 9 eine weitere Maskenhalterung 9a in der EUV-Lithographievorrichtung 1c angeordnet ist, an der eine weitere Maske 8a gelagert ist. In diesem Fall kann mittels der Maske 8, die in der Beleuchtungsposition IL angeordnet ist, der Belichtungsbetrieb durchgeführt werden, während die weitere Maske 8a in der Bearbeitungsposition TM bearbeitet werden kann. Die beiden Maskenhalterungen 9, 9a können hierbei ihre Positionen tauschen, was beispielsweise dadurch bewerkstelligt werden kann, dass die Transporteinrichtung 14b zwei Verschiebeeinheiten aufweist, an welche die Maskenhalterungen 9, 9a wahlweise angekoppelt werden können. Die beiden Maskenhalterungen 9, 9a können hierbei jeweils entlang des als Führungsfläche dienenden Maskenauflage 10 in eine Zwischenposition verbracht werden, an der Kopplung der Maskenhalterungen 9, 9a an die Verschiebeeinheiten aufgehoben und nachfolgend vertauscht wird, wie in der WO 98/040791 im Detail beschrieben ist, welche durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
  • Im Folgenden wird anhand der 2a, b die Bearbeitung der Maske 8 an der Bearbeitungsposition TM bzw. der Aufbau der Maske 8 näher beschrieben. Die Maske 8 weist ein Substrat 21 auf, auf das eine Mehrlagen-Beschichtung 22 aufgebracht ist, die durch eine Abfolge von alternierenden Molybdän- und Silizium-Schichten gebildet ist. An der Oberseite der Mehrlagen-Beschichtung ist eine Deckschicht 22a gebildet, ein sog. CAP-Layer, beispielsweise mit der obersten Schicht gebildet aus Ruthenium., auf die eine strukturierte Chrom-Schicht 23 aufgebracht ist. Wie in 2a zu erkennen ist, haben sich während des Belichtungsbetriebs an der Maske 8 inhomogen verteilte Kohlenstoff-Kontaminationen 24 gebildet, welche dazu führen, dass an den betroffenen Stellen ein geringerer Anteil der in der Beleuchtungsposition IL auf die Maske 8 auftreffenden Beleuchtungsstrahlung reflektiert wird, so dass das bei der Abbildung mittels des Projektionssystems 6 ein Abbild der Maske 8 auf dem Wafer 12 erzeugt wird, das nicht der strukturierten Chrom-Schicht 23 entspricht. Weitere Verunreinigungen auf der Maske 8, z. B. Partikel, die von der Größe der abzubildenden Strukturen sein können, werden ebenfalls auf den Wafer 12 abgebildet.
  • Um die Kontaminationen oder Partikel 24 von der Maske 8 abzulösen, weist die Bearbeitungseinrichtung 15 eine Gaszuführungseinrichtung 25 auf, welche eine ringförmige Gasdüse 26 zum Zuführen eines Gasstroms 27 zur Oberfläche der Maske 8 aufweist. Die Gaszuführungseinrichtung 25 hält Behälter für mehrere Arten von Gasen bereit, die wahlweise mit Hilfe der Gasdüse 26 auf die Maske 8 aufgebracht werden können.
  • Zum Entfernen der Kontaminationen 24 wird molekularer Wasserstoff durch die Gasdüse 26 auf die Maske 8 geleitet. Der molekulare Wasserstoff wird hierbei durch Laserstrahlung 28 aktiviert, welche von einem Laser 29 (Femtosekunden-Laser) als Strahlungsquelle über einen Umlenkspiegel 29a auf die Maske 8 geleitet wird und dort den molekularen Wasserstoff in aktivierten Wasserstoff, z. B. in Form von Wasserstoff-Radikalen (H•) umwandelt. Der aktivierte Wasserstoff bildet mit den Kontaminationen 24 leichtflüchtige Kohlenstoff-Verbindungen, so dass die Kontaminationen 24 sich von der Oberfläche ablösten. Es versteht sich, dass alternativ oder zusätzlich der molekulare Wasserstoff auch durch thermische Anregung aktiviert werden kann, z. B. indem in der Gasdüse 26 ein Heizelement z. B. in Form eines Heizdrahts aus Wolfram angeordnet wird, welcher auf Temperaturen von ca. 1000°C bis ca. 2000°C aufgeheizt wird und über den der molekulare Wasserstoff geleitet wird.
  • Da der aktivierte Wasserstoff ggf. auch die unter den Kontaminationen 24 angeordnete Mehrlagen-Beschichtung 22 bzw. die Abschlussschicht 22a angreifen kann, ist es erforderlich, die Bearbeitung der Maske 8 rechtzeitig zu stoppen, sobald die Kontaminationen 24 vollständig oder nahezu vollständig von der Maske 8 entfernt worden sind. Um die Reinigung zu überwachen, kann ein Elektronenmikroskop 30 dienen, welches einen in Z-Richtung von unten nach oben verlaufenden Elektronenstrahl 30a auf die Maske 8 fokussiert, die in der Objektebene des Elektronenmikroskops 30 angeordnet ist. Durch die Detektion von durch den Elektronenstrahl 30a an der Maske 8 erzeugten Sekundärelektronen kann ein Bild der Oberfläche der Maske 8 im momentan zu bearbeiteten Bereich erstellt werden. Aus den hierbei ermittelten Inspektionsdaten kann die Steuerungseinrichtung 16 den Zeitpunkt bestimmen, an dem die Kontaminationen 24 an einem bearbeiteten Bereich vollständig abgetragen sind und die Reinigung in einem benachbarten Bereich der Maske 8 weitergeführt werden kann. Zu diesem Zweck kann die Bearbeitungseinrichtung 15 mit Hilfe einer in 2a durch Doppelpfeile 31 dargestellten Bewegungseinrichtung, welche drei herkömmliche Linearantriebe umfasst, entlang der drei Achsen des XYZ-Koordinatensystems der EUV-Lithographievorrichtung 1 bewegt werden. Es versteht sich, dass alternativ oder zusätzlich auch die Maske 8 bzw. die Maskenhalterung 9a in der XY-Ebene oder der Z-Richtung verschoben werden kann, um eine lokale Bearbeitung der Maske 8 zu ermöglichen. Als Teil der Bearbeitungseinrichtung 15 kann selbstverständlich auch der Laser 29 bewegt werden, wobei zusätzlich auch der Umlenkspiegel 29a verkippbar gelagert sein kann, um die Laserstrahlung 28 an einen gewünschten Bereich auf der Maske 8 umzulenken.
  • Nach dem vollständigen Abtragen der Kontaminationen 24 kann in einem zweiten Schritt eine Reparatur der Maske 8 erfolgen, wie in 2b gezeigt ist. Hierzu kann entweder ein Teilbereich der Maske 8 an der Oberfläche mittels eines Ätzgases entfernt oder mittels eines Depositionsgases, im vorliegenden Fall einer organischen Chrom-Verbindung, Material auf die Maske 8 aufgebracht werden. Das Abätzen eines Teils der Maske ist in 2b anhand von Chlor als Ätzgas dargestellt, das als Gasstrom 27 der Maske 8 zugeführt wird. Das Chlorgas wird zusätzlich durch den Elektronenstrahl 30a aktiviert, d. h. in Chlor-Radikale (Cl•) umgewandelt und kann so das Material der Maske 8 gezielt anätzen, wobei der Ätzbereich auf eine kleine Umgebung um den Elektronenstrahl 30a herum begrenzt werden kann, da nur in diesem Bereich eine Anregung stattfindet. Hierbei ist es möglich, Strukturen von weniger als 20 nm Breite bzw. Strukturkanten im Bereich von weniger als 1 nm zu korrigieren. Es versteht sich, dass die Ätzbehandlung ggf. auch mit Hilfe von atomarem Wasserstoff als Ätzgas vorgenommen werden kann, wobei es sich anbietet, in diesem Fall die Reinigung und die Ätzbehandlung zu kombinieren, d. h. in einem jeweiligen Bereich sowohl die Reinigung als auch die Ätzbehandlung nacheinander vorzunehmen, bevor in einen benachbarten Bereich der Maske 8 gewechselt wird.
  • Zum Auftragen von Material auf die Maske ist es erforderlich, das Reinigungs- oder Ätzgas gegen ein Depositionsgas auszutauschen. Auch in diesem Fall kann eine Reinigung und/oder Reparatur eines Teilbereichs der Maske 8 erfolgen, bevor zu einem benachbarten Teilbereich übergegangen wird, indem z. B. eine zusätzliche Gasdüse an der Behandlungseinrichtung 15 vorgesehen wird, was einen schnellen Wechsel zwischen Ätz- bzw. Reinigungs- und Depositionsgas ermöglicht. Die jeweils zur Behandlung der Maske 8 eingesetzten reaktiven Gase können selbstverständlich auf die jeweils vorhandenen Maskenmaterialien abgestimmt werden. So kann beispielsweise durch eine metallorganische Verbindung, welche Ruthenium enthält, auch eine Beschädigung eines Ru-Cap-Layers lokal korrigiert werden, wobei die Aktivierung der Metallabscheidung auch in diesem Fall nur auf den unmittelbaren Bereich um den Elektronenstrahl begrenzt ist.
  • Für großflächige Bearbeitungen wie Beseitigung von Kontaminationen müssen die Gase nicht zwingend erst in der Nähe der Maske 8 aktiviert werden, vielmehr kann eine solche Aktivierung ggf. ganz oder teilweise bereits in der Gaszuführungseinrichtung 25 stattfinden.
  • Auch umfasst die Bearbeitungseinrichtung 15 nicht zwingend wie oben beschrieben sowohl ein Elektronenmikroskop 30 zur Erzeugung eines Elektronenstrahls 30a bzw. zur Inspektion der Maske 8, eine Gaszuführungseinrichtung 25 zur Erzeugung eines Gasstroms 27 und einen Laser 29 als Strahlungsquelle zur Erzeugung von (Laser-)strahlung 28. Vielmehr genügt ggf. auch eine einzelne dieser Vorrichtungen, um eine Bearbeitung der Maske 8 zu ermöglichen. Insbesondere kann es ggf. ausreichen, wenn an der Bearbeitungsposition TM lediglich eine Behandlung der Maske 8 mit einem Reinigungsgas durchgeführt wird. Die Bearbeitungseinrichtung 15 kann ggf. anders als in 1a–c gezeigt auch in einer separaten Vakuumkammer innerhalb der EUV-Lithographievorrichtung 1a–c angeordnet sein.
  • Es versteht sich, dass die in 2a, b gezeigte Reinigung/Bearbeitung auch an Phasenmasken durchgeführt werden kann. Da die Phasenmaske an den phasenschiebenden Strukturen keine absorbierende Metallschicht wie Chrom an ihrer Oberfläche aufweist, kann es hierzu ggf. erforderlich sein, das (Raster-)Elektronenmikroskop 30 mit einer Abschirmung zu versehen, um den Einfluss von Ladungshäufungen an der Oberfläche der Maske 8 bei der Abbildung zu kompensieren, wie in der US 2005/0230621 A1 dargestellt ist, welche durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
  • Bei der Korrektur phasenschiebender Strukturen können diese erst durch lokales Ätzen mit hoher Auflösung entfernt und anschließend neu und in gewünschter Weise aufgebracht werden, beispielsweise durch veränderte Abfolge verschiedener Schichtmaterialien bzw. Schichtdicken der Multilayer-Stapel aus Molybdän bzw. Silizium.
  • Insgesamt kann durch das Vorsehen einer Bearbeitungseinrichtung im Inneren einer EUV-Lithographievorrichtung eine schnelle Reinigung und Reparatur der Maske erfolgen, ohne dass diese hierzu aus der Vakuum-Umgebung entfernt, d. h. das Vakuum unterbrochen werden muss. Zusätzlich kann ggf. auch die erneute Registratur der Maske nach dem Transport von der Beleuchtungs- in die Bearbeitungsposition und zurück vermieden werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 2007/0132989 A1 [0005]
    • - EP 2007/009593 [0006]
    • - US 6855938 [0007, 0018]
    • - US 2004/0227102 A1 [0017]
    • - US 6555828 B1 [0019]
    • - WO 03/071578 A2 [0022]
    • - US 2004/0033425 A1 [0024]
    • - WO 98/040791 [0045]
    • - US 2005/0230621 A1 [0054]

Claims (18)

  1. EUV-Lithographievorrichtung (1a–c), umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung (5) zum Beleuchten einer Maske (8) an einer Beleuchtungsposition (IL) in der EUV-Lithographievorrichtung (1a–c), sowie eine Projektionseinrichtung (6) zur Abbildung einer an der Maske (8) vorgesehenen Struktur auf ein lichtempfindliches Substrat (12), gekennzeichnet durch eine Bearbeitungseinrichtung (15) zur bevorzugt ortsaufgelösten Bearbeitung der Maske (8) an einer Bearbeitungsposition (TM) in der EUV-Lithographievorrichtung (1a–c), sowie eine Transporteinrichtung (14, 14a, 14b) zum Bewegen der Maske (8) von der Beleuchtungsposition (IL) in die Bearbeitungsposition (TM).
  2. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Transporteinrichtung (14, 14b) ausgelegt ist, zum Bewegen der Maske (8) eine Maskenhalteeinrichtung (9) von der Beleuchtungsposition (IL) in die Bearbeitungsposition (TM) zu bewegen.
  3. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Transporteinrichtung (14b) ausgelegt ist, eine weitere Maskenhalteeinrichtung (9a) zur Halterung einer weiteren Maske (8a) aus der Bearbeitungsposition (TM) in die Beleuchtungsposition (IL) zu bewegen.
  4. EUV-Lithographievorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend: mindestens eine Inspektionseinrichtung (17, 30) zur bevorzugt ortsaufgelösten Inspektion der Maske (8, 8a).
  5. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 4, bei der die Inspektionseinrichtung (17) eine Messlichtquelle (18) zum bevorzugt gerichteten Aussenden von Strahlung (19) auf die Maske (8) und eine Detektoreinrichtung (20) zur Detektion der insbesondere lokal an der Maske (8) gestreuten und/oder reflektierten Strahlung (19a) aufweist.
  6. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, bei der die Inspektionseinrichtung (17, 30) in die Bearbeitungseinrichtung (15) integriert oder zur Inspektion der Maske (8) an der Beleuchtungsposition (IL) ausgelegt ist.
  7. EUV-Lithographievorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend: eine Steuerungseinrichtung (16) zur Ansteuerung der Bearbeitungseinrichtung (15) und bevorzugt der Transporteinrichtung (14, 14a, 14b) in Abhängigkeit von Inspektionsdaten über den Zustand der Maske (8).
  8. EUV-Lithographievorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend eine Bewegungseinrichtung (31) zur Bewegung der Bearbeitungseinrichtung (15) relativ zur an der Bearbeitungsposition (TM) angeordneten Maske (8).
  9. EUV-Lithographievorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Bearbeitungseinrichtung (15) eine Gaszuführungseinrichtung (25) zum bevorzugt lokalen Zuführen eines Gasstroms (27) zur Maske (8) aufweist.
  10. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 9, bei der die Gaszuführungseinrichtung (25) zum Zuführen eines Reinigungsgases, insbesondere von aktiviertem Wasserstoff (H•), zur Maske (8) ausgelegt ist, um Kontaminationen, insbesondere Kohlenstoff-Kontaminationen, von der Maske (8) zu entfernen.
  11. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, bei der die Gaszuführungseinrichtung (25) zum Zuführen eines Ätzgases und/oder eines Abscheidungsgases zur Maske (8) ausgelegt ist.
  12. EUV-Lithographievorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Bearbeitungseinrichtung (15) eine Strahlungsquelle (29) zum bevorzugt lokalen Zuführen von Strahlung (28) zur Maske (8) aufweist.
  13. EUV-Lithographievorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Bearbeitungseinrichtung (15) einen Teilchengenerator (30) zum bevorzugt lokalen Zuführen eines Teilchenstrahls (30a) zur Maske (8) aufweist.
  14. Verfahren zum Bearbeiten einer Maske (8), umfassend: Anordnen der Maske (8) in einer Beleuchtungsposition (IL) in einer EUV-Lithographievorrichtung (1a–c), Bewegen der Maske (8) aus der Beleuchtungsposition (IL) in eine Bearbeitungsposition (TM) in der EUV-Lithographievorrichtung (1a–c), und Bevorzugt ortsaufgelöstes Bearbeiten der Maske (8) an der Bearbeitungsposition (TM).
  15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem zum Bewegen der Maske (8) eine Maskenhalteeinrichtung (9) für die Maske (8) von der Beleuchtungsposition (IL) in die Bearbeitungsposition (TM) bewegt wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem das Bearbeiten in Abhängigkeit von Inspektionsdaten über den Zustand der Maske (8) gesteuert wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Inspektionsdaten von einer Inspektionseinrichtung (17, 30) zur Inspektion der Maske (8) in der EUV-Lithographievorrichtung (1a–c) geliefert werden.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, bei dem die Inspektionsdaten von einer Inspektionseinrichtung (17a) zur Inspektion von mit Hilfe der Maske (8) belichteten Substraten (12) geliefert werden.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011079451A1 (de) * 2011-07-20 2012-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung und Verfahren zur Verringerung von oxidischen Verunreinigungen
US9513568B2 (en) 2012-07-06 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2018104109A1 (de) * 2016-12-06 2018-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum reparieren von reflektiven optischen elementen für die euv-lithographie
DE102019124063A1 (de) * 2019-09-09 2021-01-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung und/oder Reparatur einer Maske für die Fotolithographie

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10330581B2 (en) 2007-09-17 2019-06-25 Rave Llc Debris removal from high aspect structures
US10384238B2 (en) 2007-09-17 2019-08-20 Rave Llc Debris removal in high aspect structures
DE102008040426B4 (de) * 2008-07-15 2015-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
DE102009033319B4 (de) 2009-07-15 2019-02-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahl-Mikroskopiesystem und Verfahren zum Betreiben desselben
JP5662123B2 (ja) * 2010-02-02 2015-01-28 株式会社日立ハイテクサイエンス Ｅｕｖマスク修正装置および方法
DE102011005543A1 (de) * 2011-03-15 2012-09-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur der Oberflächenform eines Spiegels
NL2008335A (en) * 2011-04-07 2012-10-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask.
US8443308B2 (en) * 2011-05-02 2013-05-14 Synopsys Inc. EUV lithography flare calculation and compensation
US9249501B2 (en) * 2011-05-18 2016-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Surface correction on coated mirrors
DE102012212194B4 (de) * 2012-07-12 2017-11-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Veränderung einer optischen Wellenfront in einem katoptrischen Objektiv einer solchen Anlage
US8999610B2 (en) * 2012-12-31 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography mask repairing process
US10953441B2 (en) * 2013-03-15 2021-03-23 Kla Corporation System and method for cleaning optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system
DE102013226678A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem und Transporteinrichtung zum Transport eines reflektiven optischen Elements
US10459352B2 (en) 2015-08-31 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask cleaning
DE102016206088A1 (de) * 2016-04-12 2017-05-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer kontaminierenden Schicht und/oder der Art eines kontaminierenden Materials, optisches Element und EUV-Lithographiesystem
DE102016208850A1 (de) * 2016-05-23 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit Elementen zur Plasmakonditionierung
CN107685047A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 特铨股份有限公司 非接触式光罩或晶圆洁净装置
US10395358B2 (en) * 2016-11-10 2019-08-27 Kla-Tencor Corp. High sensitivity repeater defect detection
DE102017211539A1 (de) 2017-07-06 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entfernen einer Kontaminationsschicht durch einen Atomlagen-Ätzprozess
DE102018206278A1 (de) * 2018-04-24 2019-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske
KR20200052124A (ko) 2018-11-06 2020-05-14 삼성전자주식회사 Euv 집광 장치 및 상기 euv 집광 장치를 포함하는 리소그래피 장치
US11347143B2 (en) * 2019-09-30 2022-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof
CN113391521A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 长鑫存储技术有限公司 曝光机及曝光方法
KR20230004504A (ko) * 2020-04-21 2023-01-06 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Euv 리소그래피 장치의 동작 방법 및 euv 리소그래피 장치
US11579539B2 (en) * 2021-03-03 2023-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for improving critical dimension variation
US11543757B2 (en) * 2021-04-20 2023-01-03 Kla Corporation System and method for optical-path coupling of light for in-situ photochemical cleaning in projection imaging systems

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998040791A1 (en) 1997-03-10 1998-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Positioning device having two object holders
US6555828B1 (en) 1998-11-17 2003-04-29 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for inspecting reflection masks for defects
WO2003071578A2 (de) 2002-02-25 2003-08-28 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Materialbearbeitungssystem, materialbearbeitungsverfahren und gaszuführung hierfür
US20040033425A1 (en) 2002-05-16 2004-02-19 Koops Hans Wilfried Peter Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface
US20040227102A1 (en) 2003-02-24 2004-11-18 Asml Netherlands B.V. Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus
US6855938B2 (en) 2002-07-19 2005-02-15 Carl Zeiss Nts Gmbh Objective lens for an electron microscopy system and electron microscopy system
US20050230621A1 (en) 2004-04-15 2005-10-20 Klaus Edinger Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles
US20070132989A1 (en) 2005-12-12 2007-06-14 Julian Kaller Devices and methods for inspecting optical elements with a view to contamination
WO2009059614A1 (en) 2007-11-06 2009-05-14 Carl Zeiss Smt Ag Method for removing a contamination layer from an optical surface, method for generating a cleaning gas, and corresponding cleaning and cleaning...

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08327959A (ja) * 1994-06-30 1996-12-13 Seiko Epson Corp ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
DE3785737T2 (de) * 1986-12-26 1993-09-02 Seiko Instr Inc Geraet zur ausbesserung eines gemusterten films.
JPH01201481A (ja) * 1987-10-13 1989-08-14 Fujitsu Ltd 高圧相窒化ほう素の気相合成方法及び装置
US5821175A (en) * 1988-07-08 1998-10-13 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation using various methods to achieve desired inert gas flow over treated surface
JP3077422B2 (ja) * 1992-11-05 2000-08-14 株式会社ニコン Ｘ線露光装置
JPH0990607A (ja) 1995-07-14 1997-04-04 Canon Inc 原版検査修正装置及び方法
JP3827359B2 (ja) * 1996-03-19 2006-09-27 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
JPH10223512A (ja) 1997-02-10 1998-08-21 Nikon Corp 電子ビーム投影露光装置
JPH11288870A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Nikon Corp 露光装置
AU3957599A (en) * 1998-05-29 1999-12-20 Nikon Corporation Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its manufacturing method, and device manufacturing method
IL127720A0 (en) * 1998-12-24 1999-10-28 Oramir Semiconductor Ltd Local particle cleaning
US6394109B1 (en) * 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
TW446858B (en) 1999-04-21 2001-07-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing
US6627846B1 (en) * 1999-12-16 2003-09-30 Oramir Semiconductor Equipment Ltd. Laser-driven cleaning using reactive gases
US20020053353A1 (en) * 2000-03-13 2002-05-09 Shintaro Kawata Methods and apparatus for cleaning an object using an electron beam, and device-fabrication apparatus comprising same
US6589354B2 (en) * 2001-01-04 2003-07-08 Paul B. Reid Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning
US6772776B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-10 Euv Llc Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces
US6828569B2 (en) * 2001-11-19 2004-12-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2003249490A (ja) * 2001-12-20 2003-09-05 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ラジカルガン
US6635844B2 (en) * 2002-01-03 2003-10-21 United Microelectronics Corp. Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser
US6829035B2 (en) 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG135934A1 (en) * 2002-12-20 2007-10-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2004104707A2 (de) * 2003-05-22 2004-12-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente
SG112047A1 (en) * 2003-11-11 2005-06-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with contamination suppression, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2007027419A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Canon Inc 露光装置
US20070146658A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2007220949A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Ushio Inc 極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置における集光光学手段の汚染抑制方法
JP2008042078A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Hyogo Prefecture スズ除去方法及び装置
US7671347B2 (en) * 2006-10-10 2010-03-02 Asml Netherlands B.V. Cleaning method, apparatus and cleaning system
WO2008072641A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998040791A1 (en) 1997-03-10 1998-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Positioning device having two object holders
US6555828B1 (en) 1998-11-17 2003-04-29 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for inspecting reflection masks for defects
WO2003071578A2 (de) 2002-02-25 2003-08-28 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Materialbearbeitungssystem, materialbearbeitungsverfahren und gaszuführung hierfür
US20040033425A1 (en) 2002-05-16 2004-02-19 Koops Hans Wilfried Peter Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface
US6855938B2 (en) 2002-07-19 2005-02-15 Carl Zeiss Nts Gmbh Objective lens for an electron microscopy system and electron microscopy system
US20040227102A1 (en) 2003-02-24 2004-11-18 Asml Netherlands B.V. Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus
US20050230621A1 (en) 2004-04-15 2005-10-20 Klaus Edinger Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles
US20070132989A1 (en) 2005-12-12 2007-06-14 Julian Kaller Devices and methods for inspecting optical elements with a view to contamination
WO2009059614A1 (en) 2007-11-06 2009-05-14 Carl Zeiss Smt Ag Method for removing a contamination layer from an optical surface, method for generating a cleaning gas, and corresponding cleaning and cleaning...

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011079451A1 (de) * 2011-07-20 2012-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung und Verfahren zur Verringerung von oxidischen Verunreinigungen
US9513568B2 (en) 2012-07-06 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US10788763B2 (en) 2012-07-06 2020-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2018104109A1 (de) * 2016-12-06 2018-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum reparieren von reflektiven optischen elementen für die euv-lithographie
US11099484B2 (en) 2016-12-06 2021-08-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for repairing reflective optical elements for EUV lithography
DE102019124063A1 (de) * 2019-09-09 2021-01-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung und/oder Reparatur einer Maske für die Fotolithographie

Also Published As

Publication number Publication date
KR101485632B1 (ko) 2015-01-22
CN102187281A (zh) 2011-09-14
US8885141B2 (en) 2014-11-11
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CN102187281B (zh) 2014-09-10
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JP5586611B2 (ja) 2014-09-10
WO2010043398A1 (de) 2010-04-22

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