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Die
Erfindung betrifft ein System zur Reinigung einer Oberfläche eines
Bauteils, insbesondere eines optischen Elements eines Projektionsobjektivs in
einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie,
von Kontaminationen.
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Während eines
Belichtungsprozesses eines Wafers mit UV-Strahlung durch ein Projektionsobjektiv
kann es zu einem Ausgasen von Photolack, welcher auf dem Wafer aufgebracht
ist, kommen. Der ausgegaste Photolack kann in Richtung eines in Strahlrichtung
letzten optischen Elements, auch als Abschlussplatte bezeichnet,
des Projektionsobjektivs aufsteigen. Aufgrund von chemischen und/oder
thermischen Effekten können
sich diese Lackreste an der Abschlussplatte des Projektionsobjektivs
niederschlagen, wodurch diese entsprechend kontaminiert wird. Diese
Kontamination wirkt sich störend
auf die Transmission und die Uniformität der Transmission über das
zu belichtende Feld aus. Dies kann dazu führen, dass das Projektionsobjektiv
zur Reinigung vom Kunden zurück
geliefert werden muss, oder die Reinigung vor Ort notwendig ist,
was zu erheblichen Produktionsausfallzeiten führen kann.
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Zur
Beseitigung derartiger Kontaminationen ist bereits vorgeschlagen
worden, eine Reinigung der Abschlussplatte durch ein „Fischen" vorzunehmen. Unter „Fischen" wird eine mechanische
Reinigung durch einen Wattebausch verstanden. Durch eine derartige
mechanische Reinigung können
jedoch auf der Abschlussplatte aufgebrachte Schichten, wie beispielsweise
eine Antireflexschicht, beschädigt
oder sogar zerstört
werden. Ist eine derartige Schicht durch die Reinigung so stark
beschädigt,
muss die Abschlussplatte oder sogar das gesamte Projektionsobjektiv
ausgetauscht werden.
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Aus
der
JP 2000091207
A ist ein Verfahren zur Reinigung einer Abschlussplatte
eines Projektionsobjektives bekannt, wobei in einer Waferebene ein
Konkavspiegel zur Reflexion des UV-Lichtes angeordnet ist. Der Konkavspiegel
reflektiert das durch das Projektionsobjektiv tretende UV-Licht
auf die Abschlussplatte. Durch Ändern
der Richtung des Konkavspiegels mittels einer Kippeinrichtung am
Konkavspiegel werden die Kontaminationen auf der Oberfläche der
Abschlussplatte zersetzt und mittels eines Gasstromes, welcher auf
die Abschlussplatte gerichtet wird, entfernt und in eine Absaugeinrichtung bzw.
in eine Düse
abgesaugt.
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Aus
der
US 6,268,904 B1 ist
ein optisches Reinigungsverfahren bekannt, wobei ein optisches Ablenkelement
zur Ablenkung des Lichtes im Beleuchtungsstrahlengang derart angeordnet
wird, dass ein zweiter optischer Strahl erzeugt wird, welcher sich
vom Belichtungsstrahl unterscheidet. Der zweite optische Strahl
führt das
sogenannte Photo-Reinigen (photocleaning) durch. Das Photo-Reinigen
erfolgt durch Vergrößerung entweder
des Transmissionsgrades oder des Reflexionsgrades eines optischen
Elements mittels Leitens des Lichtes einer vorgegebenen Wellenlänge, welches
von den optischen Elementen eines optischen Systems geleitet wird.
Ein Umlenkwinkel des Lichtstrahles, welcher vom Umlenkelement hervorgerufen
wird, sollte der Bedingung Δ ≥ NA
P – NA
I genügen.
Diese stellt sicher, dass der periphere Teil des zu reinigenden
optischen Elements ebenfalls photogereinigt wird. Zwischen einem
Projektionsobjektiv und einem Wafer wird ein Shutter eingebracht,
welcher eine reflektierende Oberfläche aufweist. Auf diese Weise
wird der durch das Projektionsobjektiv tretende Lichtstrahl an der
Shutteroberfläche
zurück
durch das Projektionsobjektiv reflektiert und tritt ebenfalls wieder
durch die Belichtungseinrichtung. Auf diese Weise kann der Photoreinigungseffekt
erhöht
werden.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein System zu
Reinigung einer Oberfläche eines
Bauteils zu schaffen, mit dem die Oberfläche des Bauteils dekontaminiert
werden kann und zwar ohne die Gefahr von Schädigungen an Beschichtungen
oder Materialien.
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Erfindungsgemäß wird diese
Aufgabe durch die Merkmale des Anspruches 1 gelöst.
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Erfindungsgemäß wird zur
Reinigung einer Oberfläche
eines Bauteils wenigstens ein reflektives Element zu der Oberfläche des
Bauteils so angeordnet, dass eine Mikrowellenstrahlung derart an
dem reflektiven Element umgelenkt wird, dass dieses die Oberfläche des
Bauteiles beleuchtet. Durch die Bestrahlung der Oberfläche des
Bauteiles mit Mikrowellen werden die sich auf der Oberfläche des
Bauteiles befindlichen Kontaminationen aufgespalten bzw. erwärmt, wobei
dadurch die Adhäsionskräfte minimal und
die Kontaminationen über
einen gerichteten Gasstrom von der Oberfläche des Bauteils abtransportiert
werden. Das erfindungsgemäße System
eignet sich im besonderen zur Reinigung von optischen Elementen
eines Projektionsobjektivs in einer Projektionsbelichtungsanlage
für die
Halbleiterlithographie. Ein wesentlicher Vorteil ist, dass die Projektionsbelichtungsanlage
nicht abgeschaltet bzw. heruntergefahren werden muss, um vorzugsweise
eine in Strahlrichtung erste optische Fläche und eine letzte optische
Fläche
des Projektionsobjektives zu dekontaminieren. Dies bringt eine erhebliche
Zeitersparnis mit sich.
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Weiterhin
vorteilhaft ist bei der Reinigung der Oberfläche des Bauteils mit einer
Mikrowellenstrahlung, dass sich ein wesentlich geringerer Reinigungsaufwand
im Gegensatz zu aus dem allgemeinen Stand der Technik bekannten
teuren Plasmaöfen
ergibt.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden nachfolgend anhand der prinzipmäßig beschriebenen
Zeichnungen näher
erläutert.
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1 eine
Prinzipdarstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, welche
zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien
beschichtete Wafer verwendbar ist;
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2 eine
prinzipmäßige Darstellung
einer Projektionsbelichtungsanlage mit einer Reinigung von optischen Elementen;
und
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3 eine
prinzipmäßige Darstellung
eines optischen Elements mit einem erfindungsgemäßen System zur Reinigung des
optischen Elements durch Mikrowellen.
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In 1 ist
eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Halbleiterlithographie
prinzipmäßig dargestellt.
Diese dient zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven
Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend
aus Silizium besteht und als Wafer 2 bezeichnet wird, zur Herstellung
von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Computerchips.
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Die
Projektionsbelichtungsanlage 1 weist dabei im wesentlichen
eine Beleuchtungseinrichtung 3, eine Einrichtung 40 zur
Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer gitterartigen
Struktur versehenen Maske, einem sogenannten Reticle 50,
durch welches die späteren
Strukturen auf dem Wafer 2 bestimmt werden, einer Einrichtung 60 zur
Halterung, Bewegung und exakten Positionierung des Wafers 2 und
einer Abbildungseinrichtung, nämlich
einem Projektionsobjektiv 7 mit mehreren optischen Elementen,
wie z.B. Linsen 8 die über
Fassungen 9 in einem Objektivgehäuse 10 des Projektionsobjektivs 7 gelagert
sind.
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Das
grundsätzliche
Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle 5 eingebrachten Strukturen
auf dem Wafer 2 mit einer Verkleinerung der Strukturen
belichtet werden.
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Nach
einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 2 in Pfeilrichtung
weiter bewegt, sodass auf dem selben Wafer 2 eine Vielzahl
von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 50 vorgegebenen Struktur,
belichtet werden. Aufgrund der schrittweisen Fortbewegung des Wafers 2 in
der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird diese häufig auch
als Stepper bezeichnet.
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Die
Beleuchtungseinrichtung 3 stellt ein für die Abbildung des Reticles 50 auf
dem Wafer 2 benötigt
Projektionsstrahlung, beispielsweise Licht oder eine ähnliche
elektromagnetische Strahlung, wobei hier nur ein Projektionsstrahl 11 prinzipmäßig dargestellt
ist, bereit. Als Quelle für
diese Strahlung kann z.B. ein Laser Verwendung finden. Die Strahlung
wird in der Beleuchtungseinrichtung 3 für optische Elemente so geformt,
dass die Projektionsstrahlung beim Auftreffen auf das Reticle 50 die
gewünschten Eigenschaften
hinsichtlich Telezentrie, gleichmäßige, homogene Transmission
bzgl. Feld- und Winkelpolarisation, Form der Wellenfront und dergleichen
aufweist.
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Über dem
Projektionsstrahl 11 wird ein Bild des Reticles 5 erzeugt
und von dem Projektionsobjektiv 7 entsprechend verkleinert
auf den Wafer 2 übertragen,
wie bereits vorstehend erläutert
wurde. Das Projektionsobjektiv 7 weist eine Vielzahl von
einzelnen refraktiven und/oder diffraktiven optischen Elementen,
wie beispielsweise Linsen, Spiegel, Prismen und dergleichen, auf.
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Die
nachfolgend beschriebene Reinigung von Bauteilen, bevorzugt optischen
Elementen, bezieht sich auf ein in Strahlrichtung erstes optisches Element 12 des
Projektionsobjektivs 7, welches in einer Fassung 13 gelagert
ist und auf ein in Strahlrichtung in einer Fassung 14 gelagertes
letztes optisches Element 15. Das letzte optische Element 15 des
Projektionsobjektivs 7 wird auch als Abschlussplatte bezeichnet.
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In 2 ist
prinzipmäßig in einem ähnlichen Aufbau
die Projektionsbelichtungsanlage 1 mit der Beleuchtungseinrichtung 3,
dem Projektionsobjektiv 7 und einer optischen Achse 1' der Projektionsbelichtungsanlage 1 dargestellt.
Während
des Belichtungsprozesses können
sich Kontaminationen auf einer optischen Fläche 12' des ersten optischen Elements 12 und
auf einer optischen Fläche 15' der Abschlussplatte 15 festsetzen.
Dies wirkt sich sehr störend
auf die Transmission bzw. die Uniformität der Transmission aus. Innerhalb
eines vorbestimmten Zeitraumes wird die Transmission bzw. die Uniformität der Transmission
in Waferebene ermittelt, um feststellen zu können, wann eine Reinigung der
jeweiligen optischen Elemente notwendig ist. Hierbei werden Sensorsignale
eines Sensors (nicht dargestellt) in der Beleuchtungseinrichtung 3 und
eines ebenfalls nicht dargestellten Sensors in der Waferebene mehrmals miteinander
verglichen. Liegen diese Ergebnisse außerhalb einer vorgegebenen
Toleranz, ist ein Reinigungsprozess notwendig. Daraufhin wird der
laufende Belichtungsprozess abgeschlossen. Anschließend kann
der Reinigungsprozess für
die erste optische Fläche 12' und die letzte
optische Fläche 15' des Projektionsobjektivs 7 gestartet
werden.
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Ein
Bestrahlungsfeld wird mittels Teleskoplinsen in einer Strahlführungseinrichtung 16 auf
eine Größe die etwas über dem
Nutzfeld der Projektionsbelichtungsanlage 1 liegt, eingestellt.
Eine hier eingesetzte UV-Strahlung, bevorzugt mit einer Wellenlänge von λ < 200 nm, insbesondere
einer Arbeitswellenlänge
der Projektionsbelichtungsanlage 1 von λ = 193 nm, wird mittels eines
nicht dargestellten Lasers erzeugt und zur Reinigung nicht über der
Beleuchtungseinrichtung 3 dem Projektionsobjektiv 7 zugeführt, sondern
die UV-Strahlung kann über
eine Lichtleitfaser durch einen Umlenkspiegel 17 direkt
in die Waferebene des Wafers 2 weitergeleitet werden, wenn
dieser zur direkten Weiterleitung der UV-Strahlung schwenkbar angeordnet
ist. Der Umlenkspiegel 17 ist über eine allgemein bekannte
Lagerung in der Beleuchtungseinrichtung 3 gelagert. An
einer nicht dargestellten Spiegelmechanik des Umlenkspiegel 17 können auch
nicht dargestellte Strahlführungsrohre
befestigt sein, welche die UV-Strahlung geschützt zur Waferebene führen, wobei
somit eine optische Achse 1'' des Reinigungssystems
entsteht.
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Der
Spot der Lichtleitfaser wird über
die Unterseite der Abschlussplatte gescannt. Dies kann mit zwei
Galvanoscannern, eine im Waferbereich eingeschwenkte x-y-Positioniereinheit
oder durch in x- und y-Richtung schwenkbare Spiegel gemacht werden. Von
dem Lithographiesystem wird bei dieser Reinigungs anordnung das Beleuchtungssystem
nicht oder nur das ausgekoppelte Laserlicht benötigt.
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Bei
einem Starten des Reinigungsprozesses erfolgt eine Verschwenkung
des Umlenkspiegel 17 derart, dass die UV-Strahlung, welche
von der Strahlführungseinrichtung 16 angepasst
wird, freigegeben wird, um so die Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 und
die erste optische Fläche 12' des Projektionsobjektivs 7 bzw.
die Beleuchtungseinrichtung auf direktem Wege zu bestrahlen. Der
Wafer 2 wird aus der Waferebene ausgeschwenkt bzw. geführt. Eine
Umlenkeinheit 18 wird mechanisch in der Waferebene derart
angeordnet, dass das ausgeleuchtete UV-Feld auf der Abschlussplatte 15 im
bestmöglichen
Brennpunkt steht. Die Umlenkeinheit 18 weist dabei einen Spiegel 4,
einen Spiegel 5 und einen Spiegel 6 auf, welche
bewegbar angeordnet sind. Die Bewegbarkeit der Spiegel 4, 5 und 6 kann
bei einem kleineren UV-Lichtfeld, welches von der Strahlführungseinrichtung 16 erzeugt
wird, notwendig sein, um das Nutzfeld der Abschlussplatte 15 bzw.
des ersten optischen Elements 12 des Projektionsobjektivs 7 reinigen
zu können.
Wenn das von der Strahlführungseinrichtung 16 ankommende
UV-Lichtfeld bereits die notwendige Größe aufweist, ist eine Bewegung
der Spiegel 4, 5 und 6 nicht erforderlich.
Bei einem kleineren UV-Lichtfeld
jedoch müssen
hauptsächlich
die Spiegel 5 und 6 bewegt werden, um eine gleichmäßig ausgeleuchtete
Bestrahlungsfläche
zu erzeugen. Mit dem Spiegel 5 kann die y-Richtung des
ausgeleuchteten Feldes positioniert oder gescannt werden, wobei
mit dem Spiegel 6 die x-Richtung beeinflusst wird. Die
Spiegel 4, 5 und 6 können als Galvanoscanner ausgebildet
sein.
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Eine
sich in der Pupillenebene des Projektionsobjektivs 7 befindliche,
nicht dargestellte Blende wird auf ihre maximale numerische Apertur
eingestellt, um keine Vignettierung der UV-Strahlung durch die Blende zu erzeugen.
In einer Reticleebene des Reticles 5 wird eine Absorptionseinrichtung 19 in
den in diesem Ausführungsbeispiel
nicht dargestellten Strahlengang eingebracht, welche die ankommende UV-Strahlung
nur zu < 1% zurückreflektiert.
Wird eine Energieerhöhung
um ca. 30% ge wünscht,
kann anstatt der Absorptionseinrichtung 19 in die Reticleebene
ein Spiegel positioniert werden, welcher die ankommende UV-Strahlung
wieder zurückreflektiert. Die
Bestrahlungsdauer ist abhängig
von den vorher bestimmten Uniformitätswerten und wird je nach Reinigungsschweregrad
vorgegeben. Die Repetitionsrate des Lasers sollte einen vorgegebenen
Grenzwert nicht überschreiten,
um somit thermische Effekte im optischen Material der Abschlussplatte 15 und
des ersten optischen Elements 12 zu vermeiden.
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Die
Kontamination auf den jeweiligen Oberflächen 12' und 15' der Abschlussplatte 15 und
des ersten optischen Elements 12 des Projektionsobjektivs 7 werden
mittels eines Gasstromes 20, welcher von leicht schräg unten
auf die Abschlussplatte 15 gerichtet wird, entfernt. Gleiches
gilt für
das optische Element 15, wenn dessen Oberfläche 15' ebenfalls gereinigt
werden soll.
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Es
wird ausgenutzt, dass die Resistreste bzw. Lackreste organische
Verbindungen enthalten, welche von der UV-Strahlung aufgespalten
werden, und sich somit die aufgespaltenen Verbindungen einfach von
den Oberflächen 12' und 15' lösen lassen. Um
die Reinigungswirkung zu erhöhen,
kann eine Wirbelwirkung in der Nähe
der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15,
beispielsweise mittels eines nicht dargestellten Metallbleches,
erzeugt werden. Gleiches kann für
das optische Element 12 gelten. Der Gasstrom 20 mit
den aufgenommenen bzw. abgelösten
Kontaminationen wird in einer Absaugeinrichtung 21 aufgenommen.
Vorzugsweise wird als Gas Luft eingesetzt, wobei auch andere Gase,
wie Stickstoff oder Helium, eingesetzt werden können.
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Nach
Abschluss des Reinigungsprozesses wird die Uniformität der Transmission
kontrolliert. Dazu wird der Umlenkspiegel 17 in der Beleuchtungseinrichtung 3 wieder
entsprechend positioniert und die Umlenkeinheit 18 aus
der Waferebene des Wafers 2 entfernt.
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Der
besondere Vorteil eines derartigen Reinigungssystems ist, dass im
Bedarfsfalle auch Oberflächen
von optischen Elementen im Projektionsobjektiv 7 von Kontaminationen
gereinigt werden können,
wenn für
einen Abtransport der gelösten
Kontaminationen gesorgt wird, z.B. durch Spülgas.
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Im
Ausführungsbeispiel
nach 3 ist zur Dekontamination einer Oberfläche ein
Reinigungsverfahren durch Mikrowellen beschrieben. In 3 ist
prinzipmäßig die
Abschlussplatte 15 mit einer Oberfläche 15' dargestellt, welche von der Fassung 14 gehaltert
wird. Die Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 des
Projektionsobjektivs 7, welche mit Lackresten während mehreren
Beleuchtungsprozessen verschmutzt ist, wird bei diesem Ausführungsbeispiel mit
einer gerichteten Mikrowellenstrahlung 23 beleuchtet bzw.
bestrahlt. Die Frequenz einer Mikrowellenquelle 24 sollte
durchstimmbar sein und in einem Bereich von ca. 2–3 GHz liegen
oder für
Kontaminationen mit Wassereinlagerungen bei ca. 2,4–2,5 GHz eingestellt
werden können.
Die Mikrowellenstrahlung 23 wird über einen in einer Waferebene 28 angeordneten
Umlenkspiegel 25 der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 zugeführt. Der
Umlenkspiegel 25 sollte vorzugsweise als Metallspiegel
ausgebildet sein, damit die Mikrowellenstrahlung 23 durch
Reflexion an dem Umlenkspiegel 25 der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 zugeführt werden
kann. Es ist auch möglich
andere Materialien für
den Umlenkspiegel 25 einzusetzen, wobei die Materialien
die Mikrowellenstrahlung 23 nicht durchlassen sollten,
sondern diese reflektieren. Der Umlenkspiegel 25 zur Umlenkung
der Mikrowellenstrahlung 23 kann auch mit nicht dargestellten
Bohrungen bzw. Freiräumen versehen
sein, wobei Durchmesser der Bohrungen im Umlenkspiegel 25 bei
wenigen Millimetern liegen sollten, aufgrund einer Mikrowellenlänge von
mehreren Zentimetern. Metallgitter als Umlenkeinheiten können ebenfalls
eingesetzt werden. Durch die Bohrungen ergibt sich eine erhöhte Wirbelbildung.
Auf diese Weise kann ebenfalls die Reinigungswirkung der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 verbessert werden.
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Die
Mikrowellenstrahlung 23 bewirkt ein Aufheizen der Lackres te
auf der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15,
da diese polarisiert sind, wie beispielsweise Wasser. Die Kontaminationen
erwärmen sich
dadurch, wobei somit die Adhäsionskräfte minimal
werden und die Kontaminationen über
einen gerichteten Gasstrom 26 definierter Strömungsgeschwindigkeit
von der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 weg
transportiert werden können.
Als Gas wird ebenfalls Luft eingesetzt. Um eine bessere Reinigungswirkung
zu erzielen, kann an der Fassung 14 der Abschlussplatte 15 ein
Metallblech 27 angebracht sein, um eine Wirbelbildung in
der Nähe
der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 zu
erzeugen. Der Gasstrom 26 zwischen der Waferebene 28 und der
Abschlussplatte 15 sollte so eingestellt sein, dass an
der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 ein
Maximum an Wirbeln entstehen und im Bereich der Waferebene 28 der
Gastrom 26 horizontal verläuft, damit die abgelösten Kontaminationen
von der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 sich
nicht in der Waferebene 28 absetzen. Der Gasstrom 26 wird
mittels einer Absaugeinrichtung 29 abgesaugt und gefiltert.
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Sollte
die Kontamination hauptsächlich
aus Salzen bestehen, kann ebenfalls mit der Mikrowellenstrahlung 23 die
Oberfläche
des jeweiligen optischen Elements gereinigt werden. Hierbei kann
es sich um polares Salz handeln, oder um ubiquitär vorkommendes Wasser als Kristallwasser
in den Salzbeschlägen,
welches bereits eingelagert ist oder nachträglich eingelagert werden kann.
Mittels der Mikrowellenstrahlung 23 kann das Kristallwasser
stark erwärmt
werden, sodass dadurch die Haftung zwischen der Salzkontamination
und der Oberfläche 15' der Abschlussplatte 15 verringert
wird und abgeplatzte Salzpartikel durch den Gasstrom 26 entfernt
und mitgenommen werden können.
Die Entfernung von polaren Salzen kann mittels einer weiteren Anregungsfrequenz
ebenfalls entfernt werden.
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Es
ist auch möglich,
gefasste einzelne optische Elemente für Halbleiterlithographieoptiken
mittels der Mikrowellenstrahlung 23 zu reinigen. Diese Reinigung
kann bereits in der Fertigung vorgenommen werden. Hierzu wird mit
einer Mikrowellenstrahlung, welche mit Stickstoff geflutet wird,
die Oberflächen
der gefassten einzelnen optischen Elementen bestrahlt. Mittels eines
gerichteten Gasstromes kann auch hier wieder die Kontamination auf
den Oberflächen
der einzelnen optischen Elementen entfernt und mittels einer Absaugeinrichtung
der Gasstrom aufgenommen werden. Da die Fassungen der einzelnen
optischen Elemente aus einem metallischen Werkstoff bestehen, wird
die Mikrowellenstrahlung an der Fassung reflektiert und von der
organischen Kontamination absorbiert. Auf diese Weise kann die Fassung
gleichzeitig mit gereinigt werden. Der Einsatz von Stickstoff ist
dahingehend von Vorteil, da Stickstoff ein sehr trockenes Gas ist.
Ebenfalls möglich
ist, eine trockene Luft zum Abtransport der Kontaminationen von
den jeweiligen Oberflächen
der einzelnen optischen Elemente einzusetzen.
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Ein
wesentlicher Vorteil bei der Reinigung mit einer Mikrowellenstrahlung
ist ein wesentlich geringerer Reinigungsaufwand im Gegensatz zu
teurem Plasmaöfen,
wobei die Herstellungskosten ebenfalls dadurch wesentlich reduziert
werden können.
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Die
Reinigung mit einer Mikrowellenstrahlung kann beispielsweise auch
für organische
Kontaminationen auf Metallen und Kunststoffen durchgeführt werden.