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GEBIET
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine litografische Vorrichtung, ein
Beleuchtungssystem und ein Verunreinigungsauffangsystem.
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HINTERGRUND
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Eine
litografische Vorrichtung ist eine Maschine, die ein gewünschtes
Muster auf ein Substrat aufbringt, und zwar üblicherweise auf einen Target-Bereich eines Substrats.
Eine litografische Vorrichtung kann z. B. bei der Herstellung integrierter Schaltungen
(ICs) verwendet werden. In diesem Fall kann eine Musterungsvorrichtung,
die alternativ als Maske oder Retikel bezeichnet wird, zum Erzeugen eines
Schaltungsmusters verwendet werden, das auf einer einzelnen Schicht
der IC-Vorrichtung ausgebildet werden soll. Dieses Muster kann auf
einen Target-Bereich (der einen Teil eines Chips, einen Chip oder
mehrere Chips enthält)
aufgebracht werden, wobei der Target-Bereich auf einem Substrat
(z. B. einem Silicium-Wafer) gelegen ist. Die Übertragung des Musters erfolgt
typischerweise durch Abbilden auf eine Schicht aus strahlungsempfindlichem
Material (Resist), die auf dem Substrat angeordnet ist. Generell
enthält
ein einzelnes Substrat ein Netz einander benachbarter Target-Bereiche,
die nacheinander gemustert werden. Bekannte litografische Vorrichtungen
sind versehen mit sogenannten Steppern, bei denen jeder Target-Bereich
bestrahlt wird, indem der Target-Bereich
jedes Mal mit einem gesamten Muster belichtet wird, und mit sogenannten
Scannern, bei denen jeder Target-Bereich bestrahlt wird, indem das Muster
mittels eines Bestrahlungs-Strahls in einer gegebenen Richtung (der "Abtast"-Richtung) in einer Abtastbewegung
appliziert wird, während
gleichzeitig das Substrat parallel oder antiparallel zu dieser Richtung
abgetastet wird. Das Übertragen
des Musters von der Musterungsvorrichtung auf das Substrat kann
auch durch Aufdrucken des Musters auf das Substrat durchgeführt werden.
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Bei
einer litografischen Vorrichtung ist die Größe der Merkmale, die auf das
Substrat abgebildet werden können,
durch die Wellenlänge
der Projektionsstrahlung beschränkt.
Um integrierte Schaltungen herstellen zu können, die eine höhere Dichte
von Vorrichtungen und somit höhere
Arbeitsgeschwindigkeiten aufweisen, ist es wünschenswert, auch kleinere
Merkmale abbilden zu können.
Während
bei den meisten derzeitigen litografischen Projektionsvorrichtungen
UV-Licht verwendet wird, das von Quecksilberlampen oder Excimer-Lasern
erzeugt wird, ist vorgeschlagen worden, kürzere Wellenlängen im
Bereich von 5 bis 20 nm und insbesondere mit einem Wert von ungefähr 13 nm
zu verwenden.
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Eine
derartige Strahlung wird als extreme ultraviolette Strahlung (EUV)
oder Soft-Röntgenstrahlung
bezeichnet, und zu den möglichen
Quellen für das
Erzeugen dieser Strahlung zählen
z. B. lasererzeugte Plasmaquellen, Entladungs-Plasmaquellen, oder
Synchrotonstrahlung aus Elektronenspeicherringen. Bei diesen Strahlungstypen
ist es erforderlich, dass der Strahlenweg in der Vorrichtung evakuiert
ist, um eine Streuung und Absorption des Strahls zu vermeiden. Da
kein bekanntes Material existiert, das zur Herstellung eines refraktiven
optischen Elements für
EUV-Strahlung geeignet ist, müssen
bei den für
EUV ausgelegten litografischen Vorrichtungen Spiegel in den Bestrahlungs-(Beleuchtungs-) und
Projektionssystemen verwendet werden. Selbst mehrschichtige Spiegel
für EUV-Strahlung
weisen relativ niedrige Reflektivitäten auf und sind hochgradig anfällig für Verunreinigungen,
aufgrund derer ihre Reflektivität
und somit der Durchsatz der Vorrichtungen weiter reduziert werden
können.
Dies kann zur Folge haben, dass dem aufrechtzuhaltenden Vakuumpegel
weitere Spezifikationen auferlegt werden, und kann es insbesondere
erforderlich machen, dass die Kohlenwasserstoff-Teildrücke sehr
niedrig gehalten werden.
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Bei
einer typischen Entladungs-Plasmaquelle wird Plasma durch eine elektrische
Entladung gebildet. Das Plasma kann dann verdichtet werden, so dass
es hochgradig ionisiert wird und eine sehr hohe Temperatur erreicht,
was die Emission von EUV-Strahlung bewirkt. Bei dem zum Erzeugen
der EUV-Strahlung verwendete Material handelt es sich typischerweise
um Xenongas oder Lithiumdampf, obwohl auch andere Gase oder Dämpfe wie
z. B. Kryptongas oder Zinn- oder Wasserdampf verwendet werden können. Diese
Gase können
jedoch eine relativ hohe Strahlungsabsorption im EUV-Bereich haben und/oder
schädlich
für optische
Vorrichtungen weiter stromabwärts
des Projektionsstrahls sein, und ihre Präsenz sollte deshalb im Rest
der litografischen Vorrichtung minimiert werden. Eine Entladungs-Plasmaquelle
ist z. B. offenbart ist dem
United
States Patent Nr. 5,023,897 und dem
United States Patent Nr. 5,504,795 .
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Bei
einer lasererzeugten Plasmaquelle kann ein z. B. aus (gebündeltem)
Xenon bestehender Strahl über
eine Düse
ausgegeben werden. In einem gewissen Abstand von der Düse wird
der Strahl mit einem Laserimpuls von geeigneter Wellenlänge zur Bildung
eines Plasmas bestrahlt, das anschließend EUV-Strahlung abstrahlt.
Es können
auch andere Materialien wie z. B. Wassertröpfen, Eispartikel, Lithium-
oder Zinndampf etc. aus einer Düse
ausgestoßen
und zur EUV-Erzeugung verwendet werden. Bei einer alternativen lasererzeugten
Plasmaquelle wird ein festes (oder flüssiges) Material bestrahlt,
um ein Plasma für
die EUV-Strahlung zu erzeugen. Lasererzeugte Plasmaquellen sind
z. B. offenbart in dem
United
States Patent Nr. 5,459,771 , in dem
United States Patent Nr. 4,872,189 und
dem
United States Patent 5,577,092 .
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Ein
gemeinsames Merkmal der oben erwähnten
Quellen besteht darin, dass ihr Betrieb einen Hintergrunddruck eines
oder mehrerer Quellen-Gase
(zu denen auch Dämpfe
zählen)
in oder nahe dem Quellen-Bereich induziert.
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Den
Quellen-Gasen sind auch diejenigen Gase oder Dämpfe zuzurechnen, deren Plasma
zur EUV-Erzeugung generiert werden muss, jedoch auch Gase oder Dämpfe, die
während
eines Quellen-Betriebs durch z. B. Laserbestrahlung eines festen
oder flüssigen
Materials erzeugt werden. Die Quellen-Gase sollten auf den Quellenbereich
beschränkt
werden, da sie eine beträchtliche
Absorption von EUV-Strahlung verursachen können oder den Grund für Kontamination
oder Beschädigung
im Rest der litografischen Vorrichtung bilden können. Die in den Quellen-Gasen
vorhandenen Partikel werden im Folgenden auch als Verunreinigungspartikel
bezeichnet.
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Die
Internationale Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr.
WO 99/ 42904 , die durch Verweis in die
vorliegende Anmeldung einbezogen wird, beschreibt einen Filter mit
mehreren Folien, der oft als sogenannte "Folien-Falle" bezeichnet wird und der bei Betrieb
derart ausgerichtet ist, dass sich die Strahlung entlang der Folien
ausbreitet somit durch den Filter als solchen ausbreitet, wobei
Verunreinigungspartikel, die sich von der Ausbreitungsrichtung der
Strahlung weg bewegen, von den Folien gefangen werden. Es wird ein
Puffergas zugeführt,
um die Verunreinigungspartikel zu kühlen und dadurch die Wahrscheinlichkeit
zu erhöhen,
dass die Verunreinigungspartikel von den Folien erfasst werden.
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Die
Europäische Patentveröffentlichung
Nr. 1 329 722 A2 , die hier zu Vergleichszwecken erwähnt wird,
beschreibt die Verwendung einer Pufferzone, die von einer Quellenzone
getrennt ist, in der die Strahlung erzeugt wird. Zwischen der Quellenzone und
der Pufferzone ist eine Wand positioniert. Die Wand ist versehen
mit einer Strahlöffnung
zum Durchlassen der Strahlung von der Quellenzone zu der Pufferzone.
Der Pufferzone wird Puffergas zugeführt, und der Pufferzone wird
Puffergas entnommen, und zwar derart, dass der Druck in der Pufferzone niedriger
als oder ungefähr
gleich dem Druck in der Quellenzone ist, um ein Strömen von
Puffergas in die Quellenzone zu verhindern und dadurch das Auftreten
eines Druckanstiegs in der Quellenzone zu verhindern.
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Die
durch Verweis in die vorliegende Anmeldung einbezogene Internationale
Patentanmeldungs-Veröffentlichung
Nr.
WO 03/034153 beschreibt die
Verwendung einer sogenannten Verunreinigungsfalle, die zwei Sätze von
Kanälen
aufweist, welche radial um die optische Achse und in Reihe relativ
zueinander angeordnet sind. Einem zwischen den beiden Sätzen gelegenen
Raum wird Puffergas zugeführt.
Ein Teil des Gases strömt
aus diesem Raum zu einem Strahlungseingang des ersten Satzes von
Kanälen,
und ein anderer Teil des Gases strömt durch einen Strahlungsausgang
des zweiten Satzes von Kanälen.
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US 2004/0108465 beschreibt
eine sogenannte Verunreinigungsfalle mit zwei Sätzen von Kanälen, die
radial um die optische Achse und in Reihe relativ zueinander angeordnet
sind. Ein Puffergas wird nicht zugeführt.
WO 03/ 087867 beschreibt eine Verunreinigungsfalle
mit zwei Sätzen
von Kanälen. Puffergas
wird stromaufwärts
des zwischen den beiden Sätzen
von Kanälen
gelegenen Raums zugeführt
und an diesem Raum abgeführt.
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ÜBERBLICK
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Es
ist wünschenswert,
ein Verunreinigungsauffangsystem zu schaffen, das einen hohen Druck des
Puffergases relativ zu dem Quellengas ermöglicht, um die Möglichkeit
zu erhöhen,
dass die Verunreinigungspartikel von dem System erfasst werden, während gleichzeitig
ein hoher Strahlungsdurchlass durch das System ermöglicht wird.
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Ferner
ist es wünschenswert,
eine litografische Vorrichtung sowie ein Beleuchtungssystem zu schaffen,
das mit einem derartigen Verunreinigungsauffangsystem versehen ist.
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Gemäß einem
Aspekt der Erfindung wird eine litografische Vorrichtung nach Anspruch
1 geschaffen, die ein Beleuchtungssystem aufweist, das zum Konditionieren
eines Bestrahlungs-Strahls konfiguriert ist. Das Beleuchtungssystem
weist eine Quelle zum Erzeugen von Strahlung und ein Verunreinigungsauffangsystem
zum Auffangen mindestens einiger der Verunreinigungspartikel auf,
die bei der Erzeugung von Strahlung freigegeben werden. Die Vorrichtung
weist ferner eine Musterungsvorrichtung zum Mustern des konditionierten
Strahlungs-Strahls und ein Projektionssystem zum Projizieren des
gemusterten Strahlungs-Strahls auf einen Target-Bereich eines Substrats
auf. Das Verunreinigungsauffangsystem enthält einen ersten Satz von Kanälen. Jeder
Kanal des ersten Satzes ermöglicht die
Ausbreitung von Strahlung aus der Quelle durch den Kanal hindurch
und weist eine Innenwand zum Erfassen von Verunreinigungspartikeln
auf. Das Verunreinigungsauffangsystem enthält ferner einen zweiten Satz
von Kanälen,
der in Bezug auf die Ausbreitungsrichtung der Strahlung stromabwärts von dem
ersten Satz von Kanälen
angeordnet ist. Jeder Kanal des zweiten Satzes ermöglicht die
Ausbreitung von Strahlung aus der Quelle durch diesen Kanal und weist
eine Innenwand zum Erfassen von Verunreinigungspartikeln auf. Das
Verunreinigungsauffangsystem weist ferner eine Gaszufuhr und einen
Gasauslass auf, der an einer zwischen dem ersten Satz von Kanälen und
dem zweiten Satz von Kanälen
gelegenen Stelle angeordnet ist, um einen Gasstrom mit einer Nettoströmungsrichtung
zu erzeugen, die im Wesentlichen quer zur Ausbreitungsrichtung der
Strahlung verläuft.
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Gemäß einem
Aspekt der Erfindung wird ein Beleuchtungssystem gemäß Anspruch
16 geschaffen, das zum Konditionieren eines Strahlungs-Strahl in einer litografischen
Vorrichtung konfiguriert ist. Das Beleuchtungssystem weist eine
Quelle zum Erzeugen von Strahlung und ein Verunreinigungsauffangsystem
zum Auffangen mindestens einiger der Verunreinigungspartikel auf,
die bei der Erzeugung von Strahlung freigegeben werden. Das Verunreinigungsauffangsystem
enthält
einen ersten Satz von Kanälen.
Jeder Kanal des ersten Satzes ermöglicht die Ausbreitung von
Strahlung aus der Quelle durch den Kanal hindurch und weist eine
Innenwand zum Erfassen von Verunreinigungspartikeln auf. Das Verunreinigungsauffangsystem
enthält
ferner einen zweiten Satz von Kanälen, der in Bezug auf die Ausbreitungsrichtung
der Strahlung stromabwärts
von dem ersten Satz von Kanälen
angeordnet ist. Jeder Kanal des zweiten Satzes ermöglicht die
Ausbreitung von Strahlung aus der Quelle durch diesen Kanal und weist
eine Innenwand zum Erfassen von Verunreinigungspartikeln auf. Das
Verunrei nigungsauffangsystem weist ferner eine Gaszufuhr und einen
Gasauslass auf, der an einer zwischen dem ersten Satz von Kanälen und
dem zweiten Satz von Kanälen
gelegenen Stelle angeordnet ist, um einen Gasstrom mit einer Nettoströmungsrichtung
zu erzeugen, die im Wesentlichen quer zur Ausbreitungsrichtung der
Strahlung verläuft.
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Gemäß einem
Aspekt der Erfindung wird ein gemäß Anspruch 31 ausgebildetes
Verunreinigungsauffangsystem zum Auffangen mindestens einiger der
Verunreinigungspartikel geschaffen, die bei der Erzeugung von Strahlung
freigegeben werden. Das Verunreinigungsauffangsystem enthält einen
ersten Satz von Kanälen.
Jeder Kanal des ersten Satzes ermöglicht die Ausbreitung von
Strahlung aus der Quelle durch den Kanal hindurch und weist eine
Innenwand zum Erfassen von Verunreinigungspartikeln auf. Das Verunreinigungsauffangsystem
enthält
ferner einen zweiten Satz von Kanälen, der in Bezug auf die Ausbreitungsrichtung
der Strahlung stromabwärts
von dem ersten Satz von Kanälen
angeordnet ist. Jeder Kanal des zweiten Satzes ermöglicht die Ausbreitung
von Strahlung aus der Quelle durch diesen Kanal und weist eine Innenwand
zum Erfassen von Verunreinigungspartikeln auf. Das Verunreinigungsauffangsystem
weist ferner eine Gaszufuhr und einen Gasauslass auf, der an einer
zwischen dem ersten Satz von Kanälen
und dem zweiten Satz von Kanälen
gelegenen Stelle angeordnet ist, um einen Gasstrom mit einer Nettoströmungsrichtung
zu erzeugen, die im Wesentlichen quer zur Ausbreitungsrichtung der
Strahlung verläuft.
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Bei
Betrieb können
die in den ersten Satz von Kanälen
eintretenden Partikel von den Innenwänden des ersten Satzes von
Kanälen
erfasst werden. Verunreinigungspartikel, die sich beim Eintritt
in den ersten Satz von Kanälen
entlang der Ausbreitungsrichtung der Strahlung bewegen und die aus dem
ersten Satz von Kanälen
austreten, werden mit höchster
Wahrscheinlichkeit mittels der Puffergases umgelenkt, dessen Nettoströmung quer
zur Gasausbreitungsrichtung verläuft
und das in dem Raum zwischen den beiden Sätzen von Kanälen vorgesehen sind.
Die Verunreinigungspartikel als solche werden mit höchster Wahrscheinlichkeit
von den Innenwän den
des zweiten Satzes von Kanälen
erfasst oder sogar zusammen mit dem Puffergas aus dem Raum zwischen
den beiden Kanälen
entfernt. Der erste Satz von Kanälen
und der zweite Satz von Kanälen bringen
einen großen
Widerstand gegenüber
einem Gasstrom aus dem zwischen den beiden Sätzen von Kanälen gelegenen
Raum auf. Dies ermöglicht,
dass der Druck des Puffergases in dem Raum zwischen den beiden Sätzen von
Kanälen
relativ hoch ist, so dass die Wirksamkeit des Puffergases beim Verlangsamen
und/oder Ablenken der aus dem ersten Satz von Kanälen austretenden
Verunreinigungspartikel noch weiter erhöht wird. Da jeder Kanal sowohl
des ersten Satzes von Kanälen
als auch des zweiten Satzes von Kanälen eine Ausbreitung der Strahlung
zulässt,
bleibt die Strahlungsübertragung
hoch.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Im
Folgenden werden – jedoch
nur als Beispiel – Ausführungsformen
der Erfindung unter Verweis auf die beigefügten schematisierten Zeichnung beschrieben,
in denen gleiche Teile durchgehend mit gleichen Bezugszeichen versehen
sind und in denen Folgendes gezeigt ist:
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1 zeigt
schematisch eine litografische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung;
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2 zeigt
schematisch ein Verunreinigungsauffangsystem als Teil der litografischen
Vorrichtung gemäß 1;
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3 zeigt
eine schematische Querschnittansicht einer Ausführungsform des Verunreinigungsauffangsystems
gemäß 2;
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4 zeigt
eine weitere schematische Querschnittansicht einer Ausführungsform
des Verunreinigungsauffangsystems gemäß 2;
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5a zeigt
eine erste schematische Seitenansicht einer Ausführungsform des Verunreinigungsauffangsystems
gemäß 2;
und
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5b zeigt
eine zweite schematische Seitenansicht des Verunreinigungsauffangsystems,
die rechtwinklig zu der ersten Seitenansicht gemäß 5a angesetzt
ist.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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1 zeigt
schematisch eine litografische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung. Die Vorrichtung weist auf: ein Beleuchtungssystem
(Illuminator) IL, das zum Konditionieren eines Strahlungs-Strahls B (z. B.
UV-Strahlung oder EUV-Strahlung) konfiguriert ist; eine Haltestruktur
(z. B. einen Masken-Tisch) MT, die zum Halten einer Musterungsvorrichtung
(z. B. einer Maske) MA konfiguriert und mit einer ersten Positionierungsvorrichtung
PM verbunden ist, welche konfiguriert ist zum präzisen Positionieren der Musterungsvorrichtung entsprechend
bestimmten Parametern; einen Substrat-Tisch (z. B. einen Wafer-Tisch)
WT, der zum Halten eines Substrats (z. B. eines resist-beschichteten Wafers)
W ausgebildet ist und mit einer zweiten Positionierungsvorrichtung
PM verbunden ist, welche konfiguriert ist zum präzisen Positionieren des Substrats
entsprechend bestimmten Parametern; und ein Projektionssystem (z.
B. ein refraktives Positionslinsensystem) PS, das konfiguriert ist
zum Projizieren eines Musters, das mittels der Musterungsvorrichtung
MA auf den Strahlungs-Strahl B aufgebracht wird, auf einen (z. B.
einen oder mehrere Chips enthaltenden) Target-Bereich C des Substrats
W.
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Das
Beleuchtungssystem kann verschiedene Typen optischer Komponenten
aufweisen, z. B. brechende, reflektierende, magnetische, elektromagnetische,
elektrostatische oder andere Typen optischer Komponenten oder beliebige
Kombinationen derselben, die zum Ausrichten, Formen oder Steuern von
Strahlung vorgesehen sind.
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Die
Haltestruktur MT hält
die Musterungsvorrichtung MA, d. h. sie trägt deren Gewicht. Sie hält die Musterungsvorrichtung
in einer Weise, die abhängig ist
von der Orientierung der Musterungsvorrichtung, der Ausgestaltung
der litografischen Vorrichtung und anderen Umständen, wie z. B. ob die Musterungsvorrichtung
in einer Vakuumumgebung gehalten ist oder nicht. Bei der Haltestruktur
können
mechanische, Vakuum-, elektrostatische oder andere Klemmtechniken
zum Halten der Musterungsvorrichtung verwendet werden. Die Haltestruktur
kann z. B. ein Rahmen oder ein Tisch sein, der wie gewünscht festgelegt oder
bewegt werden kann. Die Haltestruktur kann gewährleisten, dass die Musterungsvorrichtung
an einer gewünschten
Position z. B. relativ zu dem Projektionssystem angeordnet ist.
Jede Verwendung der Ausdrücke "Retikel" oder "Maske" kann als Synonym für den allgemeineren
Ausdruck "Musterungsvorrichtung" verstanden werden.
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Unter
dem Ausdruck "Musterungsvorrichtung" sollte in der vorliegenden
Verwendung in einem weiten Sinn jede Vorrichtung verstanden werden,
die zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einem in seinem Querschnitt
verlaufenden Muster dahingehend geeignet ist, dass ein Muster in
einem Target-Bereich des Substrats ausgebildet wird. Anzumerken
ist, dass das auf den Strahlungs-Strahl aufgebrachte Muster möglicherweise
nicht exakt dem gewünschten
Muster in dem Target-Bereich des Substrats entspricht, z. B. falls
das Muster Phasenverschiebungsmerkmale oder sogenannte Assist-Features
enthält. Generell
entspricht das auf den Strahlungs-Strahl aufgebrachte Muster einer
bestimmten funktionalen Schicht in einer Vorrichtung, die in dem
Target-Bereich ausgebildet wird, wie z. B. einer integrierten Schaltung.
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Die
Musterungsvorrichtung kann transmissiv oder reflektiv sein. Zu den
Beispielen von Musterungsvorrichtungen zählen Masken, programmierbare
Spiegel-Arrays und programmierbare LCD-Platten. Masken sind in der Litografie
weithin bekannt und umfassen Maskentypen wie z. B. binäre Masken, Masken
mit alternierender Phasenverschiebung und Masken mit gedämpfter Phasenverschiebung
sowie verschiedene Hybrid-Masken-Typen. Bei einem Beispiel eines
programmierbaren Spiegel-Arrays wird eine Matrix-Anordnung aus kleinen Spiegeln verwendet,
von denen jeder einzeln gekippt werden kann, so dass die einfallende
Strahlung in verschiedenen Richtungen reflektiert werden kann. Die
gekippten Spiegel bringen auf einen Strahlungs-Strahl ein Muster
auf, das von der Spiegel-Matrix reflektiert wird.
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Unter
dem Ausdruck "Strahlungs-Strahl" sollte in der vorliegenden
Verwendung in einem weiten Sinn jeder Typ von Projektionssystem
einschließlich
brechender, reflektierender, katadioptrischer, magnetischer, elektromagnetischer
und elektrostatischer optischer Systeme oder beliebiger Kombinationen
derselben verstanden werden, wie sie für den verwendete Belichtungsstrahlung
oder für
andere Faktoren geeignet sind, wie z. B. für die Verwendung einer Immersionsflüssigkeit
oder die Verwendung eines Vakuums. Jede Verwendung des Ausdrucks "Projektionslinse" kann hier als Synonym
für den
allgemeineren Ausdruck "Projektionssystem" verstanden werden.
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In
der hier vorliegenden Darstellung ist die Vorrichtung vom reflektiven
Typ (d. h. bei ihr wird eine reflektierende Maske verwendet). Alternativ
kann die Vorrichtung vom transmissiven Typ sein (d. h. bei ihr wird
eine transmissive Maske verwendet).
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Die
litografische Vorrichtung kann von einem Typ mit zwei (Doppel-Ebene) oder mehr
Substrat-Tischen (und/oder zwei oder mehr Masken-Tischen) sein. Bei derartigen "Mehr-Ebenen"-Maschinen können die
zusätzlichen
Tische parallel verwendet werden, oder es können vorbereitende Schritte
an einem oder mehreren Tischen durchgeführt werden, während ein
oder mehrere andere Schritte zur Belichtung verwendet werden.
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Die
litografische Vorrichtung kann auch von einem Typ sein, bei dem
mindestens ein Teil des Substrats von einer Flüssigkeit mit relativ hohem
Brechungsindex, z. B. Wasser, bedeckt sein kann, um den Raum zwischen
dem Projektionssystem und dem Substrat zu füllen. Eine Immersionsflüssigkeit kann
auch an anderen Räumen
der litografischen Vorrichtung appliziert werden, z. B. zwischen
der Maske und dem Projektionssystem. Immersionstechniken sind auf
dem Gebiet zum Vergrößern der
numerischen Apertur von Projektionssystemen gut bekannt. Der Ausdruck "Immersion" in der vorliegenden Verwendung
bedeutet nicht, dass eine Struktur, wie z. B. ein Substrat, in Flüssigkeit
eingetaucht werden muss, sondern bedeutet lediglich, dass während der Belichtung
Flüssigkeit
zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat angeordnet ist.
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Gemäß 1 empfängt der
die Beleuchtungsvorrichtung IL einen Strahlungs-Strahl aus einer
Strahlungsquelle SO. Das Beleuchtungssystem kann auch dahingehend
aufgefasst werden, dass es die Quelle enthält. Die Quelle und die litografische Vorrichtung
können
jedoch separate Einheiten sein, z. B. wenn es sich bei der Quelle
um einen Excimer-Laser handelt. In derartigen Fällen wird die Quelle nicht
als Teil der litografischen Vorrichtung aufgefasst, der Strahlungs-Strahl
wird mit Hilfe eines Strahlzuführsystems,
das z. B. geeignete Ausrichtungsspiegel und/oder einen Strahlerweiterer
aufweist, von der Quelle SO zu der Beleuchtungsvorrichtung IL ausgegeben.
In andern Fällen
kann die Quelle ein integraler Teil der litografischen Vorrichtung
sein, z. B. wenn die Quelle eine Quecksilberlampe ist. Die Quelle
SO und die Beleuchtungsvorrichtung IL können zusammen mit dem Strahlzuführsystem,
falls dieses erforderlich ist, als Bestrahlungssystem bezeichnet
werden. Die litografische Vorrichtung kann ein Verunreinigungsauffangsystem
D zum Auffangen mindestens einiger der Verunreinigungspartikel aufweisen,
die beim Erzeugen von Strahlung freigegeben werden. Das Verunreinigungsauffangsystem
kann als separate Einheit, als Teil der Quelle oder als Teil des
Beleuchtungssystems vorgesehen sein.
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Die
Beleuchtungsvorrichtung IL kann eine Einstellvorrichtung zum Einstellen
der winkligen Intensitätsverteilung
des Strahlungs-Strahls enthalten. Generell kann mindestens das äußere und/oder
das innere radiale Maß (üblicherweise
als σ-Außen- bzw. σ-Innen-Maß bezeichnet)
der Intensitätsverteilung
in einer Pupillenebene der Beleuchtungsvorrichtung eingestellt werden.
Zusätzlich
kann die Beleuchtungsvorrichtung IL verschiedene weitere Komponenten
enthalten, wie z. B. einen Integrator und einen Kondensator. Die
Beleuchtungsvorrichtung kann zum Konditionieren des Strahlungs-Strahls
verwendet werden, um dem Strahl die gewünschte Gleichförmigkeit
und Intensitätsverteilung
in seinem Querschnitt zu geben.
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Der
Strahlungs-Strahl B trifft auf die Musterungsvorrichtung (z. B.
die Maske MA) auf, die an der Haltestruktur (z. B. dem Masken-Tisch
MT) gehalten ist, und wird mittels der Musterungsvorrichtung gemustert.
Nachdem er durch die Maske MA hindurchgetreten ist, durchläuft der
Strahlungs-Strahl
B das Projektionssystem PS, das den Strahl auf den Target-Bereich
C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe der zweiten Positionierungsvorrichtung
PW und des Positionssensors IF2 (z. B. einer interferometrischen Vorrichtung,
eines Linearkodierers oder eines kapazitiven Sensors) kann der Substrat-Tisch
präzise
bewegt werden, z. B. um verschiedene Target-Bereiche in den Weg
des Strahlungs-Strahls B zu positionieren. In ähnlicher Weise können die
erste Positionierungsvorrichtung PM und ein weiterer Positionierungssensor
IF1 verwendet werden, um die Maske MA in Bezug auf den Weg des Strahlungs-Strahls
B korrekt zu positionieren, z. B. nach dem mechanischen Aufrufen
aus einer Masken-Bücherei
oder während
eines Abtast-Vorgangs.
Generell kann die Bewegung des Masken-Tischs MT mittels eines Moduls
mit langem Hub (Grobpositionierung) und eines Moduls mit kurzem
Hub (Feinpositionierung), die Teil der ersten Positionierungsvorrichtung
PM sind, realisiert werden. In ähnlicher
Weise kann die Bewegung des Substrat-Tischs WT mittels eines Moduls mit langem
Hub und eines Moduls mit kurzem Hub, die Teil der zweiten Positionierungsvorrichtung
PW sind, realisiert werden. Im Fall eines Steppers (im Gegensatz zu
einem Scanner) kann der Masken-Tisch MT kann der Masken-Tisch entweder
nur mit einer Betäti gungsvorrichtung
mit kurzem Hub verbunden sein oder festgelegt sein. Die Maske MA
und das Substrat W können
mit Hilfe von Maskenausrichtungs-Markierungen
M1, M2 und Substratausrichtungs-Markierungen P1, P2 ausgerichtet
werden. Obwohl die Substratausrichtungs-Markierungen dahingehend
gezeigt sind, dass die ihnen speziell zugewiesene Target-Bereiche
belegen, können
sie auch in Räumen
zwischen Target-Bereichen angeordnet sein (Diese sind als Schreibspur-Ausrichtungsmarkierungen
bekannt). In ähnlicher
Weise können
in Situationen, in denen mehr als ein Chip auf der Maske MA vorgesehen
ist, die Maskenausrichtungs-Markierungen zwischen den Chips angeordnet
sein.
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Die
beschriebene Vorrichtung kann in mindestens einer der folgenden
Betriebsarten verwendet werden:
- 1. In der Schritt-Betriebsart
werden der Masken-Tisch MT und der Substrat-Tisch WT im Wesentlichen
stationär
gehalten, während
das gesamte auf den Strahlungs-Strahl aufgebrachte Muster auf einmal
auf den Target-Bereich C projiziert wird (d. h. einzelne statische
Belichtung). Dann wird der Substrat-Tisch WT in der X- und/oder
der Y-Richtung derart verschoben, dass ein anderer Target-Bereich
C belichtet werden kann. In der Schritt-Betriebsart begrenzt die maximale Größe des Belichtungsfelds
die Größe des in
einer einzelnen statischen Belichtung abgebildeten Target-Bereichs
C.
- 2. In der Abtast-Betriebsart werden der Masken-Tisch MT und
der Substrat-Tisch WT synchron abgetastet, während ein auf den Strahlungs-Strahl aufgebrachtes
Muster auf den Target-Bereich C projiziert wird (d. h. einzelne
dynamische Belichtung). Geschwindigkeit und Richtung des Substrat-Tischs
WT relativ zu dem Masken-Tisch MT können durch die (Ent-)Vergrößerungs-
und Bildumkehr-Eigenschaften des Projektionssystems PS bestimmt
werden. In der Abtast-Betriebsart begrenzt in einer einzelnen dynamischen
Belichtung die maximale Größe des Belichtungsfelds
die Breite (in der Nicht-Abtastrichtung) des Target-Bereichs, während die
Länge der Abtastbewegung
die Höhe
(in der Abtastrichtung) des Target-Bereichs bestimmt.
- 3. In einer weiteren Betriebsart wird der Masken-Tisch MT im
Wesentlichen stationär
gehalten, während
er eine programmierbare Musterungsvorrichtung trägt, und der Substrat-Tisch
WT wird bewegt oder abgetastet, während ein auf den Strahlungs-Strahl
aufgebrachtes Muster auf den Target-Bereich C projiziert wird. Bei
dieser Betriebsart wird generell eine gepulste Strahlungsquelle
verwendet, und die programmierbare Musterungsvorrichtung wird nach
jeder Bewegung des Substrat-Tischs WT oder zwischen aufeinanderfolgenden
Bestrahlungsimpulsen während
einer Abtastbewegung in der erforderlichen Weise aktualisiert. Diese
Betriebsart kann problemlos bei der maskenlosen Litografie angewandt
werden, bei welcher eine programmierbare Musterungsvorrichtung verwendet
wird, wie z. B. ein programmierbares Spiegel-Array des oben erwähnten Typs.
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Es
können
auch Kombinationen und/oder Variationen der oben beschriebenen Verwendungsarten
oder vollkommen andere Verwendungsarten angewandt werden.
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2 zeigt
schematisch ein Verunreinigungsauffangsystem D als Teil einer litografischen Vorrichtung
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung. Das Verunreinigungsauffangsystem D kann als separate
Einheit betrachtet werden. Das Verunreinigungsauffangsystem D kann
jedoch auch als Teil der Quelle SO betrachtet werden. Es ist möglich, das Verunreinigungsauffangsystem
D als Teil der Beleuchtungsvorrichtung IL zu betrachten. Das in 2 gezeigte
System kann auch als Beleuchtungssystem betrachtet werden, das eine
Quelle SO zum Erzeugen von Strahlung und ein Verunreinigungsauffangsystem
D enthält,
mit dem mindestens ein Teil der Verunreinigungspartikel aufgefangen
wird, die beim Erzeugen von Strahlung freigegeben werden. Das Verunreinigungsauffangsystem
D enthält
einen ersten Satz FS von Kanälen
C. Jeder Kanal C des ersten Satzes FS weist eine Innenwand IW zum
Erfassen (nicht gezeigter) Verunreinigungspartikel auf.
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Ferner
weist jeder Kanal C des ersten Satzes FS eine Kanal-Richtung auf,
die es ermöglicht,
dass sich Strahlung R aus der Quelle SO durch diesen Kanal C ausbreitet.
Das Verunreinigungsauffangsystem D enthält ferner einen zweiten Satz
SS von Kanälen C.
Der zweite Satz SS von Kanälen
C ist in Bezug auf die (durch Pfeile am Ende der unterbrochenen
Linien R angedeutete) Ausbreitungsrichtung der Strahlung stromabwärts des
ersten Satzes FS von Kanälen
C angeordnet. Ferner weist jeder Kanal C des zweiten Satzes eine
Innenwand IW zum Auffangen von Verunreinigungspartikeln auf. Ferner
weist jeder Kanal C des zweiten Satzes SS eine Kanal-Richtung auf,
die es ermöglicht,
dass sich Strahlung R aus der Quelle SO auch durch diesen Kanal
C ausbreitet. Das Verunreinigungsauffangsystem D enthält ferner
eine Gaszufuhr GS und einen Gasauslass GR, um zwischen dem ersten
Satz FS von Kanälen
C und dem zweiten Satz SS von Kanälen C ein Gasstrom F mit einer
Nettoströmung
zu applizieren, die im Wesentlichen quer zur Ausbreitungsrichtung
der Strahlung R verläuft.
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Verunreinigungspartikel
(nicht gezeigt), die sich in der Ausbreitungsrichtung durch die
Kanäle
C des ersten Satzes FS bewegt haben, werden durch Zusammenprall
mit den Gaspartikeln des aus der Gaszufuhr GS zugeführten Gases
abgelenkt. Dies vergrößert die
Wahrscheinlichkeit, dass die Verunreinigungspartikel von einer Innenwand
eines der Kanäle
C des zweiten Satzes SS erfasst werden.
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Das
Verunreinigungsauffangsystem D ist derart angeordnet, dass es mindestens
während
des Betriebs der Quelle SO zwischen dem ersten Satz FS von Kanälen C und
dem zweiten Satz SS von Kanälen
C einen Gasdruck erzeugt und aufrechterhält, der sehr viel höher ist
als der Gasdruck, der an einem Strahlungseingang RE des ersten Satzes
FS von Kanälen
C vorhanden ist, und/oder der Gasdruck, der an einem Strahlungsausgang
RX des zweiten Satzes SS von Kanälen
C vorhanden ist. Ein hoher Gasdruck ermöglicht eine relativ kleine
Interaktionslänge des
Gases und der Verunreinigungspartikel, die sich von dem ersten Satz
FS von Kanälen
C zu dem zweiten Satz SS von Kanälen
C bewegen. Der hohe Gasdruck kann leicht z. B. durch Steuern der
Gaszufuhr und der Gasabführung
gesteuert werden. Der Widerstand der Kanäle C reduziert die Wahrscheinlichkeit, dass
sich die Puffergase durch die Kanäle C zu der Quelle SO oder
zu der Beleuchtungsvorrichtung IL bewegen. Im Folgenden wird aufgeführt, welche
Erwägungen
zur Anwendung gelangen können,
wenn der erforderliche Widerstand oder die erforderliche Leitfähigkeit
der Kanäle
für sich
durch die Kanäle
bewegendes Gas bestimmt werden. Generell gilt, dass, je länger die
Kanäle
sind, desto höher
der Widerstand ist, den das Gas bei der Hindurchbewegung durch diesen
Kanal erfährt.
In diesem Sinn ermöglicht
die geringe Interaktionslänge,
die aufgrund des hohen Gasdrucks in dem Raum zwischen den beiden Sätzen von
Kanälen
möglich
ist, auch die Ausgestaltung relativ langer Kanäle und somit einen höheren Widerstand
dieser Kanäle
gegenüber
einem sich durch die Kanäle
bewegenden Gas in einer Situation, in welcher der verfügbare Abstand
zwischen der Quelle und der Beleuchtungsvorrichtung begrenzt ist. Anzumerken
ist, dass dieses Merkmal auch für
die Quelle vorteilhaft ist, da der korrekte Betrieb der Quelle eine
Beschränkung
für den
maximal zulässigen
Druck an der Quelle bildet. In einem gewissen Sinn ist die Quelle
von der zwischen dem ersten Satz von Kanälen und dem zweiten Satz von
Kanälen
vorhandenen "Gaskammer" isoliert. Die Gaskammer bleibt
jedoch optisch mit der Quelle verbunden. Eine starke Verunreinigungsunterdrückung, definiert
als das Produkt des Drucks und des Abstands, über den der Druck anhält, kann
dennoch erzielt werden. Schließlich
kann der Druck relativ hoch sein, wodurch die relativ kleine Distanz
zwischen den beiden Sätzen
von Kanälen
kompensiert wird. Aufgrund des möglichen
hohen Puffergasdrucks und der relativ großen Kanäle des ersten Satzes von Kanälen und des
zweiten Satzes von Kanälen,
die in der Praxis in einer relativ kleinen Distanz zwischen den
beiden Sätzen
von Kanälen
resultieren, kann eine relativ starke Unterdrückung von Verunreinigungen
pro Längeneinheit
erzielt werden.
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Das
Verunreinigungsauffangsystem D kann derart angeordnet sein, dass
es eine Gasströmung
F mit einer Nettoströmungsrichtung
erzeugt, die im Wesentlichen normal mindestens zu einem Teil einer
der Innenwände
IW des zweiten Satzes SS von Kanälen C
verläuft.
Dies erhöht
die Wahrscheinlichkeit, dass die Innenwände IV des zweiten Satzes SS
von Kanälen
C in der Lage sind, die Verunreinigungspartikel abzufangen, welche
durch die Interaktion mit dem Puffergas abgelenkt worden sind. Jede
Innenwand IW des zweiten Satzes SS von Kanälen C kann im Wesentlichen
eben sein. Dies bewirkt eine weitere Erhöhung der Wahrscheinlichkeit,
dass die durch Interaktion mit dem Puffergas abgelenkten Verunreinigungspartikel
von den Innenwänden
IW des zweiten Satzes SS von Kanälen
C abgefangen werden. Es ist möglich,
dass eine Innenwand IW des zweiten Satzes SS von Kanälen C im
Wesentlichen parallel zu einer anderen Innenwand IW des zweiten
Satzes SS von Kanälen
C verläuft.
Dies kann eine weitere Erhöhung
der Wahrscheinlichkeit bewirken, dass die durch das Puffergas abgelenkten
Verunreinigungspartikel von den Innenwänden IW des zweiten Satzes SS
von Kanälen
C abgefangen werden.
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Insbesondere
zeigen 5a und 5b schematisch
ein Verunreinigungsauffangsystem als Teil einer litografischen Vorrichtung
gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung, bei dem mindestens ein Teil und, wie gezeigt, sogar
die Gesamtheit der Innenwände
des zweiten Satzes von Kanälen
durch Folien oder Platten gebildet sind. Diese Ausführungsform
wird im Folgenden genauer erläutert.
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Es
ist auch möglich,
das jeder Kanal des zweiten Satzes von Kanälen einen im Wesentlichen zur
Ausbreitungsrichtung der Strahlung verlaufenden Querschnitt mit
einer geschlossenen geometrischen Form aufweist. 3 und 4 zeigen
schematisch einen Querschnitt eines Verunreinigungsauffangsystems,
das als Teil einer litografischen Vorrichtung gemäß einer
derartigen Ausführungsform
oder derartiger Ausführungsformen
der Erfindung vorgesehen ist. Der in 3 gezeigte
Querschnitt kann einen Querschnitt entlang der Linie I, kann einen
Querschnitt entlang der Linie II, oder einen Querschnitt entlang
sowohl der Linie I als auch der Linie II in 2 repräsentieren.
Die in 4 gezeigten Querschnitte können ebenfalls einen Querschnitt
entlang der Linie I, kann einen Querschnitt entlang der Linie II,
oder einen Querschnitt entlang sowohl der Linie I als auch der Linie
II in 2 repräsentieren.
Ein Satz von Kanälen
mit einem Querschnitt gemäß 3 oder 4 bewirkt
einen größeren Widerstand
gegenüber
Gas, das sich durch diese Kanäle
bewegt, als ein Satz von Kanälen,
die durch parallele Platten gebildet sind, welche jeweils in einer
geraden virtuellen Linie liegen.
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Selbstverständlich ist,
je kleiner der Querschnitt jedes Kanals ist, der Widerstand um so
größer, auf
den ein Gas bei seiner Hindurchbewegung durch den Kanal trifft.
Fachleute auf dem Gebiet werden in der Lage sein, die Anzahl von
Kanälen
auf der Basis der erforderlichen Strahlungsdurchlässigkeit eines
derartigen Satzes von Kanälen
und auf der Basis des erforderlichen Widerstands, den ein derartiger
Satz von Kanälen
einem sich durch diese Kanäle hindurchbewegenden
Gas entgegensetzen sollte, zu optimieren. Wie oben erwähnt wird
auch die Länge dieser
Kanäle
berücksichtigt.
Obwohl 3 kreisförmige
Querschnitte der Kanäle
und 4 rechteckige Querschnitte der Kanäle zeigt,
wird darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf diese Querschnitte beschränkt ist.
Beispielsweise können
auch honigwabenförmige
Querschnitte oder andere optimierte Querschnitte zweckmäßig sein.
Ferner gilt, dass nicht sämtliche
Kanäle
eines Satzes von Kanälen notwendigerweise
den gleichen Querschnitt zu haben brauchen.
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Es
besteht die Möglichkeit,
dass die Innenwand IW eines oder jedes Kanals C des zweiten Satzes
SS von Kanälen
C im Wesentlichen mit einem virtuellen Konus übereinstimmt, dessen Spitze
mit der Quelle SO übereinstimmt.
Bei einer derartigen Ausführungsform
sind die Formen der Kanäle
derart konfiguriert, dass die aus der Quelle SO austretende Strahlung
in der radialen Richtung verlaufen kann.
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Bislang
wurde der zweite Satz von Kanälen erläutert. Die
nun folgende Beschreibung konzentriert sich auf den ersten Satz
FS von Kanälen
C. Gemäß einer
Ausführungsform
ist das Verunreinigungsauffangsystem derart zum Bewirken eines derartigen Gasstroms
angeordnet, dass die Netto-Strömungsrichtung
im Wesentlichen parallel zu mindestens einem Teil einer der Innenwände des
ersten Satzes von Kanälen
verläuft. 5a zeigt
schematisch ein Verunreinigungsauffangsystem D als Teil einer litografischen
Vorrichtung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung, bei dem der Gasstrom derart vorgesehen ist, dass
die Netto-Strömungsrichtung
im Wesentlichen parallel zu mindestens einem Teil einer der Innenwände des
ersten Satzes von Kanälen
verläuft.
Tatsächlich
ist wie gezeigt jede Innenwand des ersten Satzes von Kanälen im Wesentlichen
eben. Diese (virtuelle) Ebene schneidet die Quelle SO. Die oben
erwähnten
Vorteile für
die Konfiguration des zweiten Satzes von Kanälen sind hier ebenfalls gegeben.
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Im
Kontext dieser Beschreibung sind die Innenwände des ersten Satzes von Kanälen hinsichtlich
ihrer Konfiguration im Wesentlichen parallel zueinander, auch wenn
dies nicht im strikten Sinn des Worts "parallel" der Fall ist. Dies gilt auch für den in 5b gezeigten
zweiten Satz von Kanälen.
Mindestens ein Teil einer Innenwand des ersten Satzes von Kanälen wird
durch eine Folie oder Platte gebildet. Indem der Gasstrom F derart
vorgesehen wird, dass die Nettoströmungsrichtung im Wesentlichen parallel
zu mindestens einem Teil der Innenwände des ersten Satzes von Kanälen verläuft, wird
mindestens ein Teil des Gasstroms F in einer Richtung gehalten,
die entlang den Innenwänden
des ersten Satzes von Kanälen
quer zur Ausbreitungsrichtung der Strahlung verläuft.
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Bei
der Ausführungsform
gemäß 5a – wobei 5a eine
erste Seitenansicht des Verunreinigungsauffangsystems D zeigt – strömt das Gas
in der normal zur Ebene der Zeichnung verlaufenden Richtung. 5b zeigt
schematisch eine weitere Seitenansicht, die rechtwinklig zu der
Seitenansicht gemäß 5a verläuft. In 5b ist
der Gasstrom durch den Pfeil F angedeutet. Wie oben erwähnt sind die
Kanäle
des zweiten Satzes in dem Gasstrom relativ zueinander derart ausgerichtet,
dass die Nettoströmungsrichtung
des Gasstroms im Wesentlichen parallel zu den Innenwänden des
zweiten Satzes von Kanälen
verläuft.
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Auch
für die
Ausführungsform
gemäß 5a und 5b gilt,
dass die Quelle SO keinen hohen Gaslasten ausgesetzt wird. Obwohl
der erste Satz FS von Kanälen
C relativ durchlässig
für den Gasstrom
F ist, ist der Widerstand, den der Strom F erfährt, wenn er sich zu der Quelle
SO hin bewegt, derart bemessen, dass keine große Menge an Gas die Quelle
SO erreicht. Ferner ist der Widerstand, den der Gasstrom erfährt, wenn
er sich zu dem Gasauslass GR hin bewegt, sehr viel geringer als
der Widerstand, dem der Strom bei einer Bewegung zu der Quelle hin
ausgesetzt ist, und folglich tendiert das Gas eher dazu, sich zu
dem Gasauslass GR als zu der Quelle SO zu bewegen. Der Raum SP zwischen den
beiden Sätzen
von Folien kann minimiert werden, da der Druck relativ hoch gehalten
werden kann, und dadurch geht relativ wenig "Verunreinigungsunterdrückungslänge" verloren im Vergleich
mit einer Folien-Auffangvorrichtung mit einem einzigen Satz von
Kanälen
und einer Gesamtlänge ähnlich der
Länge von
dem Strahlungseinlass RE zu dem Strahlungsauslass RX des Verunreinigungsauffangsystems
D gemäß 2 und 5a und
b.
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Es
sollte ersichtlich sein, dass auch bei dieser Ausführungsform
die Innenwand IW jedes Kanals C des ersten Satzes FS von Kanälen C einen
im Wesentlichen zur Ausbreitungsrichtung der Strahlung verlaufenden
Querschnitt mit einer geschlossenen geometrischen Form aufweisen
kann. Ferner kann die Innenwand IW jedes Kanals C des ersten Satzes FS
von Kanälen
C im Wesentlichen mit einem Konus übereinstimmen, dessen Spitze
mit der Quelle SO übereinstimmt.
In diesem Fall wird die Strömungsrichtung
der Puffergases nicht weiter durch die Innenwände des ersten Satzes FS von
Kanälen
C geleitet. Jedoch ist der Widerstand der Kanäle C gegen ein sich durch die
Kanäle
C zu der Quelle SO bewegenden Gas wesentlich höher als bei dem in 5a gezeigten
ersten Satz von Kanälen.
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Es
sollte ersichtlich sein, dass Fachleute auf dem Gebiet ohne Schwierigkeiten
in der Lage sein sollten, beispielsweise den ersten Satz von Kanälen gemäß 2,
bei dem die Kanäle
z. B. Innenwände mit
einem als geschlossene geometrische Form ausgebildeten Querschnitt
aufweisen, mit einem zweiten Satz von Kanälen gemäß 5b zu
kombinieren. Auch eine Kombination des ersten Satzes von Kanälen gemäß 5a und
eines zweiten Satzes von Kanälen
gemäß 2 deren
Innenwände
einen als geschlossene geometrische Form ausgebildeten Querschnitt
aufweisen, bildet eine Ausführungsform,
die Teil der in dieser Beschreibung erläuterten Erfindung ist. Ferner
sollte ersichtlich sein, dass das Verunreinigungsauffangsystem um
eine Achse gedreht werden kann, die mit einer durch die Quelle verlaufenden
virtuellen Linie übereinstimmt.
Bei einer derartigen Ausführungsform
wird die Strömungsrichtung
des Puffergases vorzugsweise mit der einer Drehgeschwindigkeit gedreht,
die der Drehgeschwindigkeit des ersten und des zweiten Satzes von
Kanälen
gleicht.
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Obwohl
in dieser Beschreibung speziell auf die Verwendung einer litografischen
Vorrichtung bei der Herstellung von ICs verwiesen wird, wird darauf hingewiesen,
dass mit der hier beschriebenen litografischen Vorrichtung auch
andere Anwendungsfälle
gehandhabt werden können,
z. B. die Herstellung von integrierten optischen Systemen, Führungs-
und Detektionsmustern für
Magnetdomänenspeicher, Flat-Panel-Displays,
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen
(LCDs), Dünnfilm-Magnetköpfen etc.
Dem versierten Techniker wird geläufig sein, dass im Kontext
derartiger alternativer Anwendungsfälle jede Verwendung der Ausdrücke "Wafer" oder "Chip" als Synonym für die eher
allgemeinen Ausdrücke "Substrat" oder "Target-Bereich" betrachtet werden
kann. Das Substrat, auf das hier Bezug genommen wird, kann vor oder
nach der Belichtung beispielsweise in einer Leiterbahn-Apparatur
(einem Werkzeug, das typischerweise eine Resist-Schicht auf ein
Substrat aufträgt
und das belichtete Resist entwickelt), einem messtechnischen Werkzeug
und/oder einem Inspektionswerkzeug verarbeitet werden. Die vorliegende Offenbarung
kann in Fällen,
in denen eine entsprechende Anwendbarkeit gegeben ist, im Zusammenhang
mit diesen und anderen Substratverarbeitungswerkzeugen verwendet
werden. Ferner kann das Substrat mehr als einmal verarbeitet werden,
z. B. um eine Mehrschichten-IC-Vorrichtung zu erzeugen, so dass
sich der hier verwendete Ausdruck "Substrat" auch auf ein Substrat beziehen kann,
das bereits mehrere verarbeitete Schichten enthält.
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Obwohl
vorstehend speziell auf eine Verwendung von Ausführungsformen der Erfindung
im Kontext optischer Litografie Bezug genommen wurde, wird ersichtlich
sein, dass die Erfindung auch für andere
Anwendungsfälle
geeignet ist, wie z. B. für
die Druck-Litografie, und dass die Erfindung, wo der Kontext dies
erlaubt, nicht auf die optische Litografie beschränkt ist.
Bei der Druck-Litografie definiert eine Topografie in einer Musterungsvorrichtung
das auf dem Substrat erzeugte Muster. Die Topografie der Musterungsvorrichtung
kann in eine auf das Substrat aufgebrachte Resist-Schicht gedrückt werden,
woraufhin das Resist durch Applizierung elektromagnetischer Strahlung,
Wärme,
Druck oder eine Kombination dieser Mittel gehärtet wird. Die Musterungsvorrichtung
wird aus dem Resist herausbewegt, wobei ein Muster in dem Resist
belassen wird, nachdem dieses gehärtet ist.
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Die
Ausdrücje "Strahlung" und "Strahl" umfassen in der
vorliegenden Verwendung sämtliche Typen
elektromagnetischer Strahlung einschließlich ultravioletter (UV-)Strahlung
(z. B. mit einer Wellenlänge
von ungefähr
365, 355, 248, 193, 157 oder 126 nm), extremer ultravioletter (EUV-)Strahlung
(z. B. mit einer Wellenlänge
im Bereich von 5–20
nm) und (weicher) Röntgenstrahlung.
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Der
Ausdruck "Linse" kann sich, wo der
Kontext dies zulässt,
auf jeden Typ einer optischen Komponente einschließlich brechender,
reflektierender, magnetischer, elektromagnetischer und elektrostatischer
optischer Komponenten, oder auf jede Kombination derartiger Typen
beziehen.
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Obwohl
vorstehend bestimmte Ausführungsformen
der Erfindung beschrieben worden sind, wird ersichtlich sein, dass
die Erfindung auch in anderer Form als der hier beschriebenen praktiziert
werden kann. Beispielsweise kann die Erfindung in Form eines Computerprogramms,
das eine oder mehrere Sequenzen maschinenlesbarer Befehle enthält, die ein
Verfahren gemäß der obigen
Offenbarung beschreiben, oder als Datenspeichermedium (z. B. als Halbleiterspeicher,
als magnetische oder optische Platte) realisiert werden, in dem
ein derartiges Computerprogramm gespeichert ist.
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Die
vorstehenden Beschreibungen dienen der Veranschaulichung und sind
nicht im Sinne einer Einschränkung
zu verstehen. Somit wird Fachleuten auf dem Gebiet ersichtlich sein,
dass an der hier beschriebenen Erfindung Modifikationen vorgenommen werden
können,
ohne vom Schutzumfang der nachstehenden Ansprüche abzuweichen.