CN1495531B - 光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障 - Google Patents

光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障 Download PDF

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Abstract

本发明是一种具有箔收集器、用于EUV光刻的光刻投射装置。该箔收集器在EUV源后形成一个开放的结构，使EUV辐射不受阻碍地通过。该箔收集器构造为可以绕光轴旋转。通过旋转箔收集器，横切EUV辐射传播方向的脉冲可以传输到EUV束中的碎片上。这些碎片将不能通过箔收集器。这样，减少了箔收集器下游光学元件上的碎片数量。

Description

光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障
技术领域
本发明涉及一种光刻投射装置，包括：
-将辐射源发射的辐射形成辐射投射束的辐射系统；
-构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射光束进行构图的支撑结构；
-构造成保持基底的基底台；
-构造并设置成将构图部件的被照射部分成像到基底靶部上的投射系统；和
-靠近辐射源、用于防止辐射源发射的物质沿光轴传播的通道装置，该通道装置包括一个中心和宽度方向横向于光轴并、长度方向通常沿光轴方向延伸的多个狭长通道构件。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动；
■程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已定址的反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到无地址的反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的；和
■程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器或者分布重复装置。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆、涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微 型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
在光刻投射装置中，可以在基底上成像的特征的大小受投射辐射的波长限制。为生产具有更高器件密度的集成电路，以及由此获得的更高的运行速度，需要能够对更小的特征成像。同时，多数现有的光刻投射装置使用由水银灯或受激准分子激光器产生的紫外光，已经提出使用范围在5～20nm，特别是13nm的更短的波长辐射。这样的辐射称为远紫外(EUV)或软x射线，可能使用的源包括，例如激光发生器等离子源、放射等离子源或由电子存储环发出的同步加速器辐射。使用放射等离子源的装置在下述文中描述：W.Partlo，I.Fomenkov，R.Oliver，D.Birx的“在Li蒸汽中使用密集等离子体聚焦的EUV(13.5nm)光源的发展”(“Development of an EUV(13.5nm)Light Source Employing a DensePlasma Focus in Lithium Vapor”，Proc.SPIE 3997，pp.136-156(2000))；M.W.McGeoch的“Z收缩远紫外源的功率测量”(“Power Scaling of a Z-pinchExtreme Ultraviolet Source”，Proc.SPIE 3997，pp.861-866(2000))；W.T.Silfvast，M.Klosner，G.Shimkaveg，H.Bender，G.Kubiak，N.Fornaciari的“用于EUV光刻术的在13.5nm和11.4nm处的大功率等离子放射源”(“High-Power Plasma DischargeSource at 13.5and 11.4nm for EUV Lithography”，Proc.SPIE 3676，pp.272-275(1999))；以及K.Bergmann et al.的“基于气体放射等离子的高重复性的远紫外辐射源”(“Highly Repetitive，Extreme Ultraviolet Radiation Source Based on aGas-Discharge Plasma”，Applied Optics，Vol.38，pp.5413-5417(1999))。
EUV辐射源，例如上面提到的放射等离子辐射源，需要用一个更高的局部气压或蒸汽压以发射EUV辐射。在放射等离子源中，例如在两电极之间产生放电，并由此产生的局部电离的等离子可能随后导致崩溃以产生在EUV范围发射辐射的非常热的等离子。因为Xe等离子在远紫外(EUV)约13.5nm范围内进行辐射，所以非常热的等离子体往往在Xe中产生。对于有效的EUV产品，在电极到辐射源附近需要0.1mbar的标准气压。具有这么高的Xe气压的缺陷是Xe气体会吸收EUV辐射。例如，0.1mbar的Xe传送1m，仅存0.3％波长为13.5nm的EUV辐射。因此需要将更高的Xe气压限制在围绕源的有限区域内。为此目的，源被容纳在其特有的真空室中，该真空室通过室壁与容纳聚光反射镜和照明光学器件的次真空室分离。
真空壁可以制成通过由通道阵列或者所谓的箔收集器(foil trap)提供的在所述壁上的若干孔径透过EUV辐射，如欧洲专利申请EP-A-1057079中所描述的，该文献这里作为参考引入。为了减少沿光轴传播的粒子数，在EP-A-1223468及EP-A-1057079中已经提出了通道阵列或者“箔收集器”。该箔收集器由通道状的结构构成，包括与其靠近以形成流阻但不是太近以使辐射无障碍通过的薄片(lamella)状壁。该箔收集器这里作为参考引入。
由EUV源发射并通过源真空壁的通道阵列的具有相对低速率的相对重的、微米量级的粒子或更小的粒子产生的光刻投射装置光学组件的杂质造成了一个严重的问题：该杂质导致光学组件的老化并且显著地提高了EUV光刻投射装置的加工成本。
发明内容
因此，本发明的一个目的是减少或者消除由EUV源发射并沿光轴传播的粒子。
另一个目的是减少EUV光刻投射装置中光学元件上由EUV源引起的杂质的数量。
依照本发明在开始段中描述的光刻装置，可以实现上述及其他发明目的，其特征在于：通道装置可以绕光轴旋转，光刻投射装置包括与通道装置相连接的驱动装置，用于绕光轴旋转通道装置。通过旋转通道装置，从EUV源发射并且沿光轴移动的粒子被通道装置壁截取，垂直于光轴移动并阻塞在那里。这样，在通道装置后面的灵敏的光学元件将被避免接收杂质。
在依照本发明的光刻投射装置的一个实施例中，光刻投射装置特征在于：通道构件聚焦在辐射源。因此，由EUV源发射的EUV射线可以基本上无障碍地通过通道装置。这是一个重要的优点，因为EUV辐射易于吸收。
重粒子例如碎片，包括由源放射的融化、蒸发或溅射的电极材料，它们的速率相对低。由实验得到该速度低于10m/s。通道装置的通道构件的纵横比(长度/宽度)大约为20。当通道装置以10/20＝0.5m/s的速率旋转时，实质上所有EUV源发射的重粒子将碰撞通道构件壁并被收集在壁内。
本发明的又一个实施例中，光刻投射装置的特征在于：驱动装置适于以每秒1～50转，优选地，每秒1～10转的速度旋转通道装置。这些相对低的旋转速率很容易实现并不需要专门的、先进的和复杂的元件。
依照本发明优选的实施例，附加的通道装置安装为相对于通道装置附近的所述光轴可以旋转，当所述附加通道装置具有与所述通道装置旋转方向相反的旋转方向时，尤其有利。在这种情况下，一些快速运动的杂质粒子可以以某个角度通过一个通道装置，因为接下来的通道装置的角度与歪斜(askew)运动的粒子不同，杂质粒子几乎不能通过接下来的通道装置。
类似的有利效果在依照本发明的实施例中可以也实现，其中所述附加通道装置具有与所述通道装置的旋转方向基本上相同的旋转方向，并且具有与通道装置的旋转速率不同的旋转速率，或者甚至其中所述附加通道装置安装为不可旋转。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”、“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”、“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365、248、193、157或者126nm的波长)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，在图中相应的附图标记表示相应的部件，其中：
图1示意性地表示本发明实施方案的光刻投射装置；
图2表示依照本发明的光刻投射装置的EUV照明系统和投射光学器件的侧视图；
图3表示本发明的辐射源和切线入射收集器的细节；
图4表示依照本发明的旋转粒子屏障装置示意图的横截面；
图5表示依照本发明的两相反旋转粒子屏障装置示意图的横截面。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的光刻投影装置1。该装置包括：
辐射系统IL，用于提供辐射投射光束PB(例如波长为11～14nm的EUV辐射)，在该具体的例子中该辐射系统还包括辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
第二目标台(基底保持器)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；和
投射系统(“镜头”)PL，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如上所述，该装置是反射型的(即具有反射掩模)。但是该装置通常也可以例如是透射型的(具有透射掩模)。或者该装置可以采用其他类型的构图部件，例如上述程控反射镜阵列类型。
辐射源LA(例如激光发生等离子或放射等离子EUV辐射源)产生辐射束。该光束直接或经过如扩束器的横向调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ一外和σ一内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器和聚光器。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当源是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过适当的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的程控构图部件MA相交。经过掩模MA之后的光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片分档器中(与分步扫描装置相对)，掩模台MT可仅与短冲程执行装置连接，或者固定。掩模MA和基底W可以用掩模对准标志M1、M2和基底对准标志P1、P2对准。
所示的装置可以按照两种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射；和
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
图2所示投射装置1包括带有辐射单元3、照明光学单元4的照明系统和投射光学系统5。辐射系统2包括源收集器组件或者辐射单元3和照明光学单元4。辐射单元3由放射等离子形成的辐射源6提供。EUV辐射源6可以使用气体或蒸汽，如Xe气体或Li蒸汽，它们可以产生非常热的等离子以发射EUV电磁频谱范围的辐射。非常热的等离子通过引发局部离子化的电子放射等离子碰撞光轴O而产生。Xe、Li蒸汽或其它任何适合的气体或蒸汽需要0.1mbar的局部压力以有效产生辐射。由辐射源6发射的辐射通过气体屏障结构或“箔收集器”9自源室7进入收集器室8。气体屏障结构包括通道结构，例如欧洲专利申请EP-A-1233468和EP-A-1057079中所描述的，这些文献在这里作为参照引入。
收集器室8包括依照本发明由切线入射收集器形成的辐射收集器10。通过收集器10的辐射被光栅光谱滤波器11或者反射镜反射聚焦在收集器室8孔径处的实际源点12上。来自室8的投射束16在照明光学单元4中，通过正入射反射镜13、14反射到位于分划板或掩模台15上的分划板或掩模上，形成带图案的光束17，该光束在投射光学系统5中，通过反射元件18、19在晶片台或基底台20上成像。通常在照明光学单元4和投射系统5中会存在比图中所示更多的元件。
如图3所示，切线入射收集器10包括多个嵌套反射镜元件21、22、23。这种类型的切线入射收集器，如德国专利申请DE10138284.7中所示。
在图4所示依照本发明的旋转通道阵列或屏障43的实施例中，示出自EUV源6放射的EUV辐射6’。光束6’入射到屏障43上，屏障43形成将源室与光轴下游UV光学系统相分离的真空壁。屏障43绕光轴O是可旋转的，如箭头所示。屏障43还可以沿与箭头方向相反的方向绕光轴O旋转或者沿一个方向或另一个方向交替地旋转。屏障43的中心44位于光轴上。屏障43可以是沿光轴O圆柱对称的。当仅旋转某特定角度时，屏障还可以是固定的。屏障43包括薄片结构41。不同的薄片间相互间距可以不同，用屏障43的一段42表示。这意味着相邻薄片间的距离可以不同。薄片结构41形成三维小通道。该通道可以聚焦在辐射源6上。还可以构成没有实焦点的通道阵列43。无论如何，通道平行于发射的EUV光束。本发明的主要原理是，由于屏障43的旋转，EUV辐射6’中的杂质粒子45附着在EUV辐射6’传播通过的薄片结构41的内侧。屏障43可以通过例如位于屏障43两侧的驱动装置46以每秒7转的转速旋转。薄片结构41聚焦在辐射源。因此，EUV源发射的辐射EUV射线可以无障碍地通过薄片结构41。薄片结构41的典型尺寸值为：小板：高30mm、厚0.1mm、宽50mm(弯曲)。通道宽度的典型值为1mm。从屏障43到源6的距离典型地为约60mm。
当箔收集器的旋转与源的脉冲频率不同步时，发生频闪效应。为避免频闪效应，在源的两个脉冲之间，箔收集器可以刚好旋转整数个通道。
在图5中所示的部件与图2-4中所示相应的部件具有相同的附图标记，参照对上述附图的描述，相同的部件在下文中不再进一步描述。图5所示为屏障组件47，包括分别由驱动装置46和46’驱动的屏障43和43’。该实施例所示屏障43和43’以相反的方向绕光轴O旋转，如箭头A1和A2所示。该屏障组件能够防止快速移动的杂质粒子(热粒子或者速率比热粒子高很多倍的粒子)从EUV源发射(或在源与所述箔收集器之间被热能化)以从源室穿过并到达收集室。这还可以用类似的屏障组件实现，其中一个屏障43旋转而另一个屏障43’静止，或者两个屏障43、43’都沿相同方向旋转但具有不同的速率。
以上已描述本发明的具体实施例，但应当理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施。本说明不作为本发明的限定。

Claims (15)

1.一种光刻投射装置，包括：
-将辐射源(6)发射的辐射形成辐射投射束(6’)的辐射系统(3，4)；
-构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构(15)；
-构造成保持基底的基底台(20)；和
-构造并设置成将构图部件的被照射部分成像到基底靶部上的投射系统(5)，和
-置于辐射源(6)的辐射输出侧、用于防止辐射源(6)发射的物质沿光轴(O)传播的通道装置(43)，该通道装置(43)包括一个中心(44)和宽度方向横向于光轴(O)、长度方向实质上沿光轴(O)方向延伸的多个狭长通道构件(41)，
其特征在于：
所述通道装置(43)绕光轴(O)是可旋转的，所述光刻投射装置包括与所述通道装置(43)相连的驱动装置(46)，用于使所述通道装置(43)绕光轴(O)旋转。
2.根据权利要求1的光刻投射装置，其特征在于，所述通道装置(43)的所述中心(44)位于所述光轴(O)上。
3.根据权利要求1或2的光刻投射装置，其特征在于，所述通道构件(41)聚焦于所述辐射源(6)。
4.根据权利要求1的光刻投射装置，其特征在于，所述通道装置(43)的通道构件(41)是板状的。
5.根据权利要求1的光刻投射装置，其特征在于，所述通道构件(41)位于所述光轴(O)附近，在垂直于所述光轴(O)的平面内形成蜂巢结构，并且平行或实质上平行于所述光轴(O)延伸。
6.根据权利要求1的光刻投射装置，其特征在于，所述驱动装置(46)适于以每秒1～50转的速度旋转所述通道装置(43)。
7.根据权利要求6的光刻投射装置，其特征在于，所述驱动装置(46)适于以每秒1～10转的速度旋转所述通道装置(43)。
8.根据权利要求1的光刻投射装置，其特征在于，附加通道装置安装在所述通道装置(43)一侧。
9.根据权利要求8的光刻投射装置，其特征在于，所述附加通道装置安装为实质上与所述通道装置(43)同轴。
10.根据权利要求8或9的光刻投射装置，其特征在于，所述附加通道装置安装为相对于所述光轴(O)可旋转。
11.根据权利要求10的光刻投射装置，其特征在于，所述附加通道装置具有与所述通道装置(43)的旋转方向相反的旋转方向。
12.根据权利要求10的光刻投射装置，其特征在于，所述附加通道装置具有与所述通道装置(43)的旋转方向相同的旋转方向，并且具有与所述通道装置(43)的旋转速率不同的旋转速率。
13.根据权利要求8或9的光刻投射装置，其特征在于，所述附加通道装置安装为不旋转。
14.用于权利要求1的光刻投射装置中的通道装置，包括多个宽度方向横向于光轴(O)并且长度方向实质上沿光轴(O)方向延伸的伸长的通道构件(41)，其特征在于，所述通道装置(43)绕光轴(O)是可旋转的，所述通道装置组件包括与所述通道装置相连的驱动装置(46)，用于使所述通道装置(43)绕所述光轴(O)旋转。
15.利用光刻加工制造一种集成结构的方法，包括步骤：
-提供将辐射源(6)发射的辐射形成辐射投射束(6’)的辐射系统(3，4)；
-提供构造成保持构图部件、使构图部件被投射束照射以对投射束进行构图的支撑结构(15)；
-提供构造成保持基底的基底台(20)；和
-提供构造并设置成将构图部件的被照射部分成像到基底靶部上的投射系统(5)，和
-提供置于辐射源(6)的辐射输出侧、用于防止辐射源(6)发射的物质沿光轴(O)传播的通道装置(43)，该通道装置(43)包括一个中心(44)和宽度方向横向于光轴(0)、长度方向实质上沿光轴(O)方向延伸的多个狭长通道构件(41)，
其特征在于：
绕所述光轴(O)旋转所述通道装置(43)，所述光刻投射装置(1)包括与所述通道装置(43)相连的驱动装置(46)，用于使所述通道装置(43)绕光轴(O)旋转。
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