TWI229242B - Lithographic projection apparatus and particle barrier for use in said apparatus - Google Patents

Description

1229242 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投影裝置’該微影投影裝置包括. ——輻照系統，其用於自一輻照源所發射輻照 照投影光束， y X〜輻 、--支承結構’其建構用於固定欲由投影光束輻夕 孩投影光束圖案化的圖案化構件， 7宁 -一建構用於固定一基板之基板平臺，及 投影系統，其建構及佈置料將該圖案化構件的-文輻照邯分成像至該基板的一目標部分上，及 -一位料照騎近的通道構件，其料防止赛 射出的物質沿-光抽傳播，該通道構件包括一中心及若: ^度万向橫切光軸且其長度方向—般在光轴方向上 的長（el0ngated)通道部件（member)。 【先前技術】 本文所用術語「圖案化構件廡 偁仵」應廣義解釋為係指可用於 Η 丁一入射輻照光束一圖案 、 f+旛、人 截面的構件，該圖案化截面 ^ , Μ刀中形成又圖案；在該種意 我上，亦可使用術語「光閥 一 、、 认 股而吕，孩圖案將對應 万；一正於該目標部分中形成之 . 且（device)(例如一積體電 =其他裝置（dev㈣參見下文）中的—料功能層。該等 圖案化構件之實例包括： 光罩。光罩概念在微影 彳τ τ巳+所習知，且其包括二 進制、交替移相、衰減移相 夕不目寺先罩類型、及各種混合光罩 87563 1229242 類型。根據該光罩上的圖案，將此一光罩置於輻照光束中 可致使擇性的輻照透射（若為一透射光罩）或輕照反射（若 為一反射光罩）照射於該光罩上。若為一光罩，則支承結構 將通常係一光罩平臺，該光罩平臺可保證光罩能夠固定於 入射輻照光束中的一所需位置，並且可相對於光束移動（若 需要）； - 種可程式規劃反射鏡陣列。此一裝置（device)的一實例 係一具有一黏彈性控制層及一反射表面的矩陣可定址表面 。此一裝置之基本原理係（舉例而言）··該反射表面之已定址 區域將入射光作為衍射光反射，而未定址區域將入射光作 為非衍射光反射。藉由使用一適當濾光器，可將該非衍射 光滤除出反射光束，僅留下衍射光；藉由此種方式，即可 根據矩陣可定址表面之定址圖案使該光束形成圖案。可程 式規劃反射鏡陣列的一替代具體實施例使用一微鏡矩陣排 列（arrangement)，可藉由施加一合適的局部電場，或藉由 使用壓電致動構件使每一微鏡各自以一軸線為中心傾斜。 同褕，該等反射鏡亦係矩陣可定址，以使已定址反射鏡將 以一不同於未定址反射鏡之方向反射一入射輻照光束；藉 由此種方式，可根據矩陣可定址反射鏡之定址圖案來圖案 化所反射光束。可使用合適的電予構件實施所需的矩陣定 址在上逑兩種情況下，圖案化構件皆可包括一或多個可 程式規劃反射鏡陣列。可自（舉例而言）美國專利US 5,296’89 1及1]8 5,523，193、及？〇丁專利申請案购 98/3 85 97 及WO 98/33096搜集關於本文所述反射鏡陣列的更多資訊 87563 1229242 ，該等專利申請案皆以引用方式併入本文中。倘使為—可 程式規劃反射鏡陣列，則該支承結構可具體表現為（舉例而 言）一框架或平臺，且可根據需要為固定式或可移動式；及 -一種可程式規劃LCD陣列。此一構造的一實例在美國專 利US 5,229,872中給出，該專利案以引用方式併入本文中。 如上所述，在此種情況下，該支承結構可具體表現為（舉例 而吕）一框架或平堂’且可根據需要為固定式或可移動式。 為簡明起見’本文剩餘邵分於某些地方可具體針對乎及 一光罩及光罩平堂的實例；然而，應以上文所述圖案化構 件之更廣泛意義看待該等例示中所述之一般原理。 微影投影裝置可用於（舉例而言）積體電路（Ic)的製造。在 此-情況了，圖案化構件可產纟-對應於該10的—單獨層 的電路圖案，且該圖案可被成像至—基板（石夕晶圓）上已塗: 一層輻照敏感材料（抗蝕劑）的一目標部分 個晶粒:上。-般而言，單個晶圓將包含-整套二= 为，齡目標部分精由投影系統依次逐_接受—。目# 使用-光罩在-光罩平臺上實施圖案化作業的裝置可區分 為兩種不同之類型。在-種類型的微影投影裝置中，藉由 一次（m one g0)將整個光罩圖案曝 — ^ ^ 尤土目私邵分上來輻照 母一目私邵分；此一裝置通常稱一曰 + -t- it ^ w ^ ^ ^ 、、、曰曰®矢步光刻機或分 步一重稷裝置。在一通常稱為一分 刀步~知描裝置的另一種 I置中，猎由在投影光束下沿—終 〇义卷率方向' 向）漸進掃描光罩圖案且同時同步 ，， 「田」 方向的基板平臺來輻照每—目椁立 ” 丁或反平仃万;及 ^分：由於-般而言投影 87563 1229242 系統將具有-放大係數Μ卜般<υ ’因此掃描基板平臺的速 度V將為-係數Μ乘以掃描光罩平臺之速度。可自（舉例而 言⑽6,_，792搜集㈣本文所述微影裝置（d⑽e)的更 多貧訊，該專利案以引用方式併入本文中。 在一使用一微影投影裝置的製造製程中，將一圖案（例如 -光罩中的圖案)成像至一 i少部分覆蓋有一層輻照敏感 材料（抗蝕劑）的基板上。在該成像步驟之前，可使該基板經 歷各種程序，例如塗底劑、塗敷抗蝕劑、及一軟烘焙。在 曝光之後，可使該基板經歷其它程序，例如一後曝光烘焙 (PEB)、顯影、一硬烘焙及所成像結構的量測/檢查 (mspectlon) '該系列步騾用作將一裝置（device)(例如一 1(：) 的一單獨層圖案化的基礎。爾後，此一圖案化層可經歷各 種製程，例如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、氧化、化學 一機械拋光等，所有該等製程皆旨在光製（finish 〇ff)一單獨 層。若舄要若干層，則必須對每一新層重複該整個程序或 其一變體。最終，一裝置（deVlce)陣列將出現於該基板(晶 圓）上。爾後，藉由一種技術（例如切割或鋸）使該等裝置 (device)相互分離。由此可將各裝置（device)安裝於一載體 上、連接至管腳等。關於該等製程的進一步資訊可自（舉例 而言）「微晶片製造：半導體處理的實用指南（M1Cr0chlp

Fabrication : A Practical Guide to Semiconductor· Processing)」 (第三版，由 Peter van Zant編著，McGraw Hill Publishing Co. ，：1997 ’ ISBN 0_07-06725〇-4)—書獲知，其以引用方式併 入本文中。 87563 1229242 為簡明起見’以下可將投影系統稱為「透鏡」；然而， 應將該術語廣義理解為囊括各種類型的投影系統，舉例而 言，包括折射光學、反射光學或折反射光學系統。輕照系 統亦可包括根據該等設計類型之任一類型運作以引導、成 形或控制無照投影光束之元件（component)，且在下文中今 等元件亦可統稱或單獨稱為一「透鏡」。進—步，微影裝 置可為一種具有兩個或多個基板平臺（及/或兩個或多個光 罩平臺）的類型。在該等「多級式」裝置（device)中，可並 行使用額外平堂，或者當一或多個其它平臺正用於曝光時 ，可在一或多個平臺上實施準備步驟。雙級式微影裝置闡 述於（例如）118 5,969,441及\^〇9 8/40791中，其皆以引用方 式併入本文中。 在锨影裝置中，可成像至基板上的結構尺寸受限於投影 輻照之波長。為生產具有更高裝置密度且因而具有更高運 作速度之積體電路，較佳能夠成像更小的結構。儘管大多 數現有微影投影裝置使用由汞燈或準分子雷射器產生的紫 外光，然而有人已提議使用5奈米至2〇奈米範圍尤其是丨3奈 米左右的更短波長的輻照。此種輻照稱為極遠紫外線（EUV) 或軟X射線，且可能的輻照源包括（舉例而言）雷射致電漿源

放私私漿源、或來自電子儲存環之同步輻照。使用放電 電衆源之裝置闡述於：W. Partl0, L F_enkQv，R QHveF ，D. Βιιχ所著「一種於鋰蒸汽中使用稠密電漿焦點之 (L，.5奈米）光源之發展（Development of an Euv (13 5 nm)

Light Source Employing a Dense Plasma Focus in Lithium 87563 -10- 1229242

Vapor)」（SPIE 3997 會刊，第 136-1 56 頁（2000)) ; M.W. McGeoch所著「Z箍縮極遠紫外線源之功率標定（Power Scaling of a Z-pinch Extreme Ultraviolet Source)」（SPIE 3997會刊，第 86 1-866 頁（2000)) ; W.T. Silfvast，M. Klosner ，G. Shimkaveg，H. Bender，G. Kubiak，N. Fornaciari所著 「用於EUV微影的13.5奈米及1 1.4奈米大功率電漿放電源 (High-Power Plasma Discharge Source at 13.5 and 11.4 nm for EUV lithography)」（SPIE 3676會刊，第 272-275 頁（1999)) ;及尺.Bergmann等人所著「以一氣體放電電漿為基礎之高 重複性極遠紫外線輻照源（Highly Repetitive, Extreme Ultraviolet Radiation Source Based on a Gas-Discharge Plasma)」（應用光學（Applied Optics)，第 38卷，第 5413-5417 頁（1999))。 EUV輻照源（例如上述放電電漿輻照源）可能需要使用相 當高的氣體或蒸汽分壓來發射EUV輻照。舉例而言，在一 放電電漿源中，電極之間產生一放電，隨後使一所產生的 部分電離電漿坍縮（collapse)，以產生一可在EUV範圍内發 射輻照之極熱電漿。該極熱電漿通常產生於Xe中，此乃因 Xe電漿可以約13.5奈米的波長在極遠UV(EUV)範圍内輻照 。若欲有效產生EUV，通常輻照源之電極附近需要具有一 0.1毫巴之壓力。具有此一相當高Xe壓力之缺點在於，Xe 氣體可吸收EUV輻照。舉例而言，在1米距離上，0.1毫巴的 Xe僅透射0.3%的13.5奈米波長EUV輻照。因此，需將該相 當高的Xe壓力限制在輻照源周圍的一有限區域内。為此， 87563 -11 - 1229242 可將輻照源容納於其自身的真空室内，由一室壁將該真空 室與可容納聚光鏡及照明光學元件的下一真空室隔開。 可藉由一闡述於歐洲專利申請案第EP-A-1 057 079號中 的通道陣列或所謂箔陷阱在該壁中提供的若干孔使真空壁 透明於EUV輻照，該申請案以引用方式併入本文中。為減 小沿光軸傳播的微粒數量，EP-A] 223 468及EP_A-1 057 079 中已提出一種通道陣列或「箔陷阱」。該箔陷阱由一包括 若干薄片形壁的通道狀結構組成，該等薄片形壁相互靠攏 ，以形成一流阻，但不得過於靠攏，以便可使輻照通過而 不阻礙輻照。該箔陷阱以引用方式併入本文中。 EUV源所發射並穿過該Euv源之真空壁中通道陣列的速 度幸乂低且較重的极米尺寸微粒或更小的微粒，可污染微影 裝置之光學元件’此種污染造成一嚴重問Μ，此乃因此種 π染可導致光學元件降級並顯著提高EUv微影投影裝置之 運作成本。 【發明内容】 減少EUV源發出並沿光軸傳播 因此，本發明之一目的係 的微粒數量或消除該等微粒 本奴明义另―目的係：降低冊V源對EUV微影投影裝3 中光學元件造成的污染程度。

根據本發明，可在—如仏饥V 在起始段所說明的微影投影裝置中. 成該目的及其他目的’該微 从π闽Α士 仅W农置足％欲在於通道相 件可圍、丸光軸旋轉，該微 „^a .u 以投〜取置包括連接至通道構半 以用於圍繞先軸旋轉通道 再1千的驅動構件。借助該旋轉y 87563 -12- 1229242 '件’由EUV源發射並沿光軸傳播的微粒可被垂直於光 軸運行的通道構件壁攔截並黏附於該等壁上。藉由此種方 式，可保護通道構件後面的精密光學元件免遭污曰染。 在本發明微影投影裝置的—具體實施例中，^投影裝 《特徵在於：通道部件聚焦於輻照源上 源發恤稱照射線可通過該等通道構件:不= 貝阻礙。由於EUV輻照變得極易被吸收，因此，此乃本發 明裝置之一重要優點。 重uΜ例如，包含輕照源發散的燒餘、揮發或歲射電極 材料的碎屑等）之速度較低。實驗顯示，其速度似乎低於1〇 未/秒、通道構件中通道部件之縱橫比（長度/寬度比）約為2〇 左右。當以Η)/20=0β5米/秒之速度旋轉通道構件日寺，幾乎 所有由EUV源發射的重微粒皆將撞擊通道部件壁並被捕捉 於該等壁中。 因此，在本發明之另一I體實施例中，冑影投影裝置之 特徵在於：驅動構件適於以—介於1#/秒與5Q轉/秒之間且 較佳為1轉/秒與1G轉/秒之間的速度來旋轉通道構件“亥等 較低的旋轉速度可易於達成，且無需專用、高級且複=之 元件。 根據本I日月之車乂佳具體實施例，輔助通道構件以可旋 轉方式_於誠Μ裝於通道構件附近，#該辅助通道 構件〈旋轉方向與該通道構件之旋轉方向相反時尤其較佳 。倘若如此，則某些已以某一角度穿過該等通道構件之一 的快速移動的$染微粒將幾乎肯定不能穿過下_通道構件 87563 -13 - 1229242 ，此乃因其相對於斜向運動微粒之角度將有所不同。 在本發明之實施例中亦可獲得類似的較佳效果，在諸眘 施例中，該辅助通道構件與該通道構件具有實質相同之旋 轉方向但具有不同於通道構件的旋轉速度，或甚至該辅助 通道構件以非旋轉方式安裝。 儘管本文會特別提及本發明裝置在ic製造中的應用，然 而應f楚瞭解’此-裝置亦具有許多其他的可能應用。舉 例而言’其可用於製造積體光學系統、用於磁域記憶體的 引導及偵挪圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。孰習此項 技術者應瞭解，蓉於該等其他應用，本文中所用術語「光 網;「晶圓」或「晶粒」應視為可分別由更通用的術語 「光罩」、「基板」及「目標部分」代替。 ，在本又件中’使用術語「輻照」及「光束」來囊括所有 類型的電磁輕照，&括k括 匕括糸外線（uv)輻照（例如具有365、248 3 157或126奈米波長的紫外線輻照）及極遠紫外線 (EU V)輻照(例如具有介於5_2〇奈米範圍波長的極遠紫外線 輻照），及粒子光束，例如離子束或電子束。 【實施方式】 圖1不意性展示_•太恭日日4土、 丰t月特疋具體實施例之微影投影装 置1。該裝置包括： _ 一用於提供一輕昭；& U又衫先束PB(例如波長為1 i-H奈米的 EUV輻照）之輻照系统n。 、 、L 在蒸特定情況下，該輻照系統亦 包括一輻照源LA ; -一第一目標平臺（光粟 至V九單千量）Μτ，其具有一用於固定一光 87563 • U- 1229242 罩1^八(例如一光網）之光罩托架’並連接至用於依據物件PL 精確定位該光罩之第一定位構件PM ; - 第二目標平臺（基板平臺）WT，其具有一用於固定一基 板W(例如一塗敷有抗蝕劑之矽晶圓）之基板托架，並連接至 用於依據物件PL精確定位該基板之第二定位構件pw;及 -一投影系統（「透鏡」）PL，其用於將光罩MA的一受輻照 I5刀成像至基板W的一目標部分q例如包括一或多個晶粒） 上。如本文所述，該裝置係一反射型裝置(亦即具有一反射 光罩）然而，一般而言，其亦可為（舉例而言）一透射型裝 置（〃有迻射光罩）。或者，該裝置可使用其它類型的圖案 化構件’例如一上述類型的可程式規劃反射鏡陣列。 源LA(例如一雷射致電漿或一放電電漿Euv輻照源）可產 ^一輕照光束。該光束直接或在已橫穿過調節構件（舉例而 °例如一光束擴張器）後饋入一照明系統（照明器）IL内。 該照明IUL可包含用於設定光束中強度分体之外部及/或 内部徑向範圍（通常分別稱^ •外部及^内部）的調整構 件。此外，其通常將包含各種其它元件，例如—積分器及 一聚光器。藉由此種方式，可使照射於光罩财上的光束叫 在其剖面中具有一所期望的均勻度及強度分佈。 關於圖1 ’應注意，源LA可處於微影投影裝置之外嗖内 (舉例而言，當源LA係一汞燈時通常如此)，但 微影投影裝置，其產生的輕照光束被導入裝置内(例如，二 助通當的導向鏡);當源“係一準分子雷射器時， -種情況。本發明及申請專利範圍囊括該兩種情況。 87563 -15- 1229242 ik後，光束PB穿過固定於一光罩平臺M丁上的光罩MA。 在被光罩MA選擇性反射後，光束PB穿過透鏡凡，該透鏡 PL使光束pb聚焦於基板w的一目標部分c上。借助於第二 疋位構件PW(及干涉量測構件IF)，可精確移動基板平臺|丁 ，以便（例如）將不同目標部分c定位於光束PBi路徑中。同 樣，亦可在（例如）自一光罩庫機械檢索光罩“八之後或在掃 描期間使用第一定位構件PM來依據光束ρβ之路徑精確定 位光罩MA。一般而吕，借助於圖丨中未明確展示的一長衝 程模組（粗足位）及一短衝程模組(精定位）可達成目標平臺 MT、WT之移動。然而，倘使為一晶圓分步光刻機（與一分 步-掃描裝置相對），光罩平-MT可僅連接至一短衝程致動 器，或者可固定。可使用光罩對準標，M2及基板對準 標記PI ’ P2使光罩MA與基板w對準。 所述裝置可具有兩種不同使用模式： 1.在分步模式中，使光罩平臺“丁基本上保持靜止，且將 一整個光罩影像一次投影（亦即一單一「閃光」）至一目標部 分C上。爾後於X及/或y方向上移動基板平臺WT，以使光束 PB可輕照一不同的目標部分c ;及 在掃描模式中，除一給定目標部分c並非在一單一「閃 光」中曝光外，情況基本上相同。但是，光罩平臺Μτ可以 一速度ν在一給定方向（所謂「掃描方向」，例如y方向）上移 動，以使投影光束PB在一光罩影像上掃描；同時，以一速 度V=Mv在同一或相反方向上同步移動基板平臺…丁，其中 Μ係透鏡PL之放大率（通常M=1/441/5)。藉由此種方式，毋 87563 -16 - 1229242 須犧牲解析度即可曝光-較大的目標部分c。 圖2展-a 敬不包含一照明系統之 裝置1， 輻照罝一 W衣置1邊照明系統具有 凡、照明光學單元4、及投影光學萃纺ς 2包厶—4及才又W尤卞系統5。輻照系統 〇 /原'聚光鏡模組或輻照單元3及一照明时 輻照罡；π予早TC4〇 源6可使用 可由放電電漿形成之#照源6。刪輕照 或t用—氣體或蒸汽，例如xe氣體或u蒸汽，在該氣體 ^ 可產生—極熱電衆，以於爾電磁_範圍内發 射無照。可|£由蚀 、今夺 又 、 j猎由使一放電的局部電離電漿坍縮至光軸◦上來 產生極熱電漿。為有效產生輻照，Xe、U蒸汽或任一其他 適㈣或蒸汽可能需要0>1毫巴的分壓。輕照源6發射的 輻照經由一氣體阻障結構或「错陷阱」9自源室7進入聚光 鏡罜8。該氣體阻障結構包括一通道結構，例如（舉例而言） 洋述於歐洲專利申請案第EP-A-1 233 468號及第EP_A-1 〇57 〇79 號中的通道結構，該等申請案皆以引用方式併入本文中。 永光叙A 8包含一輪照聚光鏡1 〇，根據本發明，該輕照聚 光叙10由松入射聚光鏡構成。由聚光鏡1 〇傳輸之輕照經 一光柵光1晋濾光器Π或反射鏡反射後聚焦於聚光鏡室8中 一孔處的一虛擬源點12中。在照明光學單元4中，來自室8 之投影光束16經正入射反射器13，14被反射至一位於光網 或光罩平臺15上的光網或光罩上。形成一圖案化光束I?， 在投影光學系統5中，該圖案化光束17經反射元件1 8，19被 成像至晶圓臺或基板平臺20上。在照明光學單元4及投影系 統5中通常可存在多於圖中所示之元件。 由圖3可見，掠入射聚光鏡10包含若干嵌套式反射器元件 87563 -17- 1229242 21，22，23。一此種類型的掠入射聚光鏡（舉例而言）展示於 德國專利申請案第DE 101 38 284.7號中。 圖4所示之本發明旋轉通道陣列或阻障43之具體實施例 展不可發射EUV輻照6’之EUV源6。光束6,照射於阻障43上 ，該阻障構成一將源室與光軸下游之U V光學元件分離的真 空壁之一部分。如箭頭所示，阻障43可圍繞光軸〇旋轉。阻 障43亦可以與箭頭相反之方向圍繞光軸〇旋轉，或者在兩個 方向上交替旋轉。阻障43之中心44位於光抽上。阻障仿 沿-光軸α以圓柱形式對稱。#僅以某些特定角度旋轉時， 該阻障亦可不變。阻障43包含—薄片結構^。如圖所示， 對於阻障43的-段（segment) 42，各薄片之間的間距可不同 ，意即各連續薄片之間的轉可㈣。由3时圖可看出， 薄片結構41形成較小的通道。該等通道可聚焦於輻照源6上 。耶可建構—無實際焦點之通道陣削3。然而，該等通道 平行於所發射EU V光束。φ姓士代。

支持本泰明之基本概念係·· EUV 輻照6’中的污染微粒45將 町L1I且F早43<旋轉而黏附於euv輻 ό賴以傳播的薄片結構* 1之 、 、、 '^内#。阻障43可（舉例而言） 由位於阻障43兩侧的驅動構件4 > 一 卞b墨動万疋轉，旋轉速度約為7 孝·τ和薄片結構41聚焦於輕0g肩卜 、你上。由此，EUV源發射的 EUV輻照射線即可無阻礙地 、 牙過溥片結構4〗。薄片結構41 之，、土尺寸值為：薄片：高3〇 毛未，厚0.1毫米，寬50毫米 (弧形）。通道寬度典型值為丨毫 ,,^ ^ 未阻障43至源6之距離通常 、’、勺為6 0笔未左右。 當落陷阱之旋轉與源之脈衝 頻率不同步時 可出現頻閃 87563 -18 - 1229242 效應。為防止發生頻閃效應，可使箔陷阱在兩個源脈衝之 間恰好旋轉過整數個通道。 對於圖5所示具有與圖2_4所示對應元件相同編號之彼等 元件，可參照上述彼等附圖之說日月，下文不#進一步閣述 該等元件。圖5展示一由分別由單獨驅動構件“及粍，驅動 的阻障43及43’構成的阻障組合47。在所示具體實施例中， 阻障43與43以則頭A1及A2所示相反方向圍繞光軸〇旋轉 °孩阻障組合能夠p方止自Euv#發射（或在源與該落陷陈間 的空間内熱化產生）的快速運動的污染微粒（熱運動或具有 比熱運動高數倍之速度）逃逸出源室並到達聚光鏡室。藉由 其中一阻障43旋轉而另一阻障43,靜止或其中兩個阻障43 白在同一方向上旋轉但具有不同速度的類似阻障組合 亦可達成該目的。 U f上文已闡述本發明之特定具體實施例，然而應瞭解 本發明亦可以異於上述之其它方式來實施。本說明並非 意欲限定本發明。 【圖式簡單說明】 上文已參照隨附示意圖僅以舉例方式闡述本發明之具體 '】在各附圖中，相同參考符號表示相同邵件，附圖 中： 圖1不意性展示一本發明具體實施例之微影投影裝置； 圖2展示本發明一微影投影裝置之EUV照明系統及投影 光孥裝置之一側視圖； 圖3展示本發明輻照源及掠入射聚光鏡之一詳圖； 87563 -19 - 1229242 圖4以一剖視圖形式展 示意圖；A 、本务明旋轉微粒阻障構件之— 圖5以—剖视圖形式展示本發 ，、 件之一示意圖。 “固迥旋轉微粒阻障構 【圖式代表符號說明】 LA 輻照源 IL 無照系統 PL 物件 Pi 基板對準標記 P2 基板對準標記 W 基板 IF 干涉量測構件 Ma 光罩 PB 輪照投影光束 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 PM 第一定位構件 MT 第一目標平臺（光罩平臺） wt 第二目標平臺（基板平臺） PW 弟一定位構件 Y y方向 X X方向 c 目標部分 A1 箭頭 87563 -20- 1229242 A2 箭頭 〇 光轴 1 投影裝置 2 輻照系統 3 輕照單元 4 照明光學單元 5 投影光學單元 6 輻照源 6， 光束 7 源室 8 聚光鏡室 9 箔陷阱 10 輕照聚光鏡 11 光柵光譜濾光器 12 虛擬源點 13 正入射反光器 14 正入射反光器 15 光網或光罩平臺 16 投影光束 17 圖案化光束 18 反射元件 19 反射元件 20 晶圓臺或基板平臺 21 嵌套式反光器元件 87563 -21 - 1229242 22 嵌套式反光器元件 23 嵌套式反光器元件 41 薄片結構 42 阻障43之一段 43 阻障 43’ 阻障 44 阻障43之中心 45 污染微粒 46 驅動構件 46’ 驅動構件 47 阻障組合 87563 -22 -

Claims (1)

1229242 拾、申請專利範園·· 1 一種微影投影裝置，其包括： -一 H系統（3,4)，其用於自—輕照源⑹發射㈣ 形成—輻照投影光束（6，）， ^支承結構（15)，其建構用於固定欲由該投影光束 輻照以將該投影光束圖案化的圖案化構件， 建構用於固定一基板之基板平臺（2〇)，及 叙衫系統（5)，其建構及佈置用於將該圖案化構件 的又各照邵分成像至該基板的一目標部分上，及 • 一位於該源（6)附近的通道構件（9，43)，其用於防 止自诼源（6)發射出的材料沿一光軸（〇)傳播，該通道構 件（43)包括一中心（44)及若干長通道部件（41)，該等長 逋迢邯件之寬度方向橫切該光軸·(〇），且長度方向大體 在該光軸（〇)方向上延伸。 其特徵在於丨 孩通道構件（43)可圍繞該光軸（〇)旋轉，該微影投影裝 置包含連接至該通道構件（43)之驅動構件（46)，以使該 遇迢構件（43)圍繞該光軸（〇）旋轉。 •根據申請專利範圍第1項之微影投影裝置，其特徵在於 •孩通道構件（43)之中心（44)位於該光軸（〇）上。 3 •根據申請專利範園第1項或第2項之微影投影裝置，其特 欲在於：·該等通道部件（4丨）聚焦於該輻照源（6)上。 •根據申請專利範圍第1項或第2項之微影投影裝置，其特 政在於：該通道構件（43)之該等壁部件（41)係板狀。 ^7563 1229242 5.根據申請專利範圍第丨項或第2項之微影投影裝置，其特 徵在於··位於該光軸（0)附近的該等通道部件（41)在一 垂直於該光軸（〇）的平面内形成一蜂窩狀結構並平行或 實質，上平行延伸至該光軸（〇)。 6，根據申請專利範圍第丨項或第2項之微影投影裝置，其特 徵在於：該驅動構件（46)適於以一介於丨轉/秒與5〇轉/ 秒之間且較佳介於丨轉/秒與1〇轉/秒之間的速度來旋轉 該通道構件（43)。

根據申請專利範圍第i項或第2項之微影投影裝置，其特 铋在1 ·辅助通道構件安裝於該通道構件（43)附近。 根據申請專利範圍第7項之微影投影裝置，其特徵在於

10. :該辅助通道構件與該通道構件（43)tf上同轴安裝 根據申請專利範圍第7項之微影投影裝置，其特徵在; .孩辅助通道構件以可旋轉方式相對於該光軸⑼安裝 根據申請專利範圍第9項之微影投影裝置，其特徵在2、及辅助m迢構件之旋射向與該通道構之 万向相反。

.=請專利範圍第9項之微影投影裝置，其特徵在 "助Μ構件與該通道構件（43)具有實質相同之 τ万…但其旋轉速度與該通道構件（43)之旋轉速度 PJ 。 其特徵在於 2.根據申請專利範圍第7項之微 圍之一微影投影裝 :該辅助通道構件以非旋轉方式安二且 13.—種料根據任-前述中請專利^ 1229242 置中的通道構件組合，其包括若干其寬度方向橫切一光 軸（〇)且其長度方向大體沿該光轴（〇)方向延伸的長壁 邵件（41)，其特徵在於：該通道構件（43)可圍繞一光抽 14. (0) 旋轉，該通道構件組合包含連接至該通道構件之驅 動構件（46)，以使該通道構件⑷）圍繞該光轴⑼旋轉。 一種藉由一微影製程製造一積體結構之方法，其包括下 列步騾： _提供一輻照系統（3, 4)，以從由一輻照源（6)所發射 輻照形成一輻照投影光束（6，）， -提供一支承結構（15)，其建構用於固定欲由該投影 光束輻照以將該投影光束圖案化的圖案化構件， _扶供一建構用於固定一基板的基板平臺（2〇)，及 -提供一建構及佈置用於將該圖案化構件的一受輻 照部分成像至該基板的一目標部分上的投影系統（5)，及 - 提供一位於該源附近的通道構件（9，43)，以防止自 该源（6)發射出的材料沿一光轴（〇）傳播，該通道構件 (43)包括一中心（44)及若干長壁部件（41)，該等長壁部 件（41)之見度方向橫切該光軸（〇），且長度方向大、、儿 該光軸（0)方向延伸， 其特徵在於 圍繞該光軸（0)旋轉該通道構件（43)，該微影投影裝置 (1) 包括連接至該通道構件（43)之驅動構件（46)，以圍緩 該光軸（0)旋轉該通道構件（43)。