DE602005001547T2 - System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen - Google Patents

System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen Download PDF

Info

Publication number
DE602005001547T2
DE602005001547T2 DE602005001547T DE602005001547T DE602005001547T2 DE 602005001547 T2 DE602005001547 T2 DE 602005001547T2 DE 602005001547 T DE602005001547 T DE 602005001547T DE 602005001547 T DE602005001547 T DE 602005001547T DE 602005001547 T2 DE602005001547 T2 DE 602005001547T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
data
bit
pattern
suspicious
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602005001547T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602005001547D1 (de
Inventor
Martinus Hendricus Hendricus Hoeks
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of DE602005001547D1 publication Critical patent/DE602005001547D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602005001547T2 publication Critical patent/DE602005001547T2/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2057Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70541Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/12Function characteristic spatial light modulator

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung ist auf eine Licht-Musteraufbringungseinrichtung und ein Verfahren zur Anwendung derselben gerichtet.
  • Hintergrund des Fachgebiets
  • Eine Musteraufbringungseinrichtung wird zum Mustern von eingehendem Licht verwendet. Eine statische Musteraufbringungseinrichtung kann Retikel bzw. Masken enthalten. Eine dynamische Musteraufbringungseinrichtung kann ein Feld individuell steuerbarer Elemente enthalten, die durch Empfangen analoger oder digitaler Signale ein Muster erzeugen. Die analogen oder digitalen Signale werden über einen Datenweg gesendet. Der Algorithmus, der die dynamische Musteraufbringungseinrichtung so steuert, dass sich ihre individuell steuerbaren Elemente im richtigen Zustand befinden, um ein gewünschtes Muster zu bilden, wird Rasterungsalgorithmus bzw. optischer Rasterungsalgorithmus genannt. Beispielumgebungen für die Anwendung der Musteraufbringungseinrichtung können eine lithographische Vorrichtung, ein Projektor, eine Projektionsanzeigevorrichtung und dgl. sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Große Datenmengen werden vom Datenweg gehandhabt und durch diesen transportiert, um das Feld individuell steuerbarer Elemente einer dynamischen Musteraufbringungseinrichtung zu steuern, wodurch es wahrscheinlich wird, dass Bitfehler irgendwo im Datenweg auftreten werden. Diese Bitfehler könnten in den durch das gemusterte Licht belichteten Mustern zu Fehlern führen.
  • Daher ist ein Verfahren und ein System erforderlich, das ermittelt, ob ein Bitfehler im Datenweg existiert. Wenn ein Bitfehler entdeckt wird, sollte festgestellt werden, ob der Bitfehler in einem belichteten Muster zu einem Fehler geführt hat.
  • Die US 6,717,097 offenbart einen Datenweg für eine Mustererzeugungseinrichtung, bei der Daten mit einer Kontrollsumme übertragen werden und ein Fehlerkennzei chen erzeugt wird, falls die Kontrollsumme falsch ist; wenn ein Fehlerzustand auftritt, wird das Schreiben des Musters unterbrochen.
  • Kurze Zusammenfassung der Erfindung
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat gegeben, wobei das Verfahren umfasst:
    • (a) Bestimmen, ob die Daten wenigstens ein verdächtiges Bit enthalten;
    • (b) Steuern einer Mustererzeugungseinrichtung mittels der Daten;
    • (c) Aufbringen eines Musters auf einen Strahl aus Strahlung unter Verwendung der Mustererzeugungseinrichtung; und
    • (d) Projizieren von Strukturen im gemusterten Strahl aus Strahlung auf einen Zielabschnitt eines Substrats; gekennzeichnet durch:
    • (e) Projizieren einer Markierung oder mehrerer Markierungen im gemusterten Strahl auf das Substrat, wodurch die Zielabschnitte angezeigt werden, die dem wenigstens einen verdächtigen Bit, wie in Schritt (a) bestimmt, entsprechen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein System gegeben, mit:
    einem Steuermodul, das so konfiguriert ist, dass es erfasst, ob Daten wenigstens ein verdächtiges Bit enthalten und Informationen über verdächtige Bits erzeugen;
    einer Mustererzeugungseinrichtung, die so konfiguriert ist, dass sie einen Strahl aus Strahlung mustert, wobei die Daten und die Informationen über verdächtige Bits zum Steuern der Mustererzeugungseinrichtung verwendet werden; und
    einem Projektionssystem, das so konfiguriert ist, dass der gemusterte Strahl aus Strahlung auf einen Zielabschnitt eines Substrats projiziert wird;
    dadurch gekennzeichnet, dass die Mustererzeugungseinrichtung so konfiguriert ist, dass sie im gemusterten Strahl aus Strahlung eine Markierung erzeugt, die auf der Information über verdächtige Bits basiert und Zielabschnitte anzeigt, die dem wenigstens einen verdächtigen Bit entsprechen.
  • Weitere Ausführungsformen, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung sowie der Aufbau und der Betrieb der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind nachstehend mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen näher erläutert.
  • Festzustellen ist, dass die Zusammenfassung eine oder mehrere exemplarische Ausführungsform/en und/oder Beispiele, jedoch nicht alle Ausführungsformen und/oder Beispiele der vorliegenden Erfindung repräsentiert und somit nicht als einschränkend für die vorliegende Erfindung oder die anhängenden Ansprüche angesehen werden sollte.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen/Figuren
  • Die begleitenden Zeichnungen, die hierin eingefügt sind und Teil der Beschreibung bilden, stellen die vorliegende Erfindung dar und dienen, zusammen mit der Beschreibung, ferner dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern und es einer auf dem betreffenden Fachgebiet erfahrenen Person zu ermöglichen, die Erfindung zu erstellen und zu benutzen.
  • 1 zeigt eine exemplarische lithographische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt ein exemplarisches Steuermodul gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die vorliegende Erfindung wird nun mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen können gleiche Bezugszeichen identische oder funktional ähnliche Elemente bezeichnen.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • I. Übersicht
  • Obwohl in diesem Text speziell auf die Verwendung der lithographischen Vorrichtung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen Bezug genommen werden kann, sollte klar sein, dass die hierin beschriebene lithographische Vorrichtung weitere Anwendungsmöglichkeiten haben kann, wie zum Beispiel bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Leit- und Erfassungsmustern für Magnetblasenspeicher, Flachbildschirmen, Dünnschicht-Magnetköpfen, Mikro- und Makro-Fluidelementen, und dergleichen.
  • Ein Verfahren und ein System der vorliegenden Erfindung können verwendet werden, um festzustellen, ob ein verdächtiges Bit in einem Datenweg in einem auf ein Substrat belichteten Muster zu einem Fehler geführt hat. Beispielhafte Vorteile von Aspekten der vorliegenden Erfindung umfassen eine höhere Ausbeute beim Kunden, eine vereinfachte Diagnose und ein höheres Vertrauen des Kunden in den Datenweg.
  • Die detaillierte Beschreibung ist in sechs Unterabschnitte aufgeteilt. In Unterabschnitt II ist die in diesem Dokument verwendete Terminologie offengelegt. Unterabschnitt III beschreibt eine exemplarische lithographische Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Unterabschnitt IV beschreibt ein exemplarisches Verfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Unterabschnitt V enthält eine Diskussion beispielhafter Vorteile von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. In Unterabschnitt VI werden schließlich Schlussfolgerungen erörtert.
  • II. Terminologie
  • Die hierin verwendeten Begriffe „Wafer" oder „Die" können jeweils als Synonyme für die allgemeineren Begriffe „Substrat" oder „Zielabschnitt" betrachtet werden. Das hierin genannte Substrat kann vor oder nach einer Belichtung bearbeitet werden, zum Beispiel in einem Track (einem Tool, das typischer Weise eine Schutzschicht auf ein Substrat aufbringt und die belichtete Schicht entwickelt) oder in einem Metrologie- oder Inspektionstool. Dort, wo es möglich ist, kann das hierin Offenbarte auf derartige und andere Substratbearbeitungstools angelegt werden. Ferner kann das Substrat mehr als einmal bearbeitet werden, zum Beispiel, um eine mehrschichtige integrierte Schaltung zu erzeugen, so dass sich der hierin verwendete Begriff Substrat auch auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrfach bearbeitete Schichten enthält.
  • Die hierin verwendeten Begriffe „Strahlung" und „Strahl" schließen alle Arten elektromagnetischer Strahlung, einschließlich ultravioletter (UV) Strahlung (z.B. mit einer Wellenlänge von 365, 248, 193, 157 bzw. 126 nm) und extrem ultraviolette (EUV) Strahlung (z.B. mit einer Wellenlänge zwischen 5-20nm) sowie Teilchenstrahlen wie z.B. Ionenstrahlen oder Elektronenstrahlen mit ein.
  • Der hier verwendete Begriff „Feld individuell steuerbarer Elemente" sollte so weit interpretiert werden, dass er sich auf jedes Bauelement bezieht, das verwendet werden kann, um einen eingehenden Strahlungsstrahl mit einem gemusterten Querschnitt zu versehen, so dass ein gewünschtes Muster in einem Zielabschnitt des Substrats erzeugt werden kann. Die Begriffe „Lichtventil" und „Spatial Light Modulator" SLM (Flächenlichtmodulator) können in diesem Kontext ebenfalls verwendet werden. Beispiele derartiger Musteraufbringungseinrichtungen werden nachstehend erörtert.
  • Der hierin verwendete Begriff „Projektionssystem" sollte so weit interpretiert werden, dass er verschiedene Arten von Projektionssystemen umfasst, einschließlich lichtbrechende Optiken, reflektierende Optiken, und katadioptrische Systeme, wie sie zum Beispiel für die verwendete Belichtungsstrahlung oder für andere Faktoren geeignet sind, wie die Verwendung einer Immersionsflüssigkeit oder die Verwendung eines Vakuums. Jede hierin verwendete Benutzung des Begriffes „Linse" kann als Synonym für den allgemeineren Begriff „Projektionssystem" betrachtet werden.
  • III. Eine exemplarische lithographische Vorrichtung
  • 1 ist eine schematische Darstellung einer lithographischen Projektionsvorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Vorrichtung 100 enthält ein Strahlungssystem 102, eine Mustererzeugungseinrichtung 104, ein Projektionssystem 108 („Linse") und einen Objekttisch 106 (z.B. ein Substrattisch). Es folgt eine Übersicht über den Betrieb der lithographischen Vorrichtung 100. Dann werden alternative Ausführungsformen der lithographischen Vorrichtung 100 erörtert. Nach der Übersicht und den alternativen Ausführungsformen der lithographischen Vorrichtung 100 werden Details und alternative Ausführungsformen jedes Elements in der Vorrichtung 100 beschrieben.
  • A. Übersicht und alternative Ausführungsformen
  • Das Strahlungssystem 102 kann für die Bereitstellung eines Strahls 110 aus Strahlung (z.B. UV-Strahlung) verwendet werden. In diesem speziellen Fall umfasst das Strahlungssystem 102 auch eine Strahlungsquelle 112. Der Strahl 110 trifft auf die Mustererzeugungseinrichtung 104 auf, nachdem er unter Verwendung eines Strahlteilers 118 geleitet worden ist. Die Mustererzeugungseinrichtung 104 (z.B. ein programmierbares Spiegelfeld) kann zum Aufbringen eines Musters auf den Strahl 110 verwendet werden. Nachdem er von der Mustererzeugungseinrichtung 104 reflektiert worden ist, läuft der Strahl 110 durch das Projektionssystem 108 hindurch, das den Strahl 110 auf einen Zielabschnitt 120 eines Substrats 114 fokussiert. Das Substrat 114 wird von einem Objekttisch 106 gehalten, der nachstehend genauer beschrieben wird.
  • Bei einer (nicht dargestellten) alternativen Ausführungsform kann die lithographische Vorrichtung 100 von der Art sein, dass sie zwei (z.B. zweistufig) oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Maskentische) aufweist. Bei derartigen "mehrstufigen" Maschinen können die zusätzlichen Tische parallel verwendet werden, bzw. es können an einem oder an mehreren Tischen vorbereitende Schritte durchgeführt werden, während ein oder mehrere weitere Tische zur Belichtung verwendet werden.
  • Die lithographische Vorrichtung 100 kann auch von einer Art sein, bei der das Substrat in eine Flüssigkeit mit relativ hohem Brechungsindex (z.B. Wasser) getaucht wird (nicht dargestellt), um so einen Zwischenraum zwischen dem finalen Element des Projektionssystems und dem Substrat zu füllen. Immersionsflüssigkeiten können auch in andere Zwischenräume in der lithographischen Vorrichtung eingeführt werden, beispielsweise zwischen dem Substrat und dem ersten Element des Projektionssystems. Immersionsverfahren sind in der Technik gut bekannt, um die numerische Apertur von Projektionssystemen zu vergrößern.
  • Ferner kann die lithographische Vorrichtung 100 mit einer Flüssigkeit bearbeitenden Zelle versehen sein, um Wechselwirkungen zwischen einer Flüssigkeit und bestrahlten Teilen des Substrats zu ermöglichen (z.B. um Chemikalien selektiv am Substrat anzubringen oder um die Oberflächenstruktur des Substrats selektiv zu modifizieren).
  • Auch wenn die lithographische Vorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hierin so beschrieben ist, dass sie eine Schutzschicht (Resist) auf ein Substrat belichtet, soll die Erfindung nicht hierauf begrenzt sein, und die Vorrichtung 100 kann zum Projizieren eines gemusterten Strahls 110 zur Verwendung bei Lithographie ohne Schutzschicht verwendet werden.
  • B. Strahlungssystem
  • Das Strahlungssystem 102 kann eine Quelle 112, eine Konditionierungsvorrichtung 126 und eine Beleuchtungsquelle (Illuminator) 124 enthalten. Zusätzlich enthält der Illuminator 124 im allgemeinen verschiedene weitere Komponenten wie einen Integrator 130 und einen Kondensor 132.
  • Die Quelle 112 (z.B. ein Excimer-Laser) kann einen Strahl 122 aus Strahlung erzeugen. Der Strahl 122 wird in eine Beleuchtungsquelle (Illuminator) 124 eingeführt, entweder direkt oder nachdem er die Konditionierungsvorrichtung 126, wie zum Beispiel einen Strahlexpander, durchlaufen hat. Eine Anpassungsvorrichtung 128 kann zum Einstellen der äußeren und/oder inneren radialen Erstreckung (im allgemeinen jeweils mit σ-innen und σ-außen bezeichnet) der Intensitätsverteilung im Strahl 122 verwendet werden. Auf diese Weise weist der auf die Mustererzeugungs einrichtung 104 auftreffende Strahl 110 in seinem Querschnitt eine gewünschte Gleichmäßigkeit und Intensitätsverteilung auf.
  • Mit Bezug auf 1 ist festzustellen, dass die Quelle 112 innerhalb des Gehäuses der lithographischen Projektionsvorrichtung 100 angeordnet sein kann (wie es oft der Fall ist, wenn die Quelle 112 beispielsweise eine Quecksilberlampe ist). Bei alternativen Ausführungsformen kann die Quelle 112 auch entfernt von der lithographischen Projektionsvorrichtung 100 angeordnet sein. In diesem Fall würde der Strahlungsstrahl 122 in die Vorrichtung 100 geleitet werden (z.B. mit Hilfe geeigneter Leitspiegel). Dieses letztgenannte Szenario ist oft gegeben, wenn die Quelle 112 ein Excimer-Laser ist. Beide Szenarien sind innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung berücksichtigt worden.
  • Die Beleuchtungsquelle kann auch verschiedene Arten von optischen Komponenten mit beinhalten, einschließlich brechender, reflektierender und katadioptrischer optischer Komponenten zum Leiten, Formen oder Steuern des Strahls aus Strahlung, und derartige Komponenten können nachstehend auch zusammen oder einzeln als „Linse" bezeichnet werden.
  • C. Mustererzeugungseinrichtung
  • Die Mustererzeugungseinrichtung 104 enthält Flächenlichtmodulatoren (Spatial Light Modulators SLM), die als Ersatz für ein konventionelles Retikel betrachtet werden können. Zusätzlich zum SLM kann die Mustererzeugungseinrichtung 104 eine Antriebselektronik für die SLM-Pixel und einen Datenweg aufweisen. Eingabebilddaten werden in ein geeignetes Format umgewandelt und durch das Steuermodul 150 (das nachstehend genauer beschrieben ist) über den Datenweg zum SLM geleitet. Die Antriebselektronik spricht nacheinander jedes SLM-Pixel an, während ein Update des SLM-Musters erfolgt, d.h. jedes neue SLM-Bildfeld kann durch gewöhnliche Matrixadressierung geladen werden. Die Bildfeldrate, d.h. die zum Laden jedes neuen Bildfeldes auf den SLM erforderliche Zeit, ist ein bestimmender Faktor für den Durchsatz der Vorrichtung.
  • Gegenwärtige Verfahren erlauben möglicherweise nicht den Bau eines einzelnen SLMs, der das große Pixel-Feld bereitstellen kann, das für den bei vielen Anwendungen erforderlichen Durchsatz notwendig ist. Daher wird gewöhnlich ein Mehrfach-SLM-Feld (multiple SLM array – MSA) parallel verwendet, um die erforderliche Anzahl von Pixeln bereitstellen zu können. Beispielsweise sind die Pixel von unterschiedlichen SLMs des MSA zusammen "genäht", um auf dem Substrat ein zusammenhängendes Bild zu bilden. Dies kann erfolgen unter Verwendung von Bewegungssteuerungs- und Grauabstufungsverfahren. In der folgenden Beschreibung kann ein Bezug auf ein SLM meistens auch so interpretiert werden, dass ein MSA enthalten ist.
  • Im allgemeinen kann die Position der Mustererzeugungseinrichtung 104 bezüglich des Projektionssystems 108 fixiert werden. Bei einer alternativen Anordnung kann die Mustererzeugungseinrichtung 104 jedoch für eine genaue Positionierung bezüglich des Projektionssystems 108 mit einer (nicht dargestellten) Positionierungsvorrichtung verbunden sein. Wie in 1 gezeigt, ist die Mustererzeugungseinrichtung 104 reflektierender Art, z.B. ein programmierbares Spiegelfeld.
  • Es ist festzustellen, dass als eine Alternative ein Filter das gebeugte Licht herausfiltern kann, wobei das ungebeugte Licht übrig bleibt, um das Substrat erreichen zu können. Auf entsprechende Weise kann auch ein Feld von beugenden, optischen, mikroelektrischen, mechanischen Systembauteilen (MEMS) verwendet werden. Jedes der beugenden, optischen MEMS-Bauelementen kann eine Vielzahl von reflektierenden Bändern aufweisen, die relativ zueinander verformt werden können, um ein Raster zu bilden, das einfallendes Licht als gebeugtes Licht reflektiert.
  • Eine weitere alternative Ausführungsform kann ein programmierbares Spiegelfeld umfassen, das eine Matrixanordnung aus winzigen Spiegeln verwendet, von denen jeder individuell um eine Achse geneigt werden kann, indem ein geeignetes lokalisiertes elektrisches Feld angelegt wird oder indem piezoelektrische Betätigungseinrichtungen verwendet werden. Noch einmal, die Spiegel sind so matrixadressierbar, dass angesprochene Spiegel einen eingehenden Strahlungsstrahl in eine andere Richtung reflektieren als nicht angesprochene Spiegel; auf diese Weise wird der reflektierte Strahl gemäß dem Adressierungsmuster der matrixadressierbaren Spiegel gemustert. Die erforderliche Matrixadressierung kann unter Verwendung geeigneter elektronischer Einrichtungen erfolgen.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Situationen kann das Feld individuell steuerbarer Elemente ein oder mehrere programmierbare Spiegelfelder umfassen. Weitere Informationen über Spiegelfelder als die hier gegebenen können beispielsweise den US-Patenten 5,296,891 und 5,523,193 und den PCT-Patentanmeldungen WO 98/38597 und WO 98/33096 entnommen werden.
  • Es kann auch ein programmierbares LCD-Feld verwendet werden. Ein Beispiel einer derartigen Konstruktion ist im US-Patent 5,229,872 gegeben.
  • Beispiele weiterer Arten von Mustererzeugungseinrichtungen können kippbare reflektierende Bauelemente, gleitende reflektierende Bauelemente, gemäß ihrer Grautönung durchlässige oder reflektierende Bauelemente umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
  • D. Steuermodul
  • Das Steuermodul 150 umfasst den Datenweg und enthält gewöhnlicher Weise eine Speichervorrichtung zum Speichern einer „Maskendatei" und eine Rasterungseinrichtung. Die Speichervorrichtung enthält das ganze auf das Substrat zu druckende Bild. Die Rasterungseinrichtung wandelt zum Laden auf den SLM geeignete Bereiche des Bildes in eine Bitmap aus SLM-Pixelwerten um, die das für die Übertragung des gewünschten Bildes auf das Substrat erforderliche Muster repräsentieren. Das Steuermodul 150 umfasst gewöhnlicher Weise ebenfalls einen oder mehrere Bildfeldpuffer und weitere konventionelle Bauteile, die für die Matrixadressierung des SLM jedes mal erforderlich sind, wenn ein neues SLM-Bildfeld geladen wird. Die passende Bilddigitalisierung und SLM-Antriebselektronik ist dem betreffenden Fachmann offensichtlich. So kann zum Beispiel das Steuermodul 150 einem auf einer Bitmap basierenden Maskenschreiber sehr ähneln, allerdings mit einer pas senden matrixadressierenden Antriebsschaltung zum Ansprechen individueller SLM-Pixel der speziellen verwendeten SLM-Art.
  • Wie vorstehend erwähnt, liefert das Steuermodul 150 Daten an die Mustererzeugungseinrichtung 104, die den Betätigungszustand (z.B. die Spannung oder den Neigungswinkel) der individuellen SLM der Mustererzeugungseinrichtung 104 steuert. Die Fähigkeit, Daten in einer ausreichend hohen Rate liefern zu können, ist daher eine wichtige Überlegung zum Erhalten gewünschter (nachstehend beschriebener) Substratabtastgeschwindigkeiten und somit der Produktionsraten.
  • Beispielsweise arbeitet im Falle der Flachbildschirmherstellung (FPD) die Vorrichtung gewöhnlicher Weise im Pulsabtastmodus mit Lasern, die bei 50KHz mit einer Pulsdauer von 10/20 nsec pulsieren. Die hohe Frequenz wird verwendet, um wegen der großen Substratbereiche, die für eine Erzeugung von FPDs abgetastet werden müssen, einen akzeptablen Durchsatz bereitstellen zu können. Das Laden eines SLM-Bildfeldes zwischen Pulsen dieser Frequenz kann Datenübertragungsraten einer Größenordnung von ca. 10 bis 100 Gpixel/sec oder mehr erforderlich machen. Es sind sehr komplizierte und teure Datenhandhabungs- und Antriebssysteme erforderlich, um derart hohe Datenübertragungsraten zu handhaben. Darüber hinaus ist das Risiko, dass bei derart hohen Datenübertragungsraten Datenfehler auftreten, im entsprechenden Maße nicht zu leugnen.
  • Soweit nicht anders bezeichnet, soll durch den Rest dieser Beschreibung der Begriff „Datenübertragungsanforderung" so zu verstehen sein, dass er die Datenmenge bezeichnet, die für ein Update des Bildfeldes zum SLM übertragen werden muss.
  • 2 zeigt eine exemplarische Ausführungsform des Steuermoduls 150. Bei dieser Ausführungsform umfasst das Steuermodul 150 eine Eingabevorrichtung (optional) 208, einen Detektor 204, einen Speicher 202 (optional) und eine Rasterungseinrichtung 206.
  • Die Eingabevorrichtung 208 kann für die Eingabe eines Fehlerkriteriums verwendet werden. Beispielsweise kann die Eingabevorrichtung 208 eine Benutzerschnittstelle umfassen, so dass ein Systembediener ein Fehlerkriterium definieren kann.
  • Gleich, ob das Fehlerkriterium manuell oder nicht eingegeben wird, der Detektor 204 empfängt und prüft, ob dem Fehlerkriterium entsprochen worden ist, um zu bestimmen, ob die Daten ein oder mehrere verdächtige Bits enthalten, d.h. ein Bit oder eine Kombination von Bits, die bei einem belichteten Bild möglicherweise zu einem Fehler führen können. Typische Mechanismen für die Implementierung von Detektoren für Bitfehler in einen Datenstrom oder einen Datenblock können eine zyklische Redundanzprüfung (CRC), eine Kontrollsumme oder ein Paritätsbit umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt. Festzustellen ist, dass ein verdächtiges Bit im Datenweg nicht unbedingt einem Fehler entspricht, der in einem belichteten Bild auftritt. Das heißt, eine Überprüfung des belichteten Bildes (unterstützt durch die gedruckten Markierungen) könnte beweisen, dass das verdächtige Bit nicht schwerwiegend war und das projizierte Bild nicht in einem unakzeptablen Maß beeinträchtigt hat. Wenn ein verdächtiges Bit entdeckt wird, kann der Detektor 204 zum Erzeugen von Informationen über verdächtige Bits verwendet werden.
  • Der Speicher 202 kann verwendet werden, um Informationen über verdächtige Bits zu speichern. Allerdings brauchen Informationen über die verdächtigen Bits nicht im Speicher gespeichert zu werden. Das heißt, die Informationen über verdächtige Bits können den Daten beispielsweise als Metainformationen zugeordnet und geradewegs zur Rasterungseinrichtung 206 geschickt werden.
  • Die Rasterungseinrichtung 206 sendet die Daten und die Informationen über verdächtige Bits zur Mustererzeugungseinrichtung 104. Die Daten und die Informationen über verdächtige Bits werden zum Steuern der individuell steuerbaren Elemente der Mustererzeugungseinrichtung 104 verwendet. Insbesondere können die Daten einem auf das Substrat 114 zu projizierenden Muster entsprechen, und die Informationen über verdächtige Bits können einer oder mehreren auf das Substrat 114 projizierten Markierung/en entsprechen, um mögliche Fehler in einem darauf belichteten Muster aufzuzeigen.
  • Festzustellen ist, dass 2 aus Darstellungszwecken dargestellt ist und keine Einschränkung sein soll. Ein Fachmann auf diesem Gebiet wird feststellen, dass der Detektor 204 und die Rasterungseinrichtung 206 im Steuermodul 150 anders angeordnet sein könnten. Beispielsweise können der Detektor 204 und die Rasterungseinrichtung 206 bei einer alternativen Ausführungsform seriell (wie in 2 gezeigt), gleichzeitig, oder in einer Kombination daraus arbeiten. Festzustellen ist, dass sich diese alternativen Ausführungsformen innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung befinden.
  • E. Projektionssystem
  • Das Projektionssystem 108 (z.B. ein Quarz- und/oder CaF2-Linsensystem oder ein katadioptrisches System mit Linsenelementen, die aus derartigen Materialien hergestellt worden sind, oder ein Spiegelsystem) kann zum Projizieren des von einem Strahlteiler 118 erhaltenen gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt 120 (z.B. ein oder mehrere Dies) des Substrats 114 verwendet werden. Das Projektionssystem 108 kann ein Bild der Mustererzeugungseinrichtung 104 auf das Substrat 114 projizieren. Alternativ dazu kann das Projektionssystem 108 Bilder von Sekundärquellen projizieren, für die die Elemente der Mustererzeugungseinrichtung 104 als Blenden wirken. Das Projektionssystem 108 kann auch ein Mikrolinsenfeld (MLA) umfassen, um die Sekundärquellen zu bilden und um Mikrospots auf das Substrat 114 zu projizieren.
  • F. Objekttisch
  • Der Objekttisch 106 kann einen (nicht speziell dargestellten) Substrathalter zum Halten eines Substrats 114 (z.B. ein mit einer Schutzschicht beschichteter Silizium-Wafer, eine Projektionssystemanzeige, ein Halbleitersubstrat, ein Glassubstrat, ein Polymersubstrat oder ein Projektions-Fernsehbildschirm-element) aufweisen. Zusätzlich kann der Objekttisch 106 mit einer Positionierungsvorrichtung 116 zum genauen Positionieren des Substrats 114 bezüglich des Projektionssystems 108 verbunden sein.
  • Mit Hilfe der Positionierungsvorrichtung 116 (und optional der interferometrischen Messeinrichtung 134 auf einer Basisplatte 136, die interferometrische Strahlen 138 über den Strahlteiler 140 erhält) kann der Objekttisch 106 genau bewegt werden, um so verschiedene Zielabschnitte 120 im Weg des Strahls 110 zu positionieren. Dort, wo sie eingesetzt wird, kann die Positionierungseinrichtung für die Mustererzeugungseinrichtung 104 verwendet werden, um die Position der Mustererzeugungseinrichtung 104 bezüglich des Wegs des Strahls 110 genau korrigieren zu können, z.B. während eines Abtastvorgangs. Im allgemeinen wird die Bewegung des Objekttisches 106 mit Hilfe eines langhubigen Moduls (Grobpositionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) realisiert, die in 1 nicht explizit dargestellt sind. Es kann auch ein ähnliches System für die Positionierung der Mustererzeugungseinrichtung 104 verwendet werden. Festzustellen ist, dass der Strahl 110 alternativ/zusätzlich bewegbar sein kann, während der Objekttisch 106 und/oder die Mustererzeugungseinrichtung 104 eine fixierte Position haben können, um die gewünschte relative Bewegung bereitstellen zu können.
  • Bei einer alternativen Ausbildung der Ausführungsform kann der Objekttisch 106 fixiert sein, wobei das Substrat 114 über den Objekttisch 106 bewegt werden kann. Wo dies geschieht, ist der Objekttisch 106 auf einer flachen obersten Fläche mit vielen Öffnungen versehen, wobei Gas durch die Öffnungen geleitet wird, um ein Gaskissen bereitstellen zu können, das in der Lage ist, das Substrat 114 halten zu können. Dies wird üblicher Weise als Luftlageranordnung bezeichnet. Das Substrat 114 wird unter Verwendung eines oder mehrerer (nicht dargestellter) Betätigungselemente, die in der Lage sind, das Substrat 114 bezüglich des Wegs des Strahls 110 genau zu positionieren, über den Objekttisch 106 bewegt. Alternativ dazu kann das Substrat 114 über den Objekttisch 106 bewegt werden, indem der Durchfluss von Gas durch die Öffnungen selektiv gestartet und gestoppt wird.
  • Bei einem Beispiel kann die lithographische Vorrichtung 100 eine (nicht speziell dargestellte) Prüfvorrichtung umfassen, die ein auf das Substrat 114 belichtetes Bild überprüft. Bei einem alternativen Beispiel kann das Substrat 114 manuell überprüft werden.
  • Festzustellen ist, dass dort, wo beispielsweise das Vorspannen von Strukturen, optische Näherungskorrektureigenschaften, Phasenvariationsverfahren und Mehrfachbelichtungsverfahren eingesetzt werden, sich das an der Mustererzeugungseinrichtung 104 „angezeigte" Muster wesentlich von dem Muster unterscheiden kann, das schließlich zu einer Schicht des Substrats bzw. auf dem Substrat übertragen wird. Gleichermaßen kann das schließlich auf dem Substrat erzeugte Muster dem Muster nicht entsprechen, das zu jedem beliebigen Moment auf der Mustererzeugungseinrichtung 104 gebildet wird. Dies kann der Fall sein bei der Anordnung, bei der das auf jedem Teil des Substrats geformte Endmuster während eines bestimmten Zeitraums oder einer bestimmten Anzahl von Belichtungen aufgebaut worden ist, währenddessen sich das Muster auf der Mustererzeugungseinrichtung 104 und/oder die relative Position des Substrats ändert.
  • Darüber hinaus können die Informationen über verdächtige Bits zum Mustern des Strahls derart verwendet werden, dass der projizierte Strahl eine oder mehrere Markierungen auf das Substrat projiziert. Zum Beispiel kann der gemusterte Strahl ein Muster (das zu einem zu belichtetem Bild gehört) und wenigstens eine Markierung (die zu Informationen über verdächtige Bits gehört) enthalten. Die wenigstens eine Markierung kann über das Projektionssystem 108 auf nächstliegende Bereiche des Substrats 114 projiziert werden, wo aufgrund der Informationen über verdächtige Bits ein Fehler vermutet wird. Das heißt, die eine oder mehreren Markierung/en kann/können in dem Muster auftreten, das zu dem zu belichtendem Bild gehört bzw. auf der Substratgrenze außerhalb des Musters, das zu dem zu belichtendem Bild gehört.
  • G. Exemplarische Betriebsmodi
  • Die dargestellte Vorrichtung 100 kann in vier bevorzugten Modi verwendet werden:
    • 1) Step-Modus: das ganze Muster auf der Mustererzeugungseinrichtung 104 wird in einem Schritt (d.h. einem einzelnen „Flash") auf einen Zielabschnitt 120 projiziert. Der Objekttisch 106 wird dann in x- und/oder y-Richtung zu ei ner anderen Position bewegt, damit ein anderer Zielabschnitt 120 durch den gemusterten Strahl bestrahlt werden kann.
    • 2) Scan-Modus: im wesentlichen gleich dem Step-Modus, mit der Ausnahme, dass ein bestimmter Zielabschnitt 120 nicht in einem einzigen „Flash" belichtet wird. Stattdessen ist die Mustererzeugungseinrichtung 104 in einer vorgegebenen Richtung (der sogenannten „Abtastrichtung", z.B.. der y-Richtung) mit einer Geschwindigkeit v bewegbar, um zu veranlassen, dass der gemusterte Strahl 110 das Feld der individuell steuerbaren Elemente abtastet. Gleichzeitig wird der Objekttisch 106 simultan in die gleiche oder entgegengesetzte Richtung mit einer Geschwindigkeit V = Mv bewegt, wobei M die Vergrößerung des Projektionssystems 108 ist. Auf diese Weise kann ein relativ großer Zielabschnitt 120 belichtet werden, ohne dass hinsichtlich der Auflösung Kompromisse eingegangen werden müssen.
    • 3) Puls-Modus: die Mustererzeugungseinrichtung 104 wird im wesentlichen stationär gehalten und das ganze Muster wird unter Verwendung des gepulsten Strahlungssystems 102 auf einen Zielabschnitt 120 des Substrats 114 projiziert. Der Objekttisch 106 wird mit einer im wesentlichen konstanten Geschwindigkeit derart verschoben, dass der gemusterte Strahl 110 eine Linie über das Substrat 114 abtastet. Das Muster auf der Mustererzeugungseinrichtung 104 erhält nach Wunsch zwischen Pulsen des Strahlungssystems 102 ein Update, und die Pulse sind so getaktet, dass aufeinanderfolgende Zielabschnitte 120 an den gewünschten Stellen auf dem Substrat 114 belichtet werden. Folglich kann der gemusterte Strahl 110 über das Substrat 114 tasten, um das vollständige Muster auf einen Streifen des Substrats 114 zu belichten. Der Vorgang wird so lange wiederholt, bis das Substrat 114 Zeile für Zeile belichtet worden ist.
    • 4) Kontinuierlicher Scan-Modus: im wesentlichen gleich dem Puls-Modus, mit der Ausnahme, dass ein im wesentlichen konstantes Strahlungssystem 102 verwendet wird und das Muster auf der Mustererzeugungseinrichtung 104 ein Update erfährt, während der gemusterte Strahl 110 das Substrat 114 abtastet und belichtet.
  • Ungeachtet des verwendeten Betriebsmodus erfährt das durch den SLM oder MSA der Mustererzeugungseinrichtung 104 erzeugte Muster (d.h. der „Ein-" oder „Aus-" Zustand jedes der individuell steuerbaren Elemente – im folgenden mit „SLM-Pixel" bezeichnet) periodisch ein Update, um das gewünschte Bild auf das Substrat zu übertragen. Zum Beispiel kann das Muster im Step- und im Scan-Modus zwischen jedem Step- bzw. Scan-Vorgang ein Update erfahren. Im Puls-Modus erfährt das SLM-Muster ein Update nach Wunsch zwischen den Pulsen des Strahlungssystems. Im kontinuierlichen Scan-Modus erfährt das SLM-Muster ein Update, während der Strahl das Substrat abtastet.
  • Kombinationen und/oder Variationen der vorstehend beschriebenen Anwendungsmodi oder gänzlich verschiedener Anwendungsmodi können ebenfalls verwendet werden.
  • IV. Exemplarisches Verfahren
  • 3 zeigt ein Ablaufdiagramm 300 eines exemplarischen Verfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Ablaufdiagramm 300 beginnt mit Schritt 310, durch den bestimmt wird, ob Daten wenigstens ein verdächtiges Bit enthalten. Zum Beispiel kann der Detektor 204 einen Datensatz mit einem Fehlerkriterium vergleichen, um feststellen zu können, ob ein verdächtiges Bit oder eine Kombination aus verdächtigen Bits in den Daten vorhanden ist. Ein Beispiel eines Fehlerkriteriums kann folgendes enthalten, ist jedoch nicht darauf begrenzt: (i) wenigstens ein verdächtiges Bit existiert nicht, wenn ein weniger bedeutendes Bit einer digitalen Binärzahl eine 1 ist; und (ii) wenigstens ein verdächtiges Bit existiert, wenn ein höchst bedeutendes Bit einer digitalen Binärzahl eine 1 ist.
  • Bei einem Beispiel kann das Fehlerkriterium manuell eingegeben werden, z.B. über die Eingabevorrichtung 208. Bei einem anderen Beispiel wird das Fehlerkriterium mit jedem Bit in den Daten verglichen. Bei einem weiteren Beispiel kann das Erfassen eines verdächtigen Bits die Verwendung eines Fehlererfassungsalgorithmus enthalten. Beispiele für Fehlererfassungsalgorithmen können einen Paritätsprüfungsalgorithmus, einen Fehlercode-Erfassungsalgorithmus (z.B. zyklische Redundanzüberprüfung), Kombinationen daraus oder einen anderen Fehlererfassungsalgorithmus umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
  • In Schritt 320 werden die Daten zum Steuern einer Mustererzeugungseinrichtung verwendet. Zum Beispiel kann die Rasterungseinrichtung 206 die Daten zur Mustererzeugungseinrichtung 104 senden. Bei einem Beispiel können, wenn ein verdächtiges Bit in den Daten ermittelt worden ist, Informationen über verdächtige Bits den Daten zugeordnet und mit diesen versendet werden. Bei einem anderen Beispiel werden die Informationen über verdächtige Bits im Speicher (z.B. Speicher 202) gespeichert, bevor sie mit den Daten zur Mustererzeugungseinrichtung 104 geschickt werden.
  • In Schritt 330 versieht die Mustererzeugungseinrichtung einen Strahl aus Strahlung mit einem Muster. Beispielsweise kann die Mustererzeugungseinrichtung 104 den Strahl aus Strahlung wie vorstehend beschrieben mit einem Muster versehen.
  • In Schritt 340 wird der gemusterte Strahl aus Strahlung auf einen Zielabschnitt eines Substrats projiziert. Beispielsweise kann das Projektionssystem 108 den gemusterten Strahl auf einen Abschnitt des Substrats 114 projizieren. Beispiele für ein Substrat können ein Halbleitersubstrat, ein Glassubstrat, ein Flachbildschirmsubstrat und ein Polymersubstrat oder ein anderes bei maskenlosen Anwendungen verwendetes Substrat umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
  • In Schritt 350 werden eine oder mehre Markierungen im gemusterten Strahl auf das Substrat in nächster Nähe auf entsprechende Zielabschnitte projiziert, wenn in Schritt 310 das verdächtige Bit festgestellt worden ist. Zum Beispiel ist es bei Flachbildschirmbauelementen (flat panel display devices FPD) möglich, die Markierung/en in nächster Nähe neben Bereiche des Bildschirms des FPD-Bauelements zu drucken, so dass die Markierungen als Koordinaten entsprechend dem/den verdächtigen Bit/s wirken. Beispielsweise kann eine Markierung bei der X-Koordinate und eine Markierung bei der Y-Koordinate innerhalb oder außerhalb des Musters auf das Bildschirmelement gedruckt werden; es ist auch eine Einzelmarkierung innerhalb des Musters möglich.
  • Ein Bereich des Substrats, der eine Markierung aufweist, kann überprüft werden, um festzustellen, ob sich die der Markierung zugehörigen Eigenschaften innerhalb vorbestimmter Spezifikationen befinden. Beispielhafte Eigenschaften, die überprüft werden können, können die Anordnung von Strukturen, Bildkontrast, Bild-Log-Slope, Einheitlichkeit kritischer Dimensionen, Verhalten außerhalb der Fokussierung, oder einige weitere Eigenschaften umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt.
  • V. Beispielhafte Vorteile
  • Beispielhafte Vorteile der vorliegenden Erfindung können folgendes umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt:
    • • Höhere Ausbeute beim Kunden, da Produkte, die sich aufgrund von Bitfehlern nicht innerhalb vorbestimmter Spezifikationen befinden, identifiziert werden können und folglich nicht an den Kunden geschickt werden; darüber hinaus kann, wenn mehrere Produkte (identische oder nicht identische) auf das gleiche Substrat gedruckt werden, zwischen guten und schlechten Produkten unterschieden werden. Gute Produkte können verschickt werden. Ohne die vorliegende Erfindung müsste ein Kunde das ganze Substrat wegwerten.
    • • Erleichterte Diagnose, da eine oder mehrere Markierung/en auf das Substrat gedruckt wird/werden, um mögliche Problembereiche aufzuzeigen.
    • • Höheres Vertrauen des Kunden in den Datenweg, da Bitfehler im Datenweg erfasst und identifiziert werden können.
  • VI. Schlussfolgerung
  • Auch wenn verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben worden sind, ist festzustellen, dass sie rein beispielhaft dargestellt worden sind und nicht einschränken sollen. Dem entsprechenden Fachmann wird klar sein, dass verschiedene Änderungen in Form und Detail erfolgen können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen. Somit sollte die Ausdehnung und der Umfang der vorliegenden Erfindung nicht durch eine der vorstehend beschriebenen exemplarischen Ausführungsformen begrenzt werden, sondern sollte nur in Übereinstimmung mit den folgenden Ansprüchen definiert werden.
  • Festzustellen ist, dass der Abschnitt mit der detaillierten Beschreibung und nicht die zusammenfassenden Abschnitte für die Interpretation der Ansprüche verwendet werden soll. Die zusammenfassenden Abschnitte können sich auf eine oder mehrere, aber nicht alle vom Erfinder/von den Erfindern geplanten exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen und sollen daher die vorliegende Erfindung und die beigefügten Ansprüche in keiner Weise einschränken.

Claims (16)

  1. Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat, umfassend: (a) Bestimmen, ob die Daten wenigstens ein verdächtiges Bit enthalten; (b) Steuern einer Mustererzeugungseinrichtung (104) mittels der Daten; (c) Aufbringen eines Musters auf einen Strahl aus Strahlung (110) unter Verwendung der Mustererzeugungseinrichtung (104); und (d) Projizieren von Strukturen im gemusterten Strahl aus Strahlung auf einen Zielabschnitt (120) eines Substrats (114); gekennzeichnet durch: (e) Projizieren einer Markierung oder mehrerer Markierungen im gemusterten Strahl auf das Substrat (114), wodurch die Zielabschnitte angezeigt werden, die dem wenigstens einen verdächtigen Bit, wie in Schritt (a) bestimmt, entsprechen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt (a) umfasst: Verwenden eines Fehlererfassungsalgorithmus, um zu bestimmen, ob die Daten wenigstens ein verdächtiges Bit enthalten.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei Schritt (a) umfasst: Vergleichen eines Fehlerkriteriums mit den Daten.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Fehlerkriterium umfasst: Bestimmen, dass wenigstens ein verdächtiges Bit nicht existiert, wenn ein oder mehrere weniger bedeutende Bits einer digitalen Binärzahl der Daten eine 1 ist; und Bestimmen, dass wenigstens ein verdächtiges Bit existiert, wenn ein oder mehrere höchst bedeutende Bits der digitalen Binärzahl eine 1 ist/sind.
  5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, ferner umfassend: manuelle Eingabe des Fehlerkriteriums.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (114) einen Flachbildschirm umfasst und wobei die Markierung als Koordinaten von wenigstens einem verdächtigen Bereich eines Feldes des Flachbildschirms entsprechend dem wenigstens einen verdächtigen Bit wirkt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: Inspizieren von Bereichen des Substrats, welche die Markierung umfassen, um zu bestimmen, ob sich die zur Markierung zugehörigen Merkmale innerhalb vorbestimmter Spezifikationen befinden.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat wenigstens eines von einem Halbleitersubstrat, einem Flachbildschirmsubstrat und einem Polymersubstrat umfasst.
  9. System, mit: einem Steuermodul (150), das so konfiguriert ist, dass es erfasst, ob Daten wenigstens ein verdächtiges Bit enthalten und verdächtige Bitinformationen erzeugen; einer Mustererzeugungseinrichtung (104), die so konfiguriert ist, dass sie einen Strahl aus Strahlung (110) mustert, wobei die Daten und die verdächtige Bitinformation zum Steuern der Mustererzeugungseinrichtung verwendet werden; und einem Projektionssystem (108), das so konfiguriert ist, dass der gemusterte Strahl aus Strahlung auf einen Zielabschnitt (120) eines Substrats (114) projiziert wird; dadurch gekennzeichnet, dass die Mustererzeugungseinrichtung (104) so konfiguriert ist, dass sie im gemusterten Strahl aus Strahlung eine Markierung erzeugt, die auf der verdächtigen Bitinformation basiert und Zielabschnitte anzeigt, die dem wenigstens einen verdächtigen Bit entsprechen.
  10. System nach Anspruch 9, wobei das Steuermodul (150) umfasst: einen Speicher (202), der so konfiguriert ist, dass er die Daten und jede verdächtige Bitinformation, die sich auf das wenigstens eine verdächtige Bit bezieht, speichert; und eine Rastereinrichtung (206), die so konfiguriert ist, dass sie die Daten und jede verdächtige Bitinformation an die Mustererzeugungseinrichtung (104) sendet.
  11. System nach Anspruch 9 oder 10, wobei der gemusterte Strahl umfasst: ein zu den Daten gehörendes Muster; und wenigstens eine zu der verdächtigen Bitinformation zugehörige Markierung, die zu dem Muster gehört.
  12. System nach Anspruch 9, 10 oder 11, wobei das Steuermodul (150) umfasst: einen Detektor (204), der so konfiguriert ist, dass er ein Fehlerkriterium mit den Daten vergleicht, um festzustellen, ob wenigstens ein verdächtiges Bit in den Daten existiert.
  13. System nach Anspruch 12, ferner umfassend: eine Eingabevorrichtung (208) für die Eingabe des Fehlerkriteriums.
  14. System nach Anspruch 11 oder jedem Unteranspruch von Anspruch 11, wobei die wenigstens eine Markierung als Koordinaten auf dem Substrat (114) des wenigstens einen verdächtigen Bits wirkt.
  15. System nach einem der Ansprüche 9 bis 14, ferner umfassend: ein Prüfsystem, das so konfiguriert ist, dass es mögliche Problembereiche des Substrats (114), die durch die Markierung markiert sind, prüft, um festzustellen, ob sich das zugehörige Muster innerhalb vorbestimmter Spezifikationen befindet.
  16. System nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei das Substrat (114) wenigstens eines von einem Halbleitersubstrat, einem Flachbildschirmsubstrat und einem Polymersubstrat umfasst.
DE602005001547T 2004-12-28 2005-12-16 System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen Active DE602005001547T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/022,926 US7403865B2 (en) 2004-12-28 2004-12-28 System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US22926 2004-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602005001547D1 DE602005001547D1 (de) 2007-08-16
DE602005001547T2 true DE602005001547T2 (de) 2008-03-20

Family

ID=35966987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602005001547T Active DE602005001547T2 (de) 2004-12-28 2005-12-16 System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7403865B2 (de)
EP (1) EP1677155B1 (de)
JP (1) JP2006191065A (de)
KR (1) KR100682609B1 (de)
CN (1) CN1797219A (de)
DE (1) DE602005001547T2 (de)
SG (1) SG123751A1 (de)
TW (1) TWI301563B (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US8539395B2 (en) * 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
JP6795444B2 (ja) * 2017-04-06 2020-12-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 異常検知システム、半導体装置の製造システムおよび製造方法
WO2021167587A1 (en) * 2020-02-18 2021-08-26 Applied Materials, Inc. Data inspection for digital lithography for hvm using offline and inline approach
CN113534614B (zh) * 2021-06-28 2023-09-19 上海华力集成电路制造有限公司 一种基于扫描式曝光机的动态照明方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3875416A (en) * 1970-06-30 1975-04-01 Texas Instruments Inc Methods and apparatus for the production of semiconductor devices by electron-beam patterning and devices produced thereby
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (de) * 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) * 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JPH05313353A (ja) * 1992-05-09 1993-11-26 Asahi Optical Co Ltd マスクフィルム検査装置
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) * 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
AU1975197A (en) * 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JP4126096B2 (ja) 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) * 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
SE516914C2 (sv) * 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
US6811953B2 (en) * 2000-05-22 2004-11-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice
US7302111B2 (en) * 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
JP3563384B2 (ja) * 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
WO2003046662A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Asml Netherlands B.V. Imaging apparatus
KR100545297B1 (ko) * 2002-06-12 2006-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
EP1482373A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4501481B2 (ja) * 2004-03-22 2010-07-14 セイコーエプソン株式会社 マルチプロジェクションシステムのための画像補正方法
US7020582B1 (en) * 2004-04-28 2006-03-28 Altera Corporation Methods and apparatus for laser marking of integrated circuit faults
US7643192B2 (en) * 2004-11-24 2010-01-05 Asml Holding N.V. Pattern generator using a dual phase step element and method of using same
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications

Also Published As

Publication number Publication date
SG123751A1 (en) 2006-07-26
TWI301563B (en) 2008-10-01
US20060142967A1 (en) 2006-06-29
JP2006191065A (ja) 2006-07-20
US7403865B2 (en) 2008-07-22
KR100682609B1 (ko) 2007-02-15
EP1677155B1 (de) 2007-07-04
DE602005001547D1 (de) 2007-08-16
EP1677155A1 (de) 2006-07-05
TW200627089A (en) 2006-08-01
CN1797219A (zh) 2006-07-05
KR20060076751A (ko) 2006-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602005004949T2 (de) Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60314484T2 (de) Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60223102T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US5691541A (en) Maskless, reticle-free, lithography
JP5043910B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
DE60308161T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4320319B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
DE602005001011T2 (de) Methode zur Bestimmung der Aberration eines Projektionssystems eines Lithographieapparats
DE602005003082T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602004007608T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP4277138B2 (ja) リソグラフィ装置及び装置製造方法
DE602004011458T2 (de) Substratverarbeitungsverfahren
DE102008015631A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie
DE602005001547T2 (de) System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen
US7791710B2 (en) System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications
DE60130348T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung
DE602004007961T2 (de) Flüssige Perfluoropolyether Maskendeckschicht
DE102010063337B4 (de) Verfahren zur Maskeninspektion sowie Verfahren zur Emulation von Abbildungseigenschaften
DE60320202T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE102014209455B4 (de) Verfahren zur Vermessung einer Lithographiemaske oder eines Masken-Blanks
DE69527682T2 (de) Belichtungsapparat und Belichtungsverfahren
US7391499B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60218414T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Artikels, dabei hergestellter Artikel und lithographischer Apparat dafür
DE60218412T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und Computerprogramm dafür
KR100666741B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition