JP2006191065A - マスクレスの用途で基板上に欠陥を表示するシステム及び方法 - Google Patents
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- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Abstract
【解決手段】本発明の方法は下記の工程を含んでいる。データが少なくとも1つの不審ビットを含んでいるか否かが判定される工程、データでパターン発生器が制御される工程、パターン発生器を使用して放射ビームがパターン化される工程、パターン化された放射ビーム内のフィーチャが基板のターゲット部分上に投影される工程、前記少なくとも1つの不審ビットに対応するターゲット部分を示すパターン化されたビーム内の1つ以上のマーカーが基板上に投影される工程、である。
【選択図】図3
Description
本明細書では集積回路(IC)の製造にリソグラフィ装置を使用することに特に言及されるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は集積光学系の製造、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、フラットパネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ及びマクロ流体デバイス等のような他の用途もあることを理解されたい。
本明細書で使用される「ウエーハ」又は「チップ」という用語はより一般的な用語である「基板」又は「ターゲット部分」とそれぞれ同義語であると見なすことができる。本明細書で言及される基板は露光前又は露光後に、例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、計測ツール又は検査ツールで処理されることができる。該当する場合は、本明細書の開示内容は上記の、及びその他の基板処理ツールに適用されてもよい。更に、例えば多層ICを作製するために基板を1回以上処理してもよく、従って本明細書で用いられる基板という用語は多重処理層を既に含んでいる基板のことも意味することができる。
図1は本発明の実施例によるリソグラフィ投影装置100を概略的に示している。装置100は放射システム102と、パターン発生器104と、投影システム108(「レンズ」)と、オブジェクト・テーブル106(例えば基板テーブル)とを含んでいる。次にリソグラフィ装置100の動作を概観する。そしてリソグラフィ装置100の代替実施例を記載する。リソグラフィ装置100の代替実施例を概観した後、装置100内の各素子の詳細と代替実施例とが記載される。
放射システム102は放射ビーム110(例えば紫外線)を供給するために使用可能である。この特定の場合は、放射システム102は放射源112をも含んでいる。ビーム110はビーム・スプリッタ118を使用してパターン発生器104に向けられた後、引き続いてこれに交差する。パターン発生器104(例えばプログラム可能なミラー・アレイ)を使用してビーム110にパターンを付与することができる。パターン発生器104によって反射された後、ビーム110は投影システム108を通過し、これがビーム110を基板114のターゲット部分120上に集束する。基板114は以下に詳述するオブジェクト・テーブル106によって支持される。
放射システム102は放射源112と、コンディショニング・デバイス126と、照射源(イルミネータ)124とを含んでいる。加えて、イルミネータ124は一般に積分器130及びコンデンサ132のような他の様々な部品を含んでいる。
パターン発生器104は従来のレチクルの代替とみなすことができるSLMを含んでいる。SLMに加えて、パターン発生器104はSLMピクセル及びデータ経路用の駆動電子素子を備えていてもよい。入力された画像データが適当なフォーマットに変換され、データ経路を経て(以下に詳述する)制御モジュール150によってSLMに送られる。駆動電子素子は、SLMパターンが更新されると各SLMピクセルを順次アドレス指定する。すなわち、各々の新規のSLM画像フレームを通常の行列アドレス指定によってロードすることが可能である。フレーム速度、すなわち各々の新規フレームをSLMへとロードするために必要な時間は装置の処理能力にとって決定的な要因である。
制御モジュール150はデータ経路を含み、典型的には「マスク・ファイル」を記憶するための記憶デバイス及びラスタライザを含む。記憶デバイスは基板にプリントされる画像全体を格納する。ラスタライザはSLMにロードするための画像の適宜の部分を、基板に所望の画像を転写するために必要なパターンを表すSLMピクセル値のマップへと変換する。制御モジュール150は典型的には1つ以上のフレーム・バッファ及び新規のSLMフレームがロードされるごとにSLMを行列アドレス指定するために必要なその他の従来の部品をも含んでいる。適当な画像デジタル化及びSLM駆動電子素子は関連分野の当業者には明らかになろう。例えば、制御モジュール150はビット・マップをベースにしたマスク書き込み装置と極めて類似したものでよいが、使用される特定の種類のSLMの個々のSLMピクセルをアドレス指定するための適宜の行列アドレス指定駆動回路を備えている。
投影システム108(例えば水晶及び/又はCaF2レンズ系、又はこれらの材料から製造されたレンズ素子を含むカタジオプトリック系又はミラー系)を、ビーム・スプリッタ118から受光されたパターン化されたビームを基板114のターゲット部分120(例えば1つ以上のダイ)上に投影するために、使用可能である。投影システム108は、パターン発生器104の画像を基板114上に投影可能である。或いは、投影システム108は二次放射源の画像を投影することが可能であり、パターン発生器104の素子がそのためのシャッターとして動作する。投影システム108は更に二次放射源を形成し、且つマイクロスポットを基板114上に投影するためのマイクロレンズ・アレイ(MLA)をも含むことができる。
オブジェクト・テーブル106には基板114(例えばレジストを被覆したシリコン・ウエーハ、投影システム・ディスプレイ、半導体基板、ガラス基板、ポリマー基板、又は投影テレビジョン・ディスプレイ・デバイス)を保持するための基板ホルダ(特には図示せず)を備えることが可能である。加えて、オブジェクト・テーブル106は、基板114を投影システム108に対して正確に位置決めするために、位置決めデバイス116に接続することができる。
図示した装置100は4つの好適なモードで使用可能である。
図3は本発明の実施例による代表的な方法を示すフローチャート300を図示している。フローチャート300は、データが少なくとも1つの不審ビットを含んでいるか否かが判定される工程310から開始される。例えば、検出器204は、データ内に不審ビット又は不審ビットの組み合わせが存在するか否かを判定するためにデータ・セットをエラー基準と比較することが可能である。エラー基準の例には、それに限定されるものではないが、下記が含まれる。(i)デジタル・バイナリ数の最下位ビットが1である場合は少なくとも1つの不審ビットは存在しない。及び(ii)デジタル・バイナリ数の最上位ビットが1である場合は少なくとも1つの不審ビットが存在する。
本発明の利点の例には、それに限定されるものではないが、下記を含めることができる。
・ビット・エラーによる所定の仕様外にある製品を特定でき、従って顧客には配送されないので顧客側の生産高が高まる。加えて、(同一であってもなくても)複数の製品が同じ基板上にプリントされた場合に良好な製品と不良品とを区別できる。良好な製品を配送できる。本発明がなければ、顧客は基板全体を廃棄しなければならなくなることがあろう。
・潜在的に問題があるエリアを表示するために1つ以上のマーカーが基板上にプリントされるので、診断が容易になる。
・データ経路内のビット・エラーを検出及び特定可能なので、データ経路についての顧客の信頼性が高まる。
本発明の様々な実施例をこれまで記載してきたが、例示目的で提示されたもので、限定的なものではないことを理解されたい。本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、形式と細部に多くの変更が可能であることが当業者には理解されよう。従って、本発明の幅と範囲は上記の代表的な実施例のいずれかによって限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ規定されるものである。
102 放射システム
104 パターン発生器
106 オブジェクト・テーブル
108 投影システム
110 ビーム
112 放射源
114 基板
116 位置決めデバイス
118 ビーム・スプリッタ
120 ターゲット部分
122 ビーム
124 照射源
126 コンディショニング・デバイス
128 調整デバイス
150 制御モジュール
202 メモリ
204 検出器
206 ラスタライザ
208 入力デバイス
300 フローチャート
Claims (16)
- 基板上に欠陥を表示する方法であって、
(a)データが少なくとも1つの不審ビットを含んでいるか否かを判定する工程と、
(b)前記データでパターン発生器を制御する工程と、
(c)前記パターン発生器を使用して放射ビームをパターン化する工程と、
(d)前記パターン化された放射ビーム内のフィーチャを基板のターゲット部分上に投影する工程と、
(e)工程(a)で判定された前記少なくとも1つの不審ビットに対応する、前記ターゲット部分を示す前記パターン化されたビーム内の1つ以上のマーカーを前記基板上に投影する工程と、
を含む方法。 - 工程(a)は、
前記データが少なくとも1つの不審ビットを含んでいるか否かを判定するためにエラー検出アルゴリズムを使用する工程を含む請求項1に記載の方法。 - 工程(a)は、
エラー検出基準を前記データと比較する工程を含む請求項1に記載の方法。 - 前記エラー基準は、
デジタル・バイナリ数の1つ以上の最下位ビットが1である場合は、少なくとも1つの不審ビットが存在するものと判定する工程と、
デジタル・バイナリ数の1つ以上の最上位ビットが1である場合は、少なくとも1つの不審ビットが存在するものと判定する工程と、
を含む請求項3に記載の方法。 - 前記エラー基準を手動入力する工程をさらに含む請求項3に記載の方法。
- 前記基板はフラットパネル・ディスプレイであると共に、前記マーカーは前記少なくとも1つの不審ビットに対応する前記フラットパネル・ディスプレイのパネルの少なくとも1つの不審部分の座標として作用する請求項1に記載の方法。
- 前記マーカーに関連する前記フィーチャが所定の仕様内にあるか否かを判定するために前記マーカーを含む前記基板のエリアを検査する工程をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 工程(d)(e)で前記基板は半導体基板、フラットパネル・ディスプレイ基板及びポリマー基板の少なくとも1つを含む請求項1に記載の方法。
- システムであって、
データが少なくとも1つの不審ビット情報を含むか否かを検出し、不審ビット情報を生成する制御モジュールと、
放射ビームをパターン化するパターン発生器であって、前記データ及び不審ビット情報が前記パターン発生器を制御するために利用されるパターン化発生器と、
前記パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
を含むシステム。 - 前記制御モジュールは、
前記データ及び前記少なくとも1つの不審ビットに関するいずれかの不審ビット情報を記憶するメモリと、
前記データ及びいずれかの不審ビット情報を前記パターン発生器へと送るラスタライザと、
を含む請求項9に記載のシステム。 - 前記パターン化されたビームは、
前記データに関連するパターンと、
前記パターンに関連する、前記不審ビット情報に関連する少なくとも1つのマーカーと、を含む請求項9に記載のシステム。 - 前記制御モジュールは、
少なくとも1つの不審ビットが前記データ内に存在するか否かを判定するためにエラー基準を前記データと比較する検出器を含む請求項9に記載のシステム。 - 前記エラー基準を入力するための入力デバイスをさらに含む請求項12に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのマーカーは前記少なくとも1つの不審ビットの前記基板上の前記座標として作用する請求項11に記載のシステム。
- 前記関連するパターンが所定の仕様内にあるか否かを判定するために、前記マーカーによってマークされた前記基板の潜在的に問題があるエリアを検査する検査システムをさらに含む請求項9に記載のシステム。
- 前記基板は半導体基板、ガラス基板及びポリマー基板の少なくとも1つを含む請求項9に記載のシステム。
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