SE516914C2 - Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering - Google Patents
Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenereringInfo
- Publication number
- SE516914C2 SE516914C2 SE9903243A SE9903243A SE516914C2 SE 516914 C2 SE516914 C2 SE 516914C2 SE 9903243 A SE9903243 A SE 9903243A SE 9903243 A SE9903243 A SE 9903243A SE 516914 C2 SE516914 C2 SE 516914C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- data
- fracturing
- slm
- rasterization
- bitmap
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70158—Diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S707/00—Data processing: database and file management or data structures
- Y10S707/99931—Database or file accessing
- Y10S707/99937—Sorting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S707/00—Data processing: database and file management or data structures
- Y10S707/99941—Database schema or data structure
- Y10S707/99942—Manipulating data structure, e.g. compression, compaction, compilation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Image Processing (AREA)
Description
25 30 35 516 914 2 I en serie av pàgàende PCT-patentansökningar (SE99/00310 och andra) beskrivit en ny typ av mönstergeneratorer med fördelar i har en av uppfinnarna (Sandström) upplösning, precision och genommatningskapacitet över vilket som helst tidigare känt system. Innevarande upp- finning är en dataväg med extremt hög datakapacitet som skall användas i nämnda nya typ av mönstergeneratorer. En annan aspekt av uppfinningen är tillhandahállandet av ka- librerings- och realtidsdatakorrigeringar som gör den nya mönstergeneratorn mycket precis även vid mycket höga has- tigheter.
Kortfattad beskrivning av ritningarna 1. Visar tidigare känd teknik: (a) en mönstergenera- tor som använder en skannande laser och (b) en multipro- cessor-multistrále där varje processor sänder data till en av stràlgränssnitten. 2. En generisk mönstergenerator som använder en spa- tialljusmodulator för skapande av bilden. 3. En multiprocessorarkitektur med multipla fraktu- reringsprocessorer och multipla rastreringsprocessorer som vardera skapar data för angränsande områden i SLM. 4. En fullständigt parallell arkitektur med två helt oberoende enheter som vardera har flera fraktureringspro- cessorer och flera rastreringsprocessorer som matas med separata områden för SLM. 5. Det ingående mönstret fraktureras med överlapp som tar hand om bàde ett fysiskt överlapp mellan expone- ringsfälten och en samverkansöverlapp för bildbehandling, exempelvis invers konvolution. 6. Ett föredraget utförande för laddning av gràska- lebitmappen till SLM. 7. Ett föredraget utförande för pixel för pixel- uppslagning för överlappsgenerering och felkorrigering. 10 15 20 25 30 35 516 914 Funktion hos uppfinningen I tidigare kända mönstergeneratorer skriver en enda stràle mönstret och kapaciteten är begränsad avseende mängden data som kan matas igenom en enda stràlavskärma- re- eller modulator. Flöden med multipla strålar som skannas parallellt används för att undvika begränsningen pà genommatning. Dock, är i alla multistràlerasterskan- ningsmönstergeneratorer mönstret sammanvävt mellan strà- larna, dvs alla strålar skriver varje del av mönstret.
Det är tidigare känt att rastrera stràldata i en multi- processorarkitektur, och typiskt rastrerar varje proces- sor ett angränsande omrâde av mönstret. Den slutgiltiga datan måste delas i enlighet med sammanvävningsstrukturen för strålarna och varje processor måste sända mönsterdata till varje stràle. Detta ökar avsevärt komplexiteten och är ett hinder för sant parallell behandling av data. För att uppnå hög genomströmning används ett system med flera parallella bussar eller en växlingsstruktur för parallel- la länkar. Denna variant är skalbar endast upp till en övre gräns där principen att varje processor sänder data till varje stràle helt enkelt leder till för mycket över- korsande dataöverföringar. Att tillföra fler processorer är alltid möjligt, men det är inte alltid möjligt att öka dataflödet i en arkitektur med mycket samberoende mellan olika moduler. En praktisk gräns är när rastreraren inte får plats i ett enda bakplan. Multipla synkroniserade bakplan med flera parallella bussar kan vara möjligt att bygga men ökar de indirekta kostnaderna och i slutänden systemets kostnader.
Vi beskriver en annan typ av rastrerare och en arki- tektur vilken ger sann skalbarhet och möjliggör för varje gränssnitt att vara parallellt. Data splittras och sänds till olika processorer och färdas fullständigt separata vägar. Graden av nödvändig synkronisering är làg och fullständigt självständiga behandlingsenheter kan tillfö- ras för att öka behandlingseffekten. 10 15 20 25 30 35 516 914 a_j=sjj¿=.____ n., u nn~non n a en 4 En annan aspekt av uppfinningen är att den mycket parallella datakanalen ger möjligheter till mönsterkorri- gering av flera typer. Sådan korrigering ökar arbetspre- stationen i alla steg av databehandlingen och ökar även dataflödet väsentligt. I en typisk rasterskannarkitektur skulle detta vara svårt att utföra beroende på dataöver- föringsbegränsningarna och en brist pà sann skalbarhet.
Med den sant skalbara arkitekturen som beskrivs här växer kostnaden för dataspàret linjärt med mängden arbete som behövs utföras, men utan andra svåra begränsningar.
Föredragna utföranden Ett föredraget utförande av uppfinningen är en ra- strerare för en högpresterande mönstergenerator (PG) för skrivande av fotomasker för 0,13 pm ”design node". PG är kapabel att skriva detaljer ner till 200 nm. Mönstergene- ratorn beskrivs i PCT-ansökan SE99/00310 såsom användande en analog reflektiv mikromekanisk SLM och projicerande bilden på SLM genom en förminskande lins till masksub- stratet. SLM:n har en matrisstorlek på 2048 x 512 pixlar och varje pixel är 20 x 20 pm bred. Linsen har en för- minskning pà 200X och den projicerade storleken pä en SLM-pixel är 0,1 x 0,1 pm. En analog pixel hos SLM drivs med en spänning med 50 nivåer mellan full och noll expo- nering, motsvarande en adressgrid på 0,1 pm / 50 = 2 na- nometer. Drivelektroniken intar flervärda bitmappar, dvs bitmappar med N bitars djup i varje pixel. För att bevara flexibiliteten för framtiden beskrivs varje pixel med 8 bitar, även om 6 bitar räcker för 50 nivåer. Därför, är pixelvärden från 0 till 255 tillgängliga och värdena O till 50 används för att variera exponeringen. Koderna 51 till 100 används för att generera högre avböjning i de mikromekaniska pixlarna motsvarande negativa komplexa amplituder i vågfronten, vilka negativa amplituder kan användas för att öka kant- och hörnskärpan i det skrivna mönstret. Typiskt, skrivs ett exponerat särdrag med en positiv amplitud mot en bakgrund med svagt negativ ampli- 10 15 20 25 30 35 516 914 , 5 tud ljus, vilket skapar en högre kantbranthet i expone- ringen av mönstret.
SLM:n laddas med ny mönsterdata 700 gånger per se- kund och en enda blixt frän en KrF-laser (248 nm) används för att överföra mönstret pà SLM:n till masksubstratet.
Före nästa blixt behöver SLM skrivas om och plattformen föras fram med approximativt 50 pm så att enskilda blix- tar skapar ett sammanhängande mönster pà masksubstratet.
Plattformen rör sig med en konstant hastighet på approxi- mativt 35 mm/s och en remsa om 2048 pixlars bredd skarvas samman frán serien av blixtar. Den maximala mönsterläng- den är 230 mm och en remsa innehållande 230 mm x 2048 / 0,1 pm = 4,7 miljarder pixlar som behöver 4,7 Gbyte. En remsa skrivs pà 6,4 sekunder och efter 1 sekund av àter- förande mäste data för nästa remsa vara färdigt. Skurda- taflödet är 750 Mbyte/s och medelvärdet är 650 Mbyte/s.
Eftersom den verkliga tiden det tar att behandla data för en remsa inte är absolut förutsägbar, bestämdes det att en full remsa skulle lagras innan en remsa skrivs. I praktiken behöver bufferten inte vara större än 6,4 Gbyte för att medge överföringstider och överlappning mellan skriv- och läsoperationerna i minnet. Om behandlingen av data tar mer tid än som är tillgänglig inväntar maskinen data innan den startar remsan. Ett avbrytande av skriv- slaget halvvägs beroende pà databrist är en mer ovanlig och oönskad händelse än inväntande av data i den passiva positionen utanför substratet. Därför, mäste ett system med smà databuffrar och en rastrerare som rastrerar i flykten utformas med fritt utrymme och erfordrar väsent- ligen det dubbla i behandlingskapacitet jämfört med ett remslagrande system. Trots det stora buffertminnesutrym- met som behövs har en fullremsebuffring betraktats som mer kostnadseffektivt än att öka rastreriseringshastighe- ten. 10 15 20 25 30 35 516 914 Parallell operation Det ingående dataformatet kan vara i många olika format, exempelvis hierarkiskt GDSII, platt MEBES-format eller i algoritmisk form. Den ingående datafilen kan vara extremt stor och det är inte ovanligt att ha mönsterfiler som är 10 - 30 Gbyte. än större, även om det sker en utveckling mot mer hierar- I framtiden kan filstorleken vara kiska filer.
SLM erbjuder möjligheten till extremt höga hastighe- ter (i pixel per sekund) vilket kommer att behövas för att uppnå rimliga skrivtider med mycket mindre pixelstor- lekar vilket blir nödvändigt för masker i framtiden. För att bevara skrivtiden för retiklar medan man följer Mores lag vad gäller upplösning och komplexitet måste antalet pixlar per sekund dubblas var 18 månad. Därför förutses det att alla arkitekturer där all data måste passera ett enda gränssnitt förr eller senare kommer att vara föråld- rade och olämpliga. Endast sant parallella databehand- lingar kan skalas till godtycklig kapacitet. I det föl- jande beskrivs hur en sådan sant parallell arkitektur kan utformas: Ytan hos SLM delas i en uppsättning SLM-fält. I fal- let med en mycket rektangulär SLM (exempelvis 2048 x 512 pixlar) är det användbart att dela in den i 512 x 512 pixelfält. Data skrivs till SLM genom skanning. I det fö- redragna utförandet skannas en enda DAC med en analog multiplexer över 64 kolumnlinjer och laddar vardera av dem till en potential i området 0 - 40 volt. Sedan öppnas en grind (rad) linje och laddningen i kolumnlinjen över- förs till lagringskondensatorer för varje pixel. Flera DAC, vardera skannade över 64 kolumnlinjer, behövs för att driva hela SLM. För en SLM med 2048 kolumner behövs 32 DAC. Under laddning av en full bild måste alla 512 ra- der skannas och för varje rad alla 64 kolumner, och lad- das i sekvens. För att ladda en komplett bild pà en mil- lisekund måste DAC:n generera 32 miljoner volt per se- kund, i praktiken är 40 M omvandlingar per sekund en mer 10 15 20 25 30 35 516 914 - o n u .o o oc: n. 7 korrekt siffra. Detta är möjligt att utföra med ordinära metoder för utformning och tillverkning av PC-kort och elektronik.
För att öka flexibiliteten är SLM:n så utformad att den kan konfigureras för 8, 16, 32 eller 64 DAC per 2048 kolumner. Detta möjliggör att olika konfigurationer kan användas pà samma chip: med 64 DAC kan SLM àterladdas pà 0,5 millisekunder med samma 40 MHz omvandlingshastighet. Å andra sidan, är det möjligt att bygga ett mindre dyrt system för en kostnadskänslig applikation med mindre has- tighetskrav användande 8 eller 16 DAC. Baskonfigurationen i block om 32 kolumner för en analog multiplexer gör det enkelt att utforma en större eller mindre SLM och att an- vända samma externa elektroniska byggblock för att driva den.
I det föredragna utförandet är gränssnittet mellan rastreringsskàpet och SLM vid den analoga spänningen ef- ter DAC. Pà ett kretskort (PCB) med SLM:n finns en analog (video) -ingång för varje grupp om 32 tillsammans med linjer för utväljande, tidstyrning och styrning. Videon är i intervallet 0 - 1 volt och vid varje ingång pà SLM- kortet finns en analog förstärkare som för upp spänningen till intervallet 0 - 40 som behövs för SLM:n. DAC:na är placerade i ett separat skàp tillsammans med rastrerings- elektroniken. Detta möjliggör en sann skalbarhet eftersom det är möjligt att multiplicera antalet skåp. Hela ra- streraren behöver inte få plats i ett bakplan, eller ett skåp, eftersom höghastighetsgränssnittet mellan rastrera- ren och SLM-kortet är videokabeln vilken är okänslig för avstånd.
DAC:na är kombinerade i DAC-block om 8 DAC svarande mot 512 kolumner i SLM:n. Varje DAC har signalbehandlande elektronik innefattande uppslagningstabeller för svars- kurvkorrigering. För varje DAC-block finns ett gemensamt buffertminne och en bank om parallella rastreringsproces- sorer. Varje rastreringsprocessor är tillägnad ett inter- vall av kolumnadresser, dvs till ett band genom SLM:n. I 10 15 20 25 30 35 516 914 8 det föredragna utförandet, rastrerar en enda grafikpro- cessor hela bredden av DAC-block, 512 kolumner, men i framtida implementeringar av arkitekturen är det förvän- tat att DAC-blocken behöver uppdelas mellan flera rastre- ringsprocessorer. Rastreringsprocessorn är uppsatt för att skapa en bitmap i rastreringsfönstret, i det före- dragna utförandet 640 kolumner x 2560 rader med pixlar.
Det större rastreringsfönstret, eller den utökade bitmap- pen, än vad som senare kommer att användas (512 kolumner) gör det möjligt att korrigera för samverkan mellan möns- tersärdrag genom operationer pá bitmappen. Utan den ut- ökade bitmappen skulle varje påverkan av särdrag utöver 512-kolumnfältet förloras. Det finns en likartad utökning mellan fälten i radriktningen. Data i utökningsdelen är redundant och används endast för att beräkna samverkan.
Det finns ett mjukvarustyrt fönster som bestämmer hur mycket redundant data som genereras utanför de 512 kolum- nerna.
Rastreraren matas med data ifràn en FIFO-buffert, data som kommer fràn en fraktureringsmodul som har fyra fraktureringsprocessorer. I fraktureringsmodulen kapas den ingående filen till rastreringsfält svarande mot den utökade bitmappen för rastreringsprocessorn, och dataele- menten förbehandlas för rastreraren, exempelvis uppdelas polygoner till trianglar. För en hierarkisk fil mäste trädstrukturen för hierarkin delvis upplösas innan den delas upp i fraktureringsfält. Därför måste rastrerings- modulen i värsta fall se hela filen innan den delas upp i fält. För mycket stora filer åstadkommer detta en flask- hals. Det finns ett antal möjliga sätt att undvika detta: - införande av storleksinformation i det hierarkiska filformatet i huvudet för varje cell, så att celler- na utanför fraktureringsfönstret kan rensas bort.
Eftersom cellen som tas bort i sig själv har en in- tern hierarki kan mycket redundant arbete undvikas.
- CAD-systemet som producerar filen skriver det med större särdrag uppdelade i mindre delar, så att hie- 10 15 20 25 30 35 516 914 9 rarkin delvis är upplöst och data sorteras så att filen kan läsas sekventiellt utan risk att missa särdrag.
Med en kombination av de tvà principerna kan filen behandlas sekventiellt och redundant information kan snabbt förkastas. Det är sedan möjligt att behandla hela filen i varje fraktureringsmodul men frakturerad utgångs- data genereras endast för de områden som är tilldelade till den specifika fraktureringsmodulen. Pà detta sätt kan fyra olika kopior av filen läsas och behandlas av fraktureringsprocessorn, var och en producerande fraktu- reringsdata för ett band i SLM:n och sändande den till rastreraren tilldelad till samma band.
Svarskurvekorrigering Det ingående mönstret specificeras som en geometri, men svaret ifràn spänning till geometri är mycket olin- järt. Rastreraren, vilken bestämmer hur stor del av omrä- det av mönstret som faller pà en specifik pixel och över- sätter omràdet till ett värde mellan - i det i det före- gående beskrivna utförandet - 0 och 50. Eftersom svars- funktionen är icke-linjär svarar pixelvärdet som bestäms av rastreraren inte mot spänningen som pixeln behöver sättas till för att svara mot en jämn uppdelning i sub- pixeladresser. Det finns olika sätt att göra korrigering- en, och vissa diskuteras i PCT-ansökan SE99/00310. All- mänt, kan korrigeringen göras med en icke-linjär analog funktion, som ett diodnätverk, eller med en matematisk överföring av pixelvärdet. En uppenbar korrigering är en polynom upp till en viss grad. Den nollte polynomtermen är förskjutningen, den första är förstärkningsfaktorn och högre termer korrigerar för icke-linjäriteter. Korriger- ingen kan tillföras antingen när mönstret rastreras eller innan den laddas in i SLM:n. Det är mer praktiskt att tillföra korrigeringen med hjälp av en uppslagningstabell än att verkligen beräkna polynomet. Uppslagningstabellen 10 15 20 25 30 35 516 914 l0 lagrar i dess enklaste form en enda korrigeringsfunktion som tillförs till varje pixel. Denna funktion represente- rar den typiska pixel icke-linjäriteten och kan empiriskt kalibreras eller härledas från en fysisk modell för sy- stemet. För en högpresterande mönstergenerator är bild- likformigheten extremt viktigt. Felaktigheter i mikrome- kaniska pixelelement och skillnader från pixel till pixel beroende pà àldringseffekter kan förstöra bildkvaliteten.
Därför är det mycket önskvärt att ha en pixel för pixel- korrigering för svarsfunktionen. Åter, kan detta imple- menteras pà flera olika sätt, men i det föredragna utfö- randet används en variation av uppslagningstabellen: Svarsfunktionen för pixlarna klassificeras i ett an- tal typiska svarskurvor. Dessa lagras i ett uppslagnings- minne med 24 bitars ingàngsadress och 16 bitars utgående data. Varje kurva översätter ett 8 bitars datavärde till en 16 bitars DAC-värde. Arkitekturen stöder 16 bitars DAC-ord, men i det föredragna utförandet används endast de 10 mest signifikanta bitarna verkligen i DAC.
Det finns plats för 2” = 65536 möjliga kurvor som kan utväljas med 16 bitar. De 16 bitarna uppdelas i 4 bi- tar för förskjutningsspänning, 4 bitar för spegelegenska- per och 8 bitar för ljushet. När väl pixelegenskaperna, de första 2 x 4 bitarna, är kalibrerade är det enkelt att förändra ljusheten hos mönstret genom att endast förändra ljushetsbitarna. I ett mer komplext system, med dubbel överföring, överförs ljushetsvärdena en gäng till till ett litet uppslagningsminne varvid fördelen erhàlls att den mindre uppslagningstabellen kan àterskrivas med ma- skinens CPU mellan blixtarna. Ett dubbelöversättningssy- stem ger hög flexibilitet och gör det möjligt att expone- ra olika omràden med en dynamiskt föränderlig dos, exem- pelvis för korrigering i enstaka pass för ackumulerade dosfel ifrån en serie överlappande skrivpass med för- skjutna SLM-fält mellan passen.
Naturligtvis kan andra representationer användas.
Mindre förskjutningar av kurvorna kan beräknas men de lO 15 20 25 30 35 516 914 un. no ll flesta av dem skapas genom linjär interpolation mellan de beräknade kurvorna. På detta sätt blir beräkningsan- strängningen för att skapa 65536 kurvor hanterbar.
Det finns ett pixelparameterminne vilket har en 16 bitars cell för varje pixel i SLM. När en specifik pixel laddas till SLM översätts dess 8 bitars datavärde av upp- slagningsminne till ett 16 bitars ord. Vilken kurva som används bestäms av 16 bitarsordet som läses från pixelpa- rameterminnet och matas till de kvarvarande 16 adressbi- tarna hos uppslagningsminnet.
Dataintegritet och felåterhämtning En fotomask kan innehålla 150 mm x 150 mm / (0,1 um x 0,1 um)pixlar = 2,25 x 10” pixlar per skrivet pass.
Bitfel i data kan resultera i punktfelaktigheter i det skrivna mönstret. Bitfel är ofta ett resultat av elektro- nisk interferens och inträffar ofta i skurar i vilket fall chip som produceras med anledning av fotomasken kan få funktionsfel. data tillsammans med en checksumma, och en felflagga I det föredragna utförandet överförs sätts om checksumman är fel. Detta görs för alla högvo- lymdataflöden ända upp till DAC-låskretsen. När ett fel- förhàllande sätts förhindras den följande laserpulsen och skrivaren träder in i ett àterhämtningstillstànd som fortsätter skrivandet ifrån den förhindrade blixten när felförhållandet är undanröjt. Ett antal andra interna förhållanden sätter felflaggor, exempelvis när data inte är färdigt.
Sekvensen av laserpulser övervakas också så att frånvaro av en laserpuls inom en förutbestämd period ef- ter lasertriggsignalen sätter ett felförhàllande. Efter- som pulsen saknades skedde ingen exponering och masksub- stratet har inte förstörts av felet. Därför, innefattar en normal felåterhämtningssekvens stoppande av dataflö- det, tande av den normala rörelsen utan exponering), backande stoppande av den mekaniska rörelsen (eller fortsät- av data, återstartande av samma remsa på nytt och till- 10 516 914 5"; . 2"; :av aa 12 slagande av lasern vid blixten som missades. Andra fel- förhållanden som behandlas pà samma sätt är plattformspo- sitionsfel utöver ett förutbestämt gränsvärde, och luft- trycksförändringar. Varje tillstànd eller förhållande som innebär en risk för skrivfel kan behandlas på samma sätt med, för ovanliga fel, mycket låg genommatningskostnad.
Datavägen är därför utformat med möjlighet till snabb àterladdning av den sista SLM-bitmappen. Dataöverförings- fel tidigare i datavägen orsakar àterfrakturering och àterrastrering av samma data.
Claims (21)
1. Metod för att med hög genommatning och precision omvandla mönsterdata i ett symboliskt ingàngsformat, ex- till en flervärdesbitmap och mata denna (SLM) i en kännetecknad av att den omfattar empelvis GDSII, bitmap till en analog spatialljusmodulator mönstergenerator, stegen att acceptera det ingående formatet och frakturera det till fraktureringsfält i åtminstone en fraktureringspro- cessor, sända frakturerad data för ett fraktureringsfält till en rastreringsmodul med åtminstone en rastrerings- processor, i nämnda rastringsprocessor rastrera åtminstone en del av datan till en motsvarande bitmap svarande mot ett område hos SLM och ladda nämnda motsvarande bitmap till nämnda om- råde hos SLM.
2. Metod i enlighet med patentkrav 1 varvid under laddandet av bitmapsdata till SLM ett flervärdesdata för en pixel omvandlas till en analog flervärdig elektromag- netisk kvantitet.
3. Metod i enlighet med patentkrav 2, där nämnda elektromagnetiska kvantitet är en elektrisk potential.
4. Metod i enlighet med patentkrav 1, där bitmapsda- ta korrigeras för icke-linjäritet i svaret för SLM eller för pixel för pixelvariationer.
5. Metod i enlighet med patentkrav 4, där nämnda korrigering är baserad på datavärden och pixelposition i SLM.
6. Metod i enlighet med patentkrav 4, där nämnda korrigering är baserad på pixelvärden och en av en upp- sättning svarsfunktioner för en pixel motsvarande varia- tioner för åtminstone en fysisk parameter.
7. Metod i enlighet med patentkrav 6, där nämnda fy- siska parameter innefattar åtminstone en av följande: 10 15 20 25 30 35 14 - elektronisk förskjutning - elektronisk förstärkning - mekanisk styvhet hos en spegel - inbyggd spänning - vàgfrontsplatthet - stràlpekande - ljuseffektivitet, exempelvis reflektion eller transmission - en minneseffekt.
8. Metod i enlighet med patentkrav 1, varvid det finns åtminstone två rastreringsmoduler.
9. Metod i enlighet med patentkrav 8, varvid ytan hos SLM är uppdelad till underfält och en rastreringsmo- dul är permanent tilldelad ett underfält.
10. Metod i enlighet med patentkrav 9, varvid frak- tureringsfälten motsvarar underfält hos SLM.
11. ll. Metod i enlighet med patentkrav 4, där data för en pixel korrigeras med uppslagning i en förlagrad upp- slagningstabell.
12. Metod för att med hög genommatning och precision omvandla mönsterdata i ett symboliskt ingående format, exempelvis GDSII, till en flervärdig bitmap och mata den- na bitmap till en analog spatialljusmodulator (SLM) i en mönstergenerator, k ä n n e t e c k n a d a v att den omfattar stegen att acceptera det ingående formatet och frakturera det till fraktureringsfält i åtminstone en fraktureringspro- cessor, tilldela en motsvarande område för SLM till ett mot- svarande område i den ingående mönsterbeskrivningen, sända fraktureringsdata för nämnda mönsteromràde till en rastreringsmodul som har åtminstone en rastre- ringsprocessor, i nämnda rastreringsmodul rastrera åtminstone en del av datan för motsvarande bitmap, och ladda nämnda bitmap till nämnda område för SLM. 10 15 20 25 30 35 516 914 15
13. stone två områden hos SLM är tilldelat till två områden i den ingående datan och sänds till två rastreringsproces- Metod i enlighet med patentkrav 12, där åtmin- sorer.
14. stone två fraktureringsprocessorer sänder data till åt- Metod i enlighet med patentkrav 12, där åtmin- minstone två rastreringsprocessorer.
15. Metod i enlighet med patentkrav 12, där en frak- tureringsprocessor sänder data till åtminstone en rastre- ringsprocessor och en annan fraktureringsprocessor sänder data till åtminstone en rastreringsprocessor som inte mottar data från den första fraktureringsprocessorn.
16. Metod i enlighet med patentkrav 15, varvid det är en fast associering mellan fraktureringsprocessorn och rastreringsprocessorn.
17. Metod i enlighet med patentkrav 12, där en frak- tureringsmodul sänder data till åtminstone en rastre- ringsmodul innehållande åtminstone två rastreringsproces- sorer.
18. tureringsmodul innehåller åtminstone två frakturerings- Metod i enlighet med patentkrav 12, där en frak- processorer som sänder data till åtminstone en rastre- ringsmodul innehållande åtminstone två rastreringsproces- sorer.
19. Metod i enlighet med patentkrav 12, där en frak- tureringsmodul sänder data till en rastreringsmodul och en annan fraktureringsmodul sänder data till en annan ra- streringsmodul.
20. Metod för att med hög genommatning och precision omvandla mönsterdata i ett symboliskt ingående format, exempelvis GDSII, till en flervärdig bitmap och mata nämnda bitmap till en analog spatialljusmodulator (SLM) i en mönstergenerator, k ä n n e t e c kn a d a v att den om- fattar stegen att acceptera det ingående formatet och frakturera det till fraktureringsfält i åtminstone en fraktureringspro- cessor, 10 15 20 25 516 914 .É¥fl;{ïÉ¿ÜÉ_@{3 16 Vmärka data i fraktureringsfältet med deras avsedda position i mönstret, sända frakturerade och märkta fält till åtminstone en rastreringsmodul, rastrera, i nämnda rastreringsmodul, åtminstone en del av den märkta frakturerade datan till märkta bitmapp- ar, och ladda nämnda bitmappar till områden för SLM som bestäms av märkningen.
21. Rastrerare för att med hög genommatning och pre- cision omvandla mönsterdata i en symbolisk ingående for- mat exempelvis GDSII, till en flervärdig bitmap och mata nämnda bitmap till en analog spatialljusmodulator (SLM) i en mönstergenerator, k ä n n e t e c kn a d a v att den om- fattar: en ingående kanal, exempelvis en nätverksanslutning eller en station för ett anslutningsbart media, för in- matning av mönsterdata, en fraktureringsmodul för frakturering av nämnda in- gående data till fraktureringsfält, en rastreringsmodul för rastrering av data för frak- tureringsfälten till flervärdiga bitmappar, och en överföringsstruktur, exempelvis en buss eller ett seriellt datagränssnitt, för laddande av nämnda bitmappar till nämnda SLM.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9903243A SE516914C2 (sv) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering |
CNB008125694A CN1203376C (zh) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | 一种图形数据转换方法及装置 |
AU75664/00A AU7566400A (en) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | Data path for high performance pattern generator |
DE10085017T DE10085017B4 (de) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | Datenpfad für Hochleistungs-Mustergenerator |
JP2001522140A JP2003508825A (ja) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | 高性能パターン発生器のためのデータパス |
KR1020027003117A KR100748767B1 (ko) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | 고성능 패턴 발생기를 위한 데이터 경로 |
US10/049,286 US6717097B1 (en) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | Data path for high performance pattern generator |
PCT/SE2000/001749 WO2001018606A1 (en) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | Data path for high performance pattern generator |
US10/782,863 US7590966B2 (en) | 1999-09-09 | 2004-02-23 | Data path for high performance pattern generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9903243A SE516914C2 (sv) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9903243D0 SE9903243D0 (sv) | 1999-09-09 |
SE9903243L SE9903243L (sv) | 2001-03-10 |
SE516914C2 true SE516914C2 (sv) | 2002-03-19 |
Family
ID=20416954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9903243A SE516914C2 (sv) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6717097B1 (sv) |
JP (1) | JP2003508825A (sv) |
KR (1) | KR100748767B1 (sv) |
CN (1) | CN1203376C (sv) |
AU (1) | AU7566400A (sv) |
DE (1) | DE10085017B4 (sv) |
SE (1) | SE516914C2 (sv) |
WO (1) | WO2001018606A1 (sv) |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JP4273291B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2009-06-03 | 株式会社オーク製作所 | 多重露光描画装置および多重露光描画方法 |
JP4324645B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2009-09-02 | 株式会社オーク製作所 | 多重露光描画装置および多重露光描画方法 |
US6950194B2 (en) * | 2001-12-07 | 2005-09-27 | Micronic Laser Systems Ab | Alignment sensor |
US7106490B2 (en) * | 2001-12-14 | 2006-09-12 | Micronic Laser Systems Ab | Methods and systems for improved boundary contrast |
SE0200547D0 (sv) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | Micronic Laser Systems Ab | An image forming method and apparatus |
SE0200864D0 (sv) * | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for printing large data flows |
DE10242142A1 (de) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Kleo Halbleitertechnik Gmbh & Co Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von belichteten Strukturen |
US7365743B1 (en) | 2002-10-08 | 2008-04-29 | Adobe Systems Incorporated | Assignments for parallel rasterization |
KR101060567B1 (ko) | 2002-10-25 | 2011-08-31 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그라피 시스템 |
SE0300516D0 (sv) * | 2003-02-28 | 2003-02-28 | Micronic Laser Systems Ab | SLM direct writer |
CA2526467C (en) | 2003-05-20 | 2015-03-03 | Kagutech Ltd. | Digital backplane recursive feedback control |
US6833854B1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-21 | Micronic Laser Systems Ab | Method for high precision printing of patterns |
EP1631853A1 (en) | 2003-06-12 | 2006-03-08 | Micronic Laser Systems Ab | Method for high precision printing of patterns |
US7186486B2 (en) * | 2003-08-04 | 2007-03-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method to pattern a substrate |
US6876440B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-05 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region |
US7023526B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-04-04 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation |
US7410736B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones |
US7842926B2 (en) * | 2003-11-12 | 2010-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for correcting SLM stamp image imperfections |
EP1702242A2 (en) * | 2004-01-08 | 2006-09-20 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for data integrity checking |
JP2007522671A (ja) * | 2004-02-25 | 2007-08-09 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法 |
JP2005300807A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Pentax Corp | 描画装置 |
JP2005300812A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Pentax Corp | 描画装置 |
JP4068081B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2008-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線描画装置 |
US7242456B2 (en) * | 2004-05-26 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions |
JP4601482B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-12-22 | 新光電気工業株式会社 | 描画装置および描画方法 |
JP2008511144A (ja) * | 2004-08-23 | 2008-04-10 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 強化されたcd線形性のための非コヒーレント結像システムのひとみ改善 |
US7278129B2 (en) * | 2004-09-09 | 2007-10-02 | Micronic Laser Systems Ab | Healing algorithm |
JP2006113413A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画方法および描画装置 |
JP2006113412A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画方法および描画装置 |
US7457547B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-11-25 | Optium Australia Pty Limited | Optical calibration system and method |
KR101101290B1 (ko) | 2004-11-15 | 2012-01-04 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 레이저 비아 드릴링 동안 형성되는 결함을 가지는 표본에의 추적 및 표시 |
US7349068B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403865B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | System and method for fault indication on a substrate in maskless applications |
US7477772B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression |
US20090135200A1 (en) * | 2005-06-28 | 2009-05-28 | Mark Alan Schultz | Selective Edge Blending Based on Displayed Content |
US7965373B2 (en) * | 2005-06-28 | 2011-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load |
KR101407913B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2014-06-17 | 마이크로닉 마이데이터 아베 | 설계 데이터의 다중 형태에 기반한 패턴 발생 방법 및시스템 |
US7303440B2 (en) * | 2005-10-03 | 2007-12-04 | Stull Michael F | Universal battery charger/power source adapter |
US7528932B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-05-05 | Micronic Laser Systems Ab | SLM direct writer |
DE102006008080A1 (de) | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Kleo Maschinenbau Ag | Belichtungsanlage |
CN100456137C (zh) * | 2006-06-02 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻机同步时序控制串行数据通讯方法和系统及应用 |
US8749463B2 (en) | 2007-01-19 | 2014-06-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Phase-modulating apparatus |
KR101446820B1 (ko) | 2007-02-06 | 2014-10-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 내의 다수의 미러 어레이들을 감시하는 방법 및 장치 |
US7890814B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-02-15 | Microsoft Corporation | Software error report analysis |
US20090199152A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Methods and apparatuses for reducing mura effects in generated patterns |
EP2269108B1 (en) * | 2008-04-24 | 2017-11-01 | Micronic Mydata AB | Spatial light modulator with structured mirror surfaces |
NL1036861A1 (nl) * | 2008-07-25 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Measurement apparatus and method. |
US8893061B2 (en) * | 2009-01-30 | 2014-11-18 | Synopsys, Inc. | Incremental concurrent processing for efficient computation of high-volume layout data |
US8065638B2 (en) * | 2009-01-30 | 2011-11-22 | Synopsys, Inc. | Incremental concurrent processing for efficient computation of high-volume layout data |
US8539395B2 (en) | 2010-03-05 | 2013-09-17 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
US8507159B2 (en) | 2011-03-16 | 2013-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electron beam data storage system and method for high volume manufacturing |
US8473877B2 (en) * | 2011-09-06 | 2013-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Striping methodology for maskless lithography |
US8893059B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-11-18 | Kla-Tencor Corporation | Pattern data system for high-performance maskless electron beam lithography |
US9224183B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-12-29 | Intel Corporation | Projection of a plurality of structured light patterns |
US8609308B1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-17 | Taiwan Semicondcutor Manufacturing Company, Ltd. | Smart subfield method for E-beam lithography |
US10714427B2 (en) | 2016-09-08 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Secure chips with serial numbers |
US10418324B2 (en) * | 2016-10-27 | 2019-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4572956A (en) * | 1982-08-31 | 1986-02-25 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism |
US4659429A (en) * | 1983-08-03 | 1987-04-21 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for production and use of nanometer scale light beams |
US5365561A (en) * | 1988-03-25 | 1994-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control in an X-ray exposure apparatus |
US4977458A (en) * | 1988-11-16 | 1990-12-11 | Eastman Kodak Company | Apparatus for addressing a font to suppress Moire patterns occurring thereby and a method for use therein |
US5864146A (en) * | 1996-11-13 | 1999-01-26 | University Of Massachusetts Medical Center | System for quantitative radiographic imaging |
US5199054A (en) * | 1990-08-30 | 1993-03-30 | Four Pi Systems Corporation | Method and apparatus for high resolution inspection of electronic items |
JPH04237115A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 描画パターンの精度モニタ方法 |
JPH04288813A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | Fujitsu Ltd | 露光装置及びこれを用いた露光データ処理方法 |
JP3138005B2 (ja) * | 1991-05-20 | 2001-02-26 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
US5296917A (en) * | 1992-01-21 | 1994-03-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of monitoring accuracy with which patterns are written |
US5189306A (en) * | 1992-03-24 | 1993-02-23 | International Business Machines Corporation | Grey-splice algorithm for electron beam lithography post-processor |
CA2148121A1 (en) * | 1992-11-02 | 1994-05-11 | Robin L. Teitzel | Rasterizer for a pattern generation apparatus |
JPH06310410A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビーム露光データ構成法 |
JPH07263323A (ja) * | 1994-03-20 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 露光データ作成方法及び装置 |
JP3472009B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2003-12-02 | 富士通株式会社 | 露光データ作成装置、露光データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
US5631721A (en) | 1995-05-24 | 1997-05-20 | Svg Lithography Systems, Inc. | Hybrid illumination system for use in photolithography |
JP3601630B2 (ja) * | 1995-11-01 | 2004-12-15 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写方法 |
JPH09162101A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Fujitsu Ltd | パターン露光方法及び電子ビーム露光装置 |
EP1909318A3 (en) * | 1996-03-19 | 2009-12-09 | Hitachi, Ltd. | Process management system |
JPH09293661A (ja) * | 1996-04-25 | 1997-11-11 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体装置の製造方法及び露光マスク及び半導体装置 |
US5962172A (en) * | 1996-11-12 | 1999-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing a semiconductor device |
US6037967A (en) * | 1996-12-18 | 2000-03-14 | Etec Systems, Inc. | Short wavelength pulsed laser scanner |
SE509062C2 (sv) * | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US6104035A (en) * | 1997-06-02 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam exposure apparatus and method |
US6051344A (en) * | 1997-06-17 | 2000-04-18 | Intel Corporation | Multiple reduction photolithography technique |
JPH1154392A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光方法 |
JP4207232B2 (ja) * | 1997-09-02 | 2009-01-14 | 株式会社ニコン | 荷電ビーム露光装置 |
JPH1187223A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Sony Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
US6038041A (en) * | 1997-09-17 | 2000-03-14 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Three-dimensional holographic fluorescence microscope |
US6087052A (en) * | 1997-10-01 | 2000-07-11 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method utilizing subfield proximity corrections |
JPH11204423A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Nikon Corp | パターン転写方法及びパターン転写用マスク |
JP3594474B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2004-12-02 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びそれを実施する荷電粒子ビーム露光装置 |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
WO1999063585A1 (fr) * | 1998-06-02 | 1999-12-09 | Nikon Corporation | Organe d'alignement de balayage, son procede de fabrication et procede de fabrication de dispositif |
US6040095A (en) * | 1998-09-30 | 2000-03-21 | Nikon Corporation | Measurement marks for e-beam projection mask and method of using |
US6496160B1 (en) * | 1999-04-29 | 2002-12-17 | Evans & Sutherland Computer Corporation | Stroke to raster converter system |
US6675169B1 (en) * | 1999-09-07 | 2004-01-06 | Microsoft Corporation | Method and system for attaching information to words of a trie |
JP4017935B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-12-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | マルチビーム型電子線描画方法及び装置 |
WO2006083685A2 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Asml Holding N.V. | Method and system for a maskless lithography rasterization tecnique based on global optimization |
-
1999
- 1999-09-09 SE SE9903243A patent/SE516914C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-09-08 US US10/049,286 patent/US6717097B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 JP JP2001522140A patent/JP2003508825A/ja active Pending
- 2000-09-08 KR KR1020027003117A patent/KR100748767B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-08 DE DE10085017T patent/DE10085017B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 AU AU75664/00A patent/AU7566400A/en not_active Abandoned
- 2000-09-08 WO PCT/SE2000/001749 patent/WO2001018606A1/en active Application Filing
- 2000-09-08 CN CNB008125694A patent/CN1203376C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-23 US US10/782,863 patent/US7590966B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040159636A1 (en) | 2004-08-19 |
DE10085017B4 (de) | 2011-08-11 |
US7590966B2 (en) | 2009-09-15 |
KR20020072530A (ko) | 2002-09-16 |
KR100748767B1 (ko) | 2007-08-13 |
CN1373862A (zh) | 2002-10-09 |
CN1203376C (zh) | 2005-05-25 |
SE9903243D0 (sv) | 1999-09-09 |
DE10085017T1 (de) | 2002-10-24 |
JP2003508825A (ja) | 2003-03-04 |
SE9903243L (sv) | 2001-03-10 |
US6717097B1 (en) | 2004-04-06 |
WO2001018606A1 (en) | 2001-03-15 |
AU7566400A (en) | 2001-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE516914C2 (sv) | Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering | |
EP1012783B1 (en) | Data-conversion method for a multibeam laser writer for very complex microlithographic patterns | |
KR100310279B1 (ko) | 패턴발생장치용라스터라이저 | |
CN101276152A (zh) | 绘图装置 | |
US4900130A (en) | Method of scanning | |
DE4007021C2 (sv) | ||
US7704653B2 (en) | Method of data encoding, compression, and transmission enabling maskless lithography | |
JP4017935B2 (ja) | マルチビーム型電子線描画方法及び装置 | |
CN1101136A (zh) | 使用空间光调制器的灰度印刷 | |
EP0956516A1 (en) | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate | |
JP5215018B2 (ja) | 画像記録装置 | |
US20090161173A1 (en) | Frame Data Producing Apparatus, Method and Plotting Apparatus | |
US20040004699A1 (en) | High resolution point array | |
US6487460B1 (en) | Laser marker | |
US20090074401A1 (en) | Image recording processing circuit, image recording apparatus and image recording method using image recording processing circuit | |
JP3200503B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JP2005521253A (ja) | 大量データフローをプリントする方法と装置 | |
JPS6246518A (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
JP2007245537A (ja) | 画像形成装置 | |
EP0461832B1 (en) | Method and apparatus for generating character pattern | |
WO1990007753A1 (en) | Resequencing line store device | |
US4468566A (en) | Corpuscular beam control circuit arrangement | |
DE102009011667A1 (de) | Bilderzeugungsvorrichtung | |
JP2010224474A (ja) | 画像記録装置 | |
JPH03108712A (ja) | 電子ビーム描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |