JPH09293661A

JPH09293661A - 半導体装置の製造方法及び露光マスク及び半導体装置

Info

Publication number: JPH09293661A
Application number: JP8105584A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Hayakawa; 川良広早
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Microelectronics Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Priority date: 1996-04-25
Filing date: 1996-04-25
Publication date: 1997-11-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ステッパ装置等を用いて露光エリアよりも大
きいパターンをチップ上に露光する場合に、ショット数
を極力少なくし、スループットを大きくし、量産能力を
向上する。【解決手段】サイズの大きい半導体装置の回路パター
ンを複数に分割し、これをステッパ露光装置の露光フィ
ールド内に配置し、分割された回路パターンをつなぎ合
わせるように描画することによってサイズの大きい半導
体装置のチップパターンを形成する。例えば、図１
（１）のような第１ショットマップと図１（２）のよう
な第２ショットマップの２種類のショットマップを用い
ることにより、図１（３）に示すような半導体チップを
作製する。第１ショットマップでは、ａ〜ｃのパターン
により分割し、第２ショットマップでは、Ａ〜Ｃのパタ
ーンにより分割する。いずれかのショットマップを用い
て各層毎に最適なショットを行いリニアイメージセンサ
を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及び露光マスク及び半導体装置に係り、特に、縮小
投影露光装置（ステッパ）を用いる場合、その露光エリ
アよりも大きいパターンをチップ上に露光することがで
きる半導体装置の製造方法、その製造方法に使用される
露光マスク、及びその製造方法・露光マスクにより製造
された半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、画像を読取るための固体撮像デバ
イスとしては、ＣＣＤ(Charge Coupled Device) 、ＢＢ
Ｄ(Bucket Brigade Device) 、ＣＩＤ(Charge Injectio
n Device) 等の電荷転送デバイスが用いられている。こ
のような固体撮像デバイスのうち、特に、文字原稿や写
真等を読取るスキャナにはリニアイメージセンサが用い
られている。リニアイメージセンサは画素の読取り素
子、電荷転送素子が一次元状に配置されており、例え
ば、１０２４〜１００００画素の画素数の製品が提供さ
れている。このようなリニアイメージセンサの長手方向
のチップ長は、例えば、１８〜８０ｍｍ程となり、半導
体装置としては非常に大型である。原稿に密着して画像
を読取る密着型のスキャナには、情報の取込み範囲の拡
大が求められるため、リニアイメージセンサはより長く
なる傾向にある。

【０００３】このようなリニアイメージセンサを製造す
るためには、サイズの大きい設計パターンをチップに投
影することの出来る露光装置が必要である。

【０００４】一般に、光縮小投影露光装置（ステッパ装
置）は、微細加工を行うために好適な露光装置である
が、縮小投影可能な露光フィールドは、例えば、１７．
５ｍｍ×１７．５ｍｍ程度しかない。ＣＣＤ等のリニア
イメージセンサのように長手の半導体装置は、ステッパ
装置の露光エリアを越えてしまう。

【０００５】そこで、従来では、以下のように、長いチ
ップ長の半導体装置であっても、ステッパ装置を用いて
パターン描画することを可能としている。すなわち、サ
イズの大きい半導体装置の全体のパターンを複数に分割
し、これを露光装置の露光フィールド内に配置し、分割
されたパターンをウエハ上でつなぎ合わせることによっ
てサイズの大きい半導体装置のチップパターンを描画す
る。その結果、露光装置の露光エリアを越えるチップ長
を有する半導体装置をウエハに多数描画することが可能
となる。

【０００６】以下、このような従来の技術について図面
を参照して説明する。半導体装置の製造工程において
は、ウエハにパターンを描画するため複数のマスクが使
用される。ステッパ装置は原画パターンを光学的に縮小
転写し、ウエハに描画する。ここでは、半導体装置とし
てＣＣＤリニアイメージセンサを製造する場合を想定し
て説明する。

【０００７】図６に、リニアイメージセンサを例に、従
来のマスクイメージで作製した半導体チップの概要図を
示す。

【０００８】この例は、リニアイメージセンサを複数の
パターンＡ〜Ｃに分割して作製するものである。ここで
は、このような、リニアイメージセンサ等の素子のパタ
ーン分割図をショットマップと呼ぶことにする。中間部
６１₁〜６１₇は、パターンＢで露光される部分であ
り、所定数の光電変換素子と所定数の電荷転送素子とを
備えている。パターンＢを複数繰り返し連結することに
よって、所望の長さのイメージセンシングエリアの大部
分を形成する。左端部６２は、パターンＡにより、ま
た、右端部６３はパターンＣによりそれぞれ露光され
る。左端部６２及び右端部６３は、イメージセンシング
エリアの他に、フォトゲート、トランスファゲート、リ
セットゲート、出力ゲートなどの複数の電極等を具備す
る。

【０００９】つぎに、図７に、図６のようなリニアイメ
ージセンサを作製するための従来の半導体マスク概要図
を示す。ここでは、一例として、第１層マスク７１から
第６層マスク７６により、１セットのマスクイメージを
構成する場合を想定する。

【００１０】ウエハに１チップ分のリニアイメージセン
サをパターン描画する場合について説明する。ウェハは
予めレジストが塗布され、ステッパ装置に搭載されてい
るとする。まず、各部のパターンが形成された第１層マ
スク７１をステッパ装置にセットする。ステッパ装置で
は、制御コンピュータに、第１層マスク７１上の分割パ
ターンの投影順序及びステップピッチ等が予めプログラ
ムされている。また、ステッパ装置では、マスクパター
ン（レクチルパターン）の投影像に対し、ウエハを規則
的に移動することができる。

【００１１】ステッパ装置は、第１層マスク７１のパタ
ーンＡを投影するために、中間部６１₁〜６１₇及び左
端部６３に対応するパターンＢ及びＣをブラインド機能
により遮光する。そして、ウエハを載置したウエハステ
ージを移動して、第１層マスク７１とウエハとの位置を
調整し、左端部６２のみをウエハの基準位置に描画す
る。ここで、左端部６２は、第１層マスク７１のパター
ンを適宜縮小して露光される。なお、縮小せずに同サイ
ズで露光することもできる。

【００１２】図８に、ブラインド機能において用いられ
るブラインドの例を示す。図８（１）は、パターンＡを
露光するためのブラインドａを示すもので、斜線部分は
光を透過しない部分である。また、図８（２）及び図８
（３）は、それぞれパターンＢ及びＣを露光するための
ブラインドｂ及びｃである。

【００１３】次に、ウエハステージを移動し、第１層マ
スク７１をウエハのｘ方向にパターンＡの幅だけ相対的
に移動する。そして、左端部６２及び右端部６３に対応
するパターンＡ及びＣをブラインドｂにより遮光する。
次に、中間部６１₁に対応するパターンＢを、先ほど描
画された左端部６２に隣接してウエハに露光する。同様
に、必要な画素数が得られるようにパターンＢをｘ方向
に相対的に移動して露光を繰返すことにより、中間部６
１₂〜６１₇を形成する。

【００１４】さらに、第１層マスク７１の左端部６２及
び中間部６１₁〜６１₇に対応するパターンＢ及びＡを
ブラインドｃにより遮光する。そして、第１層マスク７
１をウエハのｘ方向に相対的に移動し、右端部６３が中
間部６１₇の右端に隣接するように描画する。

【００１５】各パターンの境界部分においては、配線等
の接続されるべきパターンが連続するように形成され
る。このようにして、ウエハ上にリニアイメージセンサ
の第１層のマスクパターンが描画される。そして、パタ
ーンが描画された後、ウエハは、フォトレジストの現像
工程により現像され、更に、エッチングや拡散等の公知
の複数の工程を経て半導体装置の第１層が作製される。
同様に、第２層マスク７２から第６層マスク７６を用い
て各パターンＡ〜Ｃを露光し、第２層から第６層までの
製造工程を繰り返すことにより、図６に示すようなリニ
アイメージセンサが完成される。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の場合、１種類のショットマップにより素子をパタ
ーン分割して、全層について同一パターンのショットで
チップを作製しているため、どうしてもショット数が多
くなってしまう。上述の例では、各層について、パター
ンＡが１ショット、パターンＢが７ショット、パターン
Ｃが１ショット、計９ショット必要である。全６層につ
いては、合計５４ショットが必要となる。だからといっ
て、マスクエリアには限界があるので、パターンＡのよ
うにパターンＢを長くすることはできない。

【００１７】本発明は、ステッパ装置等を用いて露光エ
リアよりも大きいパターンをチップ上に露光する場合
に、２種類以上のショットマップを用いて各層毎に最適
なショットを行い半導体を作製することにより、ショッ
ト数を極力少なくし、ウェハの単位時間当たりの作製枚
数、即ちスループットを大きくし、量産能力を向上する
ことを目的とする。

【００１８】

【課題解決するための手段】本発明は、第１の実施の形
態によると、露光マスクのマスクエリア以上の大きさの
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
第１ショットマップにより一つの前記半導体装置を複数
領域に分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置
する第１の層のマスク作製工程と、前記第１ショットマ
ップとは異なる第２ショットマップにより一つの前記半
導体装置を複数領域に分割し、該領域のパターンをマス
クエリアに配置することによる第２の層のマスク作製工
程と、前記第１又は第２の層のマスクを用いて所定の各
層のパターンを露光する露光工程とを含む半導体装置の
製造方法を提供する。

【００１９】また、本発明は、第２の実施の形態による
と、露光マスクのマスクエリア以上の大きさの半導体装
置を製造する半導体装置の露光マスクにおいて、第１シ
ョットマップにより一つの前記半導体装置を複数領域に
分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置した第
１の層のマスクと、前記第１ショットマップとは異なる
第２ショットマップにより一つの前記半導体装置を複数
領域に分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置
した第２層のマスクとを備え、適宜前記第１層又は第２
層のマスクを用いて各層のパターンを露光することによ
り半導体装置を製造する半導体装置の露光マスクを提供
する。

【００２０】さらに、本発明は、上記のような半導体装
置の製造方法により製造された半導体装置、及び、上記
のような半導体装置の露光マスクにより製造された半導
体装置を提供する。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１に、リニアイメージセンサを
例に、本発明のマスクイメージで作製した半導体チップ
の概要図を示す。

【００２２】この例は、リニアイメージセンサを複数の
パターンに分割して作製するものである。ここでは、リ
ニアイメージセンサのパターン分割図として、図１
（１）のような第１ショットマップと図１（２）のよう
な第２ショットマップの２種類のショットマップを用い
ることにより、図１（３）に示すような半導体チップを
作製することを想定する。

【００２３】第１ショットマップは、パターンａ〜ｃに
分割することにより、主にイメージセンシングエリアを
形成するものである。この例では、第１層〜第３層及び
第６層が、この第１ショットマップにより作製される。
中間部１１１₁〜１１１₃は、パターンａで露光される
部分であり、所定数の光電変換素子及び電荷転送素子を
備えている。この場合、同一マスクの繰り返しパターン
であるパターンａについて、マスクエリアを最大限に活
用して長いパターンを形成する。このようなパターンａ
を複数繰り返し連結することによって、所望の長さのイ
メージセンシングエリアの大部分を、わずかなショット
数で有効に形成することができる。左端部１１２は、パ
ターンｂにより、また、右端部１１３はパターンｃによ
りそれぞれ露光される。これらのパターンは、マスクエ
リアの残りの箇所に描画すればよい。

【００２４】第２ショットマップは、パターンＡ〜Ｃに
分割することにより、主にフォトゲート、トランスファ
ゲート、リセットゲート、出力ゲートなどの複数の電極
等を形成するものである。この例では、第４層及び第５
層が、この第２ショットマップにより作製される。中間
部１２１₁〜１２１₇は、パターンＢで露光される部分
であり、複数繰り返し連結することによって形成され
る。この例では、電極及び光電変換素子は形成されてい
ない。左端部１２２は、パターンＡにより、また、右端
部１２３はパターンＣによりそれぞれ露光される。左端
部１２２及び右端部１２３は、各電極等を具備する。こ
れらの内、特に電極等の回路構成が集中している左端部
１２２について、特定の回路構成を全部又は大部分含む
ようにすることで、マスクエリアを最大限に活用して長
いパターンを一括して形成することができる。

【００２５】つぎに、図２に、図１のようにリニアイメ
ージセンサを作製するための本発明の半導体マスク概要
図を示す。ここでは、一例として、第１層マスク２１か
ら第６層マスク２６により、１セットのマスクイメージ
を構成する場合を想定する。ここでは、ウエハに１チッ
プ分のリニアイメージセンサをパターン描画する場合に
ついて説明する。ウェハは予めレジストが塗布され、ス
テッパ装置に搭載されているとする。

【００２６】まず、第１層については、図１（１）に示
した第１ショットマップにより分割して作製される。各
部のパターンが形成された第１層マスク２１をステッパ
装置にセットする。従来の技術において説明したよう
に、ステッパ装置では、制御コンピュータに、第１層マ
スク２１が第１ショットマップにより制御されること、
また、第１ショットマップによる第１層マスク２１上の
分割パターンの投影順序及びステップピッチ等が予めプ
ログラムされており、また、マスクパターン（レクチル
パターン）の投影像に対し、ウエハを規則的に移動する
ことができる。

【００２７】ステッパ装置は、まず、第１層マスク２１
のパターンｂを投影するために、中間部１１１₁〜１１
１₃及び左端部１１３に対応するパターンａ及びｃをブ
ラインド機能により遮光する。そして、ウエハを載置し
たウエハステージを移動して、第１層マスク２１とウエ
ハとの位置を調整し、左端部１１２のみをウエハの基準
位置に描画する。ここで、左端部１１２は、第１層マス
ク２１のパターンを適宜縮小して露光される。なお、縮
小せずに同サイズで露光することもできる。ブラインド
機能において用いられるブラインドの例は、図８と同様
であり、ここでは、ブラインドｂが用いられる。

【００２８】次に、ウエハステージを移動し、第１層マ
スク２１をウエハのｘ方向にパターンｂの幅だけ相対的
に移動する。そして、左端部１１２及び右端部１１３に
対応するパターンｂ及びｃをブラインドａにより遮光す
る。次に、中間部１２１₁に対応するパターンａを、先
ほど描画された左端部１１２に隣接してウエハに露光す
る。同様に、必要な画素数が得られるようにパターンａ
をｘ方向に相対的に移動して露光を繰返すことにより、
中間部１１１₂〜１１１₃を形成する。

【００２９】さらに、マスクの左端部１１２及び中間部
１１１₁〜１１１₃に対応するパターンｂ及びａをブラ
インドｃにより遮光する。そして、マスクをウエハのｘ
方向に相対的に移動し、右端部１１３が中間１１１₃の
右端に隣接するように描画する。

【００３０】各パターンの境界部分においては、配線等
の接続されるべきパターンが連続するように形成され
る。このようにして、ウエハ上にリニアイメージセンサ
の第１層のマスクパターンが描画される。そして、パタ
ーンが描画された後、ウエハは、フォトレジストの現像
工程により現像され、更に、エッチングや拡散等の公知
の複数の工程を経て半導体装置の第１層が作製される。
同様に、第２層マスク２２から第３層マスク２３を用い
て各パターンａ〜ｃを露光し、第２層から第３層までの
製造工程を繰り返す。

【００３１】つぎに、第４層については、図１（２）に
示した第２ショットマップにより分割して作製される。
各部のパターンが形成された第４層マスク２４をステッ
パ装置にセットする。従来の技術において説明したよう
に、ステッパ装置では、制御コンピュータに、第４層マ
スク２１が第２ショットマップにより制御されること、
また、第１ショットマップによる第１層マスク２１上の
分割パターンの投影順序及びステップピッチ等が予めプ
ログラムされており、また、マスクパターン（レクチル
パターン）の投影像に対し、ウエハを規則的に移動する
ことができる。

【００３２】ステッパ装置は、まず、第４層マスク２４
のパターンＡを投影するために、中間部１２１₁〜１２
１₂及び左端部１２３に対応するパターンＢ及びＣをブ
ラインド機能により遮光する。そして、ウエハを載置し
たウエハステージを移動して、第４層マスク２４とウエ
ハとの位置を調整し、左端部１２２のみをウエハの基準
位置に描画する。ここで、左端部１２２は、第４層マス
ク２４のパターンを適宜縮小して露光される。なお、縮
小せずに同サイズで露光することもできる。ブラインド
機能において用いられるブラインドの例は、図８と同様
であり、ここでは、ブラインドａが用いられる。

【００３３】次に、ウエハステージを移動し、第４層マ
スク２４をウエハのｘ方向にパターンＡの幅だけ相対的
に移動する。そして、左端部１２２及び右端部１２３に
対応するパターンＡ及びＣをブラインドｂにより遮光す
る。次に、中間部１２１1 に対応するパターンＢを、先
ほど描画された左端部１２２に隣接してウエハに露光す
る。同様に、必要な画素数が得られるようにパターンＢ
をｘ方向に相対的に移動して露光を繰返すことにより、
中間部１２１₂〜１２１₇を形成する。

【００３４】さらに、マスクの左端部１２２及び中間部
１２１₁〜１２１₇に対応するパターンＢ及びＡをブラ
インドｃにより遮光する。そして、マスクをウエハのｘ
方向に相対的に移動し、右端部１２３が中間１２１₇の
右端に隣接するように描画する。

【００３５】その後、上述したように、境界部分におい
ては配線等の接続されるべきパターンが連続するように
し、更に公知の複数の工程を経て半導体装置の第４層が
作製される。同様に、第５層マスク２５を用いて各パタ
ーンＡ〜Ｃを露光し、第５層までの製造工程を行う。

【００３６】さらに、第１ショットマップにより、上述
のように第６層を作製することにより、第１層〜第６層
が製造されて、図１（３）に示すようなリニアイメージ
センサが完成される。

【００３７】以上のようにリニアイメージセンサを作製
すると、第１ショットマップにおいては、第１層から第
３層及び第６層について、パターンｂが１ショット、パ
ターンａが３ショット、パターンｃが１ショット、計４
ショット必要である。また、第２ショットマップにおい
ては、各層について、パターンＡが１ショット、パター
ンＢが７ショット、パターンＣが１ショット、計９ショ
ット必要である。全６層については、４ショットｘ４＋
９ショットｘ２＝合計３４ショットが必要となり、従来
の５４ショットに比べ格段に少ないショット数で作製す
ることができる。

【００３８】つぎに、図３に、本発明のマスク概要図の
他の実施の形態を示す。これは、より多くのリニアイメ
ージセンサのパターンを一度に描画するようにしたもの
である。この実施の形態では、リニアイメージセンサの
パターンを画素繰返し部１０１、出力部１０２及び入力
部１０３の３つに分割している。さらに、ひとつのリニ
アイメージセンサのサイズは幅ｐ、長さｑであり、３つ
の部分を、１つのマスク１０上にｙ方向に３チップ分並
べて配置した。また、縮小率を５：１に定めている。

【００３９】このような場合、マスク１０上に形成され
た画素繰返し部１０１のチップパターンのｙ方向のサイ
ズは、リニアイメージセンサのｙ方向の実際の幅ｐの５
倍である５ｐであり、ｘ方向のサイズは実際の幅ｍの５
倍の５ｍである。出力部１０２のチップパターンのｙ方
向のサイズは、５ｐであり、ｘ方向のサイズは出力部１
０２の実際の幅ｌの５倍の５ｌである。入力部１０３の
チップパターンのｙ方向のサイズは、５ｐであり、ｘ方
向のサイズは入力部１０３の実際の幅ｎの５倍の５ｎで
ある。このようなマスク１０は製造工程に応じた数及び
パターンで用意される。ステッパ装置は、画素繰返し部
１０１、出力部１０２、又は入力部１０３を３チップ分
まとめて扱い、出力部、入力部を各１回、画素繰返し部
を４回横方向に描画することで、ウエハのｘ方向におい
て３チップ分のパターンを同時に描画することができ
る。

【００４０】次に、効率的にリニアイメージセンサのパ
ターンを描画するようにした他の実施の形態について、
図５を参照して説明する。この実施の形態では、パター
ンを描画する順序を考慮することにより、ステッパ装置
がマスクパターンを変更する回数を減らしている。

【００４１】まず、各部のパターンが形成されたマスク
１０をステッパ装置にセットし、図５に示されるウェハ
５の左下の基準位置から、出力部１０２等のパターンを
同図中の点線に沿ってステップを繰返して描画するよう
に制御コンピュータにプログラムする。画素繰返し部１
０１及び入力部１０３をステッパ装置のブラインド機能
により遮光し、出力部１０２のみをレジストが塗布され
たウェハ５の基準位置に描画する。ウェハ５に描画され
た出力部１０２₁は、マスク１０に形成されたサイズの
１／５に縮小されて３ｐ×ｌに描かれる。次に、出力部
１０２の投影像１０２をウェハ５のｙ方向に相対的に３
ｐだけ移動する。ウェハ５に描画された出力部１０２₁
の上部に隣接して出力部１０２のパターンを描画するこ
とをウエハの４のｙ方向にに更に６回繰返して行い、ウ
ェハ５の上部左に出力部パターン１０２₂〜１０２₇を
描画する。

【００４２】マスク１０の出力部１０２及び入力部１０
３をブラインド機能により遮光する。画素繰返し部１０
１をウェハ５に描画された出力部１０２₇に隣接してウ
ェハ５のｘ方向に描画し、画素繰返し部パターン１０１
₁を形成する。必要な画素数が得られるように投影パタ
ーンをｘ方向にｍだけ移動することを繰返し、画素繰返
し部パターン１０１₂〜１０１₄の描画を行う。画素繰
返し部パターン１０１₄から、投影パターンをｙ方向に
相対的に−３ｐだけ移動し、画素繰返し部パターン１０
１₅を描画する。以下同様に、画素繰返し部パターン１
０１₆〜１０１₂₈を図中の点線で示すようにジグザグに
描画し、ウェハ５の右下のパターン１０１₂₈に至る。

【００４３】更に、マスク１０の出力部１０２及び画素
繰返し部１０１をブラインド機能により遮光する。マス
ク１０の入力部１０３を選択し、マスク１０をウェハ５
のｘ方向にｍだけ相対的に移動する。画素繰返し部パタ
ーン１０１₂₈の右端に隣接するように描画して入力部パ
ターン１０３₁を形成する。マスク１０をウェハ５のｙ
方向に３ｐだけ相対的に移動して入力部パターン１０３
₁とｙ方向において隣接する入力部パターン１０３₂を
描画する。このようなパターン描画を繰返して入力部パ
ターン１０３₃〜１０３₇を形成する。描画された各部
パターンのｘ方向における境界部分においては、配線等
の接続されるべきパターンが連続するように形成され
る。ステップ式露光装置では、マスクパターン（レクチ
ルパターン）の投影像に対し、ウェハ５をｘ方向及びｙ
方向において規則的に移動することは容易である。

【００４４】こうして、１つのウェハ５に出力部１０２
がｙ方向に７回、画素繰返し部１０１がｙ方向及びｘ方
向に２８回、入力部１０３がｙ方向に７回ショットされ
て、描画パターンが形成される。そして、ウェハ５上に
サイズｐ×ｑのｘ方向に長いリニアイメージセンサのパ
ターンが２１個分描画される。

【００４５】なお、以上のような各実施の形態におい
て、中間部の描画繰返し回数を減らすことによって、ｘ
方向に短手のリニアイメージセンサのパターンを描画す
ることも出来る。この場合、ｘ方向の１行に複数の半導
体チップを作製することができる。

【００４６】また、図５において、説明を簡単にするた
め３つの領域（１０１，１０２，１０３）の各々につい
て、１度に３チップ分を投影することの出来るパターン
で形成しているが、マスクエリアの大きさにより可能な
限り複数分を投影することができる。

【００４７】また、本願発明は、例えば、ステップ装置
のみならず、走査式投影露光装置、ミラーレンズ投影露
光装置、ステップ式Ｘ線露光装置等の露光装置にも適用
可能である。また、縮小サイズを適宜定めたり、同サイ
ズに設定することも適宜可能である。

【００４８】また、ｘ方向のみならず、ｙ方向に長い半
導体装置、ｘ方向及びｙ方向に大きい半導体装置にも適
用することができる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ステッ
パ装置等を用いて露光エリアよりも大きいパターンをチ
ップ上に露光する場合に、２種類以上のショットマップ
を用いて各層毎に最適なショットを行い半導体を作製す
ることにより、ショット数を極力少なくし、ウェハの単
位時間当たりの作製枚数、即ちスループットを大きく
し、量産能力を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマスク（レティクル）で作製した半導
体チップの概要図。

【図２】本発明のマスクの概要図。

【図３】本発明の他の実施の態様における３チップ分の
マスクの説明図。

【図４】図３に示されたマスクにるチップ分の半導体チ
ップの説明図。

【図５】図３に示されるマスクを用いてウエハに描画し
た例を示す説明図。

【図６】従来のマスクで作製した半導体チップの概要
図。

【図７】従来のマスクの概要図。

【図８】ブラインドの説明図。

【符号の説明】

１１１、１１２左端部１１１₁〜１１１₃、１２１₁〜１２１₇ 中間部１１３、１２３右端部２１〜２６第１層〜第７層マスク１０マスク１０マスク１０１画素繰返し部１０２出力部１０３入力部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光マスクのマスクエリア以上の大きさの
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、第１ショットマップにより一つの前記半導体装置を複数
領域に分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置
する第１の層のマスク作製工程と、前記第１ショットマップとは異なる第２ショットマップ
により一つの前記半導体装置を複数領域に分割し、該領
域のパターンをマスクエリアに配置することによる第２
の層のマスク作製工程と、前記第１又は第２の層のマスクを用いて所定の各層のパ
ターンを露光する露光工程とを含む半導体装置の製造方
法。
【請求項２】前記第１の層のマスク作製工程において
は、前記第１の層のマスクが、前記第１ショットマップ
中の繰り返し部分をマスクエリアの幅を十分に使用して
描画した第１のパターンと、該第１のパターンを除いた
マスクエリアに描画した第２のパターンとを備えるよう
に作製し、前記露光工程においては、前記第１のパターンを複数繰
り返して長手方向に露光し、前記第２のパターンを前記
第１のパターンと隣接して露光することにより半導体装
置を製造することを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項３】前記第２の層のマスク作製工程において
は、前記第２の層のマスクが、第２ショットマップ中の
所定の同種工程に係るパターンをマスクエリアの幅を十
分に使用して描画した第３のパターンと、該第３のパタ
ーンを除いたマスクエリアに描画した第４のパターンと
を備えるように作製し、前記露光工程においては、前記第３のパターンを所定の
位置に露光し、前記第４のパターンを前記第３のパター
ンと隣接して露光することにより半導体装置を製造する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項４】前記第１又は第２の層のマスク作製工程に
おいて、前記複数領域に対応するマスクパターンを各層
毎に１枚のマスクに形成し、前記露光工程において、前記複数領域の内、露光不要領
域を遮蔽することにより、所定領域を露光することを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置
の製造方法。
【請求項５】前記第１又は第２の層のマスク作製工程に
おいて、前記半導体装置を複数領域に分割する際、左端
部、中間部及び右端部に分割し、該中間部は所定パター
ンを複数繰り返すことにより形成されることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項６】前記半導体装置はリニアイメージセンサで
あり、前記第１の層のマスク作製工程においては、主にイメー
ジセンシング部を形成し、前記第２の層のマスク作製工程においては、主に電極部
を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】露光マスクのマスクエリア以上の大きさの
半導体装置を製造する半導体装置の露光マスクにおい
て、第１ショットマップにより一つの前記半導体装置を複数
領域に分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置
した第１の層のマスクと、前記第１ショットマップとは異なる第２ショットマップ
により一つの前記半導体装置を複数領域に分割し、該領
域のパターンをマスクエリアに配置した第２層のマスク
とを備え、適宜前記第１層又は第２層のマスクを用いて各層のパタ
ーンを露光することにより半導体装置を製造する半導体
装置の露光マスク。
【請求項８】前記第１の層のマスクは、前記第１ショッ
トマップ中の繰り返し部分をマスクエリアの幅を十分に
使用して描画した第１のパターンと、該第１のパターン
を除いたマスクエリアに描画した第２のパターンとを備
え、前記第１のパターンを複数繰り返して長手方向に露光
し、前記第２のパターンを前記第１のパターンと隣接し
て露光することを特徴とする請求項７に記載の半導体装
置の露光マスク。
【請求項９】前記第２の層のマスクは、第２ショットマ
ップ中の所定の同種工程に係るパターンをマスクエリア
の幅を十分に使用して描画した第３のパターンと、該第
３のパターンを除いたマスクエリアに描画した第４のパ
ターンとを備え、前記第３のパターンを所定の位置に露光し、前記第４の
パターンを前記第３のパターンと隣接して露光すること
を特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の露光
マスク。
【請求項１０】前記第１又は第２の層のマスクは、前記
複数領域に対応するマスクパターンを各層毎に１枚のマ
スクに形成し、前記複数領域の内、露光不要領域を遮蔽することによ
り、所定領域を露光することを特徴とする請求項７乃至
９のいずれかに記載の半導体装置の露光マスク。
【請求項１１】前記第１又は第２の層のマスクは、前記
半導体装置を複数領域に分割する際、左端部、中間部及
び右端部に分割し、該中間部は所定パターンを複数繰り
返すことにより形成されることを特徴とする請求項７乃
至１０のいずれかに記載の半導体装置の露光マスク。
【請求項１２】前記半導体装置はリニアイメージセンサ
であり、前記第１の層のマスクは、主にイメージセンシング部を
形成し、前記第２の層のマスクは、主に電極部を形成することを
特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の半導体
装置の露光マスク。
【請求項１３】請求項１乃至６のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【請求項１４】請求項７乃至１２のいずれかに記載の半
導体装置の露光マスクにより製造された半導体装置。