KR100438647B1 - 고체촬상장치와 그 제조방법 및 마스크 제작방법 - Google Patents

고체촬상장치와 그 제조방법 및 마스크 제작방법 Download PDF

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샤프 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 입사광의 소실(eclipse)에 의한 셰이딩(shading) 및 주변감광에 의한 셰이딩을 모두 개선할 수 있는 고체촬상장치를 제공한다. 본 발명의 고체촬상장치는 기판상에 일정 간격으로 배열된 복수의 수광부(1) 및 입사광이 수광부에 집광되도록 기판상에 각 수광부에 대응하여 배치된 복수의 집광부(2)를 포함한다. 또한, 집광부의 위치가 입사동공 바로 앞의 촬상영역 중심부(21)로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 각 집광부의 위치가 대응하는 수광부에 기초한 촬상영역 중심(O)측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 각 집광부의 기판면에 따른 치수 W1',…, Wn-1', Wn'이 서서히 크게 된다.

Description

고체촬상장치와 그 제조방법 및 마스크 제작방법{SOLID-STATE CAMERA DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MAKING MASK FOR MANUFACTURING THE DEVICE}
본 발명은, 셰이딩을 보정할 수 있는 고체촬상장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 이와 같은 고체촬상장치의 집광부를 형성하기 위한 마스크의 제작방법에 관한 것이다.
최근, 많은 비디오 카메라 및 전자 스틸 카메라에는, 소형화 및 경량화를 위해 고체촬상장치가 내장되어 있다. 도6에 도시한 바와 같이, 일반적으로, 고체촬상장치는, 반도체기판(7)의 표면에 나란히 형성된 수광부(1) 및 수직전송부(6)의 복수의 쌍, 각 수직전송부(6)상에 형성된 복수의 수직전송전극(5), 수직전송부(6)를 커버하고 수광부(1)상에 개구하는 차광막(4) 및 각 수광부(1)상에 형성된 복수의 칼라필터(3)를 포함하고, 입사광을 고효율로 수광부(1)에 집광시키기 위해, 각 칼라필터(3)의 상방에서 각 수광부(1)에 대응하는 위치에 형성된 집광부로서의 복수의 대략 반구형의 마이크로렌즈(2)를 더 포함하고 있다. 이 마이크로렌즈(2)를 형성하는 공정은 이하와 같다. 우선, 차광막(4) 및 칼라필터(3)가 형성된 기판(7)상에, 감광성 및 열연화성을 갖는 투명한 마이크로렌즈용 재료를 도포함으로써, 마이크로렌즈용 재료막을 형성한다. 다음, 소정의 마스크를 사용하여 노광하고, 현상하여 상기 막을 패턴가공한다. 그 후, 열처리에 의해, 패턴가공한 막을 연화시켜 대략 반구형으로 마무리한다.
도7a에 도시한 바와 같이, 카메라의 광학계의 사출동공 거리(사출동공(9a)를 정의하는 조리개(9)와 차광막(4) 사이의 거리)(L)가 긴 경우(L = L1)에는, 촬상영역 중심부(사출동공 바로 앞의 영역)(21)는 물론 촬상영역 주변부(기판면을 따라 촬상영역 중심부로부터 떨어진 영역)(22)에 있어서도, 입사광(IL)은 마이크로렌즈(2)를 통해 차광막(4)의 개구(4a)(즉, 수광부(1))에 입사한다.
한편, 도7b에 도시한 바와 같이, 사출동공 거리(L)이 짧은 경우(L = L2)는, 사출동공 거리가 긴 경우(L = L1)에 비해, 촬상영역 주변부(22), 특히 수평방향 주변부에서, 입사광(IL)의 마이크로렌즈로의 입사각도가 커지고, 입사광(IL)의 일부가 개구(4a)내로 입사하지 않게 되어(소위 입사광(IL)의 "소실(eclipse)"이 발생한다), 수광부(1)로 입사하는 광량의 비율이 저하한다. 이에 따라, 촬상영역 중심부(21)에 비해 촬상영역 주변부(22)에서 촬상장치의 감도가 저하하고, 화면주변부에서 휘도가 저하하는 현상(소위 "셰이딩(shading)"의 악화)를 일으킨다. 도8의 파선은 카메라의 1수평주사기간 1H의 출력전압 파형을 나타내고, 촬상 주변영역의 출력신호 강도(Ve)는 촬상중심부의 출력신호강도(Vo)보다 매우 저하하고 있는 것을 나타낸다.
상기 "셰이딩"의 악화에 대한 대책으로서, 도9에 도시한 바와 같이, 일본국 공개특허공보 6-140609호에는, 촬상영역 중심을 기준으로 하여 미소 스케일링(slight-scaling)을 행하는 기술이 개시되어 있다. 상기 "미소 스케일링"은, 상기 수광부(1)의 간격(P)보다 작은 마이크로렌즈 어레이(동일한 치수를 갖는 마이크로렌즈(2)로 이루어짐)의 간격 P'를 사용하여(P'= a ×P; 배율 a는 a < 1이고, 예컨대 "a"는 0.9999로 설정한다), 마이크로렌즈의 위치가 촬상영역 중심부(21)로부터 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 각 마이크로렌즈(2)를 상기 수광부(1)에 기초하여 촬상영역 중심측을 향해 서서히 크게 시프트하는 기술이다. 이에 따라, 촬상영역 주변부(22)에서의 입사광(IL)의 소실은 감소된다. 도8에서 점선은, 미소 스케일링기술이 Ve및 Vo사이의 차를 감소시킨 것, 즉, 미소 스케일링을 행하지 않은 경우(파선)에 비하여 셰이딩이 어느 정도 보정된 것을 나타낸다.
또한, 카메라의 광학계에서는, 특히 렌즈의 조리개가 개방측에 있을 때, 렌즈의 중앙부를 통과한 빛의 양에 대하여 렌즈의 주변부를 통과한 빛의 양이 적어지는 현상(소위 "주변감광")이 발생한다. 상기 미소 스케일링 기술에서는, 이 주변감광에 의한 셰이딩을 보정할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은, 입사광의 "소실"에 의한 셰이딩을 개선할 수 있고, 주변감광에 의한 셰이딩을 개선할 수 있는 고체촬상장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 이와 같은 고체촬상장치의 집광부를 형성하기 위한 마스크의 제작방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 목적 이외에 다른 목적 및 장점은 첨부 도면을 참조하여 아음에 기술함으로써 당업자들에게 명백하게 할 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 고체촬상장치는, 기판상에 일정한 간격으로 배열된 복수의 수광부와, 입사광을 상기 수광부로 집광하도록 상기 기판상에서 상기 복수의 수광부에 각각 대응하도록 배치된 집광부를 포함하고, 집광부 위치가 사출동공 앞의 상기 기판상의 촬상영역 중심부로부터 주변부에 근접함에 따라, 상기 각 집광부의 위치가 그 집광부에 대응하는 수광부의 위치에 기초하여 촬상영역 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 상기 각 집광부의 상기 기판면에 따른 방향의 치수가 서서히 커지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 고체촬상장치에서는, 상기 집광부의 위치가 사출동공 앞의 기판상의 촬상영역 중심부로부터 주변부로 근접함에 따라, 각 집광부의 위치가 대응하는 수광부의 위치에 기초하여 촬상영역 중심측을 향해 시프트된다. 따라서, 본 발명의 고체촬상장치는, 도9의 고체촬상장치와 같이, 입사광의 소실에 의한 셰이딩을 보정할 수 있다. 또한, 상기 고체촬상장치에서는, 상기 집광부의 위치가 사출동공 앞의 기판상의 촬상영역 중심부로부터 기판면을 따라 주변부로 근접함에 따라, 상기 기판면에 따른 방향으로 상기 각 집광부의 치수가 서서히 커진다. 그 결과, 상기 집광부의 위치가 사출동공 앞의 기판상의 촬상영역 중심부로부터 주변부로 근접함에 따라, 상기 집광부의 기판표면에 따른 방향의 영역이 서서히 증대한다. 즉, 상기 집광부에 의해 집광된 빛의 양이 증대한다. 따라서 주변감광에 의한 광량이 감소한다. 이에 의해, 주변감광에 의한 셰이딩을 보정할 수 있다.
본 발명의 1실시예에 의한 고체촬상장치에 있어서, 상기 촬상영역 중심부로부터 촬상영역 주변부로의 방향은 고체촬상장치의 수평방향에 대응한다.
상기 고체촬상장치에서는, 상기 집광부의 위치가 수평방향으로 촬상영역 주변부로 근접함에 따라, 각 집광부의 위치가 집광부에 대응하는 수광부의 위치에 따라 촬상영역 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 상기 각 집광부의 상기 기판면에 따른 방향의 치수가 서서히 커진다. 따라서, 고체촬상장치의 수평방향으로의 셰이딩이 효과적으로 보정될 수 있다.
본 발명의 1실시예에 의한 고체촬상장치에서는, 상기 촬상영역 중심부로부터 촬상영역 주변부로의 방향이 상기 고체촬상장치의 수직방향에 대응한다.
상기 고체촬상장치에서는, 상기 각 집광부의 위치가 수직방향으로 촬상영역 주변부로 근접함에 따라, 각 집광부의 위치가 이 집광부에 대응하는 수광부의 위치에 따라 촬상영역 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 상기 각 집광부의 상기 기판면에 따른 방향의 치수가 서서히 커진다. 따라서, 고체촬상장치의 수직방향으로의 셰이딩이 효과적으로 보정될 수 있다.
본 발명의 제1실시예의 고체촬상장치에서, 촬상영역 중심부로부터 촬상영역주변부로의 방향이 상기 고체촬상장치의 수직방향과 대응한다.
상기 고체촬상장치에 있어서, 상기 집광부의 위치가 수평방향으로 촬상영역 주변부로 근접함에 따라, 상기 각 집광부의 위치가 상기 수광부의 위치에 ek라 촬상영역의 중심쪽으로 서서히 크게 시프트되고 상기 집광부의 치수가 기판면을 따라 서서히 커지게 된다.
본 발명의 고체촬상장치의 제조방법은, 상기 고체촬상장치를 제조하는 방법으로, 적어도 복수의 수광부가 형성된 반도체기판상에 집광부용 재료막을 형성하는 공정 및 소정의 마스크를 사용하여 노광 및 현상을 행하고 상기 집광부용 재료막을 패턴가공하는 공정을 갖고, 상기 마스크는 상기 각 집광부의 위치와 치수에 각각 대응하는 위치와 치수를 갖는 폐영역 패턴이 배치된 투명기판으로 구성된다.
본 발명의 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 상기 마스크의 패턴으로 인해, 본 발명의 고체촬상장치를, 종래의 고체촬상장치를 제조하는 경우와 완전히 동일한 프로세스를 사용하여 제조할 수 있다. 즉, 집광부용 재료막의 노광공정에서, 종래의 노광공정과 같이 1매의 마스크를 사용하여 1회의 노광을 행하면 된다. 따라서, 고체촬상장치의 생산성이 감소되지 않는다.
본 발명의 마스크 제작 방법은, 투명기판상에 차광막을 형성하고, 전자빔 노광장치로 패터닝을 행하는 방법이고, 평면상에 일정한 간격으로 배열된 복수의 제 1 폐영역 패턴을 정의하는 제 1 마스크 패터닝 데이터와, 상기 제 1 마스크 패턴과 중첩하도록 제 1 데이터의 간격과 동일한 간격으로 동일한 표면상에 배치된 복수의 폐영역 패턴을 정의하는 제 2 마스크 패터닝 데이터를, 각각 소정의 최소 치수 단위로 설정하고, 전자빔 노광장치에 의해, 상기 폐영역 패턴의 어레이의 중심을 기준으로 하여 상기 제 1 폐영역 패턴을 제 1 보정배율로 보정함과 동시에, 상기 제 2 폐영역 패턴을 제 2 보정배율로 보정하고, 상기 제 1 폐영역 패턴과 제 2 폐영역 패턴의 중첩 영역의 위치가 상기 배열의 중심부에서 주변부로 근접함에 따라, 상기 각 중첩 영역의 위치가 상기 보정 전의 대응하는 위치에 따라 상기 어레이의 중심측으로 서서히 크게 시프트되고 중첩 영역의 위치가 상기 어레이의 중심부로부터 주변부로 근접함에 따라 상기 각 중첩 영역의 치수가 서서히 커진다.
본 발명의 마스크 제작방법에 의하면, 제 1 및 제 2 마스크 패터닝 데이터의 최소 치수 단위를 통상의 0.1∼0.01 ㎛ 정도로 설정하고, 상기 제 1 폐영역 패턴과 제 2 폐영역 패턴의 중첩 영역의 위치가 상기 보정 전의 위치에 따라 상기 어레이의 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 상기 각 중첩 영역의 치수가 서서히 커지는 패턴이 차광막상에 형성된다. 그 결과, 실질적으로 극히 작은 최소 치수 단위(최대 O.OOO1㎛)를 갖는 중첩 영역(마스크 패터닝 데이터)이 형성된다. 따라서, 이와 같은 실질적으로 극히 작은 최소 치수 단위로 형성된 마이크로렌즈용 마스크가, 정교하고 복잡한 데이터작성작업을 행하지 않고 간단히 얻어질 수 있다.
본 발명의 1실시예의 마스크 제작 방법은, 기판상에 일정한 간격으로 배열된 복수의 수광부와, 입사광을 상기 수광부상에 집광하도록 상기 복수의 수광부에 각각 대응하여 형성된 복수의 집광부를 포함한 고체촬상장치에 있어서, 상기 각 집광부의 위치가 상기 기판상의 촬상영역 중심부로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부로 근접할 때 요구되는, 대응하는 수광부에 대한 수광부의 드리프트량과, 상기 집광부의 상기 기판면에 따른 방향의 치수변화에 따라, 상기 제 1 및 제 2 보정배율을 설정하는 것을 특징으로 한다.
상술한 형태의 고체촬상장치에서는, 일반적으로, 상기 각 수광부의 위치가 상기 기판상의 촬상영역 중심부로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부로 이동함에 따라 요구되는 상기 집광부가 대응하는 수광부에 대한 드리프트량과, 상기 집광부의 상기 기판면에 따른 방향의 치수 변화는, 시뮬레이션이나 실측에 의해 최적치가 구해진다. 따라서, 이 마스크 제작 방법에서는, 그와 같은 드리프트량과 치수변화의 최적치에 따라 상기 제 1 및 제 2 보정배율을 정의한다. 따라서, 전자빔 노광장치에 의한 보정 전의 제 1 및 제 2 마스크 패터닝 데이터에 어떤 변경도 가할 필요가 없다. 그 결과, 실제의 다양한 고체촬상장치에 적합한 마이크로렌즈용 마스크를, 개별적인 마스크 패터닝 데이터를 작성하지 않고, 공통의 마스크 패터닝 데이터를 사용하여 간단히 제작할 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 1실시예의 고체촬상장치를 나타낸 단면도이다.
도2a는 본 발명에 따른 마스크 제작 방법을 수평방향에 적용한 경우에 최초로 설정되는 마스크 패터닝 데이터를 나타낸 도면이고; 도2b는 도2a의 마스크 패터닝 데이터를 보정한 후의 마스크 패터닝 데이터를 나타낸 도면이며; 도1c는 도1b의 마스크 패터닝 데이터에 의해 얻어진 마이크로렌즈용 마스크패턴을 나타낸 도면이다.
도3은 본 발명에 따른 마스크 제작 방법을 수평방향 및 수직방향에 적용한 경우에 최초로 설정하는 마스크 패터닝 데이터를 나타낸 도면이다.
도4는 도3의 마스크 패터닝 데이터를 보정한 후의 마스크 패터닝 데이터를 나타낸 도면이다.
도5는 도4의 마스크 패터닝 데이터에 의해 얻어진 마이크로렌즈용 마스크패턴을 나타낸 도면이다.
도6은 종래의 고체촬상장치를 나타낸 단면도이다.
도7은 상기 종래의 고체촬상장치에 대하여, (a) 사출동공 거리가 비교적 긴경우의 특성과, (b) 사출동공 거리가 비교적 짧은 경우의 특성을 비교하여 설명하는 도면이다.
도8은 본 발명에 의한 고체촬상장치(실선) 및 종래의 고체촬상장치(점선 및 파선)의 출력신호파형을 나타낸 도면이다.
도9는 도6의 종래의 고체촬상장치의 개량예를 나타내는 도면으로, 상기 집광부의 위치가 촬상영역 중심부에서 촬상영역 주변부에 근접함에 따라, 각 집광부의 위치가 이 집광부에 대응하는 수광부의 위치에 기초하여 촬상영역 중심측으로 서서히 크게 시프트되는 것을 나타낸 도면이다.
이하의 실시예로 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 의한 제 1 실시예의 고체촬상장치는 집광부로서의 대략 반구형의 마이크로렌즈(2)의 위치와 치수를 제외하고, 도6에 나타낸 고체촬상장치와 일반적으로 일치하는 기본적인 특징을 갖는다. 도1은 이와 같은 제 1 실시예의 고체촬상장치의 수평방향단면을 개략적으로 나타낸다. 설명의 편의를 위해, 도6에 도시한 장치의 구성요소와 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 부기하고 그 설명을 생략한다.
상기 고체촬상장치에 있어서, 사출동공(exit pupil)(9a) 앞에 있는 기판(7)상의 촬상영역 중심부(21)에서는, 촬상영역 중심(O)을 따라 마이크로렌즈(2)(P')간 간격이 수광부(1)(즉, 개구 4a)간 간격(P)보다 더 작다(P'< P). 특히, 수광부(1)의 중심(이하 "수광부 중심" 이라 함)(O1)은 마이크로렌즈(2)의 중심(이하 "마이크로렌즈 중심" 이라 함)(O1')과 일치한다. 각 마이크로렌즈(2)의 위치가 촬상영역 중심부(21)로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 상기 각 마이크로렌즈(2)의 위치가 각각의 마이크로렌즈(2)에 대응하는 수광부(1)의 위치에 따라 촬상영역 중심(O)쪽으로 서서히 크게 시프트된다. 즉, n번째의 수광부 중심(On)과 마이크로렌즈 중심(On')과의 거리를 dn으로 나타내면 다음 관계가 성립한다:
O = d1< … < dn-2< dn-1< dn
그 결과, 상기 고체촬상장치는 도9의 고체촬상장치와 같이, 입사광의 "소실"에 의해 발생하는 셰이딩을 보정할 수 있다.
또한, 상기 고체촬상장치에서, 상기 마이크로렌즈의 위치가 기판상의 촬상영역 중심부(21)로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 각 마이크로렌즈(2)의 기판면에 따른 방향의 치수가 서서히 커진다. 즉, n번째의 마이크로렌즈(2)의 수평방향치수를 Wn'으로 나타내면, 이하의 관계가 성립한다:
W1'< … < Wn-2' < Wn-1' < Wn'
그 결과, 마이크로렌즈(2)의 위치가 촬상영역 중심부(21)로부터 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 각 마이크로렌즈(2)의 영역이 서서히 증가하여, 이에 따라 복수의 마이크로렌즈(2) 각각에 의해 집광된 광량이 서서히 증가하여, 주변감광에 의해 발생하는 입사광(IL)의 광량의 저하를 보상할 수 있다. 그 결과 주변감광에 의한 셰이딩을 개선할 수 있다.
또한, 상기 예에서는 수평방향에 대해 기술하였지만, 수직방향에 대해, 또는 수평방향과 수직방향 모두에 대해 동일한 필수적인 특징들이 적용될 것이다.
상기 마이크로렌즈(2)를 형성하는 프로세스를 이하에 설명한다. 우선, 감광성 및 열연화성을 갖는 마이크로렌즈용 재료의 투명막을, 차광막(4) 및 칼라필터(3)가 형성된 기판(7)상에 상기 재료를 도포함으로써 형성한다. 다음, 소정의 마스크를 사용하여 상기 막을 노광하고, 현상하여 패턴가공한다. 그 후, 열처리를 가하여 패턴화한 막을 연화시켜 상기 패턴들을 대략 반구형으로 한다. 상기 사용된 마스크는 상기 각 마이크로렌즈(2)의 위치와 치수에 대응하는 위치와 치수를 갖는 폐영역 차광 패턴들이 형성된 투명 유리기판으로 구성된다. 이 경우에, 도1의 고체촬상장치를, 종래 마스크를 제조하는 프로세스와 완전히 동일한 프로세스를 사용하여 제조할 수 있다. 즉, 마이크로렌즈(2)용 재료막의 노광 공정에서는, 종래의 노광공정과 같이 1매의 마스크로 1회의 노광이 수행될 수 있다. 따라서, 고체촬상장치의 생산성이 저하되지 않는다.
이러한 종류의 고체촬상장치를 제조하기 위한 마스크는, 통상, 전자빔 리소그라피에 의해 제조된다. 일반적으로, 우선, 유리 등으로 구성되는 투명기판의 한면 전체에 차광막(본 실시예에서는 Cr막으로 함)을 적층하고, 이어서, 그 위에 전자빔 레지스트용 재료막을 형성한다. 다음, 컴퓨터로 제어되는 전자빔 노광장치를 사용하여 원하는 패턴을 상기 레지스트막상에 묘화한다.
마지막으로, 상기 패턴화된 레지스트막의 현상처리 후, 잔존하는 레지스트막의 패턴을 마스크로서 사용하여, 상기 Cr막의 노출영역을 에칭하여 제거한다.
상기 패턴은 디지털 데이터(이하 "마스크 패터닝 데이터" 라 함)로 표시되고, 그 최소 치수 단위는, 요구되는 미세가공이나 선폭의 정밀도에 따라 설정된다. 도6의 고체촬상장치를 제조하기 위한 마스크에서, 마스크 패터닝 데이터의 최소 치수 단위는 보통 0.1∼0.01 ㎛ 정도로 설정된다.
그러나, 본 발명의 고체촬상장치의 마이크로렌즈를 형성하기 위한 마스크에서, 기판면에 따른 수평방향에 대해 서서히 변화하는 위치와 치수를 갖는 복수의 마이크로렌즈(2)를 형성하는 마스크(이하 " 본 발명의 마스크"라 한다)에서는, 마스크 패터닝 데이터를 작성하기 위해 극히 미소량(< 0.001 ㎛)의 치수변화를 필요로 한다. 즉, 마스크 패터닝 데이터의 최소 치수 단위는 최대 0.0001 ㎛인 것이 요구된다. 예컨대, 수평방향 1000개의 화소, 수평방향화소 간격 5 ㎛, 수평방향 마이크로렌즈 폭 4 ㎛의 고체촬상장치에, 마이크로렌즈의 중심과 수평방향으로 대응하는 수광부의 중심간 거리가 0.3 ㎛이고, 수평방향으로 마이크로렌즈폭이 4.2 ㎛가 되도록 본 발명을 적용하는 경우, 인접한 마이크로렌즈의 간격 및 치수(폭)의 차이는, 각각, 4.9994 ㎛ 및 0.0004 ㎛로 계산된다.
이 때문에, 본 발명의 마스크용의 패터닝 데이터를 직접 작성하는 것은 극히정교하고 복잡한 작업으로 된다. 또한, 마스크 패터닝 데이터의 최소 치수 단위가 극히 작기 때문에, 데이터량이 방대해지고, 전자빔 노광장치에서의 처리시간도 길어지게 된다. 그 결과, 설계 및 마스크생산의 스루풋의 저하를 초래하고, 나아가 고체촬상장치의 생산성의 저하를 초래하는 문제가 있다.
시판되는 전자빔 노광장치는, 패터닝 데이터를 목적에 따라 소정의 배율로 보정(또는 소정량만큼 리사이즈)할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 도9의 고체촬상장치의 마이크로렌즈용 마스크는, 상기 전자빔 노광장치에 있어서, 도6의 마이크로렌즈용 마스크와 같은 패턴을 생성하는 마스크 패터닝 데이터를 사용하고, 미소 스케일링(예컨대 보정배율 a = 0.9999)을 행하여 패터닝함으로써 비교적 용이하게 제작될 수 있다. 그러나, 본 발명의 마스크는, 마이크로렌즈(2)의 위치가 촬상영역 중심부(21)로부터 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 각 마이크로렌즈(2)의 위치가 대응하는 수광부(1)의 위치에 따라 촬상영역 중심(O)측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 각 마이크로렌즈(2)의 치수가 서서히 커지기 때문에, 시판되는 전자빔 노광장치에 있어서 단순히 미소 스케일링(또는 리사이즈)을 행하는 것만으로는 제작이 불가능하다. 따라서, 본 발명에서는 다음과 같은 마스크 제작방법을 고안하였다.
실시예 1
도2는 본 발명의 마스크 제작 방법을 수평방향(X방향)에 대해 적용한 예를 설명한다. 특히, 도2a, 2b 및 2c는, 각각 촬상영역 중심(O)의 X좌표를 0으로 하고, 촬상영역 중심부(21)로부터 촬상영역 주변부(우단)(22)까지의 수평방향 1라인에 대한 패턴(마스크 패터닝 데이터)를 도시하고 있다. 또한, 수평방향 좌측의 패턴에 대해서는, 마스크패턴이 대칭적이기 때문에, 도시하지 않는다.
스텝 1
우선, 도2a에 도시한 바와 같이, 평면상에, 제 1 마스크 패터닝 데이터와 제 2 마스크 패터닝 데이터를 각각 통상의 최소 치수 단위(예컨대 0.O1 ㎛)로 정의하고, 상기 제 1 데이터에 있어서, 수평방향으로 일정한 간격 P로 나란한 복수의 사각형 영역 C11,…, Cln-1, C1n(각각 실선으로 표시하고, 이하" 제 1 사각형 영역"이라 함)가 정해지고, 상기 제 2 데이터에 있어서, 수평방향으로 일정한 간격 P로 나란한 복수의 사각형 영역 C21, …, C2n-1, C2n(각각 파선으로 표시하고, 이하 "제 2 사각형 영역"이라 함)가, 제 2 데이터의 사각형 영역의 각각이, 각각, 대응하는 제 1 데이터의 사각형 영역과 중첩하도록 정해진다. 상기 예에서는, 제 1 마스크 패터닝 데이터가 정의되는 각각의 제 1 사각형 영역들과, 제 2 마스크 패터닝 데이터가 정의되는 각각의 제 2 사각형 영역은, 수평방향에 대해 공통되는 폭(수평방향치수)을 갖고 있다. 또한, 각각의 제 1 사각형 영역과 각각의 제 2 사각형 영역 사이의 각 중첩 영역 A1, …, An-1, An(이들의 수평방향치수를 W1,…, Wn-1, Wn으로 표시)이, 보정될 마이크로렌즈(2)의 패턴에 대응한다.
또한, 각 중첩 영역 A1, …, An-1, An의 좌단의 각 좌표 L21, … L2n-1, L2n과 우단의 각 좌표 Rl1, …, Rln-1, Rln사이의 중심점은, 기판상에 나란한 각수광부(1)의 중심의 X좌표 O1, …, On-1, On에 대응한다. 후술하는 계산처리를 간단히 하기 위해, 상기 중심점을 X좌표 O1, …, On-1, On에 대응하도록 설정하지만, 반드시 필요하지는 않다. 또한, 제 1 사각형 영역 Cln과 제 2 사각형 영역 C2n사이의 수평방향의 거리 Dn은, 후술하는 미소 스케일링(보정처리)을 행하였을 때 중첩 영역 A1, …, An-1, An의 모두가 항상 존재하도록(소실하지 않도록) 설정된다(후에 정량적으로 기술한다).
스텝 2
다음, 도2(b)에 도시한 바와 같이, 제 1 마스크 패터닝 데이터에 대하여 촬상영역 중심(O)을 기준으로 하여 보정배율 α1으로 미소 스케일링(α1<1) 하고, 상기 보정된 제 1 마스크 패터닝 데이터를 사용하여, 시판되는 전자빔 노광장치에 의해, 투명기판상의 전자빔 레지스트 재료를 노광한다. 이 경우, 제 1 사각형 영역 C11',…, Cln-1', Cln'의 외측이 노광되고, 상기 영역의 내측이 노광되지 않도록 설정한다. 이하, 보정 후의 패턴을 각각 「'」을 붙인 부호로 표시한다. 이어서, 제 2 마스크 패터닝 데이터에 대하여 촬상영역 중심(O)을 기준으로 하여 보정배율 α2로 미소 스케일링(α2<1) 하고, 그 보정된 제 2 마스크 패터닝 데이터를 사용하여, 동일한 전자빔 레지스트 재료를 노광한다(보정배율은 이하에 설명한다). 이 경우, 제 2 사각형 영역 C21',…, C2n-1', C2n'의 외측이 노광되고, 내측이 노광되지 않도록 설정한다. 그 결과, 제 1 사각형 영역 C11',…, Cln-1', Cln'과 제 2 사각형 영역 C21',…, C2n-1', C2n'과의 중첩영역 A1',…, An-1', An'은, 어떤 노광처리에서도 노광되지 않는다. 따라서, 현상처리후에 중첩영역상의 레지스트막은 잔존하고, 그 후의 에칭처리 후, 잔존 레지스트막 하방의 Cr막은 잔존한다. 그 결과, 도2c에 도시한 바와 같이, 투명기판상에, 상기 중첩영역 A1',‥·, An-1', An'에 대응하는 Cr막 영역, 즉 마이크로렌즈용 패턴 M1',…, Mn-1', Mn'이 배치된 마스크가 얻어진다.
이와 같이 하여, 실질적으로 극히 작은 최소 치수 단위(최대 0.0001 ㎛)로 형성된 마이크로렌즈용 마스크가, 정교하고 복잡한 데이터작성작업을 행하지 않고 간단히 얻어진다.
여기서, 촬상영역 주변부(22)(도2c의 우단)의 n번째의 마이크로렌즈용 패턴 Mn'에 대해, 수광부 중심 On과 패턴 Mn'의 중심 On' 사이의 수평방향의 거리(시프트량) dn과 패턴 Mn'의 수평방향폭 Wn'을 이론적으로 구한다.
도2a로부터, 이하의:
L2n= L21+ P(n-1)
R1n= R11+ P(n-1)
On= (L2n+ R1n) /2
Wn= {R11+ P(n-1)} - {L21+ P(n-1)}
= R11- L21= W1
으로 되는 관계가 있는 것을 알 수 있다. 또한, 도2b에 있어서,
L2n' =α2×L2n
R1n' =α1×R1n
On' = (L2n'+ R1n' )/2
로 되는 관계가 있다. 따라서, 이하의 식:
Wn' = R1n' - L2n' = α1×R1n-α2×L2n..... (1)
dn= On- On'
= {(L2n+ R1n)-(L2n' - R1n')}/2
= {(1 - α2) L2n+ (1 - α1) R1n}/2 ..... (2)
가 얻어진다.
다음, n번째의 마이크로렌즈용 패턴 Mn'과 (n-1)번째의 마이크로렌즈용 패턴 Mn-1' 사이에서는, 이하의:
dn- dn-1
= {(1- α2)(L2n- L2n-1)+(1 - α1)(Rln- Rln-1)}/2
= (2 - α2 - α1)P/2 ..... (3)
Wn' - Wn-1' = α1(Rln- Rln-1) -α2(L2n- L2n-1)
= (α1 - α2) P ..... (4)
로 되는 관계가 있다. 식(3) 및 (4)로부터, 인접한 마이크로렌즈용 패턴 Mn-1'과 Mn'을 비교하면, n의 값에 관계없이, 수광부 중심과 마이크로렌즈용 패턴의 중심 사이의 거리(드리프트량)(d) 및 마이크로렌즈용 패턴의 수평방향의 폭(W)에 있어서 양쪽의 변화가 일정한 것을 알 수 있다.
이 때, 본 발명에 의해 제작된 마스크에 있어서, 마이크로렌즈의 위치가 촬상영역 중심부(21)로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부(22)로 근접함에 따라, 마이크로렌즈용 패턴 Mn'의 중심 On'의 위치가 촬상영역 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 또한 마이크로렌즈용 패턴 Mn'의 수평방향폭 Wn'이 서서히 커지는 것이 이론적으로 증명되었다.
또한, 전자빔 노광장치를 사용하여 상기 방법으로 노광을 행하기 위해서는, 보정배율 α1 및 α2를 미리 설정할 필요가 있다. 따라서, 미리 시뮬레이션이나 실측에 의해 Wn' 및 dn을 최적화하고, 이어서, 그 최적화된 Wn' 및 dn에 기초하여, 상기 식 (1) 및 (2)을 사용하여 보정배율 α1 및 α2를 계산한다. 이에 의해, 보정배율 α1, α2의 최적치를 전자빔 노광장치에 입력할 수 있다. 셰이딩의 정도는 여러가지 요인, 예컨대, 실제의 카메라의 광학계 렌즈 및 사출동공 거리에 의존하여 변화하기 때문에, 실제의 카메라의 광학계 렌즈 및 사출동공 거리에 적합한 보정배율을 결정하기 위해 실측이나 시뮬레이션이 필요하게 된다. 이와 같이 한 경우, 전자빔 노광 장치에 의한 보정 전의 제 1 및 제 2 마스크 패터닝 데이터에 전혀 보정을가할 필요가 없다. 그 결과, 현실의 여러가지 고체촬상장치에 적합한 마이크로렌즈용 마스크를, 일일이 마스크 패터닝 데이터를 작성하지 않고, 공통의 마스크 패터닝 데이터를 사용하여 간단히 제작할 수 있다.
또한, 상기 미소 스케일링(보정처리)을 행하였을 때, 각 중첩영역 A1',…, An-1', An'이 반드시 존재하도록(소실하지 않도록), 보정 후의 거리 Dn'(L2n'과 L1n'와의 거리이며, 또는 R2n'와 R1n'와의 거리이기도 하다)를 설정해야 한다. 또한, 보정 후의 거리 Dn'을, 패터닝 공정에서 제 1 사각형 영역 C1n과 제 2 사각형 영역 C2n사이의 중합 정밀도나, 전자빔 레지스트 재료의 현상 및 Cr막의 에칭처리 공정에서의 마스크 패터닝 데이터로부터의 선폭 변화에 기초하여 결정된 값(A) 이상으로 설정해야 한다. 따라서, 이하의 식:
Dn' = L2n' -L1n' = (α2 ×L2n-α1 ×L1n) > A ... (5)
Dn' = R2n' -R1n' = (α2 ×R2n-α1 ×R1n) > A ... (6)
을 만족하도록 L1n, L2n, R1n, R2n의 위치를 설정한다. 이 예에서는, 식: Dl'>·‥> Dn-1'> Dn'이 성립하기 때문에, Dn'의 값이 식(5) 및 (6)을 만족하면, 모든 n에 대해 식(5) 및 (6)이 만족된다. 이에 따라, 각 중첩영역 A1',…, An-1', An'이 원하는 마이크로렌즈용 패턴 M1',…, Mn-1', Mn'으로서 얻어진다.
또한, 상기 예에서는, 제 1 사각형 영역 C1n과 제 2 사각형 영역 C2n은 공통되는 수평방향치수를 가지며, 따라서, 중첩영역 An(또는 An')의 양측에 발생하는 수평방향의 시프트량 Dn(또는 Dn')은 서로 같다. 그러나, Dn(또는 Dn')의 값이 식(5) 및 (6)을 만족하면, 제 1 사각형 영역 C1n과 제 2 사각형 영역 C2n는 서로 다른 수평방향치수를 가질 수 있다.
상기 마스크 제작 방법에 의해 얻어진 마이크로렌즈용 마스크를 사용하면, 마이크로렌즈용 재료막의 노광공정에서, 종래의 노광공정과 같이 1매의 마스크를 사용하여 1회의 노광을 하면 된다. 따라서, 고체촬상장치의 생산성은 감소되지 않는다. 또한, 본 발명의 고체촬상장치는, 수평방향에 대해, 입사광의 소실에 의한 차광을 개선할 수 있는 외에 주변 감광에 의한 셰이딩을 개선할 수 있다.
이상, 본 발명의 마스크 제작 방법을 수평방향(X방향)에 대해 적용한 예를 설명하였다. 당연하지만, 본 발명은, 수직방향에 대해서도 수평방향에 대한 것과 완전히 동일하게 적용할 수 있다.
실시예 2
다음, 도3∼도5를 사용하여 본 발명의 마스크 제작 방법을 수평방향(X방향) 및 수직방향(Y 방향)에 적용한 또 다른 예를 설명한다. 보다 구체적으로는, 도3∼도5는, 촬상영역 중심부(21) 및 촬상영역 주변부(우단, 상단)(22)을 포함한, 촬상영역 전역의 1/4부분에 대한 패턴(마스크 패터닝 데이터)를 도시하며, 이 때, 촬상영역 중심(O)의 X 및 Y 좌표를 (0,0)으로 설정한다. 나머지의 3/4 부분의 패턴에대해서는, 마스크패턴이 대칭이기 때문에, 도시하지 않는다.
스텝 1
우선, 도3에 도시한 바와 같이, 평면상에, 제 1 마스크 패터닝 데이터와 제 2 마스크 패터닝 데이터를, 각각 통상의 최소 치수 단위(예컨대 0.01 ㎛)로 정의하고, 상기 제 1 데이터에 있어서, 수평방향 및 수직방향에 일정한 간격 Px 및 Py로 매트릭스 형태로 나란한 복수의 사각형 영역 C111,…, Cln(n-1), Clnn(각각 실선으로 표시하고, 이하 "제 1 사각형 영역"이라 함)이 정해지고, 상기 제 2 데이터에 있어서, 수평방향 및 수직방향에 일정한 간격 Px 및 Py로 매트릭스 형태로 나란한 복수의 사각형 영역 C211,…, C2n(n-1), C2nn(각각 파선으로 표시하고, 이하 "제 2 사각형 영역"이라 함)이, 제 2 데이터의 사각형 영역의 각각이, 각각, 대응하는 제 1 데이터의 사각형 영역과 중첩하도록 정해진다. 상기 예에서는, 제 1 마스크 패터닝 데이터에 의해 정의되는 각각의 제 1 사각형 영역의 각 사각형 영역과 제 2 마스크 패터닝 데이터에 의해 정의되는 각각의 제 2 사각형 영역은, 수평방향에 대해 공통되는 폭(수평방향폭)을 갖고, 또한 수직방향에 대해 공통되는 폭(수직방향폭)을 갖고 있다. 예컨대, 제 1 사각형 영역 C1nn은 좌단 L1n, 우단 R1n, 상단 U1n, 하단 D1n으로 정해지고, 제 2 사각형 영역 C2nn은 좌단 L2n, 우단 R2n, 상단 U2n, 하단 D2n으로 정해진다. 또한, 각각의 제 1 사각형 영역과 각각의 제 2 사각형 영역 사이의 각 중첩 영역 A11,…, An(n-1), Ann(이들의 수평방향폭을 Wx1, …, Wxn-1, Wxn으로 표시하고, 그의 수직방향폭을 Wy1,…, Wyn-1, Wyn으로 표시한다)은, 보정될 마이크로렌즈(2)의 패턴에 대응한다.
또한, 각 중첩 영역 A11,…, An(n-1), Ann의 중심점(X좌표 0x1,…, 0xn-1, 0xn과 Y 좌표 0y1,…, 0yn-1, 0yn으로 정의된다)은, 기판상에 나란한 각 수광부(1)의 중심 O11, …, On(n-1), Onn에 대응한다. 계산처리를 간단히 하기 위해, 이들은 서로 대응하도록 설정되지만, 반드시 필요하지는 않다. 또한, 제 1 사각형 영역 Clnn과 제 2 사각형 영역 C2nn사이의 수평방향의 드리프트량 Dn은, 후술하는 미소 스케일링(보정처리)을 행하였을 때 중첩영역 A11, …,An(n-1), Ann이 반드시 존재하도록(소실하지 않도록) 설정된다.
스텝 2
다음, 도4에 도시한 바와 같이, 제 1 마스크 패터닝 데이터에 대하여 촬상영역 중심(O)를 기준으로 하여 수평방향에 보정배율 α1x, 수직방향에 보정배율 α1y로 미소 스케일링(α1x<1,α1y<1) 하고, 그 보정된 제 1 마스크 패터닝 데이터를 사용하여, 시판되는 전자빔 노광장치에 의해, 투명기판상의 전자빔 레지스트 재료로 노광한다. 이 경우, 제 1 사각형 영역 C111',…, Cln(n-1)', Clnn'의 외측이 노광되고, 내측이 노광되지 않도록 설정한다. 계속해서, 제 2 마스크 패터닝 데이터에 대하여 촬상영역 중심(O)를 기준으로 하여 수평방향에 보정배율 α2x, 수직방향에 보정배율 α2y로 미소 스케일링(α2x<1,α2y<1) 하고, 그 보정된 제 2 마스크 패터닝 데이터를 사용하여, 동일한 전자빔 레지스트 재료를 노광한다. 또, 미리 실측이나 시뮬레이션에 의해 Wn' 및 dn을 최적화하고, 최적화된 Wn' 및 dn에 기초하여, 전술한 예와 같이 식 (1) 및 (2)을 사용하여 보정배율 α1x, α1y, α2x 및 α2y를 구한다. 이 경우, 제 2 사각형 영역 C211,…, C2n(n-1), C2nn의 외측이 노광되고, 내측이 노광되지 않도록 설정한다. 그 결과, 제 1 사각형 영역 C111',…, Cln(n-1)', Clnn'과 제 2 사각형 영역 C211',…, C2n(n-1)', C2nn'과의 중첩영역 A11',…, An(n-1)', Ann'은, 어떤 노광처리에서도 노광되지 않는다. 따라서, 현상처리 후에 중첩영역상의 레지스트막은 잔존하고, 그 후의 에칭처리 후, 잔존 레지스트막 하방의 Cr막은 남는다. 그 결과, 도5에 도시한 바와 같이, 투명기판상에, 상기 중첩영역 A11',…, An(n-1)', Ann'에 대응하는 Cr막, 즉 마이크로렌즈용 패턴 M11',…, Mn(n-1)', Mnn'이 배치된 마스크가 얻어진다.
이와 같이 하여, 실질적으로 극히 작은 최소 치수 단위(최대 0.0001 ㎛)로 형성된 마이크로렌즈용 마스크가, 정교하고 복잡한 데이터작성 작업을 하지 않고 간단히 얻어진다.
본 발명의 마스크 제작 방법에 의해 얻어진 마이크로렌즈용 마스크를 사용하면, 집광부용의 노광공정에서, 종래의 노광공정과 같이 1매의 마스크를 사용하여 1회의 노광을 하면 된다. 따라서, 고체촬상장치의 생산성이 저하되지 않는다. 또한, 제조된 고체촬상장치는, 수평 및 수직방향 모두에 대해, 입사광의 "소실"에 의한 차광을 개선할 수 있고, 주변감광에 의한 차광을 개선할 수 있게 된다.
상기 마이크로렌즈용 패턴은 사각형이지만, 그 이외의 여러가지 형상을 이용할 수 있다.
다른 방법으로서, 제 1 마스크 및 제 2 마스크를, 각각, 미소 스케일링 후의 제 1 마스크 패터닝 데이터 및 미소 스케일링 후의 제 2 마스크 패터닝 데이터를 사용하여 별도로 제작하고, 이어서, 제 1 및 제 2 마스크를 사용하여 순차 노광, 현상을 하여 마이크로렌즈용 재료막을 패턴가공할 수 있다. 이와 같이 한 경우, 제 1 및 제 2 마스크를 간단히 제작할 수 있다. 그러나, 2매의 마스크와 2회의 포토리소그라피 공정을 필요로 하기 때문에, 고체촬상장치의 생산성이 저하될 수 있다.
다른 방법으로서, 제 1 마스크 및 제 2 마스크를, 각각, 미소 스케일링 전의 제 1 마스크 패터닝 데이터 및 미소 스케일링 전의 제 2 마스크 패터닝 데이터를 사용하여 따로따로 제작하고, 이어서, 제 1 및 제 2 마스크를 사용하여, 축소노광장치(소위, "스테퍼")로, 통상보다 작은 배율로 마이크로렌즈용 재료막을 노광함으로써 패턴가공할 수 있다. 이와 같이 한 경우, 제 1 및 제 2 마스크를 간단히 제작할 수 있다. 그러나, 2매의 마스크, 2회의 포토리소그라피 공정 및 축소배율 조정을 필요로 하기 때문에, 생산성의 향상을 기대할 수 없다. 또한, 수평방향 또는 수직방향의 어느 한 방향으로 미소 스케일링을 행할 수 없기 때문에, 수평 및 수직방향의 양쪽에 동일한 축소(보정) 배율을 선택해야만 한다.
상기 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 고체촬상장치는, 집광부의위치가 촬상영역 중심부로부터 주변부로 이동함에 따라, 각 집광부의 위치가 대응하는 수광부의 위치에 따라 촬상영역 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 상기 기판면에 따른 방향의 치수가 서서히 커지기 때문에, 입사광의 "소실"에 의한 차광 및 주변감광에 의한 차광을 개선할 수 있다. 도8의 실선은, 종래의 고체촬상장치(점선)와 입사광의 소실에 의한 셰이딩 및 주변감광에 의한 셰이딩 모두 현저히 개선된 것을 나타내고 있다.
본 발명의 1실시예의 고체촬상장치에 있어서, 상기 촬상영역 중심부로부터 촬상영역 주변부로의 방향은, 이 고체촬상장치의 수평방향에 대응하기 때문에, 고체촬상장치의 수평방향에 대해 셰이딩을 효과적으로 개선할 수 있다.
본 발명의 1실시예의 고체촬상장치에 있어서, 상기 촬상영역 중심부로부터 촬상영역 주변부로의 방향은, 이 고체촬상장치의 수직방향에 대응하기 때문에, 고체촬상장치의 수직방향에 대해 셰이딩을 효과적으로 개선할 수 있다.
본 발명의 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 상술한 고체촬상장치를, 종래의 고체촬상장치를 제조하는 경우와 완전히 동일한 프로세스를 사용하여 제작할 수 있다. 즉, 집광부용 재료막의 노광공정에서, 종래의 노광공정과 같이 1매의 마스크를 사용하여 1회의 노광을 행하면 된다. 따라서, 고체촬상장치의 생산성이 손상되지 않는다.
본 발명의 마스크제작 방법에 의하면, 제 1 및 제 2 마스크 패터닝 데이터의 최소 치수 단위를 통상의 0.1∼0.01 ㎛ 정도로 설정하고, 상기 제 1 및 제 2 폐영역 패턴 사이의 각 중첩 영역의 위치가, 상기 중첩 영역의 위치가 주변영역으로 근접함에 따라, 상기 보정 전의 위치에 따라 상기 어레이의 중심측으로 서서히 크게 시프트되고, 상기 각 중첩 영역의 치수가 서서히 커진다. 그 결과, 실질적으로 극히 작은 최소 치수 단위(최대 0.0001 ㎛)를 갖는 중첩 영역이 형성된다. 따라서, 이와 같이 실질적으로 극히 작은 최소 치수 단위로 형성된 마이크로렌즈용 마스크를, 치밀하고 복잡한 데이터작성 작업을 행하지 않고 간단히 얻을 수 있다.
본 발명의 1실시예의 마스크 제작 방법에 있어서, 현실적인 여러가지 고체촬상장치에 적합한 마이크로렌즈용 마스크를, 일일이 개별적인 마스크 패터닝 데이터를 작성하지 않고, 공통의 마스크 패터닝 데이터를 사용하여 간단히 제작할 수 있다.

Claims (6)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 투명기판상에 차광막을 형성하고, 전자빔 노광장치에 의해 상기 차광막을 패턴가공하는 마스크의 제작 방법으로,
    평면상에 일정한 간격으로 배열된 복수의 제 1 폐영역 패턴을 정의하는 제 1 마스크 패터닝 데이터와, 대응하는 제 1 마스크 패턴과 중첩하도록 상기 제 1 데이터와 동일한 간격으로 동일한 면에 배열된 복수의 폐영역 패턴을 정의하는 제 2 마스크 패터닝 데이터를, 각각 최소의 치수 단위로 설정하고, 전자빔 노광장치에 의해, 상기 폐영역 패턴의 어레이의 중심부를 기준으로 하여 상기 제 1 폐영역 패턴을 제 1 보정배율로 보정함과 동시에, 상기 제 2 폐영역 패턴을 제 2 보정배율로 보정하는 처리를 행하면서, 상기 중첩영역의 위치가 어레이의 중심부로부터 주변영역으로 근접함에 따라, 상기 각 제 1 폐영역 패턴과, 대응하는 제 2 폐영역 패턴의 각 중첩 영역의 위치가 상기 보정 전의 대응하는 위치에 기초하여 상기 배열의 중심을 향해 서서히 크게 시프트되고, 또한 상기 각 중첩 영역의 치수가 서서히 커지는 패턴을 상기 차광막상에 묘화하는 것을 특징으로 하는, 고체촬상장치의 마이크로렌즈 형성용 마스크의 제작 방법.
  6. 제5항에 있어서, 기판에 일정한 간격으로 배열된 복수의 수광부와, 입사광을상기 수광부상에 집광하도록 상기 기판상에서 상기 복수의 수광부에 각각 대응하여 제공된 복수의 집광부를 포함한 고체촬상장치에서, 상기 각 집광부의 위치가 촬상영역 중심부로부터 기판면을 따라 촬상영역 주변부에 근접할 때 요구되는, 상기 집광부의 대응하는 수광부에 대한 드리프트량과, 상기 집광부의 상기 기판면에 따른 방향의 치수변화에 따라, 상기 제 1 및 제 2 보정배율을 설정하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제작 방법.
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