JP4998227B2 - 固体撮像素子とその製造方法およびこの固体撮像素子を用いた撮像装置 - Google Patents
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Description
ここで、固体撮像素子には有効撮像領域周辺で感度が低下するシェーディングという現象がある。このシェーディングは、図18に示されるように、カメラレンズから入射する光が、有効撮像領域中心ではほぼ垂直に入射するのに対し、有効撮像領域周辺に向うにつれて入射角度が大きくなり、有効撮像領域周辺での受光部51に対する入射光量の低下が起こることにより生じる現象である。
このような非線形変化を有するレンズ特性におけるシェーディング補正において、受光部とマイクロレンズのピッチ差を用いる場合、例えば、図21に実線で示すように、有効撮像領域中心部から周辺部に向って、徐々に且つ非線形にマイクロレンズピッチを大きくするように変化させることが理想である。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、シェーディングを防止した固体撮像素子とその製造方法、および、このような固体撮像素子を使用した撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の他の態様として、有効撮像領域に対応するマイクロレンズアレイの外形形状は撮像領域の中心に向って湾曲あるいは屈曲した形状であるような構成とした。
本発明の他の態様として、乱数によって決定した配置ピッチによって定まる配置座標と、予め設定した前記配置ピッチによって定まる配置座標との差分が20nm以下であれば、決定した配置ピッチを採用し、20nmを超える場合には、再度、乱数による配置ピッチの決定を行うような構成とした。
本発明の撮像装置は、上述の固体撮像素子を備えるような構成とした。
また、本発明の製造方法では、受光部の配置ピッチに対して非線形に変化するマイクロレンズの理想的な配置ピッチに近似したマイクロレンズの配置が可能であり、上述の本発明の固体撮像素子を簡便に製造することができる。
本発明の撮像装置は、シェーディングが防止され、有効撮像領域内で、斜め入射に起因するケラレ等のロスが少なく、入射光量に対しての効率分布の少ない高品位のものであり、小型化、薄型化が可能である。
[固体撮像素子およびその製造方法]
図1は本発明の固体撮像素子の一例を示す概略構成図である。図1において、固体撮像素子1は、一定の配置ピッチで設けられた複数の受光部3と金属電極4を備える基板2と、遮光層6を備えたパッシベーション層5を介して基板2と対向するように積層された下平坦化層7、カラーフィルタ8、上平坦化層9、および、マイクロレンズアレイ10を有している。マイクロレンズアレイ10は、個々の受光部3に対応させて複数のマイクロレンズ11が2次元配置されたものである。尚、本発明の固体撮像素子は、図1に示す構成に限定されるものではない。例えば、金属電極4は、上面側(マイクロレンズアレイ10側)に遮光膜を備えるものであってもよい。
尚、本発明におけるマイクロレンズから有効撮像領域の中心までの距離とは、マイクロレンズの中心から有効撮像領域の中心までの距離のことであり、この距離は、配置ピッチの累積により決まる。また、配置ピッチとは、マイクロレンズの中心間距離である。
まず、図3に示すようなレンズ特性を有するカメラレンズに対応して、マイクロレンズの配置ピッチ(理論値)を設定すると、図5に実線で示したものとなる。図5に実線で示される配置ピッチは、有効撮像領域の中心付近では、ピッチ=1.99892μmであるが、周辺部に向って非線形に変化し、最外周ではピッチ=1.99978μmとなっている。したがって、この配置ピッチで配置されたマイクロレンズアレイでは、各マイクロレンズから有効撮像領域の中心までの距離は、周辺部に向って非線形に変化することになる。尚、図5の鎖線は、受光部の一定配置ピッチ=2μmを示している。
次に、最小ピッチ差が0.2nm(0.0002μm)以上となり、かつ、図5の実線で示すように設定した非線形変化の配置ピッチ(理論値)が間に入るように、マイクロレンズの配置ピッチを2種以上設定する。ここでは、1.998μmと2.0μmの2種の配置ピッチを設定する。
この場合、図5に実線で示されているマイクロレンズの配置ピッチ(理論値)を、縦軸が1.999μmとなる355番目の画素で横軸を2分割する。そして、有効撮像領域の中心から355番目の画素までは、図5の実線で示すように設定した非線形変化の配置ピッチ(理論値)が間に入るように、1.998μmと1.999μmの2種の配置ピッチを設定し、356番目の画素から最外周1296画素までは、図5の実線で示すように設定した非線形変化の配置ピッチ(理論値)が間に入るように、1.999μmと2.0μmの2種の配置ピッチを設定する。
このように、マイクロレンズの配置ピッチを3種とした場合も、上記のように決定した配置ピッチによって定まる配置座標と、図5に実線で示されているマイクロレンズの配置ピッチ(理論値)によって定まる配置座標との差分を検証し、差分が許容誤差(例えば、20nm(0.02μm)以下、好ましくは10nm(0.01μm)以下)であれば決定した配置座標を採用し、許容誤差を超える場合には、再度、乱数により配置ピッチを決定して配置座標を定めることが好ましい。
図11は、本発明の撮像装置の一実施形態を示す概略断面図である。図11において、本発明の撮像装置31は、本発明の固体撮像素子32を備えた基板33と、固体撮像素子32の外側に配した封止用部材34と、この封止用部材34を介して固体撮像素子32と所望の間隙を設けて対向するように配設された保護材35とを備えている。また、固体撮像素子32は配線36、表裏導通ビア37を介して外部端子38に接続されている。このようなセラミックパッケージ型の撮像装置31は、種々のデジタルカメラ、ビデオカメラ等に使用することができ、カメラの高感度化、小型化、薄型化が可能である。
また、図12は、本発明の撮像装置の他の実施形態を示す概略断面図である。図12に示される本発明の撮像装置41は、携帯電話用カメラモジュールの例であり、本発明の固体撮像素子42を備えた基板43と、固体撮像素子42の外側に配した封止用部材44と、固体撮像素子42と所望の間隙を設けて対向するように配設された赤外カットフィルタ45と、赤外カットフィルタ45上に配設された鏡筒46と、この鏡筒46内に装着されたレンズユニット47を備えている。このような撮像装置41は、本発明の固体撮像素子42がシェーディング補正されていて高感度のものであるため、小型化、薄型化が可能である。
[実施例]
まず、画素受光部ピッチ2.0μm、画素数2592個×1944個のCMOSイメージセンサーを形成したウェハを用意した。
次に、上記のウェハ上に、以下のようにして、下平坦化層、カラーフィルタ、上平坦化層、および、マイクロレンズを形成した。
(下平坦化層の形成)
ウェハ表面をスピンスクラパーで洗浄した後、光硬化型アクリル系透明樹脂材料(富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 CT−2020L)をスピン塗布し、次いで、プリベーク、紫外線全面露光、ポストベークを行って下平坦化層(厚み0.3μm)を形成した。
ネガ型感光性の赤色材料(R用材料)、緑色材料(G用材料)、青色材料(B用材料)として以下の材料を用意した。
R用材料:富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 SR−4000L
G用材料:富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 SG−4000L
B用材料:富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 SB−4000L
G、R、Bの形成順序で、上記材料をスピン塗布し、プリベーク、1/5縮小型のi線ステッパーによる露光、現像、ポストベークを行って、RGBカラーフィルタ(厚み0.8μm)を形成した。尚、現像液として、富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 CD−2000の50%希釈液を使用した。
ここで、上記のカラーフィルタの形成では、後述のマイクロレンズと同じく、本発明の技術思想を用い、各層の膜厚等を勘案して、カラーフィルタの配置ピッチを補正したフォトマスクを使用した。すなわち、図3に示されるようなレンズ特性におけるシェーディング補正として、カラーフィルタの配置ピッチ(理論値)を図13に実線で示したように設定した。尚、図13の鎖線は、受光部の一定配置ピッチ=2μmを示している。
そして、本実施例でのカラーフィルタの配置ピッチとして、1.998μmと2.0μmの2種の配置ピッチを設定した。
RGBカラーフィルタ上に、光硬化型アクリル系透明樹脂材料(富士マイクロエレクトロニクスマテリアルズ(株)製 CT−2020L)をスピン塗布し、次いで、プリベーク、紫外線全面露光、ポストベークを行って上平坦化層(厚み0.3μm)を形成した。
上平坦化層上に、マイクロレンズ材料としてJSR(株)製 MFR401Lをスピン塗布し、プリベーク、1/5縮小型のi線ステッパーによる露光、現像、後露光、ポストベークによるメルトフローを行って、マイクロレンズを形成した。尚、現像液として、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)の1.19%液を使用した。
上記の露光においては、図10にてB=C=0.1μmを基準とし、上述の実施形態での、図6に示した確率に基づき、乱数により決定した配置ピッチ(1.998μmと2.0μmのいずれかであり、マイクロレンズと受光部とのズレ量は図7の実線を参照)で配列したマイクロレンズ用フォトマスクを使用した。このマイクロレンズ用フォトマスクの寸法Eは、基準ピッチA=2.0μmからE=1.8μmと決定され、配置ピッチ=1.998μmではD=0.002μm(2nm)となる。
次いで、ウェハのダイシングを行い、パッケージ組立を行って、本発明の固体撮像素子を作製した。
カラーフィルタ用のフォトマスクの配置ピッチを1.99918μm(スケーリング率=99.959%)とし、マイクロレンズ用のフォトマスクの配置ピッチを1.99892μm(スケーリング率=99.946%)とした他は、実施例と同様にして固体撮像素子を作製した。
上述のように作製した固体撮像素子に関して、下記の条件で感度を測定し、結果を図17に示した。図17に示されるように、本発明の固体撮像素子は、シェーディング補正が有効になされ、その感度分布(図17に実線で示す)は比較例の固体撮像素子の感度分布(図17に鎖線で示す)に比べて約20%改善されていることが確認された。
これは、比較例でのマイクロレンズ配置ピッチが1.99892μm(一定)であり、図3のカメラレンズの像高、主光線入射角度の関係を示すプロットにおいて、像高(有効撮像領域中心からの距離の相当する)0.8mm未満の領域の、そのプロットの直線性が比較的良い領域に対応しているが、図3の像高0.8mm以上の領域では、像高の増加に対して主光線入射角度の増加割合が小さくなる非線形の特性であり、この領域で1.99892μmのマイクロレンズ配置ピッチを維持すると、周辺部に向うにつれて、主光線入射角度の増大に対して受光部(ピッチ2.0μm)とマイクロレンズのずれ量(受光部とマイクロレンズの配置ピッチを、有効撮像領域中心からその画素まで累積した値の差)が大きくなり過ぎる傾向となるため、周辺部で感度低下が生じていると考えられる。
(感度の測定条件)
作製した固体撮像素子に、カメラレンズとして図3に示す特性のものを用い、
白色光源に対するX軸方向の感度分布を測定した。
2…基板
3…受光部
4…金属電極
5…パッシベーション層
6…遮光層
7…下平坦化層
8…カラーフィルタ
9…上平坦化層
10…マイクロレンズアレイ
11…マイクロレンズ
31,41…撮像装置
32,42…固体撮像素子
Claims (7)
- 一定のピッチで2次元配置された複数の受光部と、個々の前記受光部に対応させて複数のマイクロレンズが2次元配置されてなるマイクロレンズアレイとを少なくとも備え、該マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズの配置ピッチが有効撮像領域の中心から周辺に向って変化している固体撮像素子において、
マイクロレンズの配置ピッチが2種以上で設定され、かつ、最小ピッチ差は0.2nm以上であり、各配置ピッチのマイクロレンズが有効撮像領域の中心から周辺に向って複数配列され混在し、特定の画素を含む近傍の連続した画素の配置ピッチの平均値を特定の画素の平均ピッチとしたときに、マイクロレンズの平均ピッチが有効撮像領域の中心から周辺に向って小さくなる傾向あるいは大きくなる傾向であって、個々のマイクロレンズから有効撮像領域の中心までの距離が、有効撮像領域の中心から周辺に向って非線形に変化していることを特徴とする固体撮像素子。 - 有効撮像領域に対応するマイクロレンズアレイの外形形状は方形であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 有効撮像領域に対応するマイクロレンズアレイの外形形状は撮像領域の中心に向って湾曲あるいは屈曲した形状であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 一定のピッチで2次元配置された複数の受光部と、個々の前記受光部に対応させて複数のマイクロレンズが2次元配置されてなるマイクロレンズアレイとを少なくとも備え、該マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズの配置ピッチが有効撮像領域の中心から周辺に向って変化している固体撮像素子の製造方法において、
有効撮像領域の中心までの距離が、有効撮像領域の中心から周辺に向って所望の非線形変化をなすようにマイクロレンズの配置ピッチを予め設定し、
最小ピッチ差が0.2nm以上となり、かつ、設定した前記非線形変化の配置ピッチが間に入るように、マイクロレンズの配置ピッチを2種以上設定し、
2種以上の前記配置ピッチの中から任意の1組の配置ピッチを選択し、有効撮像領域の中心から周辺に向って該1組の配置ピッチの一方が存在する確率を前記非線形変化の配置ピッチから設定し、その後、各画素におけるマイクロレンズの配置ピッチを、前記確率に基づき、乱数により決定することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 0以上、100未満の範囲の乱数を発生させ、任意の画素にて発生した乱数が当該画素での前記一方のピッチが存在する確率(%)以下であるときは、当該画素には前記一方のピッチのマイクロレンズを配置し、発生した乱数が当該画素での前記一方のピッチが存在する確率(%)を超えるときは、1組をなす他方のピッチのマイクロレンズを配置することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 乱数によって決定した配置ピッチによって定まる配置座標と、予め設定した前記配置ピッチによって定まる配置座標との差分が20nm以下であれば、決定した配置ピッチを採用し、20nmを超える場合には、再度、乱数による配置ピッチの決定を行うことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の固体撮像素子を備えることを特徴とする撮像装置。
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