JPH04343471A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH04343471A JPH04343471A JP3115202A JP11520291A JPH04343471A JP H04343471 A JPH04343471 A JP H04343471A JP 3115202 A JP3115202 A JP 3115202A JP 11520291 A JP11520291 A JP 11520291A JP H04343471 A JPH04343471 A JP H04343471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- center
- state image
- light
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関し、特
にマイクロレンズ搭載の固体撮像素子に関する。
にマイクロレンズ搭載の固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像素子は図３に示す構造に
なっている。半導体基板１の表面に光電変換を行うフォ
トダイオード部２と前記フォトダイオード部２で蓄わえ
られた電荷を転送する転送ＣＣＤ部３と、前記２つを分
離するためのチャネルストップ部４を有している。さら
に、基板１の表面には酸化膜５を介して入射光量を規定
し、前記転送ＣＣＤ部３に光が漏れ込まないようにする
ための遮光膜６を有している。さらに、その上部にはベ
ース層７を介して光をフォトダイオード部２に集光させ
るためのマイクロレンズ８を有している。
なっている。半導体基板１の表面に光電変換を行うフォ
トダイオード部２と前記フォトダイオード部２で蓄わえ
られた電荷を転送する転送ＣＣＤ部３と、前記２つを分
離するためのチャネルストップ部４を有している。さら
に、基板１の表面には酸化膜５を介して入射光量を規定
し、前記転送ＣＣＤ部３に光が漏れ込まないようにする
ための遮光膜６を有している。さらに、その上部にはベ
ース層７を介して光をフォトダイオード部２に集光させ
るためのマイクロレンズ８を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の固体撮像素
子ではフォトダイオードで成る各画素上にマイクロレン
ズが搭載されているので、入射光の角度が垂直光に対し
、大きくなった場合、焦点がフォトダイオードからずれ
て遮光膜上になる。このため、図４のように、入射光量
が減少する。ところで図５のように、固体撮像素子９の
中央部と周辺部ではカメラレンズ１０から入射される光
の最大角度が周辺部のほうが大きくなる為、フォトダイ
オードへの入射光量が中央部に比べ、周辺部では低下し
てしまうという欠点がある。
子ではフォトダイオードで成る各画素上にマイクロレン
ズが搭載されているので、入射光の角度が垂直光に対し
、大きくなった場合、焦点がフォトダイオードからずれ
て遮光膜上になる。このため、図４のように、入射光量
が減少する。ところで図５のように、固体撮像素子９の
中央部と周辺部ではカメラレンズ１０から入射される光
の最大角度が周辺部のほうが大きくなる為、フォトダイ
オードへの入射光量が中央部に比べ、周辺部では低下し
てしまうという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子は
、複数の光電変換領域の、光電変換領域に隣接して設た
電荷転送部と、入射光量を規定する遮光膜と、前記光電
変換領域上に光を集光させるマイクロレンズとを少なく
とも有していて、隣接する前記マイクロレンズ間の間隔
が素子面内で異なることを特徴としている。
、複数の光電変換領域の、光電変換領域に隣接して設た
電荷転送部と、入射光量を規定する遮光膜と、前記光電
変換領域上に光を集光させるマイクロレンズとを少なく
とも有していて、隣接する前記マイクロレンズ間の間隔
が素子面内で異なることを特徴としている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の固体撮像素子の断面図で
ある。図２は固体撮像素子９の平面模式図で、Ａ−Ａ′
線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線で切った断面図がそれぞれ
図１の素子左端図（図１（ａ））、素子中央図（図１（
ｂ））、素子右端図（図１（ｃ））に相当する。
る。図１は本発明の一実施例の固体撮像素子の断面図で
ある。図２は固体撮像素子９の平面模式図で、Ａ−Ａ′
線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線で切った断面図がそれぞれ
図１の素子左端図（図１（ａ））、素子中央図（図１（
ｂ））、素子右端図（図１（ｃ））に相当する。
【０００６】半導体基板１の表面にフォトダイオード部
２、転送ＣＣＤ部３、チャネルストップ部４を有してい
て、さらにその上部に酸化膜５を介して遮光膜６を有し
ている。その上部にはベース層７を介してマイクロレン
ズ８を有している。このマイクロレンズ８は、固体撮像
素子中央では、図１（ｂ）に示すように、水平方向のレ
ンズ中心位置２１と遮光膜の開口中心位置２２が一致す
るが、図１（Ａ）の如く、素子左側になるにつれて、レ
ンズ中心位置２１が遮光膜の開口中心位置２２に対し右
側にずれていく構成になっている。また、逆に素子右側
になるにつれて、レンズ中心位置が遮光膜の開口中心位
置に対し左側にずれていく構成なっている。
２、転送ＣＣＤ部３、チャネルストップ部４を有してい
て、さらにその上部に酸化膜５を介して遮光膜６を有し
ている。その上部にはベース層７を介してマイクロレン
ズ８を有している。このマイクロレンズ８は、固体撮像
素子中央では、図１（ｂ）に示すように、水平方向のレ
ンズ中心位置２１と遮光膜の開口中心位置２２が一致す
るが、図１（Ａ）の如く、素子左側になるにつれて、レ
ンズ中心位置２１が遮光膜の開口中心位置２２に対し右
側にずれていく構成になっている。また、逆に素子右側
になるにつれて、レンズ中心位置が遮光膜の開口中心位
置に対し左側にずれていく構成なっている。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は遮光膜の開
口中心に対し、マイクロレンズ中心が素子中央部から素
子周辺部になるにつれて連続的にずれていく構造になっ
ている。このような構造にすることにより、例えば素子
右端部ではカメラレンズから入射される光の多くは左か
ら右への斜め入射光であるので、焦点が右にずれるか、
図１（ｃ）に示すように、レンズが左側にずらしている
のでフォトダイオードに入射する。よって、固体撮像素
子のどの画素においても入射光量が一定となり、出力電
圧の不均一性が改善できる。
口中心に対し、マイクロレンズ中心が素子中央部から素
子周辺部になるにつれて連続的にずれていく構造になっ
ている。このような構造にすることにより、例えば素子
右端部ではカメラレンズから入射される光の多くは左か
ら右への斜め入射光であるので、焦点が右にずれるか、
図１（ｃ）に示すように、レンズが左側にずらしている
のでフォトダイオードに入射する。よって、固体撮像素
子のどの画素においても入射光量が一定となり、出力電
圧の不均一性が改善できる。
【図１】本発明の一実施例の断面図。
【図２】固体撮像素子の平面模式図。
【図３】従来例の断面図。
【図４】フォトダイオードの入射光量の入射角度依存性
を示した図。
を示した図。
【図５】カメラレンズと固体撮像素子の相対位置を示し
た模式図。
た模式図。
１ 半導体基板
２ フォトダイオード部
３ 転送ＣＣＤ部
４ チャネルストップ部
５ 酸化膜
６ 遮光膜
７ ベース層
８ マイクロレンズ
９ 固体撮像素子
１０ カメラレンズ
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の光電変換領域と、前記光電変換
領域に隣接して設けた電荷転送部と、入射光量を規定す
る遮光膜と、前記光電変換領域上に光を集光させるマイ
クロレンズとを少なくとも有する固体撮像素子において
、遮光膜の開口中心に対しマイクロレンズ中心が素子中
央部から素子周辺部になるにつれて大きくずれているこ
とを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115202A JPH04343471A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115202A JPH04343471A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343471A true JPH04343471A (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=14656887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115202A Pending JPH04343471A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04343471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438647B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2004-07-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 고체촬상장치와 그 제조방법 및 마스크 제작방법 |
| WO2005059607A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 集光素子および固体撮像装置 |
| WO2005101067A1 (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 集光素子および固体撮像装置 |
| US7663084B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-02-16 | Panasonic Corporation | Solid-state imager and solid-state imaging apparatus having a modulated effective refractive index distribution and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154283A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH01213079A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-25 | Sony Corp | 固体撮像装置およびビデオカメラ |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3115202A patent/JPH04343471A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154283A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH01213079A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-25 | Sony Corp | 固体撮像装置およびビデオカメラ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438647B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2004-07-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 고체촬상장치와 그 제조방법 및 마스크 제작방법 |
| WO2005059607A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 集光素子および固体撮像装置 |
| CN100397105C (zh) * | 2003-12-18 | 2008-06-25 | 松下电器产业株式会社 | 聚光元件及固体摄像器件 |
| US7851837B2 (en) | 2003-12-18 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Light-collecting device and solid-state imaging apparatus |
| WO2005101067A1 (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 集光素子および固体撮像装置 |
| US8018508B2 (en) | 2004-04-13 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Light-collecting device and solid-state imaging apparatus |
| US7663084B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-02-16 | Panasonic Corporation | Solid-state imager and solid-state imaging apparatus having a modulated effective refractive index distribution and manufacturing method thereof |
| US7692129B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-04-06 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device with light-collecting device having sub-wavelength periodic structure, solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7358475B2 (en) | Solid-state imaging device and camera | |
| EP1903608B1 (en) | Solid-state image sensor | |
| US7427742B2 (en) | Microlens for use with a solid-state image sensor and a non-telecentric taking lens | |
| US7978255B2 (en) | Solid-state image sensor and image-capturing device | |
| US9261769B2 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
| US20170077164A1 (en) | Solid-state image sensor and image pickup apparatus | |
| US20100230583A1 (en) | Solid state image pickup device, method of manufacturing the same, image pickup device, and electronic device | |
| US10187595B2 (en) | Solid-state image sensor | |
| US7729055B2 (en) | Method and apparatus providing concave microlenses for semiconductor imaging devices | |
| WO2012020632A1 (en) | Image capture apparatus | |
| KR20100005732A (ko) | 시프트된 포토다이오드 위치를 픽셀 그룹 내에서 조정하기 위해 더 큰 렌즈의 어레이 위에 형성된 마이크로렌즈 | |
| US11765476B2 (en) | Imaging element and method for manufacturing imaging element | |
| KR20060043228A (ko) | 촬상 장치 및 그 배열 방법 | |
| KR20040088400A (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| JP3571982B2 (ja) | 固体撮像装置及びそれを備えた固体撮像システム | |
| JP5504382B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
| JP2023067935A (ja) | 撮像素子 | |
| JPH06118209A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100848945B1 (ko) | 주광선 손실을 보상하는 마이크로렌즈 어레이 및 이를포함하는 이미지센서 조립체 | |
| TW202013014A (zh) | 具有多部分繞射透鏡之影像感測器 | |
| JPH04343471A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US20190268543A1 (en) | Image sensor and focus adjustment device | |
| JP4419658B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3049856B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04274365A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971014 |