JPH0645581A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0645581A JPH0645581A JP4195551A JP19555192A JPH0645581A JP H0645581 A JPH0645581 A JP H0645581A JP 4195551 A JP4195551 A JP 4195551A JP 19555192 A JP19555192 A JP 19555192A JP H0645581 A JPH0645581 A JP H0645581A
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- Japan
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- wafer
- pattern
- semiconductor device
- mask
- patterns
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長いチップ長の半導体装置をステッパ装置を
用いて製造することを可能とする半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】 サイズの大きい半導体装置の回路パターンを
複数に分割し、これをステッパ露光装置の露光フィール
ド内に配置し、分割された回路パターンをつなぎ合わせ
るように描画することによってサイズの大きい半導体装
置のチップパターンを形成する。 【効果】 ステッパ露光装置の露光エリアを越えるチッ
プ長を有する半導体装置をステッパ露光装置を用いて描
画することが可能となる。
用いて製造することを可能とする半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】 サイズの大きい半導体装置の回路パターンを
複数に分割し、これをステッパ露光装置の露光フィール
ド内に配置し、分割された回路パターンをつなぎ合わせ
るように描画することによってサイズの大きい半導体装
置のチップパターンを形成する。 【効果】 ステッパ露光装置の露光エリアを越えるチッ
プ長を有する半導体装置をステッパ露光装置を用いて描
画することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に、露光エリアの比較的に狭い露光装置を用い
てウエハに露光エリアよりも大きいパターンを微細に描
画することを可能とする半導体装置の製造方法に関す
る。
関し、特に、露光エリアの比較的に狭い露光装置を用い
てウエハに露光エリアよりも大きいパターンを微細に描
画することを可能とする半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ(Charge Coupled Device) 、ＢＢ
Ｄ(Bucket Brigade Device) 、ＣＩＤ(Charge Injectio
n Device) 等の電荷転送デバイスを用いた固体撮像デバ
イスが画像の読取り装置に用いられている。この種の固
体撮像デバイスうち、文字原稿や写真等を読取るスキャ
ナにはリニアイメージセンサが用いられている。リニア
イメージセンサは画素の読取り素子、電荷転送素子が一
次元状に配置されており、１０２４〜１００００画素の
画素数の製品が提供されている。このようなリニアイメ
ージセンサの長手方向のチップ長は１８〜８０ｍｍとな
り、半導体装置としては非常に大型である。原稿に密着
して画像を読取る密着型のスキャナには、情報の取込み
範囲の拡大が求められるため、リニアイメージセンサは
より長くなる傾向にある。
Ｄ(Bucket Brigade Device) 、ＣＩＤ(Charge Injectio
n Device) 等の電荷転送デバイスを用いた固体撮像デバ
イスが画像の読取り装置に用いられている。この種の固
体撮像デバイスうち、文字原稿や写真等を読取るスキャ
ナにはリニアイメージセンサが用いられている。リニア
イメージセンサは画素の読取り素子、電荷転送素子が一
次元状に配置されており、１０２４〜１００００画素の
画素数の製品が提供されている。このようなリニアイメ
ージセンサの長手方向のチップ長は１８〜８０ｍｍとな
り、半導体装置としては非常に大型である。原稿に密着
して画像を読取る密着型のスキャナには、情報の取込み
範囲の拡大が求められるため、リニアイメージセンサは
より長くなる傾向にある。
【０００３】このようなリニアイメージセンサを製造す
るためには、サイズの大きい設計パターンをチップに投
影することの出来る露光装置が必要である。従来のＣＣ
Ｄリニアイメージセンサのフォトマスクイメージの例を
図４を参照して説明する。同図において、フォトマスク
１には、単位チップのサイズがａ×ｂであるリニアイメ
ージセンサの基本パターン２が形成されている。この基
本パターン２はｙ方向に数十チップ分繰り返されて形成
されている。このパターンの脇には各レイヤの位置合せ
を行う合せマーク３が形成されている。読取り装置の読
取り幅の仕様に応じて設計される基本パターン２のｘ方
向の長さｂが異なる。基本パターン２のｘ方向の長さｂ
が短い場合には、ｘ方向に基本パターン２を２列、３
列、…と繰り返して配列する。こうすると、１つのウエ
ハから多くのチップを得ることができる。図５は、図４
に示すマスクを用いてウエハ４にリニアイメージセンサ
のパターンを形成した例を示しており、図４と対応する
部分には同一符号を付している。ＣＣＤ等の長手のリニ
アイメージセンサのチップ長はいわゆるステップ式投影
露光装置（ステッパ装置）の露光エリアを越えるため、
これを用いることができず、殆どが１：１のミラープロ
ジェクション装置を用いている。よって、図５に示すよ
うにマスクイメージとウエハに焼き付けた後のウエハイ
メージとは等しい大きさである。
るためには、サイズの大きい設計パターンをチップに投
影することの出来る露光装置が必要である。従来のＣＣ
Ｄリニアイメージセンサのフォトマスクイメージの例を
図４を参照して説明する。同図において、フォトマスク
１には、単位チップのサイズがａ×ｂであるリニアイメ
ージセンサの基本パターン２が形成されている。この基
本パターン２はｙ方向に数十チップ分繰り返されて形成
されている。このパターンの脇には各レイヤの位置合せ
を行う合せマーク３が形成されている。読取り装置の読
取り幅の仕様に応じて設計される基本パターン２のｘ方
向の長さｂが異なる。基本パターン２のｘ方向の長さｂ
が短い場合には、ｘ方向に基本パターン２を２列、３
列、…と繰り返して配列する。こうすると、１つのウエ
ハから多くのチップを得ることができる。図５は、図４
に示すマスクを用いてウエハ４にリニアイメージセンサ
のパターンを形成した例を示しており、図４と対応する
部分には同一符号を付している。ＣＣＤ等の長手のリニ
アイメージセンサのチップ長はいわゆるステップ式投影
露光装置（ステッパ装置）の露光エリアを越えるため、
これを用いることができず、殆どが１：１のミラープロ
ジェクション装置を用いている。よって、図５に示すよ
うにマスクイメージとウエハに焼き付けた後のウエハイ
メージとは等しい大きさである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した１：１のミラ
ープロジェクション装置による等倍投影の位置合せで
は、縮小投影に比べ合せ精度も２倍程度悪く、解像力で
は更に劣るため、コンタクトホール、ポリシリコンシリ
コン配線、アルミニウム配線等の微細加工を行うことが
困難である。しかし、微細加工を行うために用いて好適
な露光装置、例えばステッパ装置による縮小投影可能な
露光フィールドは、１７．５ｍｍ×１７．５ｍｍ程度し
かない。このため、上記したリニアイメージセンサの如
き長手のチップのパターン描画には等倍投影（１：１の
ミラープロジェクション）しか用いることが出来ないと
いう制約を受けている。
ープロジェクション装置による等倍投影の位置合せで
は、縮小投影に比べ合せ精度も２倍程度悪く、解像力で
は更に劣るため、コンタクトホール、ポリシリコンシリ
コン配線、アルミニウム配線等の微細加工を行うことが
困難である。しかし、微細加工を行うために用いて好適
な露光装置、例えばステッパ装置による縮小投影可能な
露光フィールドは、１７．５ｍｍ×１７．５ｍｍ程度し
かない。このため、上記したリニアイメージセンサの如
き長手のチップのパターン描画には等倍投影（１：１の
ミラープロジェクション）しか用いることが出来ないと
いう制約を受けている。
【０００５】よって、本発明は、長いチップ長の半導体
装置であっても比較的に露光エリアの狭い露光装置を用
いてパターン描画することを可能とする半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
装置であっても比較的に露光エリアの狭い露光装置を用
いてパターン描画することを可能とする半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置の製造方法は、異なる機能の複数の
回路部分を有する半導体装置の複数をウエハに作り込む
半導体装置の製造方法であって、上記半導体装置におけ
る第１の機能を有する回路部分の任意数について同時に
露光することによるパターン描画を繰り返して上記第１
の機能を有する回路部分についてのパターン描画を行う
第１のステップと、上記半導体装置における第２の機能
を有する回路部分の任意数について同時に露光すること
によるパターン描画を繰り返して上記第２の機能を有す
る回路部分についてのパターン描画を行う第２のステッ
プと、を少なくとも備えることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、異なる機能の複数の
回路部分を有する半導体装置の複数をウエハに作り込む
半導体装置の製造方法であって、上記半導体装置におけ
る第１の機能を有する回路部分の任意数について同時に
露光することによるパターン描画を繰り返して上記第１
の機能を有する回路部分についてのパターン描画を行う
第１のステップと、上記半導体装置における第２の機能
を有する回路部分の任意数について同時に露光すること
によるパターン描画を繰り返して上記第２の機能を有す
る回路部分についてのパターン描画を行う第２のステッ
プと、を少なくとも備えることを特徴とする。
【０００７】
【作用】サイズの大きい半導体装置の全体のパターンを
複数に分割し、これを露光装置の露光フィールド内に配
置し、分割されたパターンをウエハ上でつなぎ合わせる
ことによってサイズの大きい半導体装置のチップパター
ンを描画する。その結果、露光装置の露光エリアを越え
るチップ長を有する半導体装置をウエハに多数描画する
ことが可能となる。
複数に分割し、これを露光装置の露光フィールド内に配
置し、分割されたパターンをウエハ上でつなぎ合わせる
ことによってサイズの大きい半導体装置のチップパター
ンを描画する。その結果、露光装置の露光エリアを越え
るチップ長を有する半導体装置をウエハに多数描画する
ことが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。半導体装置の製造工程においては、ウエハ
にパターンを描画するため複数のマスクが使用される。
図１は、本発明の実施例に用いられる図示しないステッ
パ装置用のマスクを示している。ステッパ装置は原画パ
ターンを光学的に縮小転写し、ウエハに描画する。本実
施例では、この縮小率を５：１に定め、半導体装置とし
てＣＣＤリニアイメージセンサを製造する場合を想定し
て説明する。
て説明する。半導体装置の製造工程においては、ウエハ
にパターンを描画するため複数のマスクが使用される。
図１は、本発明の実施例に用いられる図示しないステッ
パ装置用のマスクを示している。ステッパ装置は原画パ
ターンを光学的に縮小転写し、ウエハに描画する。本実
施例では、この縮小率を５：１に定め、半導体装置とし
てＣＣＤリニアイメージセンサを製造する場合を想定し
て説明する。
【０００９】まず、リニアイメージセンサを形成する１
つのチップのパターンを複数に分割する。この例では、
リニアイメージセンサのパターンを画素繰返し部１０
１、出力部１０２及び入力部１０３の３つに分割してい
る。画素繰返し部１０１は、所定数の光電変換素子と所
定数の電荷転送素子とを備えており、これを連結するこ
とによって所望の長さのイメージセンシングエリアを形
成することができる。入力部１０３及び画素繰返し部１
０１を互いに隣接してパターンを描画すると、入力部１
０３の回路パターンの左端及び画素繰返し部１０１の回
路パターンの右端とは連続し、必要な配線パターン等が
接続される。画素繰返し部１０１及び出力部１０２間も
同様である。図１では上記３つの部分を、１つのマスク
１０上にｙ方向に３チップ分並べて配置している。マス
ク１０上に形成された画素繰返し部１０１のチップパタ
ーンのｙ方向のサイズは、リニアイメージセンサのｙ方
向の実際の幅ａの５倍である５ａであり、ｘ方向のサイ
ズは実際の幅ｍの５倍の５ｍである。出力部１０２のチ
ップパターンのｙ方向のサイズは、５ａであり、ｘ方向
のサイズは出力部１０２の実際の幅ｌの５倍の５ｌであ
る。入力部１０３のチップパターンのｙ方向のサイズ
は、５ａであり、ｘ方向のサイズは入力部１０３の実際
の幅ｎの５倍の５ｎである。このようなマスク１０は製
造工程に応じた数及びパターンで用意される。なお、こ
の実施例では説明を簡単にするため３つの領域（１０
１，１０２，１０３）の各々について、説明簡単にする
ために１度に３チップ分を投影することの出来るパター
ンで形成しているが、これに限定されるものではない。
つのチップのパターンを複数に分割する。この例では、
リニアイメージセンサのパターンを画素繰返し部１０
１、出力部１０２及び入力部１０３の３つに分割してい
る。画素繰返し部１０１は、所定数の光電変換素子と所
定数の電荷転送素子とを備えており、これを連結するこ
とによって所望の長さのイメージセンシングエリアを形
成することができる。入力部１０３及び画素繰返し部１
０１を互いに隣接してパターンを描画すると、入力部１
０３の回路パターンの左端及び画素繰返し部１０１の回
路パターンの右端とは連続し、必要な配線パターン等が
接続される。画素繰返し部１０１及び出力部１０２間も
同様である。図１では上記３つの部分を、１つのマスク
１０上にｙ方向に３チップ分並べて配置している。マス
ク１０上に形成された画素繰返し部１０１のチップパタ
ーンのｙ方向のサイズは、リニアイメージセンサのｙ方
向の実際の幅ａの５倍である５ａであり、ｘ方向のサイ
ズは実際の幅ｍの５倍の５ｍである。出力部１０２のチ
ップパターンのｙ方向のサイズは、５ａであり、ｘ方向
のサイズは出力部１０２の実際の幅ｌの５倍の５ｌであ
る。入力部１０３のチップパターンのｙ方向のサイズ
は、５ａであり、ｘ方向のサイズは入力部１０３の実際
の幅ｎの５倍の５ｎである。このようなマスク１０は製
造工程に応じた数及びパターンで用意される。なお、こ
の実施例では説明を簡単にするため３つの領域（１０
１，１０２，１０３）の各々について、説明簡単にする
ために１度に３チップ分を投影することの出来るパター
ンで形成しているが、これに限定されるものではない。
【００１０】このマスク１０を用いてパターン描画を行
う方法について図２を参照して説明する。まず、ウエハ
に３チップ分のリニアイメージセンサをパターン描画す
る場合について説明する。各部のパターンが形成された
マスク１０を図示しないステッパ装置にセットする。ス
テッパ装置の図示しない制御コンピュータにはマスク１
０上の分割されたパターンをウエハに投影すべき順序及
びステップピッチ等が予めプログラムされている。
う方法について図２を参照して説明する。まず、ウエハ
に３チップ分のリニアイメージセンサをパターン描画す
る場合について説明する。各部のパターンが形成された
マスク１０を図示しないステッパ装置にセットする。ス
テッパ装置の図示しない制御コンピュータにはマスク１
０上の分割されたパターンをウエハに投影すべき順序及
びステップピッチ等が予めプログラムされている。
【００１１】ステッパ装置は、画素繰返し部１０１及び
入力部１０３をブラインド機能により遮光し、レジスト
が塗布されたウエハ４を載置する図示しないウエハステ
ージを移動してマスクとウエハ相互間の位置を調整し、
出力部１０２のみをウエハ４の基準位置に描画する。出
力部１０２は、マスク１０に形成されたサイズの１／５
に縮小されて３ａ×ｌに描かれる。次に、ウエハステー
ジを移動し、マスク１０をウエハ４のｘ方向にｌだけ相
対的に移動する。出力部１０２及び入力部１０３をブラ
インド機能により遮光し、画素繰返し部１０１をウエハ
４に描画された出力部１０２に隣接してウエハ４に描画
する。必要な画素数が得られるように画素繰返し部１０
１のパターンをｘ方向に相対的に移動し、画素繰返し部
１０１の描画を繰返してパターン１０１1 〜１０１4 を
形成する。画素繰返し部１０１を連結して形成したイメ
ージ読取り領域は、３ａ×４ｍのサイズに縮小されて描
かれる。更に、マスク１０をウエハ４のｘ方向に相対的
に移動する。マスク１０の出力部１０２及び画素繰返し
部１０１をブラインド機能により遮光し、入力部１０３
がイメージ読取り領域の右端に隣接するように描画す
る。入力部１０３は３ａ×ｎのサイズに縮小されて描か
れる。描画された各部のｘ方向における境界部分におい
ては、配線等の接続されるべきパターンが連続するよう
に形成される。ステップ式露光装置では、マスクパター
ン（レクチルパターン）の投影像に対し、ウエハを規則
的に移動することは容易である。こうして、ウエハ１０
上にサイズが３ａ×ｂのｘ方向に長いリニアイメージセ
ンサのパターンが描画される。ここに、ｂ＝ｌ＋ｍ＋ｍ
＋ｍ＋ｍ＋ｎである。
入力部１０３をブラインド機能により遮光し、レジスト
が塗布されたウエハ４を載置する図示しないウエハステ
ージを移動してマスクとウエハ相互間の位置を調整し、
出力部１０２のみをウエハ４の基準位置に描画する。出
力部１０２は、マスク１０に形成されたサイズの１／５
に縮小されて３ａ×ｌに描かれる。次に、ウエハステー
ジを移動し、マスク１０をウエハ４のｘ方向にｌだけ相
対的に移動する。出力部１０２及び入力部１０３をブラ
インド機能により遮光し、画素繰返し部１０１をウエハ
４に描画された出力部１０２に隣接してウエハ４に描画
する。必要な画素数が得られるように画素繰返し部１０
１のパターンをｘ方向に相対的に移動し、画素繰返し部
１０１の描画を繰返してパターン１０１1 〜１０１4 を
形成する。画素繰返し部１０１を連結して形成したイメ
ージ読取り領域は、３ａ×４ｍのサイズに縮小されて描
かれる。更に、マスク１０をウエハ４のｘ方向に相対的
に移動する。マスク１０の出力部１０２及び画素繰返し
部１０１をブラインド機能により遮光し、入力部１０３
がイメージ読取り領域の右端に隣接するように描画す
る。入力部１０３は３ａ×ｎのサイズに縮小されて描か
れる。描画された各部のｘ方向における境界部分におい
ては、配線等の接続されるべきパターンが連続するよう
に形成される。ステップ式露光装置では、マスクパター
ン（レクチルパターン）の投影像に対し、ウエハを規則
的に移動することは容易である。こうして、ウエハ１０
上にサイズが３ａ×ｂのｘ方向に長いリニアイメージセ
ンサのパターンが描画される。ここに、ｂ＝ｌ＋ｍ＋ｍ
＋ｍ＋ｍ＋ｎである。
【００１２】この実施例では、出力部、入力部を各１
回、画素繰返し部を４回横方向に描画することでウエハ
のｘ方向において１チップ分のパターンを描画する。勿
論、画素繰返し部１０１の描画繰返し回数を減らすこと
によってｘ方向に短手のリニアイメージセンサのパター
ンを描画することも出来る。このようにしてパターンが
描画されたウエハは図示しないフォトレジストの現像工
程により現像され、更に、エッチングや拡散等の公知の
複数の工程を経て半導体装置に完成される。これらの後
続の処理工程は本願発明の要旨ではないので説明しな
い。
回、画素繰返し部を４回横方向に描画することでウエハ
のｘ方向において１チップ分のパターンを描画する。勿
論、画素繰返し部１０１の描画繰返し回数を減らすこと
によってｘ方向に短手のリニアイメージセンサのパター
ンを描画することも出来る。このようにしてパターンが
描画されたウエハは図示しないフォトレジストの現像工
程により現像され、更に、エッチングや拡散等の公知の
複数の工程を経て半導体装置に完成される。これらの後
続の処理工程は本願発明の要旨ではないので説明しな
い。
【００１３】次に、ウエハにより多くのリニアイメージ
センサのパターンを描画するようにした他の実施例につ
いて図３を参照して説明する。この実施例では、パター
ンを描画する順序を考慮することにより、ステッパ装置
がマスクパターンを変更する回数を減らしている。
センサのパターンを描画するようにした他の実施例につ
いて図３を参照して説明する。この実施例では、パター
ンを描画する順序を考慮することにより、ステッパ装置
がマスクパターンを変更する回数を減らしている。
【００１４】まず、各部のパターンが形成されたマスク
１０をステッパ装置にセットし、図３に示されるウエハ
４の左下の基準位置から、出力部１０２等のパターンを
同図中の点線に沿ってステップを繰返して描画するよう
に制御コンピュータにプログラムする。画素繰返し部１
０１及び入力部１０３をステッパ装置のブラインド機能
により遮光し、出力部１０２のみをレジストが塗布され
たウエハ４の基準位置に描画する。ウエハ４に描画され
た出力部１０２1 は、マスク１０に形成されたサイズの
１／５に縮小されて３ａ×ｌに描かれる。次に、出力部
１０２の投影像１０２をウエハ４のｙ方向に相対的に３
ａだけ移動する。ウエハ４に描画された出力部１０２1
の上部に隣接して出力部１０２のパターンを描画するこ
とをウエハの４のｙ方向にに更に６回繰返して行い、ウ
エハ４の上部左に出力部パターン１０２2 〜１０２7 を
描画する。
１０をステッパ装置にセットし、図３に示されるウエハ
４の左下の基準位置から、出力部１０２等のパターンを
同図中の点線に沿ってステップを繰返して描画するよう
に制御コンピュータにプログラムする。画素繰返し部１
０１及び入力部１０３をステッパ装置のブラインド機能
により遮光し、出力部１０２のみをレジストが塗布され
たウエハ４の基準位置に描画する。ウエハ４に描画され
た出力部１０２1 は、マスク１０に形成されたサイズの
１／５に縮小されて３ａ×ｌに描かれる。次に、出力部
１０２の投影像１０２をウエハ４のｙ方向に相対的に３
ａだけ移動する。ウエハ４に描画された出力部１０２1
の上部に隣接して出力部１０２のパターンを描画するこ
とをウエハの４のｙ方向にに更に６回繰返して行い、ウ
エハ４の上部左に出力部パターン１０２2 〜１０２7 を
描画する。
【００１５】マスク１０の出力部１０２及び入力部１０
３をブラインド機能により遮光する。画素繰返し部１０
１をウエハ４に描画された出力部１０２7 に隣接してウ
エハ４のｘ方向に描画し、画素繰返し部パターン１０１
1 を形成する。必要な画素数が得られるように投影パタ
ーンをｘ方向にｍだけ移動することを繰返し、画素繰返
し部パターン１０１2 〜１０１4 の描画を行う。画素繰
返し部パターン１０１4 から、投影パターンをｙ方向と
反対方向に相対的に３ａだけ移動し、画素繰返し部パタ
ーン１０１5 を描画する。以下同様に、画素繰返し部パ
ターン１０１6〜１０１28を図中の点線で示すようにジ
グザグに描画し、ウエハ４の右下のパターン１０１28に
至る。
３をブラインド機能により遮光する。画素繰返し部１０
１をウエハ４に描画された出力部１０２7 に隣接してウ
エハ４のｘ方向に描画し、画素繰返し部パターン１０１
1 を形成する。必要な画素数が得られるように投影パタ
ーンをｘ方向にｍだけ移動することを繰返し、画素繰返
し部パターン１０１2 〜１０１4 の描画を行う。画素繰
返し部パターン１０１4 から、投影パターンをｙ方向と
反対方向に相対的に３ａだけ移動し、画素繰返し部パタ
ーン１０１5 を描画する。以下同様に、画素繰返し部パ
ターン１０１6〜１０１28を図中の点線で示すようにジ
グザグに描画し、ウエハ４の右下のパターン１０１28に
至る。
【００１６】更に、マスク１０の出力部１０２及び画素
繰返し部１０１をブラインド機能により遮光する。マス
ク１０の入力部１０３を選択し、マスク１０をウエハ４
のｘ方向にｍだけ相対的に移動する。画素繰返し部パタ
ーン１０１28の右端に隣接するように描画して入力部パ
ターン１０３1 を形成する。マスク１０をウエハ４のｙ
方向に３ａだけ相対的に移動して入力部パターン１０３
1 とｙ方向において隣接する入力部パターン１０３2 を
描画する。このようなパターン描画を繰返して入力部パ
ターン１０３3 〜１０３7 を形成する。描画された各部
パターンのｘ方向における境界部分においては、配線等
の接続されるべきパターンが連続するように形成され
る。ステップ式露光装置では、マスクパターン（レクチ
ルパターン）の投影像に対し、ウエハ４をｘ方向及びｙ
方向において規則的に移動することは容易である。
繰返し部１０１をブラインド機能により遮光する。マス
ク１０の入力部１０３を選択し、マスク１０をウエハ４
のｘ方向にｍだけ相対的に移動する。画素繰返し部パタ
ーン１０１28の右端に隣接するように描画して入力部パ
ターン１０３1 を形成する。マスク１０をウエハ４のｙ
方向に３ａだけ相対的に移動して入力部パターン１０３
1 とｙ方向において隣接する入力部パターン１０３2 を
描画する。このようなパターン描画を繰返して入力部パ
ターン１０３3 〜１０３7 を形成する。描画された各部
パターンのｘ方向における境界部分においては、配線等
の接続されるべきパターンが連続するように形成され
る。ステップ式露光装置では、マスクパターン（レクチ
ルパターン）の投影像に対し、ウエハ４をｘ方向及びｙ
方向において規則的に移動することは容易である。
【００１７】こうして、１つのウエハ４に出力部１０２
がｙ方向に７回、画素繰返し部１０１がｙ方向及びｘ方
向に２８回、入力部１０３がｙ方向に７回ショットされ
て、描画パターンが形成される。そして、ウエハ４上に
サイズａ×ｂのｘ方向に長いリニアイメージセンサのパ
ターンが２１個分描画される。
がｙ方向に７回、画素繰返し部１０１がｙ方向及びｘ方
向に２８回、入力部１０３がｙ方向に７回ショットされ
て、描画パターンが形成される。そして、ウエハ４上に
サイズａ×ｂのｘ方向に長いリニアイメージセンサのパ
ターンが２１個分描画される。
【００１８】なお、本願発明は上記実施例に限定される
ものではなく、例えばステップ式投影露光装置のみなら
ず、走査式投影露光装置、ミラーレンズ投影露光装置、
ステップ式Ｘ線露光装置等の露光装置にも適用可能であ
る。
ものではなく、例えばステップ式投影露光装置のみなら
ず、走査式投影露光装置、ミラーレンズ投影露光装置、
ステップ式Ｘ線露光装置等の露光装置にも適用可能であ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体の
製造方法を用いることにより、露光装置の露光エリアを
越える大きいパターンを描画することが出来、例えばＣ
ＣＤリニアイメージセンサの如きチップが長い大型の半
導体装置のパターンを露光することが可能となる。従っ
て、ステッパ装置の如き比較的に露光エリアの狭い露光
装置を用いて精度良く微細加工を施すことが可能とな
る。また、ウエハに露光エリアを越える多数のチップの
パターンを露光することも可能となる。
製造方法を用いることにより、露光装置の露光エリアを
越える大きいパターンを描画することが出来、例えばＣ
ＣＤリニアイメージセンサの如きチップが長い大型の半
導体装置のパターンを露光することが可能となる。従っ
て、ステッパ装置の如き比較的に露光エリアの狭い露光
装置を用いて精度良く微細加工を施すことが可能とな
る。また、ウエハに露光エリアを越える多数のチップの
パターンを露光することも可能となる。
【図１】本発明に用いるステッパ装置のフォトマスク
（レクチル）の例を示す説明図。
（レクチル）の例を示す説明図。
【図２】図１に示されたマスクによって３チップ分を描
画した例を示す説明図。
画した例を示す説明図。
【図３】図１に示されるマスクを用いてウエハに描画し
た例を示す説明図。
た例を示す説明図。
【図４】従来のミラープロジェクション用のマスクを示
す説明図。
す説明図。
【図５】図４に示されるマスクを用いてウエハに描画し
た例を示す説明図。
た例を示す説明図。
４ ウエハ １０ マスク １０１ 画素繰返し部 １０２ 出力部 １０３ 入力部
Claims (2)
- 【請求項１】異なる機能の複数の回路部分を有する半導
体装置の複数をウエハに作り込む半導体装置の製造方法
であって、 前記半導体装置における第１の機能を有する回路部分の
任意数について同時に露光することによるパターン描画
を繰り返して前記第１の機能を有する回路部分について
のパターン描画を行う第１のステップと、 前記半導体装置における第２の機能を有する回路部分の
任意数について同時に露光することによるパターン描画
を繰り返して前記第２の機能を有する回路部分について
のパターン描画を行う第２のステップと、 を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】前記半導体装置はリニアイメージセンサで
あり、 前記複数の回路部分のうち１つは、感光素子列と前記感
光素子列で発生した電荷を転送するシフトレジスタとを
少なくとも有する画素繰返し部であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195551A JPH0645581A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195551A JPH0645581A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645581A true JPH0645581A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16342989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4195551A Withdrawn JPH0645581A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645581A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010519595A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ステッチされるｉｃチップ・レイアウトの方法、システム、およびプログラム製品 |
| US8288061B2 (en) | 2009-07-14 | 2012-10-16 | Renesas Electronics Corporation | Reticle and manufacturing method of solid-state image sensor |
| KR20190024599A (ko) * | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 마스크 어셈블리 및 칩 패키지를 제조하기 위한 방법 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP4195551A patent/JPH0645581A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010519595A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ステッチされるｉｃチップ・レイアウトの方法、システム、およびプログラム製品 |
| US8288061B2 (en) | 2009-07-14 | 2012-10-16 | Renesas Electronics Corporation | Reticle and manufacturing method of solid-state image sensor |
| US8765361B2 (en) | 2009-07-14 | 2014-07-01 | Renesas Electronics Corporation | Reticle and manufacturing method of solid-state image sensor |
| KR20190024599A (ko) * | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 마스크 어셈블리 및 칩 패키지를 제조하기 위한 방법 |
| US11107680B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mask assembly and method for fabricating a chip package |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |