JP5043910B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
マイクロレンズアレイ描像システムを使用する本発明の一つの実施形態では、照明システムにあるビーム拡張器の視野レンズ(視野レンズは、2つ以上の別個のレンズから形成してよい)の機能は、視野レンズとマイクロレンズアレイの間の光線の全成分が平行で、マイクロレンズアレイに対して直角であることを保証することによって、投影システムをテレセントリック系にすること、である。しかし、視野レンズとマイクロレンズアレイの間の光線は、ほぼ平行であるが、絶対的平行性は達成可能でないことがある。
図1は、本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置100を概略的に示したものである。装置100は、少なくとも放射線システム102、個々に制御可能な素子104のアレイ、オブジェクトテーブル106(例えば基板テーブル)および投影システム(「レンズ」)108を含む。
1.ステップモード。個々に制御可能な素子104のアレイ上にあるパターン全体を、1回で(つまり1回の「フラッシュ」で)目標部分120に投影する。次に、パターン形成した投影ビーム110で異なる目標部分120を照射するために、基板テーブル106がx方向および/またはy方向に異なる位置へと移動する。
2.走査モード。基本的にステップモードと同じであるが、所与の目標部分120を1回の「フラッシュ」で露光しない。代わりに、個々に制御可能な素子104のアレイが、速度vで所与の方向(いわゆる「走査方向」で、例えばy方向)に移動可能であり、したがってパターン形成された投影ビーム110が、個々に制御可能な素子104のアレイを走査する。同時に、基板テーブル106を速度V=Mvで同じ方向または反対方向に同時に移動させ、ここでMは投影システム108の倍率である。このように、解像度を妥協せずに、比較的大きい目標部分120を露光することができる。
3.パルスモード。個々に制御可能な素子104のアレイは、基本的に静止状態に維持され、パルス状放射線システム102を使用して、パターン全体を基板114の目標部分120に投影する。基板テーブル106は、基本的に一定の速度で移動し、したがってパターン形成された投影ビーム110が、基板106にわたる線を走査する。個々に制御可能な素子104のアレイのパターンは、放射線システム102のパルス間で必要に応じて更新され、基板114上の必要な位置で連続する目標部分120が露光されるように、パルスのタイミングをとる。その結果、パターン形成された投影ビーム110が、基板114を走査し、基板114の細片で完全なパターンを露光することができる。線単位で基板114全体が露光されるまで、このプロセスを繰り返す。
4.連続走査モード。基本的にパルスモードと同じであるが、ほぼ一定の放射線システム102を使用し、パターン形成された投影ビーム110が基板114を走査し、それを露光するにつれ、個々に制御可能な素子104のアレイ上のパターンを更新する。
図6は、従来のリソグラフィシステムの構成および方法を示し、ここでは制御可能な素子2の列を使用して、ピクセルのパターンを基板に投影する。素子は、適切な制御信号によって調節できる傾斜角度を有する小さいミラーである。図6の上部分は、4枚のミラー2wを最も白い状態で、2枚のミラー2bを黒の状態へと傾斜した姿勢で示す。図6の下部分は、非常に単純化した形態で、素子2の列に対応するピクセルの中心を通る目標基板上の線に沿った輝度分布を示す。図で見られるように、白の要素2w(w=白)に対応するピクセルの輝度は、最大値I0であり、黒の要素2b(b=黒)に対応するピクセルの輝度はほぼゼロである。輝度I0を有するピクセルは、目標の白の領域に投影され、黒のピクセルへの遷移は、白の領域の縁部に配置される。したがって、この従来通りの方法では、可能な限り最も白い(例えば最高輝度の)素子状態が、白の領域の標準的露光に使用される。
以上、本発明の様々な実施形態を説明してきたが、これは例示としてのみ提示したもので、制限するものではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の様々な変更を実行できることが、当業者には明白である。したがって、本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその均等物によってのみ定義されるものである。
Claims (15)
- デバイス製造方法であって、
(a)個々に制御可能な素子のアレイで放射線の投影ビームにパターン形成することと、
(b)パターン形成したビームを基板に投影することとを含み、パターン形成された投影ビームが複数のピクセルを有するピクセルパターンを備え、
前記投影することは、第一ピクセルパターンを前記基板に投影するための第一露光ステップと、第一露光ステップの前または後に第二ピクセルパターンを前記基板に投影するための第二露光ステップと、を含み、第一ピクセルパターンと第二ピクセルパターンとは前記基板上で互いに少なくとも部分的に重なり合い、
前記第一露光ステップは、前記第一ピクセルパターンの少なくとも一部分の各ピクセルが予め決定した線量以下の第一放射線線量を前記基板のある領域に送出するように、前記第一ピクセルパターンの前記一部分に対応する複数の素子を制御することを含み、該予め決定した線量は、補償のための専用の線量範囲の下限を定めており、前記ある領域は、前記投影することの間、欠陥のある素子に影響された欠陥ピクセルが投影されない領域であり、
前記第二露光ステップは、前記欠陥ピクセルによる前記第一露光ステップでの露光不足を少なくとも部分的に補償するために、少なくとも1つの素子を制御することを含み、該少なくとも1つの素子は、前記露光不足の生じる前記基板の少なくとも1つの位置に投影される前記第二ピクセルパターンの少なくとも1つの選択ピクセルに対応し、該少なくとも1つの素子は、前記予め決定した線量より多い第二放射線線量を該少なくとも1つの選択ピクセルが送出するように制御される、方法。 - 前記第二放射線線量は、前記予め決定した線量より少なくとも約1.1倍、1.5倍、または2倍大きい、請求項1に記載の方法。
- 予め決定した放射線線量パターンが前記基板上の表面に与えられ、該放射線線量パターンが、
少なくとも予め決定した閾値と等しい放射線線量が送出される白の領域と、
前記予め決定した閾値より少ない放射線線量が送出される黒の領域とを有し、
前記欠陥ピクセルと前記少なくとも1つの選択ピクセルとはともに、前記線量パターンの白の領域に投影され、
前記第二露光ステップは、前記少なくとも1つの選択ピクセルが前記第二放射線線量を送出して、前記欠陥ピクセルによる前記第一露光ステップでの白の領域の露光不足を少なくとも部分的に補償するように、前記少なくとも1つの素子を制御することを含む、請求項1または2に記載の方法。 - 基板が、放射化閾値を有する放射線感光性材料の層を有し、前記予め決定した閾値が前記放射化閾値であり、前記基板上の表面が層の表面であり、
前記予め決定した線量は、前記予め決定した閾値より少なく、前記予め決定した閾値の半分より多い、請求項3に記載の方法。 - 前記第一露光ステップは、前記欠陥ピクセルによる前記第二露光ステップでの露光不足を少なくとも部分的に補償するために、少なくとも1つの素子を制御することを含み、該少なくとも1つの素子は、前記露光不足の生じる前記基板の少なくとも1つの位置に投影される前記第一ピクセルパターンの少なくとも1つの選択ピクセルに対応し、前記第二放射線線量を該少なくとも1つの選択ピクセルが送出するように制御され、
前記第二露光ステップは、前記第二ピクセルパターンの一部分の各ピクセルが前記第一放射線線量を前記ある領域に送出するように、前記第二ピクセルパターンの前記一部分に対応する複数の素子を制御することを含む、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - 予め決定した放射線線量パターンを前記基板の目標部分に与えるために、前記投影することを実行し、
前記第一露光ステップは、前記目標部分を、第一アレイの第一セットの素子に対応する第一の複数のピクセルで露光し、
前記第二露光ステップは、前記目標部分を、前記第一アレイ又は第二の異なるアレイの第二セットの素子に対応する第二の複数のピクセルで露光する、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - 各ピクセルが、前記素子のそれぞれに対応する、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- さらに、
各ピクセルの輝度分布を、アレイの個々の対応する素子、および個々の対応する素子にすぐ隣接する素子に依存させることを含む、請求項1から7のいずれかに記載の方法。 - 前記第一露光ステップが、各ピクセルが、予め決定した標準的な最大輝度より低いか、それと等しいピーク輝度を有するように、素子を制御することを含み、
前記第二露光ステップが、前記少なくとも1つの選択されたピクセルが、標準的な最大輝度より高い、増加したピーク輝度を有するように、素子を制御することを含む、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - さらに、少なくとも3つの状態のうち1つに選択的に適応するように、欠陥がない各素子を制御することを含み、前記状態が、
対応するピクセルによって送出される放射線線量への寄与が最小になるように、素子が投影ビームと相互作用する名目上黒の状態と、
対応するピクセルによって送出される放射線線量への寄与が増加するように、素子が投影ビームと相互作用する、少なくとも1つの名目上グレーの状態と、
対応するピクセルに送出される放射線線量への寄与が、どのグレー状態よりも大きくなるように素子が投影ビームと相互作用する、少なくとも1つの名目上白の状態とを含み、
前記第一露光ステップが、黒またはグレーの状態のうち一方に適応するために、各素子を制御することを含み、
前記第二露光ステップが、白の状態に適応するために、少なくとも1つの選択された素子を制御することを含む、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - リソグラフィ装置で、
放射線の投影ビームにパターンを形成する、個々に制御可能な素子のアレイと、
パターン形成したビームを基板に投影する投影システムとを有し、パターン形成したビームが複数のピクセルを有するピクセルパターンを備え、さらに、
前記素子を制御するコントローラを有し、
前記コントローラは、第一ピクセルパターンを前記基板に投影するための第一露光ステップと、第一露光ステップの前または後に第二ピクセルパターンを前記基板に投影するための第二露光ステップとを含む投影ステップを、第一ピクセルパターンと第二ピクセルパターンとが前記基板上で互いに少なくとも部分的に重なり合うように制御し、
前記第一露光ステップは、前記第一ピクセルパターンの少なくとも一部分の各ピクセルが予め決定した線量以下の第一放射線線量を前記基板のある領域に送出するように、前記第一ピクセルパターンの前記一部分に対応する複数の素子を制御することを含み、該予め決定した線量は、補償のための専用の線量範囲の下限を定めており、前記ある領域は、前記投影ステップにおいて、欠陥のある素子に影響された欠陥ピクセルが投影されない領域であり、
前記第二露光ステップは、前記欠陥ピクセルによる前記第一露光ステップでの露光不足を少なくとも部分的に補償するために、少なくとも1つの素子を制御することを含み、該少なくとも1つの素子は、前記露光不足の生じる前記基板の少なくとも1つの位置に投影される前記第二ピクセルパターンの少なくとも1つの選択ピクセルに対応し、該少なくとも1つの素子は、前記予め決定した線量より多い第二放射線線量を該少なくとも1つの選択ピクセルが送出するように制御される、リソグラフィ装置。 - 前記第二放射線線量は、前記予め決定した線量より少なくとも約1.1倍、1.5倍、または2倍大きい、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 予め決定した放射線線量パターンが前記基板上の表面に与えられ、該放射線線量パターンが、
少なくとも予め決定した閾値と等しい放射線線量が送出される白の領域と、
前記予め決定した閾値より少ない放射線線量が送出される黒の領域とを有し、
前記欠陥ピクセルと前記少なくとも1つの選択ピクセルとはともに、前記線量パターンの白の領域に投影され、
前記第二露光ステップは、前記少なくとも1つの選択ピクセルが前記第二放射線線量を送出して、前記欠陥ピクセルによる前記第一露光ステップでの白の領域の露光不足を少なくとも部分的に補償するように、前記少なくとも1つの素子を制御することを含む、請求項11または12に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第一露光ステップは、前記欠陥ピクセルによる前記第二露光ステップでの露光不足を少なくとも部分的に補償するために、少なくとも1つの素子を制御することを含み、該少なくとも1つの素子は、前記露光不足の生じる前記基板の少なくとも1つの位置に投影される前記第一ピクセルパターンの少なくとも1つの選択ピクセルに対応し、前記第二放射線線量を該少なくとも1つの選択ピクセルが送出するように制御され、
前記第二露光ステップは、前記第二ピクセルパターンの一部分の各ピクセルが前記第一放射線線量を前記ある領域に送出するように、前記第二ピクセルパターンの前記一部分に対応する複数の素子を制御することを含む、請求項11から13のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 素子のアレイがプログラマブルミラーアレイを有する、請求項11から14のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/862,876 US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
US10/862876 | 2004-06-08 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005166338A Division JP2005354059A (ja) | 2004-06-08 | 2005-06-07 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012027223A Division JP5160688B2 (ja) | 2004-06-08 | 2012-02-10 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009296004A JP2009296004A (ja) | 2009-12-17 |
JP5043910B2 true JP5043910B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=34940988
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005166338A Pending JP2005354059A (ja) | 2004-06-08 | 2005-06-07 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2009210018A Active JP5043910B2 (ja) | 2004-06-08 | 2009-09-11 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2012027223A Active JP5160688B2 (ja) | 2004-06-08 | 2012-02-10 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005166338A Pending JP2005354059A (ja) | 2004-06-08 | 2005-06-07 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012027223A Active JP5160688B2 (ja) | 2004-06-08 | 2012-02-10 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7123348B2 (ja) |
EP (1) | EP1605313A3 (ja) |
JP (3) | JP2005354059A (ja) |
KR (1) | KR100649177B1 (ja) |
CN (1) | CN100520591C (ja) |
SG (1) | SG118329A1 (ja) |
TW (1) | TWI309342B (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7123348B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
EP2966670B1 (en) * | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7528933B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement |
GB2438649A (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-05 | Markem Tech Ltd | Improving print quality affected by malfunctioning printing element |
JP4324622B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2009-09-02 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法 |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP2179330A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
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US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
-
2004
- 2004-06-08 US US10/862,876 patent/US7123348B2/en active Active
-
2005
- 2005-04-22 EP EP05252536A patent/EP1605313A3/en not_active Withdrawn
- 2005-05-16 SG SG200503112A patent/SG118329A1/en unknown
- 2005-06-01 TW TW094118065A patent/TWI309342B/zh active
- 2005-06-07 JP JP2005166338A patent/JP2005354059A/ja active Pending
- 2005-06-07 CN CNB2005100765860A patent/CN100520591C/zh active Active
- 2005-06-07 KR KR1020050048300A patent/KR100649177B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-10-13 US US11/580,134 patent/US20070030471A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-09-11 JP JP2009210018A patent/JP5043910B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-10 JP JP2012027223A patent/JP5160688B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-26 US US14/190,147 patent/US9176392B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070030471A1 (en) | 2007-02-08 |
EP1605313A3 (en) | 2006-04-05 |
CN1707364A (zh) | 2005-12-14 |
US7123348B2 (en) | 2006-10-17 |
CN100520591C (zh) | 2009-07-29 |
TWI309342B (en) | 2009-05-01 |
KR20060048218A (ko) | 2006-05-18 |
KR100649177B1 (ko) | 2006-11-24 |
US20050270515A1 (en) | 2005-12-08 |
EP1605313A2 (en) | 2005-12-14 |
JP2009296004A (ja) | 2009-12-17 |
TW200611081A (en) | 2006-04-01 |
US20140176929A1 (en) | 2014-06-26 |
JP2012094917A (ja) | 2012-05-17 |
JP5160688B2 (ja) | 2013-03-13 |
US9176392B2 (en) | 2015-11-03 |
SG118329A1 (en) | 2006-01-27 |
JP2005354059A (ja) | 2005-12-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
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