KR100649177B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

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아르노 얀 블리커
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 발명에 따른 시스템 및 디바이스 제조 방법은 기판을 제공하고 1이상의 노광 단계를 수행한다. 각각의 노광 단계에서는, 개별적으로 제어가능한 요소들을 사용하여 패터닝된 패터닝된 방사선 빔을, 기판의 타겟부상으로 투영시킨다. 투영되는 패터닝된 빔은 복수의 픽셀을 포함한다. 각각의 노광 단계는 또한: (a) 상기 노광 단계에서 각각의 픽셀이 사전설정된 공칭 최대 도즈보다 크지 않은 방사선 도즈를 타겟부에 전달하도록 상기 요소를 통상적으로 제어하는 단계; (b) 1이상 선택되는 픽셀이 상기 공칭 최대 도즈보다 큰, 증가된 방사선 도즈를 전달하도록 상기 요소를 예외적으로 제어하는 단계를 포함한다. 선택된 픽셀에 인접한 픽셀상에서, 어레이내의 알려진 위치의 결함 요소의 영향을 보상하도록, 상기 증가된 도즈가 전달될 수 있다. 대안적으로, 그것은, 또 다른 노광 단계에서 알려진 결함 요소에 의해 영향 받는 픽셀에 대해, 소정 위치의 노광으로부터 기인한 선택된 픽셀의 상기 위치에서 타겟부의 노광부족을 보상할 수도 있다. 본 발명은, 공칭 프린팅에 대해 사전설정된 공칭 최대치까지의 도즈들을 사용하나, 보상 목적으로 1이상의 증가된 도즈를 보유할 수도 있다. 따라서, 데드 블랙 픽셀이 그를 둘러싼 화이트 픽셀들의 그룹 중간에 속하는 경우에도, 그것은 이웃하는 화이트 픽셀들 중 1이상에 의해 전달되는 방사선 도즈를, 완전한 공칭 화이트 값을 상회하도록 증가시킴으로써 보상될 수 있다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 명세서에 포함되고, 그 일부를 형성하고 있는 첨부 도면들을 본 발명을 예시하며, 나아가, 설명부와 함께 본 발명의 원리들을 설명하고, 당업자들이 본 발명을 이용 및 사용할 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 결함 픽셀 보상 방법을 예시한 도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 리소그래피 방법의 일부를 예시한 도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 사용되는 결함 픽셀 보상 단계들을 예시한 도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 사용되는 추가의 결함 픽셀 보상 단계들을 예시한 도;
도 6은 요소들의 어레이의 일부 및 리소그래피 방법에서 타겟 기판상에 생성되는 대응 세기 패턴을 예시한 도;
도 7은 요소들의 어레이의 일부 및 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 방법에서 타겟 기판상에 생성되는 대응 세기 패턴을 예시한 도;
도 8은 요소들의 어레이의 일부 및 본 발명의 일 실시예에 따른 보상 단계를 포함하는 리소그래피 방법에서 타겟 기판상에 생성되는 대응 세기 패턴을 예시한 도이다.
이하, 상기 첨부 도면들을 참조하여 본 발명에 대해 설명할 것이다. 상기 도면에서, 같은 참조부호는 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 나타낼 수도 있다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC), 플랫 패널 디스플레이 및 여타 미세 구조체 관련 디바이스들의 제조시에 사용될 수 있다. 종래 리소그래피 장치에서, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝수단이 IC(또는 여타 디바이스)의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선감응재(레지스트) 층을 가지는 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼 또는 유리판)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 묘화(imaging)될 수 있다. 패터닝수단은, 마스크 대신에 회로 패턴을 생성하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 포함할 수도 있다.
일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함 으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 투영빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다.
무마스크(maskless) 리소그래피는, 마스크 대신에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 사용하여 원하는 방사선 노광 패턴을 타겟부상에 형성시키는 리소그래피를 지칭한다. 요소들의 어레이는 방사선 빔을 패터닝하는데 사용되고, 패터닝된 빔은 기판의 타겟부상으로 투영된다. 투영된 패턴은 복수의 픽셀들을 포함하며, 통상적으로 각각의 픽셀은 제어가능한 요소들의 어레이의 각각의 요소들에 대응된다. 일반적으로, 이러한 기술에 있어서, 각각의 픽셀은, 주로 대응되는 각각의 요소들에 따르나, 어느 정도 상기 대응되는 요소에 인접한 요소들에 따라서도 좌우되는 피크 세기(peak intensity)를 갖는다.
프로그램가능한 어레이의 기본 형태에서, 각각의 요소는 다음의 두 상태: 즉 투영 패턴상에서의 그것의 대응되는 픽셀이 최소 세기를 갖는 "블랙" 상태; 및 대응되는 픽셀이 최대 세기를 갖는 "화이트" 상태 중 하나를 채택하도록 제어가능할 수도 있다. 따라서, 상기 어레이는 기판의 타겟부를, 대응되는 "블랙" 및 "화이트" 픽셀의 원하는 패턴에 노광시키도록 제어될 수 있으며, 노광 단계동안 각각의 픽셀은 방사선의 대응 도즈(dose)를 전달(deliver)한다.
또한, 각각의 요소가 블랙 및 화이트 상태 외에도 복수의 그레이 상태들을 채택하도록 제어될 수 있는 보다 정교한 프로그램가능한 어레이들을 사용하는 것에 대해서도 공지되어 있다. 이것은, 픽셀들이 "화이트" 최대치 및 "블랙" 최소치 사이의 도즈들을 전달할 수 있도록 한다. 각각의 픽셀에 의해 전달되는 이러한 보다 미세한 도즈 제어는 최종 노광 패턴에서 보다 미세한 피처들이 획득될 수 있도록 한다.
당업계에서, 기판 타겟면을 복수의 픽셀들에 노광시키는 프로세스는 때때로 프린팅 단계라 지칭되며, 블랙, 화이트 및 그레이 상태를 갖는 요소들의 어레이가 사용되는 경우에는, 상기 프로세스가 그레이-스케일 프린팅이라 기술될 수도 있다.
특정 응용례에서, 기판이 노광될 방사선 도즈 패턴은, 특정 값보다 큰 도즈가 전달되어질 영역으로 정의되는 "화이트" 영역들, 및 특정 값보다 작은 도즈들이 전달되어질 영역으로 정의되는 "블랙" 영역들을 포함하는 것으로 기술될 수도 있다. 예를 들어, 기판은 레지스트 층을 가질 수도 있으며, 레지스트 재료는 특정 임계 활성화 도즈를 갖는다. 이러한 경우들에 있어, 화이트 영역들은 전달되는 도즈가 활성화 임계치를 초과하도록 되어 있고, 블랙 영역들은 활성화 임계치 도즈보다 작은 도즈를 수용하도록 되어 있어, 후속 현상(development)시, 블랙 영역들이 제거되고 화이트 영역들의 패턴만 남게 된다.
제어가능한 요소들의 어레이가 무마스크 리소그래피에 사용되는 경우에, 1이상의 요소들에 결함이 있거나 결함이 생길 수도 있으며, 제어 신호들에 응답하지 않거나 정상적인, 원하는 방식으로 응답하지 않을 가능성이 존재한다. 예를 들어, 결함 요소는, 블랙 또는 그레이 상태에 스틱킹된(stuck) 무응답 요소일 수도 있다. 대안적으로, 그것은 그것의 정상상태 중 저감된 수만을 채택하도록 제어가능하여 그것의 화이트 상태나 최고 화이트 상태는 액세스할 수 없을 수도 있다.
결함 요소들에 대한 보상이 이루어지지 않는 경우, 타겟 기판으로 전달되는 방사선 도즈들은 원하는 바보다 작을 수도 있다. 예를 들어 완전 화이트 상태에 스틱킹된 요소들에 대응되는 "화이트" 데드 픽셀들이 발생될 수도 있다. "화이트" 데드 픽셀들은 "블랙"을 프린트하도록 의도되는 경우 보정될 수 없다. 따라서, 모든 "화이트" 데드 픽셀들은, 어레이가 리소그래피에 사용되기 이전에, 예를 들어 프로그램가능한 거울 어레이의 경우에, 미세조작(micromanipulation)에 의해 그들을 틸팅된(tilted) 위치로 기계적으로 변형하거나, 그들을 제거하거나, 그들상에 격자를 생성시키거나, 또는 흡수 재료의 국부적 증착에 의해 거울 블랙을 코팅함으로써 "블랙"을 만들어줄 필요가 있다.
원하는 노광 패턴을 타겟 기판상에 생성시키기 위하여, 투-패스(two-pass) 무마스크 리소그래피 방법을 사용하는 것에 대해 공지되어 있다. 이러한 방법에서, 타겟면의 각 부분은 하나의 픽셀에 두번 노광된다. 즉, 2번의 노광 단계가 사용되어, 그 조합에 의해(in combination), 요구되는 총 방사선 도즈를 기판의 각 부분으로 전달한다. 통상적으로, 기판은, 빔 투영시스템에 대해, 제1노광 단계와 제2노광 단계 사이에서 이동되어, 타겟면의 특정 부분이 동일한 픽셀(즉, 동일한 제어가능한 요소에 대응되는 픽셀)에 대해 두번 노광되지 않도록 한다. 이는, 결함 픽셀이 가질 수 있는 최대 효과를 제한하기 위해 수행되어 왔다. 또한, 결함 요소들이 어레이상에 존재하지 않는 경우에도, 투-패스 시스템은 단일 노광 방법과 비교하여 개선된 총 도즈 정확성이 성취될 수 있도록 한다.
기판의 레지스트층의 타겟면상에 "화이트" 및 "블랙" 영역들의 원하는 노광 패턴을 생성시키기 위하여, 통상적으로 투-패스 시스템은, 각 노광 단계에서 완전 화이트 픽셀이 레지스트 활성화 임계 도즈의 절반을 조금 넘는 방사선 도즈를 전달하도록 배치된다. 이는, 노광 시간(즉, 각 노광 단계에서 기판이 특정 픽셀에 대해 노광되는 시간) 및 방사선 소스의 세기의 적절한 선택에 의하여 달성된다.
기존의 시스템들은, 가능한 한 짧은 노광 횟수를 사용하여 픽셀의 프린팅 속도를 향상시키고 그에 따른 스루풋을 개선하려 노력하였으나, 이는 제어가능한 요소들의 스위칭 속도(즉, 그들이 어느 한 상태에서 다른 상태로 스위칭되도록 얼마나 빨리 제어될 수 있는가)에 의해 제한된다. 기존 시스템들은 또한, 출력 파워가 필요 이상 높지 않은 방사선 소스를 사용하려 노력하였다. 이는, 일반적으로 소스의 파워가 높이질수록 비용이 많이 들게 되고, 상기 빔을 수용하는데 필요한 빔의 콘디셔닝, 이송(transport) 및 투영 시스템의 비용이 증가되기 때문이다. 또한, 보다 큰 빔의 세기는 특정 구성요소들의 열화 속도를 빨라지게 할 수 있다. 따라서, 기존 시스템들에서는, 투영된 빔이 완전 "화이트" 요소와 상호작용하여, 특정 노광시 요구되는 도즈, 즉 레지스트 임계 도즈의 절반을 약간 상회하는 도즈를 전달하도록 하는 대응되는 "화이트" 픽셀을 생성하고자 하는 일반적인 요건이 있어 왔다.
이용가능한 소스 파워의 최적의 사용이 가능하도록 하기 위해, 종래기술의 방법들은, 타겟의 "화이트" 영역들을 그들의 완전 "화이트" 상태로 세팅된 요소들로 프린팅하도록 구성되어 왔다.
따라서, 일반적으로 통상의 투-패스 방법에서는, 타겟의 "화이트" 영역들은, 최대치, 즉 100% 세기(즉, 특정 방사선 소스 및 범위의 요소 상태들을 갖는 성취가능한 최대 세기)의 "화이트" 픽셀들을 사용하여 프린트되어 왔고, 0%까지 다운되는 세기들을 가지는 "그레이" 및 "블랙" 픽셀들이 원하는 도즈 패턴을 조성하는데 사용되어 왔다.
이러한 방법들에서는, 요소가 완전 무응답적이고 "블랙" 상태로 세팅된다거나, 그렇지 않으면 그것의 대응되는 픽셀에 대한 분포를 만들기 위해 소스 빔과 상호작용하는 것을 불가능하게 만드는 문제가 발생한다. 다시 말해, 상기 요소가 "블랙 데드 요소"이면, 그것의 대응되는 픽셀이 "블랙 데드 픽셀"이다. 예를 들어, "블랙" 데드 픽셀이 타겟면의 "화이트" 영역에 속한(fall)다면, 이 때는 제1패스에서 요구되는 도즈(예를 들어, 임계 도즈의 대략 절반의 도즈)를 전달하는 대신에 훨씬 더 저감된 도즈, 심지어는 영의 도즈를 전달할 것이다. "블랙" 데드 픽셀이 속한 "화이트" 영역의 부분이 (예를 들어, 동일 요소 어레이의 비-결함 요소 또는 또 다른 어레이의 비-결함 요소에 대응되는) 제2패스에서 완전, 100% 세기의 "화이트" 픽셀로 노광될 수 있는 경우에도, 그것이 수용하는 조합된 도즈는 요구되는 임계 도즈를 충분히 짧게 떨어뜨릴 수 있다.
명백히, 결함 요소들로부터 초래된 이러한 노광하에서는, 프로세스에 의해 성취되는 도즈 패턴과 관련된 치명적인 영향이 있다. 완전 "블랙"인 경우가 아니라도, 결함 요소가 "그레이" 상태로 세팅되어 있고, 상기 패스들 중 하나에서 그것의 대응되는 픽셀을 통해 충분히 큰 도즈를 전달할 수 없다면, 위와 유사한 문제들이 발생될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
데드 블랙 픽셀을 보상하기 위한 이전의 한가지 접근법이 도 2에 예시되어 있다. 여기에는, 타겟면의 화이트 영역의 코너에 속한, 9개의 픽셀들로 이루어진 간략히 투영된 패턴(1)이 도시되어 있다. 화이트 영역의 경계는 점선(13)으로 나타나 있다. 화이트 영역에 속한 픽셀(10,11)은 완전 화이트인(즉, 최대 세기로 프린팅되는) 것으로 의도되었으며, 블랙 영역에 속한 픽셀(12)들은 완전 블랙(즉, 0의 세기)인 것으로 의도되었다. 하지만, 픽셀(11)은 데드 블랙 픽셀이다.
이를 보상하기 위하여, 완전 블랙인 것 외에, 데드 블랙 픽셀(11)에 이웃한 비-화이트 픽셀(12)이 그레이로 만들어져, 픽셀(11)에 의해 전달되는 방사선 도즈에 대한 그들의 분포가 조합됨으로써, 결함 요소의 결과로 손실된 도즈를 적어도 부분적으로 보상할 수 있도록 한다. 따라서, 동일한 노광 단계(예를 들어, 화이트 패스)에서의 이웃하는 블랙 픽셀들이, 화이트 영역의 에지에 속한 데드 블랙 픽셀(11)을 보상하는데 사용되어 왔으며, 선행 또는 후속 패스에서의 이러한 보상을 제공하기 위해 이웃하는(즉, 주위의) 블랙 픽셀들을 사용하는 것에 대해서도 공지되어 있다.
하지만, 이 보상 방법에 의한 문제는, 블랙에서 그레이 값들로 픽셀(12)들의 세기들을 증가시킴으로써, 블랙과 비결함 화이트 픽셀들간의 피처 에지들의 위치들이 원하지 않게 시프팅될 수도 있고, 일단 블랙 영역에 그레이 도즈가 주어졌다면 이를 반전시키는 것은 불가능하다는 것이다. 이러한 방식으로 이웃하는 픽셀들을 이용하는 보정은 에지 위치의 시프트를 (반드시) 야기할 뿐만 아니라, 에지가 덜 예리(steep)해지게 한다. [{정규화된(normalized)} 묘화 로그 슬로프인] (N)ILS는 더욱 나빠진다. 또한, 데드 블랙 픽셀이 코너에 있기 보다 라인 에지에 속한다면, 보상 목적의 바로 인접한 블랙 픽셀들의 개수가 저감된다. 나아가, 데드 블랙 픽셀이 비-결함 화이트 픽셀들로 둘러싸이도록 화이트 영역내에 속한다면, 위의 기술은 보상을 제공할 수 없다.
"클린-업 펄스(clean-up pulse)" 또는 노광이라 지칭될 수도 있는, 추가적인 라이트 패스(write pass)를 사용하기 위하여 결함 요소들/픽셀들로부터 초래된 노광부족(underexposure)의 문제를 해결하기 위한 또 다른 시도가 있어 왔다. 여기서, 기판의 일부가 동일한 결함 픽셀에 두차례 노광되지 않도록, 상기 기판은 투영시스템에 대해 이동된다. 특히 클린-업 패스는, 앞선 노광 단계(들)에서 그들의 원하는 도즈보다 작은 도즈를 수용한 기판의 선택된 부분들로 목표치의(targeted) 방사선 도즈들을 전달하도록 이루어진다. 양호한 보상이 달성될 수도 있으나, 이 기술에 의한 문제는, 추가적인 라이트 패스에 대한 요구가 스루풋을 저감시키거나, 그것이 추가의 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이들을 상기 프린팅에 통상적으로 요구되는 것들에 부가시킴으로써 달성되는 경우 비용 및 복잡성을 증가시킨다는 것이다.
투-패스 시스템이 상술되었으나, 결함 요소들의 문제들은, 요구되는 방사선 도즈 패턴들을 얻기 위한 단일 패스 방법 및 3이상의 패스를 이용하는 다중-패스 방법에서도 발생된다는 것을 이해해야 한다.
따라서, 무마스크 리소그래피에서의 결함 요소들의 영향들에 대한 보상과 연관된 문제들이 잔재한다.
그러므로, 무마스크 리소그래피에서의 결함 요소들의 영향들에 대한 보다 효율적이고 효과적인 보상을 가능하게 하는 리소그래피 방법 및 장치가 요구된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 조명시스템을 사용하여 방사선 투영빔을 제공하는 단계, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계, 상기 방사선의 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하고, 투영된 방사선 패턴은 복수의 픽셀들을 포함하여, 결함 요소들에 대한 보상이 필요하지 않도록 하는 디바이스 제조방법이 제공된다. 상기 요소들은, 각각의 픽셀이, 사전설정된 공칭(normal) 최대 도즈보다 크지 않은 방사선 도즈를 노광 단계에서 타겟부로 전달하도록 제어된다. 결함 요소들에 대한 보상이 필요한 경우, 상기 방법은, 1이상의 선택된 픽셀이 노광 단계에서의 공칭 최대 도즈보다 큰, 증가된 방사선 도즈를 전달하도록 상기 요소들을 제어한다. 이는: (a) 선택된 픽셀에 인접한 픽셀에 있어, 어레이내의 알려진 위치에서 결함 요소의, 동일한 노광 단계에서의 영향, 및 (b) 또 다른(즉, 상이한) 노광 단계에서 알려진 결함 요소에 의한 영향을 받는 픽셀에 대한 픽셀 위치의 노광으로부터 초래된 선택된 픽셀의 위치에서의 타겟부의 노광부족 중 1이상을 적어도 부분적으로 보상한다. 예외적으로, 상기 요소들을 제어하는 단계가 보상 단계로서 기술될 수도 있다.
상술된 바와 같이, 종래의 보상 방법들은, 공칭 프린팅 최대치까지의 보상 도즈들, 즉 단일 노광 단계/라이트 패스에서의 완전-화이트(fully-white)의, 비결 함 픽셀에 의하여 제공되는 도즈를 사용하는 것으로 제한되었다. 따라서, 보상은, 그렇지 않을 경우 블랙 또는 그레이일 수도 있는, 투영된 패턴에서의 선택된 픽셀들에 의해 전달되는 도즈를 증가시키는 것으로 제한되었다.
이와는 대조적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 공칭 프린팅을 위한 사전설정된 공칭 최대치까지의 도즈들이 사용되나, 상기 방법은 보상 목적을 위해 1이상의 증가되는 도즈를 보유(reserve)할 수 있다. 이는, 투영 방사선 패턴에서의 공칭 화이트 픽셀들이 보상 목적에 사용될 수 있도록 한다. 따라서, 데드 블랙 픽셀이 그를 둘러싼 화이트 픽셀들의 그룹 중간에 속하는 경우에도, 그것은, 동일한 노광 단계에서 공칭의 완전 화이트 값을 상회하는 이웃하는 화이트 픽셀들 중 1이상에 의하여 전달되는 방사선 도즈를 증가시킴으로써 보상될 수 있다. 이는, 요소들의 가장 강렬한(intense) 상태(즉, 그들이 투영되는 빔과 상호작용하여 그들의 픽셀의 세기들에 대해 최대 분포들을 이루도록 하는 상태)들 중 1이상을 단지 보상의 목적들을 위해서만 보유함으로써 편리하게 달성될 수 있으며, 보다 낮은 세기의 상태들은 공치 프린팅에 사용된다.
다중-패스(즉, 다중의 노광 단계)의 예시에서, 증가된 도즈는, 일 단계에서, 앞선 단계에서 부족하게 노광된 위치나, 또는 알려진 결함 요소에 대응되는 픽셀에 대해 노광되는 결과로서 후속 패스에서 저감된 노즈를 수용하게 될 위치로 전달될 수도 있다. 특정 실시예에서, 증가된 도즈는, 다른 단계에서의 어떠한 노광부족의 정도도, 단일 단계내에서 완전히 보상하기에 충분히 클 수도 있다. 이 때, 특정 단계에서, 동일 단계에서의 결함 픽셀의 영향들에 대한 보상은 필요로 하지 않는다.
일반적으로, 다중-단계 방법에서는, 각각의 단계에서, 인접한 픽셀들을 사용하는 상기 단계에서의 결함 요소들의 영향들에 대해 가능한 한 많은 보상이 이루어진다. 이는, 다른 단계(들)에 의하여 제공되어야 할 보상의 양을 줄여준다.
인접한 픽셀들을 사용하는 동일 노광 단계에서의 보상은, 편리하게 동시(simultaneous) 보상이라 지칭될 수 있는 한편, 앞선 단계 및 후속 단계들에서의 보상은 각각 전-보상 및 후-보상이라 지칭될 수도 있다.
종래의 방법들과 비교하여, 상기 실시예가 동일한 수의 패스들/노광 단계들과 동시에 기판상의 동일 최종 방사선 도즈 패턴을 생성시킨다면, 그것은 보다 강렬한 빔을 전달하는 조명시스템을 채용할 수도 있다. 증가된 세기는, 공칭 프린팅 최대치를 상화히는 방사선 도즈들을 전달하기 위한 능력을 제공하는데 필요하다. 이들은 결과적으로 비용의 증가를 초래하나, 화이트 픽셀들로 보상하기 위한 능력의 결과로서 현저히 향상된 패턴 품질이 얻어지며, 나아가 스루풋을 저감시킬 수도 있는 추가적의 클린-업 패스들을 회피할 수 있는 장점을 지닌다.
일 예시에서, 보상 단계에서 전달가능한 증가된 방사선 도즈는, 공칭 최대 도즈보다 적어도 대략 1.1, 1.5배 및 심지어는 2배만큼 더 크다. 마지막 경우에, 투-패스 시스템에서, 일 노광 단계에서의 보상 도즈는 다른 패스에서의 데드 블랙 픽셀에 의하여 전달되는 공칭 화이트 도즈 이외에 영의 도즈에 대한 완전한 보상을 제공할 수 있다. 최대의 증가된 도즈가 공칭 최대 도즈의 두배에 못 미친다면, 완전한 보상을 위해서는 전- 또는 후-보상 이외에도 몇가지 동시 보상이 요구된다.
통상적으로, 기판은 사전설정된 방사선 도즈 패턴이 전달될 타겟면을 가질 것이다. 이 예시에서, 도즈 패턴은, 적어도 사전설정된 임계값과 동일한 방사선 도즈가 전달될 공칭 화이트 영역, 및 사전설정된 임계값보다 작은 방사선 도즈가 전달될 공칭 블랙 영역들을 포함한다. 요소들을 통상적으로 제어하는 단계(즉, 공칭 프린팅 단계)는, 화이트 영역상으로 투영되는(즉, 그에 속하는) 각각의 픽셀이 노광 단계에서의 사전설정된 공칭 최대 도즈보다 크지 않도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함할 것이다. 이 때, 보상 단계는, 선택된 픽셀들 각각이 화이트 영역상으로 투영되고 증가된 방사선 도즈를 상기 화이트 영역으로 전달하도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함한다. 다시 말해, 공칭 화이트 프린팅 임계치를 넘는, 선택적으로 주어진 오버도즈(overdose)인 화이트 영역들과 관련되어 있다. 따라서, 화이트 영역에 속하는 픽셀은 계산된 크기의 증가된 도즈를 전달하도록 선택되어, 동일한 노광 단계의 동일한 화이트 영역에 속하는 인접 데드 픽셀을 보상할 수도 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로, 이전 또는 후속 노광 단계에서 결함 픽셀에 의해 부족하게 노광된 위치의 화이트 영역으로 증가된 도즈를 전달하도록 픽셀이 선택될 수도 있다.
일 예시에서, 기판은, 활성화(activation) 임계치를 갖는 방사선 감응재(예를 들어, 레지스트)의 층을 포함할 수도 있고, 사전설정된 임계값은 상기 활성화 임계치와 동일할 수도 있다. 이러한 예에서, 타겟면은 상기 층의 표면이다. 단일-패스 예시에 대해, 공칭 최대 도즈는 사전설정된 임계값보다 커지도록 구성된다. 다중-패스 예시에 대하여, 공칭 최대 도즈는 사전설정된 임계값보다 작고 상기 사전설정된 임계값의 절반보다는 클 수도 있다.
일 예시에서, 상기 방법은 노광 단계들 중 두 단계를 포함할 수도 있으며, 상기 두 노광 단계는 사전설정된 방사선 도즈 패턴을 타겟면의 공통 타겟부로 전달하도록 조합된다. 요소들의 동일 어레이는 각각의 단계에서 사용될 수도 있으나, 제어가능한 요소들의 상이한 세트들에 대응되는 픽셀들의 상이한 세트들에 의하여 공통 타겟부를 노광하는데 사용된다. 대안적으로, 상이한 어레이들이 사용될 수도 있다. 상술된 바와 같이, 각각의 노광 단계는 상기 단계에서의 결함 요소들의 영향들에 대한 실질적인 동시 보상을 포함할 수도 있다. 추가적으로, 또는 대안적으로, 제1노광 단계는 제2노광 단계에서 노광부족에 대한 사전-보상 단계를 포함할 수도 있으며, 상기 제2노광 단계는 상기 제1노광 단계에서의 노광부족의 영향들에 대한 사후-보상을 포함할 수도 있다.
일 예시에서, 투영되는 방사선 패턴에서의 각각의 픽셀은 어레이의 각각의 요소들에 대응된다. 따라서, 요소들을 예외적으로 제어하는 단계는, 그들의 대응 픽셀들이 증가된 방사선 도즈를 전달하도록 선택된 요소들을 제어하는 단계를 포함할 수도 있다.
일 예시에서, 요소들의 어레이는 알려진 위치에서의 결함 요소를 포함한다. 이 예시에서, 보상 단계는, 결함 픽셀(즉, 결함 요소에 대응되는 픽셀)에 바로 인접한 그들의 대응 픽셀들이 증가된 방사선 도즈들을 전달하도록 상기 결함 요소에 바로 인접한 1이상의 요소들을 제어하는 단계를 포함할 수도 있다. 따라서, 결함 픽셀이 화이트 영역에 속하는 경우, 그것의 영향은 동일 화이트 영역에 속하는 그를 둘러싼 픽셀들이 증가된 도즈들을 전달하도록 상기 결함 요소를 둘러싸는 요소 들을 제어함으로써 보상될 수도 있다.
실질적으로 동시 보상이 제공되기 위해서는, 투영되는 방사선 패턴에서의 각 픽셀이 주로 각각의 대응 요소에 따른 세기 분포를 가지나, 어레이내의 상기 각 대응요소에 바로 인접한 요소들에 따른 세기 분포를 가질 수도 있다는 것을 이해해야 한다.
다양한 예시에서, 도즈 제어는 여러 방식으로 달성될 수 있다. 예를 들어, 픽셀의 세기는, 요소의 상태들을 제어하거나, 및/또는 투영빔의 세기를 제어함으로써(예를 들어, 투영빔이 펄스 레이저 소스에 의하여 제공되는 경우 10-30 ns와 같은 특정 펄스 길이가 주어진 레이저 펄스 높이를 조정함으로써) 조정될 수도 있다. 대안적으로, 픽셀의 지속기(duration)가, 예를 들어 레이저 펄스의 길이를 조정함으로써 조정될 수도 있다.
일 예시에서, 각각의 픽셀에 의해 전달되는 방사선 도즈들의 제어는, 픽셀의 세기를 제어(조정)함으로써 얻어진다. 따라서, 상기 요소들을 통상적으로 제어하는 단계는, 각각의 픽셀이 사전설정된 공칭 최대 세기보다 크지 않은 피크(peak) 세기를 갖도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함할 수도 있고, 상기 요소들을 예외적으로 제어하는 단계는, 각각의 선택된 픽셀이 공칭 최대 세기보다 큰, 증가된 피크 세기를 갖도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함할 수도 있다. 상기 증가된 피크 세기는, 공칭 최대 세기보다, 적어도 1.1, 1.5배 또는 심지어는 2배만큼 클 수 있어서 공칭 프린팅에 사용되는 0-100%를 상회하는 100-200%의 세기 "헤드룸(headroom)"이 보상 목적으로 보유된다.
일 예시에서는, 결함이 없는 경우의 각 요소가 3이상의 상태 중 하나를 선택적으로 채택하도록 제어가능한 요소들의 어레이가 사용된다. 이들 상태는: (a) 상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여, 대응 픽셀에 의하여 전달되는 방사선 도즈에 대해 최소 기여도(contribution)를 제공하는 공칭 블랙 상태; (b) 상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여, 상기 대응 픽셀에 의하여 전달되는 방사선 도즈에 대해 증가된 기여도를 제공하는 1이상의 공칭 그레이 상태; 및 (c) 상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여, 어떠한 그레이 상태에서 보다 큰, 대응 픽셀에 전달되는 방사선 도즈에 대한 기여도를 제공하는 1이상의 공칭 화이트 상태를 포함한다. 그 다음, 블랙 또는 그레이 상태들에서 설정된 요소들을 사용하여 공칭 프린팅이 수행되고, 화이트 상태에서의 요소들을 사용하여 보상이 수행된다.
일 예시에서는, 각각의 거울 요소가 소정 범위의 틸트(tilt) 각도를 채택하도록 제어가능한, 프로그램가능한 거울 어레이들과 같은 제어가능한 어레이들이 사용되어, 요소의 상태가 상기 픽셀의 세기에 영향을 줌으로써 대응 픽셀에 의해 전달되는 도즈를 판정하는데 사용될 수 있도록 한다.
본 발명을 채용한 방법은, 단일 블랙 상태, 단일 그레이 상태 및 단일 화이트 상태를 갖는 요소들을 사용하여 수행될 수도 있으나, 각각의 비-결함 요소가 일련의 그레이 상태들 및 일련의 화이트 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하도록 제어가능할 수도 있으며, 각각의 그레이 또는 화이트 상태는 대응 픽셀의 피크 세기에 대한 각각의 기여도에 대응된다. 그레이 및 화이트 상태들은 개별적이거나 연속적인 시리즈를 형성할 수도 있다. 각각의 비-결함 요소는 64 상태 이상의 상태를 채택하여 그레이스케일 프린팅이 얻어질 수 있도록 제어가능한 것이 바람직하다. 따라서, 투영된 방사선 패턴의 위치 및 제어가능한 요소들의 어레이에 의하여 형성되는 "그리드"간의 독립성이 얻어질 수 있다.
일 예시에서, 일련의 화이트 상태들은, 요소가 빔과 상호작용하여 대응 픽셀의 피크 세기에 최대 기여도를 제공하는 최대 화이트 상태를 포함하며, 상기 최대 기여도는 그레이 상태에 대응되는 최대 기여도의 2배 이상에 이른다. 다시 말해, 최대 화이트 상태에서의 요소는, 가장 강렬한 그레이 상태에서의 요소에 대응되는 픽셀 세기의 두배의 세기를 갖는 픽셀을 제공할 수도 있다.
이 예시에서, 블랙 및 그레이 상태들이 함께, 공칭 빔 패터닝 및 기판 타겟면의 노광에 사용되는 상태들의 제1세트를 형성하고, 화이트 상태들은, 현재의 노광 단계나 이전 또는 후속 노광 단계들에서의 결함 요소들의 영향에 대한 보상에 사용하기 위해 보유되는 상태들의 제2세트를 형성한다. 이러한 방식으로 상기 상태들의 제2세트를 보유하는 것은, 노광 헤드룸을 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 방사선 투영빔을 공급하는 조명시스템, 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 역할을 하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이, 상기 요소들을 제어하도록 배치되는 제어기, 기판을 지지하는 기판테이블 및 상기 패터닝된 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 장치를 제공한다. 투영되는 방사선 패턴은 복수의 픽셀들을 포함하며, 각각의 픽셀은 각각의 방사선 도즈를 타겟부에 전달한다. 각각의 요소는, 결함이 없을 경우, 3이상의 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하도록 제어가능하다. 상기 상 태들은: (a) 상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여, 대응 픽셀에 의하여 전달되는 방사선 도즈에 대해 최소 기여도(contribution)를 제공하는 공칭 블랙 상태; (b) 상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여, 상기 대응 픽셀에 의하여 전달되는 방사선 도즈에 대해 증가된 기여도를 제공하는 1이상의 공칭 그레이 상태; 및 (c) 상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여, 어떠한 그레이 상태에서 보다 큰, 대응 픽셀에 전달되는 방사선 도즈에 대한 기여도를 제공하는 1이상의 공칭 화이트 상태를 포함한다. 상기 제어기는, 통상적으로 각각의 요소가 블랙 또는 그레이 상태들 중 하나를 채택하도록 상기 요소들을 제어하도록 구성된다. 나아가, 상기 제어기는, 상기 요소들을 선택적으로 제어하도록 구성되어 화이트 상태들을 채택함으로써 결함 픽셀들의 영향들을 보상한다.
이 실시예에서, 제어기는, 통상의 공칭 기판 노광을 위해 블랙 및 그레이 상태들을 사용하고, 보상 목적으로 화이트 상태들을 보유하도록, 즉 결함 요소가 전달되는 도즈 패턴에 영향을 미친 경우, 영향을 미치고 있는 경우 또는 영향을 미치려 할 경우에만 그들을 사용하도록 구성된다. 각각의 비-결함 요소는 일련의 그레이 상태들 중 하나, 및 일련의 화이트 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하도록 제어가능하며, 상기 요소들은 프로그램가능한 거울 어레이에 의하여 편리하게 제공될 수도 있다.
일 예시에는, 사전설정된 방사선 도즈가 전달될 타겟면을 갖는 기판과 조합된 리소그래피 장치가 존재한다. 도즈 패턴은, 적어도 사전설정된 임계값과 같은 방사선 도즈가 전달될 공칭 화이트 영역들, 및 상기 사전설정된 임계값보다 적은 방사선 도즈가 전달될 공칭 블랙 영역들을 포함한다. 일련의 그레이 상태들은 증가된 기여도가 상기 그레이 상태들에 대해 최대인 최대 그레이 상태를 포함할 수도 있다. 조명시스템 및 제어기는, 공통 노광 시간동안 각 픽셀에 대해 타겟부를 노광시키도록 구성되며, 상기 조명시스템 및 요소들은, 대응되는 요소가 최대 그레이 상태인 픽셀에 대한 공통 노광 시간동안의 타겟부의 노광이 적어도 사전설정된 임계값과 같은 도즈를 전달하도록 구성된다. 대안적으로, 대응되는 요소가 최대 그레이 상태인 픽셀에 대한 공통 노광 시간동안의 타겟부의 노광은, 사전설정된 임계값보다는 작지만 상기 사전설정된 임계값의 절반보다는 큰 도즈를 전달하도록 구성될 수도 있다.
상술된 실시예들은, 비보정(uncorrected) 데드 픽셀들을 이용하거나 100% 공칭 순백(whiteness)으로만 제한되는 주위 픽셀들을 사용하는 종래의 보정 방법을 이용하는 것보다 양호한 CD(charge dosage) 제어를 가능하게 할 수 있다.
상기 실시예는, 보정 목적으로 "화이트 이상의 화이트(whiter-than-white)"를 프린팅하는 능력을 제공하는 것으로 설명될 수 있다.
또 다른 실시예는, 동수의 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이들(33%)이나 전자공학과 관련된 요소 어레이들에 대한 추가 비용, 그리고 클린-업 도즈들을 제공하는데 추가 요소의 행(row)이 요구될 경우 필요(result)할 수 있는 와이더 프로젝터 필드를 사용할 경우, 요구되는 제3패스가 클린-업 체계에서 소실된 도즈를 방지하여, 그에 따른 스루풋의 저감을 회피할 수 있다.
본 발명의 추가 실시예들, 특징들 및 장점들뿐만 아니라 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동에 대해서는 첨부 도면을 참조하여 후술될 것이다.
마이크로렌즈들 어레이 묘화시스템을 사용하는 본 발명의 일 실시예에서, 조명시스템에서의 빔 익스펜더의 필드 렌즈들(2이상의 개별 렌즈들로부터 형성될 수도 있음)의 기능은, 필드 렌즈들과 마이크로렌즈들 어레이 사이의 광 빔의 모든 성분들이 마이크로 렌즈와 평행 및 수직하도록 보장함으로써, 투영시스템을 텔레센트릭(telecentric)하게 하는 것이다. 하지만, 필드 렌즈들과 마이크로렌즈들 어레이 사이의 광 빔들이 실질적으로 평행할 수도 있으나, 절대적인 평행상태(parallelism)는 얻어질 수 없다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른, 투영시스템에서 소정 수준의 비-텔레센트리시티가 주어질 경우, 퓨필과 기판테이블 사이에 배치되는 렌즈 구성요소들 중 1이상을 변위시킴으로써 과도한 포커스의 손실없이 작은 배율(magnification)의 조정들이 달성될 수 있다.
일 실시예에서, 투영시스템은 퓨필을 형성할 것이다. 본 명세서에서 사용되는 "퓨필"이라는 용어는, 패터닝 시스템에 대해 상이한 위치로부터, 그러나 상기 패터닝 시스템에 대해 수직한 투영 빔의 축선에 대해 동일한 각도로 패터닝 시스템을 떠나는 투영빔의 레이들이 교차하는 평면을 지칭한다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 필드 렌즈들이, 초기에 그와 렌즈들의 어레이 사이에 완전 평행한 방사선 빔을 생성하도록 구성되는 마이크로렌즈 묘화시스템을 가정할 수 있다. 또한, 필드 렌즈들에 도달하는 광이 발산되는 것을 가정할 수 있다. 마이크로렌즈들의 어레이로부터 필드 렌즈들을 이격시키는 어떠한 변위도, 투영빔이 약간 발산되도록 하는 반면, 마이크로렌즈들의 어레이를 향한 필드 렌즈들의 변위는 투영빔이 약간 수렴되도록 할 것이다. 하지만, 필드 렌즈들이 상대적으로 약한 렌즈들로 주어진다면, 기판 표면상의 투영빔의 포커스에 허용불가능한 정도까지 영향을 주지 않고, (통상적으로 백만개 당 몇개 부분 정도의) 기판의 왜곡(distortion)들을 보상하기 위하여 투영시스템의 배율을 변화시키는데 필요한 변위들이 얻어질 수 있다. 기판을 향한 또는 그로부터 멀어지는 마이크로렌즈들의 어레이의 변위로 인한 포커스 변화는 1차적 영향이며, 2차적 영향에 의한 배율 변화가 초래될 수 있으나, 그럼에도 불구하고 유용한 배율의 조정이 이루어질 수도 있다.
이 실시예에서, 필드 렌즈들은 단일 렌즈 또는 2이상의 렌즈들로 구성될 수도 있다. 각각의 필드 렌즈들은, 마이크로렌즈들의 어레이를 향하거나 그로부터 멀어지도록 간단하게 병진 이동되거나, 또는 노광되는 기판의 표면에 걸쳐 상이한 배율 변화를 초래하도록 필드 렌즈들이 틸팅될 수도 있다. 이와 유사하게, 마이크로렌즈 어레이가 병진 이동되거나 및/또는 틸팅될 수도 있다.
본 명세서에서 채택되는 "개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이"라는 용어는, 원하는 패턴이 기판의 타겟부내에 형성될 수 있도록 입사 방사선 빔에 패터닝된 단면을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 본 명세서에서 "광 밸브(light valve)" 및 "공간 광 변조기(Spatial Light Modulator; SLM)" 용어로도 사용될 수 있다. 이러한 패터닝 수단의 예시로는 다음과 같은 것들이 제공된다.
프로그램가능한 거울 어레이는 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)을 포함할 수 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, 예를 들어 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 공간 필터를 사용하면, 반사된 빔 중으로부터 비회절광이 필터링됨으로써 회절광만이 그를 떠나 기판에 도달하도록 할 수 있다. 이러한 방식으로, 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다.
대안례로서, 필터는 회절광을 필터링하여, 비회절광이 그를 떠나 기판에 도달하도록 할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 회절 광학 MEMS(micro electrical mechanical system) 디바이스의 어레이가, 위와 대응되는 방식으로 사용될 수도 있다. 각각의 회절 광학 MEMS 디바이스는, 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자(grating)를 형성하도록 서로에 대해 변형(deform)될 수 있는 복수의 반사 리본(reflective ribbon)들을 포함할 수 있다.
추가 대안실시예에는, 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전 작동 수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축선을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용한 프로그램가능한 거울 어레이가 포함될 수 있다. 마찬가지로, 상기 거울들은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울들은 입사되는 방사선 빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사시킬 것이다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어 드레서블 거울들의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단을 사용하여 수행될 수 있다.
상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는 1이상의 프로그램가능한 거울 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 거울 어레이에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국 특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 이들은 본 명세서에 인용 참조되고 있다.
프로그램가능한 LCD 어레이 또한 사용될 수 있다. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다.
예를 들어, 피처들의 프리-바이어싱(pre-biasing), 광 근접성 보정 피처들, 위상 변화 기술 및 다중 노광 기술들이 사용되는 경우, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상에 "디스플레이된" 패턴은 기판의 또는 기판상의 소정 층으로 최종적으로 전사(transfer)된 패턴과 실질적으로 상이할 수도 있음을 이해하여야 한다. 이와 유사하게, 기판상에 최종적으로 생성된 패턴은 어느 한 순간에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상에 형성된 패턴과 일치하지 않을 수도 있다. 이는 기판의 각 부분상에 형성된 최종 패턴이 주어진 시간 주기 또는 주어진 노광 횟수에 따라 만들어진 구성의 경우일 수 있으며, 그 동안에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 및/또는 기판의 상대 위치가 변경된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용에 대하여 언급하였으나, 본 명세서에서 기술된 리소그래피 장치는 DNA 칩들, MEMS, MOEMS, 집적 광학시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 박막 자기 헤드 등의 제조 등과 같은 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판 처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, 및 (예를 들어, 파장이 20㎚범위에 있는) 극자외(EUV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절한, 굴절 광학시스템, 반사 광학시스템, 및 카타디옵트릭 광학시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스 템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있다.
또한, 조명시스템은 방사선의 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위한 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학 구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학 구성요소를 포괄할 수 있으며, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고도 언급될 수 있을 것이다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는, 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지시키는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피장치에서, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이의 다른 공간들에 적용될 수도 있다. 침지 기술(immersion technique)은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다.
또한, 상기 장치에는, (예를 들어, 기판에 화학제품을 선택적으로 적용하거나 기판의 표면 구조를 선택적으로 수정하기 위하여) 유체와 기판의 조사된 부분들간의 상호작용을 가능하게 하는 유체 처리 셀이 제공될 수도 있다.
리소그래피 투영장치
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치(100)를 개략적으 로 도시한다. 상기 장치(100)는 적어도 방사선시스템(102), 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104), 대물테이블(106)(예를 들어, 기판테이블), 및 투영시스템("렌즈")(108)을 포함한다.
방사선시스템(102)은 방사선(예를 들어 UV 방사선)의 투영빔(110)을 공급하는데 사용될 수 있으며, 특히 이 경우에는 방사선 소스(112)를 포함할 수도 있다.
개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)(예를 들어, 프로그램가능한 거울 어레이)는 투영빔(110)에 패턴을 적용시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 위치는 투영시스템(108)에 대해 고정될 수 있다. 하지만, 대안적인 구성에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 투영시스템(108)에 대해 그것을 정확히 위치시키는 위치설정 디바이스(도시 안됨)에 연결될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소들의 반사형 어레이를 가지는) 반사형으로 구성된다.
대물테이블(106)에는 기판(114)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판)을 잡아주는 기판홀더(상세히 도시되지는 않음)가 제공될 수 있으며, 대물테이블(106)은 투영시스템(108)에 대해 기판(114)을 정확히 위치시키는 위치설정 디바이스(116)에 연결될 수 있다.
투영시스템(108)(예를 들어, 쿼츠 및/또는 CaF2 물질로 만들어진 렌즈 요소를 포함하는 쿼츠 및/또는 CaF2 렌즈 시스템, 또는 거울 시스템)은, 기판(114)의 타 겟부(120)(예를 들어, 1이상의 다이)상에 빔 스플리터(118)로부터 수용된 패터닝된 빔을 투영하기 위해 사용될 수 있다. 투영시스템(108)은 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 이미지를 기판(114)상에 투영시킬 수도 있다. 대안적으로, 상기 투영시스템(108)은 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 요소들이 셔터들로서 기능하는 2차 소스(secondary source)들의 이미지들을 투영시킬 수도 있다. 또한, 투영시스템(108)은, 예를 들어 2차 소스들을 형성하고 기판(114)상에 마이크로스폿(microspot)들을 투영시키기 위해, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수도 있다.
소스(112)(예를 들어, 엑시머 레이저)는 방사선의 빔(122)을 생성할 수 있다. 상기 빔(122)은, 예를 들어 빔 익스팬더(126)와 같이, 곧 바로 또는 컨디셔닝 디바이스(126)를 지난 후에, 조명시스템(일루미네이터)(124)로 공급된다. 일루미네이터(124)는 상기 빔(122)내의 세기분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정장치(128)를 포함할 수 있다. 또한, 일루미네이터(124)는 일반적으로 인티그레이터(130) 및 콘덴서(132)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 이 방식으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상에 입사되는 투영빔(110)은 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가진다.
도 1과 관련하여, 상기 소스(112)는 (예를 들어, 상기 소스(112)가 흔히 수은 램프인 경우에서처럼) 리소그패피 투영장치(100)의 하우징내에 놓일 것이라는 점에 유의해야 한다. 대안실시예에서, 상기 소스(112)는 리소그래피 투영장치(100) 로부터 멀리 떨어져 있을 수도 있다. 이 경우, 방사선 빔(122)은 (가령, 적절한 지향 거울에 의해) 상기 장치(100)안으로 지향될 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 상기 소스(112)가 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명의 범위내에는 이 두 시나리오가 모두 포함되어 있음을 이해하여야 할 것이다.
이어서, 상기 빔(110)은 빔 스플리터(118)를 이용하여 지향된 후에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)를 거친다(intercept). 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)에 의하여 반사되면, 투영시스템(108)을 통과하여 기판(114)의 타겟부(120)상에 상기 빔(110)을 포커스한다.
위치설정 디바이스(116){및 빔 스플리터(140)를 통해 간섭계 빔(138)을 수용하는 베이스 플레이트(base plate;136)상의 선택적 간섭계 측정 디바이스(134)}의 도움으로, 기판테이블(106)은, 예를 들어 상기 빔(110)의 경로내에 상이한 타겟부(120)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 사용된다면, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)용 위치설정 디바이스는, 예를 들어 스캔 중에 상기 빔(110)의 경로에 대해 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 위치를 정확히 보정하는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(106)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현되며, 이는 도 1에 명확히 도시되어 있지는 않다. 또한, 유사한 시스템이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)를 위치시키는데 사용될 수도 있다. 요구되는 상대 이동을 제공하도록 대물테이블(106) 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)가 고정된 위치를 가지는 동안, 투영빔(110)이 대안적 으로/추가적으로 이동될 수 있음을 이해할 것이다.
상기 실시예의 또 다른 구성에서는, 기판테이블(106)이 고정될 수도 있으며, 기판(114)이 상기 기판테이블(106)에 걸쳐 이동할 수 있다. 이것이 행해지면, 기판테이블(106)에는 평탄한 최상면상에 다수의 개구부들이 제공되며, 상기 개구부들을 통해 가스가 공급되어, 기판(114)을 지지할 수 있는 가스 쿠션(gas cushion)을 제공한다. 통상적으로, 이를 공기 베어링 구성(air bearing arrangement)이라 칭한다. 기판(114)은 상기 빔(110)의 경로에 대해 상기 기판(114)을 정확히 위치시킬 수 있는 1이상의 액추에이터(도시 안됨)를 이용하여 기판테이블(106)상에서 이동된다. 대안적으로, 상기 기판(114)은 상기 개구부들을 통해 가스를 선택적으로 공급 및 차단시킴으로써 기판테이블(106)상에서 이동될 수도 있다.
본 명세서에는 기판상의 레지스트를 노광하는 본 발명에 따른 리소그래피 장치(100)가 서술되었으나, 본 발명은 이러한 용도로 제한되지 않으며 상기 장치(100)는 레지스트없는 리소그래피(resistless lithography)에서 사용하기 위한 패터닝된 투영빔(110)을 투영하는데 사용될 수도 있음을 이해해야 한다.
기술된 장치(100)는 다음의 바람직한 4가지 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드: 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 전체 패턴은 한번에{즉, 단일 "섬광(flash)"} 타겟부(120)상에 투영된다. 기판테이블(106)은 상이한 타겟부(120)가 패터닝된 투영빔(110)에 의해 조사(irradiate)되도록 상이한 위치에 대해 x 및/또는 y 방향으로 이동된다.
2. 스캔 모드: 주어진 타겟부(120)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는다는 것 을 제외하고는 본질적으로 스텝 모드와 동일하다. 대신에, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 v의 속도로 주어진 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 패터닝된 투영빔(110)이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)에 걸쳐 스캐닝하도록 이루어진다. 이와 함께, 기판테이블(106)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동되며, 여기서 M은 투영시스템(108)의 배율이다. 이 방식으로, 비교적 큰 타겟부(120)가 분해능이 저하되지 않고 노광될 수 있다.
3. 펄스모드: 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 기본적으로 정지상태로 유지되며 전체 패턴은 펄스 방사선 시스템(102)을 사용하여 기판(114)의 타겟부(120)상에 투영된다. 기판테이블(106)은 패터닝된 투영빔(110)이 기판(114)을 가로질러 라인을 스캐닝할 수 있도록 기본적으로 일정한 속도로 이동된다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 패턴은 방사선시스템(102)의 펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트되고, 후속하는 타겟부(120)가 기판상의 요구되는 장소에서 노광되도록 펄스들이 시간조정된다(timed). 따라서, 패터닝된 투영빔(110)은 기판(114)의 스트립(strip)에 전체(complete) 패턴을 노광시키도록 기판(114)을 가로질러 스캔할 수 있다. 상기 프로세스는 한 라인씩 전체 기판(114)이 노광될 때까지 반복된다.
4. 연속스캔모드: 실질적으로 일정한 방사선시스템(102)이 사용되고, 패터닝된 투영빔(110)이 기판(114)을 가로질러 스캔하고 그를 노광시킴에 따라 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 패턴이 업데이트되는 것을 제외하고는 본 질적적으로 펄스모드와 동일하다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들을 채용할 수 있다.
도 1에 나타낸 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 프로그램가능한 거울 어레이이다. 프로그램가능한 거울 어레이(104)는, 각각이 축선을 중심으로 개별적으로 틸팅되는, 아주 작은 거울들의 매트릭스 구성을 포함한다. 틸트의 정도는, 각각의 거울의 상태를 한정한다. 거울들은, 요소에 결함이 없는 경우 제어기로부터의 적절한 제어 신호에 의하여 제어가능하다. 각각의 비-결함 요소는, 일련의 상태들 중 어느 하나를 채택하도록 제어가능하여, 투영되는 방사선 패턴에서 그것의 대응 픽셀의 세기를 조정한다.
일 예시에서, 일련의 상태들은: (a) 거울에 의해 반사되는 방사선이 그것의 대응 픽셀의 세기 분포에 최소의 기여도, 또는 심지어 0의 기여도를 제공하는 블랙 상태; (b) 상기 반사되는 방사선이 최대 기여도를 제공하는 최대 화이트 상태; 및 (c) 상기 반사되는 방사선이 중간 기여도들을 제공하는 그 사이의 복수의 상태들을 포함한다. 상기 상태들은, 공칭 빔 패터닝/프린팅에 사용되는 공칭 세트 및 결함 요소들의 영향들을 보상하는데 사용되는 보상 세트로 나누어진다. 공칭 세트는 블랙 상태 및 중간 상태들의 제1그룹을 포함한다. 이 제1그룹은 그레이 상태라 기술되며, 그들은 최소 블랙값으로부터 특정 공칭 최대치까지의 대응 픽셀 세기에, 점진적으로 증가하는 기여도들을 제공하도록 선택가능하다. 보상 세트는, 즉 최대 화이트 상태와 함께 중간 상태들의 나머지 제2그룹을 포함한다. 이 중간 상태들의 제 2그룹은 화이트 상태들로 기술되며, 그들은 최대 화이트 상태에 대응되는 실제 최대치까지 점진적으로 증가하는, 공칭 최대치보다 큰 기여도를 제공하도록 선택가능하다. 상기 중간 상태들의 제2그룹은 화이트 상태들이라 기술되고 있으나, 이는, 공칭 노광 단계와 보상 노광 단계들간의 구분이 용이하도록 단순화시킨 것임을 이해해야 한다. 전체 복수의 상태들은 대안적으로, 그레이-스케일 프린팅이 가능하도록 선택가능한, 블랙과 화이트 사이의 그레이 상태들의 시퀀스라 기술될 수도 있다.
작동예(Exemplary Operation)
도 6은, 제어가능한 요소(2)들의 행이 픽셀 패턴을 기판상으로 투영하는데 사용되는, 종래의 리소그래피 시스템 및 방법의 구성을 나타내고 있다. 상기 요소들은 적절한 제어 신호들에 의하여 틸트 각도들이 조정될 수도 있는 작은 거울들이다. 도 6의 상부에는, 그들의 최대 화이트 상태의 4개의 거울(2w)들과, 그들의 블랙 상태로 틸팅되는 2개의 거울(2b)들이 도시되어 있다. 도 6의 하부에는, 요소(2)들의 행에 대응되는 픽셀들의 중심들을 통한 타겟 기판상의 일 라인을 따르는 세기 분포가 매우 간략한 형태로 도시되어 있다. 보여지듯이, 화이트 요소들(2w)(w=화이트)에 대응되는 픽셀의 세기들은 최대값(Io)으로 되어 있고, 블랙 요소들(2b)(b=블랙)에 대응되는 픽셀의 세기들은 실질적으로 0이다. 세기 Io를 갖는 픽셀들은 타겟의 화이트 영역상으로 투영되고, 블랙 픽셀까지의 전이부(transition)는 화이트 영역 에지에 배치된다. 따라서, 이 종래 방법에서는, 최대 화이트 가능(예를 들어, 최고로 강렬한) 요소 상태들이 화이트 영역들의 공칭 노광에 사용된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)의 제1작동상태를, 도 8은 본 발명의 상기 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)의 제2작동상태를 나타내고 있다. 예를 들어, 도 7은 공칭 노광 단계(즉, 공칭 프린팅)의 일부를 나타내는 한편, 도 8은 기판을 노광하고 보상을 제공하기 위한, 요소들의 공칭 제어 및 예외적 제어의 조합을 예시하고 있다.
도 6과는 대조적으로, 도 7은 본 발명을 구현하는 방법에서 공칭 기판 노광을 수행하는데(즉, 결함 요소들에 대한 보상이 요구되지 않는 경우) 사용되는, 도 1의 장치의 프로그램가능한 거울 어레이의 요소(2)들의 행을 나타내고 있다. 여기서, 픽셀들이 기판의 화이트 영역에 속하는 요소들(2g)(g=그레이)은 그들의 그레이 상태들 중 하나로 되어 있다. 하지만, 이들 그레이의, 저감된 세기 상태에서의 그들의 대응 요소들에 의한 경우에도 화이트 영역에 속하는 픽셀들이 계속해서 세기 Io를 가지도록, 충분한 파워의 방사선 소스가 사용되고 있다. 픽셀들이 기판의 블랙 영역에 속하는 요소(2b)들은 그들의 블랙 상태들로 설정된다. 따라서, 도 1의 장치의 제어기는, 대응 요소들이 화이트가 아닌 그레이 상태들로 설정되는 픽셀들에 대해 타겟의 화이트 영역들이 공칭 노광될 수 있게 상기 요소들을 제어하도록 구성된다.
그레이 픽셀들로 공칭 프린팅함으로써, 공칭 프린팅에 사용되는 0-100%에 더해, 100-200%의 세기 헤드룸 윈도우가 보유될 수도 있다. 따라서, 적절히 구성된 제어기를 갖는 도 1의 장치가, 앞선 또는 후속 노광 단계에서 (완전, 공칭 화이트 세기로 프린팅되도록 되어 있는) 블랙 데드 픽셀에서 소실되는 세기를 더하는데 사용될 수 있다. 이 보상은, 후속 픽셀 패턴들이 픽셀-대-픽셀(pixel-to-pixel)을 오버랩할 경우 편리하게 달성될 수도 있다.
도 8은, 화이트 피처 에지를 프린팅하는데 다시 사용되는 도 7로부터의 요소(2)들의 행을 나타내고 있다. 하지만, 이 때 화이트 영역의 부분은 데드 블랙 픽셀에 대한 노광의 결과로, 선행 노광 단계에서 제로 도즈를 수용하였다. 따라서, 요소(2g)들 중 3개는 공칭 화이트 프린팅에 적절한 그레이 상태를 채택하도록 통상적으로 제어되는 한편, 선택된 요소(2w)는, 그것의 대응 픽셀이 세기 2Io를 갖도록 최대 화이트 상태로 설정되었다.
일 예시에서, 투영되는 방사선 패턴의 미세 위치설정은, 거울들의 그리드(grid)로부터의 독립성을 보장하는 그레이 스케일에 의하여 달성될 수도 있다.
일 예시에서, 비-결함 요소들은 각 픽셀에 대한 다수, 예를 들어 64개의 그레이 레벨들을 얻도록 제어가능할 수도 있다. 이 예시에서, 제어시스템은 "데드" 픽셀의 의도된 그레이-레벨에 대해 가능한 한 근접한 접근을 가능하게 한다.
"오프-그리드(off-grid)" 프린팅이 어떻게 달성될 수 있는지의 일 예시는 다음과 같다. "화이트" 라인의, 투 픽셀 와이드는 일련의 6개의 픽셀들을, 다음의 상태들: B B W W B B로 설정함으로써 온-그리드(on-grid) 프린팅될 수 있다(여기서, B=블랙이고, W=화이트이며, 그리고 일련의 6개의 픽셀들은 프린팅되는 라인을 가로 질러 이어짐). 그리드 위치들 사이에 정확히 절반의 투-픽셀-와이드를 프린팅하기 위해(즉, 오프-그리드를 프린팅하기 위해), 6개의 픽셀들은 B B G W G B로 설정될 수 있다(여기서 G는 블랙과 화이트 사이의 절반인 그레이 상태임).
도 7-8은 제어가능한-틸트 거울들을 포함하는 요소 어레이들을 나타내고 있으나, 대안실시예에서는 상이한 제어가능한 요소들의 어레이들이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 피스톤 거울 또는 피스톤과 틸트 기능의 조합을 갖는 거울(소위 피스톤-틸트 거울)들이 사용될 수도 있다. 피스톤 거울들에 의하면, 블랙 픽셀은 이웃하는 거울들 사이의 180도 만큼의 위상 차이(예를 들어 180도를 부여하기 위해 두 차례 반사되어 1/4 λ의 높이 차이)가 생성된다. 이는, 2개의 서브-분해능(sub-resolution) 피스톤 거울의 협동 효과에 의하여 실제로 웨이퍼상의 픽셀이 얻어진다는 것을 의미한다. 따라서, 상기 픽셀들은 거울들 "사이에" 놓인 것을 알 수 있다. 틸트 및 피스톤 거울 모두는, 웨이퍼상에 어떠한 원하는 패턴도 투영할 수 있는 자유도를 제공하고, 그레이 스케일링이 거울 그리드에 걸쳐 패턴을 이동시킬 수 있도록 한다. 따라서, 이 예시에서는, 제어가능한 요소들의 어레이에서 거울에 대한 타겟 기판상 픽셀의 일-대-일(ono-to-one) 매핑을 필요로 하지 않을 수도 있다. 픽셀은 피스톤 거울들과 같은 요소들의 조합에 의해 생성될 수도 있다.
도 3은, 도 1에 나타낸 것과 같은 장치에 의해 수행될 수 있는, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 방법의 일부를 예시하고 있다. 화이트 및 블랙 영역들의 도즈 패턴은, 기판(W) 레지스트 층의 타겟면에 제공되도록 되어 있다. 패턴의 일부에는, 라인 13으로 표시된 블랙 영역과 화이트 영역 사이의 소정의 경계부가 도시되어 있다. 픽셀들의 패턴(1)은 타겟면상으로 투영되고 있고, 각각의 픽셀은 그것의 투영 이전에 방사선 빔을 패터닝하는데 사용되는 어레이의 각각의 제어가능한 요소에 대응된다. 간략히 하기 위해, 패턴은 단지 16개의 픽셀로 이루어진 것으로 도시되어 있다. 실제에 있어서, 픽셀들의 개수는 백만개를 초과할 수도 있다. 화이트 영역에 속하는 픽셀들은 통상적으로 그들의 그레이 세기 값들 중 하나로 설정되고, 블랙 영역들에 속하는 것들은 통상적으로 블랙으로 설정된다. 하지만, 화이트 영역에 속하는 픽셀(11)은 결함요소에 대응되고, 보상없이 원하는 도즈를 전달할 수는 없다. 이를 보상하기 위하여, 동일 화이트 영역에 속하는, 이웃하는 픽셀(10)들 중 1이상의 세기들은 공칭 프린팅 최대치 이상으로 증가된다. 이는, 그들의 화이트 보상 상태들 중 하나에 대해 대응 비-결함 요소들을 설정함으로써 행해진다. 따라서, 화이트 영역내에서, 블랙 영역들에 속하는 픽셀(12)들을 이용하지 않고 보상이 달성될 수도 있다.
선택된 픽셀들의 개수 및 위치와, 실제로 각각의 선택된 픽셀의 증가된 세기의 크기는 원하는 보상 및 원하는 에지 한정(definition)을 부여하기 위해 계산될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 종래의 보상 기술들에 의한 문제점은, 의도한 블랙 영역에 대해 보상 도즈가 행해지지 않을 수 없다는 점이지만, 본 발명의 상기 실시예에서는, 인접한 결함 픽셀을 보상하기 위한 일 노광 단계에서의 화이트 위치에서의 선택적 오버도징(overdosing)은, 후속 단계에서의 "오버도징된" 위치로 제공되는 도즈를 줄임으로써 자체적으로 보상될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투-패스 방법에서의 사전-보상 및 사후- 보상을 예시하고 있다. 이것은, 동일 노광 단계에서의 인접 픽셀들을 사용하여 실질적인 동시 보상의 일 예를 예시하고 있는 도 3과는 대조적이다. 도 4의 실시예에서, 제1노광 단계 동안, 요소들의 대응 어레이를 사용하여, 픽셀 패턴(1a)이 기판상으로 투영된다. 제2단계에서는, 제2픽셀 패턴(1b)이 동일 어레이에 의하여 기판상으로 투영된다. 투영되는 패턴들을 오버랩되지만 시프팅됨으로써, 결함 요소가 기판의 동일한 부분에 다시 속하지 않도록 할 수 있다. 한편, 설명을 간단히 하기 위하여 동일 패턴(예를 들어, 9개의 픽셀)만이 도시되어 있다. 이 단순화는 서로 인접한 제1 및 제2패스들로부터의 결함 픽셀들을 초래한다(이하 후술됨). 이는, 일 어레이가 백만개를 초과하는 요소를 가지며, 백만개당 5개 미만의 데드 요소들을 가지기 때문에 통상적으로 실제로는 발생되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 어레이의 중앙 요소에 결함이 있어, 제1 및 제2패턴들의 대응 픽셀(11a,11b)들은 데드 블랙 픽셀들이다. 하지만, 그들 모두는 타겟 기판의 화이트 영역에 속한다. 따라서, 제1단계에서는, 제2단계에서의 데드 픽셀(11b)에 의한 타겟의 연이은 노광부족을 보상하기 위하여, 픽셀(13a)이 증가된(예를 들어, 공칭 화이트-영역 프린팅 세기보다 큰) 세기를 갖도록 구성된다. 화이트 영역에 속하는 제1패턴의 다른 픽셀(10a)들은 공칭의 보다 낮은 화이트 프린팅 세기를 갖도록 구성되고, 블랙 영역들에 속하는 픽셀(12a)들은 최소 세기를 갖도록 배치된다. 이와 유사하게, 제2단계에서는, 제1단계에서의 데드 픽셀(11a)에 의한 앞에서의 타겟의 노광부족을 보상하기 위하여, 픽셀(13b)은 증가된 세기를 갖도록 구성된다. 나머지 비-결함 픽셀들 모두는 화이트 영역에 속하며, 공칭의 보다 낮은 화이트-프린팅 세기를 갖도록 구성된 다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른, 사후-보상을 채용한 투-패스 리소그래피 방법을 예시하고 있다. 여기서, 제1픽셀패턴(1c)은 제1노광단계에서, 결함 요소를 포함하여 결함 픽셀(11c)을 발생시키는 요소들의 제1어레이를 사용하여 투영된다. 제2의 오버래핑 픽셀 패턴(1d)은, 결함 요소들을 갖지 않는 제2어레이를 사용하여 제2노광단계에서 투영된다. 제1단계에서, 픽셀(12c)들은 블랙이고, 픽셀(11c)들은 데드 블랙이지만, 공칭 화이트이도록 되어 있다. 제2노광단계에서, 이전 데드 블랙 픽셀(11c)에 대한 보상은, 공칭 화이트 픽셀(10d)들과 비교해 픽셀(13d)을 보다 강렬하게 만듦으로써 달성된다. 이 예시에서 픽셀(12d)들은, 그들이 화이트 영역 밖에 속하므로 블랙이다.
도 3, 4 및 5에 의하여 예시된 동시, 사전- 및 사후-보상 기술들은 개별적으로 사용되거나 본 발명을 구현하는 단일 방법에서 조합될 수도 있다는 것을 이해해야 한다.
또한, 본 발명의 실시예들에서, 공칭 프린팅 도즈들보다 큰 방사선 도즈들이 보상에 사용되지만, 이는, 전체 보상에 기여하기 위한 공칭 프린팅 도즈들(예를 들어, 블랙 또는 그레이 픽셀들에 의해 전달됨)의 추가적인 사용을 배제하지 않는다는 것도 이해해야 한다. 일반적으로, 모든 어레이의 기능 요소들의 상태들은, 알려진 결함 요소들을 고려하여 도즈 패턴(예를 들어, 세기 분포)를 부여하도록 설정된다. 주어진 도즈 패턴은 결함 요소들의 영향들을 최적으로 보상하도록 설정되는 한편, 균일한 피처 샤프니스(sharpness)(즉, 균일한 에지 한정을 부여하는 피처 에지 들에서의 균일한 도즈 슬로프)를 부여한다. 기판상의 상이한 위치에서 형성되는, 통상적으로 동일한 디바이스들이 동일한 특성들(예를 들어, 동일한 속도로 러닝되는 클록들)을 갖도록 하므로, 이러한 균일성이 중요하다. 따라서, 요소 상태들은, 특정 포인트에서 가장 샤프한 가능 피처 에지를 부여할 수는 없으나, 기판에 걸쳐 균일한 피처 한정을 가져오는 보상을 달성하도록 제어된다.
결론
본 발명의 다양한 실시예들에 대해 상술하였으나, 그들은 단지 예시의 방법에 의해 제시된 것으로 제한의 의미를 갖는 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 당업자라면, 본 발명의 기술적사상 및 범위를 벗어나지 않는다면 본 명세서에서 형태 및 세부사항에 있어서의 다양한 변경들이 이루어질 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 폭과 범위는 상술된 실시예들 중 어느 하나로 제한되지 않고, 후속 청구항들과 그들의 균등물에 따라서만 한정되어야 한다.
본 발명에 따르면, 무마스크 리소그래피에서의 결함 요소들의 영향들에 대한 보다 효율적이고 효과적인 보상을 가능하게 하는 리소그래피 방법 및 장치를 얻을 수 있다.

Claims (39)

  1. 디바이스 제조방법에 있어서,
    (a) 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로 방사선 투영빔을 패터닝하는 단계;
    (b) 패터닝된 투영빔을 기판의 타겟부상으로 투영하되, 투영되는 상기 패터닝된 투영빔이 복수의 픽셀을 포함하는 단계;
    (c) 상기 요소들을 제어하여, 복수의 픽셀들 중 각각의 픽셀이, 사전설정된 도즈 이하인 상기 타겟부에 제1방사선 도즈를 전달하는 단계; 및
    (d) 상기 요소들을 제어하여, 상기 복수의 픽셀들 중 1이상의 선택된 픽셀이 상기 사전설정된 도즈보다 큰 제2방사선 도즈를 전달함으로써:
    (1) 상기 선택된 픽셀에 인접한 복수의 픽셀들에서의 픽셀상에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에서의 알려진 위치에서의 결함 요소의 영향, 및
    (2) 알려진 결함 요소에 의해 영향 받는 상기 복수의 픽셀 중 일 픽셀에 대한, 소정 위치의 노광으로부터 기인한 상기 선택된 픽셀에 대응되는 상기 위치에서의 상기 타겟부의 노광부족 중 1이상을 전체 또는 부분적으로 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2방사선 도즈를, 상기 사전설정된 도즈보다 적어도 1.1배만큼 더 큰 새로운 도즈로 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2방사선 도즈를, 상기 사전설정된 도즈보다 적어도 1.5배만큼 더 큰 새로운 도즈로 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2방사선 도즈를, 상기 사전설정된 도즈보다 적어도 2배만큼 더 큰 새로운 도즈로 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 타겟면상으로 사전설정된 방사선 도즈 패턴을 전달하되, 상기 도즈 패턴이,
    사전설정된 임계값 이상의 방사선 도즈가 전달되는 화이트 영역들, 및
    상기 사전설정된 임계값보다 작은 방사선 도즈가 전달되는 블랙 영역들을 포함하는 단계를 더 포함하고,
    단계 (c)는 상기 화이트 영역들 중 하나상으로 투영되는 상기 복수의 픽셀들 중 각각의 픽셀이 상기 사전설정된 도즈보다 크지 않은 방사선 도즈를 전달하도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함하고; 및
    단계 (d)는 상기 각각의 선택된 픽셀이 화이트 영역상으로 투영되고, 상기 화이트 영역으로 증가된 방사선 도즈를 전달하여:
    상기 동일 화이트 영역상의 상기 선택된 픽셀에 인접한 픽셀상에서의 결함 요소의 영향, 및
    또 다른 노광 단계에서의 결함 요소에 의해 영향 받는 픽셀에 대한, 상기 위치의 노광으로부터 기인한 상기 선택된 픽셀의 상기 위치에서의 상기 화이트 영역의 노광부족 중 1이상을 전체 또는 부분적으로 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판은 활성화 임계치를 갖는 방사선 감응재의 층을 포함하고, 상기 사전설정된 임계값은 상기 활성화 임계치이며, 상기 타겟면은 상기 층의 표면인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    공칭 최대 도즈는 상기 사전설정된 임계값보다 큰 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 사전설정된 도즈는 상기 사전설정된 임계값의 절반 이상이고 상기 사전설정된 임계값보다는 작은 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 사전설정된 방사선 도즈를 상기 타겟면의 타겟 영역으로 전달하기 위해 단계 (c) 및 (d)를 두번 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 타겟 영역으로 사전설정된 방사선 도즈 패턴을 전달하기 위해 단계 (c) 및 (d)를 제1회 및 제2회 수행하는 단계를 더 포함하되,
    단계 (c) 및 (d)의 제1회를 수행하는 동안, 상기 타겟 영역은 상기 어레이의 요소들의 제1세트에 대응되는 상기 제1의 복수의 픽셀에 대해 노광되고, 및
    단계 (c) 및 (d)의 제2회를 수행하는 동안, 상기 타겟 영역은 동일한 상기 어레이의 요소들의 상이한 제2세트에 대응되는 상기 제2의 복수의 픽셀에 대해 노광되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제2세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제1세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제2세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제2세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제1세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제1세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제2의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제2세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제2세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 타겟 영역으로 사전설정된 방사선 도즈 패턴을 전달하기 위해 단계 (c) 및 (d)를 제1회 및 제2회 수행하는 단계를 더 포함하되,
    단계 (c) 및 (d)의 제1회를 수행하는 동안, 상기 타겟 영역은 제1의 상기 어레이의 요소들의 제1세트에 대응되는 상기 제1의 복수의 픽셀에 대해 노광되고, 및
    단계 (c) 및 (d)의 제2회를 수행하는 동안, 상기 타겟 영역은 제2의 상이한 상기 어레이의 요소들의 제2세트에 대응되는 상기 제2의 복수의 픽셀에 대해 노광되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제2세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제1세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제2의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제1세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제2세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제1의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제1세트의 결함 요소의 노광부족의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제1세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제2의 복수의 픽셀이, 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 요소들의 제2세트의 결함 요소의 노광부족 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록 구성되는 1이상 선택된 픽셀을 포함하도록, 상기 요소들의 제2세트를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제1항에 있어서,
    각각의 픽셀은 상기 요소들의 각각의 요소에 대응되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    단계 (d)는, 1이상의 대응하여 선택되는 픽셀이 증가된 방사선 도즈를 전달하도록, 1이상 선택된 요소를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 요소들의 어레이는 알려진 위치의 결함 요소를 포함하고, 단계 (d)는 상기 결함 요소에 대응되는 픽셀에 바로 인접한 1이상의 대응 픽셀이 증가된 방사선 도즈를 전달하여 상기 결함 요소의 영향을 전체 또는 부분적으로 보상할 수 있도록, 상기 결함 요소에 바로 인접한 1이상의 요소를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 기판은 사전설정된 방사선 도즈 패턴이 전달될 타겟면을 가지고, 상기 도즈 패턴은 사전설정된 임계값 이상의 방사선 도즈가 전달될 공칭 화이트 영역들, 및 상기 사전설정된 임계값보다 작은 방사선 도즈가 전달될 공칭 블랙 영역들을 포함하고, 상기 단계 (d)는:
    상기 결함 요소에 대응되는 픽셀이 화이트 영역상으로 투영되는 경우 1이상의 인접한 요소를 제어하여, 동일 화이트 영역상으로 투영되는 인접한 대응 픽셀이 증가된 방사선 도즈를 전달하도록 함으로써 상기 결함 요소의 영향을 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제20항에 있어서,
    단계 (d)는, 대응되는 복수의 픽셀이 증가된 방사선 도즈를 전달하여 보상을 제공할 수 있도록, 선택된 복수의 요소들을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으 로 하는 방법.
  25. 제1항에 있어서,
    각각의 픽셀의 세기 분포가, 상기 어레이의 각각의 대응 요소 및 상기 각각의 대응 요소에 바로 인접한 요소들에 따르도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제1항에 있어서,
    단계 (c)는, 각각의 픽셀이 사전설정된 공칭 최대 세기 이하의 피크 세기를 갖도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함하며;
    단계 (d)는, 상기 1이상 선택된 픽셀이 상기 공칭 최대 세기보다 큰, 증가된 피크 세기를 갖도록 상기 요소들을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 공칭 최대 세기보다 큰 상기 피크 세기를, 적어도 1.5배만큼 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제1항에 있어서,
    3이상의 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하도록 각각의 비-결함 요소를 제 어하는 단계를 더 포함하되, 상기 상태들은,
    상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여 대응 픽셀에 의해 전달되는 상기 방사선 도즈에 최대 기여도를 제공하도록 하는 공칭 블랙 상태;
    상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여 상기 대응 픽셀에 의해 전달되는 상기 방사선 도즈에 증가된 기여도를 제공하도록 하는 1이상의 공칭 그레이 상태; 및
    상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여 어떠한 그레이 상태의 것보다 큰 대응 픽셀로 전달되는 상기 방사선 도즈에 소정의 기여도를 제공하도록 하는 1이상의 공칭 화이트 상태를 포함하고,
    단계 (c)는 상기 블랙 또는 그레이 상태들 중 하나를 채택하도록 각각의 요소를 제어하는 단계를 포함하고,
    단계 (d)는 화이트 상태를 채택하도록 1이상 선택되는 요소를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    요소의 상태를 기초로 하여, 상기 요소와 상기 투영빔과의 상호작용에 의하여 만들어진, 상기 대응 픽셀의 피크 세기에 대한 기여도를 결정함으로써, 상기 대응 픽셀에 의해 전달되는 방사선 도즈를 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    일련의 그레이 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하기 위하여 각각의 비-결함 요소를 제어하는 단계를 더 포함하되, 각각의 그레이 상태는 대응 픽셀의 피크 세기에 대한 각각의 기여도에 대응되는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    일련의 화이트 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하기 위하여 각각의 비-결함 요소를 제어하는 단계를 더 포함하되, 각각의 화이트 상태는 대응 픽셀의 피크 세기에 대한 각각의 기여도에 대응되는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제31항에 있어서,
    복수의 화이트 상태 중 하나로서, 상기 요소가 상기 빔과 상호작용하여 상기 대응 픽셀의 피크 세기에 최대 기여도를 제공하는 최대 화이트 상태를 제공하는 단계를 더 포함하되, 상기 최대 기여도는 그레이 상태에 대응되는 최대 기여도의 2배 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제1항에 있어서,
    단계 (c) 및 (d)를 사용하는 노광 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 투영빔을 공급하는 조명시스템;
    상기 투영빔을 패터닝하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이;
    그 각각이 상기 타겟부에 각각의 방사선 도즈를 전달하는 복수의 픽셀들을 포함하는 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템; 및
    3이상의 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하기 위해 상기 요소들을 제어하는 제어기로서, 상기 상태는:
    상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여 상기 복수의 픽셀 중 대응 픽셀에 의해 전달되는 상기 방사선 도즈에 최대 기여도를 제공하도록 하는 공칭 블랙 상태;
    상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여 상기 복수의 픽셀 중 대응 픽셀에 의해 전달되는 상기 방사선 도즈에, 상기 공칭 블랙 상태와 비교하여 증가된 기여도를 제공하도록 하는 1이상의 공칭 그레이 상태; 및
    상기 요소가 상기 투영빔과 상호작용하여 복수의 픽셀들 중, 상기 1이상의 공칭 그레이 상태에서의 것보다 큰 대응 픽셀로 전달되는 상기 방사선 도즈에 소정의 기여도를 제공하도록 하는 1이상의 공칭 화이트 상태를 포함하는 상기 제어기를 포함하며,
    상기 제어기는, 각각의 요소가 상기 공칭 블랙 상태 또는 상기 1이상의 공칭 그레이 상태 중 하나를 채택하도록 상기 요소들을 제어하고,
    상기 제어기는, 상기 1이상의 픽셀들에 결함이 있을 경우, 상기 복수 의 픽셀들 중 1이상의 픽셀의 영향들에 대한 보상을 제공하기 위해 1이상의 공칭 화이트 상태를 채택하도록 상기 요소들을 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  35. 제34항에 있어서,
    각각의 요소는, 정상적으로 작동될 경우 일련의 그레이 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하도록 제어가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  36. 제35항에 있어서,
    각각의 요소는, 정상적으로 작동될 경우, 일련의 화이트 상태들 중 하나를 선택적으로 채택하도록 제어가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 기판은 사전설정된 방사선 도즈 패턴이 전달될 타겟면을 가지고, 상기 도즈 패턴은, 사전설정된 임계값 이상의 방사선 도즈가 전달될 공칭 화이트 영역들, 및 상기 사전설정된 임계값보다 작은 방사선 도즈가 전달될 공칭 블랙 영역들을 포함하고;
    상기 일련의 그레이 상태들은 상기 증가된 기여도가 상기 그레이 상태들에 대해 최대인 최대 그레이 상태를 포함하고;
    상기 조명시스템 및 상기 제어기는 공통 노광 시간동안 각각의 픽셀에 대해 상기 타겟부를 노광시키는데 사용되며;
    상기 조명시스템 및 상기 요소들은, 상기 공통 노광 시간동안, 대응 요소가 최대 그레이 상태에서 상기 사전설정된 임계값 이상의 도즈를 전달하는 픽셀에 대해 상기 타겟부를 노광시키는데 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 기판은 사전설정된 방사선 도즈 패턴이 전달될 타겟면을 가지고, 상기 도즈 패턴은, 사전설정된 임계값 이상의 방사선 도즈가 전달될 공칭 화이트 영역들, 및 상기 사전설정된 임계값보다 작은 방사선 도즈가 전달될 공칭 블랙 영역들을 포함하고;
    상기 일련의 그레이 상태들은 상기 증가된 기여도가 상기 그레이 상태들에 대해 최대인 최대 그레이 상태를 포함하고;
    상기 조명시스템 및 상기 제어기는 공통 노광 시간동안 각각의 픽셀에 대해 상기 타겟부를 노광시키는데 사용되며;
    상기 조명시스템 및 상기 요소들은, 상기 공통 노광 시간동안, 대응 요소가 최대 그레이 상태에서 상기 사전설정된 임계값보다 작지만 상기 사전설정된 임계값의 절반보다는 큰 도즈를 전달하는 픽셀에 대해 상기 타겟부를 노광시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  39. 제34항에 있어서,
    상기 요소들의 어레이는 프로그램가능한 거울 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
KR1020050048300A 2004-06-08 2005-06-07 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 KR100649177B1 (ko)

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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7123348B2 (en) 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
KR101433496B1 (ko) * 2004-06-09 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
GB2438649A (en) * 2006-06-01 2007-12-05 Markem Tech Ltd Improving print quality affected by malfunctioning printing element
JP4324622B2 (ja) * 2007-04-18 2009-09-02 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681125B (zh) * 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) * 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101695034B1 (ko) 2008-05-28 2017-01-10 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US8253923B1 (en) 2008-09-23 2012-08-28 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8670106B2 (en) 2008-09-23 2014-03-11 Pinebrook Imaging, Inc. Optical imaging writer system
US8390786B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8390781B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8395752B2 (en) * 2008-09-23 2013-03-12 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
JP2012511168A (ja) * 2008-12-05 2012-05-17 マイクロニック マイデータ アーベー マイクロリソグラフ印刷における勾配を援用した画像再サンプリング
KR101703830B1 (ko) * 2009-11-18 2017-02-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
NL2005724A (en) * 2009-12-23 2011-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR102117986B1 (ko) * 2010-09-27 2020-06-02 가부시키가이샤 니콘 공간 광변조기의 구동 방법, 노광용 패턴의 생성 방법, 노광 방법, 및 노광 장치
US10054858B2 (en) 2010-12-13 2018-08-21 Nikon Corporation Spatial light modulator, method of driving same, and exposure method and apparatus
JP5905126B2 (ja) 2012-01-17 2016-04-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6014342B2 (ja) 2012-03-22 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US8980108B1 (en) 2013-10-04 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit fabrication
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
KR20170028943A (ko) * 2014-07-14 2017-03-14 코닝 인코포레이티드 조정가능한 레이저 빔 촛점 라인을 사용하여 투명한 재료를 처리하는 방법 및 시스템
NL2015073A (en) * 2014-07-15 2016-04-12 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing devices.
KR102427154B1 (ko) 2014-08-01 2022-07-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 패턴 형성을 위한 디지털 그레이 톤 리소그래피
CN107922237B (zh) 2015-03-24 2022-04-01 康宁股份有限公司 显示器玻璃组合物的激光切割和加工
JP6676942B2 (ja) * 2015-12-01 2020-04-08 株式会社ニコン 制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム
JP2016115946A (ja) * 2016-02-18 2016-06-23 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法
CN109803786B (zh) 2016-09-30 2021-05-07 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
WO2018136197A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Applied Materials, Inc. Resolution enhanced digital lithography with anti-blazed dmd
EP3598236A4 (en) * 2017-03-16 2021-01-20 Nikon Corporation CONTROL DEVICE AND CONTROL PROCESS, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE PROCESS, DEVICE MANUFACTURING PROCESS, DATA PRODUCTION PROCESS AND PROGRAM
DE102017110241A1 (de) * 2017-05-11 2018-11-15 Nanoscribe Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer 3D-Struktur mittels Laserlithographie sowie Computerprogrammprodukt
JP7120243B2 (ja) * 2017-09-08 2022-08-17 株式会社ニコン パターン描画装置
US11135835B2 (en) * 2018-12-20 2021-10-05 Kateeva, Inc. Ejection control using substrate alignment features and print region alignment features
US10571809B1 (en) 2019-02-19 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Half tone scheme for maskless lithography
KR20230122153A (ko) * 2021-01-29 2023-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치
DE102021113780A1 (de) * 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie
US11899198B2 (en) 2022-05-23 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Controlling light source wavelengths for selectable phase shifts between pixels in digital lithography systems
CN117111414B (zh) * 2023-10-23 2023-12-22 张家港中贺自动化科技有限公司 一种光刻图像的在线自动生成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0692728A2 (en) * 1994-07-13 1996-01-17 Texas Instruments Incorporated Improvements in and relating to spatial light modulators

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (de) 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
AU1975197A (en) 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US6312134B1 (en) 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JP4126096B2 (ja) 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6356340B1 (en) * 1998-11-20 2002-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Piezo programmable reticle for EUV lithography
JP2001135562A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Hitachi Ltd リソグラフィ装置
US6811953B2 (en) 2000-05-22 2004-11-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice
US6493867B1 (en) * 2000-08-08 2002-12-10 Ball Semiconductor, Inc. Digital photolithography system for making smooth diagonal components
JP2002367900A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Yaskawa Electric Corp 露光装置および露光方法
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US6618185B2 (en) 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
KR100545297B1 (ko) 2002-06-12 2006-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
US6989920B2 (en) * 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0692728A2 (en) * 1994-07-13 1996-01-17 Texas Instruments Incorporated Improvements in and relating to spatial light modulators

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
0692728

Also Published As

Publication number Publication date
TWI309342B (en) 2009-05-01
SG118329A1 (en) 2006-01-27
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US20140176929A1 (en) 2014-06-26
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US9176392B2 (en) 2015-11-03
JP2005354059A (ja) 2005-12-22
JP5160688B2 (ja) 2013-03-13
US7123348B2 (en) 2006-10-17
EP1605313A3 (en) 2006-04-05
CN100520591C (zh) 2009-07-29

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