KR100734596B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

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아르노 얀 블리커
야거 피에터 빌렘 헤어만 데
칼스 체거 트루스트
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 발명에 따른 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는, 반사기들의 복수 행들로 이루어진 복수의 제어영역들을 포함한다. 반사기들의 교번 행들은, 제어영역이 회절 광학 요소로서 사용될 수 있는 제어 요소를 제공하기 위한 격자로서의 역할을 하도록 공통의 방식으로 액추에이팅된다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 명세서내에 채용되고 그 일부를 형성하는 첨부 도면들은, 본 발명을 예시하고, 설명부와 함께 본 발명의 원리들을 설명하며 당업자들이 본 발명을 구성 및 사용할 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도,
도 2a 및 2b는 리소그래피 장치의 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 사용되는 회절 광학 MEMS 디바이스의 작동을 예시한 도,
도 3a 내지 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에서 반사기들의 대안적인 위치들을 예시한 도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로그램가능한 요소들의 어레이를 위한 제어시스템을 나타낸 도이다.
본 발명으 첨부 도면을 참조하여 후술될 것이다. 상기 도면들에 있어, 같은 참조 부호는 동일하거나 기능적으로 유사한 요소들을 지칭할 수 있다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC), 플랫 패널 디스플레이 및 여타 미세 구조체 관련 디바이스들의 제조시에 사용될 수 있다. 종래 리소그래피 장치에서, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝수단이 IC(또는 여타 디바이스)의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선감응재(예를 들어, 레지스트) 층을 가지는 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼 또는 유리판)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 묘화(imaging)될 수 있다. 패터닝수단은, 마스크 대신에 회로 패턴을 생성하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 포함할 수도 있다.
일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 투영빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다.
점탄성(예를 들어, 점성과 탄성의 특성들을 가짐) 제어층 및 반사면을 갖는 매트릭스 어드레서블 표면을, 방사선 빔을 패터닝하기 위한 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로서 사용하도록 제안되어 왔다. 점탄성 제어층이 어드레싱되는 경우, 그것의 표면은, 예를 들어 사인곡선을 형성하도록 변형된다. 이러한 장치의 기 본 원리는, 사인곡선 형상의 반사면이 격자로서 작용하기 때문에 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 공간 필터를 사용하면, 반사된 빔 중으로부터 비회절광이 필터링됨으로써 회절광만이 그를 떠나 기판에 도달하도록 할 수 있다. 이러한 방식으로, 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다.
대응 디바이스로 회절 광학 MEMS 디바이스의 어레이를 사용하는 것 또한 제안되어 왔다. 각각의 회절 광학 MEMS 디바이스는, 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자(grating)를 형성하도록 서로에 대해 변형(deform)될 수 있는 복수의 반사 리본(reflective ribbon)들로 구성된다.
하지만, 상술된 바와 같은 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이를 위한 구성들은 제조하기가 어렵다. 특히, 반사면들 아래의 제어 전기 회로도의 형성은 제조시 처리 단계들의 순서와 관련된 제약을 가한다. 또한, 개별적 요소들은 그들 주위의 상당한 양의 공간을 필요로 하는 것이 통상적이다. 이는, 특히 광학 회절 MEMS 디바이스에 대해 그러하다. 예를 들어 이것은 구동 전자기술(drive electronics)를 제공하기 위해 이행될 수 있다. 이것은 개별적으로 제어가능한 요소들의 덴스 패킹(dense packing)을 방해한다.
개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이로서 사용되는 추가 대안례는 작은 거울들의 매트릭스 구성이다. 상기 거울들은, 각각의 거울이 원하는 방향으로 입사 방사선을 반사시키기 위해 독리적으로 제어될 수 있도록 매트릭스 어드레서블하다. 주어진 방향으로 반사되는 방사선만이 기판상으로 투영된다(즉, 투영시스템의 퓨필로 들어간다). 따라서, 개별적으로 제어가능한 거울들을 적절히 어드레싱함으로써, 필요에 따라 방사선 빔이 패터닝될 수 있다. 하지만, 각각의 거울의 위치가 매우 정밀하게 제어되어야 하기 때문에 실제로 실행하기에는 어려움이 있다.
따라서, 필요한 것은, 개별적으로 제어가능한 요소들의 개선된 어레이를 갖는 리소그래피 장치에 사용하기 위한 시스템 및 방법이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 방사선 빔을 공급하는 조명시스템, 빔을 소정 패턴으로 변조(modulate)하는 역할을 하는 반사기(reflector)들의 어레이를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 각각의 반사기는 관련 액추에이터를 구비하여 상기 반사기를 위치설정할 수 있다. 반사기들의 어레이는 각각 3이상의 인접한 반사기들의 행을 포함하는 복수의 제어영역을 갖는다. 제어기는, 각각의 제어영역에서 교번(alternate)의 반사기들의 행이 제1공통위치에 대해 설정되도록 액추에이터들에 제어신호들을 제공하도록 구성된다. 나머지 행들은 제2공통위치에 대해 설정된다. 기판테이블을 기판을 지지한다. 투영시스템은 반사기들의 어레이로부터 반사된 방사선을 기판의 타겟부상으로 투영한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 반사기를 위치시키도록 구성된 복수의 액추에이터 및 액추에이터에 제어신호를 제공하는 제어기를 포함하는, 리소그래피 장치에서 방사선 빔을 변조하도록 구성되는 반사기들의 어레이가 제공된다. 상기 어 레이는, 각각 3이상의 인접한 반사기들의 행을 포함하는 복수의 제어영역들을 갖는다. 제어기는, 각 제어 영역에서의 교번의 반사기의 행들이 제1공통위치에 대해 설정되고 나머지 반사기들의 행이 제2공통위치에 대해 설정되도록, 제어영역들에서 반사기와 연관된 액체에이터들로 제어신호들을 제공하도록 구성된다.
본 발명의 추가 실시예에 따르면, 다음의 단계들을 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다. 기판을 제공하는 단계. 조명시스템을 사용하여 방사선 빔을 제공하는 단계. 그 각각이 3이상의 반사기들의 행을 포함하는 복수의 제어영역들을 포함하는 반사기들의 어레이를 사용하는 단계. 상기 반사기들의 어레이는 상기 빔을 소정 패턴으로 변조한다. 각각의 반사기는 연관 액추에이터에 의해 위치설정된다. 제어신호들을 액추에이터로 제공하는 단계. 각 제어영역에서의 교번의 반사기들의 행은 제1공통위치에 대해 설정된다. 나머지 반사기들의 행은 제2공통위치에 대해 설정된다. 반사기들의 어레이로부터 반사되는 방사선을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계.
본 발명의 추가 실시예, 특징 및 장점들과 본 발명의 다양한 실시예들의 작동은, 첨부 도면을 참조하여 상세히 후술된다.
본 명세서에서는 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 박막 자기 헤드의 제조 등과 같은 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠 한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전 또는 후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 채택되는 "개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이" 또는 "반사기들의 어레이"라는 용어는, 원하는 패턴이 기판의 타겟부내에 형성될 수 있도록 입사 방사선 빔에 패터닝된 단면을 부여하는데 사용될 수 있는 모든 디바이스를 칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 본 명세서에서 "광 밸브(light valve)" 및 "공간 광 변조기(Spatial Light Modulator; SLM)" 용어로도 사용될 수 있다. 이러한 패터닝장치의 예시로는 다음과 같은 것들이 제공된다.
프로그램가능한 거울 어레이는 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)을 포함할 수 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, 예를 들어 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 공간 필터를 사용하면, 반사된 빔 중으로부터 비회절광이 필터링됨으로써 회절광만이 그를 떠나 기판 에 도달하도록 할 수 있다. 이러한 방식으로, 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다.
대안례로서, 필터는 회절광을 필터링하여, 비회절광이 그를 떠나 기판에 도달하도록 할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 회절 광학 MEMS(micro electrical mechanical system) 디바이스의 어레이가, 위와 대응되는 방식으로 사용될 수도 있다. 각각의 회절 광학 MEMS 디바이스는, 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자(grating)를 형성하도록 서로에 대해 변형(deform)될 수 있는 복수의 반사 리본(reflective ribbon)들을 포함할 수 있다.
추가 대안실시예에는, 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전 작동 수단(piezoelectric actuation means)을 채용하여 축선을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용한 프로그램가능한 거울 어레이가 포함될 수 있다. 마찬가지로, 상기 거울들은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울들은 입사되는 방사선 빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사시킬 것이다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울들의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단을 사용하여 수행될 수 있다.
상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이는 1이상의 프로그램가능한 거울 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 거울 어레이에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국 특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 이들은 본 명세서에 인용 참조되고 있다.
프로그램가능한 LCD 어레이 또한 사용될 수 있다. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다.
예를 들어, 피처들의 프리-바이어싱(pre-biasing), 광 근접성 보정 피처들, 위상 변화 기술 및 다중 노광 기술들이 사용되는 경우, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상에 "디스플레이된" 패턴은 기판의 또는 기판상의 소정 층으로 최종적으로 전사(transfer)된 패턴과 실질적으로 상이할 수도 있음을 이해하여야 한다. 이와 유사하게, 기판상에 최종적으로 생성된 패턴은 어느 한 순간에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이상에 형성된 패턴과 일치하지 않을 수도 있다. 이는 기판의 각 부분상에 형성된 최종 패턴이 주어진 시간 주기 또는 주어진 노광 횟수에 따라 만들어진 구성의 경우일 수 있으며, 그 동안에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이 및/또는 기판의 상대 위치가 변경된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용에 대하여 언급하였으나, 본 명세서에서 기술된 리소그래피 장치는 DNA 칩들, MEMS, MOEMS, 집적 광학시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 박막 자기 헤드 등의 제조 등과 같은 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층 을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판 처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, 및 (예를 들어, 파장이 5-20㎚범위에 있는) 극자외(EUV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절한, 굴절 광학시스템, 반사 광학시스템, 및 카타디옵트릭 광학시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있다.
또한, 조명시스템은 방사선의 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위한 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학 구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학 구성요소를 포괄할 수 있으며, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고도 언급될 수 있을 것이다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는, 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지시키는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피장치에서, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이의 다른 공간들에 적용될 수도 있다. 침지 기술(immersion technique)은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다.
또한, 상기 장치에는, (예를 들어, 기판에 화학약품을 선택적으로 적용하거나 기판의 표면 구조를 선택적으로 수정하기 위하여) 유체와 기판의 조사된 부분들간의 상호작용을 가능하게 하는 유체 처리 셀이 제공될 수도 있다.
리소그래피 투영장치
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(100)는 적어도 방사선시스템(102), 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104), 대물테이블(106)(예를 들어, 기판테이블), 및 투영시스템("렌즈")(108)을 포함한다.
방사선시스템(102)은 방사선(예를 들어 UV 방사선)의 투영빔(110)을 공급하는데 사용될 수 있으며, 특히 이 경우에는 방사선 소스(112)를 포함할 수도 있다.
개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)(예를 들어, 프로그램가능한 거 울 어레이)는 투영빔(110)에 패턴을 적용시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 위치는 투영시스템(108)에 대해 고정될 수 있다. 하지만, 대안적인 구성에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 투영시스템(108)에 대해 그것을 정확히 위치시키는 위치설정 디바이스(도시 안됨)에 연결될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소들의 반사형 어레이를 가지는) 반사형으로 구성된다.
대물테이블(106)에는 기판(114)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판)을 잡아주는 기판홀더(상세히 도시되지는 않음)가 제공될 수 있으며, 대물테이블(106)은 투영시스템(108)에 대해 기판(114)을 정확히 위치시키는 위치설정 디바이스(116)에 연결될 수 있다.
투영시스템(108)(예를 들어, 거울 시스템 또는 쿼츠 및/또는 CaF2 물질로 만들어진 렌즈 요소를 포함하는 쿼츠 및/또는 CaF2 렌즈 시스템 또는 카타디옵트릭 시스템)은 기판(114)의 타겟부(120)(예를 들어, 1이상의 다이)상에 빔 스플리터(beam splitter; 118)로부터 수용된 패터닝된 빔을 투영하기 위해 사용될 수 있다. 투영시스템(108)은 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 이미지를 기판(114)상에 투영시킬 수도 있다. 대안적으로, 상기 투영시스템(108)은, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 요소들이 셔터들로서 기능하는 2차 소스(secondary source)들의 이미지들을 투영시킬 수도 있다. 또한, 투영시스템(108)은, 2차 소스 들을 형성하고 기판(114)상에 마이크로스폿(microspot)들을 투영시키기 위해, 마이크로 렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수도 있다.
소스(112)(예를 들어, 엑시머 레이저)는 방사선의 빔(122)을 생성할 수 있다. 상기 빔(122)은, 예를 들어 빔 익스팬더(126)와 같이, 곧 바로 또는 컨디셔닝 디바이스(126)를 지난 후에, 조명시스템(일루미네이터)(124)로 공급된다. 일루미네이터(124)는 상기 빔(122)내의 세기분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정장치(128)를 포함할 수 있다. 또한, 일루미네이터(124)는 일반적으로 인티그레이터 및 콘덴서(132)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 이 방식으로, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상에 입사되는 투영빔(110)은 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가진다.
도 1과 관련하여, 상기 소스(112)는 (예를 들어, 상기 소스(112)가 흔히 수은 램프인 경우에서처럼) 리소그패피 투영장치(100)의 하우징내에 놓일 것이다. 대안실시예에서, 상기 소스(112)는 리소그래피 투영장치(100)로부터 멀리 떨어져 있을 수도 있다. 이 경우, 방사선 빔(122)은 (가령, 적절한 지향 거울에 의해) 상기 장치(100)안으로 지향될 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 상기 소스(112)가 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명의 범위내에는 이 두 시나리오가 모두 고려되어 있음을 이해하여야 할 것이다.
이어서, 상기 빔(110)은 빔 스플리터(118)를 이용하여 지향된 후에 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)를 거친다(intercept). 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)에 의하여 반사되면, 상기 빔(110)은 투영시스템(108)을 통과하여 기판(114)의 타겟부(C)(120)상에 상기 빔(110)을 포커싱한다.
위치설정 디바이스(116){및 빔 스플리터(140)를 통해 간섭계 빔(138)을 수용하는 베이스 플레이트(base plate;136)상의 선택적 간섭계 측정 디바이스(134)}의 도움으로, 기판테이블(106)은, 상기 빔(110)의 경로내에 상이한 타겟부(120)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 사용된다면, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)용 위치설정 디바이스는, 예를 들어 스캔 중에 상기 빔(110)의 경로에 대해 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)의 위치를 정확히 보정하는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(106)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현되며, 이는 도 1에 명확히 도시되어 있지는 않다. 또한, 유사한 시스템이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)를 위치시키는데 사용될 수도 있다. 요구되는 상대 이동을 제공하도록 대물테이블(106) 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)가 고정된 위치를 가지는 동안, 투영빔(110)이 대안적으로/추가적으로, 이동될 수 있음을 이해할 것이다.
상기 실시예의 또 다른 구성에서는, 기판테이블(106)이 고정될 수도 있으며, 기판(114)이 상기 기판테이블(106)상에서 이동할 수 있다. 이것이 행해지면, 기판테이블(106)에는 평탄한 최상면상에 다수의 개구부들이 제공되며, 상기 개구부들을 통해 가스가 공급되어, 기판(114)을 지지할 수 있는 가스 쿠션(gas cushion)을 제공한다. 통상적으로, 이를 공기 베어링 구성(air bearing arrangement)이라 칭한 다. 기판(114)은 상기 빔(110)의 경로에 대해 상기 기판(114)을 정확히 위치시킬 수 있는 1이상의 액추에이터(도시 안됨)를 이용하여 기판테이블(106)상에서 이동된다. 대안적으로, 상기 기판(114)은 상기 개구부들을 통해 가스를 선택적으로 공급 및 차단시킴으로써 기판테이블(106)상에서 이동될 수도 있다.
본 명세서에는 기판상의 레지스트를 노광하는 본 발명에 따른 리소그래피 장치(100)가 서술되었으나, 본 발명은 이러한 용도로 제한되지 않으며 상기 장치(100)는 레지스트없는 리소그래피(resistless lithography)에서 사용하기 위한 패터닝된 투영빔(110)을 투영하는데 사용될 수도 있음을 이해해야 한다.
기술된 장치(100)는 다음의 바람직한 4가지 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드: 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 전체 패턴은 한번에{즉, 단일 "섬광(flash)"} 타겟부(120)상에 투영된다. 기판테이블(106)은 상이한 타겟부(120)가 패터닝된 투영빔(110)에 의해 조사(irradiate)되도록 상이한 위치에 대해 x 및/또는 y 방향으로 이동된다.
2. 스캔 모드: 주어진 타겟부(120)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는다는 것을 제외하고는 본질적으로 스텝 모드와 동일하다. 대신에, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 v의 속도로 주어진 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 패터닝된 투영빔(110)이 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)에 걸쳐 스캐닝하도록 이루어진다. 이와 함께, 기판테이블(106)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동되며, 여기서 M은 투영시스템(108)의 배율이다. 이 방식으로, 비교적 큰 타겟부(120)가 분해능이 저하되지 않 고 노광될 수 있다.
3. 펄스모드: 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 기본적으로 정지상태로 유지되며 전체 패턴은 펄스 방사선 시스템(102)을 사용하여 기판(114)의 타겟부(120)상에 투영된다. 기판테이블(106)은 패터닝된 투영빔(110)이 기판(114)을 가로질러 라인을 스캐닝할 수 있도록 기본적으로 일정한 속도로 이동된다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 패턴은 방사선시스템(102)의 펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트되고, 후속하는 타겟부(120)가 기판상의 요구되는 장소에서 노광되도록 펄스들이 시간조정된다(timed). 따라서, 패터닝된 투영빔(110)은 기판(114)의 스트립(strip)에 전체(complete) 패턴을 노광시키도록 기판(114)을 가로질러 스캔할 수 있다. 상기 프로세스는 한 라인씩 전체 기판(114)이 노광될 때까지 반복된다.
4. 연속스캔모드: 실질적으로 일정한 방사선시스템(102)이 사용되고, 패터닝된 투영빔(110)이 기판(114)을 가로질러 스캔하고 그를 노광시킴에 따라 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)상의 패턴이 업데이트되는 것을 제외하고는 본질적적으로 펄스모드와 동일하다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들을 채용할 수 있다.
도 1에 나타낸 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이(104)는 프로그램가능한 거울 어레이이다. 프로그램가능한 거울 어레이(104)는, 각각이 축선을 중심으로 개별적으로 틸팅(tilt)될 수 있는, 아주 작은(tiny) 거울들의 매트 릭스 구성을 포함한다. 틸트의 정도는, 각각의 거울의 상태를 한정한다. 거울들은, 요소에 결함이 없는 경우 제어기로부터의 적절한 제어 신호에 의하여 제어가능하다. 각각의 비-결함 요소(non-defective element)는, 일련의 상태들 중 어느 하나를 채택하도록 제어가능하여, 투영되는 방사선 패턴에서 그것의 대응 픽셀의 세기를 조정한다.
일 예시에서, 일련의 상태들은: (a) 거울에 의해 반사되는 방사선이 그것의 대응 픽셀의 세기 분포에 최소의 기여도(contribution), 또는 심지어 0의 기여도를 제공하는 블랙 상태; (b) 상기 반사되는 방사선이 최대 기여도를 제공하는 최대 화이트 상태; 및 (c) 상기 반사되는 방사선이 중간 기여도들을 제공하는 복수의 상태들을 포함한다. 상기 상태들은, 정상 빔 패터닝/프린팅에 사용되는 정상 세트 및 결함 요소들의 영향들을 보상하는데 사용되는 보상 세트로 나누어진다. 정상 세트는 블랙 상태 및 제1그룹의 중간 상태들을 포함한다. 이 제1그룹은 그레이 상태로 기술되며, 그들은 최소 블랙값으로부터 특정 정상 최대치까지의 대응 픽셀 세기에, 점진적으로 증가하는 기여도들을 제공하도록 선택가능하다. 보상 세트는, 즉 최대 화이트 상태와 함께 중간 상태들의 나머지 제2그룹을 포함한다. 이 중간 상태들의 제2그룹은 화이트 상태들로 기술되며, 그들은 최대 화이트 상태에 대응되는 실제 최대치까지 점진적으로 증가하는, 정상 최대치보다 큰 기여도를 제공하도록 선택가능하다. 상기 중간 상태들의 제2그룹은 화이트 상태들로 기술되고 있으나, 이는, 정상 노광 단계와 보상 노광 단계들간의 구분이 용이하도록 단순화시킨 것임을 이해해야 한다. 대안적으로 전체 복수의 상태들은, 그레이-스케일 프린팅이 가능하도 록 선택가능한, 블랙과 화이트 사이의 그레이 상태들의 시퀀스로 기술될 수도 있다.
예시적인 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이
도 2a 및 2b는 리소그래피 장치의 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 사용되는 회절 광학 MEMS 디바이스의 작동을 예시하고 있다. 도 2a 및 2b에서, 회절 광학 MEMS 디바이스(10)는 일련의 평행한 반사 리본들(11,12,13,14,15,16)로 이루어진다. 상기 디바이스는 2가지 상태 사이에서 스위칭될 수 있다. 제1상태에서는, 도 2a에 도시된 바와 같이, 반사 리본들 모두가 동일 평면내에 놓이고, 상기 디바이스는 비회절 광을 반사시키는 평면 반사기로서 작용한다. 제2상태에서는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 교번 리본들(11,13,15)이 변위되어, 상기 반사 리본들(11,13,15)이 비회절 반사 리본들(12,14,16)이 남아 있는 평면과 평행한 다른 평면에 놓이게 된다. 제2상태의 회절 광학 MEMS 디바이스(10)는 회절 광을 반사시키는 격자로서의 역할을 한다.
제2예시의 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이
도 3a 내지 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에서의 반사기들의 대안적인 위치들을 예시하고 있다.
개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이에 사용하기 위한 본 발명의 제어 요소는 액추에이팅될 수 있는 복수의 반사기(21)들로 이루어진다. 예를 들어, 도 3a에 도시된 바와 같이, 반사기(21)들은 기판(도시 안됨)상의 개구부(22)들 위의 힌지(23)상에 장착될 수도 있다. 각각의 반사기는 그것의 위치를 변화시키기 위한 액 추에이터(도시 안됨)와 연관된다. 예를 들어, 도 3a에 도시된 구성에서는, 액추에이터가 반사기(21)에 힘을 가하여, 그것을 틸트 축선(24)을 중심으로 회전시킨다. 일 예시에서, 기판의 개구부(22)들 사이에서 기판상에 장착되는 반사기(21), 힌지(23) 및 지지 섹션(25)들은 단일 층의 금속으로 만들어진다. 예를 들면, 알루미늄으로 만들어진다.
반사기들의 어레이는 다수의 반사기(21)들을 포함한다. 예를 들어, 상기 어레이들은, 대략 500 X 2000의 반사기(21) 또는 대략 2000 X 5000의 반사기(21), 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
일 예시에서, 반사기들의 어레이는, 예를 들어 반사기(21)들의 4개의 행으로 된 제어영역으로 분할되며, 그 각각은 4개의 반사기(21)들을 포함한다. 도 3a 및 3f에 도시된 실시예는 이러한 제어영역(20)을 나타낸다. 각각의 제어영역은 개별적으로 제어가능한 요소로서의 역할을 한다. 특히, 각각의 제어영역은, 상술된 바와 같이 2차 소스를 기판상에 묘화시키는 투영시스템을 사용하는 리소그래피 장치에서 상기 2차 소스용 셔터로서의 역할을 하거나, 또는 투영시스템이 반사기들의 어레이를 기판상으로 묘화시키는 리소그래피 장치에서 픽셀을 생성시키는데 사용될 수도 있다.
제어영역(20)의 반사기(21)들은 평행하고 인접한 행들(31,32,33,34)로 배치된다. 주어진 행의 반사기(21)들은 공통 방식으로 액추에이팅된다. 이 방식으로, 각각의 제어영역(20)은 회절 요소로서의 역할을 하도록 만들어질 수 있다. 제1위치에서는, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 반사기(21)들 중 어느 것도 액추에이팅되지 않 으며, 제어영역(20)은 실질적으로 비회절 방사선을 반사시키는 평면 반사기로서의 역할을 한다. 제2위치에서는, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 반사기(21)들의 교번 행(31,33)이 액추에이팅된다. 이 위치에서, 제어영역(20)은 격자로서의 역할을 하고 회절 방사선을 반사시킨다. 예를 들어, 제어영역(20)이 제1위치에 있을 때에는 특정방향으로 반사되는 방사선을 고려해야 한다. 일단 반사기(21)들의 교번 행(31,33)이 액추에이팅되고 나면, 개재(intervening) 행(33)에 의해 분리되는 나머지 행들(32,34)만 이전과 동일한 방향으로 방사선을 반사시킨다. 따라서, 이들 행들은 격자로서의 역할을 하며 회절 방사선은 반사된다.
제어가능한 격자로서의 역할을 하도록 개별적으로 제어가능한 제어영역(20)과 유사한 영역들로 분할되는 반사기(21)들의 어레이를 포함하는 개별적으로 제어가능한 상기 어레이는 바람직한 특징들을 나타낸다. 예컨대, 제어영역(20)은, 본 예시에서 어레이의 개별 반사기들간의 어떠한 분리에 대한 요건이 존재하지 않으므로 제어영역(20)간에도 어떠한 분리에 대한 요건이 존재하지 않기 때문에 덴스하게 패킹될 수 있다. 종래의 MEMs 디바이스들과는 대조적으로, 이러한 덴스 패킹은, 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 비-작용 영역들상에 입사되는 방사선으로 인해 콘트라스트의 손실을 초래할 수 있어 통상적으로는 이용불가하다. 또 다른 예시로서, 반사기들의 어레이의 제조는 공지된 회절 광학 MEMS 디바이스보다 훨씬 더 단순할 수 있다.
이 실시예에서는, 반사기들의 어레이를 구동하기 위한, 즉 제어 신호들을 제공하여 적절한 위치들에서 제어영역(20)을 설정하기 위한 제어기(도시 안됨)가 사 용된다. 이는, 각각의 개별 반사기가 모든 다른 반사기들과는 독립적인 요구 위치에 대해 설정될 수 있는 종래의 반사기들의 어레이와는 대조적이다. 따라서, 종래 시스템에서는 연관된 제어시스템이 복잡하며, 반사기들의 어레이 및 반사기들의 어레이 내에서 개별 반사기들과 연관된 각각의 액추에이터로 제어 신호들을 제공하는데 많은 수의 제어 라인들이 필요하다.
일 예시에서는, 반사기들의 어레이를 구동하는 복잡도가 저감된 제어기가 사용될 수도 있다. 특히, 상기 제어기는, 그것내의 각각의 개별 반사기(21)를 위한 제어 신호들을 발생시키기 보다는 각각의 제어영역(20)을 위한 제어 신호를 전체적으로 발생시킬 필요가 있다. 후술되겠지만, 제어영역(20)의 각 행에 대해 또는 교번 행들에 대해 독립적인 제어가 제공될 수도 있다(즉, 제어영역(20)의 교번 행들은 제1제어신호를 수용하고, 제어영역(20)의 나머지 행들은 제2신호를 수신함).
일 예시에서, 반사기들의 어레이는, 2가지 작동 모드: 즉, 반사기들의 제어영역들이 제어가능한 격자로서의 역할을 하도록 집합적으로 제어되는 제1모드; 및 개별 반사기들 각각이 독립적으로 제어될 수 있는 제2모드간에 스위칭될 수 있는 제어기를 갖는다. 따라서, 이러한 반사기들의 어레이는 제1제어모드를 사용하도록 되어 있는 리소그래피 장치나 제2제어모드를 사용하도록 되어 있는 장치에서 사용될 수 있다. 또한, 상기 두 작동 모드간에 스위칭될 수 있는 리소그래피 장치에 사용될 수도 있다.
반사기(21)들 각각은 독립적인 액추에이터를 구비할 수도 있다. 이 경우에, 반사기들의 어레이는 각각의 관련 액추에이터에 연결되는 제어영역에 적용되는 각 각의 제어 신호를 위한 단일 제어 라인을 구비하여 동일한 신호를 각각의 액추에이터에 제공할 수도 있다. 이는 반드시 각각의 제어영역(20)을 위한 전용(dedicated) 제어 라인이 제공된다는 것을 의미하지는 않는다는 점을 이해해야 한다. 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이들은, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이가 상기 어레이내의 공통 제어 라인을 공유하는 매트릭스 어드레싱을 사용할 수 있지만, 여러 차례 어드레싱된다. 이와 유사한 접근법이 제어영역(20), 제어영역내의 교번 행의 반사기(21)들 또는 제어영역(20)내의 개별 행의 반사기(21)들을 어드레싱하는데 사용될 수도 있다.
제어영역(20)의 각각의 반사기(21)는 독립적인 액추에이터를 가질 수도 있으나, 필수적인 것은 아니다. 예를 들어, 반사기(21)들의 각 행은 단일 액추에이터를 가지거나, 단일 행으로 반사기(21)들과 연관된 각각의 액추에이터들이 공통의 구성요소를 공유할 수도 있다. 이와 마찬가지로, 주어진 제어영역(20)내의 교번 행의 반사기(21)들이 공통의 액추에이터를 공유하거나 공통의 구성요소를 공유하는 액추에이터들을 구비할 수도 있다.
일 예시에서, 반사기(21)들을 위치설정하는데 캐패시티 액추에이터(capacitive actuator)들이 사용될 수도 있다. 이러한 구성에서, 반사기들의 어레이의 기판(도시 안됨)상에 구성되는 컨덕터(도시 안됨)와 반사기(21)를 이동시키는 또 다른 컨덕터(도시 안됨) 사이에 전압이 인가된다. 후자의 컨덕터는 반사기(21)에 연결되거나 그 자체가 반사기일 수 있다. 전압이 인가되면, 컨덕터는 액추에이팅 반사기(21)를 끌어당긴다. 기판상에 구성되는 컨덕터들은, 제어영역(2)의 행내 의 모든 반사기들(21) 또는 제어영역(20)내의 교번 행의 반사기(21)들에 대해 공통적이어서, 반사기(21)들과 연관된 각각의 액추에이터들에 대해 공통의 요소를 제공할 수도 있다.
본 발명은 반사기(21)들에 대한 특정 액추에이션 시스템으로 제한되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다. 특히, 캐패시티 액추에이터 이외의 액추에이터들, 예를 들어 압전 액추에이터가 사용될 수도 있다. 나머지들도 본 명세서의 교시를 기초로 하는 당업계의 기술들 중 하나라는 것은 명백하다.
도 3b와 관련하여 상술된 바와 같이, 교번 행의 반사기(21)들을 액추에이팅함으로써 제어영역(20)은 그것의 제2상태로 설정될 수도 있다. 하지만, 제어영역(20)은 모든 반사기(21)들을 액추에이팅함으로써 회절 방사선을 반사시키도록 설정될 수도 있으나, 도 3c에 도시된 바와 같이 교번 액추에이터(21)들을 반대 방향으로 액추에이팅함으로써 회절 방사선을 반사시키도록 설정될 수도 있다. 도 3b에 도시된 것에 대한 이러한 구성의 장점은, 회절 방사선의 세기 분포가 대칭형이어서 포커스 오차에 대한 감응도를 저감시킨다는 점이다.
일 예시에서, 도 3b 및 3c에 도시된 위치 이외에, 각각의 반사기는 상승되는 반사기의 구성요소 및 하강되는 반사기의 구성요소를 갖기 때문에 반사기들의 행들 모두는 동일한 방향으로 액추에이팅되는 경우, 제어영역(20)은 격자로서의 역할을 할 수도 있다. 따라서, 제어영역(20)은 위상 격자로서의 역할을 한다. 필요한 제어 신호를 제공하는 이러한 구성은 보다 단순하나, 격자로서 덜 효과적이다.
일 예시에서, 도 3c에 도시된 바와 같이 반사기(21)들의 행 각각에 독립적인 제어 신호들을 제공하거나 반사기(21)들의 교번 행에 공통의 제어 신호를 제공함으로써, 제어영역(20)은 반사기들의 교번 행들을 반대 방향으로 액추에이팅하도록 설정된다.
일 예시에서, 제어영역(20)은 제어영역(20)내의 모든 반사기(21)들에 공통의 제어 신호를 제공함으로써 반사기(21)들의 교번 행들을 반대 방향으로 액추에이팅하도록 설정된다. 이는, 주어진 제어 영역을 위한 모든 액추에이터(21)들로 공통의 제어 신호가 인가되는 경우, 반사기(21)들의 교번 행들이 반사기(21)들을 제1방향으로 액추에이팅하고 나머지 반사기(21)들과 연관된 액추에이터들이 그들 반사기(21)들을 반대 방향으로 액추에이팅하도록, 반사기(21)용 액추에이터들을 구성함으로써 달성될 수도 있다. 예를 들어, 도 3c에 도시된 구성에서는, 반사기(21)들이 서로 평행한 각각의 틸트 축선들을 중심으로 회전된다.
공통의 제어 신호의 일 인가(one application)시, 교번 행들(31,33)의 반사기(21)들은 틸트 축선을 중심으로 제1방향으로 회전되고, 나머지 행들(32,34)의 반사기(21)들은 틸트 축선을 중심으로 반대 방향으로 회전된다.
일 예시에서, 도 3b 및 3c에 나타낸 구성에서는, 동일한 방식으로 액추에이팅되는 반사기(21)들의 행들(31,32,33,34)은 개별 반사기(21)들의 틸트 축선(24)과 팽행하게 구성된다.
일 예시에서는, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제어영역은, 공통의 방식으로 액추에이팅되는 반사기(21)들의 행들(41,42,43,44)이 제어영역(20)의 반사기(21)들의 틸트 축선(24)에 대해 수직한 방향으로 구성되도록 배치된다. 이러한 구성에서는, 단지 교번 행의 반사기(21)들을 액추에이팅할 필요가 있다. 하지만, 도 3d에 나타낸 바와 같이, 모든 반사기(21)들을 액추에이팅하되, 교번 행의 반사기(21)들을 제1방향으로 액추에이팅하고 나머지는 반대 방향으로 액추에이팅함으로써, 회절 방사선이 대칭적으로 스캐터링된다. 또한, 이러한 구성은 단지 1차원인 도 3b 및 3c의 구성들과는 대조적으로 2차원의 격자를 형성한다. 추가적으로, 도 3d에 나타낸 구성의 격자 주기는 도 3b 및 3c에 도시된 구성들의 격자 주기의 절반이다. 즉 그것은 개별 반사기(21)의 크기이다. 격자 주기의 크기를 축소시키면 격자의 회절 각도가 증가된다. 즉, 0차와 1차 방사선간의 분리부(separation)가 증가한다. 따라서, 예를 들어 0차 및 1차 방사선들 중 하나만 기판으로 지향될 수 있도록 하는 것이 보다 쉽다.
도 3a 내지 3d에 나타낸 바와 같이 반사기들의 어레이의 구성에서, 반사기(21)들은 실질적으로 정방형의 형상이며, 반사기(21)들의 틸트 축선(24)은 실질적으로 반사기(21) 중간를 통과하고 나머지 두 측면들에 대해 평행하도록 반사기(21)들의 대향 측면들 사이의 실질적인 중간에 힌지(23)들이 제공된다.
하지만, 본 발명은 이러한 구성으로만 제한되지는 않는다. 특히, 개별 반사기(21)들은, 제어영역(20)의 교번 행들이 동일한 방식으로 액추에이팅된다면 어떠한 편의상의 방식으로도 액추에이팅될 수 있다.
일 예시에서는, 도 3e에 나타낸 바와 같이, 힌지(51)들에 의해 반사기(50)들의 대향 코너에 반사기(50)들이 장착된다. 따라서, 액추에이팅되는 경우 그를 중심으로 반사기(50)들이 회전되는 틸트 축선(52)은 코너에서 코너로 반사기(50)를 통 과한다. 따라서, 정방형의 반사기들을 사용하면, 반사기(50)들의 틸트 축선(52)은 공통의 방식으로 액추에이팅되는 반사기(50)들의 행(53,54,55,56)에 대해 45°를 이룬다.
도 3f는 방금 설명한 것과 동일한 방식으로 액추에이팅되는 제어영역(20)의 반사기들의 행(61,62,63,64,65)이 반사기들의 틸트 축선에 대해 45°를 이루는 추가적인 구성을 나타내고 있다. 이 경우에는, 반사기들의 대향하는 측면들의 중앙지점에 힌지들이 배치되고, 반사기들의 틸트 축선이 그들의 다른 측면들과 평행하다. 하지만, 공통의 방식으로 액추에이팅되는 반사기들의 행들내에서, 인접한 반사기들은 각각의 다른 코너에서 코너로 맞닿는다.
대안적인 힌지 구성들 및/또는 형상의 반사기들도 사용될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 삼각형, 직사각형, 육각형, 다이아몬드형 등의 반사기들 또한 사용될 수 있다. 이와 마찬가지로 반사기의 일 측면이 지지부에 부착되고 전체 반사기가 벤딩되거나 상기 측면이 힌지로서의 역할을 하는(소위 "분할 보드(dividing board)" 힌지 구성) 반사기들이 사용될 수도 있다.
상기 실시예들 및 예시에서, 시스템들은 그들을 틸트 축선을 중심으로 틸팅함으로써 이동되는 반사기들을 활용한다.
또 다른 실시예에서, 반사기들은, 즉 "피스톤 반사기(piston reflector)"와 같이 반사기의 평면에 수직한 방향으로 이동되도록 액추에이팅될 수 있다. 이 실시예에서, 피스톤 반사기들의 행들을 포함하는 제어영역은 피스톤 반사기들의 교번 행들을 제1위치에 설정하고 나머지를 상이한 위치에 설정하여 위상 격자를 형성함 으로써 격자로서의 역할을 한다. 예를 들어, 정방형 피스톤 반사기들을 사용하는 경우, 피스톤 반사기들의 공통으로 액추에이팅되는 행들이 반사기들의 측면과 평행하게 배치된다면 1차원의 격자가 형성될 수 있다.
일 예시에서, 피스톤 반사기들의 공통으로 액추에이팅되는 행들은, 반사기들을 틸팅하기 위한, 도 3f에 나타낸 것과 유사한 구성일 수 있는 반사기들의 측면에 대해 45°의 각도를 이루며 통상적으로 "체커보드(checkerboard)" 구조라 칭한다. 이는, 2차원 격자에 이미 상술한 1차원 격자의 격자 주기의 절반을 제공한다.
반사기들의 행에 공통의 제어 신호를 적용시키는 것은, 각각의 반사기가 독립적으로 액추에이팅되는 종래의 반사기들이 어레이들과는 대조적인 행에서의 반사기들 각각으로부터의 동일한 액추에이션 응답을 제공할 수 없다는 것을 이해해야 한다. 이러한 종래의 구성에서는, 개별 반사기의 정확한 위치가 주의 깊게 제어되어야 하며, 각각의 개별 반사기의 충분한 캘리브레이션 제어를 필요로 할 수도 있다. 또한, 이러한 종래의 구성에서, 반사기가 손상되어 더 이상 액추에이팅될 수 없다면, 영구적으로 on 또는 off될 수 있는 픽셀을 직접적으로 보상하기 위한 방법은 존재하지 않는다. 따라서, 이러한 구성에 의하면, 공지된 손상 픽셀들을 보상하기 위해서는 주어진 패턴에 대해 복수의 노광을 제공할 필요가 있을 수도 있다.
이와는 대조적으로, 본 발명의 1이상의 실시예들 및/또는 예시들에서, 단일의 손상된 반사기는 단일 제어영역의 전체 성능에 심각한 영향을 미치지 않을 수도 있다. 따라서, 본 발명의 개별적으로 제어가능한 요소들의 어레이의 실시예들 및/또는 예시들은 종래 시스템보다 많은 수의 손상된 요소들에 적절히 대처할 수 있 다.
상기 설명은 제1위치와 제2위치 사이에서 액추에이팅되는 제어영역(20)에 대해 언급하였으나, 본 발명은 바이너리 제어만을 제공하는 것으로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 특히, 반사기들의 행들은 복수의 공통 위치들 중 하나로 설정되어 그레이스케일 세기 제어를 제공할 수도 있다.
또한, 본 발명은 4개의 반사기들로 된 4개의 행으로 이루어진 각각의 제어영역(20)에 대해 상세히 설명되고 도면으로 예시되었으나, 제어영역(20)은 상이한 크기들로 이루어질 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 일 예시에서, 적절한 격자를 형성하기 위한 최소 개수의 반사기들의 행은 3개이다. 또 다른 예시에서는, 4개의 행들의 최소치로서 사용된다. 다른 예시에서는, 6개의 반사기로 된 6개의 행들로부터 10개의 반사기로 된 10개의 행들까지의 제어영역, 또는 그 이상으로 된 제어영역이 사용될 수도 있다. 나아가, 행의 개수 및 각 행내의 반사기들의 개수가 동일할 필요는 없다는 것을 이해해야 한다.
예시의 프로그램가능한 요소들의 어레이에 대한 제어시스템
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로그램가능한 요소들의 어레이(402)에 대한 제어시스템(400)을 나타내고 있다. 단 2개의 요소들(404)이 도시되어 있으나, 프로그램가능한 요소들의 어레이는 필요에 따라 어떠한 형상 및 어떠한 형태로 된 많은 요소들로서 구현될 수도 있다는 것을 이해해야 하며, 그 중 몇몇 예시에 대해서는 상술하였다. 제어기(406) 및 파워 서플라이(408)는 각각의 요소(404)와 연관된 액추에이터(410)에 커플링된다.
요소(404)는, 액추에이터(410), 즉 캐패시티 액추에이터를 통해 콘택트 414a와 414b 사이에서 생성되는 전위의 액추에이션하에서 피봇 로드(412)를 중심으로 피봇된다. 콘택트(414a) 및 피봇 로드(412)는 캐패시터(416)를 통해 캐패시티적으로 커플링된다.
일 예시에서, 액추에이터(410)를 통한 에너지의 유동은 제어기(406) 및 파워 소스(408)에 커플링되는 스위치(418)를 사용하여 제어된다. 이 예시에서, 제어기(406)가 스위치(418)를 오픈시키는 경우에는 에너지가 유동하지 않는 반면, 제어기(406)가 스위치(418)를 클로징하는 경우에는 에너지가 유동하게 된다. 에너지가 유동할 때, 콘택트(414a)에서의 전위는 콘택트(414b)를 끌어당기고, 따라서 피봇 로드(412) 주위의 콘택트(414a)를 향하여 요소(404)를 이동시킨다. 스위치(418)는, 제어기(406)에 의해 생성되는 바이어스를 토대로 오픈 및 클로징되는 트랜지스터 등으로 이루어질 수 있으나 그로써 제한되는 것은 아니다.
따라서, 보다 상세히 상술된 바와 같이, 스위치(418)가 오픈되는가 클로징되는가의 여부에 따라, 요소(404)로부터 반사되는 광은 기판(도시 안됨)을 향하여 지향되거나 그로부터 멀어지도록 지향되어 기판의 패터닝을 제어한다.
예를 들어, 각각의 요소(404)에 대한 개별 제어기들, 요소(404)들의 그룹에 대해 공유되어 제어되는 분배 제어기들 등의 대안적인 액추에이터 및 제어시스템들이 사용될 수도 있으나, 그들로써 제한되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다. 이 모두는 본 발명의 범위내에서 구현된다.
결론
본 발명의 다양한 실시예들에 대해 상술하였으나, 그들은 단지 예시에 지나지 않으며 제한의 의미는 없다는 것을 이해해야 한다. 당업자라면, 본 명세서내에서 본 발명의 기술적사상 및 범위를 벗어나지 않는, 형태 및 세부사항에 있어서의 다양한 변화들이 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 폭 및 범위는 상술된 실시예들 중 어느 것으로 제한되지는 않으며 후속 청구항 및 그들의 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.
본 발명에 따르면, 개별적으로 제어가능한 요소들의 개선된 어레이를 갖는 리소그래피 장치에 사용하기 위한 시스템 및 방법을 얻을 수 있다.

Claims (17)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 공급하는 조명시스템;
    반사기들의 어레이로서, 상기 빔을 패터닝하고, 그 각각이 상기 반사기를 위치설정하는 연관 액추에이터를 구비하며, 각각 1이상의 반사기들의 행을 포함하는 복수의 제어영역을 갖는 상기 반사기들의 어레이;
    복수의 제어영역 각각에서 상기 반사기들의 1이상의 행들 중 교번 행들이 제1공통위치로 설정되고, 상기 복수의 제어영역에서 상기 반사기들의 1이상의 나머지 행들이 제2공통위치로 설정되도록, 상기 액추에이터에 제어 신호들을 제공하는 제어기; 및
    상기 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제어영역들 각각은 상기 반사기들의 1이상의 행들의 3이상의 인접한 행들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사기들의 1이상의 행들 각각은 상기 반사기들의 3이상의 인접한 행들 을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1공통위치를 설정하기 위하여 상기 복수의 제어영역들 각각에 있어 상기 반사기들의 1이상의 행들 중 교번 행들에 대응되는 액추에이터로 상기 제어기로부터의 공통 제어 신호가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2공통위치를 설정하기 위하여 상기 복수의 제어영역들에 있어 상기 반사기들의 1이상의 나머지 행들과 연관된 액추에이터로 상기 제어기로부터의 제2공통 제어 신호가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사기들의 위치를 설정하기 위하여 복수의 제어영역 중 제1제어영역에서 상기 반사기들 모두와 연관된 액추에이터로 상기 제어기로부터의 공통 제어 신호가 제공되고;
    복수의 제어영역들 중 제1제어영역의 교번 행들에서 상기 반사기들과 연관된 액추에이터들은 상기 제어 신호에 응답하여 상기 반사기들을 제1방향으로 액추에이팅하며;
    복수의 제어영역들 중 제1제어영역의 나머지 반사기들과 연관된 액추에이터 들은 제어 신호들에 응답하여 나머지 반사기들을 제2방향으로 액추에이팅하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    복수의 제어영역들 중 제1제어영역의 반사기들은 액추에이팅될 경우 각각의 틸트 축선을 중심으로 회전되고;
    상기 각각의 틸트 축선들은 상호 평행하며;
    상기 제1 및 제2방향은 상기 틸트 축선을 중심으로 대향하는 회전인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    복수의 제어영역의 반사기들은 실질적으로 제1방향과 평행한 각각의 틸트 축선을 중심으로 회전하며;
    상기 반사기들의 1이상의 행들은 실질적으로 상기 제1방향에 수직하게 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    복수의 제어영역의 반사기들은 실질적으로 제1방향과 평행한 각각의 틸트 축선을 중심으로 회전하며;
    상기 반사기들의 1이상의 행들은 실질적으로 상기 제1방향과 평행하게 구성 되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    복수의 제어영역의 반사기들은 실질적으로 제1방향과 평행한 각각의 틸트 축선을 중심으로 회전하며;
    상기 반사기들의 1이상의 행들은 실질적으로 상기 제1방향과 45°의 각을 이루도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    복수의 제어영역의 상기 반사기들의 1이상의 행들에서 상기 반사기들과 연관된 액추에이터들은, 상기 반사기들이 함께 액추에이팅되도록 공통의 구성요소를 공유하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 액추에이터들은, 상기 반사기와 함께 이동하는 컨덕터와 반사기들의 어레이의 베이스상의 컨덕터간에 힘을 발생시키는 캐패시티 액추에이터이며;
    상기 행의 반사기들과 연관된 상기 액추에이터들은 상기 베이스상에 공통 컨덕터를 구비하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 반사기들의 어레이에 있어서, 1이상의 제어영역을 가지고, 리소그래피 장치에서 방사선 빔을 변조하며, 상기 리소그래피 장치는:
    반사기들의 어레이에서 각각의 반사기들을 위치시키는 액추에이터; 및
    1이상의 제어영역 각각에서 상기 반사기들의 교번 행들이 제1공통위치로 설정되고, 상기 반사기들의 행들 중 나머지 행들이 제2공통위치로 설정되도록, 상기 액추에이터에 제어 신호들을 제공하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사기들의 어레이.
  14. 제13항에 있어서,
    1이상의 제어영역 각각은 상기 반사기들의 행들의 3이상의 인접한 행들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사기들의 어레이.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 반사기 각각이 원하는 위치에 독립적으로 설정되도록 그것이 상기 액추에이터들에 제어 신호들을 제공하는 제2구조로 스위칭되는 것을 특징으로 하는 반사기들의 어레이.
  16. 디바이스 제조방법에 있어서,
    (a) 반사기들의 어레이를 사용하여 방사선 빔을 패터닝하는 단계;
    (b) 상기 반사기들의 어레이내에 1이상의 제어영역들을 제공하되, 상기 반사기들의 어레이내의 각각의 반사기는 연관된 액추에이터에 의해 위치설정되는 단계;
    (C) 1이상의 제어영역 각각에서 상기 반사기들의 교번 행들은 제1공통위치로 설정되고, 상기 반사기들의 행들의 나머지 행들은 제2공통위치로 설정되는 단계; 및
    (d) 상기 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    단계 (b)는 1이상의 제어영역 각각에서 상기 반사기들의 행들의 3이상의 인접한 행들을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7330239B2 (en) * 2005-04-08 2008-02-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
EP2232334B1 (en) * 2007-12-21 2013-02-20 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
NL2004102A (en) * 2009-02-25 2010-08-26 Asml Holding Nv A fluid handling device, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method.
DE102009029673A1 (de) 2009-09-22 2010-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Manipulator zur Positionierung eines optischen Elementes in mehreren räumlichen Freiheitsgraden
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
JP1527428S (ko) * 2014-11-21 2015-06-29
CN109799607A (zh) * 2019-04-02 2019-05-24 华域视觉科技(上海)有限公司 背开透射式mems芯片、mems照明系统及汽车
WO2023205172A1 (en) * 2022-04-19 2023-10-26 Nielson Scientific, Llc Systems and methods for laser ablation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020092207A (ko) * 2001-06-01 2002-12-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
KR20040055694A (ko) * 2002-12-20 2004-06-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법,리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 및 세정 시스템

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
CA2137059C (en) * 1993-12-03 2004-11-23 Texas Instruments Incorporated Dmd architecture to improve horizontal resolution
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US5841579A (en) 1995-06-07 1998-11-24 Silicon Light Machines Flat diffraction grating light valve
EP0991959B1 (en) 1996-02-28 2004-06-23 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
KR100827874B1 (ko) 2000-05-22 2008-05-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법
US20020122237A1 (en) * 2001-03-01 2002-09-05 Torbjorn Sandstrom Method and apparatus for spatial light modulation
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
KR100545297B1 (ko) 2002-06-12 2006-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6833854B1 (en) 2003-06-12 2004-12-21 Micronic Laser Systems Ab Method for high precision printing of patterns
US7270942B2 (en) * 2003-10-22 2007-09-18 Lsi Corporation Optimized mirror design for optical direct write

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020092207A (ko) * 2001-06-01 2002-12-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
KR20040055694A (ko) * 2002-12-20 2004-06-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법,리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 및 세정 시스템

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