JP7111466B2 - 3dパターン形成のためのデジタルグレイトーンリソグラフィ - Google Patents
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Description
本開示の実施形態は概して、マイクロリソグラフィパターニングのための装置及び方法に関し、より詳細には、フォトレジスト膜が付着している大型基板向けのマイクロリソグラフィパターニングに関する。
大面積基板は、多くの場合、電子デバイスにおいて使用される電気的フィーチャを支持するために利用される。一部の事例においては、大面積基板は、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末(PDA)、携帯電話、テレビのモニタなどといった、アクティブマトリクスディスプレイ用の平面パネルの製造時に使用される。一般的に、平面パネルは、2枚のプレートの間に挟まれた、ピクセルを形成する液晶材料の層を備えうる。使用中に電源からの電力が液晶材料全体に印加されると、液晶材料を通過する光の量がピクセル位置において正確に制御され、画像の生成が可能になりうる。
Claims (13)
- 基板を処理する方法であって、
複数の書込みビームの各々を基板の未現像で未露光のフォトレジスト層上に配置された複数の書込みピクセル位置に個別に方向付けるように構成された複数の鏡を備える書込みビームアクチュエータを備えるマスクレス直描パターン生成装置に関連付けられたステージ上に、基板を位置付けることと、
前記パターン生成装置から前記フォトレジスト層の各書込みピクセル位置に、第1、第2、及び第3の所定の線量の電磁エネルギーを供給することであって、
前記第1の所定の線量はフルトーン線量であり、前記第1の所定の線量は、書込みピクセル位置の第1セットに供給され、
前記第2の所定の線量は分数トーン線量であり、前記第2の所定の線量は、書込みピクセル位置の第2セットに供給され、
前記第3の所定の線量は、分数トーン線量とゼロトーン線量のいずれかであり、前記第3の所定の線量は書込みピクセル位置の第3セットに供給され、前記第3の所定の線量は前記第2の所定の線量とは異なる、供給することと、
前記フォトレジスト層を現像して前記フォトレジスト層に三次元パターンを生成することであって、前記書込みピクセル位置の前記第1セットは、前記第1の所定の線量に対応する第1のレジスト厚さを有し、前記書込みピクセル位置の前記第2セットは、前記第2の所定の線量に対応する第2のレジスト厚さを有し、前記書込みピクセル位置の前記第3セットは、前記第3の所定の線量に対応する第3のレジスト厚さを有するように、三次元パターンを生成することと、
前記フォトレジスト層の下側の層を三次元パターンにエッチングすることであって、前記下側の層が、前記フォトレジスト層が前記第1のレジスト厚さを有する位置で、第1の層厚さを有し、前記フォトレジスト層が前記第2のレジスト厚さを有する位置で、第2の層厚さを有し、前記フォトレジスト層が前記第3のレジスト厚さを有する位置で、第3の層厚さを有する、三次元パターンにエッチングすることと、
前記フォトレジスト層の前記第2のレジスト厚さ又は前記下側の層の前記第2の層厚さの測定値と、前記書込みピクセル位置間のエッチング速度の不均一性を補償するための、各書込みピクセル位置に対応する補償係数からなる線量補正マップとに基づいて、前記フォトレジスト層の各書込みピクセル位置に供給される前記第1、第2、及び第3の所定の線量を調整することと、
を含む、方法。 - 前記パターン生成装置は、個別に作動可能な鏡を備える空間光変調装置(SLM)を備え、前記第1の所定の線量、前記第2の所定の線量、及び前記第3の所定の線量のうちの少なくとも1つは、前記鏡を作動させることによって制御される、請求項1に記載の方法。
- 前記所定の線量は、複数の露光を含む複数の放射サイクルにわたって供給される、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の露光のうちの一露光において供給される個別線量は、前記フルトーン線量と前記分数トーン線量について同一である、請求項3に記載の方法。
- 前記個別線量は、前記フルトーン線量に関しては、前記複数の露光の各露光において供給される、請求項4に記載の方法。
- 前記個別線量は、前記分数トーン線量に関しては、前記複数の露光の全てに満たない露光において供給される、請求項5に記載の方法。
- 前記個別線量は、前記ゼロトーン線量に関しては、前記複数の露光のいずれの露光においても供給されない、請求項6に記載の方法。
- 第4の所定の線量を供給することであって、前記第4の所定の線量は、ゼロトーン線量と分数トーン線量のいずれかであり、前記第4の所定の線量は書込みピクセル位置の第4セットに供給され、前記第4の所定の線量は前記第2の所定の線量及び前記第3の所定の線量とは異なる、供給することを更に含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第2の所定の線量と前記第3の所定の線量の少なくとも一方は、処理上の不均一性を補正するよう設定されており、前記処理上の不均一性は、経験的に判定された下流処理の不均一性であり、前記経験的に判定された不均一性はエッチングの不均一性である、請求項1に記載の方法。
- 前記所定の線量は、前記フォトレジスト層内に三次元パターンを生成するよう設定されており、前記基板は、その内部に形成された金属ラインを有する第1誘電体層と、前記第1誘電体層及び前記金属ラインの上側に位置付けられた第2誘電体層であって、前記フォトレジスト層の下に位置付けられた第2誘電体層とを更に備え、前記所定の線量は、前記金属ラインの上に、前記金属ラインと交差するトレンチを形成するよう設定されており、前記所定の線量は、前記金属ラインの上にビアホールを形成するよう設定されており、かつ、前記基板をエッチングすることと、前記フォトレジストを除去することと、前記トレンチ及び前記ビアホールをメタライズして、第2金属ライン、及び前記金属ラインと前記第2金属ラインとの間のコンタクトを形成することとを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 複数の書込みサイクルゾーン位置内に、複数の書込みサイクルのうちの対応するサイクル中に基板を支持するよう構成された、ステージと、
複数の書込みビームの各々を基板のフォトレジスト層上に配置された書込みピクセル位置に個別に方向付けるよう構成された複数の鏡を備える書込みビームアクチュエータであって、前記書込みピクセル位置の第1セットに、フルトーン線量である第1の所定の線量の電磁エネルギーを供給し、前記書込みピクセル位置の第2セットに、分数トーン線量である第2の所定の線量の電磁エネルギーを供給し、前記書込みピクセル位置の第3セットに、前記第2の所定の線量とは異なる分数トーン線量とゼロトーン線量のいずれかである第3の所定の線量の電磁エネルギーを供給する、書込みビームアクチュエータと、
前記フォトレジスト層を現像して前記フォトレジスト層に三次元パターンを生成する現像手段であって、前記書込みピクセル位置の前記第1セットは、前記第1の所定の線量に対応する第1のレジスト厚さを有し、前記書込みピクセル位置の前記第2セットは、前記第2の所定の線量に対応する第2のレジスト厚さを有し、前記書込みピクセル位置の前記第3セットは、前記第3の所定の線量に対応する第3のレジスト厚さを有するように、三次元パターンを生成する現像手段と、
前記フォトレジスト層の下側の層を三次元パターンにエッチングするエッチング手段であって、前記下側の層が、前記フォトレジスト層が前記第1のレジスト厚さを有する位置で、第1の層厚さを有し、前記フォトレジスト層が前記第2のレジスト厚さを有する位置で、第2の層厚さを有し、前記フォトレジスト層が前記第3のレジスト厚さを有する位置で、第3の層厚さを有する、エッチング手段と、
供給される書込み線量を、前記基板の前記フォトレジスト層内に三次元パターンを生成するよう設定されているトーン線量データに従って、対応する前記書込みピクセル位置に対して調整するよう構成された、コンピュータプロセッサとを備え、
前記コンピュータプロセッサは、前記フォトレジスト層の前記第2のレジスト厚さ又は前記下側の層の前記第2の層厚さの測定値と、前記書込みピクセル位置間のエッチング速度の不均一性を補償するための、各書込みピクセル位置に対応する補償係数からなる線量補正マップとに基づいて、前記フォトレジスト層の各書込みピクセル位置に供給される前記第1、第2、及び第3の所定の線量を調整する、パターン生成装置。 - 前記トーン線量データは、処理上の不均一性を補正するよう設定される、請求項11に記載のパターン生成装置。
- 前記処理上の不均一性は下流のエッチングの不均一性である、請求項12に記載のパターン生成装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003500847A (ja) | 1999-05-20 | 2003-01-07 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | リソグラフィに於ける誤差低減方法 |
JP2005513770A (ja) | 2001-12-14 | 2005-05-12 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 加工物にパターンを形成するための方法及び装置 |
JP2006128194A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008505363A (ja) | 2004-07-01 | 2008-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ラスタ走査型印刷におけるエリア・ベースの光学近接効果補正 |
JP2011249655A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6238852B1 (en) * | 1999-01-04 | 2001-05-29 | Anvik Corporation | Maskless lithography system and method with doubled throughput |
JP2003173949A (ja) * | 2000-12-04 | 2003-06-20 | Nsk Ltd | 露光装置 |
US7095484B1 (en) * | 2001-06-27 | 2006-08-22 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
JP4597675B2 (ja) * | 2002-08-24 | 2010-12-15 | マスクレス・リソグラフィー・インコーポレーテッド | 連続直接書込み光リソグラフィ |
US6831768B1 (en) * | 2003-07-31 | 2004-12-14 | Asml Holding N.V. | Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography |
JP2006011371A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
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US7496882B2 (en) * | 2004-12-22 | 2009-02-24 | Asml Netherlands B.V. | Optimization to avoid sidelobe printing |
JP2008076590A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Fujifilm Corp | 描画位置測定方法および装置 |
US8253923B1 (en) * | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
US9405203B2 (en) * | 2008-09-23 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography |
JP5373518B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | データ変換方法、描画システムおよびプログラム |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2003500847A (ja) | 1999-05-20 | 2003-01-07 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | リソグラフィに於ける誤差低減方法 |
JP2005513770A (ja) | 2001-12-14 | 2005-05-12 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 加工物にパターンを形成するための方法及び装置 |
JP2008505363A (ja) | 2004-07-01 | 2008-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ラスタ走査型印刷におけるエリア・ベースの光学近接効果補正 |
JP2006128194A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011249655A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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