DE602004007961T2

DE602004007961T2 - Flüssige Perfluoropolyether Maskendeckschicht

Info

Publication number: DE602004007961T2
Application number: DE602004007961T
Authority: DE
Inventors: Kevin Cummings
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2003-01-15
Filing date: 2004-01-15
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2024-01-16
Also published as: KR20040066022A; JP2008116979A; TWI275901B; EP1439421A3; US20040137336A1; JP2004220032A; SG120971A1; EP1439421A2; JP4083125B2; DE602004007961D1; EP1439421B1; CN1517799A; KR100599941B1; TW200424756A; US7022437B2; JP4137990B2

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft Pellicle für Masken zur Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Masken.
2. Beschreibung der verwandten Technik
Der hier verwendete Begriff „Musteraufbringungseinrichtung" sollte so weit interpretiert werden, dass er sich auf Einrichtungen bezieht, die dafür verwendet werden können, einem eingehenden Strahl aus Strahlung einen gemusterten Querschnitt gemäß einem Muster aufzuprägen, das in einem Zielabschnitt des Substrats erzeugt werden soll. Der Begriff „Lichtventil" kann in diesem Zusammenhang ebenfalls verwendet werden. Im Allgemeinen entspricht das besagte Muster einer bestimmten Funktionsschicht in einem im Zielabschnitt erzeugten Bauelement, wie einer integrierten Schaltung oder einem anderen Bauelement. Ein Beispiel einer derartigen Musteraufbringungseinrichtung ist eine Maske. Das Konzept einer Maske ist in der Lithographie gut bekannt und umfasst binäre, wechselnde Phasenverschiebungs- und reduzierte Phasenverschiebungsmaskenarten sowie verschiedene Arten von Hybridmasken. Die Anordnung einer derartigen Maske im Strahlungsstrahl bewirkt selektive Lichtdurchlässigkeit (im Falle einer lichtdurchlässigen Maske) bzw. Reflexion (im Falle einer reflektierenden Maske) der auf die Maske auftreffenden Strahlung gemäß dem Muster auf der Maske. Im Fall einer Maske ist die Haltekonstruktion im allgemeinen ein Maskentisch, der gewährleistet, dass die Maske in einer gewünschten Position im eingehenden Strahl aus Strahlung gehalten werden kann und dass sie, sofern erwünscht, bezogen auf den Strahl bewegt werden kann.
Ein weiteres Beispiel einer Musteraufbringungseinrichtung ist ein programmierbares Spiegelfeld. Ein Beispiel für ein derartiges Feld ist eine matrixadressierbare Oberfläche, die eine viskoelastische Steuerschicht und eine reflektierende Oberfläche aufweist. Das Grundprinzip hinter einer derartigen Vorrichtung ist, dass zum Beispiel adressierte Bereiche der reflektierenden Oberfläche auftreffendes Licht als gebeugtes Licht reflektieren, wohingegen unadressierte Bereiche auftreffendes Licht als ungebeugtes Licht reflektieren. Wird ein geeigneter Filter verwendet, kann das besagte ungebeugte Licht aus dem reflektierten Strahl herausgefiltert werden, wobei nur das gebeugte Licht zurückgelassen wird. Auf diese Weise wird der Strahl gemäß dem Adressierungsmuster der matrixadressierbaren Oberfläche gemustert. Eine alternative Ausführungsform eines programmierbaren Spiegelfeldes verwendet eine Matrixanordnung aus winzigen Spiegeln, von denen jeder individuell um eine Achse gekippt werden kann, indem ein geeignetes lokalisiertes elektrisches Feld angelegt wird oder indem piezoelektrische Aktuatoren verwendet werden. Noch einmal: die Spiegel sind so matrixadressierbar, dass adressierte Spiegel einen eingehenden Strahlungsstrahl in eine andere Richtung zu unadressierten Spiegeln reflektieren. Auf diese Weise wird der reflektierte Strahl gemäß dem Adressierungsmuster der matrixadressierbaren Spiegel gemustert. Die erforderliche Matrixadressierung kann unter Verwendung geeigneter elektronischer Einrichtungen durchgeführt werden. Bei beiden vorstehend beschriebenen Situationen kann die Musteraufbringungseinrichtung ein oder mehrere programmierbare Spiegelfelder umfassen. Weitere Informationen über derartige Spiegelfelder können beispielsweise den US-Patenten 5,296,891 und US 5,523,193 und den PCT-Veröffentlichungen WO 98/38597 und WO 98/33096 entnommen werden. Im Fall eines programmierbaren Spiegelfeldes kann die Haltekonstruktion beispielsweise als Rahmen oder Tisch gebildet sein, der nach Wunsch fixiert oder beweglich ist.
Ein weiteres Beispiel einer Musteraufbringungseinrichtung ist ein programmierbares LCD-Feld. Ein Beispiel für eine derartige Konstruktion ist im US-Patent 5,229,872 gegeben. Wie beim Vorstehenden kann die Haltekonstruktion in diesem Fall beispielsweise als Rahmen oder Tisch gebildet sein, der fixiert oder beweglich ist.
Aus Gründen der Vereinfachung kann sich der Rest dieses Textes an bestimmten Stellen speziell auf Beispiele beziehen, die eine Maske und einen Maskentisch verwenden. Die in diesen Fällen erörterten allgemeinen Prinzipien sollten jedoch im weiteren Kontext der Musteraufbringungseinrichtung gesehen werden, wie er vorstehend festgelegt worden ist.
Lithographische Projektionsvorrichtungen können beispielsweise für die Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) verwendet werden. In so einem Fall kann die Musteraufbringungseinrichtung ein Schaltungsmuster entsprechend einer einzelnen Schicht der integrierten Schaltung erzeugen und dieses Muster kann auf einen Zielabschnitt (der z.B. einen oder mehrere Dies enthält) auf einem Substrat (Silizium-Wafer), das mit einer Schicht aus strahlungssensitivem Material (Schutzlack) überzogen worden ist, abgebildet werden. Im allgemeinen enthält ein einzelner Wafer ein ganzes Netzwerk benachbarter Zielabschnitte, die sukzessive einer nach dem anderen durch das Projektionssystem bestrahlt werden. Bei den allgemein üblichen Vorrichtungen, bei denen die Musteraufbringung über eine Maske auf einem Maskentisch erfolgt, kann zwischen zwei unterschiedlichen Maschinentypen unterschieden werden. Bei einer Art von lithographischer Projektionsvorrichtung wird jeder Zielabschnitt bestrahlt, indem das gesamte Maskenmuster in einem Schritt auf den Zielabschnitt aufgebracht wird. Eine derartige Vorrichtung wird im allgemeinen als Wafer-Stepper bezeichnet. Bei einer anderen Vorrichtung, die im allgemeinen als Step-and-Scan-Vorrichtung bezeichnet wird, wird jeder Zielabschnitt bestrahlt, indem das Maskenmuster unter dem Projektionsstrahl in einer vorbestimmten Referenzrichtung (der „abtastenden" Richtung) fortschreitend abgetastet wird, während der Substrattisch parallel oder antiparallel zu dieser Richtung synchron abgetastet wird. Da das Projektionssystem im allgemeinen einen Vergrößerungsfaktor M (im allgemeinen <1) aufweist, ist die Geschwindigkeit V, bei welcher der Substrattisch abgetastet wird, um einen Faktor M mal so groß wie diejenige, bei welcher der Maskentisch abgetastet wird. Weitere Informationen hinsichtlich lithographischer Vorrichtungen, wie sie hier beschrieben sind, können beispielsweise der US 6,046,792 entnommen werden.
Bei einem bekannten Herstellungsprozess, bei dem eine lithographische Projektionsvorrichtung eingesetzt wird, wird ein Muster (z.B. in einer Maske) auf ein Substrat abgebildet, das zumindest teilweise von einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material (Resist) bedeckt ist. Vor diesem Abbildungsschritt kann das Substrat mehreren Verfahrensschritten unterzogen werden, wie z.B. Grundieren, Schutzlackbeschichtung und ein Softbake. Nach der Belichtung kann das Substrat weiteren Verfahrensschritten ausgesetzt werden, wie z.B. Post-Exposurebake (PEB), Entwicklung, Hardbake und Messen/Inspi-zieren der abgebildeten Strukturen. Diese Folge von Verfahrensschritten wird als Basis verwendet, um eine individuelle Schicht eines Bauelements, z.B. einer integrierten Schaltung, mit einem Muster zu versehen. Eine derart gemusterte Schicht kann dann mehreren Verfahrensschritten wie z.B. Ätzen, Ionenimplantation (Doping), Metallisierung, Oxydation, chemisches, mechanisches Polieren etc. ausgesetzt werden, die alle dazu dienen, eine individuelle Schicht fertig zu stellen. Sind mehrere Schichten erforderlich, muss die gesamte Prozedur, oder eine Variante davon, für jede neue Schicht wiederholt werden. Wichtig ist sicherzustellen, dass die Überlagerung (Juxtaposition) der verschiedenen Stapelschichten so genau wie möglich ist. Zu diesem Zweck ist an einer oder mehreren Stellen auf dem Wafer eine kleine Referenzmarkierung vorhanden, wodurch der Ursprung eines Koordinatensystems auf dem Wafer definiert ist. Unter Verwendung optischer und elektronischer Bauteile in Kombination mit der Positionierungsvorrichtung des Substrathalters (im Folgenden mit „Ausrichtsystem" bezeichnet) kann diese Markierung dann jedes mal versetzt werden, wenn eine neue Schicht an eine existierende Schicht angrenzen soll, und kann als Ausrichtreferenz verwendet werden. Schließlich befindet sich eine Gruppe von Bauelementen auf dem Substrat (Wafer). Diese Bauelemente werden dann durch ein Verfahren wie z.B. Teilen (Dicing) oder Sägen voneinander getrennt, wonach die einzelnen Elemente auf einen Träger montiert, an Pins angeschlossen werden können, etc.. Weitere Informationen hinsichtlich derartiger Verfahrensschritte können zum Beispiel dem Buch „Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing", 3. Ausgabe, von Peter van Zant, McGraw Hill Publishing Co., 1997, ISBN 0-07-067250-4 entnommen werden.
Der Einfachheit halber kann das Projektionssystem im Folgenden als „Linse" bezeichnet werden. Jedoch sollte dieser Begriff so weit interpretiert werden, dass er verschiedene Arten von Projektionssystemen umfasst, die beispielsweise lichtbrechende Optiken, reflektierende Optiken, und katadioptrische Systeme umfassen. Das Strahlungssystem kann auch Komponenten umfassen, die gemäß jeder dieser Konstruktionstypen zum Leiten, Formen oder Steuern des Projektionsstrahls aus Strahlung arbeiten, und derartige Komponenten können nachstehend auch zusammen oder einzeln als eine „Linse" bezeichnet werden. Ferner kann die lithographische Vorrichtung derart sein, dass sie zwei oder mehr Substrattische (und/oder zwei oder mehr Maskentische) aufweist. Bei derartigen „mehrstufigen" Geräten können die zusätzlichen Tische parallel verwendet werden, bzw. es können an einem oder an mehreren Tischen vorbereitende Schritte durchgeführt werden, während ein oder mehrere weitere Tische für Belichtungen verwendet werden. Zweistufige lithographische Vorrichtungen sind zum Beispiel in der US 5,969,441 und in der WO 98/40791 beschrieben.
Gemäß 2 umfasst eine Maske 10, die in einer photolithographischen Projektionsvorrichtung verwendet wird, gewöhnlich einen Glas- oder Quarzrohling 11, der eine auf einer Oberfläche geformte gemusterte Schicht 12 aus opakem Material, z.B. Chrom, aufweist. Es ist ein Pellicle 20 vorgesehen, das Schmutzstoffe wie z.B. Staubpartikel daran hindert, die Maske 10 zu berühren. Alle Schmutzstoffe auf der Maske 10 ändern das gewünschte abzubildende Muster. Das Pellicle 20 enthält einen Rahmen 21, der am Rohling 11 befestigt ist, und eine Membran 22, die am Rahmen 21 befestigt ist. Die Membran 22 ist bei einer Höhe H oberhalb der gemusterten Schicht angeordnet, die größer ist als die Brennweite der auf die Maske 10 abgebildeten Strahlung, so dass Strahlung nicht daran gehindert wird, die Maske zu erreichen. Alle Schmutzstoffe auf der Membran 22 sind ebenfalls oberhalb der Maske 10 beabstandet, so dass sie defokussiert sind und sich nicht nachteilig auf die Abbildung des Musters auswirken.
Die Membran 22 kann gebildet werden, indem eine Antireflexbeschichtung auf eine Fluorpolymerschicht aufgebracht wird oder indem eine Polymerlösung mit ausreichender Viskosität auf eine geeignete Filmschicht geschleudert wird. Die auf die Fluorpolymerschicht aufgebrachte Antireflexbeschichtung kann durch Rotation gebildet werden. Die Schicht muss relativ dick sein, um den mit dem Rotationsvorgang verbundenen Kräften widerstehen zu können. Die Dicke der Membran 22 wirkt sich direkt auf den Durchgang der Strahlung durch die Membran 22 zur Maske 10 aus. Absorption und Reflexion der Strahlung durch die Membran 22 reduzieren den Durchgang der Strahlung zur Maske 10 und verhindern, dass die gesamte Strahlung im photolithographischen Prozess verwendet wird. Die Membran 22 muss dick genug sein, um genügend mechanische Festigkeit aufzuweisen, damit sie durch Rotation beschichtet, angehoben und am Rahmen 21 festgeklebt werden kann. Das in 2 gezeigte Pellicle 20, das die Polymerschicht und die durch Rotation aufgetragene Beschichtung aufweist, wird im allgemeinen als weiches Pellicle bezeichnet, um es von einem Quarz-Pellicle unterscheiden zu können, das im allgemeinen als hartes Pellicle bezeichnet wird. Harte Pellicle sind im allgemeinen teurer als weiche Pellicle und können als zusätzliches optisches Element wirken, was sich nachteilig auf die Abbildungs- und Überlagerungsarbeit der photolithographischen Projektionsvorrichtung auswirken kann. Auch wenn sie billiger herzustellen sind, können weiche Pellicle optische Verzerrungen bewirken, die auf ein Durchbiegen der Membran zurückzuführen sind. Weiche Pellicle sind auch weniger haltbar als harte Pellicle und können einen häufigeren Austausch als harte Pellicle erforderlich machen.
Die Membran 22 ist im allgemeinen zerbrechlich und wird durch herkömmliche Maskenreinigungsprozesse leicht zerstört. Herkömmliche Reinigungsprozesse können das Aufsprühen einer Reinigungsflüssigkeit, zum Beispiel entionisiertes Wasser oder Salmiakgeist, auf die Maske 10, das Rotieren der Maske 10 zum Entfernen überschüssiger Reinigungsflüssigkeit und ein Spülspray umfassen. Die Membran 22 wird vor dem Reinigen der Maske oft entfernt und danach wieder am Rahmen 21 befestigt. Die Maske 10 muss dann für die Verwendung in einer photolithographischen Projektionsvorrichtung wieder tauglich gemacht werden. Jedes Pellicle ist so gebaut, dass es zu einer speziellen Maske passt. Der Prozess des Entfernens der Membran 22, das Reinigen der Maske 20, das erneute Befestigen der Membran 22 am Rahmen 21 und das erneut tauglich machen der Maske 10 ist zeitaufwändig und teuer. Inhomogenität in Dicke und Rauigkeit der Pellicle-Membran bewirkt auch Inhomogenität im Strahlungsdurchgang der Membran. Die Foliendicke muss genau gesteuert werden, um einen Betrieb bei Fringe-Maxima für die Strahlungswellenlänge ermöglichen zu können.
Der Trend zu kleineren integrierten Schaltungsbauteilen erfordert eine lithographische Projektionsvorrichtung, die Muster drucken kann, deren Strukturen noch kleinere kritische Dimensionen (CD) aufweisen, als diejenigen, die zurzeit unter Verwendung von 248 nm- und 193 nm-Strahlung gedruckt werden. Lithographische Projektionsvorrichtungen, die eine 157 nm-Strahlung verwenden, sind entwickelt worden, um Musterstrukturen drucken zu können, die kleine kritische Dimensionen von 70-100 nm aufweisen. Allerdings sind bekannte Polymere, die gegenwärtig für Pellicle-Membranen in der Photolithographie mit 248 nm und 193 nm verwendet werden, nicht für die Verwendung in der Photolithographie mit 157 nm geeignet. Auf dem Markt erhältliche Fluorpolymere wie TEFLON^®AF und CYTOP^® brechen schnell bei einer Bestrahlung durch 157 nm-Strahlen, da sie keine ausreichende mechanische Integrität besitzen.
Die zurzeit entwickelten Fluorpolymere weisen ausreichend Transparenz auf, um Durchgangsraten über 95% erzeugen zu können. Durch Bestrahlung erfahren die Fluorpolymere eine photochemische Nachdunklung, wodurch die Durchgangsrate und die Lebenszeit der Pellicle-Membran reduziert wird. Es ist allgemein festzustellen, dass sich die Lebenszeit des Pellicles mit zunehmender Transparenz gleichmäßig erhöht. Allerdings haben die von DuPont zur Verwendung als Pellicle in der Photolithographie bei 157 nm entwickelten TEFLON^®AF (TAFx)-Polymere gezeigt, dass Materialien unterschiedlicher Absorption ähnliche Lebenszeiten haben und dass Polymere mit ähnlicher Absorption unterschiedliche Lebenszeiten haben. Idealerweise sollte ein Pellicle zur Verwendung in der Photolithographie bei 157 nm wenigstens 98% Transparenz aufweisen und photochemischer Nachdunklung widerstehen, um für eine Belichtungslebenszeit von 7,5 kJ/cm² benutzbar zu sein.
Wichtig ist, dass Fluorpolymere, die als Pellicle in der Photolithographie bei 157 nm die erforderlichen optischen Eigenschaften (d.h. Transparenz und Absorption), Filmbildungscharakteristika und mechanische und photochemische Strahlungsbeständigkeit aufweisen. Die Fluorpolymere müssen auch geringe Lichtabsorptionen aufweisen, die für eine minimale Ausgasung erforderlich sind, und mit nichtkontaminierenden Klebstoffen, die zum Befestigen der Membran am Pellicle-Rahmen verwendet werden, dem zum Befestigen des Pellicle-Rahmens an der Maske erforderlichen Dichtungsmaterial und dem Material des Pellicle-Rahmens kompatibel sein. Da durch Luft hervorgerufene Lichtabsorption bei 157 nm um vier Größenordnungen höher ist als bei 193 nm, muss das gesamte Belichtungssystem kontaminierungsfrei entwickelt und belassen werden. Der optische Pfad, einschließlich der Wafer- und Maskentische, kann nur ppm-Konzentrationen aus Sauerstoff-, Wasser- und organischen Molekülen ausgesetzt werden. Ein zusätzlicher molekularer Reinigungsschritt ist vor dem Belichten der Maske erforderlich. Zurzeit angewendete Maskenreinigungsverfahren umfassen das Spülen mit Gas, zum Beispiel Stickstoff. Der Spülvorgang erhöht die Produktionskosten sowie die -zeit für integrierte Schaltungsbauteile, die unter Verwendung einer photolithographischen Projektionsvorrichtung hergestellt werden.
Die US 4,711,256 beschreibt die Verwendung hochfluorierter organischer Flüssigkeiten zum Reinigen von Halbleiter-Wafern. „Resolution Enhancement of 157 nm Lithography by Liquid Immersion" von M. Switkes und M. Rotschild, Optical Microlithography XV, Proceedings of SPIE Bd. 4691 (2002) S. 459-465, offenbart die Anwendung von Perfluorpolyäthern als Immersionsflüssigkeit für die Immersionslithographie.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist ein Aspekt der vorliegenden Erfindung, Musteraufbringungseinrichtungen mit Pellicle zu schaffen, die bei einer photolithographischen Projektionsvorrichtung eingesetzt werden können, die einen Projektionsstrahl aus Strahlung, einschließlich 157 nm-Strahlung, zum Drucken von Mustern auf ein Substrat bereitstellt. Es ist ebenfalls ein Aspekt der vorliegenden Erfindung, Verfahren zum Herstellen und Reinigen von Musteraufbringungseinrichtungen mit Pellicles zu schaffen, die in einer photolithographischen Projektionsvorrichtung eingesetzt werden können, die einen gemusterten Projektionsstrahl aus Strahlung, einschließlich 157 nm-Strahlung, zum Drucken von Mustern auf ein Substrat bereitstellt.
Dieser und weitere Aspekte werden erfindungsgemäß durch eine Musteraufbringungseinrichtung zur Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung erreicht, wie sie in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Musteraufbringungseinrichtung zur Verwendung in einer photolithographischen Vorrichtung gegeben, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils gegeben, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert.
Obwohl in diesem Text speziell auf die Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen hingewiesen werden kann, sollte eindeutig klar sein, dass eine derartige Vorrichtung viele weitere Anwendungsmöglichkeiten hat. Sie kann zum Beispiel bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Leit- und Erfassungsmustern für Magnetblasenspeicher, Flüssigkristall-Anzeigetafeln, Dünnschicht-Magnetköpfen und dergleichen verwendet werden, und der Fachmann wird erkennen, dass im Kontext mit derartigen alternativen Anwendungsmöglichkeiten jede Benutzung der Begriffe „Retikel", „Wafer" oder „Die" in diesem Text jeweils durch die allgemeineren Begriffe „Maske", „Substrat" und „Zielabschnitt" ersetzt worden sind.
Im vorliegenden Dokument werden die Begriffe „Strahlung" und „Strahl" verwendet, um alle Arten elektromagnetischer Strahlung, einschließlich ultravioletter (z.B. Strahlung mit einer Wellenlänge von 365, 248, 193, 157 bzw. 126 nm) und EUV-Strahlung (extrem ultraviolette Strahlung, z.B. mit einer Wellenlänge zwischen 5-20 nm) mit einzuschließen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Nachstehend werden Ausführungsformen der Erfindung rein beispielhaft mit Bezug auf die begleitenden schematischen Zeichnungen beschrieben, wobei:
1 eine schematische Darstellung einer photolithographischen Projektionsvorrichtung ist;
2 eine schematische Darstellung einer Maske und eines Pellicles gemäß einer bekannten Konstruktion ist;
3 eine schematische Darstellung einer Maske und eines Pellicles gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
4 eine schematische Darstellung eines Maske und eines Pellicles gemäß einer weiteren exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
5-7 schematische Darstellungen einer Vorrichtung gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind, die Pellicle gemäß der vorliegenden Erfindung auf Masken herstellen kann;
8 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Bildung eines Pellicles auf einer Maske gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
9 eine schematische Darstellung eines Verfahrens gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zum Reinigen von Masken ist, die mit Pellicles gemäß der vorliegenden Erfindung versehen sind;
10 eine schematische Darstellung eines Verfahrens gemäß einer weiteren exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zum Reinigen von Masken ist, die mit Pellicles gemäß der vorliegenden Erfindung versehen sind;
11 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauteils ist, das in einer integrierten Schaltung, einem integrierten optischen System, einem Magnetblasenspeicher, einer Flüssigkristallanzeige oder einem Dünnschicht-Magnetkopf eingesetzt werden kann; und
12 eine schematische Darstellung eines Bauteils ist, das in einer integrierten Schaltung, einem integrierten optischen System, einem Magnetblasenspeicher, einer Flüssigkristallanzeige oder einem Dünnschicht-Magnetkopf verwendet werden kann und durch ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
In den Figuren zeigen entsprechende Bezugszeichen entsprechende Teile an.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
1 zeigt schematisch eine lithographische Projektionsvorrichtung gemäß einer speziellen Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung enthält ein Strahlungssystem Ex, IL, das einen Projektionsstrahl PB aus Strahlung bereitstellt (z.B. UV- oder EUV-Strahlung, wie sie zum Beispiel durch einen Excimerlaser generiert wird, der mit einer Wellenlänge von 248 nm, 193 nm oder 157 nm arbeitet, oder durch eine laserbefeuerte Plasmaquelle, die mit 13,6 nm arbeitet). Bei dieser Ausführungsform enthält das Strahlungssystem auch eine Strahlungsquelle LA. Die Vorrichtung enthält ebenfalls einen ersten Objekttisch (Maskentisch) MT, der einen Maskenhalter zum Halten einer Maske MA (z.B. ein Retikel) aufweist und mit einer ersten Positionierungsvorrichtung PM verbunden ist, um die Maske bezüglich eines Projektionssystems PL genau zu positionieren; einen zweiten Objekttisch (Substrattisch) WT, der einen Substrathalter zum Halten eines Substrats W (z.B. ein mit einer Schutzschicht beschichteter Silizium-Wafer) aufweist und mit einer zweiten Positionierungsvorrichtung PW verbunden ist, um das Substrat bezüglich des Projektionssystems PL genau zu positionieren; wobei das Projektionssystem bzw. die Linse PL (z.B. ein Quarz- und/oder CaF₂-Linsensystem oder ein brechendes oder katadioptrisches System, ein Spiegelfeld oder eine Gruppe von Felddeflektoren) so konstruiert und angeordnet ist, dass ein bestrahlter Bereich der Maske MA auf einen Zielabschnitt C (der z.B. einen oder mehrere Dies enthält) des Substrats W abgebildet wird. Das Projektionssystem PL wird auf einem Referenzrahmen RF gehalten. Wie hier gezeigt, ist die Vorrichtung durchlässiger Art (d.h. mit einer durchlässigen Maske). Im allgemeinen kann sie jedoch auch reflektierender Art sein, zum Beispiel mit einer reflektierenden Maske. Alternativ kann die Vorrichtung eine andere Art von Musteraufbringungsvorrichtung verwenden, wie ein programmierbares Spiegelfeld der vorstehend genannten Art.
Die Quelle LA (z.B. ein UV-Excimer-Laser, ein Undulator bzw. Wiggler, der um den Pfad eines Elektronenstrahls in einem Speicherring bzw. Synchrotron angeordnet ist, eine durch Laser erzeugte Plasmaquelle oder eine Abführquelle) erzeugt einen Strahl PN aus Strahlung. Der Strahl PB wird zu einem Beleuchtungssystem IL (Illuminator) geführt, entweder direkt oder nachdem er Konditionierungseinrichtungen wie zum Beispiel einen Strahlexpander Ex durchlaufen hat. Der Illuminator IL kann Anpassungsmittel AM zum Anpassen der äußeren und/oder inneren radialen Erstreckung (jeweils σ-innen und σ-außen) der Intensitätsverteilung im Strahl umfassen. Darüber hinaus umfasst er im allgemeinen verschiedene andere Bauelemente wie z.B. einen Integrator IN und einem Kondensor CO. Auf diese Weise erhält der auf die Maske MA auftreffende Strahl PB in seinem Querschnitt eine gewünschte Gleichmäßigkeit und Intensitätsverteilung.
Mit Bezug auf 1 ist festzustellen, dass die Quelle LA innerhalb des Gehäuses der lithographischen Projektionsvorrichtung angeordnet sein kann (wie es oft der Fall ist, wenn die Quelle LA beispielsweise eine Quecksilberlampe ist), sie kann sich jedoch auch entfernt von der lithographischen Projektionsvorrichtung befinden, wobei der durch sie erzeugte Strahlungsstrahl in die Vorrichtung geleitet wird (z.B. mit Hilfe geeigneter Leitungsspiegel). Dieses letztgenannte Szenario ist oft gegeben, wenn die Quelle LA ein Excimer-Laser ist. Die vorliegende Erfindung beinhaltet beide Szena rien. Insbesondere schließen die vorliegende Erfindung und die Ansprüche Ausführungsformen mit ein, bei denen das Strahlungssystem Ex, IL einen Projektionsstrahl aus Strahlung bereitstellt, der eine Wellenlänge von weniger als ca. 170 nm aufweist, wie z.B. Wellenlängen von 157 n, 126 nm und 13,6 nm.
Danach tritt der Strahl PB in die Maske MA ein, die auf einem Maskentisch MT gehalten wird. Nachdem er die Maske MA durchquert hat, läuft der Strahl PB durch die Linse PL, die den Strahl PB auf einen Zielabschnitt C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe des zweiten Positioniermittels PW (und interferometrischen Messmittels IF) kann der Substrattisch WT genau bewegt werden, zum Beispiel um unterschiedliche Zielabschnitte C im Weg des Strahls PB zu positionieren. Auf gleiche Weise kann das erste Positioniermittel PM verwendet werden, um die Maske MA im Hinblick auf den Weg des Strahls PB genau zu positionieren, zum Beispiel nachdem die Maske MA mechanisch von einer Maskenbibliothek geholt worden ist oder während einer Abtastung. Im allgemeinen wird die Bewegung der Objekttische MT, WT mit Hilfe eines langhubigen Moduls (Grobpositionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) durchgeführt. Allerdings kann im Falle eines Wafer-Steppers (im Gegensatz zu einer Step-and-scan-Vorrichtung) der Maskentisch MT nur mit einem kurzhubigen Betätigungselement verbunden werden, oder er kann fixiert sein. Die Maske MA und das Substrat W können unter Verwendung von Maskenausrichtmarkierungen M₁, M₂ und Substratausrichtmarkierungen P₁, P₂ ausgerichtet werden.
Die gezeigte Vorrichtung kann auf zwei unterschiedliche Arten eingesetzt werden:

1) Im Step-Modus wird der Maskentisch MT im wesentlichen stationär gehalten, und ein ganzes Maskenbild wird in einem Schritt (d.h. einem einzelnen „Flash") auf einen Zielabschnitt C projiziert. Der Substrattisch WT wird dann in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Zielabschnitt C durch den Strahl PB bestrahlt werden kann.
2) Im Scan-Modus geschieht im wesentlichen das Gleiche, mit der Ausnahme, dass ein bestimmter Zielabschnitt C nicht in einem einzigen „Flash" belichtet wird. Stattdessen ist der Maskentisch MT in einer vorgegebenen Richtung (der sogenannten „Abtastrichtung", z.B.. der Y-Richtung) mit einer Geschwindigkeit ν bewegbar, um zu veranlassen, dass der Projektionsstrahl PB ein Maskenbild abtastet. Gleichzeitig wird der Substrattisch WT simultan in die gleiche oder entgegengesetzte Richtung mit einer Geschwindigkeit V = Mν bewegt, vorbei M die Vergrößerung der Linse PL ist (gewöhnlich M = ¼ oder 1/5). Auf diese Weise kann ein relativ großer Zielabschnitt C belichtet werden, ohne dass hinsichtlich der Auflösung Kompromisse eingegangen werden müssen.

Nach 3 enthält eine exemplarische Ausführungsform einer Maske 30 gemäß der vorliegenden Erfindung eine unbeschichtete Schicht 31 und eine gemusterte opake Schicht 32, d.h. eine harte Maske. Die harte Maske 32 kann zum Beispiel aus Chrom gebildet sein. Wie gewöhnlich, sind Quarz und Glas (z.B. Borsilikatglas oder Quarzglas) bei 157 nm opak, die unbeschichtete Schicht 31 besteht aus CaF₂. Festzustellen ist, dass die unbeschichtete Schicht 31 aus Quarz oder Glas in einer photolithographischen Projektionsvorrichtung unter Verwendung von Strahlung bei 193 nm oder 248 nm gebildet werden kann.
Ein Pellicle 40 aus flüssigem Perfluorpolyether (PFPE) ist auf der Maske 30 gebildet. Die PFPE-Flüssigkeit kann zum Beispiel FOMBLIN^® oder GALDEN^® sein, erhältlich von der Ausimont Corporation, oder KRYTOX^®, erhältlich von DuPont. PFPE-Flüssigkeiten werden zurzeit als Schmiermittel für Vakuumpumpen verwendet und sind somit mit sauberen Raumumgebungen kompatibel, in denen photolithographische Projektionsvorrichtungen verwendet werden. PFPE-Flüssigkeiten sind optisch sauber, nicht-toxisch, chemisch träge und mit wenigstens einigen zurzeit verwendeten Beschichtungsmaterialien kompatibel. PFPE-Flüssigkeiten weisen eine Absorptionsfähigkeit von 157 nm α = 10^-3 μm^-1 Basis 10 auf, was tausend mal geringer ist als gegenwärtige experimentelle 157 nm-Schutzschichten und zehn mal geringer als gegenwärtige 157 nm Pellicle-Materialien.
PFPE-Flüssigkeiten weisen auch einen Brechungsindex auf, der eher dem von CaF₂ entspricht, das bei der Photolithographie bei 157 nm für Maskenrohlinge verwendet wird. Wiederum mit Bezug auf 2 nimmt Luft den Raum zwischen der Membran 22 und dem Rohling 11 ein. Luft hat einen Brechungsindex n = 1,0. Der Unterschied zwischen dem Brechungsindex der Membran 22 und dem Brechungsindex von Luft ist verhältnismäßig groß, wie auch der Unterschied zwischen dem Brechungsindex von Luft und dem Brechungsindex des Rohlings 11. Diese verhältnismäßig großen Unterschiede zwischen den Brechungsindizes führen zu erhöhter Reflexion der Strahlung und einer Verringerung der Strahlungsmenge durch die Maske. Je größer der Unterschied zwischen den Brechungsindizes ist, umso größer ist im allgemeinen die Reflexion. Zurzeit eingesetzte Folien mit Antireflexbeschichtungen, die als Pellicle-Membrane verwendet werden, haben einen Brechungsindex zwischen 1,13 bis 1,2. Der Unterschied zwischen dem Brechungsindex der Pellicle-Membran und Luft liegt somit zwischen 0,13 und 0,2.
Wiederum gemäß 3 beträgt der Brechungsindex von CaF₂ ungefähr 1,56. FOMBLIN^® Z-25 hat bei 157 nm einen Brechungsindex n = 1,35. FOMBLIN^® Y-18 hat bei 157 nm einen Brechungsindex n = 1,37. FOMBLIN^® Y-140, eine Version mit höherem Molekulargewicht, hat bei 157 nm einen Brechungsindex n = 1,38. Der Unterschied zwischen dem Brechungsindex des CaF₂-Rohlings 31 und des flüssigen Pellicles 40 kann somit zwischen 0,18 bis 0,21 betragen, was vergleichbar ist zu dem Unterschied, der bei gegenwärtig erhältlichen Folien mit Antireflexbeschichtungen, die als Pellicle-Membranen verwendet werden, erhalten wird. Zusätzlich kann der Unterschied der Brechungsindizes reduziert oder eliminiert werden, indem eine geeignete Beschichtung auf dem entgültigen optischen Element der photolithographischen Projektionsvorrichtung verwendet wird.
PFPE-Flüssigkeiten sind chemikalien- und lösungsmittelbeständig. Sie weisen auch exzellenten thermischen und elektrischen Widerstand auf und reagieren nicht mit Metall, Kunststoff, Elastomeren und Gummi. PFPE-Flüssigkeiten sind unwirksam bei flüssigem und gasförmigem Sauerstoff und sind nicht brennbar. Weil PFPE- Flüssigkeiten hohen Sauerstoffbedingungen widerstehen können, sind sie zur Verwendung als Pellicle bei der Herstellung von Masken geeignet, da sie nicht von den hohen Sauerstoffbedingungen beeinflusst werden, die bei Photoresist-Ablöseprozessen gefunden worden sind. PFPE-Flüssigkeiten können auch Lewis-Säuren widerstehen, die während des Aluminiumätzens, bei Schwefelprodukten, den meisten Säuren, den meisten Basen und den meisten Oxidationsmitteln erzeugt werden. Sie sind in einer Vielzahl von Viskositäten verfügbar und weisen einen geringen Verdunstungsverlust auf. PFPE-Flüssigkeiten weisen auch exzellente Strahlenhärte und Widerstand gegen Polymerisation in Anwesenheit ionisierender Strahlung auf. PFPE-Flüssigkeiten haben null Ozonverarmungspotential und sind nicht als flüchtige organische Chemikalien von der Umweltschutzbehörde klassifiziert worden.
Gemäß 4 enthält eine wechselnde bzw. reduzierte Phasenverschiebungsmaske 50 gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Maskenrohling, der eine unbeschichtete Schicht 51 und eine opake Schicht, d.h. eine harte Maske 52, enthält. Wie vorstehend erörtert, kann die unbeschichtete Schicht 51 aus CaF₂, MgF, F-dotiertem Quarz oder Glas oder jedem anderen Material gebildet sein, dessen optische Eigenschaften für die Lithographie bei 157 nm geeignet sind, und kann aus Glas oder Quarz für die Lithographie bei 193 nm oder 248 nm gebildet sein. Ein Muster mit Strukturen 53 und 54 ist in der Maske 50 gebildet. Die Maske 50 kann durch bekannte Verfahren hergestellt werden, inklusive Auftragen eines strahlungssensitiven Materials, z.B. ein Resist, auf den Maskenrohling, Aussetzen des Resists zu einem Projektionsstrahl aus Strahlung, Entfernen der harten Maske, und Bilden des Musters durch Nass- oder Trockenätzen.
Gemäß 5 enthält eine exemplarische Ausführungsform einer Vorrichtung zum Bilden eines Pellicles auf einer Maske 60, die eine unbeschichtete Schicht 61 und eine gemusterte opake Schicht 62 enthält, einen Drehteller 70 und Maskenhalter 71. Ein Drehantrieb 72 ist wirksam mit dem Drehteller 70 verbunden. Eine PFPE-Flüssigkeitsquelle 74 führt der Oberfläche der Maske 60 PFPE-Flüssigkeit zu, wobei sich die gemusterte opake Schicht 62 auf der Maske befindet. Die Quelle 74 kann ein Sprühmechanismus sein, zum Beispiel eine Düse oder ein Dosierarm.
Gemäß 6 führt die Quelle 74 der Maske 60 PFPE-Flüssigkeit 80 zu, um die Oberfläche der Maske 60, welche die gemusterte opake Schicht 62 enthält, zu bedecken. Die PFPE-Flüssigkeit 80 wird auf die Maske 60 in einer Dicke T aufgetragen, die größer ist als die Dicke H, bei der Schmutzstoffe auf der PFPE-Flüssigkeit 80 den Durchgang der Strahlung durch die Maske 60 nicht blockieren und die defokussiert sind, damit sie sich nicht nachteilig auf die Abbildung des Musters auswirken.
Wie durch einen Pfeil A in 6 gezeigt, wird der Drehteller 70 durch den Drehantrieb 72 gedreht, um überschüssige PFPE-Flüssigkeit 80 wegzuschleudern. Überschüssige PFPE-Flüssigkeit 80 kann so lange weggeschleudert werden, bis die Dicke H der Flüssigkeit oberhalb der gemusterten opaken Schicht 62 gleich oder geringfügig größer ist wie die Brennweite der auf die Maske 60 abzubildenden Strahlung, wie in 7 gezeigt. Die Menge der abgeschleuderten Flüssigkeit kann durch Steuern des Drehantriebs 72 gesteuert werden, um die Geschwindigkeit des Drehtellers 70 zu steuern, und/oder kann durch Steuern des Drehantriebs 72 gesteuert werden, um die Drehzeit des Drehtellers 70 zu steuern. Die Dicke der PFPE-Flüssigkeit 80 kann durch bekannte Mess-/Inspektionsvorrichtungen bestimmt werden. Durch Rotieren der Maske 60 wird auch die Kontrolle über die Gleichmäßigkeit der Dicke der PFPE-Flüssigkeit 80 erhöht.
Gemäß 8 enthält ein Verfahren zum Bilden eines Pellicles gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das Bereitstellen einer Maske S110, das Aufbringen von PFPE-Flüssigkeit S120 und das Entfernen eines Teils der PFPE-Flüssigkeit S130 zum Einstellen der Dicke der PFPE-Flüssigkeit auf der Maske. Festzustellen ist, dass das Verfahren zum Bilden eines Pellicles auf jeder Art von Maske eingesetzt werden kann, einschließlich wechselnde Phasenverschiebungs- und reduzierte Phasenverschiebungsmaskenarten, binäre Masken sowie Hybridmasken. Ebenfalls festzustellen ist, dass die PFPE- Flüssigkeit durch andere Verfahren als das Rotationsverfahren entfernt werden kann, beispielsweise durch Agitation (z.B. wiederholtes Hin- und Herbewegen der Maske), chemische Reaktion, oder Durchlaufen der Maske mit aufgebrachter PFPE-Flüssigkeit unter einem Bauelement wie einer Klinge, die in einem vorab bestimmten Abstand zur Maske eine Kante aufweist.
Die in den 5-7 gezeigte Vorrichtung kann auch zum Reinigen von Masken verwendet werden, indem kontaminierte Pellicle von PFPE-Flüssigkeit entfernt und durch neue Pellicle aus PFPE-Flüssigkeit ersetzt werden. Gemäß 9 enthält ein Verfahren zum Reinigen einer Maske das Entfernen eines kontaminierten Pellicles aus PFPE-Flüssigkeit S210, das Aufbringen von PFPE-Flüssigkeit auf die Maske S220 und das Entfernen eines Teils der PFPE-Flüssigkeit S230, um eine Dicke der PFPE-Flüssigkeit auf der Maske einzustellen. Wie vorstehend erörtert, kann das kontaminierte PFPE-Flüssigkeitspellicle durch jedes Verfahren wie Rotation (Sein) oder Agitation entfernt werden. Der als neues, reines Pellicle aufgebrachte Teil der PFPE-Flüssigkeit kann zum Beispiel durch Rotation oder Agitation oder Durchlaufen der Maske unter der Kante einer Klinge entfernt werden.
Gemäß 10 enthält ein weiteres exemplarisches Verfahren zum Reinigen einer Maske das Aufbringen von PFPE-Flüssigkeit auf eine Maske, die ein kontaminiertes Pellicle aus PFPE-Flüssigkeit aufweist S310 und das Entfernen eines Teils der PFPE-Flüssigkeit S320 zum Einstellen der Dicke der PFPE-Flüssigkeit auf der Maske. Bei dieser zweiten exemplarischen Ausführungsform wird das kontaminierte PFPE-Flüssigkeitspellicle nicht entfernt, ehe reine PFPE-Flüssigkeit aufgebracht worden ist. Das kontaminierte PFPE-Flüssigkeitspellicle wird durch Aufbringen der reinen PFPE-Flüssigkeit verschoben. Die Maske kann rotiert bzw. bewegt werden, während gleichzeitig die reine PFPE-Flüssigkeit aufgebracht wird oder kann rotiert bzw. bewegt werden, nachdem eine Menge reiner PFPE-Flüssigkeit aufgebracht worden ist, die für eine Verschiebung des kontaminierten PFPE-Flüssigkeitspellicles ausreicht.
Gemäß 11 enthält ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements für die Verwendung in einer integrierten Schaltung, einem integrierten optischen System, einem Magnetblasenspeicher, einer Flüssigkristall-Anzeigetafel oder einem Dünnschicht-Magnetkopf das Bereitstellen eines Substrats, das zumindest teilweise von einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material bedeckt ist S510, das Bereitstellen eines Projektionsstrahls aus Strahlung unter Verwendung eines Strahlungssystems S520, das Versehen des Projektionsstrahls mit einem Muster in seinem Querschnitt unter Verwendung einer Maske, die ein Pellicle gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aufweist S530, und das Projizieren des gemusterten Strahls aus Strahlung auf einen Ziehabschnitt der Schicht aus strahlungssensitivem Material S540.
Gemäß 12 enthält ein Bauelement 900, das durch ein exemplarisches Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, ein Substrat 910 mit einem Muster, in dem Strukturen 933, 934 ausgebildet sind. Wie vorstehend erörtert, ist festzustellen, dass das Bauelement 900 bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, integrierten optischen Systemen, Magnetblasenspeichern, Flüssigkristall-Anzeigetafeln oder Dünnschicht-Magnetköpfen eingesetzt werden kann. Ferner ist festzustellen, dass das Bauelement 900 eine Vielzahl von gemusterten Schichten enthalten kann, die durch Wiederholen des Verfahrens oder einer Variante davon gebildet werden kann.
Masken, die PFPE-Flüssigkeitspellicle gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten, erhöhen die Produktionskapazität einer photolithographischen Projektionsvorrichtung. Das Reinigen der Masken durch Entfernen oder Verschieben eines kontaminierten Pellicles aus PFPE-Flüssigkeit kann in kürzerer Zeit erfolgen als das Reinigen von Masken mit Pellicle-Rahmen und -Membranen, die während des Reinigungsvorgangs auch beschädigt oder zerstört werden können. Diese verkürzte Reinigungszeit ermöglicht es, dass die Maske in kürzerer Zeit entfernt, gereinigt und wieder in die lithographische Vorrichtung für die Herstellung gemusterter Wafer eingesetzt werden kann, als bei herkömmlichen Masken, die Pellicle-Rahmen und -Membranen enthal ten. Masken, die PFPE-Flüssigkeitspellicle gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten, benötigen auch keine spezielle Verpackung, um die Maske oder das Pellicle zu schützen. Die Maske kann mit einem PFPE-Flüssigkeitspellicle versandt oder aufbewahrt werden, das ohne weiteres durch ein kontaminierungsfreies PFPE-Flüssigkeitspellicle ausgetauscht werden kann, bevor sie in einer photolithographischen Projektionsvorrichtung verwendet wird.
Auch wenn im Vorstehenden spezielle Ausführungsformen der Erfindung beschrieben worden sind, ist festzustellen, dass die Erfindung auch anders als beschrieben durchzuführen ist. Die Beschreibung soll die Erfindung nicht eingrenzen, wobei die Erfindung durch die beigefügten Ansprüche definiert ist.

Claims

Lithographisches Projektions-Musteraufbringungselement zur Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung, um einen Projektionsstrahl aus Strahlung, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, mit einem Muster zu versehen, mit: einer unbeschichteten Schicht (31; 51; 61), die aus Quarz, Glas, MgF oder CaF₂ gebildet ist; einer gemusterten Schicht (32; 52; 62) aus opakem Material auf einer Oberfläche der unbeschichteten Schicht; und einer Schicht aus flüssigem Perfluorpolyether (PFPE) (40), die die Oberfläche der unbeschichteten Schicht bedeckt, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der PFPE-Schicht ungefähr einer Dicke gleicht, bei der Schmutzstoffe auf der PFPE-Schicht den Durchgang von Strahlung durch das Musteraufbringungselement nicht blockieren und defokussiert sind, so dass sie das Bild der gemusterten Schicht nicht beeinflussen.
Musteraufbringungselement nach Anspruch 1, wobei die Differenz zwischen dem Brechungsindex der unbeschichteten Schicht (31; 51; 61) und dem Brechungsindex der flüssigen PFPE-Schicht (40) unter oder gleich 0,21 beträgt.
Musteraufbringungselement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die unbeschichtete Schicht (31; 51; 61) ein Muster aufweist, das dem Muster der Schicht aus opakem Material entspricht.
Verfahren zur Herstellung eines photolithographischen Projektionselement zur Verwendung in einer lithographischen Projektionsvorrichtung, um einen Projektionsstrahl aus Strahlung, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, mit einem Muster zu versehen, wobei das Verfahren umfasst: – Bereitstellen eines Musteraufbringungselements (30; 50; 60), wobei das Musteraufbringungselement eine unbeschichtete Schicht und eine gemuster te Schicht aus opakem Material auf einer Oberfläche der unbeschichteten Schicht aufweist; – Aufbringen von flüssigem Perfluorpolyether (PFPE) (40) auf die Oberfläche der unbeschichteten Schicht; und – Entfernen von wenigstens einem Teil der flüssigen PFPE-Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass: das Entfernen des Teils der flüssigen PFPE-Schicht das Entfernen des Teils umfasst, um die Dicke der PFPE-Schicht so anzupassen, dass sie einer Dicke ungefähr gleicht, bei der Schmutzstoffe auf der PFPE-Schicht den Durchgang von Strahlung durch das Musteraufbringungselement nicht blockieren und defokussiert sind, so dass sie das Bild der gemusterten Schicht nicht beeinflussen.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Differenz zwischen dem Brechungsindex der unbeschichteten Schicht (31; 51; 61) und dem Brechungsindex der flüssigen PFPE-Schicht (40) unter oder gleich 0,21 beträgt.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei die unbeschichtete Schicht ein Muster aufweist, das dem Muster der Schicht aus opakem Material entspricht.
Verfahren nach jedem der Ansprüche 4 bis 6, wobei das Entfernen des Teils der flüssigen PFPE-Schicht schnelles Rotieren oder Hin- und Herbewegen des Elements umfasst.
Verfahren zur Herstellung eines Elements, das folgende Schritte umfasst: – Bereitstellen eines Substrats, das zumindest teilweise von einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material bedeckt ist; – Bereitstellen eines Projektionsstrahls; – Aufbringen eines Musters auf einen Projektionsstrahl unter Verwendung einer Maske; und – Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt der Schicht aus strahlungsempfindlichem Material; dadurch gekennzeichnet, dass: eine Oberfläche der Maske, die zum Aufbringen eines Musters auf den Projektionsstrahl verwendet wird, von einer Schicht aus flüssigem Perfluorpolyether bedeckt ist.