TWI275901B - Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid - Google Patents

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1275901 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本^月係關於用於光微影投影裝置之遮罩的薄 遮罩之方法。 α除 【先前技術】 應將此處所採用之術語"圖案化元件"廣泛解釋爲用於靖 予射幸田射光束一已圖案化之剖面的元件，該截面對應於— 於基板之目標區待生成的圖案。本文亦可使用術語闊二 通常’該圖案對應於一正於該目標區生成之元件（例如一積 體毛路或其它7C件）中的特^功能層。該圖案化元件之—實 例爲-遮罩。遮罩之概念在微影技術中已爲吾人熟知，: 其包括諸如二元、交變式相移及衰減式相移之遮罩類型， 以及各種混和遮罩類型。將此一遮罩置放於該輻射光束中 導致照射該冑罩上之輻射根據該遮罩上之圖案選擇性透射 (於一透射遮罩之狀況下）或反射（於一反射遮罩之狀況 下）。於使用一遮罩之狀況下，該支撐結構通常爲—遮罩 台，其確保可將該遮罩固持於該入射輻射光束中之一所需 位置，且若需要則可相對於該光束移動該遮罩。 圖案化元件之另一實例爲可程式化鏡面陣列。該陣列之 貝例爲具有一黏彈控制層及一反射表面之矩陣可定址 表面。該裝置之基本原理在於（舉例而言）該反射表面之定址 區域將入射光反射成繞射光，而未定址區域將入射光反射 成非繞射光。使用一合適的濾光器可將該非繞射光濾出該 反射光束，僅留下繞射光。以此方式，根據該矩陣可定址 90621.doc -5- 1275901 表：之疋址圖案將光束圖案化。一可程式化鏡面陣列之替 代=施例採用微鏡面之矩陣排列，藉由施加一合適之區域 化電場或採用麼電致動器，可使每個鏡面各自關於一轴線 傾斜。同樣，該等鏡面亦爲矩陣可定址的，使得定址鏡面 將以-不同於未定址鏡面之方向反射一入射輻射光束。以 此方式，根據該矩陣可定址鏡面之定址化圖案將該反射光 束圖案化。可使用合適的電子設備執行所需之矩陣定址。 ^上述兩種情形中，該圖案化元件皆可包括一個或多個可 f式化鏡面陣列。此處所提及之鏡面陣列的更多資訊可炎 見（例如）美國專利帛5,29M91號及美國專利第5，'523，w 〜及PCT專利中睛案世界專利第98/38597號及世界專利第 98/33096號。在使用可程式化鏡面陣列之狀況下，可將該 支撐結構實施爲（例如）一框架或工作臺，其視需要可爲固定 或可動的。 圖案化凡件之另一實例爲可程式化LCD陣列。該構造之 一實例於美國專利第5,229,872號中給出。如上所述，該種 狀況下可將δ亥支撐結構實施爲（例如）一框架或工作臺，其 視需要可爲固定或可動的。 爲簡明起見’以下本文可於某些地方特定地針對涉及遮 罩及遮罩台之實例。然而，該等例子中所討論之一般原理 應參見以上闡明之圖案化元件的廣泛情形。 可將微影投影裝置用於（例如）積體電路⑽之製造中。在 該狀況下’該圖案化元件可産生一對應於㈣之一獨立層 的電路圖案’且可使該圖案成像於—基板（石夕晶圓）上之目標 90621.doc -6 · !275901 區（例如，包含一或多個晶粒）上，該基板已塗佈有一層輻射 敏感材料（抗蝕劑）。一般而言，單一晶圓將包括相鄰目標區 之整個網路，其中藉由該投影系統來一次一個地相繼照射 該等相鄰目標區。在本裝置中，自藉由遮罩臺上之遮罩採 用圖案化之方面可區別兩種不同類型的機器。在一種類型 之微影投影裝置中，藉由一次性將整個遮罩圖案曝光至該 目私區上使每個目標區接受照射。通常將該裝置稱爲晶圓 步進為。在另一替代裝置中，通常稱爲步進及掃描裝置， 藉由以、、、°疋苓考方向掃描”方向）漸進地掃描投影光束 下的遮罩圖案而同時平行或反平行於此方向來同步地掃描 基板台，使每一目標區接受照射。一般而言，由於該投影 系統具有一放大係數M(通常<υ，所以掃描該基板台之速度 V爲掃描遮罩台之速度的縣。關於此處所描述之微影裝置 之更夕貝汛可參見’例如，美國專利第號。 在一使用微影投影裝置之已知製造方法中，使一圖案（例 如’於-遮罩中）成像於一基板上，該基板至少部分覆蓋有 =射敏感材料（抗餘劑）。在成像步驟之前，該基板可能 經歷夕種程序，例如上底漆、抗餘劑塗佈 光之後，基板可經受苴它护生^ 早八砖曝 影、-硬烘烤及成像特徵:1:諸如後曝光烘烤(PEB)、顯 m am m ^ ^ ^里測及/或檢測。此系列程序係 用作圖案化兀件（例如，— ? 化層隨後可經歷多種方、广之一獨立層的基礎。該已圖案 屬化、氧化、化學、：例如姓刻、離子植入(摻雜)、金 -獨立層。若需要多個 4方法曰在元成 曰則母一新層就須重複整個程序 90621.doc 1275901 或其變體。確保各種堆疊層之重疊（並置）盡可能精確係重要 的。出於此目的，提供一小參考標記於晶圓上之一個或多 個位置，從而定義晶圓上之座標系之原點。結合基板固二 器定位元件（此處稱爲，，對準系統，，）與光學及電子元件一起 使用，每次必須於一現有層之上來並置一新層時，可隨後 將此標記重新定位，且可將其用作對準參考。最後，元件 之陣列將呈現於基板（晶圓）上。隨後藉由諸如切割或鋸割之 技術將此等元件彼此分離，由此可將獨立元件安裝於—載 體上、連接至針腳（pins)等等，關於該等方法之進一步資訊 可得自（例如）彼特•萬•贊特（Peter van Zam)所著之書、，，微 晶片製造：半導體方法之實踐指導（Micr〇chip A Gmde to Semiconductor Processing)，’ ’ 第三版，麥克勞希 爾國際出版公司（McGraw Hill Publishing c〇 )，⑼了年 ISBN 0-07-067250-4。 爲簡明起見，可在下文中將投影系統稱爲，，透鏡，，。然而， 應將此術語廣泛解釋爲包括各種類型的投影系統，例如包 括折射光學系統、反射光學系統、及反射折射混合系統。 該輻射系統亦可包括根據此等設計類型中任一類型而運行 以引導、定形或控制輻射投影束之組件，且下文中亦可將 该等組件總體地或單獨地稱爲”透鏡”。此外，微影裝置亦 可爲一種具有兩個或兩個以上基板台（及/或兩個或兩個以 上遮罩台）之類型。該等，’多級（muhiple stage)n元件中，可 亚行使用額外臺，或可在一個或多個臺上執行預備步驟， 同時將一個或多個其它台用於曝光。舉例而言，雙級（加^ 90621.doc -8 - 1275901

Stage)微影裝置描述於美國專利第5,969,441號及WO 98/40791 中。 茶看圖2，一用於光微影投影裝置之遮罩10通常包括一玻 璃或石英空白11，該空白具有形成於該表面上之已圖案化 之不透明材料（例如鉻）層12。提供一薄膜20以阻止諸如灰塵 粒子污染物接觸該遮罩10。遮罩10上之任何污染物會改變 待成像之所需圖案。薄膜20包括一附著於空白η之框架21 及一附著於框架21之膜22。將膜22定位於已圖案化層上之 回度Η ’該高度η值大於成像於該遮罩1〇上之輻射的焦 以至不阻基輪射到達該遮罩。亦將膜22上之任何污染 物被間隔於遮罩丨〇上方以使其位於焦點外且不會對圖案成 像有不利影響。 亦可藉由施加抗反射塗層至含氟聚合物膜層或藉由在一 合適膜層上旋塗具有足夠黏度之聚合物溶液來形成膜22。 %加至含氟聚合物膜層之該抗反射塗層亦 來形成。膜層必須相對較厚以承受與旋 力。膜22之厘疮古拉旦< ________ 可藉由旋塗方法

90621.doc 1275901 ΐϊΠ響。軟薄膜儘管對於製造而言更便宜，但由於臈 用，且^下垂會引入光學失真。軟薄膜較硬薄膜亦更不耐 可此較硬薄膜需要更頻繁之更換。 知ΪΓ2通常係脆的且較易被習知遮罩清除方法破壞。習 水:;=法可包括：在料1G上噴射清除流體（例如去離子 ，魏銨）、旋轉遮罩1G以去除過量m體及沖洗 幻。—般於清除遮罩前移除膜22,且隨後再附著於框竿 ―二遠後必須再評定料1(m用於光微料影裝置。建製 =潯：以匹配特定遮罩。移除膜22、清除遮罩2〇、將膜 附，於框架21且再評定遮罩1G之方法係耗時及昂貴 遠缚臈之厚度及粗链度之不均勻性亦導致膜之輕射透 、直均勻性。必須精確控制膜層厚度以允許在該輻射波長 邊緣最大值運行。

呈朝向更小積體電&元件之趨勢要求微影投影裝^可印刷 ^甚至車乂彼等當岫使用24§ nm及193 nm輻射所印刷之臨 尺寸（CD)更小之尺寸的特徵之圖案。當前正發展利用μ? _輻射之微影投影裝置以印刷具有cd小至7〇_ι〇〇腿之特 徵之圖案。然而，當前用於248 nm及193 nm光微影薄膜之 已知來口物亚不合適用於157nm光微影。由於諸如TEFL0N 及CYTOP⑧之市售含氟聚合物缺乏足夠機械完整性， 所以其在15 7 nm輻射之照射下迅速爆裂。 田^正開發之含氟聚合物具有足夠透明度以産生95%以 上之透射率。照射下之含氟聚合物經歷光化學暗色化，其 pm# ^之透射率及有效期。通常假設薄膜之有效期隨透 90621.doc -10- 1275901 明度增加而均勻增加。然而，由DuPont開發、用作157 nm 光微影中薄膜之TEFLON ® AF (TAFx)聚合物已顯示，不同 吸收之材料具有相似之有效壽命且相似吸收之聚合物具有 不同之有效壽命。理想狀態下，用於157 nm光微影中之薄 膜應至少9 8 %透明且阻礙光化學暗色化以保持有效之曝光 壽命爲 7.5 kJ/cm2。 用作157 nm光微影之薄膜的含氟聚合物具有所需之光學 性質（意即，透明度及吸收）、成膜特性及機械與光化學輻射 耐久性係非常重要的。含氟聚合物亦必須具有產生最小除 氣所必茜之低光學吸收’且必須將其與用於將膜附著於薄 膜框架之無污染黏著劑、將薄膜框架附著於遮罩之墊襯材 料及薄臈框架材料相容。因爲由空氣所導致之光學吸收在 157 nm處較在193 nm處南四個數量級，所以需要設計整個 曝光體系且維持爲無污染物。可將包括晶圓及遮罩級之光 徑曝光於每百萬分之一濃度之氧氣、水及有機分子之僅一 部分。於曝光遮罩之前需要—分子清除之額外步驟。當前 遮罩清除技術包括卩氣體（例如氮氣）來淨化之技術。該淨化 方法增加使用光微影投影裝置生産積體電路元件之生產成 本及時間。 本發明之-態樣係提供具有用於光微影投影裝置之薄 的圖案化元件，該裝置提供一輕射之已圖案化的投影光 (包括157nm輻射)以在-基板上印刷圖案。本發明之另一 樣係提供製造及清除具有用於光《投影裝置之薄膜之 90621.doc -11 ^ 1275901 圖案；且將該已圖案化之輻射光束投影至輻射敏感材料層 之目標區。 造 儘管本文中特別提及將根據本發明 ，但應明確瞭解該裝置仍具有許多其 之裝置用於1C之製 它可能之應用。例 如，其可用於積體光學系統、 磁域記憶體之引導及偵測圖 案、液晶顯示面板、薄膜磁頭’料之製造上且一般熟悉 此項技術者之一會瞭解，在該等替代應用之内容中，可藉 由更一般術語，，遮罩”、”基板”及”目標區”來分別代替本文使 用之任何術語”光網·，、，，晶圓"或，，晶粒”。 本文獻中，術語，，輻射”及”来击”田机、τ α , 十田⑺久尤果用於涵盍所有類型之電磁 輻射，其包括紫外線輻射（例如，具有365、248、193、157、 或12611111之波長）及EUV(遠紫外線輻射’例如，具有在5nm 至20 nm之範圍内的波長），以及粒子束’如離子束或電子 束0 【實施方式】 圖1示意性地描繪根據本發明卜特定實施例卜微影 投影裝置。該裝置包括-輻射系統Εχ，IL，用以供應一輕 射（例如，UV或EUV輕射，諸如藉由於波長248 nm、193_ 或157·運行之准分子雷射器所產生或藉由於136譲運行 之雷射點燃電渡源所産生之輻射)之投影光束pB。在此實施 例中’該Is射系統亦包括—輕射源LA。該裝置亦包括：— 第載物口（遮罩口）MT，其具有_用以固持遮罩MA(例如 -光網)之遮罩固持器且該第—載物台連接至第一定位元 件m以相對於投影系統PL精確定位該遮罩；—第二載物台 90621.doc -13- 1275901 於一參考框架RF上。如此處所述， 具有一透射性遮罩）之裝置。然而 (基板台）wt，其具有一用關持基板w(例如，一經抗银劑 塗佈之矽晶圓)之基板固持器且該第二載物台連接至一第 二定位元件PW以相對於該投影系統PL精確定位該基板’建 構且排列以使該遮罩MA之一被照射區成像於基板w之目 標區C(舉例而言，包括—個或多個晶粒）上之該投影系統或 透鏡PL(例如，石英及/或⑽透鏡系統或折射或反射折射 混合系統、鏡面組或場偏光器之陣列）。將投影系統p l支撐 該裝置爲透射類型（意即 一般而言，其亦可能爲 例如具有一發射遮罩之反射類型的裝置 或者，該裝置可 採用另-種圖案化凡彳，諸如上述類型之可程式化鏡面陣 列0 忒輻射源LA(舉例而言，在儲存環或同步加速器中之電子 束的路從周圍所提供之uv准分子雷射器、波動器或擺動 為、雷射所産生之電漿源、放電源或電+或離+束源）産生 幸田射束PB。以直接饋入與橫穿過諸如射束放大器&之調節 裔後饋入兩種方式中之任一種方式將該光束ΡΒ饋入照明系 、、先（知、明斋）IL。該照明器比可包括調整元件ΑΜ以設定該光 束中之強度分佈之外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱爲 卜外部及σ-内部）。此外，其通常包括其它各種組件，例如 積累态IN及聚光器c〇。以此方式，照射於遮罩ΜΑ上之 光束ΡΒ於其剖面具有所需之均勻性及強度分佈。 關於圖1應注意源LA可在該微影投影裝置之外殼内（此 系出現於’例如，在源LA爲水銀燈之情況下），但其亦可遠 90621.doc -14- 1275901 離微影投影裝置，可將其産生之輻射光束引入裝置（例如， 藉由合適之導向鏡）中。在該輻射源L A爲一準分子雷射器 日可，通常爲後者之狀況。本發明包括兩種此等情況。詳言 之本舍明及申请專利範圍涵蓋輕射系統Ex，IL適於供應 具有低於約170nm之波長，諸如具有157nm、126nm&13.6 nm之波長的輻射之投影光束的實施例。 光束PB隨後與遮罩MA相交，該遮罩固持於遮罩smt 上。光束PB橫穿過遮罩MA之後，經過透鏡pL將光束pB聚 焦於基板W之一目標區C上。藉助該第二定位元件？界（及干 /y儀IF) ’可精確移動基板台WT(例如）以便在光束PR之路徑 中疋位不同目標區c。以類似方式，該第一定位元件可 用於（舉例而言）在自一遮罩庫中機械檢索遮罩MA之後，或 在掃彳田過耘中，相對於光束PB之路徑精確定位遮罩MA。 一般而言，可藉助一長衝程模組（粗略定位）及一短衝程模組 (精細定位）來實現載物台MT、WT之移動。然而，在一晶圓 步進裔（與步進掃描裝置相反）狀況下，可僅將遮罩台MT連 接至短衝程致動器或加以固定。可使用遮罩對準標記Ml、 Μ?或基板對準標記Pi、I來將遮罩ma及基板w對準。 可以兩種不同模式使用所述裝置： 1.在步進模式中，使遮罩台MT大體上保持固定，且一次 (μ即單人閃光）將一整個遮罩像投影至一目標區c上。基 板台WTP道後在Χ及/或¥方向上移位，使得光束叩照射不同 目標區C ; 在掃搖模式中，除了 一給定目標區C並非於單次”閃光” 90621.doc -15- 1275901 如圖6中箭頭A所示，該旋轉夾盤70可藉由旋轉驅動器72 來旋轉以拋出過量之PFPE液體80。如圖7所示，可將過量 PFPE液體80拋出直至該已圖案化之不透明層62上之液體厚 度Η專於或稍大於待成像於遮罩60上之輻射的焦距。可夢由 控制旋轉驅動器72來控制旋轉夾盤70之速度且/或藉由控 制旋轉驅動器72來控制旋轉夾盤70之旋轉時間進而來控制 所拋出之液體量。PFPE液體80之厚度可藉由已知量測/檢測 元件來決定。旋轉遮罩60亦增加控制pFPE液體8〇之厚度均 勻性。 關於圖8，形成根據本發明之一示範性實施例之薄膜的方 法包括·提供一遮罩S110、施加PFPE液體S120且移除一部 分PFPE液體S1 30以調整遮罩上之PFPE液體的厚度。應瞭解 該方法可用於在任何類型之遮罩上形成薄膜，舉例而言， 該等遮罩包括衰減相移遮罩、交變相移遮罩、二元遮罩及 此_ ‘罩亦應瞭解可藉由不同於旋轉之方法來移除PJPPE 液體，諸如藉由攪動（例如，遮罩之反復性往復運動）、化學 反應或藉由將具有已施加PFPE液體之遮罩在一部件（如刀 片）下經過，該部件於自遮罩之一預定距離具有一刃口。 圖5至圖7中所示之裝置亦可用於藉由移除已被污染之 附E液體薄膜且以-新PFPE液體薄臈來替代已污染之薄 膜從而清除遮罩。關於圖9,根據本發明之_示範性實施例 之清除遮罩之方法包括移除已污染之PFPE液體薄膜 S2H)、施加PFPE液體至遮罩S22〇且移除一部分ρρρΕ液體 S230以調整該遮罩上之pFpE液體的厚度。如上所述，可藉 90621.doc -19- 1275901 由諸如旋轉或攪動之任何方法來移除已污染之pfpe液體薄 膜。Μ作β >糸的新薄膜所施加之PFPE液體部分可藉由例如 旋轉或攪動或藉由（例如）將該遮罩在刀片之刃口下經過來 移除。 關於圖10，根據本發明之清除遮罩的另一示範性方法包 括施加PFPE液體至具有已污染之pFpE液體薄膜的遮罩 S310且移除一部分PFPE液體S32〇以調整該遮罩上之pFpE 液體的厚度。此弟一示範性實施例中，並非在施加清潔 液體之前移除已污染之PFPE液體薄膜。藉由施加清潔叩抑 液體來#代已污染之PFPE液體薄膜。可於施加清潔pFpE液 體的同時來旋轉或攪動遮罩或於施加足以替代該已污染之 PFPE液體薄膜之量的清潔PFpE液體之後才旋轉或授動遮 罩。 、關於圖11 ’ 一種製造用於積體電路、積體光學系統、磁 域記憶體、液晶顯示面板或薄膜磁頭之元件的方法，包括 提供一至少部分被一層輻射敏感材料所覆蓋之基板8510、 提供使用輻射系統之輻射投影光束S520、使用具有根據本 發明之一示範性實施例之薄膜的遮罩在其剖面上賦予投影 光束圖案S53G，且投影該圖案化之輻射束至_敏感材料 層之目標區S540。 關於圖12,藉由根據本發明之一示範性方法所製造之元 件900包括-具有圖案之基板91G，該圖案包括形成於其中 之特徵933、934。如上所述，應瞭解可於製造積體電路、 積體光學系統、磁域記憶體、液晶顯示面板及薄膜磁頭的 9〇621.d〇( -20- 1275901 = 元件900。亦應瞭解元件9。。可包括藉由重複該 方法或其，史體所形成之複數個已圖案化的層。 狀:據^明之包括打柯液體薄膜之遮罩增加光微影投影 來、、主二。猎由移除或替代已污染之刪液體薄膜 ㈣間少於清潔具有薄膜框架及膜之遮罩的時 二㈣具有薄膜框架及膜之遮罩亦可於清潔過程中遭到 貝壞或毀壞。此減少之清潔時間允許在較包括薄膜框架及 膜之白知遮罩更少的時間内於光微影裝置中來移除、清潔 及替代遮罩以用於生產之圖案化晶圓。根據本發明之包括 PFPE液體薄膜之遮罩亦無需特殊封裝來保護遮罩或薄膜。 遮=可經船運或與PFPE液體薄膜—起儲存，在用於光微影 投影裝置之前，無污染之PFPE液體薄膜易於替代該遮罩。 #據本u之I除遮I的方法亦優於當前使用之去離子水 的方法，因爲於該等方法中清除之後殘留於該遮罩上之任 何去離子水會吸收157 nm之輻射且對圖案之成像有不 響。 ” 仏s本發明之特定實施例已如上所述，但仍應瞭解亦可 以不同於此處所述之方法來實施本發明。該描述並非限制 本發明。 【圖式簡單說明】 現僅藉由實例根據隨附示意圖來描述本發明之實施 例， 其中： 圖1係一光微影投影裝置之圖解說明； 圖2係根據一已知構造之一遮罩及薄膜之圖解說明·， 90621.doc -21 - 1275901 示範性實施例之一遮罩及薄膜之 一不範性實施例之一遮罩及薄膜 圖3係根據本發明之一 圖解說明； 圖4係根據本發明之另 之圖解說明； 圖5韻根據本發明之—^範性㈣例之裝置 明，該實施例能⑽於遮罩上製造㈣本發明之薄膜/ 圖8係在一根據本發一每 不靶性只轭例之遮罩上形成 厚臈之方法之圖解說明； 圖9係根據本發明之一々 不乾性貫施例之用於清除具有根 據本务明之薄膜之遮罩的方法的圖解說明； :_根據本發明之另—示範性實施例之用於清除具有 根據本發明之薄膜之遮罩的方法的圖解說明； 圖11係製造用於積體電路、積體光學系統、磁域記憶體、 液晶顯示面板或薄臈磁頭之㈣之方法的圖解說明；且 曰圖12係用於積體電路、積體光學系統、磁域記憶體、液 晶顯示面板或薄膜磁頭之根據本發明之方法所製造之元件 的圖解說明。 该等圖中，制之參考符號表示對應之部件。 【圖式代表符號說明】

LA PM PL RF WT 輻射載物台（遮罩台） 第一定位元件 投影系統 參考框架 第二载物台（基板台） 90621.doc -22- 1275901 PW 第二定位元件 IF 干涉儀 W 基板 Pi、P2 基板對準標記 Mi > M2 遮罩對準標記 10 遮罩 11 玻璃或石英空白 12 已圖案化之不透明材料層 20 薄膜 21 框架 22 膜 30 ^ 60 遮罩 31 、 51 、 61 空白層 32 已圖案化之不透明層 40 液體薄膜 50 替代或衰減相移遮罩 52 硬式遮罩 53 、 54 、 933 、 934特徵 62 已圖案化之不透明層 70 旋轉失盤 71 遮罩支撐件 72 旋轉驅動器 74 PFPE液體源 80 PFPE液體 9062i.doc -23- 1275901 900 元件 910 基板 S110、 S220、S310 遮罩 S120、 S130、S210PFPE液體 ' S230 ' S320 S510 基板 S520 輻射投影光束 S530 投影光束圖案 S540 目標區 90621.doc - 24 -

Claims (1)

1. ^^ιχιΙΛί,^ ：x,；Tamiew r.1Tr —1—一.. 月/3E ；'C 1275%土100902號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年4月） 拾、申請專利範園： 1。 一種用於微影投影裝置之圖案化元件，其包括： 一由石英、玻璃、氟化鎂或CaF2所形成之空白層； 位於該空白層之一表面上之一已圖案化之不透明材 料層；及 該空白層表面上覆蓋該表面之一全聚氟趟（pFpE)層。 2·如申請專利範圍第1項之圖案化元件，其中該空白層之 折射率與該PFPE液體層之折射率之間的差值小於或等 φ 於 0.21 〇 3 ·如申請專利範圍第1項之圖案化元件，其中該空白層包 括一對應於該不透明材料層之圖案的圖案。 4·如申請專利範圍第1項之圖案化元件，其中該pfpe液體 層之厚度約等於待成像於該圖案化元件上之輻射的焦 修煩 距。 正請

   ff 5· 一種製造一用於光微影裝置之圖案化元件的方法，該方 条 法包括： 提供一圖案化元件，其具有一空白層及位於該空白層 |f 之一表面上之一已圖案化的不透明材料層； 眷丨》 %加全聚氟醚（pFpE)液體至該空白層之表面以形成 望|1 一覆蓋該表面之PFPE液體層；且 • 移除至少一部分該PFPE液體層。 6·如申請專利範圍第5項之方法，其中該空白層之折射率 與該PFPE液體層之折射率之間的差值小於或等於〇2ι。 7·如申％專利範圍第5項之方法，其中該空白層具有一對 1275901 應於該不透明材料層之圖案的圖案。 8·如申睛專利範圍第5項之方法，其中移除該部分pFpE液 體層包括移除該部分以調整該PFPE液體層之厚度至約 — 等於待成像於該遮罩上之輻射的焦距。 9·如申請專利範圍第5項之方法，其中移除該部分？哪液 體層包括旋轉或攪動該遮罩。 10· -種清除一用力光微影投影裝置之圖案化元件的方 法’该圖案化元件包括一空白層及位於該空白層之一表 面上之-已圖案化之不透明材料層，該方法包括： Φ :加全聚氟醚(PFPE)液體至該空白層之表面形成一 覆蓋該表面之PFPE液體層；且 移除至少一部分該PFPE液體層。 η·如申請專利範圍第10項之方法，其進一步包括於施加 PFPE液體層之哥自該表面來移除一已污染之卿ε液體 層。 如申明專利fe圍第i 〇項之方法，其中該空白層之折射率 與該PFPE液體層之折射率之間的差值小於或等於。η。鲁 13. 如中請專利範圍第1Q項之方法，其中該空白層具有一對 應於泫不透明材料層之圖案的圖案。 14. 如申請專利範圍第1G項之方法，其中移除該部分咖 液體層包括旋轉或攪動該遮罩。 15. 如中請專利範圍第1G項之方法，其中移除該部分PFPE 液體層包括移除該部分以調整該PFPE液體層之厚产至 約等於待成像於該遮罩上之輻射的焦距。 90621-940413.doc -2- 1275901 16. 一種用於積體電路、積體光學系統、磁域記憶體之圖 案、液晶顯示面板及薄膜磁頭的元件，該元件之製造方 法包括： 提供一至少部分被一層輻射敏感材料所覆蓋之基板； 提供一輻射投影光束； 使用一如申請專利範圍第1項之圖案化元件在其剖面 上賦予該投影光束一圖案；且

   投影該已圖案化之輻射束至該輻射敏感材料層之目 標區上。

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