JPH10308337A - ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具 - Google Patents

ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具

Info

Publication number
JPH10308337A
JPH10308337A JP11327697A JP11327697A JPH10308337A JP H10308337 A JPH10308337 A JP H10308337A JP 11327697 A JP11327697 A JP 11327697A JP 11327697 A JP11327697 A JP 11327697A JP H10308337 A JPH10308337 A JP H10308337A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
photomask
pellicle
mask
jig
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11327697A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Taira
正明 平良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP11327697A priority Critical patent/JPH10308337A/ja
Publication of JPH10308337A publication Critical patent/JPH10308337A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクの表面(パターン面)に貼られている
ペリクルを剥がすことなく、しかも汚すことなくマスク
の裏面のみを洗浄し、汚れ(くもり等)を除去すること
ができるホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具を提
供する。 【解決手段】 洗浄用治具21は空洞Aを有する四角形
状の枠体22をなし、その内周部にペリクル付マスク1
0の保持部となる段部23が形成されて、この段部23
でペリクル12を下方にしたペリクル付マスク10を密
封状態に保持する。そこで、ノズル15から洗浄液16
をペリクル付マスク10の裏面(ガラス部)に吹き付け
るとともに、スピナ洗浄装置25を回転させて、洗浄を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用ホト
マスクの洗浄方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ペリクル付マスクの裏面(ガラス
部)が汚れた場合、ペリクルを剥して洗浄し、再度ペリ
クルを貼り付けて再検査することにより、汚れの除去を
行っていた。図7はかかる従来のペリクル付マスクの洗
浄工程図である。
【0003】(1)図7(a)に示すように、マスク基
板1の表面にペリクル2が貼り付けられたペリクル付マ
スク3が用意されており、(2)図7(b)に示すよう
に、そのペリクル付マスク3の裏面(ガラス部)Aに汚
れ4が付着すると、(3)図7(c)に示すように、ペ
リクル2を剥がし、ペリクル2が剥がされたマスク基板
1を、(4)図7(d)に示すように、洗浄した後、
(5)図7(e)に示すように、マスク基板1に新たな
ペリクル5を、再貼付した後、(6)図7(f)に示す
ように、そのペリクル付マスク6を再検査する。
【0004】このようなペリクル付マスクは、ウエハプ
ロセス処理でペリクル内のパターン部に異物が付着して
も、転写されないという効果があるため、一般的に普及
している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のペリクル付マスクの汚れの洗浄方法では、無駄
な時間と工数、及び高価なペリクル代が嵩むという問題
点があった。つまり、上記した工程(3)〔ペリクル剥
がし〕で略1時間、上記した工程(4)〔マスク基板洗
浄〕で略1時間、上記した工程(5)〔ペリクル再貼
付〕で略2時間、上記した工程(5)〔再検査〕で略
2.5時間、総計で略6.5時間を要し、更に、ペリク
ル代の損失があった。
【0006】本発明は、上記問題点を除去し、マスクの
表面(パターン面)に貼られているペリクルを剥がすこ
となく、しかも汚すことなくマスクの裏面のみを洗浄
し、汚れ(くもり等)を除去することができるホトマス
クの洗浄方法及びその洗浄用治具を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕半導体製造用ホトマスク基板にペリクルを装着
し、このペリクル装着面と反対側の裏面の汚れを洗浄す
るホトマスクの洗浄方法において、前記ホトマスク基板
のペリクル装着面側の外周部に当接して密封可能な洗浄
用治具で前記ホトマスク基板の裏面を露出した状態で固
定し、前記ホトマスク基板の裏面に洗浄用溶液を作用さ
せ、前記ホトマスク基板の裏面の洗浄を行うようにした
ものである。
【0008】〔2〕半導体製造用ホトマスク基板にペリ
クルを装着し、このペリクル装着面と反対側の裏面の汚
れを洗浄するホトマスクの洗浄用治具において、ホトマ
スク基板のペリクル装着面と反対側の裏面を露出させる
とともに、密封状態でホトマスク基板を固定する保持部
を有する枠体を設けるようにしたものである。 〔3〕上記〔2〕記載のホトマスクの洗浄用治具におい
て、前記枠体の保持部はホトマスク基板の側面を押さえ
る突片部と、この突片部に連設されるとともに、洗浄用
溶液の通り道になるように形成される側溝と、この側溝
の下部に突設されるとともに、ホトマスク基板を受ける
ホトマスク受け部とを設けるようにしたものである。
【0009】〔4〕上記〔3〕記載のホトマスクの洗浄
用治具において、前記側溝に連通し、外部に開口する洗
浄用溶液の排出口を設けるようにしたものである。 〔5〕上記〔4〕記載のホトマスクの洗浄用治具におい
て、前記排出口を四角形状の洗浄用治具のコーナー部に
配置するようにしたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
第1実施例を示すホトマスクの洗浄方法の説明図、図2
はそれに用いるホトマスクとその洗浄用治具の斜視図で
ある。これらの図において、10はペリクル付マスク、
11はマスク基板、12はペリクル、13は汚れ、21
は洗浄用治具である。なお、ペリクル付マスク10は、
マスク基板11の外周部を若干残した部分にペリクル1
2が設けられるようになっている。
【0011】この洗浄用治具21は、図2に示すよう
に、3辺をなすコ字形状の側板22Aと、1辺をなす側
板22Bとからなる四角形状の枠体22から構成されて
おり、その内周部にペリクル付マスク10の保持部とな
る段部23が形成されている。この段部23でペリクル
12を下方にしたペリクル付マスク10を密封状態に保
持するようにしている。
【0012】また、洗浄用治具の下部には底板を有して
おり、コ字形状の側板22Aの段部23に、ペリクル付
マスク10を載置した後、1辺をなす側板22Bをその
ペリクル付マスク10の一辺に位置決めして、螺子24
で締め上げて、ペリクル付マスク10を洗浄用治具21
に密封状態となるようにセットする。四角形状の枠体2
2の内部には空洞Aが形成される。15はノズル、16
は洗浄液〔例えば、硫酸+過酸化水素水/純水〕であ
り、その洗浄方法としては、(1)まず、硫酸+過酸化
水素水(H2 SO4 +H2 2 )で洗浄し、(2)次い
で、高圧力の純水(H2 0)でリンスする。25は洗浄
用治具21を載置するとともに、スピンをかけるスピナ
洗浄装置である。
【0013】そこで、ノズル15から洗浄液16(例え
ば、硫酸+過酸化水素水/純水)を、ペリクル付マスク
10の裏面(ガラス部)に吹き付けるとともに、スピナ
洗浄装置25を、例えば、100rpm以上回転させ
て、洗浄を行う。このように、この実施例では、ペリク
ル付マスク10を密封状態で、洗浄用治具21にセット
して、スピン方式でペリクル付マスク10の裏面(ガラ
ス部)の洗浄を実施したものである。
【0014】従来のペリクル付マスクの洗浄において
は、ペリクル剥がし−洗浄−ペリクル再貼付−ペリクル
付マスクの欠陥検査迄の所要時間に略6.5時間を要し
ていたが、この実施例によれば、0.5時間ですみ、略
6時間/枚も短縮することができ、また、取り替えに伴
うペリクル代が不要となり、低コスト化を図ることがで
きる。更に、ウエハプロセスでのマスク待ちの短縮化を
図ることができる。
【0015】また、的確なペリクル付マスクの裏面洗浄
をサポートするホトマスクの洗浄用治具を得ることがで
きる。次に、本発明の第2実施例について説明する。図
3は本発明の第2実施例を示すホトマスクの洗浄方法の
説明図、図4はそれに用いるホトマスクとその洗浄用治
具の斜視図、図5はその洗浄用治具の側板の拡大斜視
図、図6はその洗浄用治具の底板の斜視図である。
【0016】これらの図において、30はペリクル付マ
スク、31はマスク基板、32はペリクル、40は洗浄
用治具である。図4に示すように、洗浄用治具40は、
底板49の外周の3辺上に3個の側板42Aを溶接によ
り固定する。なお、50はその溶接部(図3参照)であ
る。このように構成された3個の側板42Aに、ペリク
ル付マスク30を嵌めて、最後に1辺の側板42Bを位
置決めし、螺子47で側板42Aに締め付けることによ
り、ペリクル付マスク30を密封状態に、空洞Aを有す
る四角形状の枠体43からなる洗浄用治具40にセット
することができる。
【0017】更に、枠体43の形状を具体的に述べる
と、側板42A,42Bのそれぞれには、ペリクル付マ
スク30の側面を押さえる突片部44と、この突片部4
4に連設されるとともに、洗浄用溶液の通り道になるよ
うに形成される側溝45と、この側溝45の下部に突設
されるとともに、ペリクル付マスク30を受けるホトマ
スク受け部46とが設けられており、更に、側溝45に
連通する排水口48が設けられている。
【0018】そこで、ペリクル付マスク30をペリクル
32が下になるように、突片部44でマスク基板31の
側面に接し、ホトマスク受け部46で受けるように、ペ
リクル付マスク30を嵌め、1辺の側板42Bを側板4
2Aに螺子47により締め付けて、密封状態にペリクル
付マスク30をセットする。そのとき、ペリクル付マス
ク30のマスク基板31のガラス部である裏面Bは、洗
浄用治具40より僅かに上方に位置させ、露出させる。
なお、ガラス部である裏面Bが洗浄用治具40の上面よ
り、1mm上方に位置するのが好適である。
【0019】33はノズル、34は洗浄液(例えば、硫
酸+過酸化水素水:純水)、60は洗浄用治具40を載
置するとともに、スピンをかけるスピナ洗浄装置であ
る。このように、ペリクル付マスク30がセットされた
洗浄用治具40は、スピナ洗浄装置60に載置され、ペ
リクル付マスク30のガラス部である裏面Bに付着した
汚れが洗浄される。つまり、ノズル33から洗浄液34
を噴射させるとともに、洗浄用治具40はスピナ洗浄装
置50によって、回転させて洗浄を行う。
【0020】すると、ペリクル付マスク30は密封され
ていても、洗浄液34はペリクル付マスク30と突片部
44との間隙から浸入して、側溝45から排出口48へ
と導かれる。なお、図3に示すように、側溝45の底部
45Aはマスク基板31の表面31−1より少し低くな
るように形成すると、排水すべき水を円滑に導くことが
できる。
【0021】このように、この実施例では、ペリクル付
マスク30を密封状態にするとともに、四角形状の枠体
43に沿って形成された側溝45によって、スピナ洗浄
装置60のスピン方式の遠心力で生じた水を、その側溝
45へ逃がし、洗浄することができる。更に、その側溝
45に逃がされた水は、排水口48から洗浄用治具40
の外部へ排出される。
【0022】このように、第2実施例によれば、第1実
施例における効果に加えて、洗浄された洗浄水を円滑に
導き、確実な排水を行うことができる。また、上記実施
例では、四角形状の洗浄用治具について述べたが、円形
の洗浄用治具についても適用することができる。その場
合は、図示しないが、円形の枠体を2分割して、嵌め合
わせて、円形のペリクル付マスクを密封状態にセットす
るようにするとよい。
【0023】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0024】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 〔A〕請求項1記載の発明によれば、ペリクル付マスク
の洗浄に要する所要時間を大幅に短縮し、また取り替え
に伴うペリクル代を不要にして、低コスト化を図ること
ができる。更に、ウエハプロセスでのマスク待ちの短縮
化を図ることができる。
【0025】〔B〕請求項2記載の発明によれば、的確
なペリクル付マスクの裏面洗浄をサポートするホトマス
クの洗浄用治具を提供することができる。 〔C〕請求項3乃至5記載の発明によれば、上記〔2〕
の効果に加えて、洗浄された洗浄水を円滑に導き、確実
な排水を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すホトマスクの洗浄方
法の説明図である。
【図2】本発明の第1実施例を示すホトマスクとその洗
浄用治具の斜視図である。
【図3】本発明の第2実施例を示すホトマスクの洗浄方
法の説明図である。
【図4】本発明の第2実施例を示すホトマスクとその洗
浄用治具の斜視図である。
【図5】本発明の第2実施例を示す洗浄用治具の側板の
拡大斜視図である。
【図6】本発明の第2実施例を示す洗浄用治具の底板の
斜視図である。
【図7】従来のペリクル付マスクの洗浄工程図である。
【符号の説明】
10,30 ペリクル付マスク 11,31 マスク基板 12,32 ペリクル 13 汚れ 15,33 ノズル 16,34 洗浄液 21,40 洗浄用治具 22,43 四角形状の枠体 23 段部 25,60 スピナ洗浄装置 42A,42B 側板 44 突片部 45 側溝 46 ホトマスク受け部 47 螺子 48 排水口 49 底板 50 溶接部 A 空洞 B 裏面(ガラス部)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体製造用ホトマスク基板にペリクル
    を装着し、該ペリクル装着面と反対側の裏面の汚れを洗
    浄するホトマスクの洗浄方法において、(a)前記ホト
    マスク基板のペリクル装着面側の外周部に当接して密封
    可能な洗浄用治具で前記ホトマスク基板の裏面を露出し
    た状態で固定し、(b)前記ホトマスク基板の裏面に洗
    浄用溶液を作用させ、前記ホトマスク基板の裏面の洗浄
    を行うようにしたことを特徴とするホトマスクの洗浄方
    法。
  2. 【請求項2】 半導体製造用ホトマスク基板にペリクル
    を装着し、該ペリクル装着面と反対側の裏面の汚れを洗
    浄するホトマスクの洗浄用治具において、 ホトマスク基板のペリクル装着面と反対側の裏面を露出
    させるとともに、密封状態でホトマスク基板を固定する
    保持部を有する枠体を具備するホトマスクの洗浄用治
    具。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のホトマスクの洗浄用治具
    において、前記枠体の保持部はホトマスク基板の側面を
    押さえる突片部と、該突片部に連設されるとともに、洗
    浄用溶液の通り道になるように形成される側溝と、該側
    溝の下部に突設されるとともに、ホトマスク基板を受け
    るホトマスク受け部とを具備するホトマスクの洗浄用治
    具。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のホトマスクの洗浄用治具
    において、前記側溝に連通し、外部に開口する洗浄用溶
    液の排出口を具備することを特徴とするホトマスクの洗
    浄用治具。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のホトマスクの洗浄用治具
    において、前記排出口を四角形状の洗浄用治具のコーナ
    ー部に配置するようにしたことを特徴とするホトマスク
    の洗浄用治具。
JP11327697A 1997-05-01 1997-05-01 ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具 Withdrawn JPH10308337A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11327697A JPH10308337A (ja) 1997-05-01 1997-05-01 ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11327697A JPH10308337A (ja) 1997-05-01 1997-05-01 ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10308337A true JPH10308337A (ja) 1998-11-17

Family

ID=14608080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11327697A Withdrawn JPH10308337A (ja) 1997-05-01 1997-05-01 ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10308337A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003007352A1 (en) * 2001-07-11 2003-01-23 Sang-Duck Kim Apparatus for pellicle remove
EP1439421A2 (en) * 2003-01-15 2004-07-21 ASML Netherlands B.V. Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid
US7008487B1 (en) * 2002-03-04 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks
EP3377941A4 (en) * 2015-11-18 2019-08-14 Applied Materials, Inc. DEVICE AND METHOD FOR PHOTOMASK BACK CLEANING
CN117148666A (zh) * 2023-10-31 2023-12-01 睿晶半导体(宁波)有限公司 光罩清洗装置及光罩清洗方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003007352A1 (en) * 2001-07-11 2003-01-23 Sang-Duck Kim Apparatus for pellicle remove
US7008487B1 (en) * 2002-03-04 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks
US7300526B2 (en) 2002-03-04 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks
US8627836B2 (en) 2002-03-04 2014-01-14 Micron Technology, Inc. Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks
EP1439421A2 (en) * 2003-01-15 2004-07-21 ASML Netherlands B.V. Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid
EP1439421A3 (en) * 2003-01-15 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid
US7022437B2 (en) 2003-01-15 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid
EP3377941A4 (en) * 2015-11-18 2019-08-14 Applied Materials, Inc. DEVICE AND METHOD FOR PHOTOMASK BACK CLEANING
CN117148666A (zh) * 2023-10-31 2023-12-01 睿晶半导体(宁波)有限公司 光罩清洗装置及光罩清洗方法
CN117148666B (zh) * 2023-10-31 2024-02-09 睿晶半导体(宁波)有限公司 光罩清洗装置及光罩清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6165650A (en) Reticle cleaning without damaging pellicle
US8627836B2 (en) Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks
KR100323502B1 (ko) 액정표시패널의 제조방법 및 이것에 사용되는 세정장치
JPH0878368A (ja) ワークの処理方法および装置
JPH10308337A (ja) ホトマスクの洗浄方法及びその洗浄用治具
JPH1041222A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000252252A (ja) スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置
JP3304174B2 (ja) 薄板の洗浄方法
JP2000114219A (ja) 基板処理装置
JPH05347287A (ja) 洗浄装置
TW200809432A (en) Method and tool for cleaning photomask
JP3998246B2 (ja) 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法
JPH09199462A (ja) ウエハ洗浄方法及びそのための装置
JPH07297161A (ja) 洗浄方法
JP2001334220A (ja) 基板の洗浄方法
KR19980038449U (ko) 반도체의 펠리클프레임 고정구조
JP2003091885A (ja) フォトレジスト層除去装置
JPH053139A (ja) 投影露光装置のステージのクリーニング方法
KR20010037210A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JPH0766117A (ja) 回転塗布によって形成された塗布基板の不要膜除去装置
JPH01181519A (ja) 縮小投影露光装置
JPH03206615A (ja) 洗浄装置
KR20080109565A (ko) 포토마스크 세정방법
JPH1126414A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001259548A (ja) ガラス基板の表面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040706