JP2003091885A - フォトレジスト層除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストマスク法によってガラス基板上に形
成した溝やピットのパターンを利用してニッケルスタン
パを製造する装置において、フォトレジスト除去〜洗浄
・乾燥までの一連の工程を、いちいちガラス基板を除去
薬液中に浸漬して超音波除去させる必要なく、低欠陥で
且つ効率よく行うことができる。 【解決手段】 水溶性樹脂層から成り且つスタンパ表面
の微細パターンの深さと同じ膜厚値を備えた下層２を形
成する工程と、下層上に形成したフォトレジスト層３を
マスクとして下層をエッチングする工程と、フォトレジ
スト層をフォトレジスト除去薬液によって除去して微細
パターンを有する下層を備えたガラス基板１を作製する
工程と、から成り、フォトレジスト層を除去する手段と
してガラス基板を回転させつつ、超音波振動させたフォ
トレジスト除去薬液をガラス基板表面に滴下させる液吐
出ノズル３０を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
情報記録媒体を製造するために使用するスタンパの製造
装置に関し、具体的にはガラス基板上にフォトエッチン
グ法等の微細パターン形成方法を利用してニッケルスタ
ンパを形成する工程中に含まれる、フォトレジスト層を
フォトレジスト除去薬液によって除去する工程を改良し
て生産効率を高めるようにした製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク等の光学情報記録媒体を製造
する際に使用する基板１には、スパイラル状又は同心円
状に、トラッキング用の案内溝やアドレス・データを表
す凹凸のピットが予め形成されている。このような案内
溝やピットのパターンは、基板１となるガラス基板上に
フォトレジスト層を形成し、基板１露光装置の対物レン
ズから、形成すべきパターンに応じて強度変調された光
ビームを収束してフォトレジスト層を露光し、その後現
像することによって、得られる。一般的にフォトレジス
ト層には、露光による光架橋反応と熱架橋反応により潜
像が形成されるため、ビームスポット径よりも１割〜２
割程度、開口部の溝幅（台形形状の長い辺：Ｗｔｏｐ）
は広くなる。また、集光ビームの光強度分布がガウス分
布であるため、フォトレジスト層に形成された溝は台形
形状となる（図１（ｄ）の現像参照）。台形溝となるこ
とにより生じる問題点は、トラックピッチが狭くなるこ
とにより、溝の開口部が隣接トラック間で干渉しあい、
溝と溝との間の平坦部分（ランド）高さが減少するた
め、溝の深さをフォトレジストの膜厚で制御できなくな
るという点にある。また、ランドが平坦でないスタンパ
から作製された光情報記録媒体については、記録特性が
低下する（隣接トラックからのクロストーク信号が増加
し、特にジッタ特性が低下する）という問題がある。こ
のような不具合を無くするためには、トラックピッチが
狭い大容量の光情報記録媒体用スタンパでは、溝幅を狭
くし、溝断面を矩形にする必要がある。フォトレジスト
に形成する溝を狭くするには、露光ビームの波長を短
く、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすればよいが、こ
のようにすると、露光時の焦点深度が小さくなるため、
溝形状の変動が懸念される。そこで、露光ビームの短波
長化と高ＮＡ化を行わずに、露光ビームスポット径以下
の細い溝断面が得られるフォトリソグラフィ技術が必要
となる。

【０００３】このように露光ビームスポット径以下の幅
を有した細い溝形成を可能にする技術として、上層のレ
ジストマスクパターンを利用して下層をエッチングする
というレジストマスク法が知られているが、この方法で
は、最終的に下層の溝を形成した後にフォトレジストの
マスク層を除去しなければならない。そのために、フ
ォトレジス除去工程→洗浄工程→乾燥工程、が必要
となる。これらの洗浄工程→乾燥工程に関しては、
その例として、特開平９−２８２７１９号、特開平
９−２９３２７７号に夫々記載された技術がある。の
公報に記載された洗浄、乾燥技術は、３本の円板保持ア
ームで圧接固定された円板をモータで回転させて、ノズ
ルから吐出される洗浄液によって洗浄した後、円盤を高
速回転させて乾燥を行うというものである。の公報に
記載された洗浄、乾燥技術は、回転中のガラス原板に薬
液を供給して全面に行き渡らせた後、原板の回転を停止
又は低下させると共に薬液の供給を止めるというもので
ある。しかし、通常のフォトレジストワークでは、前述
の特許公報に記載された技術のように、除去薬液をフォ
トレジストマスク上に吐出してからしばらく経過させた
後に、今度は純水等の洗浄液を上から吐出して溶解遊離
したフォトレジストを除去薬品ごと洗い流し、その後高
速回転で振り切り乾燥させるという工程を採用できた。
これに対して本発明の如く、水溶性樹脂層をフォトレジ
ストマスク層の下層として使用することを前提としてい
る技術においては、水溶性樹脂層の下層とフォトレジス
トのマスク層との密着性が非常に良好であるため、上記
従来方法のように単に除去薬液をガラス基板上に吐出し
ただけでは、溝形成後にフォトレジストを完全に除去す
るのが困難である。そのためフォトレジストを完全に除
去するためには、超音波を印加したフォトレジスト除去
薬液中で除去を行う必要がある。しかし、前記公報記載
の技術の場合フォトレジスト除去〜洗浄工程では、ガラ
ス基板をフォトレジスト除去薬品中に浸漬してフォトレ
ジストを除去した後、ガラス基板を薬品槽から取り出し
て洗浄装置のガラス基板保持治具に固定する必要がある
が、この際にガラス基板裏面にまで回り込んだ薬品をふ
き取るという余計な手間が掛かる。さらにその作業の際
に汚れなどが付着する恐れもある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記に鑑みて
なされたものであり、レジストマスク法によってガラス
基板上に形成した溝やピットのパターンを利用してニッ
ケルスタンパを製造する装置において、フォトレジスト
除去〜洗浄・乾燥までの一連の工程を、いちいちガラス
基板を除去薬液中に浸漬して超音波除去させる必要な
く、低欠陥で且つ効率よく行うことを目的とする。特
に、水溶性樹脂層をフォトレジストマスク層の下層とし
て使用することによって、水溶性樹脂層とフォトレジス
トのマスク層との密着性が高まった場合であっても、煩
雑な作業を行うことなく、マスク層を剥離、除去するこ
とができるフォトレジスト層除去装置を提供することを
課題とする。まず、請求項１の発明は、ガラス基板へ溝
形成を行った後、ごみや不純物を付着させることなく上
層のフォトレジストを確実に除去することを目的とす
る。請求項２の発明は、フォトレジスト除去薬液をガラ
ス基板全面にまんべんなく行き渡らせることによって、
フォトレジストを確実に除去し洗い流すことを目的とす
る。請求項３の発明は、ガラス基板を確実に回転中心に
合わせて強力且つ確実に保持固定すること、及び回転中
に外れて脱落するのを防止すると共に、回転に飛散した
液体がはね返ってガラス基板を汚染するのを防止するこ
とを目的とする。請求項４の発明は、ガラス基板とガラ
ス基板チャック部の間に薬液が染み込み、チャック不良
を起こすのを防止することを目的とする。請求項５の発
明は、ガラス基板上面に舞い上がったフォトレジスト除
去薬液ミストがガラス基板に再付着し、乾き染みによる
不良が発生するのを防止することを目的とする。請求項
６の発明は、ガラス基板回転によって吹き飛ばされたフ
ォトレジスト除去薬液が跳ね返って、ガラス基板を汚染
するのを防止するとともに、ガラス基板の着脱を容易に
し、ハンドリング時に発生する不良を低減させることを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１は、微細パターンを備えた下層を
表面に有したガラス基板の表面に導電皮膜を形成してか
ら、該導電皮膜をニッケル電鋳して該下層の微細パター
ンと凹凸が逆転した微細パターンを有する金属製スタン
パを作製する光情報記録媒体用スタンパの製造工程を実
施する装置であって、前記ガラス基板表面に微細パター
ンを備えた下層を形成する工程は、前記ガラス基板上に
露光により反応しない水溶性樹脂層から成り且つスタン
パ表面の微細パターンの深さと同じ膜厚値を備えた下層
を形成する工程と、該下層上にフォトレジストを塗布後
熱処理する工程と、該フォトレジスト層上に露光、現像
によって微細パターンを形成する工程と、該フォトレジ
スト層をマスクとして下層をエッチングすることによっ
て下層に微細パターンを形成する工程と、その後フォト
レジスト層をフォトレジスト除去薬液によって除去して
微細パターンを有する下層を備えたガラス基板を作製す
る工程と、から成り、下層の材料が、ポリビニルアルコ
ール、メチルセルロース、もしくはポリビニルピロリド
ンから選ばれた水溶性樹脂樹脂であって、前記フォトレ
ジスト層を除去する手段として、前記ガラス基板を回転
させつつ、超音波振動させた前記フォトレジスト除去薬
液をガラス基板表面に滴下させる液吐出ノズルを備えた
ことを特徴とする。請求項２は、請求項１の液吐出ノズ
ルは、前記ガラス基板が回転し前記フォトレジスト除去
薬液が吐出されている間は、前記ガラス基板の中心から
半径距離の範囲内で、前記ガラス基板のラジアル方向を
往復運動することを特徴とする。

【０００６】請求項３は、請求項１の前記ガラス基板を
回転させる場合に前記ガラス基板をチャッキングするガ
ラス基板チャック部を備え、前記ガラス基板チャック部
は、ガラス基板よりも小さい面積でしかもガラス基板面
積内に収まる形状の吸着面を備え且つ該吸着面にてガラ
ス基板面を吸着する真空吸着部と、前記真空吸着部から
外径方向へ伸びる複数の腕部と、各腕部の先端に設けら
れて前記ガラス基板の厚さを越えない高さを備えた爪部
と、を備えたことを特徴とする。請求項４は、前記真空
吸着部から外径方向へ伸びる腕部は、前記真空吸着部か
ら前記爪部側へ向かうに従って次第に低くなるようなス
ロープを持つことを特徴とする。請求項５は、前記ガラ
ス基板を回転させながら前記吐出ノズルからガラス基板
面にフォトレジスト除去薬液を塗布する作業を行う閉空
間としての作業部を備え、該作業部には廃液と排気を共
に外部へ排出する強制排気機構を設置したことを特徴と
する。請求項６は、前記作業部内には、前記ガラス基板
チャック部によってガラス基板が上下動自在に支持され
ており、該作業部の内壁には、該ガラス基板チャック部
によって支持されたガラス基板の外周縁との間に所定の
隙間を形成する開口部を備えたカップ部が取り付けら
れ、フォトレジスト層除去作業前及び作業終了後には前
記ガラス基板チャック部が上昇した状態にあって前記ガ
ラス基板チャック部が前記カップ部開口部よりも上に位
置しており、フォトレジスト層除去作業時には前記ガラ
ス基板チャック部が降下し、前記ガラス基板の上端が前
記カップ部開口部よりも僅かに低い位置にあるように構
成したことを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態により詳細に説明する。図１（ａ）乃至（ｆ）、
及び図２（ｇ）乃至（ｊ）は、本発明による基板１〜ス
タンパ製作までの製造工程を示す図である。まず、図１
（ａ）に示す下層形成工程に先立って、図示しないが、
基板洗浄工程では、超純水により、基板に付着したゴミ
を除去する目的で、洗浄・乾燥する工程が実施される。
続いて、図示しない表面処理工程が行われる。この表面
処理工程では、ガラス基板に対する水溶性樹脂層の塗布
性を向上させるために、オゾン処理によりガラス基板表
面の有機物を除去し、且つ表面に酸化皮膜を形成する。
この効果で、ガラス基板に対する水溶性樹脂の塗れ性が
向上し、水溶性樹脂の膜厚を均一化にできると共に、水
溶性樹脂とガラス基板の密着性が強まる。次に、図１
（ａ）に示す下層塗布工程では、表面処理されたガラス
基板（ガラス原盤）１上に、水溶性樹脂から成る下層２
をスピンコートし、続いて加熱乾燥・冷却する。この
時、塗布された下層２の膜厚は、スタンパ表面に形成す
る溝深さと同じ寸法に塗布する必要がある。図１（ｂ）
のマスク層塗布工程では、前工程で下層形成を行ったガ
ラス基板１上面に、フォトレジスト３をスピンコート
し、加熱乾燥・冷却することにより、マスク層３を形成
する。図１（ｃ）の基板１の露光工程では、前工程にて
基板１上に形成されたフォトレジストマスク層３をＫｒ
ガスレーザにより基板１露光する。基板１を回転横送り
しながら露光することにより、フォトレジスト膜のマス
ク層３にはスパイラル状の潜像４ａが形成される。図１
（ｄ）の現像・リンス工程では、前工程にて露光された
基板１上のマスク層３を現像し、露光された部分（潜像
４ａが形成された部分）を除去し、純水によりリンス、
回転乾燥し、マスク層３上に溝パターン４を形成する。
またこの時、現像時にフォトレジスト膜３がマスク層の
働きをして、下層の水溶性樹脂層２が現像液とリンスに
よりエッチングされる。下層２に形成される溝６（図１
（ｅ））の溝幅は、図１（ｄ）に示したマスク層３の台
形形状の溝４の底幅（Ｗｂｏｔ）の大きさで決定され
る。図１（ｆ）のマスク層除去工程では、フォトレジス
ト除去薬液により、下層上に残留したマスク層（フォト
レジスト層）３を除去し、その後乾燥させる。フォトレ
ジスト除去薬液としては、下層（水溶性樹脂層）２を溶
解しない液体を選択する必要がある。

【０００８】続く、図２（ｇ）の導電皮膜処理工程で
は、前工程までに製作された溝パターン６を有する基板
１及び下層２の表面に、スパッタ法によってニッケル膜
（導電皮膜）１０を形成する。図２（ｈ）のニッケル電
鋳では、前工程までに加工された導電皮膜付き基板１の
表面のニッケル幕１０を更にニッケル電鋳し、ニッケル
電鋳層１１を積層する。図２（ｉ）のスタンパ剥離工程
（スタンパ化工程）では、前工程においてガラス基板上
にニッケル電鋳により形成された金属板（ニッケル電鋳
層１１）を、ガラス基板１から剥離し、ガラス基板の裏
面（溝パターンが形成されていない面）を研磨し、ニッ
ケル電鋳層１１の溝パターン１１ａの表面に残留付着し
ている下層膜（水溶性樹脂膜）２を純水で洗浄し、高速
回転乾燥したあと、内外径を所望の寸法にプレス加工す
ることで、スタンパ１１Ａが完成する。以上説明した本
発明のスタンパ製作プロセスの特徴は、ガラス基板１と
マスク（フォトレジスト）層３との間に、予め水溶性樹
脂層（下層）２を介在させておく点にあり、フォトレジ
スト層３に形成された溝パターン４をマスク層として利
用し、エッチングで形成された下層２の溝パターン６を
スタンパにする。この結果、溝４の底幅が下層２の溝６
の溝幅となるため、フォトレジスト層３に形成された溝
断面よりも細い溝を下層２に形成することができ、また
下層２に形成される溝６の形状は、台形ではなく、断面
形状が矩形の溝パターンを得ることができる。また露光
用光源として波長４００ｎｍ近傍のＫｒガスレーザを用
いているので、光学系としても高価な紫外域用の光学系
ではなく、通常の可視領域のものを使用でき、コスト的
に非常に有利となる。上記方法では、マスク層３である
フォトレジストを完全に除去することが非常に重要であ
る。図３〜図７には、優れた除去効果を発揮する本発明
によるフォトレジスト除去装置の概略図を示す。

【０００９】図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形
態にかかるガラス基板チャック部の概略図を示す正面
図、及び平面図である。ガラス基板チャック部２１は、
真空吸着によってガラス基板１の非溝形成面を吸着保持
することによって、溝形成面を上向きにして真空吸着す
る手段である。ガラス基板チャック部２１は、真空ポン
プと接続されて負圧を導入する真空吸着部２２と、真空
吸着部２２の外周部から外径方向へ突出した複数の腕部
２３と、各腕部２３の先端に取り付けられた爪部２４
と、を有する。腕部２３と爪部２４は、ガラス基板保持
器具２５を構成している。このガラス基板チャック部２
１は、ガラス基板１の裏面を吸着する真空吸着部２２の
先端面（吸着面）をガラス基板１よりも小さい面積にし
て且つガラス基板１からはみ出ない形状としているた
め、ガラス基板表面に塗布されるフォトレジスト除去薬
液が真空吸着部２２に乗って、ガラス基板１と真空吸着
部２２との接触部間にしみ込み、吸着不良や、ガラス基
板１裏面へのフォトレジスト除去薬液の付着による汚染
を起こす不具合を防止できる。また真空吸着部２２の先
端部にＯリングを１個又は複数個設置すれば、よりしっ
かりとガラス基板１の裏面を吸着でき、しかもフォトレ
ジスト除去薬品が真空吸着部２２の先端部とガラス基板
１との密着部からしみ込んで、前記同様の不良を起こす
不具合を防止できる。なお真空吸着部２２の先端吸着面
の形状は、ガラス基板１をしっかりと真空吸着できるも
のであれば特に規定はしない。さらにガラス基板チャッ
ク部２１は、ガラス基板１の高さを超えない高さの爪２
５を先端に取り付けて、ガラス基板の外周面を挟持す
る。このようにガラス基板１を回転中心に保持するガラ
ス基板保持器具２５を４個以上設置することによって、
液振り切り時のはね返りを防ぐと共に、回転中にガラス
基板１が脱落するのを防ぐことができる。なお、ガラス
基板保持器具２５の腕部２３は、ガラス基板保持器具２
５を固定している真空吸着部２２から爪部２４（外径方
向）に行くに従って、その高さが次第に低くなるような
スロープを持つように構成している。このように構成す
ることによって、フォトレジスト除去薬液吐出時に爪部
２４や腕部２３に乗ったフォトレジスト除去薬液が真空
吸着部２２やガラス基板１裏面に回り込むのを完全に防
ぐことができる。

【００１０】次に、図４及び図５は、ガラス基板チャッ
ク部２１によりチャックしたガラス基板の表面に対して
フォトレジスト除去薬液を塗布する装置の構成例を示す
斜視図、及び全体正面図である。この塗布装置は、薬液
吐出ノズル３０と、ノズル３０に接続された供給管３５
と、供給管３５の途中に配置した液送ポンプ３６と、供
給管３５の他端が配置されたフォトレジスト除去薬液貯
留タンク３７と、を備えている。液送ポンプ３６の作動
によって供給管３５により、貯留タンク３７内のフォト
レジスト除去薬液３１が吸引され、ノズル３０から吐出
される。ノズル３０の適所には超音波振動子３２が配置
され、吐出される薬液３１に超音波を印加する。以上の
構成において、ガラス基板チャック部２１によりガラス
基板１の外周面をチャックし、回転させた状態のところ
に、ガラス基板１上部に設置した薬液吐出ノズル３０か
らガラス基板上面に超音波振動させたフォトレジスト除
去薬液３１を吐出させるようにする。ノズル３０には、
超音波振動子３２が内蔵されており、これが振動するこ
とによって、貯留タンク３７から液送ポンプ３６によっ
て運ばれてきたフォトレジスト除去薬液３１に超音波振
動を加えつつガラス基板１上に吐出できる。さらにノズ
ル３０は、ガラス基板１が回転し且つフォトレジスト除
去薬液３１が吐出されている間は、基板１の中心から半
径距離の範囲内で、ガラス基板１のラジアル方向に往復
運動させることにより、常に新しいフォトレジスト除去
薬液を基板１全面にまんべんなく行き渡らせることがで
きる。こうすることによってマスク層を完全に且つゴミ
等を付着させることなく除去できる。なお、フォトレジ
スト除去薬液３１としては、下層２である水溶性樹脂層
にダメージを与えない薬液として、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、乳酸エチルなどを用いることができる。超音
波振動子３２による超音波の発振出力は、下層２の水溶
性樹脂にダメージを与えることなく、マスク層３を完全
に除去するために、出力を２００Ｗ〜５００Ｗの範囲内
とするのが望ましい。また、フォトレジスト除去薬液を
吐出中のガラス基板１回転数は、ガラス基板１全面に効
率的にフォトレジスト除去薬液を行き渡らせることがで
きるように、１００ｒ／ｍｉｎ〜２００ｒ／ｍｉｎ程度
にするのが望ましい。これより遅いと、フォトレジスト
除去薬品をまんべんなく行き渡らせることができない
し、早すぎると、フォトレジスト除去薬液が飛ばされて
しまい、効率の良いフォトレジスト除去ができなくな
る。２分程度のフォトレジスト除去薬液吐出の後、ガラ
ス基板１の回転数を１０００ｒ／ｍｉｎ〜２０００ｒ／
ｍｉｎに上昇させて、薬液を振り切り乾燥させる。この
ようにすることにより、下層２の溝形状６を崩すことな
く下層２と強固に密着したフォトレジストのマスク層３
を完全に除去できる。

【００１１】次に、図６は本発明のフォトレジスト除去
装置の変形実施形態の概要を示す正面図であり、この実
施形態に係るフォトレジスト除去装置には、排気ファン
による強制排気機構を設置している。即ち、フォトレジ
スト除去装置は、筐体４０内の上部に閉空間としての作
業部４１を備え、作業部４１の上部開口は蓋４２によっ
て開閉自在に構成されている。作業部４１の内底部には
ガラス基板チャック部２１が配置されてチャックしたガ
ラス基板１を回転自在に支持している。フォトレジスト
除去時には、作業部４１内にマスク除去装置を構成する
ノズル３０が配置されて、ガラス基板１上に除去薬液３
１を供給する。作業部４１を構成する隔壁４１ａの底部
には、廃液、排気共用ダクト４５が接続されて作業部４
１内で発生した廃液と排気を外部に導く。共用ダクト４
５の先端では、排気ダクト４６と、廃液ダクト４７に分
岐しており、排気は送気ファン４６ａにより排気され、
廃液は廃液ダクト４７により廃棄される。この強制排気
機構により、フォトレジスト除去薬液吐出時や振り切り
乾燥時にガラス基板１上面に舞い上がった薬液ミストを
強制的に排除でき、ガラス基板１への再付着による乾き
染み不良が発生するのを防止できる。

【００１２】次に、図７（ａ）（ｂ）及び（ｃ）はフォ
トレジスト層除去装置の要部構成を示す正面縦断面図、
及び平面図である。このフォトレジスト層除去装置のフ
ォトレジスト層除去作業部４１の隔壁４１ａの内壁に
は、ガラス基板１の直径よりも僅かに大きな直径（ガラ
ス基板直径＋１０ｍｍ〜２０ｍｍ程度が望ましい）の開
口部５０ａを持つ環状のカップ部５０を設け、更にガラ
ス基板チャック部２１が上下動できる構造としている。
フォトレジスト層除去作業前及び作業終了後には、ガラ
ス基板チャック部２１が図７（ａ）のように上昇した状
態にあり、ガラス基板１はカップ部５０の上端よりも上
に位置しており、ガラス基板１の着脱が容易となり、着
脱時にハンドリングによって発生するゴミ等の付着を低
減できる。フォトレジスト層除去作業時には、図７
（ｂ）に示すようにガラス基板チャック部２１が降下
し、ガラス基板１の上端がカップ部開口部５０ａよりも
僅かに下になる位置関係を取るようにする。この時のガ
ラス基板１上端部とカップ開口部５０ａとの間の隙間５
１の幅としては５ｍｍ〜１０ｍｍ程度が望ましい。この
ような構造にすると、ガラス基板１周縁と開口部５０ａ
との間のスリット状になった隙間５１から前述の強制排
気によって勢い良く空気が吸い込まれ排出されるので、
ガラス基板１の振り切り乾燥時に吹き飛ばされたフォト
レジスト除去薬液が、ガラス基板１上面に達することが
なくなり、再付着による汚染不良を防止できる。

【００１３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、レジスト
マスク法によってガラス基板上に形成した溝やピットの
パターンを利用してニッケルスタンパを製造する装置に
おいて、フォトレジスト除去〜洗浄・乾燥までの一連の
工程を、いちいちガラス基板を除去薬液中に浸漬して超
音波除去させる必要なく、低欠陥で且つ効率よく行うこ
とができる。特に、水溶性樹脂層をフォトレジストマス
ク層の下層として使用することによって、水溶性樹脂層
とフォトレジストのマスク層との密着性が高まった場合
であっても、煩雑な作業を行うことなく、マスク層を剥
離、除去することができるようになる。即ち、請求項１
の発明によれば、ガラス基板を回転させつつ、超音波振
動させたフォトレジスト除去薬液を液吐出ノズルから吐
出させているので、フォトレジストのマスク層、ゴミや
不純物を残すことなく確実に除去できる。請求項２の発
明によれば、フォトレジスト除去薬液吐出ノズルは、ガ
ラス基板が回転しフォトレジスト除去薬液が吐出されて
いる間は、ガラス基板の中心から半径距離の範囲内で、
ガラス基板のラジアル方向を往復運動しているので、常
に新しいフォトレジスト除去薬液をガラス基板上にまん
べんなく行き渡らせることができ、フォトレジストのマ
スク層やごみや不純物が溝形成面に付着することなく確
実に除去できる。また、強力且つ確実に回転中心に合わ
せて保持することができる。請求項３の発明によれば、
ガラス基板チャック部の構成を、ガラス基板をチャッキ
ングする手段として真空吸着を用い、且つガラス基板の
真空吸着部を、前記ガラス基板面積よりも小さい面積で
且つガラス基板からはみ出ない形状とし、さらにガラス
基板の高さを超えない高さの爪を先端に取り付けて、ガ
ラス基板を回転中心に保持するガラス基板保持器具を４
個以上設置するようにしているので、フォトレジスト除
去薬液が前記真空吸着部に乗って、ガラス基板と真空吸
着部との間にしみ込み、吸着不良やガラス基板裏面のフ
ォトレジスト除去薬液付着による汚染を起こすのを防止
できると共に、ガラス基板を容易に回転中心に合わせて
設置でき、且つ回転中にガラス基板が脱落するのを防ぐ
ことができ、また回転中に飛散したフォトレジスト除去
薬液が爪に当たってはね返り、ガラス基板を汚染するの
を防ぐことができる。

【００１４】請求項４の発明によれば、ガラス基板保持
器具の腕部は、ガラス基板保持器具を固定している真空
吸着部から爪部に行くに従って、次第に低くなるような
スロープを持つようにしているので、フォトレジスト除
去薬液吐出時に爪部や腕部に乗ったフォトレジスト除去
薬液が真空吸着部やガラス基板裏面に回り込むのを完全
に防ぐことができる。請求項５の発明によれば、フォト
レジスト除去装置には、ガラス基板チャック部を覆う作
業部に排気ファンによる強制排気機構を設置しているの
で、フォトレジスト除去薬液吐出時や振り切り乾燥時に
ガラス基板上面に舞い上がった薬液ミストを強制的に排
除でき、ガラス基板１への再付着による乾き染み不良が
発生するのを防止できる。請求項６の発明によれば、フ
ォトレジスト層除去装置のフォトレジスト層除去作業部
には、ガラス基板の直径よりも僅かに大きな直径の開口
部を持つカップ部を設け、且つガラス基板チャック部が
上下動できる構造としているので、フォトレジスト層除
去作業前及び作業終了後には、ガラス基板チャック部が
上昇した状態にあり、カップ部上端よりも上に位置して
おり、ガラス基板の着脱が容易で、着脱時にハンドリン
グによって発生するゴミ等の付着を低減できる。更にフ
ォトレジスト層除去作業時にはガラス基板チャック部が
降下し、ガラス基板の上端がカップ部開口部よりも僅か
に下になる位置関係を取るようになっているので、この
ような構造にすると、スリット状になった隙間から前述
の強制排気によって勢い良く空気が吸い込まれ排出され
るので、ガラス基板の振り切り乾燥時に吹き飛ばされた
フォトレジスト除去薬液が、ガラス基板上面に達するこ
とがなくなり、再付着による汚染不良を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）乃至（ｆ）は本発明による基板〜スタン
パ製作までの製造工程を示す図。

【図２】（ｇ）乃至（ｊ）は図１の製造工程の続きを説
明する図。

【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態にかか
るガラス基板チャック部の概略図を示す正面図、及び平
面図。

【図４】ガラス基板チャック部によりチャックしたガラ
ス基板の表面に対してフォトレジスト除去薬液を塗布す
る装置の構成例を示す斜視図。

【図５】図４の全体図。

【図６】フォトレジスト層除去装置の他の例を示す図。

【図７】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は、他の実施形態に係
るフォトレジスト層除去装置の要部構成図、及び平面
図。

【符号の説明】

１ ガラス基板（ガラス原盤）、２ 下層、３ マス
ク、４ 溝パターン、４ａ潜像、６ 溝、１０ 導電皮
膜、１１ ニッケル電鋳層、２１ ガラス基板チャック
部、２２ 真空吸着部、２３ 腕部、２４ 爪部、２５
ガラス基板保持器具、３０ 薬液吐出ノズル、３５
供給管、３６ 液送ポンプ、３７ フォトレジスト除去
薬液貯留タンク、４０ 筐体、４１ 作業部、４２
蓋、４５ 共用ダクト、４６ 排気ダクト、４７ 廃液
ダクト、５０ カップ部、５０ａ 開口部。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 微細パターンを備えた下層を表面に有し
   たガラス基板の表面に導電皮膜を形成してから、該導電
   皮膜をニッケル電鋳して該下層の微細パターンと凹凸が
   逆転した微細パターンを有する金属製スタンパを作製す
   る光情報記録媒体用スタンパの製造工程を実施する装置
   であって、 前記ガラス基板表面に微細パターンを備えた下層を形成
   する工程は、 前記ガラス基板上に露光により反応しない水溶性樹脂層
   から成り且つスタンパ表面の微細パターンの深さと同じ
   膜厚値を備えた下層を形成する工程と、該下層上にフォ
   トレジストを塗布後熱処理する工程と、該フォトレジス
   ト層上に露光、現像によって微細パターンを形成する工
   程と、該フォトレジスト層をマスクとして下層をエッチ
   ングすることによって下層に微細パターンを形成する工
   程と、その後フォトレジスト層をフォトレジスト除去薬
   液によって除去して微細パターンを有する下層を備えた
   ガラス基板を作製する工程と、から成り、 下層の材料が、ポリビニルアルコール、メチルセルロー
   ス、もしくはポリビニルピロリドンから選ばれた水溶性
   樹脂樹脂であって、 前記フォトレジスト層を除去する手段として、前記ガラ
   ス基板を回転させつつ、超音波振動させた前記フォトレ
   ジスト除去薬液をガラス基板表面に滴下させる液吐出ノ
   ズルを備えたことを特徴とするフォトレジスト層除去装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１の液吐出ノズルは、前記ガラス
   基板が回転し前記フォトレジスト除去薬液が吐出されて
   いる間は、前記ガラス基板の中心から半径距離の範囲内
   で、前記ガラス基板のラジアル方向を往復運動すること
   を特徴とするフォトレジスト層除去装置。
3. 【請求項３】 請求項１の前記ガラス基板を回転させる
   場合に前記ガラス基板をチャッキングするガラス基板チ
   ャック部を備え、 前記ガラス基板チャック部は、ガラス基板よりも小さい
   面積でしかもガラス基板面積内に収まる形状の吸着面を
   備え且つ該吸着面にてガラス基板面を吸着する真空吸着
   部と、前記真空吸着部から外径方向へ伸びる複数の腕部
   と、各腕部の先端に設けられて前記ガラス基板の厚さを
   越えない高さを備えた爪部と、を備えたことを特徴とす
   るフォトレジスト層除去装置。
4. 【請求項４】 前記真空吸着部から外径方向へ伸びる腕
   部は、前記真空吸着部から前記爪部側へ向かうに従って
   次第に低くなるようなスロープを持つことを特徴とする
   請求項３に記載のフォトレジスト層除去装置。
5. 【請求項５】 前記ガラス基板を回転させながら前記吐
   出ノズルからガラス基板面にフォトレジスト除去薬液を
   塗布する作業を行う閉空間としての作業部を備え、該作
   業部には廃液と排気を共に外部へ排出する強制排気機構
   を設置したことを特徴とする請求項１、２、３又は４に
   記載のフォトレジスト層除去装置。
6. 【請求項６】 前記作業部内には、前記ガラス基板チャ
   ック部によってガラス基板が上下動自在に支持されてお
   り、該作業部の内壁には、該ガラス基板チャック部によ
   って支持されたガラス基板の外周縁との間に所定の隙間
   を形成する開口部を備えたカップ部が取り付けられ、 フォトレジスト層除去作業前及び作業終了後には前記ガ
   ラス基板チャック部が上昇した状態にあって前記ガラス
   基板チャック部が前記カップ部開口部よりも上に位置し
   ており、フォトレジスト層除去作業時には前記ガラス基
   板チャック部が降下し、前記ガラス基板の上端が前記カ
   ップ部開口部よりも僅かに低い位置にあるように構成し
   たことを特徴とする請求項５に記載のフォトレジスト層
   除去装置。