JP4127866B2

JP4127866B2 - 基板端縁部被膜の除去方法

Info

Publication number: JP4127866B2
Application number: JP12597096A
Authority: JP
Inventors: 耕一永澤; 直美長塚; 太島井; 充佐藤; 光治原田; 淳越山
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1996-05-21
Filing date: 1996-05-21
Publication date: 2008-07-30
Anticipated expiration: 2016-05-21
Also published as: JPH09308868A; KR100254292B1; KR970077119A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス基板や半導体ウェーハなどの基板端縁部の被膜を除去する基板端縁部被膜の除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に集積回路を形成する工程の１つにホトレジスト（以下「レジスト」という）膜を形成する工程が含まれる。斯かるレジスト膜は基板を回転させることで滴下したレジスト液を均一に基板上に拡散塗布するようにしている。
このような塗布方法による場合には、図５（ａ）に示すように、レジスト膜Ｒは基板Ｗの端縁部Ｒ’に厚く形成されてしまう。そして、このように余分なレジスト膜が形成されると、エッチング等の後にレジスト膜を除去する際に端縁にレジスト膜Ｒ’が残り、このレジスト膜Ｒ’が後工程において微細なパーティクルとなって基板表面に付着し、歩留まり低下を来す。同様の問題はＳＯＧ膜についてもいえる。
【０００３】
そこで、従来から種々の除去方法が提案されている。例えば、矩形状ガラス基板上のレジストを除去する先行技術としては、特開平５−１１４５５５号公報、特開平５−１７５１１７号公報、特開平５−２００３５０号公報があり、半導体ウェーハ上の場合の先行技術としては、特開平５−１６６７２０号公報、特開平６−４５３０２号公報がある。
【０００４】
特開平５−１１４５５５号公報及び特開平５−１７５１１７号公報に開示される除去方法は、基板の端縁に沿ってレジスト洗浄除去用溶剤を噴出するノズルを移動させるようにし、特開平５−２００３５０号公報に開示される除去方法は、回転する基板の下方に該溶剤を噴出するノズルを配置し、基板裏面から除去するようにし、特開平５−１６６７２０号公報に開示される除去方法は、上部に該溶剤滴下口とガス供給口を形成し、下方に回収用の吸気口を備えたノズル内に半導体ウェーハの端縁を臨ませて除去するようにし、更に特開平６−４５３０２号公報に開示される除去方法は、半導体ウェーハの端縁の上面及び下面はノズルから噴出される該溶剤で、端縁の厚み方向外端部は回転ブラシで除去するようにしたものである。
【０００５】
一方、上記除去方法に用いられるレジスト洗浄除去用溶剤としては、レジスト用溶剤としても用いられている毒性が低く安全性に優れるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート或はこれとプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合溶剤が広く使用されてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した何れの除去方法にあっても、レジスト洗浄除去用溶剤は噴出しっぱなしであり、極めて大量の該溶剤を必要とする。仮りに回収したとしても回収率は悪く且つ該溶剤の品質劣化が大きく、コスト的に不利である。
【０００７】
また、特開平６−４５３０２号公報に開示される除去方法を除く他の方法では、基板端縁の上面若しくは下面については除去できるが、端縁の厚み方向外端部については十分に除去することができない。その結果、図５（ｂ）に示すように端縁の厚み方向外端部にレジスト膜Ｒの一部Ｒ’が残ってしまう。一方、特開平６−４５３０２号公報にあっては、厚み方向外端部については回転ブラシによって除去するようにしているため、全く異なった２つの除去機構を設けなければならず、装置構成が複雑となり、またレジスト膜をブラシで十分に除去することはできない。
【０００８】
更に、従来のレジスト洗浄除去用溶剤では、残存させるべき必要なレジストと不要なレジストを除去した界面付近のレジストが盛り上がり、断面形状の垂直性が不十分となるという問題がある。また、レジスト除去後の洗浄部分にレジスト残渣が生じるという問題がある。このような問題は、後工程に悪影響を与えることになる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明は、予めジプロピレングリコールモノアルキルエーテル単独、これと沸点７５〜１３０℃、２０℃における蒸気圧が５〜７５ｍｍＨｇの易揮発性有機溶剤の混合物、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル６５〜９５重量％と酢酸ブチル５〜３５重量％の混合物又はアルカリ性水溶液からなるレジスト洗浄除去用溶剤を満たした溶剤貯留部に基板の端縁を水平方向から挿入した後、溶剤貯留部内の前記レジスト洗浄除去用溶剤中に基板の端縁を所定時間浸漬して基板端縁の余分な付着物を溶解除去するようにしたものである。
【００１０】
また、前記レジスト洗浄除去用溶剤を満たす前の溶剤貯留部に基板の端縁を水平方向から挿入した後、溶剤貯留部に前記レジスト洗浄除去用溶剤を満たし、次いで溶剤貯留部内の前記溶剤中に基板の端縁を所定時間浸漬して基板端縁の被膜の余分な付着物を溶解除去するようにしてもよい。
【００１１】
更に、除去中には前記レジスト洗浄除去用溶剤、溶剤貯留部または基板を振動させることで、レジスト膜やＳＯＧ膜など被膜の溶解が速まるとともに、純水などのリンス液やガスを続けて噴出させることによって、不要な被膜の除去後のリンス処理と乾燥処理とを効率よく行うことができる。
【００１２】
特に、ガラス基板等の矩形状基板の端縁部被膜を除去する場合には、矩形状基板の一辺または除去ユニットを対峙させて対向する二辺を同時に行い、この場合に矩形状基板は回転させずに固定し、溶剤貯留部を基板に対して移動させる。
【００１３】
また、半導体ウェーハ等の一部に直線状切欠部（オリエンテーションフラット）を有する円板状基板の端縁部被膜を除去する場合には、基板はその場で回転させ、溶剤貯留部は直線状の切欠部を含む基板の外端縁に応じて基板に対して水平方向に進退動させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法を実施する除去装置の全体斜視図、図２は除去装置を構成する除去ユニットに基板を挿入した時の縦断面図、図３は除去装置を構成する除去ユニットから基板を引き抜いた後の縦断面図、図４は図２のＡ−Ａ線に沿った除去ユニットの平断面図である。
【００１５】
本発明により処理される被膜としては、ポジ型、ネガ型のいずれでもよいが、ポジ型の場合には、例えば被膜形成成分のアルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光性成分のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルを含むポジ型レジストなどが挙げられる。ネガ型の場合には、アルカリ可溶性樹脂、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマー、光重合開始剤及び染料又は顔料を含む光重合性ネガ型レジストなどが挙げられる。
【００１６】
また、本発明で使用するレジスト洗浄除去用溶剤は、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル単独、これと沸点７５〜１３０℃、２０℃における蒸気圧が５〜７５ｍｍＨｇの易揮発性有機溶剤の混合物又はアルカリ性水溶液であることが必要である。この際のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルなどが挙げられるが、レジストの除去性、安全性、また乾燥性に優れることからジプロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
【００１７】
また、よりレジスト除去後の表面の乾燥性を考慮すると、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルと沸点７５〜１３０℃、２０℃における蒸気圧が５〜７５ｍｍＨｇの易揮発性有機溶剤を混合して使用するのが好ましい。この場合の混合割合は、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル６５〜９５重量％と該有機溶剤５〜３５重量％の混合物にするとよい。
【００１８】
更に、レジスト洗浄除去用溶剤として、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル７０〜９０重量％と該有機溶剤１０〜３０重量％の混合物がより好ましい。なお、該有機溶剤の重量％が多くなり過ぎると、レジスト除去後の表面にレジスト残渣が生じる傾向にあるので好ましくない。また、逆に少な過ぎると乾燥性が悪くなってしまう。
【００１９】
このようなレジスト洗浄除去用溶剤が、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル単独、これと沸点７５〜１３０℃、２０℃における蒸気圧が５〜７５ｍｍＨｇの易揮発性有機溶剤の混合物の場合はポジ型レジストに好適使用され、アルカリ性水溶液の場合はネガ型レジストに好適に使用される。
【００２０】
この易揮発性有機溶剤としては、酢酸−ｎ−プロピル［沸点１０２℃，蒸気圧２５ｍｍＨｇ（２０℃）］、酢酸イソプロピル［沸点８９℃，蒸気圧４３ｍｍＨｇ（２０℃）］、酢酸−ｎ−ブチル［沸点１２６℃，蒸気圧１０ｍｍＨｇ（２０℃）］、酢酸イソブチル［沸点１１８℃，蒸気圧１３ｍｍＨｇ（２０℃）］といった酢酸低級アルキルエステル系溶剤、メチルエチルケトン［沸点８０℃，蒸気圧７１ｍｍＨｇ（２０℃）］、メチルプロピルケトン［沸点１０２℃，蒸気圧１２ｍｍＨｇ（２０℃）］、メチルイソブチルケトン［沸点１１６℃，蒸気圧１７ｍｍＨｇ（２０℃）］といった低級ケトン系溶剤及びプロピレングリコールモノメチルエーテル［沸点１２０℃，蒸気圧８ｍｍＨｇ（２０℃）］、エチレングリコールモノメチルエーテル［沸点１２５℃，蒸気圧６ｍｍＨｇ（２０℃）］といった低級アルキレングリコールモノ低級アルキルエステル系溶剤といった有機溶剤が挙げられ、中でも酢酸ブチルが好ましい。
これらの易揮発性有機溶剤は、単独で用いてもよいし、また２種以上混合して用いてもよい。
【００２１】
アルカリ性水溶液とは、有機塩基、無機塩基を水に溶解したものでよいが、好ましくは、アルコール類、グリコールエーテル類及び非プロトン性極性溶媒の中から選ばれる少なくとも一種の水溶性有機溶剤とアルカノールアミン類、環状窒素化合物及び第四級アンモニウム塩の中から選ばれる少なくとも一種のアルカリを水に溶解したものが好ましい。
【００２２】
この水溶性有機溶剤としては、メチルアルコール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
【００２３】
また、アルカリとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノールなどのアルカノールアミン類、２−ヒドロキシエチルピリジン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの環状窒素化合物及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）などの第四級アンモニウム塩が挙げられる。
【００２４】
なお、アルカリ水溶液における水溶性有機溶剤の濃度は、レジストの種類などにより適宜決められるが、一般的には、０．０５〜２０重量％、好ましくは、０．５〜１５重量％である。また、アルカリの濃度もレジストの種類などにより適宜決められるが、一般的には、０．０５〜２０重量％、好ましくは、０．５〜１５重量％であり、残部が水である。
【００２５】
そして、本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法を実施する除去装置は、ベース１上に設けられる基板保持部２と、この基板保持部２を中心として対向位置に配置される一対の除去ユニット１０，１０から構成される。基板保持部２は、基板Ｗの下面を固定する真空チャック３とこの真空チャック３を回転せしめる軸４とからなる。なお、基板Ｗとしてはガラス基板や半導体ウェーハなどが挙げられる。
【００２６】
一方、前記一対の除去ユニット１０，１０は、ベース１上に設けたレール５に沿って、基板保持部２に対して互いに接近及び離反する方向に移動可能とされている。この除去ユニット１０は、水平方向に伸びるケース１１内に空胴部１２を形成し、この空胴部１２内を配管１３を介して吸引装置につなげている。
【００２７】
前記空胴部１２内には洗浄部材１４を配置し、この洗浄部材１４には溶剤貯留部１４ａを設けている。この溶剤貯留部１４ａは、溶剤供給源につながる供給孔１５、側方に開口するスリット１６及びオーバーフロー孔１７を備えている。
したがって、吸引装置を駆動することによって、溶剤貯留部１４ａ内の過剰なレジスト洗浄除去用溶剤は、オーバーフロー孔１７、空胴部１２を経て排出される。
【００２８】
ここで、前記スリット１６の上下方向の寸法は、表面張力によってスリット１６内側に溜まったレジスト洗浄除去用溶剤がそのまま保持される寸法、具体的には基板Ｗを挿入した状態で基板Ｗの上面とスリット１６上端、基板Ｗの下面とスリット１６下端との間隔は、使用するレジスト洗浄除去用溶剤の表面張力値に基づき適宜設定すればよいが、通常はそれぞれ１ｍｍ以下になるよう設定する。
また、スリット１６の横方向寸法は、挿入する基板Ｗの長辺の寸法よりもやや大きく設定する。
【００２９】
更に、溶剤貯留部１４ａのスリット１６を形成する下エッジ部１８は、上エッジ部１９よりも前方に突出し、これにより、基板Ｗの接液領域が上面よりも下面（裏面）において広くなるようにしている。
【００３０】
一方、前記ケース１１の基板Ｗと対向する側は、スリット２０にて上部厚肉部２１と下部厚肉部２２に分けられ、これら厚肉部２１，２２にスリット２０に開口するＮ₂、Ｏ₂或いはエア等を前記スリット１６側斜め方向に向けて噴出するノズル孔２３及び純水などのリンス液を前記スリット１６側斜め方向に向けて噴出するノズル孔２４を穿設している。
なお、接液領域が上面よりも下面が広いので、ノズル孔２３，２４も下部厚肉部２２に設けるノズル孔の方を上部厚肉部２１に設けるノズル孔に比べて基板Ｗの端縁から離れるようにずらせて穿設している。
【００３１】
以上において、基板Ｗの端縁に付着したレジスト膜等の付着物をレジスト洗浄除去用溶剤によって溶解除去するには、一対の除去ユニット１０，１０を最も離間させ、この状態で基板Ｗの中央下面を真空チャック３にて保持し、除去ユニット１０のスリット２０と基板Ｗの一辺とが平行になるようにする。
【００３２】
次いで、一対の除去ユニット１０，１０を基板Ｗに接近する方向に移動せしめる。すると、除去ユニット１０のスリット２０及び溶剤貯留部１４ａのスリット１６を介して、基板Ｗの左右の辺の端縁が溶剤貯留部１４ａ内に入り込む。
このとき、溶剤貯留部１４ａ内には予めレジスト洗浄除去用溶剤を満たしておいてもよいが、溶剤貯留部１４ａ内に基板Ｗを挿入せしめた後にレジスト洗浄除去用溶剤を満たすようにしてもよい。
【００３３】
溶剤貯留部１４ａ内に基板Ｗの端縁を挿入した後、所定時間（１〜１５秒）浸漬し、基板Ｗの端縁に付着したレジスト膜を溶解せしめた後、前記とは逆方向に一対の除去ユニット１０，１０を移動し、基板Ｗを溶剤貯留部１４ａ内から引き抜く。
そして、この時ノズル孔２３，２４からガス及び純水を基板Ｗの端縁に噴出することで、端縁の残渣を除去して洗浄するとともに軽く乾燥する。
【００３４】
なお、上記の除去を行うにあたり、除去ユニット１０または基板Ｗを振動させてもよい。このようにすることで、レジスト膜の溶解が進行し且つノズル孔２３，２４から噴出するガス及び純水が基板Ｗ端縁に均一に当たる。
【００３５】
以上のようにして、基板の対向する２辺を同時に除去したならば、基板保持部２のチャック３を回転し、基板Ｗの向きを９０°変更する。そして、この後前記と同様の操作によって残りの２辺を同時に除去する。
【００３６】
以上の操作によって図５（ｃ）に示すように、基板Ｗ端縁の上面及び下面は勿論のこと基板端縁の厚み方向外端部についても十分に付着物を除去することができる。
【００３７】
図６は、基板として半導体ウェーハＷの端縁部の被膜を除去している状態の全体斜視図であり、半導体ウェーハＷは円板状をなすとともに位置決め等に利用するための直線状切欠部（オリエンテーションフラット）Ｗoをその一部に形成している。
【００３８】
上記の半導体ウェーハＷの外端縁の被膜を除去するには、除去ユニット１０としては、一側のみに配置し、除去ユニット１０に形成するスリット２０の長さは切欠部Ｗoよりも若干長ければ足りる。そして、被膜を除去するにあたっては、除去ユニット１０を半導体ウェーハＷに向かって水平方向に前進させ、除去ユニット１０の溶剤貯留部に半導体ウェーハＷの直線状の切欠部Ｗoの端縁を進入させレジスト洗浄除去用溶剤中に端縁を所定時間浸漬して被膜を除去した後、半導体ウェーハＷをその場でゆっくり回転させるとともに除去ユニット１０を水平方向外側に後退せしめ、常に半導体ウェーハＷの円弧状外端部が溶剤貯留部に浸漬した状態で被膜の除去を行う。
【００３９】
なお、半導体ウェーハＷの外端縁の被膜を除去するにあたっては、どの位置から除去を開始するかは任意であり、また溶剤貯留部の形状を変えるようにしてもよい。
【００４０】
図７は、除去ユニット１０を一側のみに配置してガラス基板の端縁部の被膜を除去している状態の全体斜視図であり、図１に示した装置に比べて被膜除去に要する時間はかかるが、装置自体の機構は簡略化される。
【００４１】
図８乃至図１０は、超音波による振動を更に組み合わせた例を示すものであり、図８に示す実施例にあっては、超音波振動子３０を洗浄部材１４の溶剤貯留部１４ａ内に直接挿入し、図９に示す実施例にあっては、超音波振動子３０を洗浄部材１４に埋設し、洗浄部材１４を介して溶剤貯留部１４ａ内の溶剤を振動させるようにし、更に図１０に示す実施例にあっては、ガラス基板や半導体ウェーハＷを吸着保持する真空チャック３に超音波振動子３０を取り付けるようにしている。なお、図示はしないが、除去ユニット１０或いはベース１を振動させることも可能である。
【００４２】
また、本発明で使用するレジスト洗浄除去用溶剤は、人体に対する安全性が高く、短時間で塗布後のレジストの不要部分を溶解除去することができ、界面付近のレジストの盛り上がりがなく垂直なレジスト断面を形成でき、レジスト残渣が生じない良好な洗浄性を有し、更に乾燥性に優れるという利点を有する。
【００４３】
本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法の性能評価は、洗浄除去性（レジスト残渣の有無）、除去後のレジスト断面形状及び乾燥性について、以下の方法により行った。
【００４４】
（１）洗浄除去性（レジスト残渣の有無）；
クロム層を有する角ガラス基板（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）上にキノンジアジド基含有化合物とクレゾールノボラック樹脂を含むポジ型レジスト（東京応化工業株式会社製、ＯＦＰＲＰＲ−１１）を塗布法により乾燥膜厚が１．１μｍになるように塗布した後、減圧乾燥にて乾燥させ、レジスト塗膜が形成された基材を作製する。
次いで、本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法により、溶剤貯留部に供給されたレジスト洗浄除去用溶剤で基材を８秒間処理した後、排気し乾燥させる。そして、レジスト膜不要部分の除去状態を目視により観察し、完全に除去されているものをＡ、わずかながらレジスト残渣が生じているものをＢ、多数のレジスト残渣が生じているものをＣと評価した。
【００４５】
（２）除去後のレジスト断面形状；
洗浄除去性を調べて、不要部分が完全に除去されているものについて、レジスト膜が除去された断面を触針式段差測定器（日本真空技術式会社製、商品名ＤＥＫＴＡＫ）により測定し、界面付近のレジストの盛り上がりがないものをＡ、盛り上がりが生じているものをＢと評価した。
【００４６】
（３）乾燥性；
本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法により、溶剤貯留部に供給されたレジスト洗浄除去用溶剤で洗浄処理した後、除去部分を目視により観察し、溶剤の残りが認められないものをＡ、溶剤の残りが認められるものをＢと評価した。
【００４７】
表１に、種々に調製したレジスト洗浄除去用溶剤を使用して本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法を実施した場合の上記各性能について、実施例１〜４及び比較例１、２の結果を示す。
【００４８】
【表１】

【００４９】
次に、上記（１）洗浄除去性において、角ガラス基板をクロム層を有しない角ガラス基板（４００×５００ｍｍ）に代え、ポジ型レジストをカラーフィルタ形成用の顔料を含む光重合性ネガ型レジスト（富士ハントエレクトロニクステクノロジー株式会社製、ＣＯＬＯＲＭＯＳＡＩＣＣＢ−６０１１Ｌ）とし、乾燥膜厚を２．０μｍになるようにした以外は、（１）とほぼ同様にしてレジスト膜が形成された基材を作製した。
次いで、本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法により、溶剤貯留部に供給された表２に示す組成のレジスト洗浄除去用溶剤で基材を５秒間処理した。そして、レジスト膜不要部分の除去状態を上記（１）洗浄除去性と同様に評価した。また、上記（２）除去後のレジスト断面形状についても、同様に評価した。
この結果を実施例５〜９として表２に示す。
【００５０】
【表２】

【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、所定のレジスト洗浄除去用溶剤を用いることにより人体に対する安全性が高く、短時間で塗布後のレジストの不要部分を溶解除去することができ、界面付近のレジストの盛り上がりがなく垂直なレジスト断面を形成でき、レジスト残渣が生じない良好な洗浄性を有し、更に乾燥性に優れるという利点を有する。
【００５２】
更に、該溶剤を満たした溶剤貯留部に水平方向から相対的に基板の端縁を挿入し、溶剤貯留部内において、基板の端縁に付着したレジスト膜等を溶剤で溶かして除去するようにしたので、使用する溶剤の使用量が必要最小限で済み、極めて経済的である。具体的には６００×６００ｍｍの基板の一辺を除去するのに、従来方法では２００〜３００ｃｃの溶剤を使用していたが、本発明によれば２０〜５０ｃｃで足りた。
【００５３】
また、基板の水平状態を維持したまま除去を行うため、前後の工程との連結がスムーズに行え、連続した処理ラインの中に組み込むことが可能となる。
【００５４】
また、従来にあっては除去しにくかった厚み方向外端部の付着物についても確実に除去することができるので、パーティクルの発生を大幅に低減でき、歩留まりを向上させることができる。
【００５５】
また、除去中に基板または溶剤貯留部を振動させることで、レジスト膜の溶解が速まるとともに、ガスや純水の噴出を組み合わせれば、リンスと乾燥とをすることができる。
【００５６】
また、溶剤貯留部に形成されたスリットの長さを基板の長辺よりも長くし、基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部を中心として、除去ユニットを一対配置することで、効率よく矩形状の基板端部被膜を除去することができる。
【００５７】
また、除去ユニットの進退動と基板の回転とを関連づけることで、外周の一部に直線状切欠を有する半導体ウェーハであっても効率よく外端縁全周の被膜を除去することができる。
【００５８】
更に、超音波振動子等によってレジスト洗浄除去用溶剤、洗浄部材或いは基板を振動させつつ洗浄するようにすれば、更に洗浄効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板端縁部被膜の除去方法を実施する除去装置の全体斜視図
【図２】除去装置を構成する除去ユニットに基板を挿入したときの縦断面図
【図３】除去装置を構成する除去ユニットから基板を引き抜いた後の縦断面図
【図４】図２のＡ−Ａ線に沿った除去ユニットの平断面図
【図５】（ａ）は除去前の基板端縁の状態を示す図、（ｂ）は基板端縁の一部にレジスト膜が残った状態を示す図、（ｃ）は本発明によって除去した基板端縁の状態を示す図
【図６】除去装置を用いて半導体ウェーハの端縁部の被膜を除去している状態を示す全体斜視図
【図７】一側にのみ除去ユニットを配置してガラス基板の端縁部の被膜を除去している状態を示す全体斜視図
【図８】超音波振動子を取り付けた洗浄部材の斜視図
【図９】超音波振動子を取り付けた洗浄部材の別実施例を示す斜視図
【図１０】超音波振動子を取り付けたチャックを示す図
【符号の説明】
２…基板保持部、３…真空チャック、１０…除去ユニット、１１…ケース、１２…空胴部、１４…洗浄部材、１４ａ…溶剤貯留部、１５…溶剤供給孔、１６，２０…スリット、１７…オーバーフロー孔、２３，２４…ノズル孔、３０…超音波振動子、Ｗ…基板。

Claims

アルコール類、グリコールエーテル類及び非プロトン性極性溶媒の中から選ばれる少なくとも一種の水溶性有機溶剤とアルカノールアミン類、環状窒素化合物及び第四級アンモニウム塩の中から選ばれる少なくとも一種のアルカリを水に溶解したアルカリ水溶液からなるレジスト洗浄除去用溶剤を予め満たした溶剤貯留部に、基板の端縁を水平方向から挿入した後、溶剤貯留部内の前記レジスト洗浄除去用溶剤中に基板の端縁を所定時間浸漬して基板端縁の余分な付着物を溶解除去するようにしたことを特徴とする基板端縁部被膜の除去方法。
アルカリ水溶液における水溶性有機溶剤がメチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの中から選ばれる少なくとも一種であり、かつアルカリがモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−ヒドロキシエチルピリジン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの中から選ばれる少なくとも一種である請求項１記載の基板端縁部被膜の除去方法。
アルコール類、グリコールエーテル類及び非プロトン性極性溶媒の中から選ばれる少なくとも一種の水溶性有機溶剤とアルカノールアミン類、環状窒素化合物及び第四級アンモニウム塩の中から選ばれる少なくとも一種のアルカリを水に溶解したアルカリ水溶液からなるレジスト洗浄除去用溶剤を満たす前の溶剤貯留部に、基板の端縁を水平方向から挿入した後、溶剤貯留部に前記レジスト洗浄除去用溶剤を満たし、次いで溶剤貯留部内の前記レジスト洗浄除去用溶剤中に基板の端縁を所定時間浸漬して基板端縁の余分な付着物を溶解除去するようにしたことを特徴とする基板端縁部被膜の除去方法。
アルカリ水溶液における水溶性有機溶剤がメチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの中から選ばれる少なくとも一種であり、かつアルカリがモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−ヒドロキシエチルピリジン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの中から選ばれる少なくとも一種である請求項３記載の基板端縁部被膜の除去方法。
請求項１乃至４記載の基板端縁部被膜の除去方法において、被膜の除去中には前記レジスト洗浄除去用溶剤、溶剤貯留部または基板を振動させることを特徴とする基板端縁部被膜の除去方法。
請求項１乃至請求項５に記載の基板端縁部被膜の除去方法において、前記基板は矩形状をなし、この矩形状基板の一辺または対向する二辺の端縁を溶剤貯留部に水平方向から挿入して端縁の余分な付着物を除去するようにしたことを特徴とする基板端縁部被膜の除去方法。
請求項１乃至請求項５に記載の基板端縁部被膜の除去方法において、前記基板は円板の外周の一部に直線状の切欠部を有する形状をなし、この基板の外端縁部の被膜を除去するにあたり、基板はその場で回転させ、溶剤貯留部は直線状の切欠部を含む基板の外端縁に応じて基板に対して水平方向に進退動させるようにしたことを特徴とする基板端縁部被膜の除去方法。