JPH053139A - 投影露光装置のステージのクリーニング方法 - Google Patents
投影露光装置のステージのクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH053139A JPH053139A JP3150276A JP15027691A JPH053139A JP H053139 A JPH053139 A JP H053139A JP 3150276 A JP3150276 A JP 3150276A JP 15027691 A JP15027691 A JP 15027691A JP H053139 A JPH053139 A JP H053139A
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- JP
- Japan
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- bonding
- stage
- vacuum
- foreign matter
- specimen stage
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 投影露光装置の試料ステージの表面に付着し
ている異物を確実に除去し、光像の焦点ずれ等による投
影露光工程での不良発生率を低下させることのできるク
リーニング方法を提供する。 【構成】 試料ステージの表面に、真空吸引面を接近さ
せ、あるいは接着面を接触させることにより、ステージ
表面の異物を吸引または接着することでステージ上から
上方に取り去るようにし、異物の再付着ないしは別の異
物の付着を防止する。
ている異物を確実に除去し、光像の焦点ずれ等による投
影露光工程での不良発生率を低下させることのできるク
リーニング方法を提供する。 【構成】 試料ステージの表面に、真空吸引面を接近さ
せ、あるいは接着面を接触させることにより、ステージ
表面の異物を吸引または接着することでステージ上から
上方に取り去るようにし、異物の再付着ないしは別の異
物の付着を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は半導体装置の製造時に
使用される投影露光装置の試料ステージ表面のクリーニ
ング方法に関する。
使用される投影露光装置の試料ステージ表面のクリーニ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 半導体装置の製造工程における投影露
光装置では、図４に示すように、試料ステージ４１の上
に、表面に感光性樹脂を塗布したウェハＷを載せて真空
吸着した状態で、露光光学系４２から光を照射すること
によりウェハＷの表面に所望の光像を結像させる。この
ような装置において、図５に要部拡大図を示すように、
試料ステージ４１上に異物Ｓが付着していると、その部
分においてウェハＷの表面に結像すべき光像の焦点ずれ
を誘起し、半導体装置の製造不良の原因となる。
光装置では、図４に示すように、試料ステージ４１の上
に、表面に感光性樹脂を塗布したウェハＷを載せて真空
吸着した状態で、露光光学系４２から光を照射すること
によりウェハＷの表面に所望の光像を結像させる。この
ような装置において、図５に要部拡大図を示すように、
試料ステージ４１上に異物Ｓが付着していると、その部
分においてウェハＷの表面に結像すべき光像の焦点ずれ
を誘起し、半導体装置の製造不良の原因となる。
【０００３】そこで従来、試料ステージ４１上に異物Ｓ
の付着が見られた場合、有機溶剤等を含ませた布で試料
ステージ４１の表面を拭くことが行われている。
の付着が見られた場合、有機溶剤等を含ませた布で試料
ステージ４１の表面を拭くことが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 以上のような従来の
クリーニング方法では、異物を除去することはおろか、
逆に布に付着している別の異物を試料ステージ４１上に
更に付着させる可能性があり、根本的な対策とはなって
いないのが実情である。本発明はこのような点に鑑みて
なされたもので、投影露光装置の試料のステージの表面
に付着している異物を確実に除去することができ、ひい
ては半導体製造工程における歩留りを向上させることの
できる方法の提供を目的としている。
クリーニング方法では、異物を除去することはおろか、
逆に布に付着している別の異物を試料ステージ４１上に
更に付着させる可能性があり、根本的な対策とはなって
いないのが実情である。本発明はこのような点に鑑みて
なされたもので、投影露光装置の試料のステージの表面
に付着している異物を確実に除去することができ、ひい
ては半導体製造工程における歩留りを向上させることの
できる方法の提供を目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 上記の目的を達成する
ため、本発明のクリーニング方法は、試料ステージの表
面に、真空吸引面または接着面を接近または接触させる
ことにより、試料ステージ表面の異物を真空吸引し、ま
たは接着面に接着させて上方に取り去ることによって特
徴付けられる。
ため、本発明のクリーニング方法は、試料ステージの表
面に、真空吸引面または接着面を接近または接触させる
ことにより、試料ステージ表面の異物を真空吸引し、ま
たは接着面に接着させて上方に取り去ることによって特
徴付けられる。
【０００６】
【作用】 試料ステージの表面に真空吸引面を接近させ
ると、このステージ上の異物は真空吸引により上方に取
り去られる。また、試料ステージの表面に接着シート等
の接着面を接触させると、このステージ上の異物は接着
面側に接着するので、これを上方に持ち上げることによ
り異物はステージ上から取り去られる。
ると、このステージ上の異物は真空吸引により上方に取
り去られる。また、試料ステージの表面に接着シート等
の接着面を接触させると、このステージ上の異物は接着
面側に接着するので、これを上方に持ち上げることによ
り異物はステージ上から取り去られる。
【０００７】このような方法により異物の除去が容易化
されると同時に、この異物除去作業時において試料ステ
ージに別の異物を更に付着させる恐れがない。
されると同時に、この異物除去作業時において試料ステ
ージに別の異物を更に付着させる恐れがない。
【０００８】
【実施例】 図１は本発明の第１実施例の説明図であ
る。この例においては、真空吸引式クリーニング装置１
を用いる場合の例を示している。すなわち、真空吸引式
クリーニング装置１は、真空ポンプ（図示せず）に連通
する真空排気管１１の先端に、試料ステージ４１の表面
とほぼ同一の形状および面積を持つ吸引プレート１２を
設け、この吸引プレート１２には、図２（Ａ）または
（Ｂ）に例示するように、それぞれが真空排気管１１に
連通する吸引用の孔１３または溝１４等を形成してい
る。
る。この例においては、真空吸引式クリーニング装置１
を用いる場合の例を示している。すなわち、真空吸引式
クリーニング装置１は、真空ポンプ（図示せず）に連通
する真空排気管１１の先端に、試料ステージ４１の表面
とほぼ同一の形状および面積を持つ吸引プレート１２を
設け、この吸引プレート１２には、図２（Ａ）または
（Ｂ）に例示するように、それぞれが真空排気管１１に
連通する吸引用の孔１３または溝１４等を形成してい
る。
【０００９】このような真空吸引式クリーニング装置１
の吸引プレート１２を試料ステージ４１に接近させるこ
とにより、試料ステージ４１の表面に存在する異物Ｓ・・
Ｓは吸引用孔１３または吸引用溝１４を介して上方に吸
引されてステージ４１上から除去される。この例におい
ては、吸引プレート１２を試料ステージ４１の表面に接
触させないので、異物除去作業において別の異物がステ
ージ４１に付着する恐れはない。
の吸引プレート１２を試料ステージ４１に接近させるこ
とにより、試料ステージ４１の表面に存在する異物Ｓ・・
Ｓは吸引用孔１３または吸引用溝１４を介して上方に吸
引されてステージ４１上から除去される。この例におい
ては、吸引プレート１２を試料ステージ４１の表面に接
触させないので、異物除去作業において別の異物がステ
ージ４１に付着する恐れはない。
【００１０】図２は本発明の第２実施例の説明図であ
る。この例は接着式クリーニング装置２を用いる場合の
例を示している。接着式クリーニング装置２は、試料ス
テージ４１とほぼ同等の形状および面積を持つ接着プレ
ート２１に把手２２を設けたもので、接着プレート２１
の表面には全面に接着シート２３が貼り付けられてお
り、この面が接着面を形成している。
る。この例は接着式クリーニング装置２を用いる場合の
例を示している。接着式クリーニング装置２は、試料ス
テージ４１とほぼ同等の形状および面積を持つ接着プレ
ート２１に把手２２を設けたもので、接着プレート２１
の表面には全面に接着シート２３が貼り付けられてお
り、この面が接着面を形成している。
【００１１】このような接着式クリーニング装置２の接
着プレート２１の接着面を、試料ステージ４１の表面に
接触させることにより、試料ステージ４１の表面に存在
する異物は接着面に接着するので、その後で接着プレー
ト２１を上方に持ち上げることにより異物は簡単に除去
される。以上の各実施例は、従来の有機溶媒を浸透させ
た布による拭き取りに代えるか、あるいはより好ましく
は、まず有機溶媒を浸透させた布による拭き取りの後で
実施することにより、異物の除去性が向上するととも
に、再付着や別の異物の付着の恐れが無くなり、より確
実なクリーニングを行うことができる。
着プレート２１の接着面を、試料ステージ４１の表面に
接触させることにより、試料ステージ４１の表面に存在
する異物は接着面に接着するので、その後で接着プレー
ト２１を上方に持ち上げることにより異物は簡単に除去
される。以上の各実施例は、従来の有機溶媒を浸透させ
た布による拭き取りに代えるか、あるいはより好ましく
は、まず有機溶媒を浸透させた布による拭き取りの後で
実施することにより、異物の除去性が向上するととも
に、再付着や別の異物の付着の恐れが無くなり、より確
実なクリーニングを行うことができる。
【００１２】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれ
ば、投影露光装置の試料ステージに付着している異物
を、真空吸引または接着により除去するので、従来の有
機溶媒を含ませた布による拭き取りに比べて、異物の除
去性が向上するばかりでなく、異物の再付着や別の異物
の付着の恐れが無くなり、試料ステージを確実にクリー
ニングすることが可能となる。また、従来の有機溶媒を
含ませた布による拭き取りの後に、本発明を適用すれ
ば、より確実な異物の除去を行うことが可能となる。
ば、投影露光装置の試料ステージに付着している異物
を、真空吸引または接着により除去するので、従来の有
機溶媒を含ませた布による拭き取りに比べて、異物の除
去性が向上するばかりでなく、異物の再付着や別の異物
の付着の恐れが無くなり、試料ステージを確実にクリー
ニングすることが可能となる。また、従来の有機溶媒を
含ませた布による拭き取りの後に、本発明を適用すれ
ば、より確実な異物の除去を行うことが可能となる。
【００１３】以上の結果、投影露光装置の試料ステージ
には従来に比して異物の存在確率が少なくなり、投影露
光工程における光像の焦点ずれが減少し、半導体の製造
歩留りが向上する。
には従来に比して異物の存在確率が少なくなり、投影露
光工程における光像の焦点ずれが減少し、半導体の製造
歩留りが向上する。
【図１】 本発明の第１実施例の説明図
【図２】 その吸引プレート１２の正面図で示す構成例
の説明図
の説明図
【図３】 本発明の第２実施例の説明図
【図４】 投影露光装置の構成例を示す要部正面図
【図５】 その試料ステージ４１近傍の拡大図で示す異
物による不良発生例の説明図
物による不良発生例の説明図
【符号の説明】 １・・・・真空吸引式クリーニング装置 １１・・・・真空排気管 １２・・・・吸引プレート １３・・・・吸引用孔 １４・・・・吸引用溝 ２・・・・接着式クリーニング装置 ２１・・・・接着プレート ２２・・・・把手 ２３・・・・接着シート ４１・・・・試料ステージ Ｗ・・・・ウェハ Ｓ・・・・異物
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 投影露光装置で被処理基板を載置すべき
ステージの表面をクリーニングする方法において、ステ
ージの表面に、真空吸引面または接着面を接近または接
触させることにより、ステージ表面の異物を吸引または
接着面に接着させて上方に取り去ることを特徴とする投
影露光装置のステージのクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150276A JPH053139A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 投影露光装置のステージのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150276A JPH053139A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 投影露光装置のステージのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053139A true JPH053139A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15493428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3150276A Pending JPH053139A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 投影露光装置のステージのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053139A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009283987A (ja) * | 2004-12-07 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | センサー・シールド |
| CN102161026A (zh) * | 2010-02-24 | 2011-08-24 | 东京毅力科创株式会社 | 基板输送装置 |
| JP2012142583A (ja) * | 2012-02-15 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| US11016401B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-05-25 | Asml Holding N.V. | Substrates and methods of using those substrates |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3150276A patent/JPH053139A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009283987A (ja) * | 2004-12-07 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | センサー・シールド |
| CN102161026A (zh) * | 2010-02-24 | 2011-08-24 | 东京毅力科创株式会社 | 基板输送装置 |
| JP2011176086A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| TWI475595B (zh) * | 2010-02-24 | 2015-03-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板運送裝置 |
| JP2012142583A (ja) * | 2012-02-15 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| US11016401B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-05-25 | Asml Holding N.V. | Substrates and methods of using those substrates |
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