JPH06260464A - 異物除去方法および除去装置 - Google Patents
異物除去方法および除去装置Info
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- JPH06260464A JPH06260464A JP4786593A JP4786593A JPH06260464A JP H06260464 A JPH06260464 A JP H06260464A JP 4786593 A JP4786593 A JP 4786593A JP 4786593 A JP4786593 A JP 4786593A JP H06260464 A JPH06260464 A JP H06260464A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置等の製造プロセスにおけ
る半導体ウエハやフォトマスク等上の異物を確実に除去
する。 【構成】 洗浄を施したマスク１に、レーザ光４ａを照
射し、センサ７により付着異物を検出し、粘着材を一定
量吐出した粘着材ヘッド２４を前記センサ７によって検
出した位置に移動させ、異物付着箇所周辺のみに、前記
粘着材ヘッド２４を圧接し、その後、引き上げることに
よって、異物を除去し、半導体素子の回路パターンの欠
陥等を防止する。
る半導体ウエハやフォトマスク等上の異物を確実に除去
する。 【構成】 洗浄を施したマスク１に、レーザ光４ａを照
射し、センサ７により付着異物を検出し、粘着材を一定
量吐出した粘着材ヘッド２４を前記センサ７によって検
出した位置に移動させ、異物付着箇所周辺のみに、前記
粘着材ヘッド２４を圧接し、その後、引き上げることに
よって、異物を除去し、半導体素子の回路パターンの欠
陥等を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、異物除去技術に関し、
特に、半導体集積回路等の製造工程におけるフォトマス
クや半導体ウエハ上の異物除去に適用して有効な技術に
関するものである。
特に、半導体集積回路等の製造工程におけるフォトマス
クや半導体ウエハ上の異物除去に適用して有効な技術に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子の微細パターン転写
工程においては、高集積化が進み、マスク上の回路パタ
ーンを半導体ウエハに転写するフォトリソグラフィ工程
での付着異物は、ウエハに欠陥として転写されるので、
その付着異物の寸法はサブμｍオーダになっており、特
に管理がきびしくなっている。
工程においては、高集積化が進み、マスク上の回路パタ
ーンを半導体ウエハに転写するフォトリソグラフィ工程
での付着異物は、ウエハに欠陥として転写されるので、
その付着異物の寸法はサブμｍオーダになっており、特
に管理がきびしくなっている。
【０００３】このため、酸、アルカリ、アルコール等の
化学洗浄や超音波、高圧水等による物理洗浄等を組み合
わせて種々の方式の洗浄が行われている。
化学洗浄や超音波、高圧水等による物理洗浄等を組み合
わせて種々の方式の洗浄が行われている。
【０００４】また、マスク上やウエハ上の付着異物は、
回路パターンの微細化にともない、より微細な異物まで
検出することが要求されており、マスク表面やウエハ表
面にレーザ光線を照射し、その散乱光や反射光を検出す
る方法によって、0.２μｍ程度の大きさの付着異物まで
検出可能となっている。
回路パターンの微細化にともない、より微細な異物まで
検出することが要求されており、マスク表面やウエハ表
面にレーザ光線を照射し、その散乱光や反射光を検出す
る方法によって、0.２μｍ程度の大きさの付着異物まで
検出可能となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体ウエ
ハやマスクを洗浄する場合、１μｍ〜0.２μｍ程度まで
の微細異物を除去することに最適化が図られているた
め、半導体プロセスにおいて、半導体ウエハの搬送やオ
ペレータによるハンドリング等によって、寸法の比較的
大きな異物が試料上に付着してしまう。
ハやマスクを洗浄する場合、１μｍ〜0.２μｍ程度まで
の微細異物を除去することに最適化が図られているた
め、半導体プロセスにおいて、半導体ウエハの搬送やオ
ペレータによるハンドリング等によって、寸法の比較的
大きな異物が試料上に付着してしまう。
【０００６】また、比較的大きな異物を除去する方法と
して、フィルタを通した空気を半導体ウエハやマスクに
圧噴する方法があるが、この場合、フィルタを通過した
微小異物を試料に多量に付着させてしまうことになる。
して、フィルタを通した空気を半導体ウエハやマスクに
圧噴する方法があるが、この場合、フィルタを通過した
微小異物を試料に多量に付着させてしまうことになる。
【０００７】さらに、比較的大きな異物の洗浄工程で
は、前記マスクを硫酸洗浄すると、硫酸中に溶けている
微小異物がマスクに付着する恐れがある。
は、前記マスクを硫酸洗浄すると、硫酸中に溶けている
微小異物がマスクに付着する恐れがある。
【０００８】これらのことより、半導体ウエハやマスク
の洗浄においては、問題となる付着異物の寸法によっ
て、洗浄方法を変える必要がある。
の洗浄においては、問題となる付着異物の寸法によっ
て、洗浄方法を変える必要がある。
【０００９】本発明の目的は、半導体ウエハおよびマス
クに付着した異物を除去できる洗浄技術を提供すること
にある。
クに付着した異物を除去できる洗浄技術を提供すること
にある。
【００１０】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明の異物除去方法は、粘着
材を吐出するプローブを使用し、前記プローブ先端の粘
着材吐出口にジェット気流状の気体を印加することによ
って、前記粘着材を引き出し、前記プローブを試料上の
異物付着箇所に移動させ、その後、前記異物付着箇所に
前記プローブ先端を接触させ、前記プローブを引き上
げ、粘着材の粘性によって異物を剥離させるものであ
る。
材を吐出するプローブを使用し、前記プローブ先端の粘
着材吐出口にジェット気流状の気体を印加することによ
って、前記粘着材を引き出し、前記プローブを試料上の
異物付着箇所に移動させ、その後、前記異物付着箇所に
前記プローブ先端を接触させ、前記プローブを引き上
げ、粘着材の粘性によって異物を剥離させるものであ
る。
【００１３】また、異物除去後の前記プローブに前記ジ
ェット気流状の気体を印加することによって、異物除去
後の前記粘着材を異物と共に吹き飛ばし、それと同時
に、新しい粘着材を、前記プローブの粘着材吐出口より
引き出すこともできる。
ェット気流状の気体を印加することによって、異物除去
後の前記粘着材を異物と共に吹き飛ばし、それと同時
に、新しい粘着材を、前記プローブの粘着材吐出口より
引き出すこともできる。
【００１４】また、粘着材を吐出するプローブを試料上
の異物付着箇所周辺に移動させ、前記プローブの粘着材
吐出口より接着剤を異物付着箇所に滴下させる。その上
から前記粘着材と接着性の良い薄膜を粘着させた後、薄
膜を引き剥すことによって、粘着材と共に前記異物を剥
離させるものである。
の異物付着箇所周辺に移動させ、前記プローブの粘着材
吐出口より接着剤を異物付着箇所に滴下させる。その上
から前記粘着材と接着性の良い薄膜を粘着させた後、薄
膜を引き剥すことによって、粘着材と共に前記異物を剥
離させるものである。
【００１５】さらに、粘着材を全面に塗布した薄膜を試
料上に接触させ、異物付着箇所周辺を圧接し、その後、
薄膜を引き剥すことによって、前記異物を前記粘着材と
共に剥離させることもできる。
料上に接触させ、異物付着箇所周辺を圧接し、その後、
薄膜を引き剥すことによって、前記異物を前記粘着材と
共に剥離させることもできる。
【００１６】また、試料表面に光を照射し、その散乱光
または反射光等を検出することによって異物付着箇所を
検出し、異物除去を前記異物付着検出箇所周辺に限定し
て行うことができる。
または反射光等を検出することによって異物付着箇所を
検出し、異物除去を前記異物付着検出箇所周辺に限定し
て行うことができる。
【００１７】また、本発明の異物除去装置は、粘着材を
吐出する移動可能なプローブを備えており、また、前記
プローブの粘着材吐出口にジェット気流状の気体を印加
する機構を備え、前記プローブを異物付着箇所周辺に移
動させ、試料の異物付着箇所に粘着材を接触させた後、
前記プローブを引き上げ異物を引き剥すよう構成されて
いる。
吐出する移動可能なプローブを備えており、また、前記
プローブの粘着材吐出口にジェット気流状の気体を印加
する機構を備え、前記プローブを異物付着箇所周辺に移
動させ、試料の異物付着箇所に粘着材を接触させた後、
前記プローブを引き上げ異物を引き剥すよう構成されて
いる。
【００１８】さらに、本発明の異物除去装置は、試料表
面に光を照射することによって生じる散乱光または反射
光等を検出することにより異物付着箇所を検出する位置
情報の入力手段を備えた装置とすることができる。
面に光を照射することによって生じる散乱光または反射
光等を検出することにより異物付着箇所を検出する位置
情報の入力手段を備えた装置とすることができる。
【００１９】また、上記したこれらの試料が半導体ウエ
ハ、フォトマスク、液晶基板または光ディスクであっ
て、酸、アルカリまたは有機溶媒などを用いた化学洗浄
等を組み合わせて異物除去することもできる。
ハ、フォトマスク、液晶基板または光ディスクであっ
て、酸、アルカリまたは有機溶媒などを用いた化学洗浄
等を組み合わせて異物除去することもできる。
【００２０】
【作用】上記した本発明の異物除去方法および装置によ
れば、微細異物対応の洗浄だけを行い、大きな異物対応
の洗浄を行わなくてよく、洗浄工程が簡略化する。
れば、微細異物対応の洗浄だけを行い、大きな異物対応
の洗浄を行わなくてよく、洗浄工程が簡略化する。
【００２１】また、試料洗浄後の搬送等によって試料上
に異物付着しても容易に異物除去できる。
に異物付着しても容易に異物除去できる。
【００２２】さらに、異物付着箇所周辺のみの異物除去
であって、ウエハやマスクの全面に粘着材を圧接しない
ので、新たな異物が付着する恐れがなくなる。
であって、ウエハやマスクの全面に粘着材を圧接しない
ので、新たな異物が付着する恐れがなくなる。
【００２３】
【実施例１】図１は、本発明の実施例１による異物除去
装置の全体の構成を示す説明図、図２は、本発明の異物
除去装置の要部の構成図、図３は、本発明の異物除去方
法の処理工程を示すフローチャートである。
装置の全体の構成を示す説明図、図２は、本発明の異物
除去装置の要部の構成図、図３は、本発明の異物除去方
法の処理工程を示すフローチャートである。
【００２４】本実施例１においては、たとえば、半導体
集積回路の製造工程において、フォトリソグラフィ工程
に用いるマスクに適応したものである。
集積回路の製造工程において、フォトリソグラフィ工程
に用いるマスクに適応したものである。
【００２５】まず、図１において、マスク１には、超音
波洗浄等の物理洗浄、加熱オゾン硫酸等の化学洗浄、温
水洗浄を施す。これらの洗浄によって、マスク１の主面
上には、１μｍ程度の大きさの異物を１０個程度以下に
することができる。
波洗浄等の物理洗浄、加熱オゾン硫酸等の化学洗浄、温
水洗浄を施す。これらの洗浄によって、マスク１の主面
上には、１μｍ程度の大きさの異物を１０個程度以下に
することができる。
【００２６】次に、上記の異物付着箇所の位置を検出す
るため、マスク１の主面上を制御回路２および駆動機構
３によって移動させながら、レーザ４によってレーザ光
４ａを照射させ、その散乱光や反射光をレンズ５によっ
て収光し、反射板６によって反射した光をセンサ７によ
り検出する。
るため、マスク１の主面上を制御回路２および駆動機構
３によって移動させながら、レーザ４によってレーザ光
４ａを照射させ、その散乱光や反射光をレンズ５によっ
て収光し、反射板６によって反射した光をセンサ７によ
り検出する。
【００２７】その後、変換回路８によってデータ処理を
行い、前記データを画像メモリ９によりメモリする。こ
の時、マスク上に加工したパターンと異物とを区別する
ために、前記マスク１の主面上に同一パターンが形成さ
れている場合は、それらのパターンを相互に比較するこ
とによって、また、前記マスク１に同一パターンが形成
されていない場合は、パターンの加工データ、または、
その加工データから比較用の比較パターンを作成し、磁
気テープ１０に入力し、Ｉ／Ｏ１１、変換回路１２、画
像メモリ１３を介して比較器１４によって前記パターン
との比較を行う。
行い、前記データを画像メモリ９によりメモリする。こ
の時、マスク上に加工したパターンと異物とを区別する
ために、前記マスク１の主面上に同一パターンが形成さ
れている場合は、それらのパターンを相互に比較するこ
とによって、また、前記マスク１に同一パターンが形成
されていない場合は、パターンの加工データ、または、
その加工データから比較用の比較パターンを作成し、磁
気テープ１０に入力し、Ｉ／Ｏ１１、変換回路１２、画
像メモリ１３を介して比較器１４によって前記パターン
との比較を行う。
【００２８】次に、パターンの欠陥や試料上の異物を検
出すると、異物検出箇所の位置を、前記マスク１上に形
成した基準マークまたはマスク１の端部を基準とした座
標によって求め、この座標データ１５が通信Ｉ／Ｏ１６
により出力される。
出すると、異物検出箇所の位置を、前記マスク１上に形
成した基準マークまたはマスク１の端部を基準とした座
標によって求め、この座標データ１５が通信Ｉ／Ｏ１６
により出力される。
【００２９】これらの制御は、すべてＣＰＵ１７によっ
て行われている。また、本装置は、モニタディスプレイ
であるＶＤＴ１８や、磁気ディスク１９も有している。
て行われている。また、本装置は、モニタディスプレイ
であるＶＤＴ１８や、磁気ディスク１９も有している。
【００３０】その後、通信Ｉ／Ｏ１６によって出力され
たデータは、通信Ｉ／Ｏ２０に入力され、ＣＰＵ２１に
よって制御されている制御回路２２と駆動機構２３によ
って、粘着材ヘッド２４をマスク面に対して、上下方向
に移動させ、マスク１のＸ軸方向とＹ軸方向の平行移動
には、制御回路２５と駆動機構２６によって移動を行
う。
たデータは、通信Ｉ／Ｏ２０に入力され、ＣＰＵ２１に
よって制御されている制御回路２２と駆動機構２３によ
って、粘着材ヘッド２４をマスク面に対して、上下方向
に移動させ、マスク１のＸ軸方向とＹ軸方向の平行移動
には、制御回路２５と駆動機構２６によって移動を行
う。
【００３１】次に、図２において、プローブ先端部の粘
着材ヘッド２４より一定量吐出した粘着材２７を、窒素
または空気等をジェット気流状にした圧力流体２８によ
って直噴し、粘着材ヘッド２４に余分に吐出した粘着材
２７を除去し、前記粘着材２７を半乾燥状にさせる。こ
の粘着材２７は、あらかじめ揮発性の溶媒によって、弱
粘性化させ、前記圧力流体２８を直噴することによって
溶媒を揮発させ、粘着材２７の粘性を向上させている。
着材ヘッド２４より一定量吐出した粘着材２７を、窒素
または空気等をジェット気流状にした圧力流体２８によ
って直噴し、粘着材ヘッド２４に余分に吐出した粘着材
２７を除去し、前記粘着材２７を半乾燥状にさせる。こ
の粘着材２７は、あらかじめ揮発性の溶媒によって、弱
粘性化させ、前記圧力流体２８を直噴することによって
溶媒を揮発させ、粘着材２７の粘性を向上させている。
【００３２】そして、前記半乾燥状の粘着材２７を吐出
した粘着材ヘッド２４を、異物２９の検出箇所の位置に
移動させ、前記異物２９の付着箇所に圧接させ、次に、
粘着材ヘッド２４を引き上げる。
した粘着材ヘッド２４を、異物２９の検出箇所の位置に
移動させ、前記異物２９の付着箇所に圧接させ、次に、
粘着材ヘッド２４を引き上げる。
【００３３】その後、粘着材２７を、前記圧力流体２８
で直噴することによって粘着材ヘッド２４から吹き飛ば
し、新たに粘着材ヘッド２４より吐出した粘着材２７を
半乾燥状にさせる。
で直噴することによって粘着材ヘッド２４から吹き飛ば
し、新たに粘着材ヘッド２４より吐出した粘着材２７を
半乾燥状にさせる。
【００３４】また、前記粘着材ヘッド２４には、圧力セ
ンサ（図示せず）が設けられており、一定の圧力で粘着
材２７をマスク１の主面上に圧接することができる。
ンサ（図示せず）が設けられており、一定の圧力で粘着
材２７をマスク１の主面上に圧接することができる。
【００３５】また、粘着材２７は、図２のプローブ先端
部の粘着材ヘッド２４と粘着材２７を充填している容器
３０とをパイプ３１によって連結し、粘着材２７を充填
している容器３０に窒素ガス３２等を印加することによ
って、容器３０内の気圧とプローブ先端部の粘着材ヘッ
ド２４との気圧の圧力差によって吐出することができ
る。
部の粘着材ヘッド２４と粘着材２７を充填している容器
３０とをパイプ３１によって連結し、粘着材２７を充填
している容器３０に窒素ガス３２等を印加することによ
って、容器３０内の気圧とプローブ先端部の粘着材ヘッ
ド２４との気圧の圧力差によって吐出することができ
る。
【００３６】さらに、加温した前記窒素または空気等を
ジェット気流状にした圧力流体２８を、粘着材ヘッド２
４に吐出した粘着材２７に直噴することによって、粘着
材ヘッド２４の粘着材２７の形状を球状３３にし、異物
２９に圧接することもできる。
ジェット気流状にした圧力流体２８を、粘着材ヘッド２
４に吐出した粘着材２７に直噴することによって、粘着
材ヘッド２４の粘着材２７の形状を球状３３にし、異物
２９に圧接することもできる。
【００３７】次に、これらの工程は、図３に示すよう
に、洗浄工程３４、外観検査工程３５、検出異物座標デ
ータ出力工程３６、プローブの先端部の粘着材ヘッド２
４から粘着材２７を吐出し、粘着材ヘッド２４に吐出し
た粘着材２７をマスク１の異物付着箇所に圧着させる異
物除去工程３７、異物除去後に粘着材２７を剥離させる
剥離工程３８からなっている。
に、洗浄工程３４、外観検査工程３５、検出異物座標デ
ータ出力工程３６、プローブの先端部の粘着材ヘッド２
４から粘着材２７を吐出し、粘着材ヘッド２４に吐出し
た粘着材２７をマスク１の異物付着箇所に圧着させる異
物除去工程３７、異物除去後に粘着材２７を剥離させる
剥離工程３８からなっている。
【００３８】これにより、マスク１の主面上の異物は除
去され、しかもその異物は、異物付着箇所周辺だけの除
去であるので、異物が付着していない他の箇所に異物を
つけてしまうことがなくなる。
去され、しかもその異物は、異物付着箇所周辺だけの除
去であるので、異物が付着していない他の箇所に異物を
つけてしまうことがなくなる。
【００３９】
【実施例２】図４は、本発明の実施例２による異物除去
方法の要部の構成を示す断面図である。
方法の要部の構成を示す断面図である。
【００４０】異物付着箇所を検出機構により検出した
後、検出箇所に、前記粘着材ヘッド２４を移動させ、揮
発性の溶媒によって弱粘性化した粘着材２７をマスク１
の主面上の異物２９の付着箇所に滴下させる。
後、検出箇所に、前記粘着材ヘッド２４を移動させ、揮
発性の溶媒によって弱粘性化した粘着材２７をマスク１
の主面上の異物２９の付着箇所に滴下させる。
【００４１】その後、前記粘着材２７と接着性のよい薄
膜３９を乗せ、前記粘着材２７と前記薄膜３９とを粘着
させ、その後、前記薄膜３９を剥離することによって、
粘着材２７と異物２９を同時に除去する。
膜３９を乗せ、前記粘着材２７と前記薄膜３９とを粘着
させ、その後、前記薄膜３９を剥離することによって、
粘着材２７と異物２９を同時に除去する。
【００４２】また、薄膜３９は、その薄膜３９自体が異
物を生じないものとすることが必要である。
物を生じないものとすることが必要である。
【００４３】なお、粘着材２７と薄膜３９の粘着時に、
薄膜３９の上面より、空気または窒素ガスなどの圧力流
体２８を加温して、直噴することによって、粘着材２７
の乾燥を早め、異物除去の効率を上げることもできる。
薄膜３９の上面より、空気または窒素ガスなどの圧力流
体２８を加温して、直噴することによって、粘着材２７
の乾燥を早め、異物除去の効率を上げることもできる。
【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
施例に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
【００４５】たとえば、異物除去の試料については、前
記実施例以外のものでもよく、プリント基板や光ディス
ク等の基板に用いてもよい。
記実施例以外のものでもよく、プリント基板や光ディス
ク等の基板に用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】本発明によって開示される発明のうち、
代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。
代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。
【００４７】すなわち、化学洗浄や物理洗浄等で除去で
きない半導体ウエハやフォトマスクなどに付着した異物
を、効率よく除去できることにより、半導体素子の回路
パターンの欠陥等がなくなり、半導体集積回路の信頼性
が向上し、生産性も向上する。
きない半導体ウエハやフォトマスクなどに付着した異物
を、効率よく除去できることにより、半導体素子の回路
パターンの欠陥等がなくなり、半導体集積回路の信頼性
が向上し、生産性も向上する。
【図１】本発明の実施例１による異物除去装置の全体の
構成を示す説明図である。
構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施例１による異物除去装置の要部の
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の実施例１による異物除去方法の処理工
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施例２による異物除去方法の要部の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
１ マスク ２ 制御回路 ３ 駆動機構 ４ レーザ ４ａ レーザ光 ５ レンズ ６ 反射板 ７ センサ ８ 変換回路 ９ 画像メモリ １０ 磁気テープ １１ Ｉ／Ｏ １２ 変換回路 １３ 画像メモリ １４ 比較器 １５ 座標データ １６ 通信Ｉ／Ｏ １７ ＣＰＵ １８ ＶＤＴ １９ 磁気ディスク ２０ 通信Ｉ／Ｏ ２１ ＣＰＵ ２２ 制御回路 ２３ 駆動機構 ２４ 粘着材ヘッド ２５ 制御回路 ２６ 駆動機構 ２７ 粘着材 ２８ 圧力流体 ２９ 異物 ３０ 容器 ３１ パイプ ３２ 窒素ガス ３３ 球状 ３４ 洗浄工程 ３５ 外観検査工程 ３６ 検出異物座標データ出力工程 ３７ 異物除去工程 ３８ 剥離工程 ３９ 薄膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 7316−2Ｈ Ｇ１１Ｂ 23/50 Ｃ 7201−5Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 粘着材を吐出するプローブを使用し、前
記プローブの粘着材吐出口にジェット気流状の気体を印
加することによって、前記粘着材を引き出し、前記プロ
ーブを試料上の異物付着箇所に移動させ、その後、前記
異物付着箇所に前記プローブを接触させ、前記プローブ
を引き上げることによって異物を剥離させることを特徴
とする異物除去方法。 - 【請求項２】 前記異物除去後の前記プローブに前記ジ
ェット気流状の気体を印加することによって、異物除去
後の前記粘着材を異物と共に吹き飛ばし、新しい前記粘
着材を、前記プローブの粘着材吐出口より引き出すこと
を特徴とする請求項１記載の異物除去方法。 - 【請求項３】 粘着材を吐出するプローブを試料上の異
物付着箇所に近接させ、前記プローブの粘着材吐出口よ
り接着剤を異物付着箇所に滴下させ、前記粘着材と接着
性の良い薄膜を粘着させ、前記薄膜を引き剥すことによ
って前記異物を、前記粘着材と共に剥離させることを特
徴とする異物除去方法。 - 【請求項４】 粘着材を全面に塗布した薄膜を試料上に
接触させ、異物付着箇所周辺を圧接し、その後、前記薄
膜を引き剥すことによって前記異物を、前記粘着材と共
に剥離させることを特徴とする異物除去方法。 - 【請求項５】 試料表面に光を照射し、その散乱光また
は反射光等を検出することによって異物付着箇所を検出
し、前記異物付着検出箇所周辺を異物除去することを特
徴とする請求項１、３または４記載の異物除去方法。 - 【請求項６】 上記試料が半導体ウエハ、フォトマス
ク、液晶基板または光ディスクであって、酸、アルカリ
または有機溶媒などを用いた化学洗浄等を組み合わせて
異物除去することを特徴とする請求項１、３または４記
載の異物除去方法。 - 【請求項７】 粘着材を吐出する移動可能なプローブ
と、前記プローブの粘着材吐出口にジェット気流状の気
体を印加する機構と、前記プローブを移動させ、試料の
異物付着箇所に粘着材を接触させた後、引き剥す機構と
から成ることを特徴とする異物除去装置。 - 【請求項８】 試料表面に光を照射し、その散乱光また
は反射光等を検出することによって異物付着箇所を検出
する位置情報の入力手段を備え、前記試料表面の異物付
着箇所に粘着材を接触させ、引き剥す機構を備えたこと
を特徴とする請求項７記載の異物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4786593A JPH06260464A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 異物除去方法および除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4786593A JPH06260464A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 異物除去方法および除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260464A true JPH06260464A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12787275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4786593A Pending JPH06260464A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 異物除去方法および除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260464A (ja) |
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- 1993-03-09 JP JP4786593A patent/JPH06260464A/ja active Pending
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