WO2019186897A1 - 異物除去用基板および表示デバイスの製造方法 - Google Patents

異物除去用基板および表示デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019186897A1
WO2019186897A1 PCT/JP2018/013254 JP2018013254W WO2019186897A1 WO 2019186897 A1 WO2019186897 A1 WO 2019186897A1 JP 2018013254 W JP2018013254 W JP 2018013254W WO 2019186897 A1 WO2019186897 A1 WO 2019186897A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
convex portion
substrate
foreign matter
contact
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/013254
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
純史 太田
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2018/013254 priority Critical patent/WO2019186897A1/ja
Publication of WO2019186897A1 publication Critical patent/WO2019186897A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Definitions

  • the present invention relates to a foreign substance removing substrate and a display device manufacturing method.
  • an organic substance is vapor-deposited on a substrate through a vapor deposition mask having a plurality of openings, thereby forming an organic pattern corresponding to the plurality of openings.
  • a flat foreign substance removing substrate is used to remove the foreign substances attached to the surface of the vapor deposition mask.
  • the vapor deposition mask is formed by stretching a thin film sheet made of metal and finely patterned by applying tension to the frame, a flat substrate for removing foreign substances can be uniformly adhered to the entire surface of the vapor deposition mask. It becomes difficult and the part where the degree of adhesion becomes low appears. And the problem that the foreign material adhering to the surface of a mask cannot be removed arises.
  • a foreign matter removing substrate is a foreign matter removing substrate that removes foreign matter adhering to the surface of a mask having a plurality of openings, and a convex portion that contacts the non-opening portion of the mask is formed. Has been.
  • the appearance of the foreign substance removing substrate is shown, (a) is a perspective view of the foreign substance removing board, (b) is a side view of the foreign substance removing board, and (c) is a bottom view of the foreign substance removing board.
  • the structure of the mask is shown, (a) is a plan view of the mask, (b) is an enlarged view of the opening of the mask, (c) is a cross-sectional view along AA, and (d) is a cross-sectional view of B- It is sectional drawing in B. It is a flowchart of the foreign material removal method.
  • FIGS. 9A and 9B show a modification of the first embodiment, in which FIG. 9A is a perspective view showing a contact state between a foreign matter removal substrate and a mask, and FIG. 9B is a perspective view showing a contact state between the foreign matter removal substrate and the mask.
  • FIGS. 9A and 9B show a modification of the first embodiment, in which FIG. 9A is a perspective view showing a contact state between a foreign substance removal substrate and a mask, and FIG. 9B is a perspective view showing a contact state between the foreign substance removal substrate and the mask.
  • It is. 10 shows a modification of the first embodiment and is a flowchart of a foreign matter removing method.
  • 1A and 1B show a first embodiment, in which FIG. 1A is a perspective view showing a contact state between a foreign matter removal substrate and a mask, and FIG. 2B is a perspective view showing a contact state between the foreign matter removal substrate and the mask.
  • “same layer” means formed in the same process (film formation step), and “lower layer” means formed in a process prior to the layer to be compared.
  • the “upper layer” means that it is formed in a later process than the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a display device manufacturing method.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the display area of the display device.
  • a resin layer 12 is formed on a translucent support substrate (for example, mother glass) (step S1).
  • the barrier layer 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 is formed (step S3).
  • a top emission type light emitting element layer 5 is formed (step S4).
  • the sealing layer 6 is formed (step S5).
  • an upper surface film is pasted on the sealing layer 6 (step S6).
  • step S7 the support substrate is peeled off from the resin layer 12 by laser light irradiation or the like.
  • the lower film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 (step S8).
  • step S9 the laminate including the lower film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of pieces.
  • step S10 an electronic circuit board (for example, an IC chip and an FPC) is mounted on a part (terminal portion) outside (a non-display area, a frame) of the display area where the plurality of sub-pixels are formed (step S11).
  • steps S1 to S11 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs each step of steps S1 to S5).
  • the material of the resin layer 12 examples include polyimide.
  • the resin layer 12 may be replaced with a two-layer resin film (for example, a polyimide film) and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign matters such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or an oxynitride formed by a CVD method is used.
  • a silicon film or a laminated film thereof can be used.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, a gate electrode GE and a gate wiring GH above the inorganic insulating film 16, and a gate electrode GE and An inorganic insulating film 18 above the gate wiring GH, a capacitive electrode CE above the inorganic insulating film 18, an inorganic insulating film 20 above the capacitive electrode CE, and a source wiring SH above the inorganic insulating film 20 And a planarizing film 21 (interlayer insulating film) that is an upper layer than the source wiring SH.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and a transistor (TFT) is formed so as to include the semiconductor film 15 and the gate electrode GE. Is done.
  • the transistor is shown with a top gate structure, but may have a bottom gate structure.
  • the gate electrode GE, the gate wiring GH, the capacitor electrode CE, and the source wiring SH are configured by, for example, a single layer film or a stacked film of a metal including at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper.
  • the TFT layer 4 in FIG. 2 includes one semiconductor layer and three metal layers.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film 21 can be made of, for example, an applicable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 above the planarizing film 21, an insulating anode cover film 23 covering the edge of the anode 22, an EL (electroluminescence) layer 24 above the anode cover film 23, And a cathode 25 that is an upper layer than the EL layer 24.
  • the anode cover film 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic and then patterning by photolithography.
  • a light emitting element ES for example, OLED: organic light emitting diode, QLED: quantum dot diode
  • a sub-pixel circuit for controlling is formed in the TFT layer 4.
  • the EL layer 24 is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape in the opening (for each subpixel) of the anode cover film 23 by a vapor deposition method or an ink jet method.
  • the other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer).
  • the structure which does not form one or more layers among a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron carrying layer, and an electron injection layer is also possible.
  • FMM fine metal mask
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar), and an island-shaped light emitting layer (corresponding to one subpixel) is formed by an organic material that has passed through one opening.
  • the light emitting layer of the QLED can form an island-shaped light emitting layer (corresponding to one subpixel) by, for example, applying a solvent in which quantum dots are diffused by inkjet.
  • the anode 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (IndiumITOTin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode (cathode) 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as MgAg alloy (ultra-thin film), ITO, or IZO (Indium zinc Oxide).
  • the light-emitting element ES is an OLED
  • holes and electrons are recombined in the light-emitting layer by the driving current between the anode 22 and the cathode 25, and light is emitted in the process in which the excitons generated thereby transition to the ground state.
  • the cathode 25 is light-transmitting and the anode 22 is light-reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward and becomes top emission.
  • the light-emitting element ES is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light-emitting layer due to the drive current between the anode 22 and the cathode 25, and the excitons generated thereby are conduction band levels of the quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transition from valence band level to valence band.
  • a light emitting element inorganic light emitting diode or the like
  • OLED organic light emitting diode
  • the sealing layer 6 is translucent, and includes an inorganic sealing film 26 that covers the cathode 25, an organic buffer film 27 that is above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing film 28 that is above the organic buffer film 27. Including.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents penetration of foreign substances such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 is an inorganic insulating film, and is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. be able to.
  • the organic buffer film 27 is a light-transmitting organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic.
  • the organic buffer film 27 can be formed by, for example, inkjet coating, but a bank for stopping the liquid droplets may be provided in the non-display area.
  • the lower surface film 10 is, for example, a PET film for realizing a display device having excellent flexibility by being attached to the lower surface of the resin layer 12 after peeling the support substrate.
  • the functional film 39 has, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • the flexible display device has been described above. However, in the case of manufacturing a non-flexible display device, it is generally unnecessary to form a resin layer or change the base material.
  • the stacking process of S5 is performed, and then the process proceeds to step S9.
  • Embodiment 1 As the first embodiment, a foreign substance removing substrate used for the FMM 50 will be described as an example.
  • the foreign substance removal substrate 40 according to the present embodiment can be applied to a mask for patterning such as a CMM (common metal mask), an evaporation mask, a CVD mask, and a sputtering mask in addition to the FMM.
  • the surface of the mask refers to a surface of the mask where the substrate and the mask are in contact.
  • FIG. 3A is a perspective view showing the appearance of the foreign matter removing substrate 40
  • FIG. 3B is a side view of the foreign matter removing substrate 40
  • FIG. 3C shows the lower surface of the foreign matter removing substrate 40.
  • FIG. FIG. The foreign matter removing substrate 40 is used for removing foreign matters, includes a substrate 41 and a plurality of convex portions 42, and contacts the FMM 50 at the tips of the convex portions 42.
  • the material of the substrate 41 is not particularly limited, but is preferably made of glass.
  • the convex portion 42 can be formed by patterning an organic film (for example, a polyimide film or an acrylic film) applied to the surface of the substrate 41 using a photolithography method.
  • the convex portion 42 can be formed by laser processing on the surface of the substrate 41.
  • the convex portions 42 can be deposited on the substrate 41 by mask deposition such as vapor deposition, CVD, and sputtering. Therefore, the convex part 42 may be comprised with the same material as the board
  • the convex part 42 is preferable because it can be formed with high accuracy by being made of an organic material.
  • the convex portion 42 it is preferable to deposit an insulating material and a material that is easily charged, such as a metal film, on the substrate 41, and it is more preferable that the convex portion 42 is made of an insulating material.
  • the convex portion 42 made of an insulating material is easily brought into close contact with the FMM 50 due to its electric force, and foreign matters adhering to the surface of the FMM 50 can be easily removed.
  • the convex portion 42 made of an insulating material attracts foreign matters by static electricity and can easily remove foreign matters from the surface of the FMM 50.
  • the convex portion 42 is preferably deposited on the substrate 41 by a sticky material such as PI (polyimide) and BNK material (edge cover material).
  • PI polyimide
  • BNK material edge cover material
  • the convex portions 42 are not limited in the number, position, shape, and the like to be formed, and are preferably formed according to the number, position, and shape corresponding to the opening 55 of the FMM 50. Moreover, it is preferable that the distance from the base of the convex part 42 to the front-end
  • the tip of the convex portion 42 that contacts the FMM 50 is preferably flat. Since the tip portion of the convex portion 42 that contacts the FMM 50 is planar, the convex portion 42 and the FMM 50 are easily in close contact with each other, and foreign matter is not lost. Moreover, it is preferable that not only the tip of each convex part 42 becomes a plane, but also the surface that contacts the FMM 50 of the foreign substance removal substrate 40 formed by the plurality of convex parts 42 becomes flat. Since the surface of the foreign substance removal substrate 40 that comes into contact with the FMM 50 is flat, the foreign substance removal substrate 40 and the FMM 50 are easily brought into close contact with each other, and foreign substances attached to the surface of the FMM 50 are easily removed.
  • FIG. 4A to 4C show the configuration of the FMM 50.
  • the FMM 50 has a sheet shape in which a strip-shaped mask sheet 52 is attached to, for example, an invar material 51 having a thickness of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the mask sheet 52 includes an effective portion 53 and an edge portion 54 that surrounds the effective portion 53.
  • FIG. 4B is an enlarged view of the effective portion 53, and the effective portion 53 includes a plurality of openings 55.
  • the opening 55 has a shape in which a cross section parallel to the sheet surface increases from the opening 56 on the upper surface of the FMM 50 toward the lower surface, and the opening 57 on the lower surface side is larger than the opening 56 on the upper surface side.
  • FIG. 4 (c) is a cross-sectional view taken along the line AA in (b), and FIG. 4 (d) is a cross-sectional view taken along the line BB in (b).
  • an opening 56 is provided toward the substrate including the TFT layer 4.
  • the openings 55 are formed in a matrix in the longitudinal direction and the width direction of the effective portion 53, and have a square shape or a circular shape with rounded corners so as to correspond to the pixel area of the substrate. Note that a portion other than the opening 55 in the mask sheet 52 is referred to as a non-opening.
  • FIG. 5 is a flowchart of a foreign matter removing method in the FMM 50.
  • the FMM 50 is brought into contact with the foreign substance removal substrate 40 (S22).
  • the contacted FMM 50 is peeled from the foreign substance removal substrate 40 (S23).
  • S22 and S23 may be repeated as necessary (S24).
  • the FMM 50 from which the foreign matter has been removed is immediately brought into contact with a target substrate including the TFT layer 4 to form a film (S25).
  • the foreign matter removing substrate 40 may be subjected to plasma processing (S21).
  • the plasma treatment By performing the plasma treatment on the foreign matter removing substrate 40, the convex portion 42 is charged, so that the foreign matter removing substrate 40 is easily adhered to the FMM 50.
  • the convex portion 42 is charged, foreign matters are easily attracted to the convex portion 42, and foreign matters are easily removed from the surface of the FMM 50.
  • the foreign matter removing substrate 40 may be brought into contact with the same foreign matter removing substrate 40 repeatedly, or different foreign matter removing substrates 40 may be brought into contact with each other. . Further, when different foreign substance removal substrates 40 are brought into contact with each other, the formation location, number, size, etc. of the projections 42 (hereinafter, the formation location, number, size, etc. of the projections 42 are referred to as “the projection 42. It is also possible to use a plurality of types of foreign substance removing substrates 40 having different “formation patterns”. By bringing the foreign matter removing substrate 40 having a different formation pattern of the protrusions 42 into contact with the FMM 50, it is possible to suppress the occurrence of locations where the protrusions 42 are insufficiently in contact with the FMM 50.
  • FIG. 6A is a perspective view showing a contact state between the foreign matter removing substrate 40a and the FMM 50
  • FIG. 6B is a perspective view showing a contact state between the foreign matter removing substrate 40a and the FMM 50.
  • FIG. The length 42a1 of the side in the direction of the opening between which the convex portion 42a is sandwiched is equal to the distance H42a1 between the openings 55 that are adjacent to each other, and the non-interval between the openings 55 that are adjacent to each other. The case where it abuts on the opening is shown.
  • FIG. 7A is a perspective view showing a contact state between the foreign substance removal substrate 40b and the FMM 50
  • FIG. 7B shows a contact state between the foreign substance removal substrate 40b and the FMM 50
  • FIG. It is a perspective view shown.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that the side length 42b1 in the direction of the opening between which the convex portion 42b is sandwiched is longer than the distance H42b1 between the adjacent openings 55. Since the length 42b1 of the side in the direction of the opening between which the protrusion 42b is sandwiched is longer than the distance H42b1 between the openings 55 adjacent to each other, the protrusion 42b is located between the openings 55 adjacent to each other. It contacts the non-opening part and extends over the opening part 55. Therefore, foreign matter can be removed also at the edge of the opening 55.
  • FIG. 8 shows a flowchart of a foreign matter removing method in the FMM 50. 5 and FIG. 5, there are a plurality of types of projection patterns formed on the foreign matter removal substrate 40 used in S24. Each foreign matter removal substrate (first foreign matter removal substrate and second foreign matter removal substrate) is shown in FIG. After making contact (S32 and S34), they are different in that they are peeled off (S33 and S35).
  • FIG. 8 shows a flowchart when there are two types of formation patterns of the convex portions 42. However, two or more types of projection patterns may be formed on the foreign substance removal substrate 40.
  • the side length 42c1 in the direction of the opening sandwiched between the protrusions 42c is vertically adjacent. The case where it is the same as the distance H42c1 between the parts 55 is shown.
  • the foreign substance removing substrate 40 is not necessarily provided with a convex portion only at a location corresponding to the opening 55 of the FMM 50 because the convex portion 42 is connected.
  • the foreign substance removal substrate 40 may include a recess at a location corresponding to the opening 55.
  • an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light-emitting diode as an electro-optical element are provided.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • inorganic EL displays, and QLED displays equipped with QLEDs (Quantum dot Light Emitting Diodes) as electro-optical elements are exemplified.
  • the foreign matter removing substrate of Embodiment 1 is a foreign matter removing substrate that removes foreign matter adhering to the surface of a mask having a plurality of openings, and has a convex portion that contacts the non-opening portion of the mask.
  • the width of the convex part contacting the non-opening part between the two opening parts is larger than the width between the two opening parts adjacent to each other in the mask.
  • the convex portion is formed of an organic material.
  • the convex part is formed of a material having adhesiveness.
  • the convex portion is formed of an insulating material.
  • the plurality of convex portions spaced apart from each other are formed on the foreign substance removing substrate, and each convex portion is in contact with a part of the non-opening portion.
  • the convex portion has a plurality of concave portions at positions corresponding to the plurality of openings of the mask.
  • the distance from the base of the convex portion to the tip of the convex portion is 5 ⁇ m or less.
  • a method for manufacturing a display device using the mask sheet having a plurality of openings wherein the surface of the mask sheet and the tip of the convex part of the first foreign matter removing substrate having the convex part are brought into contact with each other.
  • a film forming step is provided.
  • Embodiment 10 includes a plasma processing step of performing a plasma processing on the first foreign matter removing substrate before the first contact step.
  • the mask sheet has the plurality of openings corresponding to the plurality of sub-pixels,
  • the width of the convex part contacting the non-opening part between the two opening parts in the mask sheet is larger than the width between the two opening parts adjacent to each other.
  • the tip of the convex portion of the second foreign matter removing substrate having a convex portion different from the convex portion of the first foreign matter removing substrate is placed on the mask sheet.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

マスクの表面に付着した異物を除去する。複数の開口部（５５）を有するマスクの表面に付着した異物を除去する異物除去用基板（４０）であって、上記マスクの非開口部に当接する凸部（４２）が形成されている。

Description

異物除去用基板および表示デバイスの製造方法
　本発明は、異物除去用基板および表示デバイスの製造方法に関する。
　例えばＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）パネルの製造工程では、有機物を、複数の開口を有する蒸着マスク越しに基板に蒸着させることで、複数の開口に対応する有機物のパターンを形成する。
　しかし、蒸着マスクと基板との間に異物が介在することにより、蒸着マスクと基板との間に隙間が生じる。そして、該隙間に蒸着ガスが回り込み、所定領域以外に膜が形成されることによる、混色等の不良を引き起こす。
　そこで、現在では、蒸着マスクの表面に付着した異物を除去するため、平坦な異物除去用基板を用い、蒸着マスクの表面に付着した異物を除去している。
日本国公開特許公報「特開２００９－６４７５８号（２００９年０３月２６日公開）」 日本国公開特許公報「特開２０１３－７７４６０号（２０１３年４月２５日公開）」
　蒸着マスクは金属製で微細にパターニングされた薄膜シートをフレームにテンションをかけて架張する事で形成されている為、平坦な異物除去用基板では、蒸着マスクの全面に均一に密着させる事が困難となり、密着の度合いが低くなる部位がでる。そして、マスクの表面に付着した異物を除去しきれないという問題が発生する。
　本発明の一様態にかかる異物除去用基板は、複数の開口部を有するマスクの表面に付着した異物を除去する異物除去用基板であって、上記マスクの非開口部に当接する凸部が形成されている。
　マスクの表面に付着した異物を除去できる。
ＯＬＥＤパネルの製造方法を示すフローチャートである。 ＯＬＥＤパネルの構成を示す断面図である。 異物除去用基板の外観を示し、（ａ）は異物除去用基板の斜視図で、（ｂ）は異物除去用基板の側面図で、（ｃ）は異物除去用基板の下面図である。 マスクの構成を示し、（ａ）はマスクの平面図であり、（ｂ）はマスクの開口部の拡大図であり、（ｃ）はＡ－Ａにおける断面図であり、（ｄ）はＢ－Ｂにおける断面図である。 異物除去方法のフローチャートである。 実施形態１を示すもので、（ａ）は異物除去用基板とマスクとの接触状態を示す透視図であり、（ｂ）は異物除去用基板とマスクとの接触状態を示す斜視図である。 実施形態１の変形例を示すもので、（ａ）は異物除去用基板とマスクとの接触状態を示す透視図であり、（ｂ）は異物除去用基板とマスクとの接触状態を示す斜視図である。 実施形態１の変形例を示すもので、異物除去方法のフローチャートである。 実施形態１を示すもので、（ａ）は異物除去用基板とマスクとの接触状態を示す透視図であり、（ｂ）は異物除去用基板とマスクとの接触状態を示す斜視図である。
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。樹脂層１２の部分を、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
　バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨと、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極ＧＥ、ゲート配線ＧＨ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。図２のＴＦＴ層４には、一層の半導体層および三層のメタル層が含まれる。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のアノードカバー膜２３と、アノードカバー膜２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。アノードカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドットダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路がＴＦＴ層４に形成される。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、アノードカバー膜２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機バッファ膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるためのバンクを非表示領域に設けてもよい。
　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後ステップＳ９に移行する。
　〔実施形態１〕
　実施形態１として、ＦＭＭ５０に用いる異物除去用基板を例にとり説明する。しかし、本実施の形態に係る異物除去用基板４０は、ＦＭＭ以外にＣＭＭ（コモンメタルマスク）、蒸着用マスク、ＣＶＤ用マスク、およびスパッタ用マスクなどパターニングを行うためのマスクなどに適用できる。なお、本明細書においてマスクの表面とは、マスクにおける基板とマスクとが接触する面を指す。
　図３（ａ）は、異物除去用基板４０の外観を示す斜視図であり、（ｂ）は異物除去用基板４０の側面図であり、（ｃ）は異物除去用基板４０の下面を示した図である。異物除去用基板４０は、異物の除去に用いられ、基板４１および複数の凸部４２を含み、凸部４２の先端にてＦＭＭ５０と接触する。
　基板４１は、その材質に特に制限はないが、ガラス製であることが好ましい。
　凸部４２は、基板４１の表面に塗布した有機膜（例えば、ポリイミド膜、アクリル膜）をフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって形成することができる。これ以外にも、基板４１表面へのレーザ加工によっても凸部４２を形成することができる。
または、基板４１に蒸着、ＣＶＤ、およびスパッタなどのマスク成膜により凸部４２を堆積させ、形成することもできる。そのため、凸部４２は、基板４１と同じ材質により構成されていてもよく、有機材料または無機材料など異なった材質により構成されていてもよい。しかし、凸部４２は、有機材料により構成されることにより、凸部４２を精度よく形成することができるため好ましい。
　また、凸部４２として、絶縁性を有する材料および金属膜など帯電しやすい材料を基板４１に堆積させることが好ましく、絶縁性を有する材料により構成された凸部４２であることがより好ましい。絶縁性を有する材料により構成された凸部４２は、その電気的な力によりＦＭＭ５０と密着しやすくなり、ＦＭＭ５０の表面に付着した異物を容易に除去できる。加えて、絶縁性を有する材料により構成された凸部４２は、静電気により異物を引きつけ、ＦＭＭ５０の表面から異物を容易に除去できる。
　また、凸部４２は、ＰＩ（ポリイミド）およびＢＮＫ材料（エッジカバーの材料）など粘着性を有する材料を基板４１に堆積させることが好ましい。粘着性を有する材料により構成された凸部４２は、その粘着力によりＦＭＭ５０と密着しやすくなり、異物の除去もれを抑制できる。
　凸部４２は、形成される数、形成される位置、および形状などに制限はなく、ＦＭＭ５０の開口部５５に対応する数、位置および形状に合わせて成形することが好ましい。また、凸部４２の根元から凸部４２の先端までの距離は、５μｍ以下であることが好ましい。不要な箇所を除去することにより凸部４２を形成する場合では、凸部４２の根元から凸部４２の先端までの距離が５μｍ以下であることにより、不要な箇所を除去する量を減少させることができる。また、堆積により凸部４２を形成する場合では、凸部４２の根元から凸部４２の先端までの距離が５μｍ以下であることにより、凸部４２を容易に堆積させることができる。
　凸部４２のＦＭＭ５０と接触する先端は、平面状であることが好ましい。凸部４２のＦＭＭ５０と接触する先端部が平面状であることにより、凸部４２とＦＭＭ５０とが密着しやすくなり、異物の取りこぼしがなくなる。また、凸部４２それぞれの先端が平面となるだけでなく、複数の凸部４２により形成される異物除去用基板４０のＦＭＭ５０と接触する面も平面状となることが好ましい。異物除去用基板４０のＦＭＭ５０と接触する面が平面状となることにより、異物除去用基板４０とＦＭＭ５０とが密着しやすくなり、ＦＭＭ５０の表面に付着した異物を除去しやすくなる。
　図４（ａ）～（ｃ）は、ＦＭＭ５０の構成を示す。
　ＦＭＭ５０は、短冊状のマスクシート５２を、例えば厚さ１０μｍ～５０μｍのインバー材５１などに貼り付けたシート状である。マスクシート５２は、有効部５３と、これら有効部５３を取り囲む縁部５４と、からなる。
　図４（ｂ）は、有効部５３を拡大した拡大図であり、有効部５３は、複数の開口部５５を備える。開口部５５は、ＦＭＭ５０上面の開口５６から下面に向けてシート面に平行な断面が大きくなる形状であり、下面側の開口５７は上面側の開口５６よりも大きい。
　図４（ｃ）は、（ｂ）のＡ－Ａ断面図であり、図４（ｄ）は（ｂ）のＢ－Ｂ断面図である。ＦＭＭ５０は、ＴＦＴ層４を含む基板に向けて開口５６が設置される。なお、開口部５５は、有効部５３の長手方向および幅方向にマトリクス状に形成され、基板の画素エリアに対応するように、角が丸まった四角形状もしくは円形の形状となる。なお、マスクシート５２における開口部５５以外の箇所を非開口部と称する。
　図５はＦＭＭ５０における異物除去方法のフローチャートである。まず、異物除去用基板４０にＦＭＭ５０を接触させる（Ｓ２２）。そして、接触したＦＭＭ５０を異物除去用基板４０から剥離する（Ｓ２３）。この時、必要に応じてＳ２２およびＳ２３を繰り返し実施してもよい（Ｓ２４）。異物が除去されたＦＭＭ５０は、すぐにＴＦＴ層４を含む対象となる基板と接触させ成膜する（Ｓ２５）。
　なお、異物除去用基板４０にＦＭＭ５０を接触させる前に、異物除去用基板４０へプラズマ処理を行ってもよい（Ｓ２１）。異物除去用基板４０へプラズマ処理を行うことにより、凸部４２が帯電することにより、異物除去用基板４０がＦＭＭ５０へ密着しやすくなる。加えて凸部４２が帯電することにより、異物が凸部４２に吸着されやすくなり、ＦＭＭ５０の表面から異物を除去しやすくなる。
　また、Ｓ２４にて、接触および剥離を繰り返し実施する場合において、異物除去用基板４０は、同じ異物除去用基板４０を繰り返し接触させてもよく、異なった異物除去用基板４０を接触させてもよい。また、異なった異物除去用基板４０を接触させる場合では、凸部４２の形成箇所、数、および大きさなど（以降、凸部４２の形成箇所、数、および大きさなどを「凸部４２の形成パターン」と称する）が異なる異物除去用基板４０を複数種類用いることもできる。凸部４２の形成パターンが異なる異物除去用基板４０をＦＭＭ５０と接触させることにより、凸部４２のＦＭＭ５０と接触が不足する箇所の発生を抑制できる。
　図６（ａ）は、異物除去用基板４０ａとＦＭＭ５０との接触状態を示す透視図であり、図６（ｂ）は異物除去用基板４０ａとＦＭＭ５０との接触状態を示す斜視図である。凸部４２ａの挟まれた開口部方向における辺の長さ４２ａ１が、横に隣り合った開口部５５の間の距離Ｈ４２ａ１と等しく、凸部４２ａが横に隣り合った開口部５５の間の非開口部と当接する場合を示した。
　また、実施形態１の変形例として図７（ａ）は、異物除去用基板４０ｂとＦＭＭ５０との接触状態を示す透視図であり、（ｂ）は異物除去用基板４０ｂとＦＭＭ５０との接触状態を示す斜視図である。なお、凸部４２ｂの挟まれた開口部方向における辺の長さ４２ｂ１が、横に隣り合った開口部５５の間の距離Ｈ４２ｂ１より長い点が実施形態１と異なる。凸部４２ｂの挟まれた開口部方向における辺の長さ４２ｂ１が、横に隣り合った開口部５５の間の距離Ｈ４２ｂ１より長いため、凸部４２ｂは、横に隣り合った開口部５５の間の非開口部と当接し、且つ、開口部５５の上方へ架かる。そのため、開口部５５の縁においても異物を除去できる。
　また、実施形態１のさらなる変形例として、図８にＦＭＭ５０における異物除去方法のフローチャートを示す。図５とは、Ｓ２４にて用いる異物除去用基板４０に形成された凸部の形成パターンが複数種類あり、各々の異物除去用基板（第１異物除去用基板および第２異物除去用基板）を接触（Ｓ３２およびＳ３４）させた後、剥離（Ｓ３３およびＳ３５）させる点で異なる。図８では、凸部４２の形成パターンが２種類である場合のフローチャートを示した。しかし、異物除去用基板４０に形成された凸部の形成パターンが２種類以上でもよい。
　そして、図９に異物除去用基板４０の形成パターンが実施形態１とは異なる形成パターンの例として、凸部４２ｃの挟まれた開口部方向における辺の長さ４２ｃ１が、縦に隣り合った開口部５５の間の距離Ｈ４２ｃ１と同じである場合を示す。凸部４２ａが形成された異物除去用基板４０ａを用いてＦＭＭ５０の表面に付着した異物を除去した後、凸部４２ｃが形成された異物除去用基板４０ｃを用いてＦＭＭの表面に付着した異物を除去することにより、異物除去用基板４０が接触しない箇所が減り、ＦＭＭ５０の表面に付着した異物を除去できる。
　〔実施形態２〕
　異物除去用基板４０は、凸部４２が繋がり、ＦＭＭ５０の開口部５５に対応する箇所にのみ凸部を備えなくてもよい。換言すれば、異物除去用基板４０は、開口部５５に対応する箇所に凹部を備えてもよい。ＦＭＭ５０の開口部５５に対応する箇所にのみ凸部を備えないことにより、異物除去用基板４０と、ＦＭＭ５０と、が接触しない箇所がなくなり異物を除去しやすくなる。
　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイスとしては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　様態１の異物除去用基板は、複数の開口部を有するマスクの表面に付着した異物を除去する異物除去用基板であって、上記マスクの非開口部に当接する凸部が形成されている。
　様態２では、上記マスクにおいて互いに隣り合った２つの開口部の間の幅よりも、上記２つの開口部の間にある上記非開口部に当接する上記凸部の幅は大きい。
　様態３では、上記凸部は、有機材料により形成されている。
　様態４では、上記凸部は、粘着性を有する材料により形成されている。
　様態５では、上記凸部は、絶縁性を有する材料により形成されている。
　様態６では、上記異物除去用基板には、互いに離間した複数の上記凸部が形成されており、各凸部は、上記非開口部の一部に当接する。
　様態７では、記凸部は、上記マスクの上記複数の開口部に対応する位置に、複数の凹部を有する。
　様態８では、上記凸部の根元から上記凸部の先端までの距離が、５μｍ以下である。
　様態９では、複数の開口部を有する上記マスクシートを用いた表示デバイスの製造方法であって、上記マスクシートの表面と凸部を有する第１異物除去用基板の上記凸部の先端とを接触させる第１接触工程と、
上記第１接触工程を経た上記マスクシートと上記第１異物除去用基板とを剥離する第１剥離工程と、上記マスクシートの上記表面と対象基板とを接触させ、上記対象基板上に成膜する成膜工程と、を含む。
　様態１０では、記第１接触工程の前に、上記第１異物除去用基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理工程を含む。
　様態１１では、上記マスクシートは複数のサブ画素に対応する上記複数の開口部を有し、
互いに隣り合う２つの上記開口部の間の幅より、上記マスクシートにおける上記２つの上記開口部の間の非開口部に当接する上記凸部の幅は大きい。
　様態１２では、上記第１剥離工程の後に、上記第１異物除去用基板の凸部とは配置が異なる凸部を有する第２異物除去用基板の上記凸部の先端を、上記マスクシートの上記表面に接触させる第２接触工程と、上記第２接触工程の後かつ上記成膜工程の前に、上記第２接触工程を経た上記マスクシートと上記第２異物除去用基板とを剥離する第２剥離工程とを含む。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
４０・４０ａ・４０ｂ・４０ｃ　　　　異物除去用基板
４１・４１ａ・４１ｂ・４１ｃ　　　　基板
４２・４２ａ・４２ｂ・４２ｃ　　　　凸部
４２ａ１・４２ｂ１・４２ｃ１　　　　凸部の隣り合った開口部方向における距離
５０　　　　　　　　　　　　　　　　ＦＭＭ
５１　　　　　　　　　　　　　　　　インバー材
５２　　　　　　　　　　　　　　　　マスクシート
５３　　　　　　　　　　　　　　　　有効部
５４　　　　　　　　　　　　　　　　縁部
５５　　　　　　　　　　　　　　　　開口部
５６・５７　　　　　　　　　　　　　開口
Ｈ４２ａ１・Ｈ４２ｂ１・Ｈ４２ｃ１　隣り合った開口部の間の距離

Claims (12)

  1. 　複数の開口部を有するマスクの表面に付着した異物を除去する異物除去用基板であって、
    　上記マスクの非開口部に当接する凸部が形成されていることを特徴とする異物除去用基板。
  2. 　上記マスクにおいて互いに隣り合った２つの開口部の間の幅よりも、上記２つの開口部の間にある上記非開口部に当接する上記凸部の幅は大きいことを特徴とする請求項１に記載の異物除去用基板。
  3. 　上記凸部は、有機材料により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の異物除去用基板。
  4. 　上記凸部は、粘着性を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の異物除去用基板。
  5. 　上記凸部は、絶縁性を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の異物除去用基板。
  6. 　上記異物除去用基板には、互いに離間した複数の上記凸部が形成されており、
    　上記凸部は、上記非開口部の一部に当接することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の異物除去用基板。
  7. 　上記凸部は、上記マスクの上記複数の開口部に対応する位置に、複数の凹部を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の異物除去用基板。
  8. 　上記凸部の根元から上記凸部の先端までの距離が、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の異物除去用基板。
  9. 　複数の開口部を有するマスクを用いた表示デバイスの製造方法であって、
    　上記マスクの表面と凸部を有する第１異物除去用基板の上記凸部の先端とを接触させる第１接触工程と、
    　上記第１接触工程を経た上記マスクと上記第１異物除去用基板とを剥離する第１剥離工程と、
    　上記マスクの上記表面と対象基板とを接触させ、上記対象基板上に成膜する成膜工程と、を含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法。
  10. 　上記第１接触工程の前に、上記第１異物除去用基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　上記マスクは複数のサブ画素に対応する上記複数の開口部を有し、
    　互いに隣り合う２つの上記開口部の間の幅より、上記マスクにおける上記２つの上記開口部の間の非開口部に当接する上記凸部の幅は大きいことを特徴とする請求項９または１０に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　上記第１剥離工程の後に、上記第１異物除去用基板の凸部とは配置が異なる凸部を有する第２異物除去用基板の上記凸部の先端を、上記マスクの上記表面に接触させる第２接触工程と、
    　上記第２接触工程の後かつ上記成膜工程の前に、上記第２接触工程を経た上記マスクと上記第２異物除去用基板とを剥離する第２剥離工程とを含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
PCT/JP2018/013254 2018-03-29 2018-03-29 異物除去用基板および表示デバイスの製造方法 WO2019186897A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/013254 WO2019186897A1 (ja) 2018-03-29 2018-03-29 異物除去用基板および表示デバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/013254 WO2019186897A1 (ja) 2018-03-29 2018-03-29 異物除去用基板および表示デバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019186897A1 true WO2019186897A1 (ja) 2019-10-03

Family

ID=68062574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/013254 WO2019186897A1 (ja) 2018-03-29 2018-03-29 異物除去用基板および表示デバイスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2019186897A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260464A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 異物除去方法および除去装置
JP2004327485A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Canon Inc 露光用マスクの異物除去方法
JP2006049573A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Canon Inc 露光装置
JP2008115418A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Seiko Epson Corp 成膜装置およびそのクリーニング方法
JP2016196101A (ja) * 2015-04-02 2016-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 スクリーン印刷機
JP2017024327A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 マスククリーニング装置及びマスククリーニング方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260464A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 異物除去方法および除去装置
JP2004327485A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Canon Inc 露光用マスクの異物除去方法
JP2006049573A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Canon Inc 露光装置
JP2008115418A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Seiko Epson Corp 成膜装置およびそのクリーニング方法
JP2016196101A (ja) * 2015-04-02 2016-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 スクリーン印刷機
JP2017024327A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 マスククリーニング装置及びマスククリーニング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2998997B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JP6211873B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US20160380239A1 (en) Method for manufacturing amoled display device and structure thereof
CN111108541B (zh) 可弯曲性显示装置以及可弯曲性显示装置的制造方法
KR102609226B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
US10573205B2 (en) Flexible display device and method for manufacturing flexible display device
US10672854B2 (en) Display device
US20200152910A1 (en) Display device
KR102169862B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법
CN111937494B (zh) 显示器件以及显示器件的制造方法
US11417281B2 (en) Display device
WO2019187139A1 (ja) 表示デバイス
KR20210113526A (ko) 마스크의 제조 방법, 이에 따라 제조된 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
CN112425264B (zh) 显示装置
WO2019186897A1 (ja) 異物除去用基板および表示デバイスの製造方法
KR20160096997A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN111937059B (zh) 显示装置以及显示装置的制造方法
KR20130018007A (ko) 유기발광소자 제조방법
US10777633B2 (en) Display device, display device manufacturing method, and display device manufacturing apparatus
US20200091258A1 (en) Display device, display device production method, display device production apparatus, and controller
WO2019186902A1 (ja) 蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法
US11574983B2 (en) Display device comprising TFT layer and light-emitting element layer
WO2019186720A1 (ja) 表示デバイスの製造方法、及び表示デバイス
WO2019180893A1 (ja) 蒸着マスク、及び蒸着装置
WO2019186834A1 (ja) マスクシートおよびマスクシートの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18912415

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18912415

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP