WO2019186834A1 - マスクシートおよびマスクシートの製造方法 - Google Patents

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WO2019186834A1
WO2019186834A1 PCT/JP2018/012998 JP2018012998W WO2019186834A1 WO 2019186834 A1 WO2019186834 A1 WO 2019186834A1 JP 2018012998 W JP2018012998 W JP 2018012998W WO 2019186834 A1 WO2019186834 A1 WO 2019186834A1
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vapor deposition
mask sheet
holes
recess
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PCT/JP2018/012998
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Inventor
山渕　浩二
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シャープ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks

Definitions

  • the present invention relates to a mask sheet for vapor deposition and a manufacturing method thereof.
  • an organic substance is vapor-deposited on a substrate through a vapor deposition mask having a plurality of vapor deposition holes, thereby forming an organic pattern corresponding to the plurality of vapor deposition holes.
  • the vapor deposition mask is manufactured by fixing a mask sheet in which a plurality of vapor deposition holes are formed to a frame in a stretched state.
  • Patent Document 1 discloses a mask sheet in which the size of the opening of the vapor deposition hole is different between one surface and the other surface of the mask sheet in order to increase the vapor deposition accuracy of the vapor deposition material.
  • the mask sheet according to one aspect of the present invention is a mask sheet for vapor deposition in which a plurality of vapor deposition holes are formed, and each vapor deposition hole penetrates from the first surface to the second surface of the mask sheet,
  • the first opening in the first surface is smaller than the second opening in the second surface, and the first surface includes one of the first opening and the other of two adjacent vapor deposition holes.
  • a recess is formed between the first opening.
  • the manufacturing method of the mask sheet concerning one form of this invention is a manufacturing method of the mask sheet for vapor deposition in which several vapor deposition holes were formed, Comprising: Each vapor deposition hole is the 2nd surface from the 1st surface of the said mask sheet.
  • Each of the first openings is smaller than each of the second openings.
  • a recess is formed between one opening.
  • the problem that the mask sheet is warped can be improved.
  • (A) is a top view which shows the structural example of the effective part of a mask sheet
  • (b) is AA sectional drawing of (a).
  • FIG. It is a flowchart which shows the preparation methods of a vapor deposition mask. It is the top view and sectional drawing which show the structural example of the edge part of a mask sheet.
  • (A) is a top view which shows the opening pattern of the vapor deposition hole and recessed part in the effective part of a mask sheet
  • (b) is a top view which shows the opening pattern of the hollow in the edge part of a mask sheet
  • (c) is a mask It is a top view which shows the opening pattern of the through-hole in the edge part of a sheet
  • “same layer” means formed in the same process (film formation step), and “lower layer” means formed in a process prior to the layer to be compared.
  • the “upper layer” means that it is formed in a later process than the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a display device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the display area of the display device.
  • a resin layer 12 is formed on a translucent support substrate (for example, mother glass) (step S1).
  • the barrier layer 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 is formed (step S3).
  • a top emission type light emitting element layer 5 is formed (step S4).
  • the sealing layer 6 is formed (step S5).
  • an upper surface film is pasted on the sealing layer 6 (step S6).
  • step S7 the support substrate is peeled off from the resin layer 12 by laser light irradiation or the like.
  • the lower film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 (step S8).
  • step S9 the laminate including the lower film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of pieces.
  • step S10 an electronic circuit board (for example, an IC chip and an FPC) is mounted on a part (terminal portion) outside (a non-display area, a frame) of the display area where the plurality of sub-pixels are formed (step S11).
  • steps S1 to S11 are performed by a display device manufacturing apparatus (including a film forming apparatus that performs each step of steps S1 to S5).
  • the material of the resin layer 12 examples include polyimide.
  • the resin layer 12 may be replaced with a two-layer resin film (for example, a polyimide film) and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign matters such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or an oxynitride formed by a CVD method is used.
  • a silicon film or a laminated film thereof can be used.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, a gate electrode GE and a gate wiring GH above the inorganic insulating film 16, and a gate electrode GE and An inorganic insulating film 18 above the gate wiring GH, a capacitive electrode CE above the inorganic insulating film 18, an inorganic insulating film 20 above the capacitive electrode CE, and a source wiring SH above the inorganic insulating film 20 And a planarizing film 21 (interlayer insulating film) that is an upper layer than the source wiring SH.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and a transistor (TFT) is formed so as to include the semiconductor film 15 and the gate electrode GE. Is done.
  • the transistor is shown with a top gate structure, but may have a bottom gate structure.
  • the gate electrode GE, the gate wiring GH, the capacitor electrode CE, and the source wiring SH are configured by, for example, a single layer film or a stacked film of a metal including at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper.
  • the TFT layer 4 in FIG. 2 includes one semiconductor layer and three metal layers.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film 21 can be made of, for example, an applicable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 above the planarizing film 21, an insulating edge cover 23 covering the edge of the anode 22, an EL (electroluminescence) layer 24 above the edge cover 23, and an EL layer 24 and a cathode 25 above the upper layer.
  • the edge cover 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic and then patterning by photolithography.
  • a light-emitting element ES for example, OLED: organic light-emitting diode, QLED: quantum dot light-emitting diode
  • ES for example, OLED: organic light-emitting diode, QLED: quantum dot light-emitting diode
  • a sub-pixel circuit for controlling ES is formed in the TFT layer 4.
  • the EL layer 24 is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape at the opening (for each subpixel) of the edge cover 23 by a vapor deposition method or an ink jet method.
  • the other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer).
  • the structure which does not form one or more layers among a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron carrying layer, and an electron injection layer is also possible.
  • FMM fine metal mask
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar), and an island-shaped light emitting layer (corresponding to one subpixel) is formed by an organic material that has passed through one opening.
  • the light emitting layer of the QLED can form an island-shaped light emitting layer (corresponding to one subpixel) by, for example, applying a solvent in which quantum dots are diffused by inkjet.
  • the anode 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (IndiumITOTin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode (cathode) 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as MgAg alloy (ultra-thin film), ITO, or IZO (Indium zinc Oxide).
  • the light-emitting element ES is an OLED
  • holes and electrons are recombined in the light-emitting layer by the driving current between the anode 22 and the cathode 25, and light is emitted in the process in which the excitons generated thereby transition to the ground state.
  • the cathode 25 is light-transmitting and the anode 22 is light-reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward and becomes top emission.
  • the light-emitting element ES is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light-emitting layer due to the drive current between the anode 22 and the cathode 25, and the excitons generated thereby are conduction band levels of the quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transition from valence band level to valence band.
  • a light emitting element inorganic light emitting diode or the like
  • OLED organic light emitting diode
  • the sealing layer 6 is translucent, and includes an inorganic sealing film 26 that covers the cathode 25, an organic buffer film 27 that is above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing film 28 that is above the organic buffer film 27. Including.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents penetration of foreign substances such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 is an inorganic insulating film, and is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. be able to.
  • the organic buffer film 27 is a light-transmitting organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic.
  • the organic buffer film 27 can be formed by, for example, inkjet coating, but a bank for stopping the liquid droplets may be provided in the non-display area.
  • the lower surface film 10 is, for example, a PET film for realizing a display device having excellent flexibility by being attached to the lower surface of the resin layer 12 after peeling the support substrate.
  • the functional film 39 has, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • the flexible display device has been described above. However, in the case of manufacturing a non-flexible display device, it is generally unnecessary to form a resin layer or change the base material.
  • the stacking process of S5 is performed, and then the process proceeds to step S9.
  • Embodiment 1 In the above-described vapor deposition process, for example, as shown in FIG. 3, a vapor deposition mask provided with a mask sheet 10 having a plurality of through holes is brought into close contact with the TFT array layer 4 and vaporized or sublimated by a vapor deposition source 70 under vacuum. By depositing particles Z (for example, organic light emitting material) on the substrate 5 through the mask sheet 10, a deposition pattern is formed in a pattern corresponding to the through holes of the mask sheet 10.
  • particles Z for example, organic light emitting material
  • FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the mask sheet 10 according to the first embodiment.
  • the mask sheet 10 according to Embodiment 1 has a strip shape, and an invar material having a thickness of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m, for example, is used as a base material.
  • the first surface 10a which is the upper surface of the mask sheet 10 is the surface facing the deposition surface (TFT array layer 4 in FIG. 3), and the second surface 10b, which is the lower surface of the mask sheet 10, is deposited in FIG. This is the surface facing the source 70.
  • the mask sheet 10 includes two side end portions G1 and G2 that can be gripped, and an intermediate portion M.
  • the intermediate portion M includes a plurality of effective portions YA arranged in the longitudinal direction, and an edge portion FA that surrounds the effective portions YA.
  • a plurality of vapor deposition holes H are formed in the effective portion YA, and each effective portion corresponds to a display area of one OLED panel. That is, the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source are vapor-deposited on the display area of the substrate through the vapor deposition hole H.
  • the edge FA overlaps with a non-display area (frame area) surrounding the display area of the substrate, and the vapor deposition particles are blocked by the edge FA and do not reach the non-display area.
  • FIG. 5A is a plan view of the effective portion YA of the mask sheet 10 as viewed from the first surface 10a side (upper surface), and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • Each vapor deposition hole H penetrates from the first surface 10a to the second surface 10b of the mask sheet 10, the first opening K is formed in the first surface 10a, and the second opening KK is formed in the second surface 10b. It is formed.
  • Each vapor deposition hole H has a shape in which a cross section parallel to the sheet surface increases from the first opening K of the first surface 10a toward the second surface 10b, and the first opening K on the first surface 10a side is: It is smaller than the second opening KK (lower surface etching region) on the second surface 10b side.
  • the plurality of vapor deposition holes H of the effective portion YA are formed in a matrix in the longitudinal direction and the width direction of the sheet, and the first opening K (opening of the first surface 10a) corresponds to the pixel area of the substrate.
  • etching on the second surface 10b side rather than the first surface 10a side with respect to each vapor deposition hole is performed more extensively and deeply, so that a shadow portion (the partition height between two adjacent vapor deposition holes H is increased). ) Is reduced, and the deposition accuracy and efficiency of deposition are increased.
  • a recess L is formed between one first opening K of the two adjacent vapor deposition holes H and the other first opening K. Is formed.
  • the concave portion means a concave portion that is concave but not penetrated.
  • two vapor deposition holes H adjoin each other means that no other vapor deposition hole H is interposed between the two vapor deposition holes H.
  • a recess L is formed between the first opening K of the upper right vapor deposition hole H in FIG. 5A and the first opening K therebelow.
  • the vapor deposition holes H and the recesses L form an opening pattern composed of unit patterns (first unit patterns) Uk on the first surface 10a.
  • the recess L is provided by etching in the opening gap of the vapor deposition hole H on the first surface 10a side (note that the recess L is not penetrating by etching, so it is referred to as a half-etched portion). It is also possible to balance the etching amount on both sides. In other words, the thin skin portion where the compressive stress is applied to the surface of the mask sheet 10 is etched to balance the stress. Thereby, even after the etching, the difference in the etching amount on both surfaces of the mask sheet 10 can be reduced and the stress balance can be obtained, thereby suppressing the warpage of the mask sheet 10.
  • the shape of the recess L is not particularly limited, and can be various shapes.
  • the contour of the recess L and the contour of the first opening K are similar to each other. be able to.
  • the contour of the recess L and the contour of the first opening K are similar to each other because the contour shape of the first opening K and the contour shape of the recess L are the same.
  • the contour of the first opening K is elliptical
  • the contour of the recess L is also elliptical, or when the contour of the first opening K is rectangular.
  • the configuration in which the contour of the concave portion L is also rectangular is included in the configuration in which the contour of the concave portion L and the contour of the first opening K are similar.
  • the size of the recess L and the size of the first opening K may be the same, or the sizes of both may be different.
  • the recess L is more
  • the first opening K may be smaller than the first opening K.
  • FIG. 6 and 7 are plan views of the effective portion YA of the mask sheet 10 as viewed from the first surface 10a side (upper surface), and show other configuration examples of the effective portion YA.
  • the outline of the recessed part L can also be set as the structure which is circular shape.
  • the outline of the recessed part L can also be set as a square shape, or ( As shown to b), when the 1st surface 10a of effective part YA is planarly viewed, the outline of recessed part L can also be set as the structure which is elliptical shape.
  • the “rectangular shape” includes a shape with rounded corners.
  • the contour of the first opening K and the contour of the recess L are square, and the recess L
  • the rectangular side direction and the square side direction of the first opening K may have an angle ⁇ of 45 °.
  • the outline of the first opening K is rectangular and the outline of the recess L is elliptical.
  • the elliptical long axis direction of the recess L and the square side direction of the first opening K can also be configured to form an angle ⁇ of 45 °.
  • the outline of the first opening K may be elliptical.
  • the rectangular side direction of the recess L or the major axis direction of the elliptical shape of the recess L and the first opening K It is good also as a structure which has comprised the angle (theta) of 45 degrees with the elliptical major axis direction.
  • the concave portion L is formed between the first openings K of a plurality of sets of two adjacent vapor deposition holes H. It can also be set as the structure currently formed in the grid
  • the recess L is located in a region surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H.
  • One may be provided.
  • the vapor deposition holes H and the recesses L form an opening pattern constituted by the unit pattern Uk on the first surface 10a. .
  • the unit pattern Uk is an area surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H. There may be.
  • the recess L is formed in a region surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H serving as a unit pattern. One may be provided.
  • a plurality of the recesses L may be provided in a region surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H.
  • the vapor deposition holes H and the recesses L form an opening pattern constituted by the unit pattern Uk on the first surface 10a.
  • the unit pattern Uk may be a region surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H, as shown in FIGS.
  • a plurality of the recesses L may be provided in a region surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H serving as a unit pattern. .
  • the plurality of concave portions L provided in the region surrounded by the first openings K of the four vapor deposition holes H are equally arranged in the regions. It can be set as the structure currently made.
  • the mask sheet 10 is formed as follows, for example. First, a negative or positive photosensitive resist material is applied to both sides of a long plate made of an invar material or the like, and a resist film is formed on the upper surface (first surface 10a) and the lower surface (second surface 10b). Next, the upper and lower resist films are exposed using an exposure mask (exposure process). In the exposure step, the first surface 10a side is exposed through an exposure mask having openings corresponding to the first openings K and the recesses L. At that time, the exposure amount through the opening corresponding to the first opening K and the exposure amount through the opening corresponding to the recess L may be the same.
  • the size of the opening corresponding to the first opening K may be different from the size of the opening corresponding to the recess L in the exposure mask. Then, by developing the exposed upper and lower resist films, an upper resist pattern 80 and a lower resist pattern 82 are formed (FIG. 8A).
  • the upper surface (first surface 10a) of the effective portion YA is etched using the upper surface resist pattern 80 as a mask to form a first opening K on the upper surface (first surface 10a) of the effective portion YA (first step).
  • the vapor deposition hole does not penetrate.
  • the concave portion L is formed together with the first opening K on the upper surface (first surface 10a) of the effective portion YA.
  • a recess L is formed between one first opening K of the two adjacent vapor deposition holes H and the other first opening K.
  • the upper surface is covered with a resistant resin having etching resistance
  • the lower surface (second surface 10b) of the effective portion YA is etched using the lower surface resist pattern 82 as a mask, and a first opening is formed on the lower surface (second surface 10b) of the effective portion YA.
  • a second opening KK that is larger than the portion K is formed (second step).
  • the mask sheet 10 is used by being incorporated into the vapor deposition mask 20 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 20 includes a frame (frame body) 12, a plurality of support sheets 13 (also referred to as a howling sheet) spanning in the vertical direction of the frame 12 (the width direction of the mask sheet), and the horizontal direction (of the mask sheet).
  • a plurality of cover sheets 11a and 11b and a plurality of mask sheets 10 are provided in the longitudinal direction.
  • FIG. 9 only one mask sheet 10 is shown for convenience of explanation, but in reality, as many mask sheets 10 are provided as the number of rows of panels to be arranged.
  • each end portion of the support sheet 13 is fitted into a recess provided in the frame 12 and welded (step Sa), and the cover sheets 11a and 11b are further welded. These end portions are fitted and welded to the recesses R provided in the frame 12 so as not to be exposed from the openings (step Sb). The order of welding the support sheet and the cover sheet may be reversed.
  • the mask sheet 10 is set on the mask frame so that both end portions G1 and G2 are set on the grippers D1 to D4 and overlapped with the cover sheet 11 (step Sc). As shown in FIGS.
  • each of the side end portions G1 and G2 has a shape in which the central portion is cut out, and portions positioned on both sides of the cutout of the side end portion G1 are grippers D1. -The part located in the both sides of the notch of the side edge part G2 is inserted
  • step Sd tension is applied to the mask sheet by the grippers D1 to D4, and the grippers D1 to D4 are independently adjusted to align the mask sheet 10 with the frame 12 (step Sd).
  • alignment is performed so that the position of the opening K of the vapor deposition hole H in the effective portion YA of the mask sheet 10 matches the pixel area (light emitting area) of the substrate, but this is difficult if the deformation of the effective portion YA is large. Become.
  • the welded portion Y of the mask sheet 10 is welded to the frame 12 using a laser (step Se). Specifically, a plurality of spot weldings are performed. As a result, as shown in FIGS. 9C and 9D, a plurality of welding spots are formed by melting the mask sheet 10 and the frame 12.
  • the grippers D1 to D4 of the side end portions G1 and G2 are released (step Sf), and the outer portion (unnecessary portion) of the welded portion Y in the mask sheet 10 is cut (step Sg).
  • the vapor deposition hole H and the concave portion L are formed (etched) in the effective portion YA of the mask sheet 10.
  • the mask sheet 10 has an effective portion YA having a low rigidity and a highly rigid edge portion FA surrounding the effective portion YA. In this case, the mask sheet 10 may be deformed during stretching.
  • the maximum thickness of the effective portion YA and the edge portion FA is made equal to the thickness of the base material as shown in FIG.
  • a plurality of depressions P are formed by half etching or the like over the entire area.
  • the plurality of depressions P may be provided on at least one side of the upper surface (first surface 10a) and the lower surface (second surface 10b) of the edge portion FA, and is preferably provided on the upper surface.
  • the plurality of depressions P or the plurality of through holes Q on the upper surface or the lower surface of the edge FA are formed in a matrix in the longitudinal direction and the width direction of the sheet.
  • the shape of the opening J of the recess P or the opening of the through hole Q is not particularly limited, and may be, for example, a shape with rounded corners of a rectangle, a shape such as a square, a rectangle, a rhombus, a circle, or an ellipse.
  • the plurality of depressions P or the plurality of through holes Q can be formed, for example, by simultaneously etching at the time of etching at least one of the upper surface and the lower surface of the effective portion YA when the mask sheet 10 is manufactured.
  • the depression P or the through hole Q may be provided over the entire upper surface or the lower surface of the edge FA, or the depression P or the through hole Q may be provided over the entire upper and lower surfaces of the edge FA.
  • the rigidity of the edge FA can be increased by making the opening pattern of the recesses P or the through holes Q provided in at least one of the upper surface and the lower surface of the edge FA into a checkered shape.
  • the opening pattern of the vapor deposition holes H and the recesses L in FIG. 12A is defined by a unit pattern Uk (a square obtained by connecting the centers of four openings adjacent in the vertical and horizontal directions in the effective portion YA). 12B, the opening pattern of the depression P in FIG. 12B connects the centers of four openings adjacent to each other in the unit pattern Uj (the edge FA in the vertical and horizontal directions).
  • the pattern defined by the rectangle obtained in (2) is configured by repeating the second unit pattern).
  • the area ratio occupied by the opening K is preferably (ii) “area ratio occupied by the opening J of the depression P in the unit pattern Uj of the edge FA”> “the number of the vapor deposition holes H in the unit pattern Uk of the effective part YA. It is further desirable to set the ratio of the area occupied by the opening of one opening K and the recess L.
  • the average thickness of the portion corresponding to the unit pattern Uj of the edge FA (the integral value of the thickness in Uj divided by the area of Uj).
  • Tj Tj (Tk and Tj are substantially equal to each other) Equivalent).
  • the opening pattern of the through holes Q in FIG. 12C is adjacent to the unit pattern Uq (vertical and horizontal directions at the edge FA).
  • a pattern defined by a rectangle obtained by connecting the centers of four matching openings (a third unit pattern).
  • the area ratio occupied by the first opening K of H is preferably (ii) “area ratio occupied by the opening of the through hole Q in the unit pattern Uj of the edge FA”> “deposition in the unit pattern Uk of the effective part YA It is further desirable to set the area ratio occupied by the opening of the first opening K and the recess L of the hole H ”.
  • the average thickness of the portion corresponding to the unit pattern Uq of the edge FA (the integral value of the thickness in Uq divided by the area of Uq).
  • the electro-optical element (electro-optical element whose luminance and transmittance are controlled by current) included in the display device according to the present embodiment is not particularly limited.
  • an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light-emitting diode as an electro-optical element are provided.
  • Inorganic EL displays, and QLED displays equipped with QLEDs (Quantum dot Light Emitting Diodes) as electro-optical elements are exemplified.
  • the mask sheet of aspect 1 is a mask sheet for vapor deposition in which a plurality of vapor deposition holes are formed, and each vapor deposition hole penetrates from the first surface to the second surface of the mask sheet, and the first surface
  • the first opening in the first surface is smaller than the second opening in the second surface, and the first surface includes one of the first openings of two adjacent vapor deposition holes and the other of the first openings.
  • a recess is formed between the opening.
  • the contour of the recess is similar to the contour of the first opening.
  • the contour of the recess is a quadrangular shape or an elliptical shape.
  • the outline of the first opening is a quadrangle or an ellipse
  • the side of the quadrangle of the recess or the major axis direction of the ellipse forms an angle of 45 °.
  • the recesses are formed in a lattice shape so as to cross between the first openings of a plurality of sets of the two adjacent vapor deposition holes.
  • one recess is provided in a region surrounded by the first openings of the four vapor deposition holes.
  • a plurality of the recesses are provided in a region surrounded by the first openings of the four vapor deposition holes.
  • the plurality of recesses provided in a region surrounded by the first openings of the four vapor deposition holes are evenly arranged in the region.
  • the first surface is a surface facing the surface to be deposited during vapor deposition.
  • Aspect 12 is a mask sheet for vapor deposition comprising a grippable side end, an effective portion in which the plurality of vapor deposition holes are formed, and an intermediate portion including an edge portion surrounding the effective portion.
  • a plurality of depressions or a plurality of through holes are formed in the part.
  • the plurality of depressions are formed in the edge portion, the opening pattern of the plurality of vapor deposition holes is configured by repeating a first unit pattern, and the opening pattern of the plurality of depressions is a first pattern. It is configured by repeating two unit patterns, and the area ratio occupied by the opening of the depression in the second unit pattern is larger than the area ratio occupied by the opening of the vapor deposition hole in the first unit pattern.
  • the plurality of through holes are formed in the edge, the opening pattern of the plurality of vapor deposition holes is configured by repeating a first unit pattern, and the opening pattern of the plurality of through holes is The area ratio occupied by the opening of the through hole in the third unit pattern is larger than the area ratio occupied by the opening of the vapor deposition hole in the first unit pattern.
  • the manufacturing method of the mask sheet of aspect 15 is a manufacturing method of a mask sheet for vapor deposition in which a plurality of vapor deposition holes are formed, each vapor deposition hole penetrating from the first surface to the second surface of the mask sheet.
  • Each of the first openings is smaller than each of the second openings, and in the first step, one of the first openings of two adjacent vapor deposition holes and the other of the first openings
  • a recess is formed between the two.
  • Aspect 16 includes an exposure step of exposing the first surface side through an exposure mask having an opening corresponding to the first opening and the recess before the first step, and in the exposure step, The exposure amount through the opening corresponding to the first opening is the same as the exposure amount through the opening corresponding to the recess.
  • the size of the opening corresponding to the first opening is different from the size of the opening corresponding to the recess.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

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Abstract

複数の蒸着孔（Ｈ）が形成された蒸着用のマスクシート（１０）であって、各蒸着孔（Ｈ）は、前記マスクシートの第１面（１０ａ）から第２面（１０ｂ）まで貫通しており、前記第１面における第１開口部（Ｋ）の方が、前記第２面における第２開口部（ＫＫ）よりも小さく、前記第１面には、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に、凹部（Ｌ）が形成されているマスクシート。

Description

マスクシートおよびマスクシートの製造方法
　本発明は、蒸着用のマスクシートおよびその製造方法に関する。
　例えばＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）パネルの製造工程では、有機物を、複数の蒸着孔を有する蒸着マスク越しに基板に蒸着させることで、複数の蒸着孔に対応する有機物のパターンを形成する。
　蒸着マスクは、複数の蒸着孔が形成されているマスクシートを、架張した状態で枠体に固定することにより作製される。特許文献１には、蒸着材料の蒸着精度を高めるために、マスクシートの一方の面と他方の面とで蒸着孔の開口の大きさが異なるマスクシートが開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１４－１３３９３４号（２０１４年７月２４日公開）」
　特許文献１のようにマスクシートの一方の面と他方の面とで蒸着孔の開口の大きさが異なるマスクシートでは、エッチング量の多い側が収縮し、反りが発生する。これにより、マスクシートの精度、例えばマスクシートを蒸着マスクの枠体に固定する際の架張精度が劣化する。
　本発明の一形態にかかるマスクシートは、複数の蒸着孔が形成された蒸着用のマスクシートであって、各蒸着孔は、前記マスクシートの第１面から第２面まで貫通しており、前記第１面における第１開口部の方が、前記第２面における第２開口部よりも小さく、前記第１面には、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に、凹部が形成されている。
　本発明の一形態にかかるマスクシートの製造方法は、複数の蒸着孔が形成された蒸着用のマスクシートの製造方法であって、各蒸着孔は、前記マスクシートの第１面から第２面まで貫通しており、前記マスクシートの第１面に各蒸着孔の第１開口部を形成する第１工程と、前記マスクシートの第２面に各蒸着孔の第２開口部を形成する第２工程と、を含み、各第１開口部の方が、各第２開口部よりも小さく、第１工程において、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に凹部が形成される。
　マスクシートに反りが発生する問題を改善することができる。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 表示デバイスの表示領域の構成例を示す断面図である。 蒸着工程の一例を模式的に説明する図である。 マスクシートの構成例を示す平面図である。 （ａ）はマスクシートの有効部の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 マスクシートの有効部の構成例を示す平面図である。 マスクシートの有効部の構成例を示す平面図である。 マスクシートの製造方法の一例を模式的に説明する図である。 （ａ）はマスクシートを含む蒸着マスクの平面図、（ｂ）はマスクシートの架張手法を示す平面図、（ｃ）は（ａ）のｃ－ｃ断面図、（ｄ）は（ａ）のｆ－ｆ断面図である。 蒸着マスクの作製方法を示すフローチャートである。 マスクシートの縁部の構成例を示す平面図および断面図である。 （ａ）はマスクシートの有効部における蒸着孔および凹部の開口パターンを示す平面図であり、（ｂ）はマスクシートの縁部における窪みの開口パターンを示す平面図であり、（ｃ）はマスクシートの縁部における貫通孔の開口パターンを示す平面図である。
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　（表示デバイス）
　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイスの表示領域の構成を示す断面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。樹脂層１２の部分を、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
　バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨと、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極ＧＥ、ゲート配線ＧＨ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。図２のＴＦＴ層４には、一層の半導体層および三層の金属層が含まれる。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。エッジカバー２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドット発光ダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路がＴＦＴ層４に形成される。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、エッジカバー２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機バッファ膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるためのバンクを非表示領域に設けてもよい。
　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後ステップＳ９に移行する。
　〔実施形態１〕
　上述した蒸着工程では、例えば図３のように、ＴＦＴアレイ層４に複数の貫通孔を有するマスクシート１０を設けた蒸着マスクを密着させ、真空下において、蒸着源７０で気化あるいは昇華させた蒸着粒子Ｚ（例えば、有機発光材）をマスクシート１０越しに基板５に蒸着させることで、マスクシート１０の貫通孔に対応するパターンにて蒸着パターンを形成する。
　（マスクシート）
　図４は実施形態１に係るマスクシート１０の構成を示す平面図である。図４に示すように、実施形態１に係るマスクシート１０は、短冊状であり、母材として、例えば、厚さ１０μｍ～５０μｍのインバー材等が用いられている。なお、マスクシート１０の上面である第１面１０ａが被蒸着面（図３におけるＴＦＴアレイ層４）と対向する側の面となり、マスクシート１０の下面である第２面１０ｂが図２における蒸着源７０と対向する側の面となる。
　マスクシート１０は、グリップ可能な２つの側端部Ｇ１・Ｇ２と、中間部Ｍとを備える。中間部Ｍは、長手方向に並ぶ複数の有効部ＹＡと、これら有効部ＹＡを取り囲む縁部ＦＡとからなる。有効部ＹＡには複数の蒸着孔Ｈが形成され、各有効部がＯＬＥＤパネル１枚の表示エリアに相当する。すなわち、蒸着源から発せられた蒸着粒子は、蒸着孔Ｈを通って基板の表示エリアに蒸着する。縁部ＦＡは、基板の表示エリアを取り囲む非表示エリア（額縁エリア）と重畳しており、蒸着粒子は縁部ＦＡによって遮断され、非表示エリアには到達しない。
　図５の（ａ）は、マスクシート１０の有効部ＹＡを第１面１０ａ側（上面）から見た平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ断面図である。各蒸着孔Ｈは、マスクシート１０の第１面１０ａから第２面１０ｂまで貫通しており、第１開口部Ｋは第１面１０ａに形成され、第２開口部ＫＫは第２面１０ｂに形成される。各蒸着孔Ｈは、第１面１０ａの第１開口部Ｋから第２面１０ｂに向けてシート面に平行な断面が大きくなる形状であり、第１面１０ａ側の第１開口部Ｋは、第２面１０ｂ側の第２開口部ＫＫ（下面エッチングの領域）よりも小さい。
　有効部ＹＡの複数の蒸着孔Ｈは、シートの長手方向および幅方向にマトリクス状に形成され、その第１開口部Ｋ（第１面１０ａの開口）は、基板の画素エリアに対応するように、角が丸まった四角形形状もしくは円形の形状となる。有効部ＹＡでは、各蒸着孔に対して第１面１０ａ側よりも第２面１０ｂ側のエッチングを広範かつ深く行うことで、陰になる部分（隣り合う２つの蒸着孔Ｈ間の仕切りの高さ）を小さくし、被蒸着物に対する蒸着精度および蒸着効率を高めている。
　ここで、マスクシート１０の有効部ＹＡの第１面１０ａにおいて、隣り合う２つの蒸着孔Ｈの一方の第１開口部Ｋと、他方の第１開口部Ｋとの間には、凹部Ｌが形成されている。本明細書において、凹部とは、凹んでいるが、貫通していない凹形状の部位を意味する。また、二つの蒸着孔Ｈが隣り合うとは、二つの蒸着孔Ｈの間に他の蒸着孔Ｈが介在しないことを意味する。例えば、図５の（ａ）における右上の蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋと、その下の第１開口部Ｋとの間に、凹部Ｌが形成されている。一態様において、蒸着孔Ｈおよび凹部Ｌは第１面１０ａ上に、単位パターン（第１単位パターン）Ｕｋによって構成される開口パターンを形成している。
　このように、本実施形態では、第１面１０ａ側の蒸着孔Ｈの開口の隙間に、凹部Ｌをエッチングによって設け（なお、凹部Ｌはエッチングにより貫通していないことから、ハーフエッチング部と呼んでもよい）、両面のエッチング量のバランスを取る。換言すれば、マスクシート１０表面の圧縮応力のかかった薄皮部分をエッチングし、応力のバランスを取る。これにより、エッチング後でも、マスクシート１０の両面におけるエッチング量の差を縮小し、応力バランスを取ることで、マスクシート１０の反りの発生を抑制することができる。
　凹部Ｌの形状は特に限定されず、様々な形状とすることができる。例えば、図５の（ａ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、凹部Ｌの輪郭と、第１開口部Ｋの輪郭とが相似している構成とすることができる。なお、本明細書において、凹部Ｌの輪郭と、第１開口部Ｋの輪郭とが相似しているとは、第１開口部Ｋの輪郭の形状と、凹部Ｌの輪郭の形状とが同種の形状であることを意味し、例えば、第１開口部Ｋの輪郭が楕円形状である場合に凹部Ｌの輪郭も楕円形状である構成や、第１開口部Ｋの輪郭が矩形形状である場合に凹部Ｌの輪郭も矩形形状である構成なども、凹部Ｌの輪郭と、第１開口部Ｋの輪郭とが相似している構成に包含される。このとき、凹部Ｌのサイズと、第１開口部Ｋのサイズとが同一である構成であってもよいし、両サイズが異なっている構成であってもよいが、たとえば、凹部Ｌの方が、第１開口部Ｋよりも小さい構成とすることができる。
　図６および図７は、マスクシート１０の有効部ＹＡを第１面１０ａ側（上面）から見た平面図であり、有効部ＹＡの他の構成例を示している。図６の（ａ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、凹部Ｌの輪郭が、円形状である構成とすることもできる。
　また、図５の（ａ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、凹部Ｌの輪郭が、四角形状である構成とすることもできるし、図６の（ｂ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、凹部Ｌの輪郭が、楕円形状である構成とすることもできる。なお、本明細書において「四角形状」とは、角が丸められている形状も含む。
　また、図６の（ｃ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、第１開口部Ｋの輪郭および凹部Ｌの輪郭が、四角形状であり、凹部Ｌの四角形状の辺方向と、第１開口部Ｋの四角形状の辺方向とが４５°の角度θをなしている構成とすることもできる。また、図６の（ｄ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、第１開口部Ｋの輪郭が、四角形状であり、凹部Ｌの輪郭が、楕円形状であり、凹部Ｌの楕円形状の長軸方向と、第１開口部Ｋの四角形状の辺方向とが４５°の角度θをなしている構成とすることもできる。また、第１開口部Ｋの輪郭は、楕円形状であってもよく、この場合、凹部Ｌの四角形状の辺方向、または、凹部Ｌの楕円形状の長軸方向と、第１開口部Ｋの楕円形状の長軸方向とが４５°の角度θをなしている構成としてもよい。
　また、図６の（ｅ）に示すように、有効部ＹＡの第１面１０ａを平面視した場合に、凹部Ｌは、複数組の隣り合う２つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋ間を横切るように格子状に（いわゆる「田の字型」に）形成されている構成とすることもできる。
　なお、一態様において、図５の（ａ）および図６の（ａ）～（ｄ）に示すように、凹部Ｌは、４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域に一つ設けられていてもよい。
　また、一態様において、図６の（ａ）～（ｅ）に示す構成例でも、蒸着孔Ｈおよび凹部Ｌは第１面１０ａ上に、単位パターンＵｋによって構成される開口パターンを形成している。そして、一態様において、図５の（ａ）および図６の（ａ）～（ｅ）に示すように、単位パターンＵｋは、４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域であってもよい。このとき、図５の（ａ）および図６の（ａ）～（ｄ）に示すように、凹部Ｌは、単位パターンとなる４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域に一つ設けられていてもよい。
　また、一態様において、図７の（ａ）～（ｂ）に示すように、凹部Ｌは、４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域に複数設けられていてもよい。
　また、一態様において、図７の（ａ）～（ｂ）に示す構成例でも、蒸着孔Ｈおよび凹部Ｌは第１面１０ａ上に、単位パターンＵｋによって構成される開口パターンを形成している。そして、一態様において、図７の（ａ）～（ｂ）に示すように、単位パターンＵｋは、４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域であってもよい。このとき、図７の（ａ）～（ｂ）に示すように、凹部Ｌは、単位パターンとなる４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域に複数設けられていてもよい。
　また、図７の（ａ）～（ｂ）に示すように、４つの蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋに囲まれた領域に複数設けられている凹部Ｌは、当該領域内に均等に配置されている構成とすることができる。
　続いて、マスクシート１０の製造方法を説明する。マスクシート１０は例えば以下のように形成される。まず、インバー材等からなる長尺板の両面にネガ型もしくはポジ型の感光性レジスト材料を塗布し、上面（第１面１０ａ）および下面（第２面１０ｂ）にレジスト膜を形成する。次いで、露光マスクを用いて上面および下面のレジスト膜を露光する（露光工程）。露光工程では、第１開口部Ｋおよび凹部Ｌに対応する開口を有する露光マスクを介して第１面１０ａ側を露光する。その際、第１開口部Ｋに対応する開口を介した露光量と、凹部Ｌに対応する開口を介した露光量とが同じであってもよい。また、露光マスクは、第１開口部Ｋに対応する開口の大きさと、凹部Ｌに対応する開口の大きさとが異なるものであってもよい。そして、露光した上面および下面のレジスト膜を現像することで上面レジストパターン８０および下面レジストパターン８２を形成する（図８の（ａ））。
　次いで、上面レジストパターン８０をマスクとして有効部ＹＡの上面（第１面１０ａ）をエッチングし、有効部ＹＡの上面（第１面１０ａ）に第１開口部Ｋを形成する（第１工程）。なお、この段階では貫通した蒸着孔とはならない。このとき、有効部ＹＡの上面（第１面１０ａ）には、第１開口部Ｋとともに凹部Ｌを形成する。詳細には、第１工程において、隣り合う２つの蒸着孔Ｈの一方の第１開口部Ｋと、他方の第１開口部Ｋとの間に凹部Ｌが形成される。
　次いで、エッチング耐性を有する耐性樹脂で上面を覆い、下面レジストパターン８２をマスクとして有効部ＹＡの下面（第２面１０ｂ）をエッチングし、有効部ＹＡの下面（第２面１０ｂ）に第１開口部Ｋよりも大きい第２開口部ＫＫを形成する（第２工程）。これにより、有効部ＹＡでは下面側からの浸食によって蒸着孔Ｈ（貫通孔）が形成される。
　なお、第１工程と第２工程とは順序を入れ替えてもよい。
　（蒸着マスク）
　一態様において、蒸着工程では、マスクシート１０を、図９の（ａ）に示す蒸着マスク２０に組み込んで使用する。蒸着マスク２０は、フレーム（枠体）１２と、フレーム１２の縦方向（マスクシートの幅方向）に架けられる複数のサポートシート１３（ハウリングシートとも呼ばれる）と、フレーム１２の横方向（マスクシートの長手方向）に架けられる複数のカバーシート１１ａ・１１ｂと、複数のマスクシート１０とを備える。図９では、説明の便宜上、マスクシート１０を１枚だけ記載しているが、実際は、配置されるパネルの列の数だけマスクシート１０が設けられる。
　蒸着マスク２０の作製方法を説明する。図９の（ａ）（ｂ）および図１０に示すように、サポートシート１３の各端部をフレーム１２に設けられた凹部に嵌め込んで溶接し（ステップＳａ）、さらに、カバーシート１１ａ・１１ｂの各端部を、フレーム１２に設けられた凹部Ｒに、その開口から露出しないように嵌め込んで溶接する（ステップＳｂ）。なお、サポートシートとカバーシートの溶接する順序は逆になっても良い。次いで、マスクシート１０を両側端部Ｇ１・Ｇ２をグリッパＤ１～Ｄ４にセットし、カバーシート１１に重ねるようにマスクフレーム上に配置する（ステップＳｃ）。図９の（ａ）（ｂ）に示すように、側端部Ｇ１・Ｇ２それぞれは、中央部が切り欠かれた形状であり、側端部Ｇ１の切り欠きの両側に位置する部分をグリッパＤ１・Ｄ２に挟み、側端部Ｇ２の切り欠きの両側に位置する部分をグリッパＤ３・Ｄ４に挟み込む。
　次いで、グリッパＤ１～Ｄ４によってマスクシートに張力をかけ、グリッパＤ１～Ｄ４をそれぞれ独立して調整することで、マスクシート１０のフレーム１２に対する位置合わせを行う（ステップＳｄ）。この際、マスクシート１０の有効部ＹＡにおける蒸着孔Ｈの開口Ｋの位置が基板の画素エリア（発光エリア）と合致するように位置合わせを行うが、有効部ＹＡの変形が大きければこれが困難となる。
　位置合わせが完了すれば、レーザを用いてマスクシート１０の溶接部Ｙをフレーム１２に溶接する（ステップＳｅ）。具体的には複数個のスポット溶接を行う。これにより、図９の（ｃ）（ｄ）に示すように、マスクシート１０およびフレーム１２の融解による溶接スポットが複数形成される。溶接が完了すれば、両側端部Ｇ１・Ｇ２のグリッパＤ１～Ｄ４を解除し（ステップＳｆ）、マスクシート１０における溶接部Ｙの外側部分（不要部分）をカットする（ステップＳｇ）。
　（マスクシートの縁部の加工）
　上述したようにマスクシート１０の有効部ＹＡには蒸着孔Ｈおよび凹部Ｌが形成（エッチング）される。このとき、縁部ＦＡに何も加工していない場合、マスクシート１０内に剛性の低い有効部ＹＡと、これを取り囲む剛性の高い縁部ＦＡとが存在することになる。この場合、架張時にマスクシート１０が変形するおそれがある。
　そこで、一態様において、中間部Ｍの剛性を均一化するため、図１１に示すように、有効部ＹＡおよび縁部ＦＡの最大厚みを母材の厚みに揃えた上で、縁部ＦＡの下面全域にわたって、ハーフエッチング等による複数の窪みＰを形成する。このように、縁部ＦＡに窪みＰを設けることで縁部ＦＡの剛性を有効部ＹＡの剛性に合わせることにより、架張時の中間部Ｍ（特に有効部ＹＡ）の変形が抑えられ、マスクシートへの形状補正および位置補正をかけることが容易となる。なお、縁部ＦＡに対しては、図１２の（ｃ）に示すように、複数の窪みＰの代わりに複数の貫通孔Ｑを形成することによっても同様の効果が得られる。また、複数の窪みＰは縁部ＦＡの上面（第１面１０ａ）および下面（第２面１０ｂ）のうち少なくとも片側にあれば良く、上面に設けることが好ましい。複数の窪みＰを縁部ＦＡの上面に設けることにより、凹部Ｌと同様の効果を奏する。
　縁部ＦＡ上面または下面の複数の窪みＰまたは複数の貫通孔Ｑは、シートの長手方向および幅方向にマトリクス状に形成される。窪みＰの開口Ｊまたは貫通孔Ｑの開口の形状は特に限定されず、例えば長方形の角を丸めたような形状、正方形、長方形、ひし形、円、楕円のような形状等であり得る。複数の窪みＰまたは複数の貫通孔Ｑは、例えば、マスクシート１０の製造時に、有効部ＹＡの上面および下面の少なくとも一方のエッチングを行う際に、同時にエッチングすることで形成することができる。また、縁部ＦＡの上面または下面全域にわたって窪みＰまたは貫通孔Ｑを設けてもよいし、縁部ＦＡの上面および下面それぞれの全域にわたって窪みＰまたは貫通孔Ｑを設けてもよい。また、縁部ＦＡの上面および下面の少なくとも一方に設けられる窪みＰまたは貫通孔Ｑの開口パターンを市松形状として縁部ＦＡの剛性を高めることもできる。
　ここで、図１２の（ａ）の蒸着孔Ｈおよび凹部Ｌの開口パターンは、単位パターンＵｋ（有効部ＹＡにおいて縦および横方向に隣り合う４つの開口の中心を結んで得られる正方形で規定されるパターン。第１単位パターン）の繰り返しで構成され、図１２の（ｂ）の窪みＰの開口パターンは、単位パターンＵｊ（縁部ＦＡにおいて縦および横方向に隣り合う４つの開口の中心を結んで得られる長方形で規定されるパターン。第２単位パターン）の繰り返しで構成される。
　有効部ＹＡと縁部ＦＡの剛性を合わせるためには、（ｉ）縁部ＦＡの単位パターンＵｊにおいて窪みＰの開口Ｊが占める面積割合＞有効部ＹＡの単位パターンＵｋにおいて蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋが占める面積割合とすることが望ましく、（ｉｉ）「縁部ＦＡの単位パターンＵｊにおいて窪みＰの開口Ｊが占める面積割合」＞「有効部ＹＡの単位パターンＵｋにおいて蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋおよび凹部Ｌの開口が占める面積割合」とすることがさらに望ましい。
　また、さらに有効部ＹＡと縁部ＦＡの剛性を合わせるためには、縁部ＦＡの単位パターンＵｊに対応する部分の平均厚み（Ｕｊ内の厚みの積分値をＵｊの面積で除したもの）をＴｊとし、有効部ＹＡの単位パターンＵｋに対応する部分の平均厚みをＴｋ（Ｕｋ内の厚みの積分値をＵｋの面積で除したもの）として、Ｔｋ＝Ｔｊ（ＴｋとＴｊとが実質的に同等）とすることが望ましい。
　また、複数の窪みＰの代わりに複数の貫通孔Ｑを形成する場合には、図１２の（ｃ）の貫通孔Ｑの開口パターンは、単位パターンＵｑ（縁部ＦＡにおいて縦および横方向に隣り合う４つの開口の中心を結んで得られる長方形で規定されるパターン。第３単位パターン）の繰り返しで構成される。この場合に、有効部ＹＡと縁部ＦＡの剛性を合わせるためには、（ｉ）縁部ＦＡの単位パターンＵｑにおいて貫通孔Ｑの開口が占める面積割合＞有効部ＹＡの単位パターンＵｋにおいて蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋが占める面積割合とすることが望ましく、（ｉｉ）「縁部ＦＡの単位パターンＵｊにおいて貫通孔Ｑの開口が占める面積割合」＞「有効部ＹＡの単位パターンＵｋにおいて蒸着孔Ｈの第１開口部Ｋおよび凹部Ｌの開口が占める面積割合」とすることがさらに望ましい。また、さらに有効部ＹＡと縁部ＦＡの剛性を合わせるためには、縁部ＦＡの単位パターンＵｑに対応する部分の平均厚み（Ｕｑ内の厚みの積分値をＵｑの面積で除したもの）をＴｑとして、Ｔｋ＝Ｔｑ（ＴｋとＴｑとが実質的に同等）とすることが望ましい。
　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示デバイスとしては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　態様１のマスクシートは、複数の蒸着孔が形成された蒸着用のマスクシートであって、各蒸着孔は、前記マスクシートの第１面から第２面まで貫通しており、前記第１面における第１開口部の方が、前記第２面における第２開口部よりも小さく、前記第１面には、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に、凹部が形成されている。
　態様２では、前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の輪郭と、前記第１開口部の輪郭とが相似している。
　態様３では、前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の方が、前記第１開口部よりも小さい。
　態様４では、前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の輪郭が、円形状である。
　態様５では、前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の輪郭が、四角形状または楕円形状である。
　態様６では、前記第１面を平面視した場合に、前記第１開口部の輪郭が、四角形状または楕円形状であり、前記凹部の前記四角形状の辺方向または前記楕円形状の長軸方向と、前記第１開口部の前記四角形状の辺方向または前記楕円形状の長軸方向とが４５°の角度をなしている。
　態様７では、前記凹部は、複数組の前記隣り合う２つの蒸着孔の前記第１開口部間を横切るように格子状に形成されている。
　態様８では、前記凹部は、４つの蒸着孔の前記第１開口部に囲まれた領域に一つ設けられている。
　態様９では、前記凹部は、４つの蒸着孔の前記第１開口部に囲まれた領域に複数設けられている。
　態様１０では、前記４つの蒸着孔の前記第１開口部に囲まれた領域に複数設けられている前記凹部は、当該領域内に均等に配置されている。
　態様１１では、前記第１面が、蒸着時に被蒸着面に対向する面である。
　態様１２では、グリップ可能な側端部と、前記複数の蒸着孔が形成された有効部および当該有効部を取り囲む縁部からなる中間部とを備えた蒸着用のマスクシートであって、前記縁部に、複数の窪みあるいは複数の貫通孔が形成されている。
　態様１３では、前記縁部には、前記複数の窪みが形成されており、前記複数の蒸着孔の開口パターンは、第１単位パターンの繰り返しで構成され、前記複数の窪みの開口パターンは、第２単位パターンの繰り返しで構成され、前記第２単位パターンにおいて窪みの開口が占める面積割合は、前記第１単位パターンにおいて蒸着孔の開口が占める面積割合よりも大きい。
　態様１４では、前記縁部には、前記複数の貫通孔が形成されており、前記複数の蒸着孔の開口パターンは、第１単位パターンの繰り返しで構成され、前記複数の貫通孔の開口パターンは、第３単位パターンの繰り返しで構成され、前記第３単位パターンにおいて貫通孔の開口が占める面積割合は、前記第１単位パターンにおいて蒸着孔の開口が占める面積割合よりも大きい。
　態様１５のマスクシートの製造方法は、複数の蒸着孔が形成された蒸着用のマスクシートの製造方法であって、各蒸着孔は、前記マスクシートの第１面から第２面まで貫通しており、前記マスクシートの第１面に各蒸着孔の第１開口部を形成する第１工程と、前記マスクシートの第２面に各蒸着孔の第２開口部を形成する第２工程と、を含み、各第１開口部の方が、各第２開口部よりも小さく、　前記第１工程において、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に凹部が形成される。
　態様１６では、前記第１工程の前に、前記第１開口部および前記凹部に対応する開口を有する露光マスクを介して前記第１面側を露光する露光工程を含み、前記露光工程では、前記第１開口部に対応する開口を介した露光量と、前記凹部に対応する開口を介した露光量とが同じである。
　態様１７では、前記露光マスクは、前記第１開口部に対応する開口の大きさと、前記凹部に対応する開口の大きさとが異なる。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
３　バリア層
４　ＴＦＴ層
５　発光素子層
６　封止層
１０　下面フィルム
１２　樹脂層
１５　半導体膜
１６、１６・１８・２０、１８、２０　無機絶縁膜
２１　平坦化膜
２２　アノード
２３　エッジカバー
２４　ＥＬ層
２５　カソード
２６、２８　無機封止膜
２７　有機バッファ膜
３９　機能フィルム

Claims (17)

  1. 　複数の蒸着孔が形成された蒸着用のマスクシートであって、
    　各蒸着孔は、前記マスクシートの第１面から第２面まで貫通しており、前記第１面における第１開口部の方が、前記第２面における第２開口部よりも小さく、
    　前記第１面には、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に、凹部が形成されているマスクシート。
  2. 　前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の輪郭と、前記第１開口部の輪郭とが相似している請求項１に記載のマスクシート。
  3. 　前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の方が、前記第１開口部よりも小さい請求項２に記載のマスクシート。
  4. 　前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の輪郭が、円形状である請求項１～３のいずれか１項に記載のマスクシート。
  5. 　前記第１面を平面視した場合に、前記凹部の輪郭が、四角形状または楕円形状である請求項１～３のいずれか１項に記載のマスクシート。
  6. 　前記第１面を平面視した場合に、前記第１開口部の輪郭が、四角形状または楕円形状であり、
    　前記凹部の前記四角形状の辺方向または前記楕円形状の長軸方向と、前記第１開口部の前記四角形状の辺方向または前記楕円形状の長軸方向とが４５°の角度をなしている請求項５に記載のマスクシート。
  7. 　前記凹部は、複数組の前記隣り合う２つの蒸着孔の前記第１開口部間を横切るように格子状に形成されている請求項１～３のいずれか１項に記載のマスクシート。
  8. 　前記凹部は、４つの蒸着孔の前記第１開口部に囲まれた領域に一つ設けられている請求項１～６のいずれか１項に記載のマスクシート。
  9. 　前記凹部は、４つの蒸着孔の前記第１開口部に囲まれた領域に複数設けられている請求項１～６のいずれか１項に記載のマスクシート。
  10. 　前記４つの蒸着孔の前記第１開口部に囲まれた領域に複数設けられている前記凹部は、当該領域内に均等に配置されている請求項９に記載のマスクシート。
  11. 　前記第１面が、蒸着時に被蒸着面に対向する面である請求項１～１０のいずれか１項に記載のマスクシート。
  12. 　グリップ可能な側端部と、前記複数の蒸着孔が形成された有効部および当該有効部を取り囲む縁部からなる中間部とを備えた蒸着用のマスクシートであって、前記縁部に、複数の窪みあるいは複数の貫通孔が形成されている請求項１～１１のいずれか１項に記載のマスクシート。
  13. 　前記縁部には、前記複数の窪みが形成されており、
    　前記複数の蒸着孔の開口パターンは、第１単位パターンの繰り返しで構成され、前記複数の窪みの開口パターンは、第２単位パターンの繰り返しで構成され、
    　前記第２単位パターンにおいて窪みの開口が占める面積割合は、前記第１単位パターンにおいて蒸着孔の開口が占める面積割合よりも大きい請求項１２に記載のマスクシート。
  14. 　前記縁部には、前記複数の貫通孔が形成されており、
    　前記複数の蒸着孔の開口パターンは、第１単位パターンの繰り返しで構成され、前記複数の貫通孔の開口パターンは、第３単位パターンの繰り返しで構成され、
    　前記第３単位パターンにおいて貫通孔の開口が占める面積割合は、前記第１単位パターンにおいて蒸着孔の開口が占める面積割合よりも大きい請求項１２に記載のマスクシート。
  15. 　複数の蒸着孔が形成された蒸着用のマスクシートの製造方法であって、
    　各蒸着孔は、前記マスクシートの第１面から第２面まで貫通しており、
    　前記マスクシートの第１面に各蒸着孔の第１開口部を形成する第１工程と、
    　前記マスクシートの第２面に各蒸着孔の第２開口部を形成する第２工程と、を含み、
    　各第１開口部の方が、各第２開口部よりも小さく、
    　前記第１工程において、隣り合う２つの蒸着孔の一方の前記第１開口部と、他方の前記第１開口部との間に凹部が形成されるマスクシートの製造方法。
  16. 　前記第１工程の前に、前記第１開口部および前記凹部に対応する開口を有する露光マスクを介して前記第１面側を露光する露光工程を含み、
    　前記露光工程では、前記第１開口部に対応する開口を介した露光量と、前記凹部に対応する開口を介した露光量とが同じである請求項１５に記載のマスクシートの製造方法。
  17. 　前記露光マスクは、前記第１開口部に対応する開口の大きさと、前記凹部に対応する開口の大きさとが異なる請求項１６に記載のマスクシートの製造方法。
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