CN117148666A - 光罩清洗装置及光罩清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种光罩清洗装置及光罩清洗方法。所述光罩清洗装置包括：承载结构，包括承载面，所述承载面用于承载待清洗的光罩，所述光罩包括图形区域以及环绕所述图形区域的外周分布的残留物；喷头，位于所述承载结构上方，所述喷头包括阻挡柱、环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳和位于所述阻挡柱与所述外壳之间的喷口，所述喷头通过所述喷口喷射出呈环状分布的湿法清洗剂；控制器，连接所述承载结构和所述喷头，所述控制器用于在所述喷头喷射所述湿法清洗剂时控制所述承载结构和所述喷头沿相同的方向以相同的速度自转。本发明在提高所述光罩表面的残留物的去除效果的同时，也能减少对所述光罩上的所述图形区域的损伤。

Description

光罩清洗装置及光罩清洗方法

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种光罩清洗装置及光罩清洗方法。

背景技术

光罩是集成电路制造过程中常用的一种模具，所述光罩上形成有图形区域，通过曝光制程，可以将光罩中图形区域的图案转移到晶圆上。通常在光罩上的图形区域上粘结有保护罩，以防止外界环境中的污染物对所述图形区域造成污染或者损伤，从而确保在晶圆上形成的刻蚀图案的形貌和尺寸的准确性。保护罩需要周期性更换，以确保所述保护罩的保护效果，并去除渗透到所述光罩与所述保护罩之间的杂质。然而，在去除所述保护罩的过程中，会残留部分粘结剂在所述光罩的表面。残留的粘结剂需要通过光罩清洗装置去除，以确保所述光罩表面的洁净度。

光罩清洗装置通过喷头喷洒湿法清洗剂至所述光罩表面，所述光罩的旋转带来的离心力将所述湿法清洗剂覆盖在光罩表面，使得所述湿法清洗剂与残胶反应后被甩出所述光罩。但是，当前的光罩清洗装置的喷头喷出的湿法清洗剂不仅会覆盖残胶，还会覆盖图形区域，而湿法清洗剂与图形区域接触时间过长极有可能造成图形区域的图形损伤。另外，湿法清洗剂中的酸根离子或者其他离子残留在图形区域，可能产生硫酸铵缺陷（Haze缺陷），影响光刻工艺中晶圆产品的良率。

因此，如何改善光罩清洗装置的清洗效果，减少对光罩上图形区域的影响，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种光罩清洗装置及光罩清洗方法，用于改善光罩清洗装置对光罩的清洗效果，减少对图形区域的影响，从而改善半导体制造良率。

根据一些实施例，本发明提供了一种光罩清洗装置，包括：

承载结构，包括承载面，所述承载面用于承载待清洗的光罩，所述光罩包括图形区域以及环绕所述图形区域的外周分布的残留物；

喷头，位于所述承载结构上方，所述喷头包括阻挡柱、环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳和位于所述阻挡柱与所述外壳之间的喷口，所述喷头通过所述喷口喷射出呈环状分布的湿法清洗剂；

控制器，连接所述承载结构和所述喷头，所述控制器用于在所述喷头喷射所述湿法清洗剂时控制所述承载结构和所述喷头沿相同的方向以相同的速度自转。

在一些实施例中，还包括：

第一驱动器，连接所述承载结构和所述控制器，所述第一驱动器用于根据所述控制器的第一控制指令驱动所述承载结构自转；

第二驱动器，连接所述喷头和所述控制器，所述第二驱动器用于根据所述控制器的第二控制指令驱动所述喷头自转。

在一些实施例中，所述喷头沿第一方向位于所述承载结构上方；所述光罩清洗装置还包括：

第三驱动器，连接所述控制器和所述喷头，所述第三驱动器用于驱动所述喷头沿所述第一方向升降运动。

在一些实施例中，还包括：

传感结构，连接所述第三驱动器，用于检测所述残留物沿所述第一方向的高度，所述第三驱动器用于根据所述残留物的所述高度驱动所述喷头沿所述第一方向升降运动。

在一些实施例中，在沿所述喷头指向所述承载面的方向上，所述外壳的宽度逐渐增大，且所述阻挡柱的宽度逐渐增大。

在一些实施例中，所述喷口在所述承载面上的投影的形状与全部的所述残留物的轮廓线的形状相同，其中，全部的所述残留物的轮廓线是指全部的所述残留物的边缘线连接形成的封闭曲线。

在一些实施例中，所述湿法清洗剂为酸性化学试剂。

根据另一些实施例，本发明还提供了一种光罩清洗方法，包括如下步骤：

放置待清洗的光罩于承载结构的承载面上，所述光罩包括图形区域以及环绕所述图形区域的外周分布的残留物；

驱动所述承载结构和位于所述承载结构上方的喷头沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷头通过喷口朝向所述光罩上的所述残留物喷射湿法清洗剂，所述喷头包括阻挡柱和环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳，所述喷口位于所述阻挡柱与所述外壳之间。

在一些实施例中，所述喷头沿第一方向位于所述承载结构上方；驱动所述承载结构和位于所述承载结构上方的喷头沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷头通过喷口朝向所述光罩上的所述残留物喷射呈环状分布的湿法清洗剂之前，还包括如下步骤：

检测所述图形区域的面积；

根据所述图形区域的面积调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

在一些实施例中，根据所述图形区域的面积调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离的具体步骤包括：

判断所述图形区域的面积是否大于阈值面积，若是，则驱动所述喷头沿所述第一方向下降，减小所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

在一些实施例中，所述喷头沿第一方向位于所述承载结构上方；驱动所述承载结构和位于所述承载结构上方的喷头沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷头通过喷口朝向所述光罩上的所述残留物喷射呈环状分布的湿法清洗剂之前，还包括如下步骤：

检测所述残留物沿所述第一方向的高度；

根据所述残留物沿所述第一方向的高度调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

在一些实施例中，根据所述残留物沿所述第一方向的高度调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离的具体步骤包括：

判断所述残留物沿所述第一方向的高度是否小于阈值高度，若是，则驱动所述喷头沿所述第一方向上升，增大所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

本发明提供的光罩清洗装置及光罩清洗方法，通过设置包括阻挡柱、环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳和位于所述阻挡柱与所述外壳之间的喷口的喷头，从而使得自所述喷头中的所述喷口喷出的湿法清洗剂为环状，从而减少甚至是能够避免所述湿法清洗剂覆盖所述光罩上的图形区域，既减少了湿法清洗剂与所述图形区域作用而对所述图形区域造成损伤，也能减少因湿法清洗剂在所述图形区域的残留而产生的结晶杂质，使得在提高所述光罩表面的残留物的去除效果的同时，也能减少对所述光罩上的所述图形区域的损伤，提高了光罩的清洁效果，进而改善了半导体结构的光刻良率。

附图说明

附图1是本发明具体实施方式中光罩清洗装置的结构示意图；

附图2是附图1中的喷头在A-A位置的截面示意图；

附图3是本发明具体实施方式中光罩清洗方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的光罩清洗装置及光罩清洗方法的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种光罩清洗装置，附图1是本发明具体实施方式中光罩清洗装置的结构示意图，附图2是附图1中的喷头在A-A位置的截面示意图。如图1-图2所示，所述光罩清洗装置，包括：

承载结构，包括承载面191，所述承载面191用于承载待清洗的光罩11，所述光罩11包括图形区域12以及环绕所述图形区域12的外周分布的残留物13；

喷头10，位于所述承载结构上方，所述喷头10包括阻挡柱20、环绕所述阻挡柱20的外周分布的外壳21和位于所述阻挡柱20与所述外壳21之间的喷口22，所述喷头10通过所述喷口22喷射出呈环状分布的湿法清洗剂；

控制器18，连接所述承载结构和所述喷头10，所述控制器18用于在所述喷头喷射所述湿法清洗剂时控制所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度自转。

具体来说，所述光罩清洗装置包括清洗腔室、位于所述清洗腔室内的所述承载结构、位于所述清洗腔室内且沿第一方向D1位于所述承载结构上方的所述喷头10、以及与所述喷头10连通的传输管道14。所述承载结构包括承载台19和位于所述承载台19沿所述第一方向D1的下方且与所述承载台19连接的第一旋转轴16，所述承载台19沿所述第一方向D1朝向所述喷头10的表面为所述承载面191，所述承载面191用于承载待清洗的所述光罩11。所述光罩11包括所述图形区域12，所述图形区域12中形成有图案，所述图形区域中的所述图案后续可以通过曝光、刻蚀等工艺转移到晶圆上，以于所述晶圆中形成刻蚀结构。在一示例中，为了防止外界环境中的污染物对所述图形区域12造成污染或者损伤，需要在所述光罩11上设置环绕所述图形区域12的粘结层，通过所述粘结层粘结保护膜于所述图形区域12上，从而能通过所述保护膜保护所述图形区域12。在对所述光罩11进行周期性维护或者更换所述保护膜时，需要去除所述保护膜，而去除所述保护膜的过程中，易造成粘结层的残留，残留的所述粘结层作为所述残留物。所述粘结层的材料可以为粘结胶。在其他示例中，所述残留物还可以是由于其他制程或者工艺导致的。

本具体实施方式通过在所述喷头10中设置所述阻挡柱20，所述湿法清洗剂仅能够从所述喷头10的边缘处（即所述外壳21与所述阻挡柱20之间的所述喷口22）喷出，而不能从所述喷头10的中部（即所述阻挡柱20所在的位置）喷出，使得所述喷头10喷出的所述湿法清洗剂呈环状分布，一方面，减少了所述湿法清洗剂的用量，从而节省了所述光罩的清洗成本；另一方面，减少了甚至是能够避免了所述湿法清洗剂覆盖所述光罩上的图形区域，既减少了湿法清洗剂与所述图形区域作用而对所述图形区域造成损伤，也能减少因湿法清洗剂在所述图形区域的残留而产生的结晶杂质。所述喷头10中的所述喷口22喷射所述湿法清洗剂的同时，控制所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度自转，确保所述湿法清洗剂能够准确喷洒至所述残留物上的同时，减少了因所述湿法清洗剂飞溅对所述图形区域的损伤。

在一些实施例中，所述光罩清洗装置还包括：

第一驱动器17，连接所述承载结构和所述控制器18，所述第一驱动器17用于根据所述控制器的第一控制指令驱动所述承载结构自转；

第二驱动器15，连接所述喷头10和所述控制器18，所述第二驱动器15用于根据所述控制器18的第二控制指令驱动所述喷头10自转。

举例来说，所述第一驱动器17连接所述承载结构中的所述第一旋转轴16，用于驱动所述第一旋转轴16的自转，所述第一旋转轴16的自转带动所述承载台19的自转，进而带动位于所述承载台19上的所述光罩11的自转。所述光罩清洗装置还包括与所述喷头10连接的第二旋转轴，所述第二驱动器15连接所述第二旋转轴，从而能够通过驱动所述第二旋转轴自转来带动所述喷头10自转。本具体实施方式通过所述控制器18控制所述第一驱动器17和所述第二驱动器15，使得所述承载结构上的所述光罩11和所述喷头10能够沿相同的自转方向（例如顺时针方向或者逆时针方向）以相同的转速同步旋转，从而进一步减少所述喷头10喷出的所述湿法清洗剂掉落至所述图形区域12，并进一步确保所述湿法清洗剂对所述残留物的有效覆盖。在一示例中，所述控制器18用于控制所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度同步匀速自转，以提高所述湿法清洗剂对所述残留物13的清洗均匀性。另外，随着所述光罩11的自转，所述湿法清洗剂与所述残留物13反应形成的液体和剩余的所述湿法清洗剂能够在离心力的作用下被甩出所述光罩11，减少所述光罩11上的液体残留。

在一些实施例中，所述喷头10沿第一方向D1位于所述承载结构上方；所述光罩清洗装置还包括：

第三驱动器，连接所述控制器18和所述喷头10，所述第三驱动器用于驱动所述喷头10沿所述第一方向D1升降运动。在一示例中，所述第一方向D1垂直于所述承载面191。

在一些实施例中，所述光罩清洗装置还包括：

传感结构，连接所述第三驱动器，用于检测所述残留物13沿所述第一方向D1的高度，所述第三驱动器用于根据所述残留物13的所述高度驱动所述喷头10沿所述第一方向D1升降运动。

举例来说，当所述传感结构检测到所述残留物13沿所述第一方向D1的高度在阈值高度内时，则通过驱动所述喷头10沿所述第一方向D1运动，使得所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离保持在第一阈值距离内。当所述传感结构检测到所述残留物13沿所述第一方向D1的高度大于阈值高度时，则所述第三驱动器驱动所述喷头10沿所述第一方向D1上升，增大所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离，避免所述残留物13污染或者堵塞所述喷头10的所述喷口22。当所述传感结构检测到所述残留物13沿所述第一方向D1的高度小于阈值高度时，则所述第三驱动器驱动所述喷头10沿所述第一方向D1下降，减小所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离，使得所述喷头10喷出的所述湿法清洗剂更好的覆盖所述残留物13。

在一些实施例中，所述光罩清洗装置还包括对准结构，所述对准结构连接所述喷头10，用于驱动所述喷头10沿平行于所述承载面191的方向平移运动，使得所述喷头10位于所述图形区域12正上方，从而在进一步避免所述湿法清洗剂掉落至所述图形区域12的同时，进一步提高所述残留物13的去除效果。在一示例中，驱动所述喷头10沿平行于所述承载面191的方向平移运动是指，驱动所述喷头10沿第二方向D2和第三方向D3平移运动，所述第二方向D2和所述第三方向D3均与所述第一方向D1垂直，且所述第二方向D2与所述第三方向D3垂直相交。所述喷头10位于所述图形区域12正上方是指，所述喷头10在所述承载面191上的投影覆盖所述图形区域12在所述承载面191上的投影的中心。

在一些实施例中，在沿所述喷头10指向所述承载面191的方向上，所述外壳21的宽度逐渐增大，且所述阻挡柱20的宽度逐渐增大。

在一示例中，所述外壳21为中空的筒状结构，所述外壳21的宽度为所述筒状结构的内径；所述阻挡柱20位柱状结构，所述阻挡柱20的宽度为所述阻挡柱20的直径。举例来说，所述外壳21在所述第一方向D1与第二方向D2相交构成的平面上的投影的形状为梯形，所述阻挡柱20在所述第一方向D1与第二方向D2相交构成的平面上的投影的形状也为梯形，所述第二方向D2平行于所述承载面191。采用上述结构，一方面，有助于进一步分散所述湿法清洗剂，提高从所述喷口22喷出的所述湿法清洗剂的均匀性；另一方面，能够进一步避免所述清洗剂掉落至所述图形区域12。

为了使得所述喷口22喷出的所述湿法清洗剂更好的覆盖全部的所述残留物13，从而进一步提高残留物的去除效果，在一些实施例中，所述喷口22在所述承载面191上的投影的形状与全部的所述残留物13的轮廓线的形状相同，其中，全部的所述残留物13的轮廓线是指全部的所述残留物13的边缘线连接形成的封闭曲线。

在一些实施例中，所述湿法清洗剂为酸性化学试剂。在一示例中，所述酸性化学试剂为SPM（硫酸与双氧水的混合溶液）。

本具体实施方式还提供了一种光罩清洗方法，附图3是本发明具体实施方式中光罩清洗方法的流程图。本具体实施方式提供的光罩清洗方法可以采用如图1和图2所示的光罩清洗装置实施。如图1-图3所示，所述光罩清洗方法，包括如下步骤：

步骤S31，放置待清洗的光罩11于承载结构的承载面191上，所述光罩11包括图形区域12以及环绕所述图形区域12的外周分布的残留物13；

步骤S32，驱动所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷口22朝向所述光罩11上的所述残留物13喷射呈环状分布的湿法清洗剂，所述喷头10包括阻挡柱20和环绕所述阻挡柱20的外周分布的外壳21，所述喷口22位于所述阻挡柱20与所述外壳21之间。

举例来说，在所述喷头10位于所述图形区域12正上方之后，驱动所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度同步匀速自转，并在所述承载结构和所述喷头10持续自转的过程中，控制所述喷头10中的所述喷口22朝向所述光罩11上的所述残留物13喷射湿法清洗剂。

在一些实施例中，所述喷头10沿第一方向D1位于所述承载结构上方；驱动所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷口22朝向所述光罩11上的所述残留物13喷射呈环状分布的湿法清洗剂之前，还包括如下步骤：

检测所述图形区域12的面积；

根据所述图形区域12的面积调整所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离。

在一些实施例中，根据所述图形区域12的面积调整所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离的具体步骤包括：

判断所述图形区域12的面积是否大于阈值面积，若是，则驱动所述喷头10沿所述第一方向D1下降，减小所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离。

举例来说，当检测到所述图形区域12在所述承载面191上的投影面积在阈值面积内时，则通过驱动所述喷头10沿所述第一方向D1运动，使得所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离保持在第二阈值距离内。当检测到所述图形区域12在所述承载面191上的投影面积大于所述阈值面积时，则驱动所述喷头10沿所述第一方向D1下降，减小所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离，以进一步减小溅射至所述图形区域12的所述湿法清洗剂的量。当检测到所述图形区域12在所述承载面191上的投影面积小于所述阈值面积时，则驱动所述喷头10沿所述第一方向D1上升，增大所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离，使得所述喷头10喷出的所述湿法清洗剂更好的覆盖所述残留物13。

在一些实施例中，所述喷头10沿第一方向D1位于所述承载结构上方；驱动所述承载结构和所述喷头10沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷口22朝向所述光罩11上的所述残留物13喷射呈环状分布的湿法清洗剂之前，还包括如下步骤：

检测所述残留物13沿所述第一方向D1的高度；

根据所述残留物13沿所述第一方向D1的高度调整所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离。

在一些实施例中，根据所述残留物13沿所述第一方向D1的高度调整所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离的具体步骤包括：

判断所述残留物13沿所述第一方向D1的高度是否小于阈值高度，若是，则驱动所述喷头10沿所述第一方向D1上升，增大所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离。

举例来说，当检测到所述残留物13沿所述第一方向D1的高度在阈值高度内时，则通过驱动所述喷头10沿所述第一方向D1运动，使得所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离保持在第一阈值距离内。当检测到所述残留物13沿所述第一方向D1的高度大于阈值高度时，则驱动所述喷头10沿所述第一方向D1上升，增大所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离，避免所述残留物13污染或者堵塞所述喷头10。当检测到所述残留物13沿所述第一方向D1的高度小于阈值高度时，则驱动所述喷头10沿所述第一方向D1下降，减小所述喷头10与所述光罩11沿所述第一方向D1的距离，使得所述喷头10喷出的所述湿法清洗剂更好的覆盖所述残留物13。

本具体实施方式提供的光罩清洗装置及光罩清洗方法，通过设置包括阻挡柱、环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳和位于所述阻挡柱与所述外壳之间的喷口的喷头，从而使得自所述喷头中的所述喷口喷出的湿法清洗剂为环状，从而减少甚至是能够避免所述湿法清洗剂覆盖所述光罩上的图形区域，既减少了湿法清洗剂与所述图形区域作用而对所述图形区域造成损伤，也能减少因湿法清洗剂在所述图形区域的残留而产生的结晶杂质，使得在提高所述光罩表面的残留物的去除效果的同时，也能减少对所述光罩上的所述图形区域的损伤，提高了光罩的清洁效果，进而改善了半导体结构的光刻良率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种光罩清洗装置，其特征在于，包括：

承载结构，包括承载面，所述承载面用于承载待清洗的光罩，所述光罩包括图形区域以及环绕所述图形区域的外周分布的残留物；

喷头，位于所述承载结构上方，所述喷头包括阻挡柱、环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳和位于所述阻挡柱与所述外壳之间的喷口，所述喷头通过所述喷口喷射出呈环状分布的湿法清洗剂；

控制器，连接所述承载结构和所述喷头，所述控制器用于在所述喷头喷射所述湿法清洗剂时控制所述承载结构和所述喷头沿相同的方向以相同的速度自转。

2.根据权利要求1所述的光罩清洗装置，其特征在于，还包括：

第一驱动器，连接所述承载结构和所述控制器，所述第一驱动器用于根据所述控制器的第一控制指令驱动所述承载结构自转；

第二驱动器，连接所述喷头和所述控制器，所述第二驱动器用于根据所述控制器的第二控制指令驱动所述喷头自转。

3.根据权利要求1所述的光罩清洗装置，其特征在于，所述喷头沿第一方向位于所述承载结构上方；所述光罩清洗装置还包括：

第三驱动器，连接所述控制器和所述喷头，所述第三驱动器用于驱动所述喷头沿所述第一方向升降运动。

4.根据权利要求3所述的光罩清洗装置，其特征在于，还包括：

传感结构，连接所述第三驱动器，用于检测所述残留物沿所述第一方向的高度，所述第三驱动器用于根据所述残留物的所述高度驱动所述喷头沿所述第一方向升降运动。

5.根据权利要求1所述的光罩清洗装置，其特征在于，在沿所述喷头指向所述承载面的方向上，所述外壳的宽度逐渐增大，且所述阻挡柱的宽度逐渐增大。

6.根据权利要求1所述的光罩清洗装置，其特征在于，所述喷口在所述承载面上的投影的形状与全部的所述残留物的轮廓线的形状相同，其中，全部的所述残留物的轮廓线是指全部的所述残留物的边缘线连接形成的封闭曲线。

7.根据权利要求1所述的光罩清洗装置，其特征在于，所述湿法清洗剂为酸性化学试剂。

8.一种光罩清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

放置待清洗的光罩于承载结构的承载面上，所述光罩包括图形区域以及环绕所述图形区域的外周分布的残留物；

驱动所述承载结构和位于所述承载结构上方的喷头沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷头通过喷口朝向所述光罩上的所述残留物喷射呈环状分布的湿法清洗剂，所述喷头包括阻挡柱和环绕所述阻挡柱的外周分布的外壳，所述喷口位于所述阻挡柱与所述外壳之间。

9.根据权利要求8所述的光罩清洗方法，其特征在于，所述喷头沿第一方向位于所述承载结构上方；驱动所述承载结构和位于所述承载结构上方的喷头沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷头通过喷口朝向所述光罩上的所述残留物喷射呈环状分布的湿法清洗剂之前，还包括如下步骤：

检测所述图形区域的面积；

根据所述图形区域的面积调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

10.根据权利要求9所述的光罩清洗方法，其特征在于，根据所述图形区域的面积调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离的具体步骤包括：

判断所述图形区域的面积是否大于阈值面积，若是，则驱动所述喷头沿所述第一方向下降，减小所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

11.根据权利要求8所述的光罩清洗方法，其特征在于，所述喷头沿第一方向位于所述承载结构上方；驱动所述承载结构和位于所述承载结构上方的喷头沿相同的方向以相同的速度持续自转，并同时控制所述喷头通过喷口朝向所述光罩上的所述残留物喷射呈环状分布的湿法清洗剂之前，还包括如下步骤：

检测所述残留物沿所述第一方向的高度；

根据所述残留物沿所述第一方向的高度调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。

12.根据权利要求11所述的光罩清洗方法，其特征在于，根据所述残留物沿所述第一方向的高度调整所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离的具体步骤包括：

判断所述残留物沿所述第一方向的高度是否小于阈值高度，若是，则驱动所述喷头沿所述第一方向上升，增大所述喷头与所述光罩沿所述第一方向的距离。